JPH08180731A

JPH08180731A - 導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミック電子部品、および積層セラミックコンデンサ

Info

Publication number: JPH08180731A
Application number: JP6322815A
Authority: JP
Inventors: Masaki Fujiyama; 正樹藤山; Yukio Sanada; 幸雄真田; Shuji Mushimoto; 修二虫本
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1994-12-26
Filing date: 1994-12-26
Publication date: 1996-07-12
Also published as: SG46168A1; SG60048A1; US5781402A

Abstract

(57)【要約】【目的】セラミック基板と電極材との接合強度を向上
させるとともに、電極材へのはんだ付着性を良好にする
ことによって、電気的信頼性を向上させることが可能な
導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミック電子部品、お
よび積層セラミックコンデンサを提供する。【構成】Ｃｕ粉末と、ガラス粉末と、有機ビヒクルと
を含む導電性厚膜組成物であって、前記Ｃｕ粉末は、球
形状粉と鱗片状粉とからなり、前記ガラス粉末は、硼珪
酸亜鉛系ガラスと、硼珪酸バリウム系ガラスとからな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は導電性厚膜組成物、およ
びこれを厚膜電極に用いた積層セラミックコンデンサ等
のセラミック電子部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、セラミック電子部品の厚膜電
極、例えば、積層セラミックコンデンサの外部電極は、
導電粉末であるＡｇ粉末またはＡｇ−Ｐｄ粉末と、充填
剤であるガラス粉末と、ベース樹脂と有機溶剤とで作製
された有機ビヒクルとからなる導電性厚膜組成物を、セ
ラミック誘電体層と内部電極とが交互に積層された積層
体の端面に塗布後、焼き付けて形成される。

【０００３】また、外部電極の形成後、はんだ付け性を
向上させる目的でメッキ処理が施され、例えば、Ｎｉ／
Ｓｎはんだ層が電解メッキ法により形成される。

【０００４】ところで、充填剤としてのガラス粉末は、
積層体と外部電極との接合強度を保つために多量に含ま
れている。これは、ガラス粉末を電極焼成中に溶融さ
せ、溶融したガラス粉末を積層体と外部電極との界面に
移動させて、接着剤として作用させるためである。

【０００５】また、導電粉末としては、主にＡｇ粉末ま
たはＡｇ−Ｐｄ粉末が用いられていたが、最近になっ
て、コストダウンのためＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ粉末の代
わりに安価なＣｕ粉末が使用され始めている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、コストダウ
ンを図るため、導電粉末としてＣｕ粉末を用いた場合に
は、次のような問題点があった。（１）Ｃｕが酸化されやすいために、非酸化性雰囲気中
での焼き付けを必要とするが、この場合、有機ビヒクル
中の樹脂成分の分解速度が遅く、ガラスが溶け出す高温
になるまで樹脂成分が残ってしまい、そのため樹脂成分
の分解により発生した気体が溶融ガラス中で発砲する。

【０００７】その結果、ブリスタと呼ばれる外部電極の
一部が膨らむ現象が生じる。また、このブリスタはセラ
ミックとガラスが高温で反応することによって発生する
ガスにより生じることもある。つまり、このブリスタは
Ｃｕ電極の表面の焼結が進んで発生ガスの抜け道がなく
なる高温域で起こりやすい。

【０００８】このブリスタにより、積層体と外部電極と
の接合強度が低下することがある。

【０００９】（２）また、非酸化性雰囲気中での焼き付
けは、ガラス粉末が還元されて特性が劣化するため、メ
ッキ処理を施すときに、外部電極中のガラス粉末がメッ
キ液に溶解しやすくなる。

【００１０】従って、メッキ処理の最中にメッキ液が外
部電極中のガラスを溶かして内部電極にまで到達し、そ
れにより積層セラミックコンデンサの内部電極とセラミ
ック誘電体層との接合強度が低下し、その界面で剥離し
たり、セラミック誘電体自体にクラックが生じてしま
う。

【００１１】（３）さらに、ガラス粉末が多量に含まれ
ているために、高温でかつ非酸化性雰囲気中で焼き付け
た場合には、ガラスが外部電極の表面を覆い、メッキ層
を形成できず、また、はんだ濡れ性が低下する。

【００１２】本発明は、セラミック基板と厚膜電極との
接合強度を向上させるとともに、厚膜電極へのはんだ付
着性を良好にすることによって、電気的信頼性を向上さ
せることが可能な導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミ
ック電子部品、および積層セラミックコンデンサを提供
することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段および作用】本発明は、上
記のような問題点を解決するべく導電性厚膜組成物、厚
膜電極、セラミック電子部品、および積層セラミックコ
ンデンサを完成するに至った。本発明は、Ｃｕ粉末と、
ガラス粉末と、有機ビヒクルとを含む導電性厚膜組成物
であって、前記Ｃｕ粉末は、球形状粉と鱗片状粉とから
なることに特徴がある。

【００１４】本発明は上記の構成により、電極形成時に
発生する厚膜電極のブリスタを防止し、セラミック素体
と厚膜電極との接合強度を向上させるとともに、厚膜電
極へのはんだ付着性を良好にすることができる。

【００１５】すなわち、球形状粉は、ブリスタの発生す
る温度域である７００℃〜８００℃の範囲内で焼結が開
始され、焼結密度が大きくなるので、球形状粉のみで
は、焼結時の厚膜電極の空隙率が十分でなく、従って、
厚膜電極表面にブリスタが発生し、セラミック素体と厚
膜電極との接合強度が低下する。

【００１６】また、鱗片状粉のみでは、ガラスとの接合
力が小さいので、比較的容易に剥がれてしまい、厚膜電
極の接合強度の低下が生じてしまう。

【００１７】そこで、本発明は、球形状粉に鱗片状粉を
配合する。この鱗片状粉は、ブリスタの発生する温度域
では焼結が十分には開始されないので、焼結時の厚膜電
極の空隙率が増加し、発生したガスの抜け道が形成され
ることで、厚膜電極表面のブリスタの発生を防止するこ
とができる。よって、セラミック素体と厚膜電極との接
合強度を向上させることができる。

【００１８】また、これにより、セラミック素体と厚膜
電極との接合強度を保つために多量に含まれていたガラ
ス粉末の配合量を低減することができるので、ガラスが
溶融して厚膜電極表面を覆うことによるメッキ膜付着性
の劣化を防止し、はんだ付けを良好にすることができ
る。

【００１９】また、本発明は、Ｃｕ粉末と、ガラス粉末
と、有機ビヒクルとを含む導電性厚膜組成物であって、
前記ガラス粉末は、硼珪酸亜鉛系ガラスと、硼珪酸バリ
ウム系ガラスとからなることに特徴がある。

【００２０】本発明は上記の構成により、電極形成時に
発生するセラミック素体のクラックを防止し、セラミッ
ク素体と厚膜電極との接合強度を向上させるとともに、
厚膜電極へのはんだ付着性を良好にすることが可能であ
る。

【００２１】すなわち、硼珪酸亜鉛系ガラスおよび硼珪
酸バリウム系ガラスは、溶解試験等で他のものと比較す
ると、いずれもメッキ液が溶解しにくいので、メッキ液
が厚膜電極内部へ浸入することによる、厚膜電極とセラ
ミック素体との接合強度の低下を抑えて、セラミック素
体のクラックの発生を防止することができる。

【００２２】ところで、硼珪酸亜鉛系ガラスは、軟化点
が約５７０℃〜７００℃であり、電極形成時の温度であ
る約６００℃以上で焼結しやすいため、その温度では流
動性が高くなりすぎ、導電性厚膜組成物の焼き付け時に
ガラスが厚膜電極の表面に出てしまう。これにより、メ
ッキ液が付きにくくなる。

【００２３】また、硼珪酸バリウム系ガラスのみでは、
導電性厚膜組成物の焼き付け時に溶けにくいため、導電
粉末の焼結を阻害してしまう。

【００２４】そこで、本発明は、硼珪酸亜鉛系ガラスと
硼珪酸バリウム系ガラスを配合することとした。この硼
珪酸バリウム系ガラスは、軟化点が約７７０℃以上と硼
珪酸亜鉛系ガラスよりも高く、電極形成時の温度では焼
結しにくいため、その温度では流動性が低い。これを利
用して、硼珪酸バリウム系ガラスによってガラスの流動
性を調整し、ガラスが厚膜電極の表面に出てこないよう
にすることができる。

【００２５】よって、ガラス粉末が硼珪酸亜鉛系ガラス
および硼珪酸バリウム系ガラスからなることによって、
メッキ液が付着しやすく、従って、セラミック素体と厚
膜電極との接合強度が高く、かつ、メッキ液が溶解しに
くい導電性厚膜組成物を作製することができる。

【００２６】また、これにより、セラミック素体と厚膜
電極との接合強度を保つために多量に含まれていたガラ
ス粉末の配合量を低減することができるので、ガラスが
溶融して厚膜電極表面を覆うことによるメッキ膜付着性
の劣化を防止し、はんだ付けを良好にすることができ
る。

【００２７】また、本発明は、Ｃｕ粉末と、ガラス粉末
と、有機ビヒクルとを含む導電性厚膜組成物であって、
前記Ｃｕ粉末は、球形状粉と鱗片状粉とからなり、か
つ、前記ガラス粉末は、硼珪酸亜鉛系ガラスと、硼珪酸
バリウム系ガラスとからなることに特徴がある。

【００２８】本発明は上記の構成により、電極形成時に
発生する厚膜電極のブリスタおよびセラミック素体のク
ラックを防止し、セラミック素体と厚膜電極との接合強
度をより一層向上させるとともに、厚膜電極へのはんだ
付着性をより一層良好にすることができる。

【００２９】すなわち、Ｃｕ粉末が、球形状粉と鱗片状
粉とからなることによって、厚膜電極表面のブリスタの
発生を防止するので、セラミック素体と厚膜電極との接
合強度を向上させることができる。

【００３０】また、ガラス粉末が硼珪酸亜鉛系ガラスお
よび硼珪酸バリウム系ガラスからなることによって、メ
ッキ液が付着しやすく、かつ、メッキ液が溶解しにく
く、従って、セラミック素体と厚膜電極との接合強度の
高い導電性厚膜組成物を作製することができる。

【００３１】さらに、これらにより、セラミック素体と
厚膜電極との接合強度を保つために多量に含まれていた
ガラス粉末の配合量を低減することができるので、ガラ
スが溶融して厚膜電極表面を覆うことによるメッキ膜付
着性の劣化を防止し、はんだ付けを良好にすることがで
きる。

【００３２】また、本発明は、前記Ｃｕ粉末および前記
ガラス粉末の合計は、前記導電性厚膜組成物１００重量
％のうち６５〜８５重量％含有し、かつ、前記有機ビヒ
クルは、前記導電性厚膜組成物１００重量％のうち１５
〜３５重量％含有することが好ましい。

【００３３】すなわち、Ｃｕ粉末およびガラス粉末の合
計が、導電厚膜組成物中に６５重量％以上の場合には、
導電性厚膜組成物の粘度が大きく、導電性厚膜組成物を
塗布した後のレベリング性が良く、ダレ等が起こらな
い。さらに、８５重量％以下の場合には、導電性厚膜組
成物がペースト状になるため、塗布しやすい。なお、有
機ビヒクルはＣｕ粉末およびガラス粉末を除く残りの量
である。

【００３４】また、本発明は、前記ガラス粉末は、導電
性厚膜組成物１００重量％のうち３〜１５重量％含有す
ることが好ましい。

【００３５】すなわち、ガラス粉末が導電性厚膜組成物
中に３重量％以上の場合には、導電性厚膜組成物の焼き
付け後に形成される厚膜電極とセラミック素体との高い
接合強度が得られる。さらに、１５重量％以下の場合に
は、厚膜電極表面にガラスが析出することなく、Ｎｉ／
Ｓｎメッキ付着性が向上する。

【００３６】また、本発明は、前記Ｃｕ粉末は、球形状
粉と鱗片状粉とからなり、前記球形状粉は、平均粒径が
０．３〜５．０μｍであることが好ましい。

【００３７】すなわち、平均粒径が０．３μｍ以上の場
合には、粒径が大きいので酸化されにくい。さらに５．
０μｍ以下の場合には、焼結密度が大きくなるので緻密
になり、耐湿性が向上する。

【００３８】また、本発明は、前記Ｃｕ粉末は、球形状
粉と鱗片状粉とからなり、前記球形状粉は、平均粒径が
０．３〜１．５μｍであることがさらに好ましい。

【００３９】なぜなら、球形状粉としては平均粒径が
０．３μｍ以上１．５μｍ以下の範囲内がより適切であ
るからである。

【００４０】また、本発明は、前記Ｃｕ粉末は、球形状
粉と鱗片状粉とからなり、前記球形状粉は、平均粒径が
０．３〜１．５μｍである小球形粉と、平均粒径が２．
０〜５．０μｍである大球形粉とからなることが好まし
い。

【００４１】すなわち、平均粒径が０．３〜１．５μｍ
である小球形状粉と、鱗片状粉とを混合させ、さらに、
平均粒径が２．０〜５．０μｍである大球形状粉を混合
させることにより、塗布形状がより一層向上する。

【００４２】さらに、本発明は、前記Ｃｕ粉末は、球形
状粉と鱗片状粉とからなり、前記鱗片状粉は、平均長径
が１０．０〜４０．０μｍであることが好ましい。

【００４３】すなわち、平均長径が１０．０μｍ以上の
場合には、焼結を遅くする効果を十分に得ることができ
る。さらに、４０．０μｍ以下の場合には、小型である
セラミック素体自体に塗布しやすく、表面をなめらかに
できる。

【００４４】なお、鱗片状粉は、小球形状粉、大球形状
粉、および鱗片状粉の合計１００重量％のうち、１０重
量％〜７０重量％含有することが好ましい。

【００４５】なぜなら、１０重量％以上の場合には、導
電性厚膜組成物の焼結時にあまり緻密にならないので、
厚膜電極表面へのガラスの流出量が少なく、メッキが付
きやすいからである。さらに、７０重量％以下の場合に
は、厚膜電極の塗布性が良く、焼結密度も大きいので、
メッキ液の浸入に対して強くなるからである。

【００４６】また、本発明は、前記ガラス粉末は、硼珪
酸亜鉛系ガラスと、硼珪酸バリウム系ガラスとからな
り、前記硼珪酸亜鉛系ガラスが、前記ガラス粉末１００
重量％のうち５０重量％以上含有することが好ましい。

【００４７】すなわち、硼珪酸亜鉛系ガラスがガラス粉
末１００重量％のうち５０重量％以上の場合には、硼珪
酸亜鉛系ガラスの配合量が多く、硼珪酸バリウム系ガラ
スの配合量が少ないために焼結が速くなり、同じ焼結温
度であっても緻密となり、焼結密度が大きくなるので、
ヒートショック性の面で向上する。なお、硼珪酸亜鉛系
ガラスを１００重量％とすると、過度の流動性により表
面にガラス層ができてしまい、Ｃｕ粉末を覆うため、メ
ッキ処理が難しくなる。従って、メッキ付着性の面がや
や劣るのであまり好ましくない。

【００４８】また、本発明は、前記ガラス粉末は、硼珪
酸亜鉛系ガラスと、硼珪酸バリウム系ガラスとからな
り、前記硼珪酸亜鉛系ガラスが、前記硼珪酸亜鉛系ガラ
ス１００重量％のうち、ＺｎＯを３〜３５重量％含有す
ることが好ましい。

【００４９】すなわち、ＺｎＯが３重量％以上の場合に
は、Ｎｉ／Ｓｎメッキ付着性の面で向上する。さらに、
３５重量％以下の場合には、絶縁性およびヒートショッ
ク性の面で向上する。

【００５０】また、本発明は、硼珪酸亜鉛系ガラスと、
硼珪酸バリウム系ガラスとからなり、前記硼珪酸バリウ
ム系ガラスが、前記硼珪酸バリウム系ガラス１００重量
％のうち、ＢａＯを１０〜４０重量％含有することが好
ましい。

【００５１】すなわち、ＢａＯが１０重量％以上の場合
には、絶縁性、Ｎｉ／Ｓｎメッキ付着性、およびヒート
ショック性の面で向上する。さらに、４０重量％以下の
場合には、絶縁性およびヒートショック性の面で向上す
る。

【００５２】さらに、本発明は、硼珪酸亜鉛系ガラス
と、硼珪酸バリウム系ガラスとからなり、前記硼珪酸亜
鉛系ガラスおよび前記硼珪酸バリウム系ガラスが、アル
ミナ、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物の
うち、少なくとも１つを含むことが好ましい。

【００５３】なぜなら、アルミナを添加すると、導電性
厚膜組成物の耐酸性が向上するからであり、また、アル
カリ金属酸化物またはアルカリ土類金属酸化物を添加す
ると、硼珪酸亜鉛系ガラスおよび硼珪酸バリウム系ガラ
スの軟化点を下げることができて、これらのガラス粉末
が溶けやすくなるからである。

【００５４】また、本発明の厚膜電極は、セラミック電
子部品のセラミック素体に設けられる厚膜電極であっ
て、前記厚膜電極は、請求項１から請求項１３のいずれ
かに記載の導電性厚膜組成物を焼結させた焼結膜からな
ることに特徴がある。

【００５５】すなわち、上記導電性厚膜組成物を、例え
ば、６００℃〜８００℃の範囲内のある特定の温度で加
熱し、導電性厚膜組成物を焼結させることにより、厚膜
電極となる焼結膜を形成することができる。

【００５６】また、本発明のセラミック電子部品は、セ
ラミック素体と、前記セラミック素体に設けられる端子
電極とを備えたセラミック電子部品であって、前記端子
電極は、請求項１４に記載の厚膜電極からなることに特
徴がある。

【００５７】すなわち、セラミック電子部品の端子電極
形成時に発生する厚膜電極のブリスタまたはセラミック
素体のクラックを防止し、セラミック素体と端子電極と
の接合強度を向上させるとともに、端子電極へのはんだ
付着性を良好にすることができる。

【００５８】さらに、本発明の積層セラミックコンデン
サは、セラミック誘電体層と、前記セラミック誘電体層
を介して対向するように配置された内部電極とが積層さ
れた積層体と、前記積層体の両端に対向するように配置
され、前記内部電極の一端と導通する外部電極とから構
成された積層セラミックコンデンサであって、前記外部
電極は、請求項１４に記載の厚膜電極からなることに特
徴がある。

【００５９】すなわち、積層セラミックコンデンサの外
部電極形成時に発生する厚膜電極のブリスタまたは積層
体のクラックを防止し、積層体と外部電極との接合強度
を向上させるとともに、外部電極へのはんだ付着性を良
好にすることができる。

【００６０】

【実施例】以下、本発明の導電性厚膜組成物を焼結させ
た焼結膜からなる厚膜電極の実施例について、セラミッ
ク電子部品である板状セラミックコンデンサおよび積層
セラミックコンデンサに用いた場合について説明する。
図１は、板状セラミックコンデンサの断面図である。図
１に示すように、板状セラミックコンデンサは、セラミ
ック素体である板状のセラミック誘電体１と、セラミッ
ク誘電体１の両主平面に対向するように配置された一対
の端子電極３と、端子電極３にはんだ付けされたリード
端子４と、外装樹脂２とを備えている。

【００６１】セラミック誘電体１は、例えば、チタン酸
バリウムやニオブ酸鉛のような磁器材料で構成し、セラ
ミック誘電体１の対向両主平面には端子電極３がそれぞ
れ形成されており、さらに、セラミック誘電体１と端子
電極３とを覆うように外装樹脂２が設けられている。

【００６２】また、リード端子４は、端子電極３と図示
しない回路基板とを接続するために設けられており、一
端を外装樹脂２の内部に配設して端子電極３と導通させ
て、他端を回路基板と導通させるため外装樹脂２から突
出させている。

【００６３】図２は、積層セラミックコンデンサの断面
図である。図２に示すように、積層セラミックコンデン
サは、直方体状の積層体５と、積層体５の両端に対向す
るように配置された一対の外部電極７ａ、７ｂとを備え
ている。

【００６４】ここで、積層体５は、例えば、チタン酸バ
リウムやニオブ酸鉛のような磁器材料で構成されたセラ
ミック誘電体層であるセラミックシート６が、複数枚積
層されたものを焼成して一体化することにより構成され
ている。

【００６５】積層体５の内部には、内部電極９ａ、９ｂ
が交互に複数配置されている。内部電極９ａは、積層体
５の一側面に配置された外部電極７ａに接続されてお
り、他方側面に配置された外部電極７ｂとは絶縁されて
いる。

【００６６】一方、内部電極９ｂは外部電極７ｂに接続
されており、外部電極７ａとは絶縁されている。また、
内部電極９ａ、９ｂは、それぞれ平行に配置されてい
る。

【００６７】このようなセラミック電子部品である板状
セラミックコンデンサの端子電極３および積層セラミッ
クコンデンサの外部電極７ａ、７ｂが、本発明に係る導
電性厚膜組成物を焼き付け形成された焼結膜からなる厚
膜電極である。次に、本発明に係る導電性厚膜組成物に
ついて詳述する。

【００６８】（実施例１）本発明の導電性厚膜組成物
は、いずれもＣｕ粉末と、ガラス粉末と、有機ビヒクル
とを含んでいる。

【００６９】なお、本実施例では、Ｃｕ粉末とガラス粉
末とを合計すると、導電性厚膜組成物１００重量％のう
ち６５〜８５重量％の範囲内で配合し、かつ、ガラス粉
末を導電性厚膜組成物１００重量％のうち３〜１５重量
％の範囲内で配合する。

【００７０】また、Ｃｕ粉末としては、粉末形状の異な
る混合粉末である、球形状粉と鱗片状粉との混合粉末を
使用している。

【００７１】この球形状粉は、略球形のＣｕ粒子であっ
て、平均粒径が０．３〜１．５μｍの小球形状粉Ａと、
平均粒径が２．０〜５．０μｍの大球形状粉Ｂとからな
っている。

【００７２】また、鱗片状粉は、フレーク状の形状をし
ており、厚さが約数μｍであって、鱗片状粉の長さ方向
の平均長径が１０．０〜４０．０μｍの鱗片状粉Ｃから
なっている。

【００７３】また、ガラス粉末としては、後述する実施
例２に記載の硼珪酸亜鉛系ガラスと硼珪酸バリウム系ガ
ラスとを使用している。

【００７４】すなわち、硼珪酸亜鉛系ガラスは、ＺｎＯ
−ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃を含むガラス粉末であり、他の成分
として、アルミナや、Ｌｉ₂Ｏ等のアルカリ金属酸化物
や、ＣａＯ等のアルカリ土類金属酸化物等と結合してい
る。

【００７５】また、硼珪酸バリウム系ガラスは、ＢａＯ
−ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃を含むガラス粉末であり、他の成分
として、アルミナや、Ｌｉ₂Ｏ等のアルカリ金属酸化物
や、ＣａＯ、ＢａＯ等のアルカリ土類金属酸化物等と結
合している。

【００７６】さらに、ガラス粉末は、ガラス粉末１００
重量％のうち、硼珪酸亜鉛系ガラスを５０重量％以上配
合している。

【００７７】ここでまた、硼珪酸亜鉛系ガラスは、硼珪
酸亜鉛系ガラス１００重量％のうちＺｎＯを３〜３５重
量％含有しており、また、硼珪酸バリウム系ガラスは、
硼珪酸バリウム系ガラス１００重量％のうちＢａＯを１
０〜４０重量％含有している。

【００７８】また、有機ビヒクルとしては、ベース樹脂
であるアクリル系樹脂を有機溶剤であるブチルセルソル
ブに溶解したものを使用している。

【００７９】次に、表１に、実施例１−１〜実施例１−
１６の導電性厚膜組成物における、Ｃｕ粉末配合比率
（小球形状粉Ａ、大球形状粉Ｂ、および鱗片状粉Ｃを合
計して１００重量％とした場合のそれぞれの配合比
率）、Ｎｉ／Ｓｎメッキ膜付着性の評価、電極接合強
度、ブリスタの有無、および総合判定について示す。

【００８０】

【表１】

【００８１】なお、参考のために、Ｃｕ粉末のうち、小
球形状粉Ａ、大球形状粉Ｂ、および鱗片状粉Ｃのいずれ
か１種類を１００重量％含むものを参考例１−１〜参考
例１−３として、この参考例１−１〜参考例１−３のＮ
ｉ／Ｓｎメッキ膜付着性の評価、電極接合強度、ブリス
タの有無、および総合判定について表１に併せて示す。

【００８２】次に、表１に示したＮｉ／Ｓｎメッキ膜付
着性の評価、電極接合強度、およびブリスタの有無の各
評価の測定方法と測定結果について説明し、さらに、こ
れらによる総合判定について説明する。Ｎｉ／Ｓｎメッ
キ膜付着性については、まず、積層セラミックコンデン
サのチップの両端面に窒素雰囲気中において約８００℃
で焼き付け外部電極を形成し、Ｎｉ／Ｓｎメッキを施し
た。そして、蛍光Ｘ線膜厚計でＮｉ／Ｓｎメッキ膜の膜
厚を測定し、１μｍより大きければ良好と判断して表１
中には○と示し、１μｍ以下であれば不良と判断して表
１中には×と示した。

【００８３】参考例１−１および参考例１−２は、いず
れもＮｉ／Ｓｎメッキ膜の膜厚が１μｍ以下となり、外
観からもＣｕ電極が露出しており、メッキ付きが不良で
あった。

【００８４】これは、参考例１−１ではＣｕ粉末として
球形状粉Ａのみが配合されているために、焼結時の厚膜
電極の空隙率が十分でないので、ガラスが溶融して厚膜
電極の表面を覆うことによるＮｉ／Ｓｎメッキ膜付着性
の劣化が生じたと考えられる。

【００８５】また、参考例１−２では、Ｃｕ粉末として
球形状粉Ｂのみが配合されているために、参考例１と同
様にＮｉ／Ｓｎメッキ膜付着性の劣化が生じたと考えら
れる。

【００８６】従って、Ｎｉ／Ｓｎメッキ膜付着性の評価
からは、Ｃｕ粉末として球形状粉Ａのみまたは球形状粉
Ｂのみだけでなく、厚膜電極の空隙率を増加させる鱗片
状粉Ｃが必要であることが分かる。

【００８７】電極接合強度については、まず、厚膜電極
の端面に針金をはんだ付けし、その厚膜電極の両端を引
っ張って厚膜電極と針金とが離れた時の力の大きさ（単
位：Ｎ）を表１中に示し、３０Ｎより大きければ良好と
判断し、３０Ｎ以下であれば不良を判断した。

【００８８】参考例１−３は、電極接合強度（Ｎ）が２
６Ｎと、不良と判断される３０Ｎ以下となり、厚膜電極
とチップとの界面で剥がれていた。

【００８９】これは、参考例１−３ではＣｕ粉末として
鱗片状粉Ｃのみが配合されているために、ガラスとの接
合力が小さいので、比較的容易に剥がれてしまい、電極
接合強度の低下が生じたと考えられる。

【００９０】ブリスタの有無については、上記製造方法
により形成された積層セラミックコンデンサの厚膜電極
を外観から判断した。厚膜電極表面に気泡が発生し、厚
膜電極に凹凸が生じていた場合には、ブリスタが発生し
たとして表１中に×と示し、そうでない場合には、表１
中に○を示した。

【００９１】参考例１−１および参考例１−２は、いず
れもブリスタが発生していた。

【００９２】これは、参考例１−１ではＣｕ粉末として
球形状粉Ａのみが配合されているために、焼結時の厚膜
電極の空隙率が十分でないので、発生ガスの抜け道がな
く、ブリスタが発生したと考えられる。

【００９３】また、参考例１−２では、Ｃｕ粉末として
球形状粉Ｂのみが配合されているために、参考例１−１
と同様に焼結時の厚膜電極の空隙率が十分でないので、
発生ガスの抜け道がなく、ブリスタが発生したと考えら
れる。

【００９４】従って、総合判定では、実施例１−１〜実
施例１−１６は、Ｎｉ／Ｓｎメッキ膜付着性、電極接合
強度、およびブリスタの有無のいずれも良好と判断した
ので、表１中に○と示した。また、参考例１−１〜参考
例１−３は、Ｎｉ／Ｓｎメッキ膜付着性、電極接合強
度、およびブリスタの有無のいずれかで不良と判断した
ので、表１中に×と示した。

【００９５】ところで、本発明の導電性厚膜組成物は、
上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の
範囲内において、種々の変更が可能である。

【００９６】例えば、上記実施例では、ガラス粉末とし
て、後述する実施例２に記載の硼珪酸亜鉛系ガラスと硼
珪酸バリウム系ガラスとを用いているが、硼珪酸亜鉛系
ガラスのみでもよいし、硼珪酸バリウム系ガラスのみで
もよい。さらには他のガラスでもよい。いずれにしても
本発明の目的は達成できる。

【００９７】また、例えば、上記実施例では、有機ビヒ
クルとしてベース樹脂となるアクリル系樹脂を有機溶剤
であるブチルセルソルブに溶解したものを用いている
が、ベース樹脂はセルロース系樹脂、またはブチラール
系樹脂等でもよいし、また、有機溶剤はターピネオール
でもよい。

【００９８】（実施例２）本発明の導電性厚膜組成物
は、いずれもＣｕ粉末と、ガラス粉末と、有機ビヒクル
とを含んでいる。

【００９９】なお、本実施例では、Ｃｕ粉末とガラス粉
末とを合計すると、導電性厚膜組成物１００重量％のう
ち６５〜８５重量％の範囲内で配合し、かつ、ガラス粉
末を導電性厚膜組成物１００重量％のうち３〜１５重量
％の範囲内で配合する。

【０１００】また、ガラス粉末としては、硼珪酸亜鉛系
ガラスと、硼珪酸バリウム系ガラスとを使用している。

【０１０１】この硼珪酸亜鉛系ガラスは、ＺｎＯ−Ｓｉ
Ｏ₂−Ｂ₂Ｏ₃を含むガラス粉末であり、他の成分とし
て、アルミナや、Ｌｉ₂Ｏ等のアルカリ金属酸化物や、
ＣａＯ等のアルカリ土類金属酸化物等と結合している。

【０１０２】また、硼珪酸バリウム系ガラスは、ＢａＯ
−ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃を含むガラス粉末であり、他の成分
として、アルミナや、Ｌｉ₂Ｏ等のアルカリ金属酸化物
や、ＣａＯ、ＢａＯ等のアルカリ土類金属酸化物等と結
合している。

【０１０３】また、Ｃｕ粉末としては、実施例１に記載
のＣｕ粉末と同一のものを使用している。

【０１０４】すなわち、Ｃｕ粉末としては、粉末形状の
異なる混合粉末である、球形状粉と鱗片状粉との混合粉
末を使用している。

【０１０５】また、球形状粉は、略球形のＣｕ粒子であ
って、平均粒径が０．３〜１．５μｍの小球形状粉Ａ
と、平均粒径が２．０〜５．０μｍの大球形状粉Ｂとか
らなっている。

【０１０６】また、鱗片状粉は、フレーク状の形状をし
ており、厚さが約数μｍであって、鱗片状粉の長さ方向
の平均長径が１０．０〜４０．０μｍの鱗片状粉Ｃから
なっている。

【０１０７】また、有機溶剤としては、アクリル系樹脂
をブチルセルソルブに溶解したものを使用している。

【０１０８】次に、表２に、実施例２−１〜実施例２−
１０の導電性厚膜組成物における、硼珪酸亜鉛系ガラス
（Ｚｎ系）、硼珪酸バリウム系ガラス（Ｂａ系）それぞ
れの組成比率を示したフリット番号と、導電性厚膜組成
物１００重量％のうちのガラス粉末の重量％と、ガラス
粉末１００重量％のうちの硼珪酸亜鉛系ガラスの重量％
と、絶縁抵抗のＮＧ数と、Ｎｉ／Ｓｎメッキ層付着性
と、ヒートショック性と、これらによる総合判定とにつ
いて示す。

【０１０９】

【表２】

【０１１０】なお、参考のために、参考例２−１〜参考
例２−９を表２に併せて示す。

【０１１１】また、表３に、硼珪酸亜鉛系ガラスの実施
例であるフリット番号Ａ、Ｂ、Ｃの組成比率（単位は重
量％）と、硼珪酸バリウム系ガラスの実施例であるフリ
ット番号Ｇ、Ｈ、Ｉの組成比率（単位は重量％）と、硼
珪酸亜鉛系ガラスの参考例であるフリット番号Ｄ、Ｅの
組成比率（単位は重量％）と、硼珪酸バリウム系ガラス
の参考例であるフリット番号Ｆ、Ｊの組成比率（単位は
重量％）とについて示す。

【０１１２】

【表３】

【０１１３】次に、表２に示した絶縁抵抗ＮＧ数、Ｎｉ
／Ｓｎメッキ層付着性、およびヒートショック性の各評
価の測定方法と測定結果について説明し、さらに、これ
らによる総合判定について説明する。絶縁抵抗ＮＧ数に
ついては、まず、積層セラミックコンデンサのチップの
両端面に窒素雰囲気中において８００℃で焼き付け外部
電極を形成し、Ｎｉ／Ｓｎメッキを施した。そして、両
電極間の絶縁抵抗を測定し、抵抗値が１×１０⁹Ω以下
となればＮＧと判断した。この測定を積層セラミックコ
ンデンサ２０個について行い、表２中にはＮＧとなった
個数を示した。また、ＮＧとなる積層セラミックコンデ
ンサがなければ良好と判断し、ＮＧとなる積層セラミッ
クコンデンサが１つでもあれば劣化と判断した。

【０１１４】参考例２−１は、ＮＧとなる積層セラミッ
クコンデンサが２０個中に１５個あり、劣化していた。

【０１１５】これは、ガラス粉末の添加量が１．０重量
％と少ないために、積層セラミックコンデンサにクラッ
クが生じてショートしてしまう等の絶縁抵抗の劣化が起
こるためである。

【０１１６】また、参考例２−４は、ＮＧとなる積層セ
ラミックコンデンサが２０個中に１０個あり、劣化して
いた。

【０１１７】これは、硼珪酸バリウム系ガラスのフリッ
ト番号Ｆの組成比率のうち、ＢａＯがガラス粉末１００
重量％に対し、５重量％と少ないために、積層セラミッ
クコンデンサにクラックが生じてショートしてしまう等
の絶縁抵抗の劣化が起こるためである。

【０１１８】また、参考例２−５は、ＮＧとなる積層セ
ラミックコンデンサが２０個中に３個あり、劣化してい
た。

【０１１９】これは、硼珪酸バリウム系ガラスのフリッ
ト番号Ｊの組成比率のうち、ＢａＯがガラス粉末１００
重量％に対し、５５重量％と多いために、積層セラミッ
クコンデンサにクラックが生じてショートしてしまう等
の絶縁抵抗の劣化が起こるためである。

【０１２０】また、参考例２−６は、ＮＧとなる積層セ
ラミックコンデンサが２０個中に１０個あり、劣化して
いた。

【０１２１】これは、硼珪酸亜鉛系ガラスのフリット番
号Ｄの組成比率のうち、ＺｎＯがガラス粉末１００重量
％に対し、５０重量％と多いために、積層セラミックコ
ンデンサにクラックが生じてショートしてしまう等の絶
縁抵抗の劣化が起こるためである。

【０１２２】また、参考例２−８は、ＮＧとなる積層セ
ラミックコンデンサが２０個中に１５個あり、劣化して
いた。

【０１２３】これは、ガラス粉末の添加量が２．０重量
％と少ないために、積層セラミックコンデンサにクラッ
クが生じてショートしてしまう等の絶縁抵抗の劣化が起
こるためである。

【０１２４】従って、絶縁抵抗ＮＧ数では、ガラス粉末
の添加量は３．０重量％以上であることが好ましいこと
が分かる。

【０１２５】また、硼珪酸バリウム系ガラスの組成中の
ＢａＯがガラス粉末１００重量％のうち、１０重量％以
上であることが好ましいことが分かる。

【０１２６】また、硼珪酸バリウム系ガラスの組成中の
ＢａＯがガラス粉末１００重量％のうち、４０重量％以
下であることが好ましいことが分かる。

【０１２７】さらに、硼珪酸亜鉛系ガラスの組成中のＺ
ｎＯがガラス粉末１００重量％のうち、３５重量％以下
であることが好ましいことが分かる。

【０１２８】Ｎｉ／Ｓｎメッキ膜付着性については、ま
ず、積層セラミックコンデンサのチップの両端面に窒素
雰囲気中において約８００℃で焼き付け外部電極を形成
し、Ｎｉ／Ｓｎメッキを施した。そして、蛍光Ｘ線膜厚
計でＮｉ／Ｓｎメッキ膜の膜厚を測定し、１μｍより大
きければ良好と判断して表２中には○と示し、１μｍ以
下であれば劣化と判断して表２中には×と示した。

【０１２９】参考例２−３は、Ｎｉ／Ｓｎメッキ膜の膜
厚が１μｍ以下となり、外観からもＣｕ電極が露出して
おり、メッキ付きが劣化していた。

【０１３０】これは、ガラス粉末の添加量が２０．０重
量％と多いために、厚膜電極表面にガラスが析出し、Ｎ
ｉ／Ｓｎメッキ付着性が低下したからである。

【０１３１】また、参考例２−４は、Ｎｉ／Ｓｎメッキ
膜の膜厚が１μｍ以下となり、外観からもＣｕ電極が露
出しており、メッキ付きが劣化していた。

【０１３２】これは、硼珪酸バリウム系ガラスのフリッ
ト番号Ｆの組成比率のうち、ＢａＯがガラス粉末１００
重量％に対し、５重量％と少ないために、Ｎｉ／Ｓｎメ
ッキ付着性が低下したからである。

【０１３３】また、参考例２−７は、Ｎｉ／Ｓｎメッキ
膜の膜厚が１μｍ以下となり、外観からもＣｕ電極が露
出しており、メッキ付きが劣化していた。

【０１３４】これは、硼珪酸亜鉛系ガラスのフリット番
号Ｄの組成比率のうち、ＺｎＯがガラス粉末１００重量
％に対し、２重量％と少ないために、Ｎｉ／Ｓｎメッキ
付着性が低下したからである。

【０１３５】さらに、参考例２−９は、Ｎｉ／Ｓｎメッ
キ膜の膜厚が１μｍ以下となり、外観からもＣｕ電極が
露出しており、メッキ付きが劣化していた。

【０１３６】これは、ガラス粉末の添加量が１７．０重
量％と多いために、厚膜電極表面にガラスが析出し、Ｎ
ｉ／Ｓｎメッキ付着性が低下したからである。

【０１３７】従って、Ｎｉ／Ｓｎメッキ膜付着性では、
ガラス粉末の添加量は１５．０重量％以下であることが
好ましいことが分かる。

【０１３８】また、硼珪酸バリウム系ガラスの組成中の
ＢａＯがガラス粉末１００重量％のうち、１０重量％以
上であることが好ましいことが分かる。

【０１３９】また、硼珪酸亜鉛系ガラスの組成中のＺｎ
Ｏがガラス粉末１００重量％のうち、３重量％以上であ
ることが好ましいことが分かる。

【０１４０】ヒートショック性については、まず、積層
セラミックコンデンサのチップの両端面に窒素雰囲気中
において約８００℃で焼き付け外部電極を形成し、Ｎｉ
／Ｓｎメッキを施した。そして、この積層セラミックコ
ンデンサを４００℃のはんだ槽に約２秒間浸漬させた。

【０１４１】このとき、積層セラミックコンデンサにク
ラックが生じた場合は、劣化と判断し表２中には×と示
した。また、クラックが生じなかった場合は、良好と判
断し表２中には○と示した。なお、表２中の△Ｔ＝３７
５℃は、△Ｔ＝（４００℃のはんだ槽−２５℃の室温）
＝３７５℃を意味している。

【０１４２】参考例２−１は、積層セラミックコンデン
サにクラックが生じていたので劣化していたと判断し
た。

【０１４３】これは、ガラス粉末の添加量が１．０重量
％と少ないために、クラックが生じたからである。

【０１４４】また、参考例２−２は、積層セラミックコ
ンデンサにクラックが生じていたので劣化していたと判
断した。

【０１４５】これは、硼珪酸亜鉛系ガラスの重量％が２
０重量％と少ないために、クラックが生じたからであ
る。

【０１４６】また、参考例２−４は、積層セラミックコ
ンデンサにクラックが生じていたので劣化していたと判
断した。

【０１４７】これは、硼珪酸バリウム系ガラスのフリッ
ト番号Ｆの組成比率のうち、ＢａＯがガラス粉末１００
重量％に対し、５重量％と少ないために、クラックが生
じたからである。

【０１４８】また、参考例２−５は、積層セラミックコ
ンデンサにクラックが生じていたので劣化していたと判
断した。

【０１４９】これは、硼珪酸バリウム系ガラスのフリッ
ト番号Ｊの組成比率のうち、ＢａＯがガラス粉末１００
重量％に対し、５５重量％と多いために、クラックが生
じたからである。

【０１５０】また、参考例２−６は、積層セラミックコ
ンデンサにクラックが生じていたので劣化していたと判
断した。

【０１５１】これは、硼珪酸亜鉛系ガラスのフリット番
号Ｄの組成比率のうち、ＺｎＯがガラス粉末１００重量
％に対し、５０重量％と多いために、クラックが生じた
からである。

【０１５２】さらに、参考例２−８は、積層セラミック
コンデンサにクラックが生じていたので劣化していたと
判断した。

【０１５３】これは、ガラス粉末の添加量が２．０重量
％と少ないために、積層セラミックコンデンサにクラッ
クが生じたからである。

【０１５４】従って、ヒートショック性では、ガラス粉
末の添加量は３．０重量％以上であることが好ましいこ
とが分かる。

【０１５５】また、硼珪酸亜鉛系ガラスは、ガラス粉末
１００重量％のうち、５０重量％以上であることが好ま
しいことが分かる。

【０１５６】また、硼珪酸バリウム系ガラスの組成中の
ＢａＯが、ガラス粉末１００重量％のうち、１０重量％
以上であることが好ましいことが分かる。

【０１５７】また、硼珪酸バリウム系ガラスの組成中の
ＢａＯがガラス粉末１００重量％のうち、４０重量％以
下であることが好ましいことが分かる。

【０１５８】さらに、硼珪酸亜鉛系ガラスの組成中のＺ
ｎＯがガラス粉末１００重量％のうち、３５重量％以下
であることが好ましいことが分かる。

【０１５９】従って、総合判定では、参考例２−１〜参
考例２−９は、絶縁抵抗ＮＧ数、Ｎｉ／Ｓｎメッキ付着
性、およびヒートショック性のうちいずれか１つ以上で
劣化となり、実施例２−１〜実施例２−１０よりも劣っ
ていることが示された。

【０１６０】なお、ここで参考例２−１〜参考例２−９
は、実施例２−１〜実施例２−１０よりも好ましくない
ものとして総合判定を×にしたが、いずれも従来例に比
べれば満足できるものであり、本発明の目的は達成する
ことが可能である。

【０１６１】ところで、本発明の導電性厚膜組成物は、
上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の
範囲内において、種々の変更が可能である。

【０１６２】例えば、上記実施例では、Ｃｕ粉末とし
て、実施例１に記載のＣｕ粉末を用いているが、Ｃｕ粉
末は球形状粉と鱗片状粉とであれば、特に粒径や長さを
限定しなくてもよい。また、球形状粉のみでも鱗片状粉
のみでも粒径や長さを調整すれば使用できる。さらに
は、粒子形状を特に限定しなくてもよい。いずれにして
も本発明の目的は達成できる。

【０１６３】また、例えば、上記実施例では、有機ビヒ
クルとしてベース樹脂となるアクリル系樹脂を有機溶剤
であるブチルセルソルブに溶解したものを用いている
が、ベース樹脂はセルロース系樹脂、またはブチラール
系樹脂等でもよいし、また、有機溶剤はターピネオール
でもよい。

【０１６４】

【発明の効果】本発明の導電性厚膜組成物は、Ｃｕ粉末
が、球形状粉と鱗片状粉とからなることによって、厚膜
電極表面のブリスタの発生を防止することができるの
で、セラミック素体と厚膜電極との接合強度を向上させ
ることが可能である。

【０１６５】また、これにより、セラミック素体と厚膜
電極との接合強度を保つために多量に含まれていたガラ
ス粉末の配合量を低減することができるので、ガラスが
溶融して厚膜電極表面を覆うことによるメッキ膜付着性
の劣化を防止し、はんだ付けを良好にすることができ、
従って、セラミック電子部品の電気的信頼性を向上させ
ることが可能である。

【０１６６】また、本発明は、ガラス粉末が硼珪酸亜鉛
系ガラスおよび硼珪酸バリウム系ガラスからなることに
よって、メッキ液が付着しやすく、かつ、メッキ液が溶
解しにくいので、メッキ液が電極内部へ浸入することに
よる、厚膜電極とセラミック素体との接合強度の低下を
抑えて、セラミック素体のクラックの発生を防止するこ
とができる。

【０１６７】また、これにより、セラミック素体と厚膜
電極との接合強度を保つために多量に含まれていたガラ
ス粉末の配合量を低減することができるので、ガラスが
溶融して厚膜電極表面を覆うことによるメッキ膜付着性
の劣化を防止し、はんだ付けを良好にすることができ、
従って、セラミック電子部品の電気的信頼性を向上させ
ることが可能である。

【０１６８】また、本発明は、Ｃｕ粉末が、球形状粉と
鱗片状粉とからなり、かつ、ガラス粉末が硼珪酸亜鉛系
ガラスおよび硼珪酸バリウム系ガラスからなることによ
って、厚膜電極表面のブリスタの発生およびセラミック
素体のクラックの発生を防止することができるので、セ
ラミック素体と厚膜電極との接合強度をより一層向上さ
せることが可能である。

【０１６９】また、これにより、セラミック素体と厚膜
電極との接合強度を保つために多量に含まれていたガラ
ス粉末の配合量を低減することができるので、ガラスが
溶融して厚膜電極表面を覆うことによるメッキ膜付着性
の劣化を防止し、はんだ付けを良好にすることができ、
従って、セラミック電子部品の電気的信頼性をより一層
向上させることが可能である。

【０１７０】また、本発明は、前記Ｃｕ粉末および前記
ガラス粉末の合計は、前記導電性厚膜組成物１００重量
％のうち６５〜８５重量％含有し、かつ、前記有機ビヒ
クルは、前記導電性厚膜組成物１００重量％のうち１５
〜３５重量％含有することが好ましい。

【０１７１】これにより、導電性厚膜組成物レベリング
性を向上させるとともに、塗布性を向上させることが可
能である。

【０１７２】また、本発明は、前記ガラス粉末は、導電
性厚膜組成物１００重量％のうち３〜１５重量％含有す
ることが好ましい。

【０１７３】これにより、厚膜電極とセラミック素体と
の接合強度をより一層向上させるとともに、メッキ付着
性を向上させることにより、はんだ付着性をより一層向
上させることが可能である。

【０１７４】また、本発明は、前記Ｃｕ粉末は、球形状
粉と鱗片状粉とからなり、球形状粉は、平均粒径が０．
３〜５．０μｍであることが好ましい。

【０１７５】これにより、導電性厚膜組成物の酸化を防
止し、かつ、耐湿性を向上させることが可能である。

【０１７６】なお、本発明は、前記Ｃｕ粉末は、球形状
粉と鱗片状粉とからなり、球形状粉は、平均粒径が０．
３〜１．５μｍであることがさらに好ましい。

【０１７７】これにより、より適切な球形状粉の平均粒
径となる。

【０１７８】また、本発明は、前記Ｃｕ粉末は、球形状
粉と鱗片状粉とからなり、球形状粉は、平均粒径が０．
３〜１．５μｍである小球形粉と、平均粒径が２．０〜
５．０μｍである大球形粉とからなることが好ましい。

【０１７９】これにより、導電性厚膜組成物の塗布性を
より一層向上させることが可能である。

【０１８０】また、本発明は、前記Ｃｕ粉末は、球形状
粉と鱗片状粉とからなり、鱗片状粉は、平均長径が１
０．０〜４０．０μｍであることが好ましい。

【０１８１】これにより、鱗片状粉の焼結を遅くする効
果を向上させるとともに、形状的にも塗布性をより一層
良好にし、表面をなめらかにすることが可能である。

【０１８２】また、本発明は、前記ガラス粉末は、硼珪
酸亜鉛系ガラスと、硼珪酸バリウム系ガラスとからな
り、前記硼珪酸亜鉛系ガラスが、前記ガラス粉末１００
重量％のうち５０重量％以上含有することが好ましい。

【０１８３】これにより、ヒートショック性を向上させ
ることが可能である。

【０１８４】また、本発明は、前記ガラス粉末は、硼珪
酸亜鉛系ガラスと、硼珪酸バリウム系ガラスとからな
り、前記硼珪酸亜鉛系ガラスが、前記硼珪酸亜鉛系ガラ
ス１００重量％のうち、ＺｎＯを３〜３５重量％含有す
ることが好ましい。

【０１８５】これにより、メッキ付着性、絶縁性、およ
びヒートショック性を向上させることが可能である。

【０１８６】また、本発明は、硼珪酸亜鉛系ガラスと、
硼珪酸バリウム系ガラスとからなり、前記硼珪酸バリウ
ム系ガラスが、前記硼珪酸バリウム系ガラス１００重量
％のうち、ＢａＯを１０〜４０重量％含有することが好
ましい。

【０１８７】これにより、絶縁性、メッキ付着性、およ
びヒートショック性を向上させることが可能である。

【０１８８】さらに、本発明は、硼珪酸亜鉛系ガラス
と、硼珪酸バリウム系ガラスとからなり、前記硼珪酸亜
鉛系ガラスおよび前記硼珪酸バリウム系ガラスが、アル
ミナ、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物の
うち、少なくとも１つを含むことが好ましい。

【０１８９】これにより、アルミナの添加による耐酸性
の向上、またはアルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属
酸化物の添加によるガラス粉末の溶融性を向上させるこ
とが可能である。

【０１９０】また、本発明の厚膜電極は、上記導電性厚
膜組成物を焼結させることにより、厚膜電極となる焼結
膜を形成することができるので、セラミック電子部品に
設けられる厚膜電極として容易に製造することが可能で
ある。

【０１９１】また、本発明のセラミック電子部品は、セ
ラミック電子部品の端子電極形成時に発生する厚膜電極
のブリスタまたはセラミック素体のクラックを防止し、
セラミック素体と端子電極との接合強度を向上させると
ともに、端子電極へのはんだ付着性を良好にすることが
可能である。

【０１９２】さらに、本発明の積層セラミックコンデン
サは、積層セラミックコンデンサの外部電極形成時に発
生する厚膜電極のブリスタまたは積層体のクラックを防
止し、積層体と外部電極との接合強度を向上させるとと
もに、外部電極へのはんだ付着性を良好にすることが可
能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す断面図。

【図２】本発明の一実施例を示す断面図。

【符号の説明】

１セラミック誘電体（セラミック素体）２外装樹脂３端子電極４リード端子５積層体６セラミックシート（セラミック誘電体
層）７ａ、７ｂ外部電極９ａ、９ｂ内部電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｃｕ粉末と、ガラス粉末と、有機ビヒク
ルとを含む導電性厚膜組成物であって、前記Ｃｕ粉末
は、球形状粉と鱗片状粉とからなることを特徴とする導
電性厚膜組成物。
【請求項２】Ｃｕ粉末と、ガラス粉末と、有機ビヒク
ルとを含む導電性厚膜組成物であって、前記ガラス粉末
は、硼珪酸亜鉛系ガラスと、硼珪酸バリウム系ガラスと
からなることを特徴とする導電性厚膜組成物。
【請求項３】Ｃｕ粉末と、ガラス粉末と、有機ビヒク
ルとを含む導電性厚膜組成物であって、前記Ｃｕ粉末
は、球形状粉と鱗片状粉とからなり、かつ、前記ガラス
粉末は、硼珪酸亜鉛系ガラスと、硼珪酸バリウム系ガラ
スとからなることを特徴とする導電性厚膜組成物。
【請求項４】前記Ｃｕ粉末および前記ガラス粉末の合
計は、前記導電性厚膜組成物１００重量％のうち６５〜
８５重量％含有し、かつ、前記有機ビヒクルは、導電性
厚膜組成物１００重量％のうち１５〜３５重量％含有す
ることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに
記載の導電性厚膜組成物。
【請求項５】前記ガラス粉末は、前記導電性厚膜組成
物１００重量％のうち３〜１５重量％含有することを特
徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の導電
性厚膜組成物。
【請求項６】前記Ｃｕ粉末は、球形状粉と鱗片状粉と
からなり、前記球形状粉は、平均粒径が０．３〜５．０
μｍであることを特徴とする請求項１から請求項５のい
ずれかに記載の導電性厚膜組成物。
【請求項７】前記Ｃｕ粉末は、球形状粉と鱗片状粉と
からなり、前記球形状粉は、平均粒径が０．３〜１．５
μｍであることを特徴とする請求項１から請求項６のい
ずれかに記載の導電性厚膜組成物。
【請求項８】前記Ｃｕ粉末は、球形状粉と鱗片状粉と
からなり、前記球形状粉は、平均粒径が０．３〜１．５
μｍである小球形状粉と、平均粒径が２．０〜５．０μ
ｍである大球形状粉とからなることを特徴とする請求項
１から請求項７のいずれかに記載の導電性厚膜組成物。
【請求項９】前記Ｃｕ粉末は、球形状粉と鱗片状粉と
からなり、前記鱗片状粉は、平均長径が１０．０〜４
０．０μｍであることを特徴とする請求項１から請求項
８のいずれかに記載の導電性厚膜組成物。
【請求項１０】前記ガラス粉末は、硼珪酸亜鉛系ガラ
スと、硼珪酸バリウム系ガラスとからなり、前記硼珪酸
亜鉛系ガラスが、前記ガラス粉末１００重量％のうち５
０重量％以上含有することを特徴とする請求項１から請
求項９のいずれかに記載の導電性厚膜組成物。
【請求項１１】前記ガラス粉末は、硼珪酸亜鉛系ガラ
スと、硼珪酸バリウム系ガラスとからなり、前記硼珪酸
亜鉛系ガラスが、前記硼珪酸亜鉛系ガラス１００重量％
のうち、ＺｎＯを３〜３５重量％含有することを特徴と
する請求項１から請求項１０のいずれかに記載の導電性
厚膜組成物。
【請求項１２】前記ガラス粉末は、硼珪酸亜鉛系ガラ
スと、硼珪酸バリウム系ガラスとからなり、前記硼珪酸
バリウム系ガラスが、前記硼珪酸バリウム系ガラス１０
０重量％のうち、ＢａＯを１０〜４０重量％含有するこ
とを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれかに記
載の導電性厚膜組成物。
【請求項１３】前記ガラス粉末は、硼珪酸亜鉛系ガラ
スと、硼珪酸バリウム系ガラスとからなり、前記硼珪酸
亜鉛系ガラスおよび前記硼珪酸バリウム系ガラスが、ア
ルミナ、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物
のうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項
１から請求項１２のいずれかに記載の導電性厚膜組成
物。
【請求項１４】セラミック電子部品のセラミック素体
に設けられる厚膜電極であって、前記厚膜電極は、請求
項１から請求項１３のいずれかに記載の導電性厚膜組成
物を焼き付けた焼結膜からなることを特徴とする厚膜電
極。
【請求項１５】セラミック素体と、前記セラミック素
体に設けられる端子電極とを備えたセラミック電子部品
であって、前記端子電極は、請求項１４に記載の厚膜電
極からなることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項１６】セラミック誘電体層と、前記セラミッ
ク誘電体層を介して対向するように配置された内部電極
とが積層された積層体と、前記積層体の両端に対向する
ように配置され、前記内部電極の一端と導通する外部電
極とから構成された積層セラミックコンデンサであっ
て、前記外部電極は、請求項１４に記載の厚膜電極から
なることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。