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JPH0885886A - マイクロ波プラズマ処理装置のクリーニング方法 - Google Patents

マイクロ波プラズマ処理装置のクリーニング方法

Info

Publication number
JPH0885886A
JPH0885886A JP22297994A JP22297994A JPH0885886A JP H0885886 A JPH0885886 A JP H0885886A JP 22297994 A JP22297994 A JP 22297994A JP 22297994 A JP22297994 A JP 22297994A JP H0885886 A JPH0885886 A JP H0885886A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
plasma
microwave
generation chamber
negative potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22297994A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3277476B2 (ja
Inventor
Junichi Kayano
淳一 萱野
Hitoaki Sato
仁昭 佐藤
Fumio Shimizu
文男 清水
Hidenori Takei
秀則 武居
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP22297994A priority Critical patent/JP3277476B2/ja
Publication of JPH0885886A publication Critical patent/JPH0885886A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3277476B2 publication Critical patent/JP3277476B2/ja
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  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は、電極を負電位とすることで、
プラズマクリーニングの電極に対する効率を向上させ、
その結果、装置の稼動時間を向上させることにある。 【構成】処理ガスが供給されるとともに所定圧力が保持
されるプラズマ発生室(10)と、該プラズマ発生室
(10)にマイクロ波を導入するマイクロ波発生源(1
8)を有する導波管(17)と、プラズマ発生室(1
0)を減圧状態に保つ排気機構(16)で、前記プラズ
マを利用して試料を処置する装置のクリーニング方法に
おいて、試料台(11)を負電位とし、クリーニングす
ることを特徴とするマイクロ波プラズマ装置のクリーニ
ング方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波プラズマ装
置で、特に処理室内の試料台のクリーニングに好適なマ
イクロ波プラズマ装置のクリーニング方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来のドライエッチング方法では、例え
ば、特開昭63−238288号公報に記載のように、
電極を60℃以下に保つことにより、形状の良いエッチ
ングが出来ることが記載されているが、それとともに電
極への反応生成物等の付着について言及していない。す
なわち、いくら良いエッチング形状が保られても、クリ
ーニング方法等の手段がないと、装置稼動率向上にはつ
ながらない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、装置
のクリーニング時の電極に対する配慮がなされていなか
った。すなわち、電極自身のクリーニングは、大気開放
することにより、人の手で処理されていた。
【0004】本発明の目的は、装置の稼動時間を向上で
きるマイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法を提供
することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的は、処理ガスが
供給されるとともに所定圧力が保持されるプラズマ発生
室と、該プラズマ発生室内に設らけれている試料台(電
極)に高周波電源を接続し、プラズマ発生で電極を負電
位とすることにより、達成される。
【0006】
【作用】下部電極に高周波電源もしくは直流電源を接続
することにより、クリーニング効果を高めるものであ
る。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1により説明す
る。
【0008】図1において、装置構成を説明する。処理
室10の上部には石英製の放電管14が設けてあり、真
空処理室を形成している。処理室10には真空処理室中
にエッチング用ガスを供給するガス供給源(図示省略)
につながるガス供給口15が設けてあり、また真空排気
装置(図示省略)につながる排気口16が設けてある。
処理室10には被エッチング材であるウエハ13を配置
する試料台11が設けてある。試料台11には高周波電
源12が接続してあり、試料台11に高周波電力を印加
可能になっている。放電管14の外側には放電管14を
囲んで導波管17が設けてあり、さらに、その外側には
放電管14内に磁界を発生させるソレノイドコイル19
が設けてある。導波管17の端部にはマイクロ波を発振
するマグネトロンが設けてある。
【0009】このような構成による装置では、ガス供給
口15から真空処理室内にエッチング用処理ガスを供給
するとともに、真空処理室内を所定の圧力に減圧、排気
する。そして、導波管17によってマグネトロン18か
らのマイクロ波を放電管10内に導入するとともに、ソ
レノイドコイル19によって磁界を形成し、マイクロ波
の電界とソレノイドコイル19による磁界との相互作用
によって放電管14内の処理ガスをプラズマ化する。さ
らに、高周波電源12によって試料台11に高周波電力
を印加し、バイアスを生じさせ、プラズマ中のイオンを
ウエハ13側に引き込み異方性エッチングを行わせるよ
うにしている。
【0010】図1でプラズマクリーニングを実施する
際、クリーニングガスとしてO2ガス50〜400ml
/min、圧力1〜50mmTorr、マイクロ波出力
200〜1400Wの範囲でプラズマを発生させる。こ
の時、電極に接続された高周波電源を30〜200W印
加し、電極に負の電位を発生させ電極をスパッタクリー
ニングする。
【0011】本実施例では、電極を負電位とし、ウエハ
が載置されない箇所に付着した反応生成物をイオンスパ
ッタで除去できる効果がある。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマクリーニング
中に電極を負の電位にすることにより、プラズマからプ
ラスイオンが入射し、電極表面に付着した反応生成物
(汚れ)が反応、脱離する。
【0013】これによりプラズマクリーニングの効果を
向上し、大気開放によるウェットクリーニング頻度が低
減でき、及び稼動時間が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるマイクロ波プラズマ装
置を示す構成図である。
【符号の説明】
10…処理室、11…試料台、12…高周波電源、13
…ウエハ、14…放電管、15…ガス供給口、16…排
気口、17…導波管、18…マグネトロン、19…ソレ
ノイドコイル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武居 秀則 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】処理ガスが供給されるとともに所定圧力が
    保持されるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室にマイ
    クロ波を導入するマイクロ波発生源を有する導波管と、
    プラズマ発生室を減圧状態に保つ排気機構で、前記プラ
    ズマを利用して試料を処置する装置のクリーニング方法
    において、前記試料台を負電位とし、クリーニングする
    ことを特徴とするマイクロ波プラズマ装置のクリーニン
    グ方法。
  2. 【請求項2】請求項1記載のマイクロ波プラズマ装置の
    クリーニング方法において、前記負電位の電位を制御す
    ることを特徴とするマイクロ波プラズマ装置のクリーニ
    ング方法。
JP22297994A 1994-09-19 1994-09-19 マイクロ波プラズマ処理装置のクリーニング方法 Expired - Lifetime JP3277476B2 (ja)

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