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JPH09255496A - 窒化ガリウムの結晶成長方法 - Google Patents

窒化ガリウムの結晶成長方法

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JPH09255496A
JPH09255496A JP6564496A JP6564496A JPH09255496A JP H09255496 A JPH09255496 A JP H09255496A JP 6564496 A JP6564496 A JP 6564496A JP 6564496 A JP6564496 A JP 6564496A JP H09255496 A JPH09255496 A JP H09255496A
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gallium
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＧａＡｓ基板上に表面の平坦なＧａＮ層を結
晶成長させ得るようにして、導電性がありかつ劈開が可
能な基板上に良質なＧａＮ層を形成しうるようにする。 【構成】 ＧａＡｓ基板１０１に対し、Ｖ族元素を含む
原料を供給することなく６００〜７００℃で熱処理を行
って基板表面にＧａ過剰面１０４を形成する。窒素（キ
ャリアガス）、塩化ガリウム、アンモニアを供給し、始
めに低温でＧａＮ低温成長バッファ層１０５を、次いで
高温でＧａＮ高温成長層１０６を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、砒化ガリウム結晶
基板上に窒化ガリウム層を成長させる結晶成長方法に関
し、特に、表面が平坦な窒化ガリウム層を形成すること
ができる結晶成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム（ＧａＮ）は、その禁制帯
幅エネルギーが比較的大きいため、青色から紫外にかけ
ての発光デバイス（発光ダイオードや半導体レーザ）へ
の応用が期待されている。窒化ガリウムは適当な単結晶
基板の上に結晶成長により形成することが一般的であ
る。
【０００３】これまで、結晶成長により窒化ガリウム層
を形成する際の基板としては、サファイア基板が最もよ
く使われており、サファイア基板上に窒化ガリウム層を
含む複数の半導体層を設けた構成の発光ダイオードが報
告されている（Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ：Ｊ．Ｖａｃ．Ｓ
ｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ Ｖｏｌ．１３，Ｎｏ．３，
ｐ．７０５，Ｍａｙ／Ｊｕｎｅ １９９５）。図７はこ
の発光ダイオードの構成を示す概略断面図である。この
発光ダイオードは、（０００１）面を表面とするサファ
イア基板７０１を使用し、このサファイア基板７０１上
に、５１０℃で形成された厚さ３０ｎｍのｎ型窒化ガリ
ウム低温成長バッファ層７０２、１０２０℃で形成され
珪素が添加された厚さ４μｍのｎ型窒化ガリウム層７０
３、１０２０℃で形成され珪素が添加された厚さ０・１
５μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層７０４、８００℃で
形成され亜鉛と珪素が添加された厚さ１００ｎｍのＩｎ
0. 6 Ｇａ0.94Ｎ層７０５、１０２０℃で形成されマグネ
シウムが添加された厚さ０．１５μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎ層７０６、１０２０℃で形成されマグネシウム
が添加された厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウム層７０
７が順次積層された構成となっている。また、ｐ型窒化
ガリウム層７０７に対して、ニッケルと金の２層からな
るｐ側電極７０８が設けられ、ｎ型窒化ガリウム層７０
３に対して、チタンとアルミニウムの２層からなるｎ側
電極７０９が設けられている。
【０００４】サファイア基板上に結晶成長させた窒化ガ
リウム層には、他の基板上に形成したものに比べ表面の
平坦性がよく結晶性に優れているという利点があるが、
サファイア基板が導電性を持たないことやへき開ができ
ないことなどに起因する問題点があり、さらに、過去に
おいて砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上や燐化インジウ
ム（ＩｎＰ）基板上の他の化合物半導体で培われたプロ
セス技術を利用できないという問題点がある。例えば、
サファイア基板を用いていることにより、図７に示す従
来の発光ダイオードにおいては、ｐ側電極、ｎ側電極と
もデバイス表面に形成する必要があり、電極形成プロセ
スが複雑になっている。
【０００５】一方、窒化ガリウム層の結晶成長のための
基板として砒化ガリウム基板を用いれば、導電性があ
る、へき開ができるという利点とともに、過去において
砒化ガリウム基板上に他の化合物半導体層を結晶成長さ
せたことで培われたプロセス技術が利用できるという利
点がある。（１１１）面を表面とする砒化ガリウム基板
上への窒化ガリウムの結晶成長は、例えばＱｉｎｔｉｎ
Ｇｕｏ ａｎｄ Ｈｉｒｏｓｈｉ Ｏｇａｗａ，Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６６，７１５（１９９５）
などに示され、（１００）面を表面とする砒化ガリウム
基板上への窒化ガリウム層の結晶成長は、例えばＪ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．７８，１８４２（１９９５）などに
示されている。しかしながら、砒化ガリウム基板上に形
成した窒化ガリウム層は、砒化ガリウム表面の初期窒化
を十分に行なわないと、良好な結晶とはならず、サファ
イア基板上に形成したものに比較して、表面の平坦性が
劣るという問題点があった（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ
ｔｔ．５９，１０５８（１９９１）、Ｊａｐａｎ．Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３０，Ｌ１６６５，
（１９９１）、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．
Ｂ９，１９２４（１９９１））。
【０００６】初期窒化を行なうための方法には、例えば
碓井・砂川により特願平８−００１６１０号において提
案された手法がある。これは、まずキャリアガスととも
にガリウムを含むIII 族原料のみを供給することによっ
て、ガリウム面を形成した後に、キャリアガスとともに
Ｖ族原料を供給することによって、基板表面の初期窒化
を行なうものである。
【０００７】図９は、上記先行技術を用いて、ハイドラ
イド気相成長法により形成された窒化ガリウム層の断面
と表面を示す走査型電子顕微鏡写真である。図９に示さ
れた窒化ガリウムの概略断面図を図８に示す。図８にお
いて、砒化ガリウム基板１０１は、（１００）面から
［１１１］Ｂ方向へ５°傾斜した面を表面とし、ＣｒＯ
が濃度０・３３重量ｐｐｍでドープされている。この砒
化ガリウム基板１０１上に、キャリアガスとともに塩化
ガリウムを供給することによってガリウム過剰面１０３
が形成され、その上で窒化ガリウム低温成長バッファ層
１０５と窒化ガリウム高温成長層１０６が順次形成され
ている。窒化ガリウム低温成長バッファ層１０５および
窒化ガリウム高温成長層１０６はいずれもアンドープで
ある。具体的な結晶成長過程は以下の通りである。
【０００８】まず、キャリアガスである水素とともにア
ルシン（ＡｓＨ3 ）を供給した状態で、基板温度６３０
℃ないし６４０℃で基板１０１を５分間熱処理すること
によって、基板１０１表面の酸化膜を除去すると同時
に、基板１０１表面に砒素面を形成する。次に、基板温
度を４８５℃まで下げ、キャリアガスである窒素ととも
に塩化ガリウムを３０秒間供給することによって、基板
１０１表面にガリウム過剰面１０３を形成する。その上
で、窒化ガリウム低温成長バッファ層１０５を３０分間
形成し、その後基板温度７００℃で窒化ガリウム高温成
長層１０６を３０分間形成する。
【０００９】図９に示されるように、窒化ガリウム高温
成長層１０６の表面の凹凸が大きく、平坦性はよくな
い。これは、形成されたガリウム面１０３がガリウムの
単原子層以下であるために、その後キャリアガスととも
にＶ族原料を供給することによってなされる砒化ガリウ
ム基板１０１表面の初期窒化が不十分なことが原因であ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、本発
明の先行技術を用いて砒化ガリウム基板上に窒化ガリウ
ム層を結晶成長により形成した場合、窒化ガリウム層表
面の平坦性が悪いという問題がある。本発明の目的は、
表面の平坦性に優れた窒化ガリウム層を砒化ガリウム基
板上に形成することのできる結晶成長方法を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウムの
結晶成長方法は、砒化ガリウム基板を成長炉にロードし
て砒素を含むＶ族原料を供給することなく６００℃以上
７００℃以下に加熱する工程と、キャリアガスとともに
少なくともガリウムを含む原料と窒素を含む原料とを供
給することによって窒化ガリウム層を成長させる工程
と、を前記順序で少なくとも含むことを特徴とする。
【００１２】または、砒化ガリウム基板表面に砒化ガリ
ウムバッファ層を形成する工程と、砒素を含むＶ族原料
を供給することなく６００℃以上７００℃以下に加熱す
る工程と、キヤリアガスとともに少なくともガリウムを
含む原料と窒素を含む原料とを供給することによって窒
化ガリウム層を成長させる工程と、を前記順序で少なく
とも含むことを特徴とする。または、砒素を含むＶ族原
料を供給することなく６００℃以上７００℃以下に加熱
する工程と、キャリアガスとともに窒素を含むＶ族原料
のみを供給することによって砒化ガリウム基板表面を窒
化する工程と、キャリアガスとともに少なくともガリウ
ムを含む原料と窒素を含む原料とを供給することによっ
て窒化ガリウム層を成長させる工程と、を前記順序で少
なくとも含むことを特徴とする。または、砒化ガリウム
基板表面に砒化ガリウムバッファ層を形成する工程と、
砒素を含むＶ族原料を供給することなく６００℃以上７
００℃以下に加熱する工程と、キャリアガスとともに窒
素を含むＶ族原料のみを供給することによって砒化ガリ
ウムバッファ層表面を窒化する工程と、キャリアガスと
ともに少なくともガリウムを含む原料と窒素を含む原料
とを供給することによって窒化ガリウム層を成長させる
工程と、を前記順序で少なくとも含むことを特徴とす
る。本発明の結晶成長方法では、砒素を含むＶ族原料を
供給することなく加熱する際の温度を、６２０℃以上６
５０℃以下とすることが最も好ましい。本発明の結晶成
長方法では、砒化ガリウム基板の表面に窒化ガリウム層
を成長させる方法として、例えばハイドライド気相成長
法を用いることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１および図２は、本発明
の結晶成長方法によって砒化ガリウム基板上に成長させ
た窒化ガリウム層を示す概略断面図である。本発明にお
いては、図１、図２に示すように、砒化ガリウム基板１
０１に、若しくはその上に砒化ガリウムバッファ層１０
２を形成したものに、Ｖ族元素を含む原料を供給するこ
となく６００℃以上７００℃以下（より好ましくは６２
０℃以上６５０℃以下）に加熱して、砒化ガリウム基板
１０１表面または砒化ガリウムバッファ層１０２表面に
ガリウム過剰面１０４を形成する。その上で、ハイドラ
イド法等による気相成長法によって、相対的に低温で窒
化ガリウム低温成長バッファ層１０５を薄く形成し、窒
化ガリウム低温成長バッファ層１０５の上に、相対的に
高温で窒化ガリウム高温成長層１０６を厚く形成する。
窒化ガリウム低温成長バッファ層１０５は、砒化ガリウ
ムと窒化ガリウムの間に存在する大きな格子定数の差を
吸収するために形成される半導体結晶層である。本発明
における気相成長法は、例えばキャリアガスとして窒素
を、III 族原料ガスとして塩化ガリウムを、Ｖ族原料ガ
スとしてアンモニアを用いる。そして、窒化ガリウム低
温成長バッファ層１０５の結晶成長は、基板温度を４６
０〜５００℃に保持して、また窒化ガリウム高温成長層
１０６の結晶成長は、基板温度を６８０〜７７０℃に保
持して行われる。
【００１４】本発明においては、窒化ガリウムを砒化ガ
リウム基板上に結晶成長させるに際して、熱処理によっ
て砒化ガリウムの表面をガリウム過剰面とするため、後
にキャリアガスとともにＶ族原料を供給した際に、砒化
ガリウム表面を十分に初期窒化することができ、平坦性
に優れた窒化ガリウム層を結晶成長させることができ
る。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例についてさらに詳しく
説明する。 ［第１の実施例］砒化ガリウム基板上に、ハイドライド
気相成長法により、窒化ガリウム層を形成した。図３
は、このようにして形成した窒化ガリウム層の断面と表
面の状態を示す走査型電子顕微鏡写真である。図３に示
された窒化ガリウムの概略断面図が図１に示される。図
１において、砒化ガリウム基板１０１は、（１００）面
に対し［１１１］Ｂ方向へ５°傾斜した面を表面とし、
ＣｒＯが濃度０．３３重量ｐｐｍでドープされている。
具体的な結晶成長過程は以下の通りである。まず、水素
のみを供給した状態で、基板温度６３０℃ないし６４０
℃で基板を５分間熱処理することによって、基板１０１
表面の酸化膜を除去すると同時に、基板１０１表面にガ
リウム過剰面１０４を形成する。その上で、基板温度を
４８５℃まで下げて塩化ガリウムおよびアンモニアおよ
びキャリアガスである窒素を供給することにより、窒化
ガリウム低温成長バッファ層１０５を３０分間形成し、
その後基板温度を７００℃まで上げて窒化ガリウム高温
成長層１０６を３０分間形成した。窒化ガリウム低温成
長バッファ層１０５および窒化ガリウム高温成長層１０
６はいずれもアンドープである。
【００１６】図３から分かるように、この第１の実施例
による窒化ガリウム層は、図９に示された先行技術方法
による窒化ガリウム層に比べ、窒化ガリウム高温成長層
１０６の表面の平坦性が改善されている。
【００１７】［第２の実施例］砒化ガリウム基板上に、
ハイドライド気相成長法により、まず砒化ガリウムバッ
ファ層を形成し、しかる後に窒化ガリウム層を形成し
た。図４は、このようにして形成した窒化ガリウム膜の
断面と表面の状態を示す走査型電子顕微鏡写真である。
図４に示された窒化ガリウムの概略断面図が図２に示さ
れる。図２において、砒化ガリウム基板１０１は、（１
００）面から［１１１］Ｂ方向へ５°傾斜した面を表面
とし、ＣｒＯが濃度０．３３重量ｐｐｍでドープされて
いる。具体的な結晶成長過程は以下の通りである。
【００１８】まず、基板温度６５０℃で砒化ガリウム基
板１０１上に１．０μｍ厚の砒化ガリウムバッファ層１
０２を形成する。次に、水素のみを供給した状態で、基
板温度６３０℃ないし６４０℃で基板を５分間熱処理す
ることによって、砒化ガリウムバッファ層１０２表面に
ガリウム過剰面１０４を形成する。その上で、基板温度
を４８５℃まで下げて塩化ガリウムおよびアンモニアお
よびキャリアガスである窒素を供給することにより、窒
化ガリウム低温成長バッファ層１０５を３０分間形成
し、その後基板温度を７００℃まで上げて窒化ガリウム
高温成長層１０６を３０分間形成した。砒化ガリウムバ
ッファ層１０２および窒化ガリウム低温成長バッファ層
１０５および窒化ガリウム高温成長層１０６はいずれも
アンドープである。
【００１９】図４から分かるように、この第２の実施例
による窒化ガリウム層は、図９に示された先行技術方法
による窒化ガリウム層に比べ、表面の平坦性が改善され
ている。さらに、図３に示された第１の実施例の窒化ガ
リウム層に比べても、砒化ガリウム基板１０１上にまず
砒化ガリウムバッファ層１０２を形成したことにより、
砒化ガリウム表面の平坦性が向上し、窒化ガリウム高温
成長層１０６の表面の平坦性が改善されている。
【００２０】［第３の実施例］砒化ガリウム基板上に、
ハイドライド気相成長法により、窒化ガリウム層を形成
した。図５は、このようにして形成した窒化ガリウム膜
の断面と表面の状態を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図５に示された窒化ガリウムの概略断面図は、第１
の実施例の場合と同じであって、図１に示される。図１
において、砒化ガリウム基板１０１は、（１００）面に
対し［１１１］Ｂ方向へ５°傾斜した面を表面とし、Ｃ
ｒＯが濃度０．３３重量ｐｐｍでドープされている。具
体的な結晶成長過程は以下の通りである。
【００２１】まず、水素のみを供給した状態で、基板温
度６３０℃ないし６４０℃で基板を５分間熱処理するこ
とによって、砒化ガリウム基板１０１表面の酸化膜を除
去すると同時に、基板１０１表面にガリウム過剰面１０
４を形成する。その上で、基板温度を４８５℃まで下げ
てアンモニアを含むキャリアガスを供給することによ
り、基板１０１表面を窒化する。しかる後に、塩化ガリ
ウムおよびアンモニアおよびキャリアガスである窒素を
供給することにより、窒化ガリウム低温成長バッファ層
１０５を３０分間形成し、その後基板温度を７００℃ま
で上げて窒化ガリウム高温成長層１０６を３０分間形成
した。窒化ガリウム低温成長バッファ層１０５および窒
化ガリウム高温成長層１０６はいずれもアンドープであ
る。
【００２２】図５から分かるように、この第３の実施例
による窒化ガリウム層は、図９に示された先行技術方法
による窒化ガリウム層に比べ、窒化ガリウム高温成長層
１０６の表面の平坦性が改善されている。
【００２３】［第４の実施例］砒化ガリウム基板上に、
ハイドライド気相成長法により、まず砒化ガリウムバッ
ファ層を形成し、しかる後に窒化ガリウム層を形成し
た。図６は、このようにして形成した窒化ガリウム膜の
断面と表面の状態を示す走査型電子顕微鏡写真である。
図６に示された窒化ガリウムの概略断面図は、第２の実
施例の場合と同じであって、図２に示される。図２にお
いて、砒化ガリウム基板１０１は、（１００）面から
［１１１］Ｂ方向へ５°傾斜した面を表面とし、ＣｒＯ
が濃度０．３３重量ｐｐｍでドープされている。具体的
な結晶成長過捏は以下の通りである。
【００２４】まず、砒化ガリウム基板１０１上に１．０
μｍ厚の砒化ガリウムバッファ層１０２を形成する。次
に、水素のみを供給した状態で、基板温度６３０℃ない
し６４０℃で基板を５分間熱処理することによって、砒
化ガリウムバッファ層１０２表面にガリウム過剰面１０
４を形成する。その上で、基板温度を４８５℃まで下げ
てアンモニアを含むキャリアガスを供給することによ
り、砒化ガリウムバッファ層１０２表面を窒化する。し
かる後に、塩化ガリウムおよびアンモニアおよびキャリ
アガスである窒素を供給することにより、窒化ガリウム
低温成長バッファ層１０５を３０分間形成し、その後基
板温度を７００℃まで上げて窒化ガリウム高温成長層１
０６を３０分間形成した。砒化ガリウムバッファ層１０
２および窒化ガリウム低温成長バッファ層１０５および
窒化ガリウム高温成長層１０６はいずれもアンドープで
ある。
【００２５】図６から分かるように、この第４の実施例
による窒化ガリウム層は、図９に示された先行技術方法
による窒化ガリウム層に比べ、表面の平坦性が改善され
ている。さらに、図３に示された第１の実施例または図
５に示された第３の実施例の窒化ガリウム層に比べて
も、砒化ガリウム基板１０１上にまず砒化ガリウムバッ
ファ層１０２を形成したことにより、砒化ガリウム表面
の平坦性が向上し、窒化ガリウム高温成長層１０６表面
の平坦性が改善されている。
【００２６】以上の実施例で示したように、砒化ガリウ
ム基板に窒化ガリウム層を結晶成長により形成する際
に、まず砒素を含むＶ族原料を供給することなく６００
℃以上７００℃以下に加熱して砒化ガリウム表面にガリ
ウム過剰面を形成した場合、後にキャリアガスとともに
Ｖ族原料を供給した際に、砒化ガリウム表面を十分に初
期窒化することができ、表面が平坦な窒化ガリウム膜が
形成される。その平坦性は、砒化ガリウム基板上にまず
砒化ガリウムバッファ層を形成することにより、さらに
改善される。形成される窒化ガリウム膜の表面の平坦性
は、砒素を含むＶ族原料を供給することなく加熱する際
の温度を６２０℃以上６５０℃以下とした場合に、特に
優れたものとなる。
【００２７】なお、以上の実施例では、アンドープの窒
化ガリウム層の結晶成長について説明したが、勿論、適
当な不純物のドープされた窒化ガリウム層を形成するこ
ともできる。また、砒化ガリウム上に形成された本発明
による窒化ガリウム層上に、他の窒化ガリウム層若しく
は他の半導体層をさらに成長させることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による結晶
成長方法は、砒化ガリウム基板の表面状態を熱処理によ
りガリウム過剰面にした後にその上に窒化ガリウム層を
結晶成長させるものであるので、初期窒化を十分に行う
ことが可能になり導電性を有するとともにへき開ができ
る砒化ガリウム基板上に表面平坦性がよい窒化ガリウム
結晶層を形成することができるようになる。したがっ
て、本発明によれば、過去に砒化ガリウム基板上に他の
化合物半導体デバイスを作製する際に培われたプロセス
技術が利用でき、砒化ガリウム基板の利点を十分に活か
したデバイス作製を行なうことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態および第１、第３の実施例
を説明するための砒化ガリウム基板上に形成した窒化ガ
リウム層の概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態および第２、第４の実施例
を説明するための砒化ガリウム基板上に形成した窒化ガ
リウム層の概略断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例により形成された砒化ガ
リウム基板上の窒化ガリウム層の断面と表面の粒子構造
を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図４】本発明の第２の実施例により形成された砒化ガ
リウム基板上の窒化ガリウム層の断面と表面の粒子構造
を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図５】本発明の第３の実施例により形成された砒化ガ
リウム基板上の窒化ガリウム層の断面と表面の粒子構造
を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図６】本発明の第４の実施例により形成された砒化ガ
リウム基板上の窒化ガリウム層の断面と表面の粒子構造
を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図７】サファイア基板上に形成された窒化ガリウム層
からなる従来の発光ダイオードの構造を示す断面図であ
る。
【図８】本発明に先行して提案された手法により砒化ガ
リウム基板上に形成した窒化ガリウム層の概略断面図で
ある。
【図９】本発明に先行して提案された手法により形成さ
れた砒化ガリウム基板上の窒化ガリウム層の断面と表面
の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】 １０１ 砒化ガリウム基板 １０２ 砒化ガリウムバッファ層 １０３ 塩化ガリウムの供給により形成されたガリウム
過剰面 １０４ 熱処理により形成されたガリウム過剰面 １０５ 窒化ガリウム低温成長バッファ層 １０６ 窒化ガリウム高温成長層 ７０１ サファイア基板 ７０２ ｎ型窒化ガリウム低温成長バッファ層 ７０３ ｎ型窒化ガリウム層 ７０４ ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層 ７０５ Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ｎ層 ７０６ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層 ７０７ ｐ型窒化ガリウム層 ７０８ ｐ側電極 ７０９ ｎ側電極

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （１）砒化ガリウム基板を成長炉にロー
    ドし、砒素を含むＶ族原料を供給することなく６００℃
    以上７００℃以下に加熱する工程と、 （２）キャリアガスとともにガリウムを含む原料と窒素
    を含む原料とを供給して砒化ガリウム基板上に窒化ガリ
    ウム層を結晶成長させる工程と、を含むことを特徴とす
    る窒化ガリウムの結晶成長方法。
  2. 【請求項２】 前記第（１）の工程に先立って、前記砒
    化ガリウム基板上に砒化ガリウムバッファ層を成長させ
    る工程が付加されることを特徴とする請求項１記載の窒
    化ガリウムの結晶成長方法。
  3. 【請求項３】 前記第（１）の工程の後前記第（２）の
    工程に先立って、キャリアガスとともに窒素を含むＶ族
    原料のみを供給して前記砒化ガリウム基板表面を窒化さ
    せる工程が付加されることを特徴とする請求項１または
    ２記載の窒化ガリウムの結晶成長方法。
  4. 【請求項４】 前記第（１）の工程における熱処理が、
    還元性雰囲気中にて行われることを特徴とする請求項１
    記載の窒化ガリウムの結晶成長方法。
  5. 【請求項５】 前記第（２）の工程における結晶成長
    が、ハイドライド気相成長法にて行われることを特徴と
    する請求項１記載の窒化ガリウムの結晶成長方法。
  6. 【請求項６】 前記第（２）の工程における結晶成長
    が、初期の段階では基板温度を低温にして、その後に基
    板温度を昇温して行われることを特徴とする請求項１記
    載の窒化ガリウムの結晶成長方法。
  7. 【請求項７】 ［１１１］Ｂ方向に僅かに傾いた（１０
    ０）面上に窒化ガリウムを成長させることを特徴とする
    請求項１記載の窒化ガリウムの結晶成長方法。
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