JPH10143803A - 磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、MRヘッドをデータの再生用に用いた磁気ディ
スク装置の大容量化、性能向上に関する。 【課題】 本発明の目的は、ダミーライト動作を行わな
いことによる装置性能の向上、サーボトラック記録にか
かる時間の短縮、かつ、CSSゾーンを無くすことによる
記憶容量の増大を同時に実現する磁気ディスク装置を提
供することにある。 【解決手段】 上記問題点は、MRヘッドの動作を不安定
にする被磁化素子内の磁化方向の乱れを、MRヘッドを装
置に組み込む前に外部磁界を磁気抵抗効果型素子の磁化
困難方向に印加した後、磁化容易方向に印加することで
なくすことにより解決される。 【効果】 ダミーライト動作を行わないことによる装置
性能の向上、サーボトラック記録にかかる時間の短縮、
かつ、CSSゾーンを無くすことによる記憶容量の増大を
実現する磁気ディスク装置が提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、MRヘッドをデータ
の再生用に用いた磁気ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、MRヘッドをデータの再生用に用い
た磁気ディスク装置は、再生出力振幅がデータの記録、
再生動作を繰り返すたびに変動してしまうという問題が
あった。この再生出力振幅の変動は、データを誤って読
み込む原因となる。これを防止するには、再生動作が不
安定になったMRヘッドをデータトラック以外の領域に移
動させてダミーライトを行う必要がある。しかし、この
ダミーライトが行われると、データの記録／再生が中断
されるので装置性能を劣化させてしまう。一方、磁気抵
抗効果を有し、かつ、バイアス電流が供給される磁気抵
抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子に供給されたバイア
ス電流によって磁化されると共に、該磁化された磁界に
よって該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を付与する被
磁化素子、ならびに永久磁石膜とからなるMRヘッドは、
記録時に磁気抵抗効果素子にも電流を印加しておくと再
生出力の変動幅を低減できることが知られている。従っ
て、データを記録する際には、記録コイルに記録電流を
印加すると同時に、MRヘッドにもバイアス電流を印加し
ておくことが有効である。ただし、サーボ情報を記録す
る際にもMRヘッドに電流を供給しておく必要があるた
め、サーボ情報の記録はディスク１面ごとに行っていく
必要がある。さらに、再生出力振幅の変動幅は、ヘッド
媒体間のスペーシングが狭まり、磁気抵抗効果素子が媒
体からの漏洩磁界の影響を強く受けるほど大きくなって
しまうという問題がある。従って、CSSを行う際には、M
Rヘッドを磁気情報が書き込まれていないシリンダに移
動させる必要があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ダミ
ーライト動作を行わないことによる装置性能の向上、サ
ーボトラック記録にかかる時間の短縮、かつ、CSSゾー
ンを無くすことによる記憶容量の増大を同時に実現する
磁気ディスク装置を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記問題点は、MRヘッド
の動作を不安定にする被磁化素子内の磁化方向の乱れ
を、MRヘッドを装置に組み込む前に外部磁界を磁気抵抗
効果型素子の磁化困難方向に印加した後、磁化容易方向
に印加することでなくすことにより解決される。

【０００５】第１の発明の特徴は、（１）磁気抵抗効果
を有し、かつ、バイアス電流が供給される磁気抵抗効果
素子と、該磁気抵抗効果素子に供給されるバイアス電流
によって磁化されると共に、該磁化された磁界によって
該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を付与する被磁化素
子とを有するMRヘッドを、磁気記録信号の再生用に用い
た磁気ディスク装置において、同一線記録密度の信号を
N回連続して記録、再生した際の再生出力振幅の変動幅
をdVpp、N回の内の再生出力振幅の最大値をVmax.、再生
出力振幅の最小値をVmin.、再生出力振幅の平均値をVav
e.とし、dVpp=[(Vmax.-Vmin.)/Vave.]×100(%)と定義す
ると、dVpp≦15%を満足する磁気ディスク装置荷ある。

【０００６】第２の発明の特徴は、（２）磁気抵抗効果
を有し、かつ、バイアス電流が供給される磁気抵抗効果
素子と、該磁気抵抗効果素子に供給されるバイアス電流
によって磁化されると共に、該磁化された磁界によって
該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を付与する被磁化素
子とを有するMRヘッドを、磁気記録信号の再生用に用い
た磁気ディスク装置において、再生信号の正パルス振幅
の絶対値をVp、負パルス振幅の絶対値をVnとし、正パス
ル振幅と負パルス振幅の非対称性をAsとし、As=[(VpーV
n)／(Vp+Vn)]×100(%)と定義した場合、同一線記録密度
の信号をN回連続して記録、再生した際の非対称性Asの
最大値をAs max.、非対称性Asの最小値をAs min.、dAs=
As max. - As min.とすると、dAs≦15%を満足する磁気
ディスク装置にある。

【０００７】第３の発明の特徴は、（３）磁気抵抗効果
を有し、かつ、バイアス電流が供給される磁気抵抗効果
素子と、該磁気抵抗効果素子に供給されるバイアス電流
によって磁化されると共に、該磁化された磁界によって
該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を付与する被磁化素
子とを有するMRヘッドを、磁気記録信号の再生用に用い
た磁気ディスク装置において、同一線記録密度の信号を
N回連続して記録再生した際、dVpp≦15%ならびにdAs≦1
5%を同時に満足する磁気ディスク装置にある。

【０００８】上記（１）ないし（３）記載の磁気ディス
ク装置において、（４）磁気ヘッドを記録再生動作時に
指定したトラック上に位置決めするためのサーボ情報が
データを格納するディスクのすべての面に記録されてお
り、かつ、このサーボ情報が各データ面に同時に書き込
まれる磁気ディスク装置が好ましい。

【０００９】上記（１）ないし（３）記載の磁気ディス
ク装置において、（５）CSSゾーンにも磁気記録信号が
書き込まれている磁気ディスク装置がデ−タ領域が増え
好ましい。

【００１０】上記（１）ないし（３）記載の磁気ディス
ク装置において、（６）装置の動作中にMRヘッドが誤動
作を起こしてデータを誤って読み込むことを防止するた
めのダミーライト動作に用いるダミーライト領域がデー
タ領域として用いられる磁気ディスク装置がデ−タ領域
が増え好ましい。

【００１１】上記（１）ないし（６）記載の磁気ディス
ク装置において、（７）磁気抵抗効果を有し、かつ、バ
イアス電流が供給される磁気抵抗効果素子と、該磁気抵
抗効果素子に供給されたバイアス電流によって磁化され
ると共に、該磁化された磁界によって該磁気抵抗効果素
子にバイアス磁界を付与する被磁化素子とを有するMRヘ
ッドを、磁気記録信号の再生用に用いた磁気ディスク装
置において、該MRヘッドが、該MRヘッドを磁気ディスク
装置に組み込む前に、少なくとも一度外部磁界を磁気抵
抗効果素子の磁化困難方向に印加した後、磁化容易方向
に印加して得られる磁気ディスク装置は、サ−ボ情報記
録時、デ−タ記録時、あるいはＣＳＳ時にＭＲヘッドに
バイアス電流を印加しておく必要が無くなり好ましい。

【００１２】上記（７）のMRヘッドにおいて、（８）は
じめに外部磁界を印加する磁気抵抗効果素子の磁化困難
方向は、MRヘッドにバイアス電流を印加した際、磁気抵
抗効果素子にバイアス磁界を付与する被磁化素子が磁化
される方向と同じであることが好ましい。

【００１３】上記（７）または（８）記載のMRヘッドに
おいて、（９）外部磁界を印加したまま磁気抵抗効果素
子の磁化困難方向から磁化容易方向にかけてMRヘッドの
着磁を行うことが好ましい。

【００１４】上記（７）ないし（９）記載のMRヘッドに
おいて、（１０）外部磁界の印加をMRヘッドを回転させ
て行うことが好ましい。

【００１５】上記（７）ないし（１０）記載のMRヘッド
において、（１１）外部磁界の印加は、磁界の印加方向
を回転させて行うことが好ましい。

【００１６】上記（７）ないし（１１）記載のMRヘッド
において、（１２）MRヘッドの着磁動作は少なくとも一
回行えば良い。

【００１７】上記（７）ないし（１２）記載のMRヘッド
において、（１３）MRヘッドを構成する磁気抵抗効果素
子、ならびに被磁化素子は、トラック幅方向に対して永
久磁石膜で挟まれていることが好ましい。

【００１８】上記（７）ないし（１３）記載のMRヘッド
において、（１４）MRヘッドを構成する磁気抵抗効果素
子の磁化困難方向、ならびに磁化容易方向に印加する外
部磁界の強度は、上記（１３）記載の永久磁石膜の磁化
容易方向保磁力以上であることが好ましい。

【００１９】被磁化素子内にピンニングサイトが生じる
と、被磁化素子の磁化方向、ならびに磁気抵抗効果素子
の磁化方向を乱してしまうことがある。この結果とし
て、MRヘッドの再生動作が不安定となってしまう。被磁
化素子中にできたピンニングサイトは、バイアス電流が
印加された際に被磁化素子が磁化される方向、すなわち
磁気抵抗効果素子の磁化困難方向に強い磁界を印加し、
被磁化素子を飽和させることにより消滅させることがで
きる。この後、外部磁界を磁気抵抗効果素子の磁化容易
方向に印加し、さらにバイアス電流を流すと、磁気抵抗
効果素子、ならびに被磁化素子は理想的に磁化され、MR
ヘッドの再生動作が安定する。また、この状態がMRヘッ
ドを装置に組み込む前に形成されればサーボ情報記録
時、データ記録時、あるいはCSS時にMRヘッドにバイア
ス電流を印加しておく必要が無くなると同時にダミーラ
イト動作を行う必要が無くなるので、装置性能の向上、
容量の増大などが可能となる。

【００２０】磁気抵抗効果を有し、かつ、バイアス電流
が供給される磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子
に供給されたバイアス電流によって磁化されると共に該
磁化された磁界によって該磁気抵抗効果素子にバイアス
磁界を付与する被磁化素子とから構成されるMRヘッドに
おいて、再生出力を増大するには、バイアス電流が分流
する被磁化素子の比抵抗を増大し、できるだけ多くのバ
イアス電流が磁気抵抗効果素子に流れる構成とすること
が望ましい。これを実現するには、被磁化素子中に酸化
物を混入させる方法が有効である。たとえば、通常被磁
化素子として通常用いられているパーマロイ膜の比抵抗
は、膜厚が１５nm程度で約25μΩーcmである。このパー
マロイ膜に、酸化物であるZrO２を15 at％添加すると、
軟磁気特性を損なわずに比抵抗を約200μΩーcmまで増
大させることができる。この結果として、再生出力は約
２倍に増大する。ただしこの場合、第１図（a）に示す
ように被磁化素子中に添加された酸化物は、被磁化素子
の磁化方向を乱すピンニングサイトとなり、磁気抵抗効
果素子の磁化方向を乱してしまうことがある。この結果
として、MRヘッドの再生動作が不安定となる。被磁化素
子中にできたピンニングサイトは、第１図（b）に示す
ように、バイアス電流が印加された際に被磁化素子が磁
化される方向、すなわち磁気抵抗効果素子の磁化困難方
向に強い磁界を印加し、被磁化素子を飽和させることに
より消滅させることができる。この後、第１図（c）に
示すように外部磁界を磁気抵抗効果素子の磁化容易方向
に印加し、さらにバイアス電流を流すと、磁気抵抗効果
素子、ならびに被磁化素子は第１図（d）に示すように
理想的に磁化され、MRヘッドの再生動作が安定する。ま
た、この状態がMRヘッドを装置に組み込む前に形成され
ればサーボ情報記録時、データ記録時、あるいはCSS時
にMRヘッドにバイアス電流を印加しておく必要が無くな
ると同時にダミーライト動作を行う必要が無くなるの
で、装置性能の向上、容量の増大などが可能となる。

【００２１】（実施例）まず、本実施例における磁気デ
ィスク装置のデータ再生用に用いたMRヘッドの感磁部構
造を図２に示す。図中では、MRヘッドの構造をわかりや
すく説明するために、シールド膜、記録素子などは省略
している。磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子１
は、磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加する被磁化
素子５上に設けられたTa下地層４の上に形成されてい
る。磁気抵抗効果素子の磁化容易方向はトラック幅方向
と一致している。磁気抵抗効果素子１／Ta下地層４／被
磁化素子５からなる感磁部は、磁化容易方向を７に示す
一対の永久磁石膜６、ならびにリード線８、９により挟
まれている。MRヘッドの動作時には、バイアス電流がリ
ード線８から９に流される。バイアス電流がMRヘッドに
供給されると、磁気抵抗効果素子１は、磁化容易方向で
ある２の方向から３の方向を向くようになる。一方、被
磁化素子５は、トラック幅方向に対してこれと反対向き
に磁化される。

【００２２】本実施例によるMRヘッドをデータの再生用
に用いた磁気ディスク装置を以下図面を用いて説明す
る。まず第３図に、本実施例で用いた磁気ディスクの構
成を示す。ディスクは直径が3.5インチで、内周１０か
ら外周１３にかけてデータ領域１１が設けられている。
データ領域１１の最内周半径は20.6mm、最外周半径は4
5.8mmである。またデータ領域内にはサーボ情報等を書
き込むサーボ領域１２が設けられいる。これに対し、MR
ヘッドを用いた従来の磁気ディスク装置に用いられる磁
気ディスクの構成を第４図に示す。外周側にはMRヘッド
の動作が不安定になった時にダミーライトを行うための
ダミーライト領域１４が設けられている。このダミーラ
イト領域１４は必ずしもディスクの外周側にある必要は
ない。また内周側には電源ON/OFF時にヘッドが停止する
ためのCSS領域１５が設けられている。このCSS領域１５
には磁気記録信号は書き込まれていない。ちなみに、こ
のCSS領域も、必ずしもディスクの内周側にある必要は
無い。いずれにしても、第４図に示すように従来のMRヘ
ッドを用いた磁気ディスク装置用の磁気ディスクは、ダ
ミーライト領域１４とCSS領域１５を設けておく必要が
あるため、データ領域１１の面積が減少してしまうとい
った問題がある。たとえば、ナノスライダ（２．０５×
１．６×0.4mm）の使用を前提とし、磁気ディスクを本
実施例による構成とするとで、従来の磁気ディスク構成
に対して約８％のデータ領域増大が可能となる。

【００２３】第５図は装置構成を説明するための図であ
る。本実施例では3.5インチディスクを５枚（16A〜16
E）用いた磁気ディスクを構成した。磁気ディスク装置
は、出荷前にサーボ情報等をあらかじめデータ面全面に
書き込んでおく必要がある。本発明ではデータ記録時に
MRヘッドにバイアス電流を印加する必要が無いので、ヘ
ッド１７A〜１７J にかけて記録電流を印加して全デー
タ面に同時にサーボ情報等を記録することが可能とな
る。これに対し、従来サーボ情報等を記録する際にはMR
ヘッド１本ごとにバイアス電流を印加していく必要があ
ったので、ディスク１面ごとに書き込んでいく必要があ
った。従って、本発明により装置出荷前に行うサーボ情
報等の記録に要する時間を、ディスク５枚で構成される
磁気ディスク装置を想定した場合、従来の１／１０に短
縮できるようになった。

【００２４】ここで、まず従来MRヘッドを磁気ディスク
装置に組み込む前に行っていたMRヘッドの着磁方法を図
６を用いて説明する。従来MRヘッドは、磁気抵抗効果素
子の磁化容易方向２の方向に、電磁石２０等を利用して
外部磁界を印加することにより着磁されていた。電磁石
２０の磁化方向は、図中の矢印で示した方向である。一
方、本実施例によるMRヘッドの着磁方法を図７を用いて
説明する。MRヘッドは、まず磁気抵抗効果素子の磁化が
２２を向くように外部磁界を印加する（状態１）。この
磁化方向は、MRヘッドにバイアス電流が印加された際、
被磁化素子が磁化される方向と同じである。この状態か
ら、磁界強度を変化させずに磁界印加方向のみを２１に
沿って回転させ、磁気抵抗効果素子の磁化方向が本来の
磁化容易方向２と一致する位置まで動かし（状態２）、
この後、磁界印加をやめて着磁を終了する。本実施例で
は、外部磁界の印加方向を変化させるのに電磁石２０を
回転させているが、電磁石２０を動かさずにMRヘッドを
一様磁界中で回転させることによっても同様の効果を得
ることができる。なお、本実施例におけるMRヘッドの着
磁は、ヘッドスライダがジンバルにアッセンブリされて
いる状態で行った。また、本実施例では電磁石２０によ
り印加する磁界強度を10 kOeに設定したが、この磁界強
度は５kOe以上であれば同様の効果が得られることを確
認している。

【００２５】本発明によるMRヘッドの着磁方法の効果
を、再生特性を測定することにより評価した。評価に
は、トラック幅が３μmの記録ヘッド、トラック幅が２
μmのMRヘッドよりなる記録再生分離型ヘッドを用い、
記録動作はバイアス電流を印加しないで行った。測定
は、記録再生動作を２５０００回連続して行い、再生出
力の変動を評価することにより行った。第８図は、記録
再生動作１０００回ごとに再生出力の平均値、ならびに
最大値、最小値をプロットした結果である。まず、１０
００回から１３０００回までは、従来の方法によりMRヘ
ッドを着磁して再生特性を評価した結果である。この結
果から、従来の着磁方法ではMRヘッドの出力変動を抑止
できない様子がわかる。次に１４０００回から２５００
０回までは本発明による着磁を行い、再度、連続記録再
生を行なった結果である。印加磁界強度は１０ kOeと
し、着磁は１回行った。この結果から、本発明による着
磁方法を適用することによりMRヘッドの出力変動を抑止
できるようになることがわかる。第９図は、従来の着磁
法と本発明による着磁法によりMR ヘッドの出力Vppの変
動、ならびに再生波形の非対称性Asの変動がどのように
変化するのかを別のヘッドを用いて評価した結果であ
る。ここで、出力変動dVpp、再生波形の非対称性As、な
らびに非対称変動dAsは、以下の式に従って定義した。
ちなみに、第９図中の各測定点は、記録再生動作を１０
００回行った後にプロットしている。

【００２６】 dVpp = [(Vpp max. -Vpp min.)／Vpp ave.]×100 As = (Vp - Vn )／( Vp + Vn) Vpは正パルス出力振幅、Vnは負パルス出力振幅の絶対値 dAs = (As max. - As min.) この結果から、本発明によるMRヘッドの着磁を５回繰り
返して行うことにより、出力変動dVpp、および非対称変
動dAsともに10%以内に減少できるようになることが確認
された。

【００２７】

【発明の効果】本発明により、ダミーライト動作を行わ
ないことによる装置性能の向上、サーボトラック記録に
かかる時間の短縮、かつ、CSSゾーンを無くすことによ
る記憶容量の増大を実現する磁気ディスク装置が提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の作用を説明するための図である。

【図２】本実施例で用いたMRヘッド感磁部の構造図であ
る。

【図３】本実施例で用いた磁気ディスクの構成図であ
る。

【図４】従来の磁気ディスクの構成図である。

【図５】本発明の一実施例を示す磁気ディスク装置の構
成図である。

【図６】従来のMRヘッドの着磁方法を示す図である。

【図７】本発明によるMRヘッドの着磁方法を説明するた
めの図である。

【図８】本発明の効果を説明するための図である。

【図９】本発明の別の効果を説明するための図である。

【符号の説明】

１…磁気抵抗効果素子、２…磁気抵抗効果素子の磁化容
易方向、３…バイアス電流印加時の磁気抵抗効果素子の
磁化方向、４…Ta下地膜、５…被磁化素子、６…永久磁
石膜、７…永久磁石膜の磁化容易方向、８…リード線、
９…リード線、１０…磁気ディスク内周、１１…データ
記録領域、１２…サーボ情報記録領域、１３…磁気ディ
スク外周、１４…ダミーライト領域、１５…CSS領域、
１６…磁気ディスク、１７…磁気ヘッド、１８…スピン
ドル、１９…アクチュエータ、２０…電磁石、２１…MR
ヘッド着磁時における電磁石の移動方向、２２…着磁の
際の磁気抵抗効果素子の磁化方向、２３…着磁の際の磁
気抵抗効果素子の磁化方向

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 城石 芳博 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気抵抗効果を有し、かつ、バイアス電流
   が供給される磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子
   に供給されるバイアス電流によって磁化されると共に、
   該磁化された磁界によって該磁気抵抗効果素子にバイア
   ス磁界を付与する被磁化素子とを有するMRヘッドを、磁
   気記録信号の再生用に用いた磁気ディスク装置におい
   て、同一線記録密度の信号をN回連続して記録、再生し
   た際の再生出力振幅の変動幅をdVpp、N回の内の再生出
   力振幅の最大値をVmax.、再生出力振幅の最小値をVmi
   n.、再生出力振幅の平均値をVave.とし、dVpp=[(Vmax.-
   Vmin.)/Vave.]×100(%)と定義すると、dVpp≦15%を満足
   することを特徴とする磁気ディスク装置。
2. 【請求項２】磁気抵抗効果を有し、かつ、バイアス電流
   が供給される磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子
   に供給されるバイアス電流によって磁化されると共に、
   該磁化された磁界によって該磁気抵抗効果素子にバイア
   ス磁界を付与する被磁化素子とを有するMRヘッドを、磁
   気記録信号の再生用に用いた磁気ディスク装置におい
   て、再生信号の正パルス振幅の絶対値をVp、負パルス振
   幅の絶対値をVnとし、正パスル振幅と負パルス振幅の非
   対称性をAsとし、As=[(VpーVn)／(Vp+Vn)]×100(%)と定
   義した場合、同一線記録密度の信号をN回連続して記
   録、再生した際の非対称性Asの最大値をAs max.、非対
   称性Asの最小値をAs min.、dAs=As max. - As min.とす
   ると、dAs≦15%を満足することを特徴とする磁気ディス
   ク装置。
3. 【請求項３】磁気抵抗効果を有し、かつ、バイアス電流
   が供給される磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子
   に供給されるバイアス電流によって磁化されると共に、
   該磁化された磁界によって該磁気抵抗効果素子にバイア
   ス磁界を付与する被磁化素子とを有するMRヘッドを、磁
   気記録信号の再生用に用いた磁気ディスク装置におい
   て、同一線記録密度の信号をN回連続して記録再生した
   際、dVpp≦15%ならびにdAs≦15%を同時に満足すること
   を特徴とする磁気ディスク装置。
4. 【請求項４】請求項１ないし３記載の磁気ディスク装置
   において、磁気ヘッドを記録再生動作時に指定したトラ
   ック上に位置決めするためのサーボ情報がデータを格納
   するディスクのすべての面に記録されており、かつ、こ
   のサーボ情報が各データ面に同時に書き込まれることを
   特徴とする磁気ディスク装置。
5. 【請求項５】請求項１ないし３記載の磁気ディスク装置
   において、CSSゾーンにも磁気記録信号が書き込まれて
   いることを特徴とする磁気ディスク装置。
6. 【請求項６】請求項１ないし３記載の磁気ディスク装置
   において、装置の動作中にMRヘッドが誤動作を起こして
   データを誤って読み込むことを防止するためのダミーラ
   イト動作に用いるダミーライト領域がデータ領域として
   用いられることを特徴とする磁気ディスク装置。
7. 【請求項７】請求項１ないし６記載の磁気ディスク装置
   において、磁気抵抗効果を有し、かつ、バイアス電流が
   供給される磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子に
   供給されたバイアス電流によって磁化されると共に、該
   磁化された磁界によって該磁気抵抗効果素子にバイアス
   磁界を付与する被磁化素子とを有するMRヘッドを、磁気
   記録信号の再生用に用いた磁気ディスク装置において、
   該MRヘッドが、該MRヘッドを磁気ディスク装置に組み込
   む前に、少なくとも一度外部磁界を磁気抵抗効果素子の
   磁化困難方向に印加した後、磁化容易方向に印加して得
   られることを特徴とする磁気ディスク装置。
8. 【請求項８】請求項７記載のMRヘッドにおいて、はじめ
   に外部磁界を印加する磁気抵抗効果素子の磁化困難方向
   は、MRヘッドにバイアス電流を印加した際、磁気抵抗効
   果素子にバイアス磁界を付与する被磁化素子が磁化され
   る方向と同じであることを特徴とする磁気ディスク装
   置。
9. 【請求項９】請求項７または８記載のMRヘッドにおい
   て、外部磁界を印加したまま磁気抵抗効果素子の磁化困
   難方向から磁化容易方向にかけてMRヘッドの着磁を行う
   ことを特徴とする磁気ディスク装置。
10. 【請求項１０】請求項７ないし９記載のMRヘッドにおい
    て、外部磁界の印加は、MRヘッドを回転させて行うこと
    を特徴とする磁気ディスク装置。
11. 【請求項１１】請求項７ないし１０記載のMRヘッドにお
    いて、外部磁界の印加は、磁界の印加方向を回転させて
    行うことを特徴とする磁気ディスク装置。
12. 【請求項１２】請求項７ないし１１記載のMRヘッドの着
    磁動作を一回以上行うことを特徴とする磁気ディスク装
    置。
13. 【請求項１３】請求項７ないし１２記載のMRヘッドを構
    成する磁気抵抗効果素子、ならびに被磁化素子は、トラ
    ック幅方向に対して永久磁石膜に挟まれていることを特
    徴とする磁気ディスク装置。
14. 【請求項１４】請求項７ないし１３記載のMRヘッドにお
    いて、磁気抵抗効果素子の磁化困難方向、ならびに磁化
    容易方向に印加する外部磁界の強度は、請求項１３記載
    の永久磁石膜の磁化容易方向保磁力以上であることを特
    徴とする磁気ディスク装置。