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JPH10188352A - 情報記録媒体 - Google Patents

情報記録媒体

Info

Publication number
JPH10188352A
JPH10188352A JP8348341A JP34834196A JPH10188352A JP H10188352 A JPH10188352 A JP H10188352A JP 8348341 A JP8348341 A JP 8348341A JP 34834196 A JP34834196 A JP 34834196A JP H10188352 A JPH10188352 A JP H10188352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
transparent substrate
recording layer
recording
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8348341A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryohei Miyake
了平 三宅
Masaaki Iwasaki
眞明 岩▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Music Solutions Inc
Original Assignee
Sony Disc Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Disc Technology Inc filed Critical Sony Disc Technology Inc
Priority to JP8348341A priority Critical patent/JPH10188352A/ja
Publication of JPH10188352A publication Critical patent/JPH10188352A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光半透過膜と透明基板の密着性が悪かった。 【解決手段】 多層の記録層4,8を有し、光半透過膜
5を備えることにより、同一面から各記録層4,8の記
録信号の読み出しを行う情報記録媒体1であり、光半透
過膜5が単体の元素膜5aを有し、単体元素膜5a中に
直径1nm乃至20nmの超微粒子5bの化合物が分散
されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層の記録層を有
し、光半透過膜を備えることにより、同一面から各記録
層の記録信号の読み出しを行う情報記録媒体に係り、特
に光半透過膜の耐環境性能を改善した情報記録媒体に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来より、オーディオやビデオ、その他
の各種情報を記録または/および再生を行う情報媒体と
して、図4に示す読み出し専用光ディスクや、図5に示
す書き換え可能光ディスクが知られている。
【0003】図4は、読み出し専用光ディスクの断面構
造を示す概略図である。図4において、読み出し専用光
ディスク21の光照射側面21aは、ポリカーボネート
等の透明基板22によって形成され、この透明基板22
上には、記録データの凹凸ピット23を有する記録層2
4が形成されている。この記録層24上には、アルミニ
ウム蒸着膜等の反射膜25が形成され、この反射膜25
は、紫外線硬化樹脂等の保護膜26によって覆われて保
護されている。
【0004】また図5は、書き換え可能光ディスクの断
面構造を示す概略図である。図5において、書き換え可
能光ディスク31の光照射側面31aは、ポリカーボネ
ート等の透明基板32によって形成され、この透明基板
32上には、高屈折率誘電体よりなるエンハンスト層3
3および記録層34が順次形成されている。この記録層
34上には、高屈折率誘電体よりなる保護層35を介し
て、アルミニウム蒸着膜等の反射膜36が形成され、こ
の反射膜36は、紫外線硬化樹脂等の保護膜37によっ
て覆われて保護されている。
【0005】このように、これらの光ディスク21,3
1の断面構造において、記録層24,34は、それぞれ
単層であった。
【0006】しかし、利用する情報量の増加に伴って、
光ディスクの単位面積当たりの記録密度を増加させるこ
とが必要となり、デジタルビデオディスク等の次世代光
ディスクにおいては、記録層を多層に形成した高密度光
ディスクの利用が考えられている。
【0007】図6は、高密度光ディスクの断面構造を示
す概略図である。図6において、高密度光ディスク41
は、ポリカーボネート等の透明基板42上に記録データ
の凹凸ピット43を有する第1の記録層44が形成さ
れ、この第1の記録層44上に光半透過膜45が形成さ
れている。また、光半透過膜45上には、紫外線硬化樹
脂等からなるスペース層46が形成されている。そし
て、記録層を形成した透明基板上にアルミニウム反射膜
を成膜した単板を、2つの記録層44,48が対向する
ように、貼り合わせることにより、第1の記録層44と
第2の記録層48とを有する高密度光ディスク41を製
作した。
【0008】このような高密度光ディスク41を実現す
るには、光半透過膜45が極めて重要な要素となる。す
なわち、この光半透過膜45には、20%乃至40%の
反射率と透過率が必要とされ、読み出しの焦点を第1の
記録層44に合わせると第1の記録層44から記録信号
が読み出される。このとき、第2の記録層48には読み
出しの焦点が合っていないため、記録信号が読み出し時
に混じり合うことはない。一方、読み出しの焦点を第2
の記録層48に合わせると、同様に第2の記録層48の
記録信号のみが読み出される。
【0009】この光半透過膜45に要求される性能とし
ては、入射光を有効に利用するために吸収損失が小さい
こと、第1の記録層44と第2の記録層48の間の戻り
光量を等しくするために反射率や透過率が調整できるこ
と、スペース層46との密着性が良いこと、耐環境性に
優れていることなどがある。
【0010】このような光半透過膜45は、例えばスパ
ッタリングや真空蒸着等の成膜方法によって、所定の屈
折率と所定の膜厚を有する珪素化合物膜を成膜すること
により得られ、珪素化合物を光半透過膜45とした場合
の機能は次のように説明することができる。
【0011】図7において、光半透過膜45は、ポリカ
ーボネート等により形成された透明基板42と、紫外線
硬化樹脂等により形成されたスペース層46との間に介
設されている。例えば、透明基板42側から入射した光
は、光半透過膜45内で多重反射を起こし、干渉する。
したがって、図8に示すように、光半透過膜45を通過
する光量と反射する光量は、この光半透過膜45の膜厚
と屈折率によって変化する。すなわち、屈折率と膜厚を
変化させることで、反射率と透過率を任意に選択するこ
とができる。
【0012】また、図9は、酸素量を一定(3%)と
し、窒素量を変化させたときの光半透過膜の屈折率変
化、および窒素量を一定(6%)とし、酸素量を変化さ
せたときの光半透過膜の屈折率変化を示す説明図であ
る。図9によれば、酸素と窒素の総量が増加するにした
がって、屈折率が小さくなっていくことが判る。
【0013】このときの屈折率と膜厚の最適値は、次の
ようにして決められる。屈折率は、透明基板32側から
みて第1の記録層44と第2の記録層48からの戻り光
量が等しくなるように設定する。また、膜厚は、面内に
おいて均一な戻り光量を得るために、膜厚の変化に対し
て反射率と透過率の変化が最も少ない値に設定する。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
光半透過膜を有する光ディスクを高温高湿の環境下に長
時間放置したところ、図10に示すように、ジッタやエ
ラーレートの増加が生じた。その原因は、光半透過膜と
透明基板との密着性が悪いため、高温高湿の環境下で光
半透過膜が透明基板から剥離することにあった。
【0015】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、光半透過膜と透明基板との密着性を向
上させることにより、高温高湿の環境下でも光半透過膜
が透明基板から剥離することがなく、耐環境性に優れた
情報記録媒体を提供することを目的とするものである。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、多層の記録層を有し、光半透過膜を備えることに
より、同一面から各記録層の記録信号の読み出しを行う
情報記録媒体において、上記光半透過膜が単体の元素膜
を有し、単体元素膜中に直径1nm乃至20nmの超微
粒子の化合物が分散されている情報記録媒体により、達
成される。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施形態は、本発明の好適な形態であるから、技術
的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範
囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記
載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【0018】図1は、本発明に係る情報記録媒体の断面
構造の一実施形態を示す概略図である。図1において、
情報記録媒体1は、例えば円板状の光ディスクとして構
成され、その光照射側には、例えばポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンおよびポリス
チレン等の透明基板2が設けられている。この透明基板
2は光学的に透明で成形が可能なものであればよく、例
えば金型内にポリカーボネート等を射出成形することに
より円板状に形成され、その上面にはスタンパにより記
録データの凹凸ピット3を有する第1の記録層4が形成
されている。
【0019】単体元素膜5a中への超微粒子5bの分散
は、図3に示すような成膜装置11を使用して行われ
る。図3において、成膜装置11のチャンバー12の上
部には排気系に接続された排気口14が設けられてい
る。成膜室13内の下部には陽極となるバックプレート
15が配置され、このバックプレート15上に透明基板
2が取り付けられる。また、成膜室13内の上部には、
例えば珪素ターゲット16とアルミニウムターゲット1
7とが陰極として配置されており、シャッター18によ
って陽極と遮られている。さらに、成膜室13内の中間
部には、不活性ガス、酸素または炭素のガス供給口19
が配置されている。すなわち、成膜装置11は、コスパ
ッタが可能なスパッタリング装置として構成されてい
る。
【0020】上記スパッタリング装置11によって、珪
素ターゲット16のスパッタとアルミニウムターゲット
17のスパッタとを交互に行い、珪素膜またはアルミニ
ウム等の単体元素膜5a中に酸化アルミニウムまたは酸
化珪素等の超微粒子5bを分散させることにより、光半
透過膜5と透明基板2との密着性を増加させるが、密着
性が増加する理由を以下に説明する。珪素化合物膜は単
体では硬くて脆く、展延性がほとんどない。そのため、
単体の珪素化合物膜は、温湿度の変化に伴う透明基板2
の伸縮に対して対応できず、透明基板2と光半透過膜5
の間にストレスが集中し、これらの密着性が低下する。
珪素膜等の単体元素膜5aは、膜中の原子が相互に密接
なネットワークを形成しているため、緻密な構造を有し
ている。そこで、この原子相互のネットワークを断ち切
るために、図2に示したような超微粒子5bを珪素膜等
の単体元素膜5a中に導入すると、各原子の結合は緩く
なり、光半透過膜5は柔軟な構造になる。したがって、
温湿度の変化に伴う透明基板2の伸縮に対して柔軟に対
応することができ、透明基板2と光半透過膜5の間のス
トレスはなくなり、これらの密着性が向上するものと考
えられる。
【0021】このように本実施形態の情報記録媒体1
は、第1の記録層4と第2の記録層8を有しており、第
1の記録層4上に光半透過膜5として超微粒子5bを分
散させた珪素膜等の単体元素膜5aを備えることによ
り、透明基板2側から各記録層4,8の記録信号の読み
出しを行うものである。
【0022】なお、本実施形態では、二層の記録層を有
する情報記録媒体1を構成したが、これに限るものでは
なく、三層以上の記録層を有する情報記録媒体として構
成してもよい。
【0023】
【実施例】
実施例1 実施例1の情報記録媒体は、図1に示した情報記録媒体
と同様の断面構造を有しており、同一の符号は同一部材
を示している。透明基板2の材質には、ポリカーボネー
トを採用する。まず、金型内にポリカーボネートを射出
成形して、スタンパにより凹凸ピット3を有する第1の
記録層4の形成された透明基板2を作製した。
【0024】次に、この透明基板2を図3に示したコス
パッタが可能なスパッタリング装置11のチャンバー1
2内に導入して陽極のバックプレート15上に設置する
と共に、陰極に珪素ターゲット16およびアルミニウム
ターゲット17を設置した。この珪素ターゲット16に
は、その導電性を高めるため、ボロンがドーピングされ
ている。
【0025】そして、チャンバー12内を十分に排気し
た後、珪素ターゲット16をスパッタする際には20s
ccmのアルゴンガスをガス供給口19から導入し、
又、アルミニウムターゲット17をスパッタする際には
15sccmのアルゴンガスに3sccmの酸素ガスを
混入した混合ガスをチャンバー12のガス供給口19か
ら導入して、透明基板2の第1の記録層4上に光半透過
膜5を成膜した。この際、珪素膜の成膜レートは5nm
/秒で、酸化アルミニウム膜の成膜レートは1nm/秒
であり、シャッター18を交互に1秒間開放する操作を
10回繰り返し、光半透過膜5を60nmの厚さで成膜
した。この光半透過膜5は屈折率n=2.95を有して
おり、透過型電子顕微鏡で膜構造を観察したところ、珪
素膜5a中に平均直径8nmの酸化アルミニウムの超微
粒子5bが均一に分散していることが確認された。
【0026】この超微粒子5bが分散された光半透過膜
5上に、紫外線硬化樹脂よりなるスペース層6を47ミ
クロンの厚さで形成した。そして、記録層を形成した透
明基板上にアルミニウム反射膜を成膜した単板を、2つ
の記録層4,8が対向するように、貼り合わせることに
より、第1の記録層4と第2の記録層8とを有する光デ
ィスク1を製作した。
【0027】以上のようにして作製した光ディスク1の
反射率を測定したところ、第1の記録層4の反射率が2
9%であり、第2の記録層8の反射率が32%であっ
た。また、この光ディスク1は、光ピックアップにより
第1の記録層4または第2の記録層8に焦点を合わせる
と、それぞれに記録したデータを良好に読み出すことが
できた。さらに、この光ディスク1を摂氏80度の温度
で85%の湿度の高温高湿度の環境下に1000時間放
置した後でも、ジッタやエラーレートは初期の値と変化
しなかった。
【0028】実施例2 実施例2の情報記録媒体は、図1に示した情報記録媒体
と同様の断面構造を有しており、同一の符号は同一部材
を示している。透明基板2の材質には、ポリカーボネー
トを採用する。まず、金型内にポリカーボネートを射出
成形して、スタンパにより凹凸ピット3を有する第1の
記録層4の形成された透明基板2を作製した。
【0029】次に、この透明基板2を図3に示したコス
パッタが可能なスパッタリング装置11のチャンバー1
2内に導入して陽極のバックプレート15上に設置する
と共に、陰極に珪素ターゲット16およびアルミニウム
ターゲット17を設置した。この珪素ターゲット16に
は、その導電性を高めるため、ボロンがドーピングされ
ている。
【0030】そして、チャンバー12内を十分に排気し
た後、アルミニウムターゲット17をスパッタする際に
は20sccmのアルゴンガスをガス供給口19から導
入し、又、珪素ターゲット16をスパッタする際には1
5sccmのアルゴンガスに3sccmの酸素ガスを混
入した混合ガスをチャンバー12のガス供給口19から
導入して、透明基板2の第1の記録層4上に光半透過膜
5を成膜した。この際、アルミニウム膜の成膜レートは
10nm/秒で、酸化珪素膜の成膜レートは2nm/秒
であり、シャッター18を交互に0.5秒間開放する操
作を10回繰り返し、光半透過膜5を60nmの厚さで
成膜した。この光半透過膜5は屈折率n=3.05を有
しており、透過型電子顕微鏡で膜構造を観察したとこ
ろ、アルミニウム膜5a中に平均直径13nmの酸化珪
素の超微粒子5bが均一に分散していることが確認され
た。
【0031】この超微粒子5bが分散された光半透過膜
5上に、紫外線硬化樹脂よりなるスペース層6を47ミ
クロンの厚さで形成した。そして、そして、記録層を形
成した透明基板上にアルミニウム反射膜を成膜した単板
を、2つの記録層4,8が対向するように、貼り合わせ
ることにより、第1の記録層4と第2の記録層8とを有
する光ディスク1を製作した。
【0032】以上のようにして作製した光ディスク1の
反射率を測定したところ、第1の記録層4の反射率が2
9%であり、第2の記録層8の反射率が32%であっ
た。また、この光ディスク1は、光ピックアップにより
第1の記録層4または第2の記録層8に焦点を合わせる
と、それぞれに記録したデータを良好に読み出すことが
できた。さらに、この光ディスク1を摂氏80度の温度
で85%の湿度の高温高湿度の環境下に1000時間放
置した後でも、ジッタやエラーレートは初期の値と変化
しなかった。
【0033】以上述べたように、本発明の実施の形態及
び実施例によれば、光半透過膜5を単体の元素膜5aに
よって構成し、単体膜5a中に1nm乃至20nmの超
微粒子の化合物を分散させることにより、光半透過膜5
と透明基板2との密着性を向上させることができ、高温
高湿の環境下でも光半透過膜5が透明基板2から剥離す
ることのなく、耐環境性に優れた情報記録媒体1を得る
ことができる。
【0034】この情報記録媒体1は、透明基板2との密
着性に優れるために経時変化が少なく、光の吸収損失が
少ないという優れた性能を有するものである。
【0035】
【発明の効果】かくして、本発明によれば、光半透過膜
と透明基板との密着性を向上させることにより、高温高
湿の環境下でも光半透過膜が透明基板から剥離すること
がなく、耐環境性に優れた情報記録媒体を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る情報記録媒体の一実施形態の断面
構造を示す概略図である。
【図2】本実施形態の情報記録媒体における光半透過膜
の構造を示す概略図である。
【図3】本実施形態において使用する成膜装置を示す概
略図である。
【図4】従来の読み出し専用光ディスクの断面構造を示
す概略図である。
【図5】従来の書き換え可能光ディスクの断面構造を示
す概略図である。
【図6】従来の高密度光ディスクの断面構造を示す概略
図である。
【図7】珪素化合物を光半透過膜とした場合の機能を説
明するための概念図である。
【図8】膜厚と反射率と屈折率との関係を示す説明図で
ある。
【図9】酸素,窒素含有量と屈折率との関係を示す説明
図である。
【図10】ジッタとエラーレートの変化を示す説明図で
ある。
【符号の説明】
1・・・情報記録媒体、2・・・透明基板、3・・・凹
凸ピット、4・・・第1の記録層、5・・・光半透明
膜、5a・・・単体元素膜、5b・・・超微粒子、6・
・・スペース層、7・・・凹凸ピット、8・・・第2の
記録層、9・・・全反射膜、10・・・保護膜

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多層の記録層を有し、光半透過膜を備え
    ることにより、同一面から各記録層の記録信号の読み出
    しを行う情報記録媒体において、 上記光半透過膜が単体の元素膜を有し、単体元素膜中に
    直径1nm乃至20nmの超微粒子の化合物が分散され
    ていることを特徴とする情報記録媒体。
  2. 【請求項2】 前記超微粒子が、母材元素の酸化物また
    は窒化物であることを特徴とする請求項1に記載の情報
    記録媒体。
JP8348341A 1996-12-26 1996-12-26 情報記録媒体 Pending JPH10188352A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8348341A JPH10188352A (ja) 1996-12-26 1996-12-26 情報記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8348341A JPH10188352A (ja) 1996-12-26 1996-12-26 情報記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10188352A true JPH10188352A (ja) 1998-07-21

Family

ID=18396384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8348341A Pending JPH10188352A (ja) 1996-12-26 1996-12-26 情報記録媒体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10188352A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100618998B1 (ko) * 2000-05-15 2006-08-31 삼성전자주식회사 고밀도 광디스크
US8004173B2 (en) 2004-01-22 2011-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Antistatic film, spacer using it and picture display unit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100618998B1 (ko) * 2000-05-15 2006-08-31 삼성전자주식회사 고밀도 광디스크
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