JPH0256713A - 磁気抵抗効果型再生ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘッドInfo
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- JPH0256713A JPH0256713A JP20662388A JP20662388A JPH0256713A JP H0256713 A JPH0256713 A JP H0256713A JP 20662388 A JP20662388 A JP 20662388A JP 20662388 A JP20662388 A JP 20662388A JP H0256713 A JPH0256713 A JP H0256713A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 7
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- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 8
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気テープ、或いは磁気ディスク等に記録された情報を
再生するシャントバイアスタイプの磁気抵抗効果型再生
ヘッドの構造に関し、 コア幅を狭くしたＭＲ素子の磁区構造を制御するに必要
な磁界印加手段を磁気記録媒体に悪影響を及ぼさないよ
うに設けて、ＭＲ素子のコア幅方向に十分な磁界を容易
に印加する・ことを目的とし、２つのシールド磁性体間
に、シャントバイアス導体膜が直接接合した磁気抵抗効
果素子を非磁性絶縁層で挟んで配設したＭＲ再生ヘッド
において、前記シャントバイアス導体膜として、硬磁性
金属膜を磁気抵抗効果素子のコア幅方向に着磁した永久
磁石膜を用いた構成とする。
再生するシャントバイアスタイプの磁気抵抗効果型再生
ヘッドの構造に関し、 コア幅を狭くしたＭＲ素子の磁区構造を制御するに必要
な磁界印加手段を磁気記録媒体に悪影響を及ぼさないよ
うに設けて、ＭＲ素子のコア幅方向に十分な磁界を容易
に印加する・ことを目的とし、２つのシールド磁性体間
に、シャントバイアス導体膜が直接接合した磁気抵抗効
果素子を非磁性絶縁層で挟んで配設したＭＲ再生ヘッド
において、前記シャントバイアス導体膜として、硬磁性
金属膜を磁気抵抗効果素子のコア幅方向に着磁した永久
磁石膜を用いた構成とする。
本発明は磁気テープ、或いは磁気ディスク等に記録され
た情報を再生するシャントバイアスタイプの磁気抵抗効
果型再生ヘッドの構造に関するものである。
た情報を再生するシャントバイアスタイプの磁気抵抗効
果型再生ヘッドの構造に関するものである。
シャントバイアスタイプの磁気抵抗効果型再生ヘッド（
以下ＭＲヘッドと称する）は、シャントバイアス導体と
磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）とを用いた
磁気ヘッドであり、ＭＲ素子の電気抵抗値が媒体磁界の
強さに依存して変化する特性を利用して、シャントバイ
アス導体膜とＭＲ素子の磁化容易軸方向に一定の電流（
センス電流）を供給することにより、該シャントバイア
ス導体膜に流れる電流によって発生する磁界がＭＲ素子
を適正なバイアス点で動作させるバイアス磁界として印
加され、該磁化容易軸方向に垂直な磁化困難軸方向の媒
体信号磁界によるＭＲ素子の抵抗の変化を電圧変化とし
て検出するもので、再生出力が記録媒体の走行速度に依
存せず、しかも大出力が得られる再生ヘッドとして注目
されている。
以下ＭＲヘッドと称する）は、シャントバイアス導体と
磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）とを用いた
磁気ヘッドであり、ＭＲ素子の電気抵抗値が媒体磁界の
強さに依存して変化する特性を利用して、シャントバイ
アス導体膜とＭＲ素子の磁化容易軸方向に一定の電流（
センス電流）を供給することにより、該シャントバイア
ス導体膜に流れる電流によって発生する磁界がＭＲ素子
を適正なバイアス点で動作させるバイアス磁界として印
加され、該磁化容易軸方向に垂直な磁化困難軸方向の媒
体信号磁界によるＭＲ素子の抵抗の変化を電圧変化とし
て検出するもので、再生出力が記録媒体の走行速度に依
存せず、しかも大出力が得られる再生ヘッドとして注目
されている。
前記ＭＲ素子の抵抗変化は磁化ベクトルの回転によりも
たらされるので安定な出力を得るためには、ＭＲ素子の
磁区構造を制御して磁化ベクトルが円滑に回転する必要
がある。そのような観点からは区構造としては単磁区構
造が最も望ましい。
たらされるので安定な出力を得るためには、ＭＲ素子の
磁区構造を制御して磁化ベクトルが円滑に回転する必要
がある。そのような観点からは区構造としては単磁区構
造が最も望ましい。
ところでＭＲ素子を形成するための磁気抵抗効果膜（Ｍ
Ｒ膜）は、一般にコア幅方向に磁化容易軸が向くように
磁界中の成膜法によって誘導磁気異方性が付与されてい
るが、記録媒体の高密度記録に伴って狭トラツク化が進
み、ＭＲヘッドのコア幅が小さくなるにつれてコア幅方
向の反磁界が増大するため、該ＭＲ膜の磁区構造は乱れ
て多くの磁区が形成されるようになる。
Ｒ膜）は、一般にコア幅方向に磁化容易軸が向くように
磁界中の成膜法によって誘導磁気異方性が付与されてい
るが、記録媒体の高密度記録に伴って狭トラツク化が進
み、ＭＲヘッドのコア幅が小さくなるにつれてコア幅方
向の反磁界が増大するため、該ＭＲ膜の磁区構造は乱れ
て多くの磁区が形成されるようになる。
従って、再生時にそのようなＭＲ素子の磁壁の不規則な
移動等に起因するバルクハウゼン雑音と呼ばれる再生波
形歪が再生出力に現れ、再生信号品質を著しく劣化させ
る傾向がある。このため、そのようなバルクハウゼン雑
音の発生を抑止して、再生信号品質を向上することが要
望されている。
移動等に起因するバルクハウゼン雑音と呼ばれる再生波
形歪が再生出力に現れ、再生信号品質を著しく劣化させ
る傾向がある。このため、そのようなバルクハウゼン雑
音の発生を抑止して、再生信号品質を向上することが要
望されている。
従来のバルクハウゼン雑音の発生を抑止したシャントバ
イアスタイプのＭＲヘッドは第３図に示すように、Ｍｎ
−Ｚｎフェライト等からなるシールド磁性体を兼ねた磁
性基板１１とパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などからなるシ
ールド磁性体１２との間に、ＳｉＯ□、または八２□０
３などの非磁性絶縁層１３を介在して、第４図の部分拡
大斜視図に示すようにＴｉなどの非磁性金属からなるシ
ャントバイアス導体膜１４．！［接接合されたパーマロ
イ（Ｎｉ−Ｆｅ）等のＭＲ素子１５が配設されており、
そのＭＲ素子１５のコア幅Ｗ方向の両側には、更に該Ｍ
Ｒ素子１５のコア幅Ｗ方向に着磁されたＣｏ−Ｎｉなど
からなる硬磁性膜１６．１７が設けられた構成とされて
いる。
イアスタイプのＭＲヘッドは第３図に示すように、Ｍｎ
−Ｚｎフェライト等からなるシールド磁性体を兼ねた磁
性基板１１とパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などからなるシ
ールド磁性体１２との間に、ＳｉＯ□、または八２□０
３などの非磁性絶縁層１３を介在して、第４図の部分拡
大斜視図に示すようにＴｉなどの非磁性金属からなるシ
ャントバイアス導体膜１４．！［接接合されたパーマロ
イ（Ｎｉ−Ｆｅ）等のＭＲ素子１５が配設されており、
そのＭＲ素子１５のコア幅Ｗ方向の両側には、更に該Ｍ
Ｒ素子１５のコア幅Ｗ方向に着磁されたＣｏ−Ｎｉなど
からなる硬磁性膜１６．１７が設けられた構成とされて
いる。
そしてこの２つの着磁された硬磁性膜１６．１７により
ＭＲ素子Ｉ５にコア幅Ｗ方向の磁界を印加することによ
って、該ＭＲ素子１５のコア幅を狭くすることにより生
ずる磁壁の不規則な移動をなくしてバルクハウゼン雑音
の発生を抑止している。
ＭＲ素子Ｉ５にコア幅Ｗ方向の磁界を印加することによ
って、該ＭＲ素子１５のコア幅を狭くすることにより生
ずる磁壁の不規則な移動をなくしてバルクハウゼン雑音
の発生を抑止している。
しかしながら、このような構成のＭＲヘッドにあっては
、ＭＲ素子１５のコア幅Ｗ方向の両側に配設された２つ
の硬磁性膜１６．１７間の距離は、ＭＲ素子１５と各硬
磁性膜１６．１７との間隔を膜形成技術ヒの関係から２
〜３μｍ以下にすることが難しく、その−ヒ、前記コア
幅Ｗを加えると必然的に大きくなり、該ＭＲ素子１５に
十分な磁界を印加することが出来ないという欠点があっ
た。
、ＭＲ素子１５のコア幅Ｗ方向の両側に配設された２つ
の硬磁性膜１６．１７間の距離は、ＭＲ素子１５と各硬
磁性膜１６．１７との間隔を膜形成技術ヒの関係から２
〜３μｍ以下にすることが難しく、その−ヒ、前記コア
幅Ｗを加えると必然的に大きくなり、該ＭＲ素子１５に
十分な磁界を印加することが出来ないという欠点があっ
た。
そこでＭＲ素子１５に十分な磁界を印加するためには、
着磁した各硬磁性膜１６．１７の残留磁化を高くすれば
よいが、そのような構成では、再生時において発生磁界
の強い硬磁性膜１６．１７に近接した磁気記録媒体１８
部分での既に記録された情報が消磁されるといった問題
が発生する。
着磁した各硬磁性膜１６．１７の残留磁化を高くすれば
よいが、そのような構成では、再生時において発生磁界
の強い硬磁性膜１６．１７に近接した磁気記録媒体１８
部分での既に記録された情報が消磁されるといった問題
が発生する。
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、コア幅を狭くし
たＭＲ素子のけ区構造を制御するに必要な磁界印加手段
を磁気記録媒体に悪影響を及ぼさないように設けて Ｍ
Ｒ素子のコア幅方向に十分な磁界を容易に印加すること
ができる新規な磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供するこ
とを目的とするものである。
たＭＲ素子のけ区構造を制御するに必要な磁界印加手段
を磁気記録媒体に悪影響を及ぼさないように設けて Ｍ
Ｒ素子のコア幅方向に十分な磁界を容易に印加すること
ができる新規な磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供するこ
とを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段］
本発明は一ト記した目的を達成するため、２つのシール
ド磁性体間に、シャントバイアス導体膜が直接接合した
磁気抵抗効果素子を非磁性絶縁層で挟んで配設した磁気
抵抗効果型再生ヘンドにおいて、前記シャントバイアス
導体膜として、硬磁性金属膜を磁気抵抗効果素子のコア
幅方向に着磁した永久磁石膜を用いた構成とする。
ド磁性体間に、シャントバイアス導体膜が直接接合した
磁気抵抗効果素子を非磁性絶縁層で挟んで配設した磁気
抵抗効果型再生ヘンドにおいて、前記シャントバイアス
導体膜として、硬磁性金属膜を磁気抵抗効果素子のコア
幅方向に着磁した永久磁石膜を用いた構成とする。
「作 用〕
本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッド（ＭＲヘッド）では
、ＭＲ素子と直接接合されるシャントバイアス導体膜と
して硬磁性金属膜をＭＲ素子のコア幅方向に着磁した永
久磁石膜を用いているため、該永久磁石膜に流れる電流
によって発生する磁界がＭＲ素子に適正なバイアス点で
動作させるバイアス磁界として印加されると共に、その
永久磁石膜の残留磁化を大きくすることなく、ＭＲ素子
の磁区構造を制御するに必要なコア幅方向への磁界も容
易に印加することができる。この結果、バルクハウゼン
雑音の発生のない安定した出力特性が得られる。
、ＭＲ素子と直接接合されるシャントバイアス導体膜と
して硬磁性金属膜をＭＲ素子のコア幅方向に着磁した永
久磁石膜を用いているため、該永久磁石膜に流れる電流
によって発生する磁界がＭＲ素子に適正なバイアス点で
動作させるバイアス磁界として印加されると共に、その
永久磁石膜の残留磁化を大きくすることなく、ＭＲ素子
の磁区構造を制御するに必要なコア幅方向への磁界も容
易に印加することができる。この結果、バルクハウゼン
雑音の発生のない安定した出力特性が得られる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生へ・ンドの一
実施例を示す要部概略断面図であり、従来例を説明した
第３図と同等部分には同一符号を付している。
実施例を示す要部概略断面図であり、従来例を説明した
第３図と同等部分には同一符号を付している。
本実施例では図示のようにＭｎ−Ｚｎフェライト等から
なるシールド磁性体を兼ねた磁性基板１１とパーマロイ
（Ｎｉ−Ｆｅ）などからなるシールド磁性体１２との間
に、ＳｉＯ□、またはＡ ｆｆｉ ｚｏｚなとの非磁性
絶縁層１３を介在して配設されるパーマロイ（Ｎｉ−Ｐ
ｅ）等からなるＭＲ素子２１を配置し、第２図の部分拡
大斜視図に示すように該ＭＲ素子２１の信号検出部２１
８トに、従来のＴｉなどのシャントバイアス導体膜に代
わりＣｏ−Ｎｉ、或いはＣｏ−Ｐ等からなる硬磁性金属
膜２２が直接接合され、該検出部２１ａの両端の引出し
端子２１ｂと２１ｃ上にはＣｕからなる非磁性導体膜２
３が直接接合されている。そして前記硬磁性金属膜２２
をＭＲ素子２１のコア幅Ｗ方向に着磁して永久磁石膜２
４とした構成としている。
なるシールド磁性体を兼ねた磁性基板１１とパーマロイ
（Ｎｉ−Ｆｅ）などからなるシールド磁性体１２との間
に、ＳｉＯ□、またはＡ ｆｆｉ ｚｏｚなとの非磁性
絶縁層１３を介在して配設されるパーマロイ（Ｎｉ−Ｐ
ｅ）等からなるＭＲ素子２１を配置し、第２図の部分拡
大斜視図に示すように該ＭＲ素子２１の信号検出部２１
８トに、従来のＴｉなどのシャントバイアス導体膜に代
わりＣｏ−Ｎｉ、或いはＣｏ−Ｐ等からなる硬磁性金属
膜２２が直接接合され、該検出部２１ａの両端の引出し
端子２１ｂと２１ｃ上にはＣｕからなる非磁性導体膜２
３が直接接合されている。そして前記硬磁性金属膜２２
をＭＲ素子２１のコア幅Ｗ方向に着磁して永久磁石膜２
４とした構成としている。
このような構成とすることにより、ＭＲ素子２１の信号
検出部２１ａ上に永久磁石膜２４が直接接合されている
ので、該永久磁石膜２４の残留磁化を太きくする必要が
なく、この永久磁石膜２４に流れる電流によってＭＲ素
子２１を線形動作させるためのバイアス磁界の印加と、
該永久磁石膜２４によるＭＲ素子２１のコア幅Ｗ方向へ
の磁にの印加が可能となるため、バルクハウゼン雑音の
発生が抑止され、再生波形歪のない安定した再生出力特
性が得られる。
検出部２１ａ上に永久磁石膜２４が直接接合されている
ので、該永久磁石膜２４の残留磁化を太きくする必要が
なく、この永久磁石膜２４に流れる電流によってＭＲ素
子２１を線形動作させるためのバイアス磁界の印加と、
該永久磁石膜２４によるＭＲ素子２１のコア幅Ｗ方向へ
の磁にの印加が可能となるため、バルクハウゼン雑音の
発生が抑止され、再生波形歪のない安定した再生出力特
性が得られる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気抵抗
効果型再生ヘッドによれば、ＭＲ素子の磁区構造の制御
が容易となり、パルクツ＼ウゼン雑音の発生のない安定
した再生出力特性が得られる優れた効果を有し、狭トラ
ツク化された磁気記録媒体に対する再生ヘッドとして適
用することにより、実用上極めて有利である。
効果型再生ヘッドによれば、ＭＲ素子の磁区構造の制御
が容易となり、パルクツ＼ウゼン雑音の発生のない安定
した再生出力特性が得られる優れた効果を有し、狭トラ
ツク化された磁気記録媒体に対する再生ヘッドとして適
用することにより、実用上極めて有利である。
第１図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生へ・ンドの一
実施例を示す要部概略断面図、 第２図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドにおけ
る磁気抵抗効果素子部分の一 実施例を示す部分拡大斜視図、 第３図は従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドを説明するた
めの要部概略断面図、 第４図は従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドにおける磁気
抵抗効果素子と磁界印加用の 硬磁性膜との関係を説明するための部 分拡大斜視図である。 第１図及び第２図において、 １１は磁性基板、１２はシールド磁性体、１３は非磁性
絶縁層、１８は磁気記録媒体、２１はＭＲ素子、２１ａ
は信号検出部、２１ｂ、２１ｃは引出し端子、２２は硬
磁性金属膜、２３は非磁性導体膜、２４は永久磁石膜を
それぞれ示す。 ４ｉ９ＨｃＭＲへ−１”ＧＪす’ニーｔ、ａａｉｉｍ第
１図 本発ｅ島ＨＲ案ト帥摩１木伊今挽人采斗孝芝ｍａ／ｌｈ
ｐヘッド・Ｅ末Ｔ宇やｆｉｌ冬析面の第 図 伏しす、、ＭＲ賽ｈイ更イ婁・ｊ午Ｕとの肉擾９謎θ月
ｔり幻抵目六所ツｍ第 図
実施例を示す要部概略断面図、 第２図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドにおけ
る磁気抵抗効果素子部分の一 実施例を示す部分拡大斜視図、 第３図は従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドを説明するた
めの要部概略断面図、 第４図は従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドにおける磁気
抵抗効果素子と磁界印加用の 硬磁性膜との関係を説明するための部 分拡大斜視図である。 第１図及び第２図において、 １１は磁性基板、１２はシールド磁性体、１３は非磁性
絶縁層、１８は磁気記録媒体、２１はＭＲ素子、２１ａ
は信号検出部、２１ｂ、２１ｃは引出し端子、２２は硬
磁性金属膜、２３は非磁性導体膜、２４は永久磁石膜を
それぞれ示す。 ４ｉ９ＨｃＭＲへ−１”ＧＪす’ニーｔ、ａａｉｉｍ第
１図 本発ｅ島ＨＲ案ト帥摩１木伊今挽人采斗孝芝ｍａ／ｌｈ
ｐヘッド・Ｅ末Ｔ宇やｆｉｌ冬析面の第 図 伏しす、、ＭＲ賽ｈイ更イ婁・ｊ午Ｕとの肉擾９謎θ月
ｔり幻抵目六所ツｍ第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ２つのシールド磁性体（１１、１２）間に、シャントバ
イアス導体膜が直接接合した磁気抵抗効果素子（２１）
を非磁性絶縁層（１３）で挟んで配設したヘッド構成に
おいて、 上記シャントバイアス導体膜が、硬磁性金属膜（２２）
を磁気抵抗効果素子（２１）のコア幅方向に着磁した永
久磁石膜（２４）からなることを特徴とする磁気抵抗効
果型再生ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20662388A JPH0256713A (ja) | 1988-08-20 | 1988-08-20 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20662388A JPH0256713A (ja) | 1988-08-20 | 1988-08-20 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256713A true JPH0256713A (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16526443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20662388A Pending JPH0256713A (ja) | 1988-08-20 | 1988-08-20 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0256713A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0613120A2 (en) * | 1993-02-26 | 1994-08-31 | Sony Corporation | Magnetoresistance thin film magnetic head and bias characteristics measuring method |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| JP2008006833A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Hino Motors Ltd | 車両の前部構造 |
-
1988
- 1988-08-20 JP JP20662388A patent/JPH0256713A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0613120A2 (en) * | 1993-02-26 | 1994-08-31 | Sony Corporation | Magnetoresistance thin film magnetic head and bias characteristics measuring method |
| EP0613120B1 (en) * | 1993-02-26 | 1999-11-10 | Sony Corporation | Magnetoresistance thin film magnetic head |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| US5653013A (en) * | 1994-08-18 | 1997-08-05 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head |
| JP2008006833A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Hino Motors Ltd | 車両の前部構造 |
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