RU2082237C1 - Композиция - Google Patents
Композиция Download PDFInfo
- Publication number
- RU2082237C1 RU2082237C1 SU915010377A SU5010377A RU2082237C1 RU 2082237 C1 RU2082237 C1 RU 2082237C1 SU 915010377 A SU915010377 A SU 915010377A SU 5010377 A SU5010377 A SU 5010377A RU 2082237 C1 RU2082237 C1 RU 2082237C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- copper alloy
- silver
- particles
- alloy powder
- silver concentration
- Prior art date
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title abstract description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 64
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 5
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 claims description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N trans-p-Menthane-1,8-diol Chemical compound CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical group COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002386 leaching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 10
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- -1 for example Substances 0.000 description 7
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- YEOCHZFPBYUXMC-UHFFFAOYSA-L copper benzoate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 YEOCHZFPBYUXMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000009692 water atomization Methods 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 1-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPLIMIJPIZGPIF-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1,4-benzoquinone Chemical compound OC1=CC(=O)C=CC1=O GPLIMIJPIZGPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTXXTMOWISPQSJ-UHFFFAOYSA-N 4,4,4-trifluorobutan-2-one Chemical compound CC(=O)CC(F)(F)F BTXXTMOWISPQSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXSRRBVHLUJJFC-UHFFFAOYSA-N 7-amino-2-methylsulfanyl-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidine-6-carbonitrile Chemical compound N1=CC(C#N)=C(N)N2N=C(SC)N=C21 JXSRRBVHLUJJFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQACOLQNOUYJCE-FYZZASKESA-N Abietic acid Natural products CC(C)C1=CC2=CC[C@]3(C)[C@](C)(CCC[C@@]3(C)C(=O)O)[C@H]2CC1 BQACOLQNOUYJCE-FYZZASKESA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020617 PbO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N a1010_sial Chemical compound O=[As]O[As]=O IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940045985 antineoplastic platinum compound Drugs 0.000 description 1
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BAXLMRUQFAMMQC-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) iron(2+) oxygen(2-) Chemical compound [Cd+2].[O-2].[Fe+2].[O-2] BAXLMRUQFAMMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SVOAENZIOKPANY-CVBJKYQLSA-L copper;(z)-octadec-9-enoate Chemical compound [Cu+2].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O SVOAENZIOKPANY-CVBJKYQLSA-L 0.000 description 1
- RSJOBNMOMQFPKQ-UHFFFAOYSA-L copper;2,3-dihydroxybutanedioate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O RSJOBNMOMQFPKQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CMRVDFLZXRTMTH-UHFFFAOYSA-L copper;2-carboxyphenolate Chemical compound [Cu+2].OC1=CC=CC=C1C([O-])=O.OC1=CC=CC=C1C([O-])=O CMRVDFLZXRTMTH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JDPSPYBMORZJOD-UHFFFAOYSA-L copper;dodecanoate Chemical compound [Cu+2].CCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCC([O-])=O JDPSPYBMORZJOD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VNZQQAVATKSIBR-UHFFFAOYSA-L copper;octanoate Chemical compound [Cu+2].CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC([O-])=O VNZQQAVATKSIBR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QYCVHILLJSYYBD-UHFFFAOYSA-L copper;oxalate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C([O-])=O QYCVHILLJSYYBD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K dicopper;2-oxidopropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]C(=O)CC([O-])(C([O-])=O)CC([O-])=O FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 150000002889 oleic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- 150000003284 rhodium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000008347 soybean phospholipid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphate Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)OCCCC STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXIMNWSCOCZCF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trichloropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(Cl)(Cl)Cl HIXIMNWSCOCZCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/17—Metallic particles coated with metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
- C22C1/059—Making alloys comprising less than 5% by weight of dispersed reinforcing phases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/0089—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with other, not previously mentioned inorganic compounds as the main non-metallic constituent, e.g. sulfides, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
- H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
- H01C17/283—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0083—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising electro-conductive non-fibrous particles embedded in an electrically insulating supporting structure, e.g. powder, flakes, whiskers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12021—All metal or with adjacent metals having metal particles having composition or density gradient or differential porosity
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12458—All metal or with adjacent metals having composition, density, or hardness gradient
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электропроводящим композициям, которые имеют превосходную электропроводность, устойчивость к окислению, устойчивость к электромиграции, смачиваемость припоем, устойчивость к выщелачиванию припоя и стабильность. Эти композиции можно применять для экранирования электромагнитных волн, в качестве электродов для керамических конденсаторов, микроконденсаторов, в пьезоэлектрических элементах, переменных сопротивлениях, термисторах, солнечных элементах, электропроводящих пастах для чипрезисторов, в схемах резисторов или переменных сопротивлениях, в пастах для проводящих контуров. Сущность изобретения: композиция содержит порошок сплава меди, представленный общей формулой AgxCuyMz (где M представляет один или более металлов, выбранных из Pb, Bi и Zn; x, y и z являются соответствующими значениями атомных отношений и выбраны из условия: 0,001≅x≅0,4, 0,6≅y≅0,999, 0,000003 ≅z≅0,05 и x + y + z = 1), органический наполнитель и стеклянную смесь. Причем концентрация серебра на поверхности частиц выше, чем средняя концентрация серебра, и существует область, в которой концентрация серебра увеличивается в направлении к поверхности частиц. 5 з.п. ф-лы.
Description
Настоящее изобретение относится к менее дорогим электропроводящим композициям, обладающим превосходной электропроводностью, устойчивостью к окислению, устойчивостью к электромиграции и стабильностью. Эти композиции можно применять для экранирования электромагнитных волн, в качестве электродов для керамических конденсаторов, в микроконденсаторах, пьезоэлектрических элементах, различных сопротивлениях, термисторах или солнечных элементах, электропроводящих пастах для чипрезисторов, цепочек сопротивлений или переменных сопротивлений и в пастах для электропроводящих цепей.
В качестве электропроводящих паст для толстых пленок хорошо известны металлический порошок и стеклянная смесь, диспергированные в органическом связующем веществе и растворителе, если необходимо. Металлический порошок и стеклянную смесь наносят на субстрат такой, как керамический субстрат или подобный, имеющий превосходную теплостойкость, отверждение проводят при температуре около 600 900oC, получая толстую пленку электропроводника. Подходящие металлические порошки для такого применения включают золотой порошок, серебряный порошок, медный порошок, порошок платины, порошок серебра-палладия, и подобные.
Металлические порошки, используемые раньше в толстослойных пастах, например, порошок золота, порошок платины, порошок серебра, порошок серебра-палладия, содержащий серебро составной порошок, имеют следующие недостатки. Благородные металлы так же, как золото, платина, серебро, серебро-палладий и подобные, очень дорогие, серебро способствует электромиграции, серебро-палладий имеет низкую электропроводность. Электропроводящие пасты, содержащие порошок меди, имеют другие проблемы, их электропроводность уменьшается вследствие окисления во время хранения, пасты имеют склонность окисляться при отверждении. Атмосферу, в которой отверждают пасты, трудно контролировать, и поэтому выход паст плохой. Кроме того, электропроводящие толстослойные пасты, имеющие порошок сплава серебро-медь, состоящие главным образом из серебра, диспергированные в органическом носителе вместе со стеклянной смесью, раскрыты в японском патенте Kokai (Laid Open) SHO 62 (1987) 140304. Описание раскрывает, что порошок сплава серебро-медь, содержащий 72 весовых процента серебра, можно отверждать при 600oC, но этот сплав дорогой, так как содержит большое количество серебра и имеет тенденцию к электромиграции серебра.
Раскрыто, что медный порошок с нанесенным серебром уменьшает требуемое количество дорогого металла (например, японский патент Kokai SHO 52 (1977) - 71531). Этот порошок имеет такую проблему: при добавлении медного порошка в пасту серебро расслаивается, происходит электромиграция, и трудно воспроизвести электропроводность.
Настоящее изобретение относится к затвердевающим при высокой температуре композициям со сплавом меди, которые имеют превосходную электропроводность, устойчивость к окислению, устойчивость к электромиграции, способность припоя, имеют меньшую выщелачиваемость припоя, содержащим электропроводящий компонент на основе порошка сплава меди, органический наполнитель и стеклянную смесь, причем в качестве электропроводящего компонента они содержат порошок сплава меди общей формулы AgxCuyMz, где x, y, z значения атомных соотношений, выбранные из условий:
0,001≅x≅0,4
0,6≅y≅0,999
0,000003≅z≅0,05
x + y + z 1,
и M один или более металлов, выбранных из группы, состоящей из Pb, Bi и Zn, при следующем содержании компонентов (вес.):
стеклянная смесь 0,1 50
органический наполнитель 1 300
при этом концентрация серебра на поверхности частиц порошка сплава меди по крайней мере в 2,1 раза выше средней концентрации серебра в них, и в каждой частице есть область, в которой концентрация серебра увеличивается к поверхности частиц.
0,001≅x≅0,4
0,6≅y≅0,999
0,000003≅z≅0,05
x + y + z 1,
и M один или более металлов, выбранных из группы, состоящей из Pb, Bi и Zn, при следующем содержании компонентов (вес.):
стеклянная смесь 0,1 50
органический наполнитель 1 300
при этом концентрация серебра на поверхности частиц порошка сплава меди по крайней мере в 2,1 раза выше средней концентрации серебра в них, и в каждой частице есть область, в которой концентрация серебра увеличивается к поверхности частиц.
Порошок сплава меди, используемый в настоящем изобретении, получают атомизацией, включая водную атомизацию и газовую атомизацию. В частности, предпочтителен порошок сплава меди, полученный газовой атомизацией. Например, предпочтительной является газовая атомизация, раскрытая в EP-A-0356867. Более подробно, этот способ таков: смесь металлов таких, как серебро, медь, свинец, если требуется, и подобные, имеющие специфический состав, плавят при нагревании методом высокочастотной индукции, нагревании сопротивления внешней горелкой или подобным образом в атмосфере инертного газа или в вакууме. В этом случае для этих целей используют тигель, сделанный предпочтительно из материала, который не реагирует с расплавом вообще или реагирует с ним очень медленно. Материал в основном составлен, например, из графита, нитрида бора, карбида кремния, кварца, окиси магния и нитрида кремния. Затем расплав выпрыскивают струей из тигля в атмосферу инертного газа. Одновременно с выпрыскиванием навстречу расплаву подают поток инертного газа с большой скоростью так, что расплав атомизируется и получается в виде мелких частиц. Инертным газом является газ, который не реагирует с композицией вообще или не реагирует существенно и включает, например, азот, гелий, аргон, водород и их смесь. Инертный газ может содержать небольшое количество примесного газа, например, кислорода до тех пор, пока он не влияет на характеристики медного сплава, применяемого в настоящем изобретении. Количество кислорода в атомизирующем газе предпочтительно 2% или менее, более предпочтительно 0,5% или менее. Давление газа (до использования) предпочтительно 5 кг/см2 G или больше, более предпочтительно 15 кг/см2 G и больше и наиболее предпочтительно 30 кг/см2 G и более. Скорость высокоскоростного газового потока предпочтительна 50 м/с и больше, более предпочтительна 100 м/с и наиболее предпочтительна 300 м/с или более на выходе из газовой форсунки. Отношение массовых скоростей газа и расплава предпочтительно 0,1 или больше и более предпочтительно 1 или более.
Порошок расплава меди, используемый в настоящем изобретении представляют общей формулой AgxCuyMz (где M представляет один или более металлов, которые выбирают из Bi, Pb и Zn, x, y и z выражают соотношение атомов соответственно, и 0,001≅x≅0,4, 0,6≅y≅0,999, 0≅z≅0,05 и x + y + z 1). Когда x менее 0,001 нельзя достичь существенной устойчивости по отношению к окислению. Когда x является количеством серебра, превышающим 0,4, ухудшается устойчивость по отношению к электромиграции. Таким образом, предпочтительно 0,01≅x≅0,25 и более предпочтительно 0,01≅x≅0,2. Кроме того, M является одним или более металлами, которые выбирают из Bi, Pb и Zn, способность припоя и свойства внутреннего связывания улучшают, используя эти металлы. Когда z превышает 0,05, ухудшается электропроводность, таким образом, z предпочтителен 0,000003≅z≅0,05, более предпочтителен 0,000006≅z≅0,01 и наиболее предпочтителен 0,00001≅z≅0,005.
Частицы слава меди, используемые в настоящем изобретении, имеют такое строение, что концентрация серебра около поверхности каждой частицы постепенно увеличивается в направлении к поверхности. Хотя концентрация серебра на поверхности не менее чем в 2,1 раза выше средней концентрации серебра, предпочтительно, чтобы она была не более 20-кратной и не менее 3-кратной, а наиболее предпочтительно, чтобы она была не более 15-кратной и не менее 3-кратной. Как раскрыто настоящими заявителями в EP-A-0356867, можно предположить следующий механизм образования порошка сплава меди, используемого в настоящем изобретении, отличительный признак которого заключается в том, что серебро, имея низкую точку плавления, конденсируется на поверхности, но настоящее изобретение, конечно, не ограничено этим механизмом.
Более подробно, мелкие частички металла (образующиеся при столкновении сплава с высокоскоростным потоком газа, результатом адиабатического расширения газа под высоким давлением) быстро охлаждаются и отвердевают во время движения с большой скоростью при взаимодействии с высокоскоростным потоком газа. При этом способе отверждения жидкая фаза, богатая серебряным компонентом с низкой точкой плавления, движется к поверхности и отвердевает позже, давая в результате частицы, в которых серебро конденсировано на поверхности.
Когда используют водную атомизацию, расплав данного состава выпрыскивают струей через край тигля. Одновременно с этим выпрыскивают сжатую воду из форсунки навстречу потоку расплава, сталкивая потоки таким образом, что расплав превращается в мелкие частицы, быстро охлаждается и конденсируется. При этом предпочтительно отношение массовых скоростей воды и расплава, равное 2 или больше и более предпочтительно 10 или более. Кроме того, скорость воды на выходе из форсунки предпочтительна 80 м/с и более предпочтительна 100 м/с и более. Давление, при котором сжатую воду выпрыскивают из форсунки, предпочтительно 50 кг/см2 G и более предпочтительно 100 кг/см2 G.
Концентрацию серебра в порошке сплава меди, используемом в настоящем изобретении, выражают атомным отношением по формуле Ag/(Ag +Cu + M). Концентрацию серебра, концентрацию меди и концентрацию M на поверхности и рядом с ней измеряют следующим методом при помощи XPS (рентгеновского фотоэлектронного спектрохимического анализатора). Прибор XSAM 800, производство KARATOS CO. Образец: чувствительную к давлению липкую ленту с двойным покрытием, обладающую электропроводимостью, прикрепляют к подложке, на нее легко прилепляют порошок, используемый в настоящем изобретении, покрывая ленту полностью с осторожностью, чтобы не деформировать порошок.
Условия травления: ускоряющее напряжение распылителя ионов аргона 2 кэВ, угол падения пучка ионов аргона на поверхность образца 45o, давление в камере -10-7 торр, время травления 5 мин каждое.
Условия измерения концентрации серебра: создают пучок магния K (напряжение 12 кэВ, ток 10 мА) и отводят фотоэлектроны под углом 90o относительно поверхности образца при давлении в камере 10-8 торр. Концентрацию серебра определяют, повторяя измерения и травя последовательно по пять раз, в качестве концентрации серебра на поверхности "x" берут среднее значение из первых двух измерений.
Средние концентрации серебра, меди, свинца, цинка и висмута измеряют при помощи 1CP (индуктивно связанный плазменный эмиссионный спектрохимический анализатор), используя растворы, приготовленные растворением образца в концентрированной азотной кислоте. Среднюю концентрацию меди "y" выражают атомным отношением по формуле Cu/(Ag +Cu +M), а среднюю концентрацию M (один или более элементов, выбранных из свинца, цинка и висмута) выражают атомным отношением по формуле M/(Ag +Cu+M).
Предпочтительная форма частиц сплава меди настоящего изобретения сферическая чешуйчатая или их смесь, более предпочтительны сферические частицы. Для получения порошка, состоящего из чешуйчатых частиц, можно применять метод, по которому порошок сплава меди настоящего изобретения механически выравнивают известными методами. Например, предпочтителен метод с использованием толкующей дробилки, шаровой мельницы, вибромельницы и подобных. При использовании шаровой мельницы предпочтительно для превращения сферических частиц в чешуйчатые частицы совместное использование инертного растворителя, шаров и подобного.
Хотя средний размер частиц, которые можно использовать в настоящем изобретении составляет от 0,1 до 50 μм предпочтительны частицы 0,2 30 μм и наиболее предпочтительны 0,2 15 μм При среднем размере частиц свыше 50 μм ухудшается способность к печати и тиксотропия, а при размерах меньше 0,1 μм ухудшается дисперсность, и, следовательно, частицы в получаемых пастах становятся нерегулярными. Средний размер частиц измеряют при помощи лазерного дифракционного измерителя распределения частиц по размерам SALD 1100 (производство Shimazu Seisakusho Ltd). Это измерение повторяют пять раз, используя суспензии, которые готовят, диспергируя достаточное количество порошка в растворе этиленгликоля, и среднее из пяти значений получают, как среднее при интеграции по объму, берут в качестве среднего размера частиц.
Порошок сплава меди настоящего изобретения представляют общей формулой AgxCuyMz (где 0,001 ≅ x≅0,04, 0,06≅y≅0,999, 0≅z≅0,05, x + y + z 1, M представляет один или более металлов, которые выбирают из Pb, Bi и Zn; x, y, и z значения атомных отношений соответственно): Ag, Al, Si, Mn, Cr, Ir, Nb, Sn, Fe, Ni, Hf, Se, S, Te, In, Pd и Rh можно смешать с порошком сплава меди в качестве агента, регулирующего сопротивление в порошкообразном состоянии или в сплаве. Кроме того, для улучшения эффекта связывания можно добавлять, если необходимо, органические соединения меди (например, карбоксилат меди и дикарбоксилат меди такой, как резинат меди, стеарат меди, олеат меди, ацетат меди, лаурат меди, салицилат меди, цитрат меди, оксалат меди, тартрат меди, каприлат меди, бензоат меди и подобные), органические соединения платины, палладия, органические цирконаты, органические титанаты, органические соединения родия (например, карбоксилатные соли и дикарбоксилатные соли такие, как ацетилацетонат, соль пальмитиновой кислоты, соль абиетиновой кислоты, стеариновой кислоты, олеиновой кислоты, нафтойной кислоты и подобные).
Стеклянную смесь, которую можно использовать в настоящем изобретении, нужно сплавить при определенной заранее температуре с металлическим электропроводником со строго фиксированными частицами в субстрат. Композиции настоящего изобретения могут использовать эту стеклянную смесь. Например, композиции обычно состоят из PbO -B2O3-ZnO, CaO-Al2O3-SiO2, ZnO-B2O3, ZnO-PbO-B2O3-SiO2, PbO-SiO2-B2O3, B2O3-PbO, SiO2-ZnO-MgO, SiO2-ZnO-CaO, SiO2-B2O3-MgO, SiO2-B2O3-BaO, SiO2-B2O3-CaO, SiO2-Al2O3=BaO, SiO2=Al2O3-MgO, SiO2-Al2O3-CaO, SiO2-B2O3-Al2O3, SiO2-B2O3-Na2O, SiO2-B2O3-K2O,
SiO2-B2O3-Li2O, SiO2-Na2O, SiO2-Li2O, SiO2-K2O, SiO2-B2O3-SrO, SiO2-PbO-Na2O, SiO2-PbO-Li2O, SiO2-PbO-K2O, SiO2-B2O3, SiO2-PbO-CaO, SiO2-PbO-ZnO, SiO2-B2O3-Bi2O3.
SiO2-B2O3-Li2O, SiO2-Na2O, SiO2-Li2O, SiO2-K2O, SiO2-B2O3-SrO, SiO2-PbO-Na2O, SiO2-PbO-Li2O, SiO2-PbO-K2O, SiO2-B2O3, SiO2-PbO-CaO, SiO2-PbO-ZnO, SiO2-B2O3-Bi2O3.
Предпочтительными являются комбинации, включающие в основном борсиликат цинка, борсиликат свинца и борсиликат висмута. Для улучшения внутреннего связывания дополнительно эти соединения можно объединить с мелким порошком окиси висмута, окиси марганца, окиси титана, окиси циркония, окиси бария, окиси бериллия, окиси меди (1), окиси олова, окиси молибдена, окиси ванадия, окиси неодима, окиси кадмия, окиси железа, окиси лантана, окиси вольфрама, окиси мышьяка, окиси сурьмы, окиси германия, окиси хрома, Pb3O4, окиси иттрия, окиси церия, вольфрама и подобными, когда необходимо. Предпочтительна точка размягчения стеклянной смеси не выше 900oC и не ниже 300oC, более предпочтительна не выше 800oC и не ниже 400oC с точки зрения внутреннего связывания и затвердевания, хотя это зависит от температуры затвердевания. Подходит любая структура стеклянной смеси: кристаллическая, аморфная или комбинация, когда это упомянутая выше смесь.
Предпочтительным средним размером частиц стеклянной смеси является размер приблизительно от 0,01 до 30 μм и более предпочтителен размер от 0,1 до 5 м для удовлетворительного затвердевания. Средний размер частиц, описанный здесь, является средним размером частиц, измеренным упомянутым выше методом лазерной дифракции. Когда размер частиц меньше 0,1 μм, стеклянная смесь имеет тенденцию конденсироваться и, следовательно, ухудшается ее обработка. Когда размер частиц превышает 30 μм, снижается способность печати.
Используемое количество стеклянной смеси от 0,1 до 100 вес. частей на 100 вес. частей порошка сплава меди. Когда количество стеклянной смеси меньше 0,1 вес. части, не получают удовлетворительного внутреннего связывания, а когда оно превышает 100 вес. частей, ухудшается припойная способность. Таким образом, предпочтительно количество используемой стеклянной смеси от 1 до 50 вес. частей, а более предпочтительно 1 30 вес. частей.
В настоящем изобретении обычно используют диспергирующий агент для хорошего диспергирования порошка сплава меди, стеклянной смеси и необходимых добавок, чтобы обеспечить композицию этих компонентов подходящей вязкостью, а также улучшить характеристики печати, в качестве диспергирующих агентов обычно используют известные органические связующие вещества. Количество используемого органического наполнителя составляет от 1 до 300 вес. частей на 100 вес. частей порошка сплава меди.
В частности, вещество, которое разлагается или испаряется при меньшей температуре, чем температура затвердевания композиции, является предпочтительным. Органические связующие вещества, описанные здесь, являются органическими связующими веществами и органическими растворителями, органические связующие вещества включают этилцеллюлозу, оксиэтилцеллюлозу, метилцеллюлозу, нитроцеллюлозу и производные этилцеллюлозы, акриловую смолу, бутиральную смолу, алкидную фенильную смолу, эпоксисмолу, экстракционную канифоль и подобные. Однако, предпочтительными органическими связующими являются этилцеллюлоза, акриловая смола или бутиральная смола. Акриловая смола имеет предпочтительную температуру разложения 500oC или менее и включает, например, полиметакриловую кислоту-бутил, полимеракриловую кислоту-изобутил, полиметакрила или низший спирт и подобные. Бутиральная смола предпочтительной является поливинилбутиральной смолой. При использовании в настоящем изобретении упомянутые выше вещества диспергируют в подходящем растворителе или подобном и в этом случае обычно используют известные растворители. Отметим, что необязательно всегда использовать указанные выше соединения, используют только растворитель в качестве диспергирующего агента, если можно получить подходящую вязкость и способность печати.
Хотя подходящий растворитель можно выбрать из известных растворителей, предпочтительно, чтобы выбранный растворитель меньше испарялся при хранении композиции, обеспечивая подходящую вязкость и превосходство в характеристиках печати. Растворители включают, например, эфиры, такие как терпинол, бутилкарбитол, этилкарбитол, метилкарбитол, этилцеллосольв, бутилцеллосольв и подобные; эфиры, такие как бутилцеллосольвацетат, этилкарболацетат, метилкарбитолацетат, этилцеллосольвацетат, бутилцеллосольвацетат, этилацетат, бутилацетат и подобные; кетоны, такие как метилэтилкетон, метилизобутилкетон и подобные; углеводороды, такие как н-метилпирролидон, уайт-спирит, толуол, ксилол и подобные.
Диспергирующий агент можно использовать в количестве, которое не вредит вязкости и электропроводности, например, от 50 до 1 вес. части диспергирующего агента используют на 100 вес. частей порошка сплава меди.
Композицию настоящего изобретения обычно соединяют с добавками, такими как смазочный материал, антиоксидант, агент, регулирующий вязкость, и подобные, когда необходимо. Можно добавлять пластификатор, например агент, содержащий силан, например трихлорпропилтриметоксисилан, винилтрихлорсилан и винилтриэтоксисилан, агент, содержащий алюминий, агент, содержащий титан, соевый лецитин, диэтаноламин, триэтаноламин, трибутилфосфат, микропарафин с количеством атомов углерода от 20 до 50, парафин с количеством атомов углерода от 20 до 35, стеаринов кислот, олеинов кислот, диоксилфталат и подобные. Кроме того, обычно добавляют антиоксиидант, включающий производные фенола, такие как монокарбоновая кислота с количеством атомов углерода более 20, дикарбоновая кислота, пирокатехин, метилоксихинон, оксихинон, фенол и подобные ацетилацетон и подобные. Предпочтительным количеством смазки, антиоксиданта, агента для регулирования вязкости и стабилизатора является 50 вес. частей и менее, более предпочтительно 20 вес. частей и наиболее предпочтительно 10 вес. частей на 100 вес. частей порошка сплава меди. При использовании композиций настоящего изобретения их компоненты тщательно смешивают с указанными выше соединениями, можно их смешивать, используя известный метод. Например, можно использовать автоматическую ступку, смеситель, трехроликовую мельницу, миксер и подобное. Отметим при этом, что способ смешивания не лимитирован. Предпочтительна вязкость композиции, изменяемая, например, вискозимером Brookficld НВТ (5 осей при 15 оборотах в мин), при 25oC равная 500 Па•с или менее, и более предпочтительно 300 Па•с и меньше.
Для печатания композиций настоящего изобретения можно использовать известные методы, такие как нанесение через сито, при помощи скребка, используя метод гравировки, метод сгибания, офсетный метод и подобные. Предпочтительным субстратом, на который печатают композицию, является керамический субстрат, состоящий, главным образом, из окиси алюминия, форстерита, стеарита, алюмисиликата, кордиерита, нитрида алюминия, карбида кремния и подобных. Альтернативными субстратами являются нержавеющий субстрат, эмальный субстрат и стеклянный субстрат.
При отверждении композиции настоящего изобретения предпочтительной температурой отверждения является температура, достаточная для спекания порошка сплава меди и стеклянной смеси, например от 500 до 900oC и более предпочтительно, от 600 до 850oC. Преимущественной атмосферой отверждения является инертная, но желательно, чтобы в ней содержалось небольшое количество кислорода для полного выгорания некоторых диспергирующих агентов. Это дополнительное количество кислорода преимущественно составляет 1% или меньше, более предпочтительно 1000-миллионных долей или меньше и наиболее предпочтительно 100- миллионных долей или меньше.
Композиция настоящего изобретения, содержащая порошок сплава меди, имеет структуру, в которой большое количество серебра кристаллизовано на поверхности, несмотря на то, что композиция содержит только небольшое количество серебра, и следовательно, композиция обладает высокой устойчивостью к окислению. Кроме того, композицию можно отверждать при выжигании в атмосфере с высокой концентрацией кислорода, увеличивают не только выход продуктов, но также осуществляют сочетание с рутениевыми пастами сопротивления. Также полученные отвержденные пленки сами состоят из стабилизированных соединений серебра и меди, образующихся в пленке, при этом достигают превосходного эффекта по предотвращению электромиграции.
Характеристики композиции настоящего изобретения измеряют и оценивают путем проверки электропроводности, свойства припоя, силы связывания, естественной способности выщелачивать припой и электромиграции.
Электропроводность определяет при использовании устройства на четыре пробы из листового сопротивления электропроводника размером 10 мм х 50 мм.
Для измерения силы связывания расплав помещают на пленку 2 мм х 2 мм, отверждают на субстрате, к пленке припаивают проволоку из нержавеющей стали размером 20, используя эвтектический припой Pb/Sn, и тянут в направлении перпендикулярном субстрату, затем измеряют силу связывания, когда проволока открывается. Подходящими считают образцы с силой связывания 3 кг/4 мм2.
Способность припоя определяют, готовя отвержденную пленку 10 мм х 10 мм, полностью покрывая расплавом поверхность пленки, погружая пленку в баню Pb/Sn эвтектического припоя (230oC) на 10 с, и измеряют площадь, смоченную припоем.
Для измерения выщелачивания припоя изготовляют отвержденную пленку 200 μм х 50 мм на алюминиевом субстрате и погружают ее в баню Pb/Sn эвтектического припоя (230oC) на 10 с, в каждом цикле, считают количество циклов при котором припаянная пленка отслаивается.
Электромигацию проверяют, помещая электропроводники на расстоянии 1 мм друг от друга, добавляя 0,2 мл каплю воды между электропроводниками и измеряя время до тех пор, пока величина утечки тока достигнет 100 μA после приложения напряжения 10 В напрямую к электропроводникам.
Примеры получения порошка
Пример 1. В тигле из борнитрида 5,35 г серебряных частиц (средний размер частиц 2 мм в диаметре, такие же используют в следующих полимерах), 314,0075 г частиц меди (средний размер частиц 3 мм в диаметре, также используют в следующих примерах), 1,045 г частиц висмута (средний размер частиц 2 мм в диаметре, такие же используют в следующих примерах) нагревают до 1700oC путем высокочастотной индукции и плавят в атмосфере азота (99,9% или более). После этого расплав выпрыскивают через форсунку, прикрепленную к краю тигля, в атмосферу азота. В то же время направляют струю газа азота (99,9% или более) при давлении 30 кг/см2 G навстречу расплаву (при условии, что отношение массовых скоростей газа и расплава составляет 0,7) или атомизации расплава. В это время линейная скорость газа на выходе из газовой форсунки равна 150 м/с. Полученный порошок состоит из сферических частиц со средним размером 16 мм. Концентрация серебра у поверхности частиц порошка составляет 0,0916; 0,084; 0,072; 0,60, и 0,058, считая от поверхности частиц, концентрация серебра x на поверхности равна 0,0878, средняя концентрация серебра x=0,01, и таким образом, концентрация серебра на поверхности в 8,78 раз больше средней концентрации серебра. Кроме того, средняя концентрация меди y=0,989, а средняя концентрация висмута z=0,001.
Пример 1. В тигле из борнитрида 5,35 г серебряных частиц (средний размер частиц 2 мм в диаметре, такие же используют в следующих полимерах), 314,0075 г частиц меди (средний размер частиц 3 мм в диаметре, также используют в следующих примерах), 1,045 г частиц висмута (средний размер частиц 2 мм в диаметре, такие же используют в следующих примерах) нагревают до 1700oC путем высокочастотной индукции и плавят в атмосфере азота (99,9% или более). После этого расплав выпрыскивают через форсунку, прикрепленную к краю тигля, в атмосферу азота. В то же время направляют струю газа азота (99,9% или более) при давлении 30 кг/см2 G навстречу расплаву (при условии, что отношение массовых скоростей газа и расплава составляет 0,7) или атомизации расплава. В это время линейная скорость газа на выходе из газовой форсунки равна 150 м/с. Полученный порошок состоит из сферических частиц со средним размером 16 мм. Концентрация серебра у поверхности частиц порошка составляет 0,0916; 0,084; 0,072; 0,60, и 0,058, считая от поверхности частиц, концентрация серебра x на поверхности равна 0,0878, средняя концентрация серебра x=0,01, и таким образом, концентрация серебра на поверхности в 8,78 раз больше средней концентрации серебра. Кроме того, средняя концентрация меди y=0,989, а средняя концентрация висмута z=0,001.
Пример 2. В графитном тигле 210,405 г частиц серебра 193,675 г частиц меди и 0,00653 г частиц цинка (средний размер частиц 1 мм в диаметре, такие же используют в следующих примерах) нагревают аналогичным образом до 1700oC путем высокочастотной индукции, плавят в атмосфере азота (99,9% или более). Полученный расплав выпрыскивают через форсунку, прикрепленную к краю тигля, в атмосферу азота (99,9% или более). Одновременно с выпрыскиванием навстречу расплаву направляют струю азота (99,9% или более) при давлении газа 15 кг/см2 G (при условии, что отношение массовых скоростей газа и расплава составляет 2) для атомизации расплава. В это время линейная скорость газа на выходе из газовой форсунки равна 80 м/с. Полученный порошок состоит из сферических частиц со средним размером 20 м. Концентрация серебра около поверхности частиц составляет 0,88; 0,84; 0,82; 0,80 и 0,76, считая от поверхности частиц, концентрация серебра на поверхности x= 0,86. Кроме того, средняя концентрация серебра x=0,39, и таким образом, концентрация серебра на поверхности в 2,20 раза больше средней концентрации серебра. К тому же средняя концентрация меди y=0,60999, а средняя концентрация цинка z=0,00001.
Пример 3. В борнитридом тигле 210,405 г частиц серебра, 192,0875 г частиц меди и 5,18 г частиц свинца (средний размер частиц 3 мм в диаметре, такие же используют в следующих примерах) нагревают до 1800oC методом высокочастотной индукции и плавят в атмосфере гелия (99,9% или более). Полученный расплав выпрыскивают через форсунку, прикрепленную к краю тигля, в атмосферу гелия (99,9% или более). В то же время навстречу расплаву направляют струю гелия под давлением 15 кг/см2 G (при условии, что отношение массовых скоростей газа и расплава составляет 0,3) для автоматизации расплава. В это время линейная скорость газа на выходе из газовой форсунки равна 160 м/с. Полученный порошок состоит из сферических частиц со средним размером 10 μм Концентрация серебра около поверхности составляет 0,9; 0,88; 0,82; 0,78 и 0,74, считая от поверхности частиц, концентрация серебра на поверхности x= 0,99, а средняя концентрация x 0,39, таким образом, концентрация серебра на поверхности в 2,28 раз больше, чем средняя концентрация серебра. Кроме того, средняя концентрация меди y=0,605, а средняя концентрация свинца z=0,005.
Пример 4. В графитовом тигле 26,975 г частиц серебра, 301,59325 г частиц меди и 0,03265 г частиц цинка нагревают до 1750oC методом высокочастотной индукции и плавят в атмосфере азота (99,9% или более). Полученный расплав выприскивают через форсунку, прикрепленную к краю тигля, в атмосферу азота (99,9% или более). Одновременно с выпрыскиванием расплава навстречу расплаву направляют струю газообразного азота (99,9% или более) под давлением газа 40 кг/см2 G (при условии, что соотношение массовых скоростей газа и расплава составляет 2,1) для автоматизации расплава. В это время линейная скорость газа на выходе из газовой форсунки составляет 160 м/с. Полученный порошок состоит из сферических частиц среднего размера 14 μм. Концентрация серебра около поверхности равна 0,58; 0,46; 0,38; 0,25 и 0,1, считая от поверхности частиц, концентрация серебра на поверхности x=0,52, средняя концентрация серебра x=0,05, таким образом, концентрация серебра на поверхности в 10,4 раза больше средней концентрации серебра. Кроме того, средняя концентрация меди равна y=0,9499, а средняя концентрация цинка z=0,0001.
Пример 5. В борнитридном тигле 53,95 г частиц серебра, 285,7468 г частиц меди, 0,00518 г частиц свинца и 0,001632 г частиц цинка нагревают до 1700oC методом высокочастотной индукции и плавят в атмосфере азота (99,9% или более). Полученный расплав выпрыскивают из форсунки, прикрепленной к краю тигля, в атмосферу газообразного азота (99,9% или более). Одновременно с выпрыскиванием навстречу расплаву направляют струю газообразного азота (99,9% или более) под давлением газа 50 кг/см2 G (при условии, что отношение массовых скоростей газа и расплава равно 2, 3) для атомизации расплава. В это время линейная скорость газа равна 180 м/с. Полученный расплав состоит из сферических частиц со средним размером 13 μм Концентрация серебра около поверхности частиц порошка составляет 0,8; 0,77; 0,65; 0,54 и 0,43, считая от поверхности, концентрация серебра x на поверхности равна 0,785. Средняя концентрация серебра равна x=0,1, следовательно, концентрация серебра на поверхности в 7,85 раз больше средней концентрации серебра. Кроме того, средняя концентрация меди y=0,89999 и средняя концентрация (свинец+цинк) составляет z=0,00001.
Примеры композиций
Пример 6. 10 г частиц, полученных в примере 1 с размером частиц μм или менее и составом порошка (x 0,01, y 0,989, z 0,001 средний размер частиц 2,5 ), 2 г стеклянной смеси PbO-BiO-ZnO, 0,1 г стеклянной смеси BaO-SiO2 ZnO, 0,1 г стеклянной смеси SiO2-B2O3-Na2O и 0,5 г акриловой смолы диспергируют в 3 г терпинола и 0,1 г ксиленола. Полученную композицию используют для печати пяти полосок 100 μм • 50 мм на алюминиевом субстрате с ситом (отверстия 270). Затем покрытую пленку отверждают, используя печь для обжига с непрерывным действием производства Watkins Johnson. Условия отверждения следующие: после того, как выгорят органические вещества покрытой пленки в атмосфере азота с 10-миллионными долями кислорода при нагреве от комнатной температуры до 550oC в течение 15 мин, покрытую пленку отверждают в течение 10 мин в атмосфере азота по достижении температуры 600oC. Затем покрытую пленку охлаждают до комнатной температуры в атмосфере азота. Полученная покрытая пленка имеет объемное сопротивление 3•10-6 Ом•см и время миграции 230 с. Кроме того, смачивание припоем составляет 96% и выщелачивание припоя слабо наблюдается даже после 20-кратного погружения в баню из припоя. Вдобавок сила связывания равна 5 кг/4 мм2.
Пример 6. 10 г частиц, полученных в примере 1 с размером частиц μм или менее и составом порошка (x 0,01, y 0,989, z 0,001 средний размер частиц 2,5 ), 2 г стеклянной смеси PbO-BiO-ZnO, 0,1 г стеклянной смеси BaO-SiO2 ZnO, 0,1 г стеклянной смеси SiO2-B2O3-Na2O и 0,5 г акриловой смолы диспергируют в 3 г терпинола и 0,1 г ксиленола. Полученную композицию используют для печати пяти полосок 100 μм • 50 мм на алюминиевом субстрате с ситом (отверстия 270). Затем покрытую пленку отверждают, используя печь для обжига с непрерывным действием производства Watkins Johnson. Условия отверждения следующие: после того, как выгорят органические вещества покрытой пленки в атмосфере азота с 10-миллионными долями кислорода при нагреве от комнатной температуры до 550oC в течение 15 мин, покрытую пленку отверждают в течение 10 мин в атмосфере азота по достижении температуры 600oC. Затем покрытую пленку охлаждают до комнатной температуры в атмосфере азота. Полученная покрытая пленка имеет объемное сопротивление 3•10-6 Ом•см и время миграции 230 с. Кроме того, смачивание припоем составляет 96% и выщелачивание припоя слабо наблюдается даже после 20-кратного погружения в баню из припоя. Вдобавок сила связывания равна 5 кг/4 мм2.
Пример 7. 10 г частиц, полученных в примере 2 с размером частица
Claims (6)
1. Композиция, содержащая электропроводящий компонент на основе порошка сплава меди, органический наполнитель и стеклянную смесь, отличающаяся тем, что в качестве электропроводящего компонента она содержит порошок сплава меди общей формулы Agx Cuy Mz, где x, y, z значения атомных соотношений, выбранные из условий
0,001 ≅ x ≅ 0,4;
0,6 ≅ y ≅ 0,999;
0,000003 ≅ z ≅ 0,05;
x + y + z 1,
М один или более металлов, выбранных из группы, состоящей из Pb, Bi и Zn, при следующем содержании компонентов, мас.ч.
0,001 ≅ x ≅ 0,4;
0,6 ≅ y ≅ 0,999;
0,000003 ≅ z ≅ 0,05;
x + y + z 1,
М один или более металлов, выбранных из группы, состоящей из Pb, Bi и Zn, при следующем содержании компонентов, мас.ч.
Стеклянная смесь 0,1 50,0
Органический наполнитель 1 300
при этом концентрация серебра на поверхности частиц порошка сплава меди по крайней мере в 2,1 раза выше средней концентрации серебра в них и в каждой частице есть область, в которой концентрация серебра увеличивается к поверхности части.
Органический наполнитель 1 300
при этом концентрация серебра на поверхности частиц порошка сплава меди по крайней мере в 2,1 раза выше средней концентрации серебра в них и в каждой частице есть область, в которой концентрация серебра увеличивается к поверхности части.
2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что средний размер частиц указанного порошка сплава меди составляет 0,1 50 мкм, а форма частиц является сферической, чешуйчатой или их смесью.
3. Композиция по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что указанный порошок сплава меди получают быстрым охлаждением для конденсации с атомизацией.
4. Композиция по любому из пп. 1 3, отличающаяся тем, что указанный органический наполнитель является по крайней мере одним из группы, включающей этилцеллюлозу, акриловую смолу, метилцеллюлозу, оксиэтилцеллюлозу, производные этилцеллюлозы, алкидную смолу, бутиральную смолу, эпоксидную смолу, фенольную смолу, алкидную фенольную смолу и древесную смолу.
5. Композиция по любому из пп. 1 4, отличающаяся тем, что указанный органический наполнитель является метилкарбитолом, этилкарбитолом, бутилкарбитолом или его ацетатом, этилцеллосольвом, бутилцеллосольвом, терпинолом, толуолом, ксилолом, метилэтилкетоном, этилкацетатом, ацетоном или ксиленолом.
6. Композиция по любому из пп. 1 5, отличающаяся тем, что указанная стеклянная смесь обычно содержит по крайней мере один компонент из группы, включающей PbO, B2O3, ZnO, SiO2, CaO, Al2O3, BaO, Bi2O3, Na2O, K2O, SrO и MgO.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02-067197 | 1990-03-19 | ||
JP6719790 | 1990-03-19 | ||
PCT/JP1991/000363 WO1991015018A1 (fr) | 1990-03-19 | 1991-03-18 | Pate pour la cuisson a haute temperature |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2082237C1 true RU2082237C1 (ru) | 1997-06-20 |
Family
ID=13337941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU915010377A RU2082237C1 (ru) | 1990-03-19 | 1991-03-18 | Композиция |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5198154A (ru) |
EP (1) | EP0474879B1 (ru) |
KR (1) | KR950007085B1 (ru) |
CA (1) | CA2058414C (ru) |
DE (1) | DE69132237T2 (ru) |
HK (1) | HK1004871A1 (ru) |
RU (1) | RU2082237C1 (ru) |
WO (1) | WO1991015018A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2510089C1 (ru) * | 2012-08-06 | 2014-03-20 | Общество с ограниченной ответственностью "БЕРС" | Электропроводящая смазка "увс суперконт" |
RU2746270C1 (ru) * | 2020-10-06 | 2021-04-12 | Общество с ограниченной ответственностью «Научное предприятие Монокристалл Пасты» | Полимерная токопроводящая паста для солнечных элементов с гетеропереходами |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05235497A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 銅導電性ペースト |
US5413689A (en) * | 1992-06-12 | 1995-05-09 | Moltech Invent S.A. | Carbon containing body or mass useful as cell component |
JP2767729B2 (ja) * | 1992-06-30 | 1998-06-18 | アルプス電気株式会社 | 合金粉末、該合金粉末を用いた分散型導電体および合金粉末の製造方法 |
US5879477A (en) * | 1993-05-17 | 1999-03-09 | Kohler Co. | Reduced lead bismuth yellow brass |
US5360591A (en) * | 1993-05-17 | 1994-11-01 | Kohler Co. | Reduced lead bismuth yellow brass |
JP2677161B2 (ja) * | 1993-07-08 | 1997-11-17 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光表示管 |
US5632833A (en) * | 1993-10-29 | 1997-05-27 | Nec Corporation | Method of manufacturing laminated ceramic capacitor |
US5608766A (en) * | 1993-10-29 | 1997-03-04 | General Electric Company | Co-deposition of palladium during oxide film growth in high-temperature water to mitigate stress corrosion cracking |
US6475903B1 (en) * | 1993-12-28 | 2002-11-05 | Intel Corporation | Copper reflow process |
US5750202A (en) * | 1994-07-19 | 1998-05-12 | Santa Barbara Research Center | Preparation of gold-coated molybdenum articles and articles prepared thereby |
US5654232A (en) * | 1994-08-24 | 1997-08-05 | Intel Corporation | Wetting layer sidewalls to promote copper reflow into grooves |
JPH08148029A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成された電子部品の外部電極 |
JPH08180731A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミック電子部品、および積層セラミックコンデンサ |
US5653827A (en) * | 1995-06-06 | 1997-08-05 | Starline Mfg. Co., Inc. | Brass alloys |
TW392179B (en) * | 1996-02-08 | 2000-06-01 | Asahi Chemical Ind | Anisotropic conductive composition |
DE69733342D1 (de) | 1996-03-13 | 2005-06-30 | Ericsson Telefon Ab L M | Herstellungsverfahren einer metallischen beschichtung auf der bauteiloberflache zur abschirmung gegen elektromagnetische strahlung |
US5891803A (en) * | 1996-06-26 | 1999-04-06 | Intel Corporation | Rapid reflow of conductive layers by directional sputtering for interconnections in integrated circuits |
US5901336A (en) * | 1996-08-30 | 1999-05-04 | Brush Wellman Inc. | Bonding beryllium to copper alloys using powder metallurgy compositional gradients |
US6397357B1 (en) * | 1996-10-08 | 2002-05-28 | Dell Usa, L.P. | Method of testing detection and correction capabilities of ECC memory controller |
JP3941201B2 (ja) | 1998-01-20 | 2007-07-04 | 株式会社デンソー | 導体ペースト組成物及び回路基板 |
US6043298A (en) * | 1998-01-21 | 2000-03-28 | Prouse; David W. | Solid fritted bonding material |
TW434577B (en) * | 1998-06-18 | 2001-05-16 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Aluminum paste for fluorescent display device, fluorescent display device using aluminum paste and method for manufacturing the same |
JP3722275B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2005-11-30 | Tdk株式会社 | 金属粒子含有組成物、導電ペースト及びその製造方法 |
JP4623921B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2011-02-02 | コーア株式会社 | 抵抗組成物および抵抗器 |
US20060102228A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Ferro Corporation | Method of making solar cell contacts |
US7462304B2 (en) | 2005-04-14 | 2008-12-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions used in the manufacture of semiconductor device |
US8093491B2 (en) * | 2005-06-03 | 2012-01-10 | Ferro Corporation | Lead free solar cell contacts |
US7718092B2 (en) * | 2005-10-11 | 2010-05-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof |
JP2007194580A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-08-02 | E I Du Pont De Nemours & Co | 太陽電池電極用ペースト |
CN101541989B (zh) | 2006-08-05 | 2014-05-28 | 大丰工业株式会社 | 无铅铜合金滑动材料 |
KR101388200B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2014-04-24 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 기판과 전극의 형성방법 및 태양 전지의 제조방법 |
US8236598B2 (en) * | 2007-08-31 | 2012-08-07 | Ferro Corporation | Layered contact structure for solar cells |
KR100841678B1 (ko) * | 2007-09-07 | 2008-06-26 | 한국산업기술시험원 | 식품용기 검사공정에서 벤츄리관을 이용한 이송장치 |
WO2009093664A1 (ja) * | 2008-01-23 | 2009-07-30 | Taiho Kogyo Co., Ltd. | 焼結銅合金摺動材の製造方法及び焼結銅合金摺動材 |
JP5155743B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2013-03-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト |
DE102008032554A1 (de) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Metallhaltige Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kontaktstrukturen auf elektronischen Bauteilen sowie elektronisches Bauteil |
US8231934B2 (en) | 2008-11-26 | 2012-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for solar cell electrode |
JP2010196105A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト |
WO2011114808A1 (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
CN103295659B (zh) * | 2012-02-24 | 2016-03-30 | 比亚迪股份有限公司 | 太阳能电池用导电浆料及其制备方法 |
CN102601355A (zh) * | 2012-03-20 | 2012-07-25 | 昆明理工大学 | 一种提高铜金粉耐腐蚀性的表面改性方法 |
EP2763141B1 (en) * | 2013-02-01 | 2016-02-03 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Low fire silver paste |
JP6184731B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2017-08-23 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀−ビスマス粉末、導電性ペースト及び導電膜 |
WO2014182141A1 (ko) * | 2013-05-10 | 2014-11-13 | 주식회사 엘지화학 | 구리 함유 입자 및 이의 제조방법 |
CN103333532A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-10-02 | 合肥旭阳铝颜料有限公司 | 水性铜金粉的制备方法 |
EP3186033B1 (de) * | 2014-08-27 | 2019-05-01 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Lotpaste und verfahren zum stoffschlüssigen verbinden |
CN106531379A (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-22 | 成都铁达电子有限责任公司 | 一种电极材料和低成本的电极制造方法 |
JP7145652B2 (ja) * | 2018-06-01 | 2022-10-03 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
CN109280796A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-01-29 | 鹤壁宝发能源科技股份有限公司 | 一种铜镧氢氧发生器材料的制作方法及铜镧氢氧发生器 |
WO2021120154A1 (en) | 2019-12-20 | 2021-06-24 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Silver sintering composition containing copper alloy for metal bonding |
WO2022040334A1 (en) | 2020-08-18 | 2022-02-24 | Enviro Metals, LLC | Metal refinement |
JP7534987B2 (ja) * | 2021-03-08 | 2024-08-15 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5271531A (en) * | 1975-11-08 | 1977-06-15 | Taiyo Yuden Kk | Electrically conductive baking paint |
JPS5837923B2 (ja) * | 1977-02-17 | 1983-08-19 | 日立電線株式会社 | 耐熱性配線用電気導体 |
US4485153A (en) * | 1982-12-15 | 1984-11-27 | Uop Inc. | Conductive pigment-coated surfaces |
US4728580A (en) * | 1985-03-29 | 1988-03-01 | The Standard Oil Company | Amorphous metal alloy compositions for reversible hydrogen storage |
JPS62140304A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-23 | 古河電気工業株式会社 | 導電性ペ−スト |
US5091114A (en) * | 1988-08-23 | 1992-02-25 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Conductive metal powders, process for preparation thereof and use thereof |
-
1991
- 1991-03-18 DE DE69132237T patent/DE69132237T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-18 EP EP91906196A patent/EP0474879B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-18 RU SU915010377A patent/RU2082237C1/ru active
- 1991-03-18 US US07/773,927 patent/US5198154A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-18 WO PCT/JP1991/000363 patent/WO1991015018A1/ja active IP Right Grant
- 1991-03-18 KR KR1019910701634A patent/KR950007085B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-03-18 CA CA002058414A patent/CA2058414C/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-28 HK HK98103560A patent/HK1004871A1/xx not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Патент Японии N 62-140304, кл. H 01 B 1/22, 1987. 2. Патент Японии N 52-71531, кл. H 01 B 1/22, 1977. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2510089C1 (ru) * | 2012-08-06 | 2014-03-20 | Общество с ограниченной ответственностью "БЕРС" | Электропроводящая смазка "увс суперконт" |
RU2746270C1 (ru) * | 2020-10-06 | 2021-04-12 | Общество с ограниченной ответственностью «Научное предприятие Монокристалл Пасты» | Полимерная токопроводящая паста для солнечных элементов с гетеропереходами |
WO2022075884A1 (ru) * | 2020-10-06 | 2022-04-14 | Общество с ограниченной ответственностью "Научное Предприятие Монокристалл Пасты" | Полимерная токопроводящая паста для солнечных элементов с гетеропереходами |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0474879A4 (en) | 1992-08-12 |
CA2058414C (en) | 1995-11-14 |
US5198154A (en) | 1993-03-30 |
DE69132237T2 (de) | 2001-02-22 |
KR920701990A (ko) | 1992-08-12 |
DE69132237D1 (de) | 2000-07-06 |
WO1991015018A1 (fr) | 1991-10-03 |
CA2058414A1 (en) | 1991-09-20 |
KR950007085B1 (ko) | 1995-06-30 |
EP0474879B1 (en) | 2000-05-31 |
EP0474879A1 (en) | 1992-03-18 |
HK1004871A1 (en) | 1998-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2082237C1 (ru) | Композиция | |
EP0131778B2 (en) | Copper-containing thick-film conductor compositions | |
US4514321A (en) | Thick film conductor compositions | |
EP0071930B1 (en) | Thick film conductor compositions | |
US4122232A (en) | Air firable base metal conductors | |
US4540604A (en) | Thick film conductor compositions | |
CA1110053A (en) | Silver compositions | |
EP0046640B1 (en) | Thick film conductor employing copper oxide | |
JPH07302510A (ja) | 導電ペースト組成物 | |
US4318830A (en) | Thick film conductors having improved aged adhesion | |
JPH01192781A (ja) | 銅厚膜導体組成物 | |
JPH07109723B2 (ja) | 高温焼成用組成物及びペースト | |
JPH06203626A (ja) | 低温焼成可能な導電性ペースト | |
CN1066145A (zh) | 用于高温烧结的糊剂 | |
JP2795467B2 (ja) | 接着性良好な金属ペースト | |
KR20040068118A (ko) | 질화알루미늄 기판에 사용하기 위한 후막 전도체 조성물 | |
JPH06215617A (ja) | 焼成用導電性ペースト | |
EP0045482B1 (en) | Thick film conductor compositions | |
JPH05114305A (ja) | 焼成用ペースト | |
JPH0945130A (ja) | 導体ペースト組成物 | |
JP2931450B2 (ja) | 導体ペースト | |
JPH05174617A (ja) | 導体ペースト | |
KR830001482B1 (ko) | 전기도체 형성용 니켈합금 페이스트 | |
JPH0762275A (ja) | セラミック焼成基板用導体ペースト | |
JP2992958B2 (ja) | 低温焼成多層配線基板用導体ペースト |