[go: up one dir, main page]

JPH04315797A - プラズマ処理装置およびそのプラズマ源のクリーニング方法 - Google Patents

プラズマ処理装置およびそのプラズマ源のクリーニング方法

Info

Publication number
JPH04315797A
JPH04315797A JP3108784A JP10878491A JPH04315797A JP H04315797 A JPH04315797 A JP H04315797A JP 3108784 A JP3108784 A JP 3108784A JP 10878491 A JP10878491 A JP 10878491A JP H04315797 A JPH04315797 A JP H04315797A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
plasma generation
vessel
voltage
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3108784A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Nakahigashi
孝浩 中東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP3108784A priority Critical patent/JPH04315797A/ja
Publication of JPH04315797A publication Critical patent/JPH04315797A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマによって被
処理物にエッチング、薄膜形成等の処理を施すプラズマ
処理装置およびそのプラズマ源のクリーニング方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】この種のプラズマ処理装置の従来例を図
2に示す。
【0003】このプラズマ処理装置は、プラズマ源2と
、それに接続された真空容器20とを備えている。
【0004】プラズマ源2は、その中でプラズマ18を
発生させるプラズマ生成容器4を有しており、これには
、ガス導入管6から所要のガス8およびマイクロ波導波
管10からマイクロ波導入窓12を通してマイクロ波1
4が導入される。
【0005】またこの例では、プラズマ生成容器4の外
周部に、同容器4の内部においてマイクロ波14の導入
方向に沿う向きにECR(電子サイクロトロン共鳴)条
件を満足させる磁界を発生させる筒状の磁気コイル16
が設けられている。
【0006】真空容器20の内部にはホルダ21が設け
られており、その上に被処理物(例えば基板やウェーハ
)22が装着される。またこの真空容器20およびそれ
につながるプラズマ生成容器4の内部は、図示しない真
空排気装置によって真空排気される。
【0007】上記プラズマ処理装置においては、真空容
器20内を真空排気すると共にプラズマ源2のプラズマ
生成容器4内にガス8およびマイクロ波14を導入する
と、マイクロ波14によってガス8が励起されてプラズ
マ生成容器4内にプラズマ18が作られる。このように
して作られたプラズマ18は真空容器20内へ拡散し、
このプラズマ18によって被処理物22に対してエッチ
ング、成膜等の処理を施すことができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記プラズマ源2のプ
ラズマ生成容器4の内壁には、運転に伴ってゴミが付着
するが、これを放置しておくと、運転中にそのゴミが剥
離してパーティクルが発生し、それが被処理物22の表
面に付着して、膜への不純物混入、デバイス欠陥等の種
々の問題を惹き起こす。
【0009】これを防止するため従来は、プラズマ源2
を分解してそのプラズマ生成容器4の内壁の溶剤による
、あるいはメカニカルな(例えばサンドペーパー等によ
る)クリーニングを行う必要があり、しかもこのクリー
ニングを頻繁に行わなければならないため、非常に手間
がかかっていた。
【0010】そこでこの発明は、上記のようなプラズマ
源のプラズマ生成容器内壁のクリーニングを簡単に行う
ことができるようにすることを主たる目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明のプラズマ処理装置は、前述したようなプラ
ズマ源のプラズマ生成容器と真空容器との間に両者を電
気的に絶縁する絶縁物を設け、かつ同プラズマ生成容器
にその中で発生させたプラズマ中のイオンを引き寄せる
電圧を印加する電源を設けたことを特徴とする。
【0012】またこの発明のクリーニング方法は、プラ
ズマ源のプラズマを発生させるプラズマ生成容器を相手
側の真空容器から電気的に絶縁した状態で、このプラズ
マ生成容器内にプラズマを発生させると共に、同プラズ
マ生成容器にその中で発生させたプラズマ中のイオンを
引き寄せる電圧を印加することを特徴とする。
【0013】
【作用】上記プラズマ処理装置によれば、絶縁物によっ
てプラズマ源のプラズマ生成容器を真空容器から電気的
に浮かせた状態で、プラズマ生成容器内にプラズマを発
生させ、かつプラズマ生成容器に電源から電圧を印加す
ると、プラズマ中のイオンがこの電圧によってプラズマ
生成容器側に引き寄せられ、このイオンによるスパッタ
等によってプラズマ生成容器内壁のゴミを除去してクリ
ーニングすることができる。上記クリーニング方法の場
合も同様に、イオンによるスパッタ等によってプラズマ
生成容器内壁のゴミを除去してクリーニングすることが
できる。
【0014】
【実施例】図1は、この発明の一実施例に係るプラズマ
処理装置を示す概略断面図である。図2の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
【0015】この実施例においては、前述したようなプ
ラズマ源2のプラズマ生成容器4と真空容器20との間
に、両者を電気的に絶縁する絶縁物24を設けている。 この絶縁物24は、例えば角型リングのようなパッキン
でも良いし、その他の絶縁物とOリング等のパッキンと
を組み合わせたもの等でも良い。
【0016】また、プラズマ生成容器4とアースとの間
に、プラズマ生成容器4内で発生させたプラズマ18中
のイオンを同容器4に引き寄せる電圧を出力するクリー
ニング電源26を接続している。このクリーニング電源
26は、この実施例では、プラズマ生成容器4に高周波
電圧を印加する高周波電源27、プラズマ生成容器4に
正の直流電圧を印加する電圧可変の直流電源30および
プラズマ生成容器4に負の直流電圧を印加する電圧可変
の直流電源32を備えている。高周波電源27には直列
にマッチングボックス28が挿入されており、その中に
は直流阻止用のブロッキングコンデンサ(図示省略)が
含まれている。直流電源30および32には直列に高周
波阻止用のブロッキングコイル34が挿入されている。
【0017】正負両直流電源30、32を設けているの
は、用いるガス8によって、プラズマ18中のイオンが
正イオンになる場合と負イオンになる場合とがあり、そ
のいずれにも対応することができるようにするためであ
る。例えば、ガス8としてアルゴンのような不活性ガス
を用いる場合は、プラズマ18中に正イオンができるの
で、直流電源32側を用いてプラズマ生成容器4に負電
圧を印加する。また、ガス8として塩素のようなハロゲ
ンガスを用いる場合は、プラズマ18中に負イオンがで
きるので、直流電源30側を用いてプラズマ生成容器4
に正電圧を印加する。
【0018】また、高周波電源27を設けているのは、
プラズマ生成容器4の内壁に付着するゴミが絶縁性の場
合、それに流入するイオンによる帯電によってイオンの
流入が停止することを防止するためである。即ち、プラ
ズマ生成容器4に高周波電圧を印加しておくと、その負
サイクルにおいてプラズマ18中の電子がプラズマ生成
容器4側に引き寄せられ、これが正電荷を中和するので
絶縁性のゴミの帯電を防止することができ、それによっ
て前記直流電圧によるイオンの引き込みを効果的に行う
ことができる。
【0019】従って、発生するのが正イオンまたは負イ
オンのいずれか一方であれば、直流電源もそれに応じた
いずれか一方で良い。また、プラズマ生成容器4の内壁
に付着するゴミが導電性のものに限られるのであれば、
高周波電源27は必ずしも設けなくても良い。
【0020】なお、プラズマ生成容器4と真空容器20
との間にスイッチのようなものを設けて、通常の運転時
はそれをオンにして両者間を電気的に接続し、クリーニ
ング時はオフにして両者間を電気的に絶縁するようにし
ても良い。
【0021】このような装置でプラズマ生成容器4のク
リーニングを行うには次のようにすれば良い。即ち、絶
縁物24によってプラズマ生成容器4を真空容器20か
ら電気的に浮かせた状態で、プラズマ生成容器4内に前
述したようにしてプラズマ18を発生させ、かつプラズ
マ生成容器4にクリーニング電源26からガス8の種類
に応じた適当な電圧(即ち、前述したように正または負
の直流電圧および必要に応じて高周波電圧)を印加する
と、プラズマ18中のイオンがこの電圧によってプラズ
マ生成容器4側に引き寄せられ、このイオンによるスパ
ッタやそれとゴミとの化学反応等によって、プラズマ生
成容器4の内壁に付着しているゴミを除去してクリーニ
ングすることができる。除去されたゴミは、真空容器2
0内を排気しているので、外部に排出される。従って、
従来例のようにプラズマ源2を分解する必要は全くなく
、プラズマ生成容器4の内壁のクリーニングを極めて簡
単に行うことができる。
【0022】次に、下記のような条件で被処理物22に
エッチングを施した場合の結果について説明する。 使用ガス:Cl2 (流量20cc/min)導入マイ
クロ波電力:1KW 真空容器内の真空度:5×10−4Torr被処理物:
Al 合金膜(厚さ1μm)このような場合従来例の装
置では、被処理物22を100枚程度処理するごとにプ
ラズマ生成容器4のクリーニング(メカニカルクリーニ
ング)を行わないと、その壁面より膜が剥離してパーテ
ィクルが発生していた。また、プラズマ生成容器4のメ
カニカルクリーニングを1回行うのに約1日もかかって
いた。
【0023】これに対して図1の構成で、被処理物22
を500枚処理するごとにプラズマ18によるプラズマ
生成容器内壁のクリーニングを2時間ずつ行ったところ
(このとき、プラズマ生成容器4には500Wの高周波
電力を供給すると共に、+1KVの直流電圧を印加した
)、メカニカルクリーニングは2000枚程度処理する
ごとに行えば良いようになった。即ち、メカニカルクリ
ーニングの周期を従来の20倍程度に延ばすことができ
た。
【0024】なお、プラズマ源2のタイプは上記例のよ
うなECR型に限定されるものではなく、その他のタイ
プ、例えばプラズマ生成容器4内にフィラメントを有し
ていてアーク放電等によってガス8を励起するようなタ
イプ等でも良い。
【0025】また、使用するガス8も上記例のようなC
l2 に限定されるものではなく、その他のガス、例え
ばSF6 、NF3 等でも良い。
【0026】また、上記のようなプラズマ処理装置は、
エッチング以外の薄膜形成等にも使用することができる
のは勿論である。
【0027】
【発明の効果】以上のようにこの発明のプラズマ処理装
置においては、プラズマ源のプラズマ生成容器内にプラ
ズマを発生させた状態で同容器に電圧を印加することに
よって、プラズマ生成容器内壁のクリーニングをその内
部のプラズマによって行うことができるので、プラズマ
源を分解する必要がなく、従ってプラズマ生成容器内壁
のクリーニングを極めて簡単に行うことができる。そし
てこのようなクリーニングを行うことで、プラズマ生成
容器の洗浄やメカニカルクリーニングの周期を大幅に延
ばすことができる。
【0028】同様にこの発明のクリーニング方法によれ
ば、プラズマ源のプラズマ生成容器内壁のクリーニング
をその内部に発生させたプラズマによって行うことがで
きるので、プラズマ源を分解する必要がなく、従ってプ
ラズマ生成容器内壁のクリーニングを極めて簡単に行う
ことができる。そしてこのようなクリーニングを行うこ
とで、プラズマ生成容器の洗浄やメカニカルクリーニン
グの周期を大幅に延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】  この発明の一実施例に係るプラズマ処理装
置を示す概略断面図である。
【図2】  従来のプラズマ処理装置の一例を示す概略
断面図である。
【符号の説明】
2  プラズマ源 4  プラズマ生成容器 18  プラズマ 20  真空容器 22  被処理物 24  絶縁物 26  クリーニング電源

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  プラズマ生成容器を有しその中でプラ
    ズマを発生させるプラズマ源と、このプラズマ源に接続
    されていて、同プラズマ源で発生させたプラズマを用い
    て被処理物を処理するための真空容器とを備えるプラズ
    マ処理装置において、前記プラズマ源のプラズマ生成容
    器と前記真空容器との間に両者を電気的に絶縁する絶縁
    物を設け、かつ同プラズマ生成容器にその中で発生させ
    たプラズマ中のイオンを引き寄せる電圧を印加する電源
    を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 【請求項2】  プラズマ源のプラズマを発生させるプ
    ラズマ生成容器を相手側の真空容器から電気的に絶縁し
    た状態で、このプラズマ生成容器内にプラズマを発生さ
    せると共に、同プラズマ生成容器にその中で発生させた
    プラズマ中のイオンを引き寄せる電圧を印加することを
    特徴とするプラズマ源のクリーニング方法。
JP3108784A 1991-04-12 1991-04-12 プラズマ処理装置およびそのプラズマ源のクリーニング方法 Pending JPH04315797A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3108784A JPH04315797A (ja) 1991-04-12 1991-04-12 プラズマ処理装置およびそのプラズマ源のクリーニング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3108784A JPH04315797A (ja) 1991-04-12 1991-04-12 プラズマ処理装置およびそのプラズマ源のクリーニング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04315797A true JPH04315797A (ja) 1992-11-06

Family

ID=14493395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3108784A Pending JPH04315797A (ja) 1991-04-12 1991-04-12 プラズマ処理装置およびそのプラズマ源のクリーニング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04315797A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7988816B2 (en) * 2004-06-21 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
JP2016167431A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社荏原製作所 電子線検査装置及びクリーニング装置
US10529539B2 (en) 2004-06-21 2020-01-07 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7988816B2 (en) * 2004-06-21 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US8603293B2 (en) 2004-06-21 2013-12-10 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US9490105B2 (en) 2004-06-21 2016-11-08 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US10529539B2 (en) 2004-06-21 2020-01-07 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US10546727B2 (en) 2004-06-21 2020-01-28 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US10854431B2 (en) 2004-06-21 2020-12-01 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
JP2016167431A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社荏原製作所 電子線検査装置及びクリーニング装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4709376B2 (ja) 電力供給された非磁性金属部材をプラズマ高周波励起源とプラズマの間に含むプラズマ装置及び加工物を処理する方法
JP3917176B2 (ja) プラズマ反応チャンバーをその場でマグネトロンクリーニングするための装置と方法
JP2007324154A (ja) プラズマ処理装置
JPH10144668A (ja) プラズマ処理方法
JPH10321604A (ja) プラズマ処理装置
US6096176A (en) Sputtering method and a sputtering apparatus thereof
JP2000328248A (ja) 薄膜形成装置のクリーニング方法及び薄膜形成装置
JPH04315797A (ja) プラズマ処理装置およびそのプラズマ源のクリーニング方法
JPH07273092A (ja) プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法
JP4224374B2 (ja) プラズマ処理装置の処理方法およびプラズマ処理方法
WO2007091726A1 (ja) シリコンウェハの表面層の除去方法
JPH07211489A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法
JPS6218030A (ja) イオンビ−ムエツチング装置
JPH11293468A (ja) プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法
JP3404434B2 (ja) マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法
JP2797307B2 (ja) プラズマプロセス装置
JPH09148310A (ja) 半導体製造装置およびそのクリーニング方法ならびに半導体ウエハの取り扱い方法
JP3613947B2 (ja) 真空処理装置とこれを用いた真空処理方法
JP4902054B2 (ja) スパッタリング装置
JPH05275350A (ja) 半導体製造装置
JP2669249B2 (ja) プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法
JP2745895B2 (ja) プラズマ装置
JPH05206071A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH06283484A (ja) プラズマ装置のクリーニング方法
JPS63458A (ja) 真空ア−ク蒸着装置