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JPH10242210A - 集積回路装置の実装構造およびその製造方法 - Google Patents

集積回路装置の実装構造およびその製造方法

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JPH10242210A
JPH10242210A JP9048295A JP4829597A JPH10242210A JP H10242210 A JPH10242210 A JP H10242210A JP 9048295 A JP9048295 A JP 9048295A JP 4829597 A JP4829597 A JP 4829597A JP H10242210 A JPH10242210 A JP H10242210A
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integrated circuit
circuit device
substrate
input
mounting structure
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裕一 宮崎
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 集積回路装置とこの集積回路装置が搭載され
る実装基板との接続部が露出されない集積回路装置の実
装構造を提供する。 【解決手段】 下面にパッド１１を有する集積回路装置
１と、集積回路装置１１が搭載される実装基板２と、実
装基板２上において集積回路装置１のパッド１１と対向
する位置に設けられたスルーホール２２と、集積回路装
置１のパッド１１とスルーホール２２とを接続する半田
２５とを含む。スルーホール２２内部には電極２４が設
けられ、実装基板２には電極２４と接続された配線２１
が形成される。半田２５はスルーホール２２から目視に
より確認できる位置まで充填されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路装置の実
装構造およびその製造方法に関し、特に集積回路装置と
実装基板とを接続する接続部が露出しない集積回路装置
の実装構造およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の集積回路装置の実装構造の
一例が特表平６−５０４４０８号公報に開示されてい
る。
【０００３】上記公報第１３図記載の半導体チップアセ
ンブリは、上面周辺部に複数の入出力端子が設けられた
集積回路装置と、該集積回路装置の上面に搭載されると
ともに該集積回路装置の上記複数の入出力端子の各々と
接続される複数のボンディング端子が周辺部に設けられ
たシート状挿入物とを有している。該シート状挿入物上
には複数の外部接続用端子が設けられており、該複数の
外部接続用端子の各々は上記複数のボンディング端子の
各々とそれぞれ配線によって接続されている。該集積回
路装置の複数の入出力端子の各々と該シート状挿入物の
複数のボンディング端子の各々とはそれぞれボンディン
グワイヤによって接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術では、
集積回路装置の複数の入出力端子の各々とシート状挿入
物の複数のボンディング端子の各々とをボンディングワ
イヤによって接続しているため、ボンディングワイヤが
外部に露出してしまうという問題がある。このため、ボ
ンディングが剥離しやすくパッケージの信頼性が低下し
てしまうという問題がある。
【０００５】また、集積回路装置の複数の入出力端子の
各々とシート状挿入物の複数のボンディング端子の各々
とを接続するボンディングワイヤは１本づつ設けられる
ため、製造時間が長くなってしまうという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、集積回路装置と該集積回
路装置が搭載される配線基板との接続部が露出しない集
積回路装置の実装構造を提供することにある。
【０００７】また、本発明の他の目的は、集積回路装置
の複数の入出力端子の各々と該集積回路装置が搭載され
る配線基板の複数の接続端子の各々との接続を一括して
行える集積回路装置の実装構造を提供することにある。
【０００８】さらに、本発明の他の目的は、集積回路装
置と該集積回路装置が搭載される配線基板との接続をよ
り強固にすることができる集積回路装置の実装構造構造
を提供することにある。
【０００９】また、本発明の他の目的は、集積回路装置
と該集積回路装置が搭載される配線基板との接続を容易
に目視できる集積回路装置の実装構造を提供することに
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の集積回路装置の実装構造は、下面に入出力端
子を有する集積回路装置と、この集積回路装置が搭載さ
れる基板と、この基板上において前記集積回路装置の前
記入出力端子と対向する位置に設けられた貫通孔と、前
記集積回路装置の前記入出力端子と前記貫通孔とを接続
する接続部材とを含む。
【００１１】また、本発明の他の集積回路装置の実装構
造は、前記貫通孔内部に設けられた電極と、前記基板に
設けられ前記電極と接続された配線とを含む。
【００１２】さらに、本発明の他の集積回路装置の実装
構造は、前記基板の下面に設けられ前記配線と接続され
た端子を含む。
【００１３】また、本発明の他の集積回路装置の実装構
造は、複数の前記端子を含み、該複数の端子が格子状に
配置されていることを特徴とする。
【００１４】さらに、本発明の他の集積回路装置の実装
構造は、前記接続部材が半田であることを特徴とする。
【００１５】また、本発明の他の集積回路装置の実装構
造は、前記接続部材が導電性樹脂であることを特徴とす
る。
【００１６】さらに、本発明の他の集積回路装置の実装
構造は、前記基板の外形が前記集積回路装置の外形より
も小さいかまたは同一の大きさであることを特徴とす
る。
【００１７】また、本発明の他の集積回路装置の実装構
造は、前記接続部材が前記貫通孔から露出していること
を特徴とする。
【００１８】さらに、本発明の他の集積回路装置の実装
構造は、前記貫通孔から露出した前記接続部材を接続端
子として用いることを特徴とする。
【００１９】本発明の集積回路装置の実装構造の製造方
法は、下面に複数の入出力端子が設けられた集積回路装
置と、該集積回路装置の該入出力端子と対向する位置に
貫通孔が設けられた基板とを含む集積回路装置の実装構
造の製造方法であって、前記集積回路装置の前記複数の
入出力端子の各々に半田を設ける工程と、前記集積回路
装置の前記複数の入出力端子と前記基板の前記複数の貫
通孔とを位置合わせする工程と、前記集積回路装置およ
び前記基板を加熱して前記半田を溶融させる工程とを含
む。
【００２０】また、本発明の他の集積回路装置の実装構
造の製造方法は、下面に複数の入出力端子が設けられた
集積回路装置と、該集積回路装置の該入出力端子と対向
する位置に貫通孔が設けられた基板とを含む集積回路装
置の実装構造の製造方法であって、前記集積回路装置の
前記複数の入出力端子の各々に接続部材を設ける工程
と、前記集積回路装置の前記複数の入出力端子と前記基
板の前記複数の貫通孔とを位置合わせする工程と、前記
集積回路装置の前記複数の入出力端子と前記基板の前記
複数の貫通孔との接続を前記接続部材によって全て同時
に行う工程とを含む。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に本発明の集積回路装置の実装
構造およびその製造方法の実施の形態について図面を参
照して詳細に説明する。
【００２２】図１を参照すると、本発明の集積回路装置
の実装構造の第一の実施の形態は、集積回路装置１と実
装基板２とを含む。
【００２３】集積回路装置１は下面に信号入出力用また
は電源入力用のパッド１１が複数設けられている。複数
のパッド１１は集積回路装置１の周辺部に沿って列状に
配置されている。パッド１１は銅やニッケルで形成され
る。
【００２４】実装基板２には、配線２１と、複数のスル
ーホール２２と、外部端子２３とが設けられている。実
装基板２の外形は集積回路装置１の外形の大きさよりも
小さいかまたは同一の大きさを有している。実装基板２
の上面には集積回路装置１が搭載される。
【００２５】実装基板２は絶縁層と配線層とがそれぞれ
複数積層されて形成されている。この絶縁層と配線とに
よって実装基板２内に所望の配線２１が形成される。絶
縁層の材料は集積回路装置１の熱膨張係数と同一または
類似の熱膨張係数を有するものが好ましい。具体的に
は、絶縁層の材料はセラミックであり、配線層の材料は
銅である。
【００２６】複数のスルーホール２２の各々は、搭載さ
れた集積回路装置１の複数のパッドと対向する位置にそ
れぞれ設けられている。スルーホール２２の径は集積回
路装置１のパッド１１の径と同一または類似の長さに形
成されている。具体的には、は０．２ミリメートルであ
る。複数のスルーホール２２の各々の内側の側面にはメ
タライズされた電極２４が設けられている。スルーホー
ル２２の内部には半田２５が充填される。
【００２７】電極２４は実装基板２内部の配線２１と接
続されている。電極２４はスルーホール２２の内部側面
に銅がメッキされて形成される。電極２４の厚さは１マ
イクロメートルである。
【００２８】外部端子２３は実装基板２の下面に複数設
けられている。複数の外部端子２３は、格子状に配置さ
れている。複数の外部端子２３の各々は、配線２１、電
極２４およびスルーホール２２を介して集積回路装置１
の複数のパッド１１のそれぞれと電気的に接続される。
すなわち、外部端子２３から入力された信号は、配線２
１、電極２４、半田２５および集積回路装置１のパッド
１１を介して集積回路装置１に伝達される。
【００２９】半田２５はスルーホール２２の内側側面に
設けられた電極２４と集積回路装置１のパッド１１とを
電気的および機械的に接続する。半田２５はスルーホー
ル２２の内部を実装基板２の下面から目視により確認で
きる位置まで充填されている。より好ましくは、実装基
板２の下面から盛り上がり露出するように充填される。
半田２５はＳｎ／Ｐｂ合金である。
【００３０】このように、本実施の形態では、集積回路
装置１が実装される実装基板２において該集積回路装置
１の下面のパッド１１と対向する位置にスルーホール２
２を設け、該スルーホール２２に集積回路装置１のパッ
ド１１を接続させるようにしたため、集積回路装置１と
実装基板２との接続部が外部に露出せず、この結果、接
続の信頼性をより向上させることができる。
【００３１】また、スルーホール２２に半田２５が充填
したことを実装基板２の下面から目視することにより集
積回路装置１のパッド１１と実装基板２のスルーホール
２２との接続を確認することができる。
【００３２】次に、本発明の集積回路装置の実装構造の
製造方法について図面を参照して詳細に説明する。本発
明の集積回路装置の実装構造の製造方法の特徴は、集積
回路装置１の複数のパッド１１と実装基板２の複数のス
ルーホール２２との接続を接続部材によって全て同時に
行う工程とを含む点にある。
【００３３】図２（ａ）を参照すると、第１の工程にお
いて、集積回路装置１の下面の複数のパッド１１の各々
に半田２５が設けられる。半田２５は半田ボールである
ことが好ましい。半田２５の量は実装基板２のスルーホ
ール２２の内部への充填が充分になされる量が設けられ
る。
【００３４】図２（ｂ）を参照すると、第２の工程にお
いて、集積回路装置１と実装基板２との位置合わせが行
われる。集積回路装置１の下面のパッド１１と、実装基
板２に設けられたスルーホール２２とが対向するよう
に、集積回路装置１が実装基板２上に配置される。
【００３５】図２（ｃ）を参照すると、第３の工程にお
いて、全体、すなわち、集積回路装置１および実装基板
２を加熱して半田２５を溶融させる。半田２５がスルー
ホール２２内に充填されて集積回路装置１と実装基板２
とが電気的および機械的に接続される。
【００３６】このように、本発明の集積回路装置の実装
構造の製造方法の実施の形態では、集積回路装置１が搭
載された実装基板２の全体を加熱することにより半田２
５を溶融し集積回路装置１を実装基板２に接続すること
ができるため、集積回路装置１の複数のパッド１１と複
数のスルーホール２２とを同時に接続することができ
る。
【００３７】次に、本発明の第二の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。この第二の実施の
形態の特徴は集積回路装置１の下面に設けられたパッド
１１と実装基板２のスルーホール２２とを導電性樹脂に
よって電気的および機械的に接続させる点にある。その
他の構成は第一の実施の形態と同様である。
【００３８】図３を参照すると、スルーホール２２の内
部に導電性樹脂３が充填されている。導電性樹脂３は集
積回路装置１のパッド１１とスルーホール２２の内側側
面に設けられた電極２４とを電気的に接続する。導電性
樹脂３としては、例えば、エポキシ系樹脂がある。導電
性樹脂３を用いているため、半田に比べ集積回路装置１
および実装基板２に加える熱を抑えることができる。
【００３９】次に、本発明の集積回路装置の実装構造の
製造方法について説明する。
【００４０】集積回路装置１のパッド１１には予め導電
樹脂３が塗布される。実装基板２のスルーホール２２内
には導電性樹脂３が予め充填される。導電性樹脂３が塗
布されたパッド１１と導電性樹脂３が充填されたスルー
ホール２２とが対向するよう集積回路装置１および実装
基板２が位置合わせされる。導電性樹脂３がエポキシ系
樹脂等のような熱硬化性樹脂である場合には熱が加えら
れ集積回路装置１の複数のパッド１１の各々と実装基板
２の複数のスルーホール２２の各々とが全て同時に接続
される。
【００４１】このように、本実施の形態では、集積回路
装置１と実装基板２とをより低い温度で接続できるた
め、実装基板２の反りを抑え接続の信頼性をより向上さ
せることができるとともに集積回路装置１に加える熱を
少なくすることができる。
【００４２】上述の実施の形態では、実装基板２は複数
の絶縁層と複数の配線層とが積層されてなる構成とした
が、１層の絶縁層上に１層の配線層を設けてなる構成と
してもよい。このとき、１層の配線層によって所望の配
線が形成される。該構成では、実装基板２の積層方向の
厚さを削減できるため、集積回路装置の実装高さをより
削減できるという効果がある。
【００４３】また、上述の実施の形態では、実装基板２
は絶縁層としてセラミックを用いる構成としたが、これ
に限定されずポリイミドフィルム等のような可撓性を有
する材料を用いてもよい。
【００４４】さらに、上述の実施の形態において、実装
基板２の下面から露出した半田２５を電極として用いて
もよい。この半田２５を用いた電極から入力された信号
はスルーホール２２内を介して集積回路装置１のパッド
１１に伝達される。より好ましくは、グランド等の電源
用の電極として用いるとよい。他の配線２１に比べ配線
幅が太いためである。
【００４５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本実施の
形態では、集積回路装置が実装される実装基板において
該集積回路装置の下面の入出力端子と対向する位置にス
ルーホールを設け、該スルーホールに集積回路装置の入
出力端子を接続させるようにしたため、集積回路装置と
実装基板との接続部が外部に露出せず、この結果、接続
の信頼性をより向上させることができる。
【００４６】また、スルーホールに半田が充填したこと
を実装基板の下面から目視することにより集積回路装置
の入出力端子と実装基板のスルーホールとの接続を確認
することができる。
【００４７】本発明の集積回路装置の実装構造の製造方
法の実施の形態では、集積回路装置が搭載された実装基
板の全体を加熱することにより半田を溶融し集積回路装
置を実装基板に接続することができるため、集積回路装
置の複数の入出力端子と複数のスルーホールとを同時に
接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態の断面図である。
【図２】本発明の第一の実施の形態の製造方法を示す図
である。
【図３】本発明の第二の実施の形態の断面図である。
【符号の説明】
１ 集積回路装置 １１ パッド ２ 実装基板 ２１ 配線 ２２ スルーホール ２３ 外部端子 ２４ 電極 ２５ 半田 ３ 導電性樹脂

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下面に入出力端子を有する集積回路装置
    と、 この集積回路装置が搭載される基板と、 この基板上において前記集積回路装置の前記入出力端子
    と対向する位置に設けられた貫通孔と、 前記集積回路装置の前記入出力端子と前記貫通孔とを接
    続する接続部材とを含むことを特徴とする集積回路装置
    の実装構造。
  2. 【請求項２】 前記貫通孔内部に設けられた電極と、 前記基板に設けられ前記電極と接続された配線とを含む
    ことを特徴とする請求項１記載の集積回路装置の実装構
    造。
  3. 【請求項３】 前記基板の下面に設けられ前記配線と接
    続された端子を含むことを特徴とする請求項２記載の集
    積回路装置の実装構造。
  4. 【請求項４】 複数の前記端子を含み、該複数の端子が
    格子状に配置されていることを特徴とする請求項３記載
    の集積回路装置の実装構造。
  5. 【請求項５】 前記接続部材が半田であることを特徴と
    する請求項１記載の集積回路装置の実装構造。
  6. 【請求項６】 前記接続部材が導電性樹脂であることを
    特徴とする請求項１記載の集積回路装置の実装構造。
  7. 【請求項７】 前記基板の外形が前記集積回路装置の外
    形よりも小さいかまたは同一の大きさであることを特徴
    とする請求項１記載の集積回路装置の実装構造。
  8. 【請求項８】 前記接続部材が前記貫通孔から露出して
    いることを特徴とする請求項１記載の集積回路装置の実
    装構造。
  9. 【請求項９】 前記貫通孔から露出した前記接続部材を
    接続端子として用いることを特徴とする請求項１記載の
    集積回路装置の実装構造。
  10. 【請求項１０】 下面に複数の入出力端子が設けられた
    集積回路装置と、該集積回路装置の該入出力端子と対向
    する位置に貫通孔が設けられた基板とを含む集積回路装
    置の実装構造の製造方法において、 前記集積回路装置の前記複数の入出力端子の各々に半田
    を設ける工程と、 前記集積回路装置の前記複数の入出力端子と前記基板の
    前記複数の貫通孔とを位置合わせする工程と、 前記集積回路装置および前記基板を加熱して前記半田を
    溶融させる工程とを含むことを特徴とする集積回路装置
    の実装構造の実装方法。
  11. 【請求項１１】 下面に複数の入出力端子が設けられた
    集積回路装置と、該集積回路装置の該入出力端子と対向
    する位置に貫通孔が設けられた基板とを含む集積回路装
    置の実装構造の製造方法において、 前記集積回路装置の前記複数の入出力端子の各々に接続
    部材を設ける工程と、 前記集積回路装置の前記複数の入出力端子と前記基板の
    前記複数の貫通孔とを位置合わせする工程と、 前記集積回路装置の前記複数の入出力端子と前記基板の
    前記複数の貫通孔との接続を前記接続部材によって全て
    同時に行う工程とを含むことを特徴とする集積回路装置
    の実装構造の実装方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008535229A (ja) * 2005-04-01 2008-08-28 トロワデー、プリュ 接続ボールが設けられた電子パッケージの積重ねを含む薄厚電子モジュール

Families Citing this family (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3080175B2 (ja) * 1996-05-17 2000-08-21 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 半導体チップ用の支持部材
JP2000208698A (ja) * 1999-01-18 2000-07-28 Toshiba Corp 半導体装置
SG75841A1 (en) 1998-05-02 2000-10-24 Eriston Invest Pte Ltd Flip chip assembly with via interconnection
US6406939B1 (en) 1998-05-02 2002-06-18 Charles W. C. Lin Flip chip assembly with via interconnection
EP0962978A1 (en) * 1998-06-04 1999-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP3447961B2 (ja) * 1998-08-26 2003-09-16 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
TW522536B (en) 1998-12-17 2003-03-01 Wen-Chiang Lin Bumpless flip chip assembly with strips-in-via and plating
TW444236B (en) 1998-12-17 2001-07-01 Charles Wen Chyang Lin Bumpless flip chip assembly with strips and via-fill
SG82591A1 (en) 1998-12-17 2001-08-21 Eriston Technologies Pte Ltd Bumpless flip chip assembly with solder via
US6388335B1 (en) * 1999-12-14 2002-05-14 Atmel Corporation Integrated circuit package formed at a wafer level
DE10014379A1 (de) 2000-03-23 2001-10-11 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Verbinden mindestens eines Chips mit einer Umverdrahtungsanordnung
US6569753B1 (en) 2000-06-08 2003-05-27 Micron Technology, Inc. Collar positionable about a periphery of a contact pad and around a conductive structure secured to the contact pads, semiconductor device components including same, and methods for fabricating same
US6403460B1 (en) 2000-08-22 2002-06-11 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly
US6350633B1 (en) 2000-08-22 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint
US6436734B1 (en) 2000-08-22 2002-08-20 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly
US6562709B1 (en) 2000-08-22 2003-05-13 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint
US6660626B1 (en) 2000-08-22 2003-12-09 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint
US6402970B1 (en) 2000-08-22 2002-06-11 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly
US6562657B1 (en) 2000-08-22 2003-05-13 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint
US6551861B1 (en) 2000-08-22 2003-04-22 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly by joining the chip to a support circuit with an adhesive
US7271491B1 (en) * 2000-08-31 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Carrier for wafer-scale package and wafer-scale package including the carrier
US6350386B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit with a tapered through-hole for a semiconductor chip assembly
US6511865B1 (en) 2000-09-20 2003-01-28 Charles W. C. Lin Method for forming a ball bond connection joint on a conductive trace and conductive pad in a semiconductor chip assembly
US6350632B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with ball bond connection joint
US6544813B1 (en) 2000-10-02 2003-04-08 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6448108B1 (en) 2000-10-02 2002-09-10 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6440835B1 (en) 2000-10-13 2002-08-27 Charles W. C. Lin Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip
US7190080B1 (en) 2000-10-13 2007-03-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US6872591B1 (en) 2000-10-13 2005-03-29 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace and a substrate
US7264991B1 (en) 2000-10-13 2007-09-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using conductive adhesive
US7009297B1 (en) 2000-10-13 2006-03-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal particle
US7132741B1 (en) 2000-10-13 2006-11-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with carved bumped terminal
US6576493B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US6699780B1 (en) 2000-10-13 2004-03-02 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using plasma undercut etching
US6537851B1 (en) 2000-10-13 2003-03-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace to a semiconductor chip
US6876072B1 (en) 2000-10-13 2005-04-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with chip in substrate cavity
US7129113B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar in an encapsulant aperture
US6673710B1 (en) 2000-10-13 2004-01-06 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6492252B1 (en) 2000-10-13 2002-12-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped conductive trace to a semiconductor chip
US6667229B1 (en) 2000-10-13 2003-12-23 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6949408B1 (en) 2000-10-13 2005-09-27 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US7129575B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped metal pillar
US7319265B1 (en) 2000-10-13 2008-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with precision-formed metal pillar
US6576539B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Charles W.C. Lin Semiconductor chip assembly with interlocked conductive trace
US7262082B1 (en) 2000-10-13 2007-08-28 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar and a conductive interconnect in an encapsulant aperture
US7414319B2 (en) * 2000-10-13 2008-08-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with metal containment wall and solder terminal
US6908788B1 (en) 2000-10-13 2005-06-21 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using a metal base
US6984576B1 (en) 2000-10-13 2006-01-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting an additively and subtractively formed conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6548393B1 (en) 2000-10-13 2003-04-15 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with hardened connection joint
US6740576B1 (en) 2000-10-13 2004-05-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a contact terminal with a plated metal peripheral sidewall portion for a semiconductor chip assembly
US7071089B1 (en) 2000-10-13 2006-07-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a carved bumped terminal
US7075186B1 (en) 2000-10-13 2006-07-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with interlocked contact terminal
US7094676B1 (en) 2000-10-13 2006-08-22 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US6580165B1 (en) * 2000-11-16 2003-06-17 Fairchild Semiconductor Corporation Flip chip with solder pre-plated leadframe including locating holes
US6462950B1 (en) * 2000-11-29 2002-10-08 Nokia Mobile Phones Ltd. Stacked power amplifier module
US6444489B1 (en) 2000-12-15 2002-09-03 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with bumped molded substrate
US6653170B1 (en) 2001-02-06 2003-11-25 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with elongated wire ball bonded to chip and electrolessly plated to support circuit
KR100384834B1 (ko) * 2001-03-30 2003-05-23 주식회사 하이닉스반도체 다중 기판 상에 형성되는 반도체 장치 및 그 제조 방법
SG104293A1 (en) 2002-01-09 2004-06-21 Micron Technology Inc Elimination of rdl using tape base flip chip on flex for die stacking
SG115456A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Semiconductor die packages with recessed interconnecting structures and methods for assembling the same
SG115459A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Flip chip packaging using recessed interposer terminals
SG121707A1 (en) * 2002-03-04 2006-05-26 Micron Technology Inc Method and apparatus for flip-chip packaging providing testing capability
SG111935A1 (en) * 2002-03-04 2005-06-29 Micron Technology Inc Interposer configured to reduce the profiles of semiconductor device assemblies and packages including the same and methods
SG115455A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Methods for assembly and packaging of flip chip configured dice with interposer
US20040036170A1 (en) * 2002-08-20 2004-02-26 Lee Teck Kheng Double bumping of flexible substrate for first and second level interconnects
US20040088855A1 (en) * 2002-11-11 2004-05-13 Salman Akram Interposers for chip-scale packages, chip-scale packages including the interposers, test apparatus for effecting wafer-level testing of the chip-scale packages, and methods
US7147141B2 (en) * 2002-11-13 2006-12-12 Intel Corporation Preconditioning via plug material for a via-in-pad ball grid array package
FI20031341L (fi) 2003-09-18 2005-03-19 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
US7993983B1 (en) 2003-11-17 2011-08-09 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with chip and encapsulant grinding
US7538415B1 (en) 2003-11-20 2009-05-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal, filler and insulative base
US7425759B1 (en) 2003-11-20 2008-09-16 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal and filler
FI117814B (fi) * 2004-06-15 2007-02-28 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
US7268421B1 (en) 2004-11-10 2007-09-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar that includes enlarged ball bond
US7750483B1 (en) 2004-11-10 2010-07-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar and enlarged plated contact terminal
US7446419B1 (en) 2004-11-10 2008-11-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar of stacked metal balls
US7687400B2 (en) * 2005-06-14 2010-03-30 John Trezza Side stacking apparatus and method
US20060281303A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 John Trezza Tack & fuse chip bonding
US7884483B2 (en) 2005-06-14 2011-02-08 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Chip connector
US7215032B2 (en) 2005-06-14 2007-05-08 Cubic Wafer, Inc. Triaxial through-chip connection
US20060278996A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 John Trezza Active packaging
US7786592B2 (en) 2005-06-14 2010-08-31 John Trezza Chip capacitive coupling
US8456015B2 (en) * 2005-06-14 2013-06-04 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Triaxial through-chip connection
US7560813B2 (en) 2005-06-14 2009-07-14 John Trezza Chip-based thermo-stack
US7521806B2 (en) * 2005-06-14 2009-04-21 John Trezza Chip spanning connection
US7838997B2 (en) * 2005-06-14 2010-11-23 John Trezza Remote chip attachment
US7534722B2 (en) * 2005-06-14 2009-05-19 John Trezza Back-to-front via process
US7781886B2 (en) * 2005-06-14 2010-08-24 John Trezza Electronic chip contact structure
US7851348B2 (en) * 2005-06-14 2010-12-14 Abhay Misra Routingless chip architecture
FI122128B (fi) * 2005-06-16 2011-08-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
FI119714B (fi) 2005-06-16 2009-02-13 Imbera Electronics Oy Piirilevyrakenne ja menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
DE112006001506T5 (de) * 2005-06-16 2008-04-30 Imbera Electronics Oy Platinenstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung
US7687397B2 (en) * 2006-06-06 2010-03-30 John Trezza Front-end processed wafer having through-chip connections
US20070281460A1 (en) * 2006-06-06 2007-12-06 Cubic Wafer, Inc. Front-end processed wafer having through-chip connections
WO2008048925A2 (en) * 2006-10-17 2008-04-24 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Wafer via formation
US7811863B1 (en) 2006-10-26 2010-10-12 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with metal pillar and encapsulant grinding and heat sink attachment
US7494843B1 (en) 2006-12-26 2009-02-24 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with thermal conductor and encapsulant grinding
US7705613B2 (en) * 2007-01-03 2010-04-27 Abhay Misra Sensitivity capacitive sensor
KR101332861B1 (ko) * 2007-01-03 2013-11-22 삼성전자주식회사 아이씨 패키지 및 그 제조방법
US7803693B2 (en) * 2007-02-15 2010-09-28 John Trezza Bowed wafer hybridization compensation
US7705632B2 (en) * 2007-02-15 2010-04-27 Wyman Theodore J Ted Variable off-chip drive
US7598163B2 (en) * 2007-02-15 2009-10-06 John Callahan Post-seed deposition process
US7670874B2 (en) * 2007-02-16 2010-03-02 John Trezza Plated pillar package formation
US7747223B2 (en) * 2007-03-29 2010-06-29 Research In Motion Limited Method, system and mobile device for prioritizing a discovered device list
US7850060B2 (en) * 2007-04-05 2010-12-14 John Trezza Heat cycle-able connection
US7748116B2 (en) * 2007-04-05 2010-07-06 John Trezza Mobile binding in an electronic connection
US7960210B2 (en) 2007-04-23 2011-06-14 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Ultra-thin chip packaging
US20080261392A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 John Trezza Conductive via formation
WO2011154062A1 (fr) * 2010-06-08 2011-12-15 Johnson Controls Technology Company Raccordement electrique entre un element de support et un element electrique, methode de fabrication d'un raccordement electrique, element de support et element electrique
US9691636B2 (en) * 2012-02-02 2017-06-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interposer frame and method of manufacturing the same
US8946072B2 (en) * 2012-02-02 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. No-flow underfill for package with interposer frame
KR20140059489A (ko) * 2012-11-08 2014-05-16 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
US9159652B2 (en) 2013-02-25 2015-10-13 Stmicroelectronics S.R.L. Electronic device comprising at least a chip enclosed in a package and a corresponding assembly process
CN110024107B (zh) * 2016-11-30 2023-11-10 深圳修远电子科技有限公司 集成电路封装方法以及集成封装电路
US11335664B2 (en) * 2016-11-30 2022-05-17 SHENZHEN XlUYUAN ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD Integrated circuit packaging method and integrated packaging circuit
IT201700073501A1 (it) * 2017-06-30 2018-12-30 St Microelectronics Srl Prodotto a semiconduttore e corrispondente procedimento
WO2020073264A1 (zh) * 2018-10-11 2020-04-16 深圳市修颐投资发展合伙企业（有限合伙） 复合工艺扇出封装方法
JP7102481B2 (ja) * 2020-10-09 2022-07-19 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 射出成形品及びその製造方法
US11948807B2 (en) 2021-03-30 2024-04-02 International Business Machines Corporation Feature selection through solder-ball population
US11963307B2 (en) * 2021-03-30 2024-04-16 International Business Machines Corporation Vacuum-assisted BGA joint formation

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0738401B2 (ja) * 1986-10-13 1995-04-26 株式会社日立製作所 Ｌｓｉチツプ実装構造体
JPH02168662A (ja) 1988-09-07 1990-06-28 Hitachi Ltd チップキャリア
US5148265A (en) * 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
EP0482940B1 (en) * 1990-10-24 1996-03-27 Nec Corporation Method of forming an electrical connection for an integrated circuit
JP2570498B2 (ja) * 1991-05-23 1997-01-08 モトローラ・インコーポレイテッド 集積回路チップ・キャリア
US5489750A (en) * 1993-03-11 1996-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of mounting an electronic part with bumps on a circuit board
US5459368A (en) * 1993-08-06 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device mounted module
JPH088293A (ja) * 1994-06-16 1996-01-12 Casio Comput Co Ltd 電子部品の接続構造およびその接続方法
US5742100A (en) * 1995-03-27 1998-04-21 Motorola, Inc. Structure having flip-chip connected substrates
JPH08316271A (ja) * 1995-05-12 1996-11-29 Nitto Denko Corp フィルムキャリアおよびこれを用いた半導体装置
JPH0945805A (ja) * 1995-07-31 1997-02-14 Fujitsu Ltd 配線基板、半導体装置及び半導体装置を配線基板から取り外す方法並びに半導体装置の製造方法
US5971253A (en) * 1995-07-31 1999-10-26 Tessera, Inc. Microelectronic component mounting with deformable shell terminals
US5784262A (en) * 1995-11-06 1998-07-21 Symbios, Inc. Arrangement of pads and through-holes for semiconductor packages
JP3610999B2 (ja) * 1996-06-07 2005-01-19 松下電器産業株式会社 半導体素子の実装方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008535229A (ja) * 2005-04-01 2008-08-28 トロワデー、プリュ 接続ボールが設けられた電子パッケージの積重ねを含む薄厚電子モジュール

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