JPH08160222A - 光学補償フィルム用基板 - Google Patents
光学補償フィルム用基板Info
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- JPH08160222A JPH08160222A JP6300751A JP30075194A JPH08160222A JP H08160222 A JPH08160222 A JP H08160222A JP 6300751 A JP6300751 A JP 6300751A JP 30075194 A JP30075194 A JP 30075194A JP H08160222 A JPH08160222 A JP H08160222A
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Landscapes
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】光学補償フィルムに適した良好な光学特性を備
えつつ、寸法安定性を有した光学補償フィルム用基板を
得る。 【構成】非ビスフェノールA骨格からなるビスフェノー
ル成分を、ビスフェノールAに対して共重合比5〜30
mol%で共重合させたビスフェノールAの共重合体で
あるところの、平均分子量30000以上かつガラス転
移点温度150℃以上の芳香族ポリカーボネートからな
る、面内光学等方性のポリマーフィルムを、基板上に光
学補償機能を有する光学層を形成してなる光学補償フィ
ルムにおける基板として用いる。
えつつ、寸法安定性を有した光学補償フィルム用基板を
得る。 【構成】非ビスフェノールA骨格からなるビスフェノー
ル成分を、ビスフェノールAに対して共重合比5〜30
mol%で共重合させたビスフェノールAの共重合体で
あるところの、平均分子量30000以上かつガラス転
移点温度150℃以上の芳香族ポリカーボネートからな
る、面内光学等方性のポリマーフィルムを、基板上に光
学補償機能を有する光学層を形成してなる光学補償フィ
ルムにおける基板として用いる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置等におい
て高視野角や高コントラスト等を実現するために用い
る、光学補償機能を有する光学層を形成してなる光学補
償フィルムにおける、光学補償フィルムを形成するため
の基板に関する。
て高視野角や高コントラスト等を実現するために用い
る、光学補償機能を有する光学層を形成してなる光学補
償フィルムにおける、光学補償フィルムを形成するため
の基板に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は、薄型軽量、低消費電力
という大きな利点を持つ。このため、パーソナルコンピ
ュータやワードプロセッサ、携帯型電子手帳等の表示装
置に、近年積極的に用いられている。液晶表示素子の原
理は数多く提案されている。そうした中で、現在普及し
ている液晶表示素子のほとんどは、ねじれネマチック型
の液晶を用いている。このような液晶を用いた表示方式
は、複屈折モード(以下、STN方式)と旋光モード
(以下、TN方式)の2つの方式に大別される。
という大きな利点を持つ。このため、パーソナルコンピ
ュータやワードプロセッサ、携帯型電子手帳等の表示装
置に、近年積極的に用いられている。液晶表示素子の原
理は数多く提案されている。そうした中で、現在普及し
ている液晶表示素子のほとんどは、ねじれネマチック型
の液晶を用いている。このような液晶を用いた表示方式
は、複屈折モード(以下、STN方式)と旋光モード
(以下、TN方式)の2つの方式に大別される。
【0003】STN方式は、急峻な電気光学特性を持つ
ため、単純マトリックスで駆動できる。このため、比較
的低価格で市場に供給されている。しかしながらかかる
方式では、偏光板を介して直線偏光とした入射光が、液
晶セルによる複屈折で楕円偏光となる。このためそれを
偏光板を介して見た場合には、ディスプレイが着色して
見えるといった課題がある。
ため、単純マトリックスで駆動できる。このため、比較
的低価格で市場に供給されている。しかしながらかかる
方式では、偏光板を介して直線偏光とした入射光が、液
晶セルによる複屈折で楕円偏光となる。このためそれを
偏光板を介して見た場合には、ディスプレイが着色して
見えるといった課題がある。
【0004】そこで液晶セル透過後の楕円偏光を直線偏
光に戻して着色を防止すべく、液晶セルと偏光板の間に
延伸フィルム等からなる光学補償フィルムを介在させる
F−STN(フィルム補償型STN)方式が提案されて
いる。この延伸フィルムを用いた光学補償フィルムは、
従来の補償セルを駆動セルに重ねた構成であるD−ST
N(ダブルセル型STN)に比べて安価であることから
広く普及することとなった。
光に戻して着色を防止すべく、液晶セルと偏光板の間に
延伸フィルム等からなる光学補償フィルムを介在させる
F−STN(フィルム補償型STN)方式が提案されて
いる。この延伸フィルムを用いた光学補償フィルムは、
従来の補償セルを駆動セルに重ねた構成であるD−ST
N(ダブルセル型STN)に比べて安価であることから
広く普及することとなった。
【0005】一方TN方式は、応答速度が数十ミリ秒と
速く、高いコントラスト比と良好な階調表示性を示す点
が優れている。このため、薄膜トランジスター等のスイ
ッチング素子を各画素ごとに配備した液晶表示素子とし
て、液晶テレビ等の高精細、高速性が要求される用途で
使用されている。
速く、高いコントラスト比と良好な階調表示性を示す点
が優れている。このため、薄膜トランジスター等のスイ
ッチング素子を各画素ごとに配備した液晶表示素子とし
て、液晶テレビ等の高精細、高速性が要求される用途で
使用されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この延伸フィルム型光
学補償フィルムは、液晶の位相差を補償するところに特
徴がある。ところが、最近のSTNにおける高画質化の
要求に伴い光学補償フィルムに対し、この位相差の補償
だけでなく、波長による旋光分散、温度による液晶位相
差変化補償および膜厚方向の屈折率制御等、多様な特性
が要求されるようになった。それらの問題を解決する1
つの手段として、光学補償機能を有する高分子液晶を使
用したものが提案されている。かかる光学特性を発現す
る高分子液晶は一般に非常に薄いため、単独でフィルム
として扱うことは難しく、光学等方かつ透明基板等を必
要とする。
学補償フィルムは、液晶の位相差を補償するところに特
徴がある。ところが、最近のSTNにおける高画質化の
要求に伴い光学補償フィルムに対し、この位相差の補償
だけでなく、波長による旋光分散、温度による液晶位相
差変化補償および膜厚方向の屈折率制御等、多様な特性
が要求されるようになった。それらの問題を解決する1
つの手段として、光学補償機能を有する高分子液晶を使
用したものが提案されている。かかる光学特性を発現す
る高分子液晶は一般に非常に薄いため、単独でフィルム
として扱うことは難しく、光学等方かつ透明基板等を必
要とする。
【0007】また、スイッチング素子と組み合わせたT
N方式の液晶表示素子でも、見る方向によってはコント
ラスト比が変化するといった視角依存性を持つという課
題があった。この視角依存性を改善するための方法とし
て、光学補償フィルムの三次元屈折率(nx,ny,n
z)をnx=ny≠nzとすることにより、液晶表示装
置に斜めから入った光の位相差のみ補償するといった方
法が提案されている。かかる光学補償フィルムとして
は、例えば無機層状化合物を用いるといった方法等が提
案されているが、この無機層状化合物も単独ではフィル
ムとして取り扱うことが難しく、光学等方かつ透明基板
等を必要とする。
N方式の液晶表示素子でも、見る方向によってはコント
ラスト比が変化するといった視角依存性を持つという課
題があった。この視角依存性を改善するための方法とし
て、光学補償フィルムの三次元屈折率(nx,ny,n
z)をnx=ny≠nzとすることにより、液晶表示装
置に斜めから入った光の位相差のみ補償するといった方
法が提案されている。かかる光学補償フィルムとして
は、例えば無機層状化合物を用いるといった方法等が提
案されているが、この無機層状化合物も単独ではフィル
ムとして取り扱うことが難しく、光学等方かつ透明基板
等を必要とする。
【0008】前述したように、延伸フィルム型光学補償
フィルム以外にさらに高度な光学機能を有する光学補償
フィルムでは、光学等方かつ透明な基板を必要としてい
る。さらには、製造工程における熱処理等に耐える寸法
安定性、および液晶表示装置等に使用された場合でも、
その使用温度環境下でも耐える寸法安定性、耐久性が、
かかる基板には要求されている。しかし従来の光学補償
フィルム用基板では、かかる特性を有するものが得られ
ていないのが現状である。
フィルム以外にさらに高度な光学機能を有する光学補償
フィルムでは、光学等方かつ透明な基板を必要としてい
る。さらには、製造工程における熱処理等に耐える寸法
安定性、および液晶表示装置等に使用された場合でも、
その使用温度環境下でも耐える寸法安定性、耐久性が、
かかる基板には要求されている。しかし従来の光学補償
フィルム用基板では、かかる特性を有するものが得られ
ていないのが現状である。
【0009】本発明はかかる課題を解決して、光学補償
フィルムに適した良好な光学特性を備えつつ、寸法安定
性を有した光学補償フィルム用基板を得ることを目的と
する。すなわち光学特性としては、レターデーション値
が20nm以下、遅相軸角度分布の絶対値が15°以
下、かつヘイズ値が0.8%以下と言う特性を備えつ
つ、寸法安定性としては120℃で1時間の熱処理後で
も0.10%以下であり、かつ150℃で30分の熱処
理後でも0.15%以下であると言う特性を有した光学
補償フィルム用基板を得ることを目的とする。
フィルムに適した良好な光学特性を備えつつ、寸法安定
性を有した光学補償フィルム用基板を得ることを目的と
する。すなわち光学特性としては、レターデーション値
が20nm以下、遅相軸角度分布の絶対値が15°以
下、かつヘイズ値が0.8%以下と言う特性を備えつ
つ、寸法安定性としては120℃で1時間の熱処理後で
も0.10%以下であり、かつ150℃で30分の熱処
理後でも0.15%以下であると言う特性を有した光学
補償フィルム用基板を得ることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の光学補償フィル
ム用基板は、非ビスフェノールA骨格からなるビスフェ
ノール成分を、ビスフェノールAに対して共重合比5〜
30mol%で共重合させたビスフェノールAの共重合
体であるところの、平均分子量30000以上かつガラ
ス転移点温度150℃以上の芳香族ポリカーボネートか
らなる、面内光学等方性のポリマーフィルムを、基板上
に光学補償機能を有する光学層を形成してなる光学補償
フィルムにおける基板として用いることを特徴としてい
る。
ム用基板は、非ビスフェノールA骨格からなるビスフェ
ノール成分を、ビスフェノールAに対して共重合比5〜
30mol%で共重合させたビスフェノールAの共重合
体であるところの、平均分子量30000以上かつガラ
ス転移点温度150℃以上の芳香族ポリカーボネートか
らなる、面内光学等方性のポリマーフィルムを、基板上
に光学補償機能を有する光学層を形成してなる光学補償
フィルムにおける基板として用いることを特徴としてい
る。
【0011】あるいは本発明の光学補償フィルム用基板
は、テレフタル酸あるいはイソフタル酸あるいはその混
合物を、ビスフェノールAに対して共重合比5〜45m
ol%で共重合させたビスフェノールAの共重合体であ
るところの、平均分子量30000以上かつガラス転移
点温度150℃以上の芳香族ポリエステルカーボネート
からなる、面内光学等方性のポリマーフィルムを、基板
上に光学補償機能を有する光学層を形成してなる光学補
償フィルムにおける基板として用いることを特徴として
いるあるいは本発明の光学補償フィルム用基板は、パー
ヒドロイソホロン骨格あるいはフルオレン骨格からなる
ビスフェノール成分、およびテレフタル酸あるいはイソ
フタル酸あるいはその混合物を、ビスフェノールAに対
して共重合比5〜30mol%で共重合させた、ビスフ
ェノールAの共重合体からなる平均分子量30000以
上かつガラス転移温度150℃以上の芳香族ポリエステ
ルカーボネートのポリマーフィルムを、基板として用い
ることを特徴としている。
は、テレフタル酸あるいはイソフタル酸あるいはその混
合物を、ビスフェノールAに対して共重合比5〜45m
ol%で共重合させたビスフェノールAの共重合体であ
るところの、平均分子量30000以上かつガラス転移
点温度150℃以上の芳香族ポリエステルカーボネート
からなる、面内光学等方性のポリマーフィルムを、基板
上に光学補償機能を有する光学層を形成してなる光学補
償フィルムにおける基板として用いることを特徴として
いるあるいは本発明の光学補償フィルム用基板は、パー
ヒドロイソホロン骨格あるいはフルオレン骨格からなる
ビスフェノール成分、およびテレフタル酸あるいはイソ
フタル酸あるいはその混合物を、ビスフェノールAに対
して共重合比5〜30mol%で共重合させた、ビスフ
ェノールAの共重合体からなる平均分子量30000以
上かつガラス転移温度150℃以上の芳香族ポリエステ
ルカーボネートのポリマーフィルムを、基板として用い
ることを特徴としている。
【0012】ところで、本発明の光学補償フィルム用基
板には、耐熱性としての寸法安定性が要求される。これ
は、高分子液晶等光学補償層を該基板上に形成させる製
造工程における、高温処理等に耐えるだけの寸法安定
性、および液晶表示装置等に使用された場合での温度環
境下での寸法安定性である。そしてこの寸法安定性を、
必要な光学特性を備えつつ達成することが要求されてい
る。
板には、耐熱性としての寸法安定性が要求される。これ
は、高分子液晶等光学補償層を該基板上に形成させる製
造工程における、高温処理等に耐えるだけの寸法安定
性、および液晶表示装置等に使用された場合での温度環
境下での寸法安定性である。そしてこの寸法安定性を、
必要な光学特性を備えつつ達成することが要求されてい
る。
【0013】この要求特性を満足させるための光学補償
フィルム用基板に必要な物性について検討したところ、
ポリカーボネートにおいてガラス転移温度が150℃以
上であればかかる要求特性を満足することが判った。す
なわち光学補償フィルム用基板のガラス転移温度が15
0℃以上であれば、光学補償フィルム製造プロセスにお
ける高分子液晶等光学層の基板上への塗工工程、および
熱処理工程等に十分耐えることができる。さらに、液晶
表示装置等に用いられた際の環境にも耐えることができ
る。
フィルム用基板に必要な物性について検討したところ、
ポリカーボネートにおいてガラス転移温度が150℃以
上であればかかる要求特性を満足することが判った。す
なわち光学補償フィルム用基板のガラス転移温度が15
0℃以上であれば、光学補償フィルム製造プロセスにお
ける高分子液晶等光学層の基板上への塗工工程、および
熱処理工程等に十分耐えることができる。さらに、液晶
表示装置等に用いられた際の環境にも耐えることができ
る。
【0014】そしてそのためには光学補償フィルム用基
板が、非ビスフェノールA骨格からなるビスフェノール
成分を、ビスフェノールAに対して共重合比5〜30m
ol%で共重合させたビスフェノールAの共重合体であ
るところの、平均分子量30000以上の芳香族ポリカ
ーボネートからなる、面内光学等方性のポリマーフィル
ムであることが必要となる。
板が、非ビスフェノールA骨格からなるビスフェノール
成分を、ビスフェノールAに対して共重合比5〜30m
ol%で共重合させたビスフェノールAの共重合体であ
るところの、平均分子量30000以上の芳香族ポリカ
ーボネートからなる、面内光学等方性のポリマーフィル
ムであることが必要となる。
【0015】あるいは光学補償フィルム用基板が、テレ
フタル酸あるいはイソフタル酸あるいはその混合物を、
ビスフェノールAに対して共重合比5〜45mol%で
共重合させたビスフェノールAの共重合体であるところ
の、平均分子量30000以上の芳香族ポリエステルカ
ーボネートからなる、面内光学等方性のポリマーフィル
ムであることが必要となる。
フタル酸あるいはイソフタル酸あるいはその混合物を、
ビスフェノールAに対して共重合比5〜45mol%で
共重合させたビスフェノールAの共重合体であるところ
の、平均分子量30000以上の芳香族ポリエステルカ
ーボネートからなる、面内光学等方性のポリマーフィル
ムであることが必要となる。
【0016】あるいは光学補償フィルム用基板が、パー
ヒドロイソホロン骨格あるいはフルオレン骨格からなる
ビスフェノール成分、およびテレフタル酸あるいはイソ
フタル酸あるいはその混合物を、ビスフェノールAに対
して共重合比5〜30mol%で共重合させた、ビスフ
ェノールAの共重合体からなる平均分子量30000以
上の芳香族ポリエステルカーボネートのポリマーフィル
ムであることが必要となる。
ヒドロイソホロン骨格あるいはフルオレン骨格からなる
ビスフェノール成分、およびテレフタル酸あるいはイソ
フタル酸あるいはその混合物を、ビスフェノールAに対
して共重合比5〜30mol%で共重合させた、ビスフ
ェノールAの共重合体からなる平均分子量30000以
上の芳香族ポリエステルカーボネートのポリマーフィル
ムであることが必要となる。
【0017】その際平均分子量が30000未満では、
ガラス転移温度を150℃以上とすることが困難であ
り、その結果熱的耐久性に問題が生じる。ここで本発明
における平均分子量とは、数平均分子量のことであり、
GPC等の公知の測定手段により決定される。ここでは
数平均分子量の分布最大値を平均分子量として定めるだ
けであり、分子量の分布状態などについては何等制約は
無いものとする。
ガラス転移温度を150℃以上とすることが困難であ
り、その結果熱的耐久性に問題が生じる。ここで本発明
における平均分子量とは、数平均分子量のことであり、
GPC等の公知の測定手段により決定される。ここでは
数平均分子量の分布最大値を平均分子量として定めるだ
けであり、分子量の分布状態などについては何等制約は
無いものとする。
【0018】なお上記の芳香族ポリカーボネート共重合
体とは、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を5
〜30mol%含み、下記一般式(2)で示される繰り
返し単位を95〜70mol%含むものである。
体とは、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を5
〜30mol%含み、下記一般式(2)で示される繰り
返し単位を95〜70mol%含むものである。
【0019】
【化1】
【0020】
【化2】
【0021】ただし前記一般式(1)において、R1 〜
R4 は水素原子またはメチル基である。このメチル基に
は、ガラス転移点温度を低下させずに溶解性を上げる効
果がある。またXは、炭素数5〜10のシクロアルキレ
ン基、炭素数7〜15のアラアルキレン基、あるいは炭
素数1〜5のハロアルキレン基である。
R4 は水素原子またはメチル基である。このメチル基に
は、ガラス転移点温度を低下させずに溶解性を上げる効
果がある。またXは、炭素数5〜10のシクロアルキレ
ン基、炭素数7〜15のアラアルキレン基、あるいは炭
素数1〜5のハロアルキレン基である。
【0022】なおXはより具体的には、シクロアルキレ
ン基として1,1−シクロペンチレン、1,1−シクロ
ヘキシレン、1,1−(3,3,5−トリメチル)シク
ロヘキシレン、ノルボルナン−2,2−ジイル等、アラ
アルキレン基としては、フェニルメチレン、ジフェニル
メチレン、1,1−(1−フェニル)エチレン、9,9
−フルオレニレン等、ハロアルキレン基としては、2,
2−ヘキサフルオロプロピレン、2,2−(1,1,
3,3−テトラフルオロ−1,3−ジクロロ)プロピレ
ン等が好適に用いられる。これらは一種類でもよく二種
類以上でも良い。
ン基として1,1−シクロペンチレン、1,1−シクロ
ヘキシレン、1,1−(3,3,5−トリメチル)シク
ロヘキシレン、ノルボルナン−2,2−ジイル等、アラ
アルキレン基としては、フェニルメチレン、ジフェニル
メチレン、1,1−(1−フェニル)エチレン、9,9
−フルオレニレン等、ハロアルキレン基としては、2,
2−ヘキサフルオロプロピレン、2,2−(1,1,
3,3−テトラフルオロ−1,3−ジクロロ)プロピレ
ン等が好適に用いられる。これらは一種類でもよく二種
類以上でも良い。
【0023】上記したビスフェノールから得られるポリ
カーボネートは、環構造に由来する剛直性のために、ガ
ラス転移点温度を上げる効果がある。
カーボネートは、環構造に由来する剛直性のために、ガ
ラス転移点温度を上げる効果がある。
【0024】これらによって光学特性としては、レター
デーション値が20nm以下、遅相軸角度分布の絶対値
が15°以下、かつヘイズ値が0.8%以下と言う特性
を備えつつ、寸法安定性としては120℃で1時間の熱
処理後でも0.10%以下であり、かつ150℃で30
分の熱処理後でも0.15%以下であると言う特性を得
ることができる。
デーション値が20nm以下、遅相軸角度分布の絶対値
が15°以下、かつヘイズ値が0.8%以下と言う特性
を備えつつ、寸法安定性としては120℃で1時間の熱
処理後でも0.10%以下であり、かつ150℃で30
分の熱処理後でも0.15%以下であると言う特性を得
ることができる。
【0025】なおレターデーションとは、フィルム面内
の屈折率異方性Δn、および膜厚d(nm)の積Δn・
d(nm)で表される。通常高分子フィルムはレターデ
ーションの波長依存性があり、測定波長400nmから
800nmにおいて前記したレターデーション値および
遅相軸角度分布であることが好ましいが、本発明での値
は590nmで測定した値により定義した。
の屈折率異方性Δn、および膜厚d(nm)の積Δn・
d(nm)で表される。通常高分子フィルムはレターデ
ーションの波長依存性があり、測定波長400nmから
800nmにおいて前記したレターデーション値および
遅相軸角度分布であることが好ましいが、本発明での値
は590nmで測定した値により定義した。
【0026】またレターデーション値および遅相軸角度
分布は、公知の測定技術である回転検光子法や偏光変調
法等により測定されるが、本測定では低リターデーショ
ン値を取り扱うことから低リターデーション値において
精度の良い測定法を選択することが好ましい。なお、本
測定においては偏光変調法を測定原理とする日本分光
(株)製の多波長複屈折率測定装置M−150で測定し
た。
分布は、公知の測定技術である回転検光子法や偏光変調
法等により測定されるが、本測定では低リターデーショ
ン値を取り扱うことから低リターデーション値において
精度の良い測定法を選択することが好ましい。なお、本
測定においては偏光変調法を測定原理とする日本分光
(株)製の多波長複屈折率測定装置M−150で測定し
た。
【0027】また寸法安定性は、幅1cm、長さ10c
mのサイズのフィルムサンプルをそれぞれフィルムの流
れ方向と幅方向に切り出し、電子マイクロメーターで長
さを精密に測定した後、所定の温度と時間で処理して更
に長さを精密に測定し、長さの差を元の長さで割った数
字を%で表し寸法安定性と定義した。
mのサイズのフィルムサンプルをそれぞれフィルムの流
れ方向と幅方向に切り出し、電子マイクロメーターで長
さを精密に測定した後、所定の温度と時間で処理して更
に長さを精密に測定し、長さの差を元の長さで割った数
字を%で表し寸法安定性と定義した。
【0028】前述の本発明における非ビスフェノールA
骨格からなるビスフェノール成分としては、パーヒドロ
イソホロン骨格あるいはフルオレン骨格からなることが
好ましい。特に好ましいパーヒドロイソホロン骨格およ
びフルオレン骨格を形成せしめるモノマー構造を、下記
一般式(3)と一般式(4)に示す。
骨格からなるビスフェノール成分としては、パーヒドロ
イソホロン骨格あるいはフルオレン骨格からなることが
好ましい。特に好ましいパーヒドロイソホロン骨格およ
びフルオレン骨格を形成せしめるモノマー構造を、下記
一般式(3)と一般式(4)に示す。
【0029】
【化3】
【0030】
【化4】
【0031】パーヒドロイソホロン骨格を有するポリカ
ーボネート共重合体は、特に光学特性において、フルオ
レン骨格を有するポリカーボネート共重合体に比べて短
波長領域における吸収係数が小さいので透明性に優れて
いる。一方、フルオレン骨格を有するポリカーボネート
共重合体は、特に耐熱性の点でパーヒドロイソホロン骨
格を有するポリカーボネート共重合体に比べて優れてい
る。これらの選択は要求特性に応じて選択される。
ーボネート共重合体は、特に光学特性において、フルオ
レン骨格を有するポリカーボネート共重合体に比べて短
波長領域における吸収係数が小さいので透明性に優れて
いる。一方、フルオレン骨格を有するポリカーボネート
共重合体は、特に耐熱性の点でパーヒドロイソホロン骨
格を有するポリカーボネート共重合体に比べて優れてい
る。これらの選択は要求特性に応じて選択される。
【0032】光学補償フィルム用基板は、その基板上に
高分子液晶等の光学層が形成される。このことから、よ
り光学的に光学層に影響を与えないことが望まれる。す
なわち、より異方性のないことおよびより透明であるこ
とが好ましい。すなわちフィルム面内のレターデーショ
ンは、15nm以下であることがより好ましい。フィル
ム面内のレターデーションが15nm以下であれば、人
間の視覚的に判別できる限界以下であることが判ってい
る。そしてさらにより好ましくは、レターデーション値
を10nm以下とすることである。
高分子液晶等の光学層が形成される。このことから、よ
り光学的に光学層に影響を与えないことが望まれる。す
なわち、より異方性のないことおよびより透明であるこ
とが好ましい。すなわちフィルム面内のレターデーショ
ンは、15nm以下であることがより好ましい。フィル
ム面内のレターデーションが15nm以下であれば、人
間の視覚的に判別できる限界以下であることが判ってい
る。そしてさらにより好ましくは、レターデーション値
を10nm以下とすることである。
【0033】また、例えば高分子液晶等の光学層におけ
る光学軸と本発明における光学補償フィルム用基板の遅
相軸とを適切な角度により合わせ、より高度な光学特性
を発現させようとする場合や、少なくとも2枚以上の光
学補償フィルムを1つの液晶表示装置において使用する
場合等においては、光学補償フィルム用基板の遅相軸の
方向は非常に重要な光学特性となる。
る光学軸と本発明における光学補償フィルム用基板の遅
相軸とを適切な角度により合わせ、より高度な光学特性
を発現させようとする場合や、少なくとも2枚以上の光
学補償フィルムを1つの液晶表示装置において使用する
場合等においては、光学補償フィルム用基板の遅相軸の
方向は非常に重要な光学特性となる。
【0034】例えば2枚の該光学補償フィルム用基板を
用いた光学補償フィルムを、遅相軸が平行となるように
積層した場合、2枚の光学補償フィルム用基板が光学特
性に与える影響は、それぞれの該基板におけるレターデ
ーションの和を与える結果となる。逆に遅相軸を直交さ
せた場合には差で表される。つまり同じ面内レターデー
ションを持っていたとしても、このように他の光学素子
との貼り合わせ角度により違った結果を与えてしまう。
つまり、レターデーションが同じでも面内で局所的に遅
相軸が異なっていた場合などには、光学特性を面内均一
とすることができない。
用いた光学補償フィルムを、遅相軸が平行となるように
積層した場合、2枚の光学補償フィルム用基板が光学特
性に与える影響は、それぞれの該基板におけるレターデ
ーションの和を与える結果となる。逆に遅相軸を直交さ
せた場合には差で表される。つまり同じ面内レターデー
ションを持っていたとしても、このように他の光学素子
との貼り合わせ角度により違った結果を与えてしまう。
つまり、レターデーションが同じでも面内で局所的に遅
相軸が異なっていた場合などには、光学特性を面内均一
とすることができない。
【0035】さらに、通常、光学補償フィルム用基板は
用途に応じて適当な大きさに裁断され使用されるため、
裁断における損失を最小にするためにも遅相軸はある範
囲内でより揃っていることが好ましい。
用途に応じて適当な大きさに裁断され使用されるため、
裁断における損失を最小にするためにも遅相軸はある範
囲内でより揃っていることが好ましい。
【0036】こうした遅相軸角度分布は、フィルムの流
れ方向を中心に上記振れ幅である必要はなく、フィルム
面内のある方向を中心として上記振れ幅であれば良い。
この方向は通常フィルム製膜工程、特に乾燥工程におけ
るフィルムの張力のかかり具合により決定される。これ
は後工程でフィルムを適当な大きさにカットして使用す
るためである。そして±10°以上の遅相軸角度分布で
はレターデーションが15nm以下であっても、使用法
によっては面内の不均一性が目立つ場合もある。こうし
たことから、遅相軸角度分布は±10°以下であること
がより好ましく、さらにより好ましくは遅相軸角度分布
を±7.5nm以下とすることである。
れ方向を中心に上記振れ幅である必要はなく、フィルム
面内のある方向を中心として上記振れ幅であれば良い。
この方向は通常フィルム製膜工程、特に乾燥工程におけ
るフィルムの張力のかかり具合により決定される。これ
は後工程でフィルムを適当な大きさにカットして使用す
るためである。そして±10°以上の遅相軸角度分布で
はレターデーションが15nm以下であっても、使用法
によっては面内の不均一性が目立つ場合もある。こうし
たことから、遅相軸角度分布は±10°以下であること
がより好ましく、さらにより好ましくは遅相軸角度分布
を±7.5nm以下とすることである。
【0037】光学補償フィルム用基板における光学特性
としては、透明であることも要求される。透明性は透過
率やヘイズ値によって評価される。このヘイズ値は、光
学補償フィルム用基板における光の散乱をも表現する。
しかしながらフィルムの不純物等による多重散乱は、偏
光を解消してしまう。特に偏光板を利用した液晶表示装
置において使用する場合には、偏光特性を変化させてし
まう。このためヘイズ値はできるだけ低い値に抑えるこ
とが好ましい。すなわち、ヘイズ値は0.6%以下であ
ることがより好ましい。
としては、透明であることも要求される。透明性は透過
率やヘイズ値によって評価される。このヘイズ値は、光
学補償フィルム用基板における光の散乱をも表現する。
しかしながらフィルムの不純物等による多重散乱は、偏
光を解消してしまう。特に偏光板を利用した液晶表示装
置において使用する場合には、偏光特性を変化させてし
まう。このためヘイズ値はできるだけ低い値に抑えるこ
とが好ましい。すなわち、ヘイズ値は0.6%以下であ
ることがより好ましい。
【0038】また透過率によっても評価は可能である
が、この場合には測定波長400nmから800nmに
おいて、透過率が85%以上であることが好ましく、よ
り好ましくは90%以上である。
が、この場合には測定波長400nmから800nmに
おいて、透過率が85%以上であることが好ましく、よ
り好ましくは90%以上である。
【0039】ポリカーボネートからフィルムを製膜する
方法としては、溶融押し出し法と溶液流延製膜法の2つ
の方法が、一般によく知られている。溶液流延製膜法
は、生産性においては溶融押し出し法に劣る。しかしな
がら、製膜されたフィルムに生じる欠点の少なさの点で
は、溶融押し出し法に比較してはるかに優れている。な
おここでの欠点とは、主に外観欠点となる異物などの異
常を云う。例えば、ダイライン、ゲル化物、フィッシュ
アイや炭化物は、溶融押し出しフィルム固有の欠点とい
うことができ、本発明のように光学補償フィルム用基板
として使用するためには、かかる欠点が少ないことが望
まれる。従って本発明の光学補償フィルム用基板におけ
るポリマーフィルムは、溶液流延法によって製膜するこ
とが好ましい。
方法としては、溶融押し出し法と溶液流延製膜法の2つ
の方法が、一般によく知られている。溶液流延製膜法
は、生産性においては溶融押し出し法に劣る。しかしな
がら、製膜されたフィルムに生じる欠点の少なさの点で
は、溶融押し出し法に比較してはるかに優れている。な
おここでの欠点とは、主に外観欠点となる異物などの異
常を云う。例えば、ダイライン、ゲル化物、フィッシュ
アイや炭化物は、溶融押し出しフィルム固有の欠点とい
うことができ、本発明のように光学補償フィルム用基板
として使用するためには、かかる欠点が少ないことが望
まれる。従って本発明の光学補償フィルム用基板におけ
るポリマーフィルムは、溶液流延法によって製膜するこ
とが好ましい。
【0040】この溶液流延法は、溶媒にポリマーを溶解
しダイから平面基板上に流延して製膜する方法であり、
溶媒に可溶であればほとんどのポリマーをフィルム化す
ることができる。このために溶液流延法であれば、ポリ
カーボネートの共重合体において平均分子量で〜800
00程度の樹脂でもフィルム化することができる。平均
分子量を高くすることは、ガラス転移温度を上昇させ熱
耐久性等に好ましい結果を与える。また、製造工程にお
いて溶融押し出し法では熱と張力がフィルムに作用する
程度が大きく、複屈折が大きくなるといった欠点がある
が、溶液流延法では影響が小さく、複屈折を低く抑える
ことが可能である。
しダイから平面基板上に流延して製膜する方法であり、
溶媒に可溶であればほとんどのポリマーをフィルム化す
ることができる。このために溶液流延法であれば、ポリ
カーボネートの共重合体において平均分子量で〜800
00程度の樹脂でもフィルム化することができる。平均
分子量を高くすることは、ガラス転移温度を上昇させ熱
耐久性等に好ましい結果を与える。また、製造工程にお
いて溶融押し出し法では熱と張力がフィルムに作用する
程度が大きく、複屈折が大きくなるといった欠点がある
が、溶液流延法では影響が小さく、複屈折を低く抑える
ことが可能である。
【0041】溶液製膜法で、複屈折を制御する因子とし
ては、ダイの特性、ベルトの状況、乾燥条件およびフィ
ルム張力と搬送条件等が挙げられるが、溶融押し出しに
比較して高重合度の樹脂が使用できることと温度条件が
比較的温和なために生産性良く優れた複屈折特性を有す
るポリマーフィルムを製造することができる。
ては、ダイの特性、ベルトの状況、乾燥条件およびフィ
ルム張力と搬送条件等が挙げられるが、溶融押し出しに
比較して高重合度の樹脂が使用できることと温度条件が
比較的温和なために生産性良く優れた複屈折特性を有す
るポリマーフィルムを製造することができる。
【0042】また、かかる方法によれば、必要に応じて
紫外線吸収剤、帯電防止剤等添加物をフィルムに添加す
る場合においても、製膜溶媒に可溶な材料を選択し適当
量混合してフィルムに機能を付加させることも可能であ
る。この場合、添加物は1種類である必要はなく2種類
以上であってもよい。
紫外線吸収剤、帯電防止剤等添加物をフィルムに添加す
る場合においても、製膜溶媒に可溶な材料を選択し適当
量混合してフィルムに機能を付加させることも可能であ
る。この場合、添加物は1種類である必要はなく2種類
以上であってもよい。
【0043】溶液製膜で前記したポリカーボネート共重
合体を製膜した場合には、フィルム中に製膜に使用した
溶媒が残留する場合がある。残留溶媒はフィルムを可塑
化させ、ガラス転移点温度の低下および機械特性の低下
等をもたらす。このため残留溶媒は完全に除去すること
が好ましいが、生産性の点から残留溶媒量は0.3重量
%以下であることが好ましい。
合体を製膜した場合には、フィルム中に製膜に使用した
溶媒が残留する場合がある。残留溶媒はフィルムを可塑
化させ、ガラス転移点温度の低下および機械特性の低下
等をもたらす。このため残留溶媒は完全に除去すること
が好ましいが、生産性の点から残留溶媒量は0.3重量
%以下であることが好ましい。
【0044】溶媒としてはメチレンクロライド等公知の
ものを使用できる。ただし、この際には溶液安定性や製
膜性等を考慮し溶媒を選択する必要がある。残留溶媒量
を低減させる方法は、主に加熱処理であるが、効果と経
済性を考慮した場合にはメチレンクロライド等の低沸点
溶媒を溶液製膜の主溶媒にしておくことが好ましい。
ものを使用できる。ただし、この際には溶液安定性や製
膜性等を考慮し溶媒を選択する必要がある。残留溶媒量
を低減させる方法は、主に加熱処理であるが、効果と経
済性を考慮した場合にはメチレンクロライド等の低沸点
溶媒を溶液製膜の主溶媒にしておくことが好ましい。
【0045】この残留溶媒の測定法は公知の方法が利用
できるが、例えばフィルムを完全に乾燥させ重量変化よ
り測定する重量法、核磁気共鳴スペクトル法(NMR
法)等により測定される。
できるが、例えばフィルムを完全に乾燥させ重量変化よ
り測定する重量法、核磁気共鳴スペクトル法(NMR
法)等により測定される。
【0046】光学補償フィルム用基板のガラス転移温度
が150℃以上であれば、光学補償フィルム製造プロセ
スにおける高分子液晶等光学層の基板上への塗工工程、
および熱処理工程等に十分耐えることができる。さら
に、液晶表示装置等に用いられた際の環境にも耐えるこ
とができる。
が150℃以上であれば、光学補償フィルム製造プロセ
スにおける高分子液晶等光学層の基板上への塗工工程、
および熱処理工程等に十分耐えることができる。さら
に、液晶表示装置等に用いられた際の環境にも耐えるこ
とができる。
【0047】また、光学補償フィルム製造プロセスにお
いて要求される寸法安定性は、100℃以上の温度でフ
ィルムの流れ方向と幅方向が均等な熱収縮をすることが
望まれる。そして基板の寸法安定性としては、120℃
で1時間熱処理後フィルムの流れ方向と幅方向のそれぞ
れが0.05%以下であり、かつ150℃で30分の熱
処理後のフィルムの流れ方向と幅方向のそれぞれが0.
1%であることがより好ましい。ロールツウロールで光
学補償フィルム用基板上に光学層を塗工あるいは転写等
により形成するという製造プロセスを用いる場合などに
おいて、基板上に良い特性の光学層を均一に得るために
は、この条件は重要となる。
いて要求される寸法安定性は、100℃以上の温度でフ
ィルムの流れ方向と幅方向が均等な熱収縮をすることが
望まれる。そして基板の寸法安定性としては、120℃
で1時間熱処理後フィルムの流れ方向と幅方向のそれぞ
れが0.05%以下であり、かつ150℃で30分の熱
処理後のフィルムの流れ方向と幅方向のそれぞれが0.
1%であることがより好ましい。ロールツウロールで光
学補償フィルム用基板上に光学層を塗工あるいは転写等
により形成するという製造プロセスを用いる場合などに
おいて、基板上に良い特性の光学層を均一に得るために
は、この条件は重要となる。
【0048】ところで耐湿性については、該フィルムが
偏光板等他の光学素子との貼り合わせにより使用される
ことから特に規定しないが、温度60℃で湿度90%の
環境で1時間処理後、該基板の寸法変化は上記特性を満
足していることが好ましい。
偏光板等他の光学素子との貼り合わせにより使用される
ことから特に規定しないが、温度60℃で湿度90%の
環境で1時間処理後、該基板の寸法変化は上記特性を満
足していることが好ましい。
【0049】また、光学補償フィルム用基板である前記
したポリカーボネート共重合体フィルムの厚みは、光学
補償フィルム製造プロセスや、他の位相差板、偏光板や
液晶セルとの貼り合わせ工程におけるハンドリング性、
レターデーションの大きさ等を考慮に入れると、50〜
200μmであることが好ましい。
したポリカーボネート共重合体フィルムの厚みは、光学
補償フィルム製造プロセスや、他の位相差板、偏光板や
液晶セルとの貼り合わせ工程におけるハンドリング性、
レターデーションの大きさ等を考慮に入れると、50〜
200μmであることが好ましい。
【0050】厚みが50μm未満では、フィルムの張力
が低下し、光学補償フィルム製造工程およびその後の偏
光板等との貼り合わせ工程等で困難が生じる場合があ
る。また200μmより厚い場合には、光学特性、例え
ばレターデーションを小さくすること等が困難となり、
さらに溶液流延法による溶媒乾燥工程に長時間を要する
等生産性が低下する場合がある。
が低下し、光学補償フィルム製造工程およびその後の偏
光板等との貼り合わせ工程等で困難が生じる場合があ
る。また200μmより厚い場合には、光学特性、例え
ばレターデーションを小さくすること等が困難となり、
さらに溶液流延法による溶媒乾燥工程に長時間を要する
等生産性が低下する場合がある。
【0051】また基板の厚みムラは、基板上に形成され
る高分子液晶等光学層の膜厚に影響を与えることから、
基板の厚みムラは極力小さくすることが好ましい。すな
わち厚みムラは±5%以内であることが好ましい。さら
により好ましくは±2.5%以内である。またこの膜厚
ムラは局所的に急激に膜厚が変化することは好ましくな
い。なお、上記膜厚の測定は光学的な非接触な測定法
や、機械的な接触による測定法が用いられるが、正確に
測定できるならばいかなる方法でも構わない。
る高分子液晶等光学層の膜厚に影響を与えることから、
基板の厚みムラは極力小さくすることが好ましい。すな
わち厚みムラは±5%以内であることが好ましい。さら
により好ましくは±2.5%以内である。またこの膜厚
ムラは局所的に急激に膜厚が変化することは好ましくな
い。なお、上記膜厚の測定は光学的な非接触な測定法
や、機械的な接触による測定法が用いられるが、正確に
測定できるならばいかなる方法でも構わない。
【0052】これら今まで記述してきたポリカーボネー
ト共重合体フィルムの特性は、フィルムのある部分のみ
で達成されているのではなく、フィルムの全面で達成さ
れていなければならない。フィルムの流れ方向と幅方向
での特性の均一化が本用途での重要項目となる。これは
本用途である光学補償フィルム用基板として使用する際
には、液晶パネルサイズに合わせてカットする必要があ
り、フィルムの流れ方向と幅方向での均一性が、生産性
に大きく影響を与えるからである。
ト共重合体フィルムの特性は、フィルムのある部分のみ
で達成されているのではなく、フィルムの全面で達成さ
れていなければならない。フィルムの流れ方向と幅方向
での特性の均一化が本用途での重要項目となる。これは
本用途である光学補償フィルム用基板として使用する際
には、液晶パネルサイズに合わせてカットする必要があ
り、フィルムの流れ方向と幅方向での均一性が、生産性
に大きく影響を与えるからである。
【0053】また、光学補償フィルム用基板上には、各
種の光学層を形成することができる。例えば、液晶状態
でネマチック配向する高分子液晶を、該基板上に形成し
ても良い。さらに、粘土系鉱物からなる無機層状化合物
をポリビニールアルコール等非イオン性親水性樹脂に分
散させたものを、該基板上に形成させても良い。
種の光学層を形成することができる。例えば、液晶状態
でネマチック配向する高分子液晶を、該基板上に形成し
ても良い。さらに、粘土系鉱物からなる無機層状化合物
をポリビニールアルコール等非イオン性親水性樹脂に分
散させたものを、該基板上に形成させても良い。
【0054】こうした光学層を形成する際、溶媒を使う
ためポリカーボネート共重合体フィルムに耐溶剤性を付
与させたい場合には、光学補償フィルム用基板の少なく
とも一方に、耐溶剤層を形成させることが好ましい。こ
の耐溶剤層は、公知の材料例えばシリコン樹脂系の架橋
構造を有するもの、アクリル系樹脂の架橋構造体および
エポキシ樹脂の架橋構造体等を公知の塗工および硬化方
法で形成させることができる。耐溶剤性は光学補償フィ
ルム基板上に光学層を形成させるプロセスにおける溶剤
やその他化学薬品に対する耐久性を付与することが目的
であり、メチレンクロライド、アセトン、N−メチルピ
ロリドン等の有機薬品に対する安定性を十分に確保でき
る材料と硬化条件の設定をすることが好ましい。
ためポリカーボネート共重合体フィルムに耐溶剤性を付
与させたい場合には、光学補償フィルム用基板の少なく
とも一方に、耐溶剤層を形成させることが好ましい。こ
の耐溶剤層は、公知の材料例えばシリコン樹脂系の架橋
構造を有するもの、アクリル系樹脂の架橋構造体および
エポキシ樹脂の架橋構造体等を公知の塗工および硬化方
法で形成させることができる。耐溶剤性は光学補償フィ
ルム基板上に光学層を形成させるプロセスにおける溶剤
やその他化学薬品に対する耐久性を付与することが目的
であり、メチレンクロライド、アセトン、N−メチルピ
ロリドン等の有機薬品に対する安定性を十分に確保でき
る材料と硬化条件の設定をすることが好ましい。
【0055】また、上記光学層等を形成する際、基板と
の接着性を向上させるためには、接着層を該基板の少な
くとも片側に設けることが好ましい。この接着層として
は公知のものが使用できるが、これは光学層に用いられ
る材質により適切に選択される。また、この密着性向上
のためには、薬品、UV、オゾン、プラズマ処理等表面
性を改質するといったことで対応してもよい。
の接着性を向上させるためには、接着層を該基板の少な
くとも片側に設けることが好ましい。この接着層として
は公知のものが使用できるが、これは光学層に用いられ
る材質により適切に選択される。また、この密着性向上
のためには、薬品、UV、オゾン、プラズマ処理等表面
性を改質するといったことで対応してもよい。
【0056】さらに、光学層を配向させるためには、配
向膜を形成しておくことが好ましい。この配向膜は前記
した耐溶剤層の上に形成しても良いし直接基板上に形成
させても良い。この配向膜は公知の材料であるポリイミ
ド、ポリビニールアルコール等を、スピンコート法等公
知の方法で形成させ、ラビング処理等を行うことによっ
て作製させる。
向膜を形成しておくことが好ましい。この配向膜は前記
した耐溶剤層の上に形成しても良いし直接基板上に形成
させても良い。この配向膜は公知の材料であるポリイミ
ド、ポリビニールアルコール等を、スピンコート法等公
知の方法で形成させ、ラビング処理等を行うことによっ
て作製させる。
【0057】すなわち本発明の光学補償フィルム用基板
においては、ポリマーフィルムの少なくとも一方の面
に、耐溶剤層および/または接着層および/または配向
膜が施されていることが好ましい。
においては、ポリマーフィルムの少なくとも一方の面
に、耐溶剤層および/または接着層および/または配向
膜が施されていることが好ましい。
【0058】
【実施例1】ビスフェノールAとパーヒドロイソホロン
骨格を有するビスフェノールとを、ホスゲン法を用いて
共重合して、平均分子量35000の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂を得た。その際の共重合比は、ビスフェノー
ルA成分に対して、パーヒドロイソホロン骨格を有する
ビスフェノールを15mol%とした。また、得られた
樹脂のガラス転移点温度は、164℃であった。
骨格を有するビスフェノールとを、ホスゲン法を用いて
共重合して、平均分子量35000の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂を得た。その際の共重合比は、ビスフェノー
ルA成分に対して、パーヒドロイソホロン骨格を有する
ビスフェノールを15mol%とした。また、得られた
樹脂のガラス転移点温度は、164℃であった。
【0059】この樹脂を、メチレンクロライドに20重
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が14重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度125℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
9%になるまで乾燥した。
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が14重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度125℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
9%になるまで乾燥した。
【0060】こうして得られたフィルムの厚みは106
μmであり、幅方向の厚みムラは±3μmであった。フ
ィルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.5
%であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱
処理後が0.02%であり、150℃で30分の熱処理
後が0.06%であった。測定光590nmにおけるレ
ターデーション値は幅方向で7±2nmであり、流れ方
向を基準とした遅相軸の分布は±6°であった。
μmであり、幅方向の厚みムラは±3μmであった。フ
ィルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.5
%であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱
処理後が0.02%であり、150℃で30分の熱処理
後が0.06%であった。測定光590nmにおけるレ
ターデーション値は幅方向で7±2nmであり、流れ方
向を基準とした遅相軸の分布は±6°であった。
【0061】かかるフィルム基板上に、リバースロール
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリイミドからなる配向膜を形成させ、フ
ィルム流れ方向にラビング処理した。
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリイミドからなる配向膜を形成させ、フ
ィルム流れ方向にラビング処理した。
【0062】次に主鎖型高分子液晶であるポリエステル
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比60/5)に対し7重量%溶かした。この溶液を、
前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、140
℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモノド
メインのねじれネマチック構造を固定化した。
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比60/5)に対し7重量%溶かした。この溶液を、
前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、140
℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモノド
メインのねじれネマチック構造を固定化した。
【0063】こうして得られた光学素子を、偏光解析法
で測定したところそのねじれ角は250°であった。ま
た、80℃100時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観
察等行ったが、均一なモノドメインのねじれネマチック
構造を有しており初期値とほとんど変化がなかった。
で測定したところそのねじれ角は250°であった。ま
た、80℃100時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観
察等行ったが、均一なモノドメインのねじれネマチック
構造を有しており初期値とほとんど変化がなかった。
【0064】
【実施例2】ビスフェノールAとフルオレン骨格を有す
るビスフェノールとを、ホスゲン法を用いて共重合し
て、平均分子量36000の芳香族ポリカーボネート樹
脂を得た。その際の共重合比は、ビスフェノールA成分
に対して、フルオレン骨格を有するビスフェノールを1
6mol%とした。また、得られた樹脂のガラス転移点
温度は、170℃であった。
るビスフェノールとを、ホスゲン法を用いて共重合し
て、平均分子量36000の芳香族ポリカーボネート樹
脂を得た。その際の共重合比は、ビスフェノールA成分
に対して、フルオレン骨格を有するビスフェノールを1
6mol%とした。また、得られた樹脂のガラス転移点
温度は、170℃であった。
【0065】この樹脂を、メチレンクロライドに20重
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が12重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度124℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
6%になるまで乾燥した。
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が12重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度124℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
6%になるまで乾燥した。
【0066】こうして得られたフィルムの厚みは99μ
mであり、幅方向の厚みムラは±3μmであった。フィ
ルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.4%
であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱処
理後が0.03%であり、150℃で30分の熱処理後
が0.07%であった。測定光590nmにおけるレタ
ーデーション値は幅方向で8±2nmであり、流れ方向
を基準とした遅相軸の分布は±7°であった。
mであり、幅方向の厚みムラは±3μmであった。フィ
ルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.4%
であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱処
理後が0.03%であり、150℃で30分の熱処理後
が0.07%であった。測定光590nmにおけるレタ
ーデーション値は幅方向で8±2nmであり、流れ方向
を基準とした遅相軸の分布は±7°であった。
【0067】かかるフィルム基板上に、リバースロール
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリビニールアルコールからなる配向膜を
形成させ、フィルム流れ方向にラビング処理した。
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリビニールアルコールからなる配向膜を
形成させ、フィルム流れ方向にラビング処理した。
【0068】次に主鎖型高分子液晶であるポリエステル
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比60/12)に対し8重量%溶かした。この溶液
を、前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、1
50℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモ
ノドメインのねじれネマチック構造を固定化した。
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比60/12)に対し8重量%溶かした。この溶液
を、前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、1
50℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモ
ノドメインのねじれネマチック構造を固定化した。
【0069】こうして得られた光学素子を、偏光解析法
により633nmの測定波長で測定したところ、レター
デーションは360nmであった。また、80℃100
時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観察等行ったが、均
一なモノドメインのねじれネマチック構造を有しており
初期値とほとんど変化がなかった。
により633nmの測定波長で測定したところ、レター
デーションは360nmであった。また、80℃100
時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観察等行ったが、均
一なモノドメインのねじれネマチック構造を有しており
初期値とほとんど変化がなかった。
【0070】
【実施例3】ビスフェノールAとテレフタル酸とを共重
合し、平均分子量33000の芳香族ポリエステルカー
ボネート樹脂を得た。その際の共重合比は、ビスフェノ
ールA成分に対して、テレフタル酸成分が23mol%
とした。また、得られた樹脂のガラス転移点温度は、1
66℃であった。
合し、平均分子量33000の芳香族ポリエステルカー
ボネート樹脂を得た。その際の共重合比は、ビスフェノ
ールA成分に対して、テレフタル酸成分が23mol%
とした。また、得られた樹脂のガラス転移点温度は、1
66℃であった。
【0071】この樹脂を、メチレンクロライドに20重
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が15重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度127℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
5%になるまで乾燥した。
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が15重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度127℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
5%になるまで乾燥した。
【0072】こうして得られたフィルムの厚みは109
μmであり、幅方向の厚みムラは±3μmであった。フ
ィルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.4
%であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱
処理後が0.04%であり、150℃で30分の熱処理
後が0.08%であった。測定光590nmにおけるレ
ターデーション値は幅方向で6±2nmであり、流れ方
向を基準とした遅相軸の分布は±6°であった。
μmであり、幅方向の厚みムラは±3μmであった。フ
ィルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.4
%であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱
処理後が0.04%であり、150℃で30分の熱処理
後が0.08%であった。測定光590nmにおけるレ
ターデーション値は幅方向で6±2nmであり、流れ方
向を基準とした遅相軸の分布は±6°であった。
【0073】かかるフィルム基板上に、リバースロール
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリイミドからなる配向膜を形成させ、フ
ィルム流れ方向にラビング処理した。
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリイミドからなる配向膜を形成させ、フ
ィルム流れ方向にラビング処理した。
【0074】次に主鎖型高分子液晶であるポリエステル
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比60/10)に対し9重量%溶かした。この溶液
を、前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、1
50℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモ
ノドメインのねじれネマチック構造を固定化した。
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比60/10)に対し9重量%溶かした。この溶液
を、前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、1
50℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモ
ノドメインのねじれネマチック構造を固定化した。
【0075】こうして得られた光学素子を、偏光解析法
で測定したところそのねじれ角は260°であった。ま
た、80℃100時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観
察等行ったが、均一なモノドメインのねじれネマチック
構造を有しており初期値とほとんど変化がなかった。
で測定したところそのねじれ角は260°であった。ま
た、80℃100時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観
察等行ったが、均一なモノドメインのねじれネマチック
構造を有しており初期値とほとんど変化がなかった。
【0076】
【実施例4】ビスフェノールAとイソフタル酸とを共重
合し、平均分子量36000の芳香族ポリエステルカー
ボネート樹脂を得た。その際の共重合比は、ビスフェノ
ールA成分に対して、イソフタル酸成分を20mol%
とした。また、得られた樹脂のガラス転移点温度は、1
68℃であった。
合し、平均分子量36000の芳香族ポリエステルカー
ボネート樹脂を得た。その際の共重合比は、ビスフェノ
ールA成分に対して、イソフタル酸成分を20mol%
とした。また、得られた樹脂のガラス転移点温度は、1
68℃であった。
【0077】この樹脂を、メチレンクロライドに20重
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が14重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度128℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
4%になるまで乾燥した。
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が14重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度128℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
4%になるまで乾燥した。
【0078】こうして得られたフィルムの厚みは101
μmであり、幅方向の厚みムラは±3μmであった。フ
ィルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.3
%であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱
処理後が0.03%であり、150℃で30分の熱処理
後が0.07%であった。測定光590nmにおけるレ
ターデーション値は幅方向で7±2nmであり、流れ方
向を基準とした遅相軸の分布は±8°であった。
μmであり、幅方向の厚みムラは±3μmであった。フ
ィルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.3
%であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱
処理後が0.03%であり、150℃で30分の熱処理
後が0.07%であった。測定光590nmにおけるレ
ターデーション値は幅方向で7±2nmであり、流れ方
向を基準とした遅相軸の分布は±8°であった。
【0079】かかるフィルム基板上に、リバースロール
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリイミドからなる配向膜を形成させ、フ
ィルム流れ方向にラビング処理した。
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリイミドからなる配向膜を形成させ、フ
ィルム流れ方向にラビング処理した。
【0080】次に主鎖型高分子液晶であるポリエステル
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比60/11)に対し9重量%溶かした。この溶液
を、前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、1
50℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモ
ノドメインのねじれネマチック構造を固定化した。
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比60/11)に対し9重量%溶かした。この溶液
を、前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、1
50℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモ
ノドメインのねじれネマチック構造を固定化した。
【0081】こうして得られた光学素子を、偏光解析法
で測定したところそのねじれ角は245°であった。ま
た、80℃100時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観
察等行ったが、均一なモノドメインのねじれネマチック
構造を有しており初期値とほとんど変化がなかった。
で測定したところそのねじれ角は245°であった。ま
た、80℃100時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観
察等行ったが、均一なモノドメインのねじれネマチック
構造を有しており初期値とほとんど変化がなかった。
【0082】
【実施例5】パーヒドロイソホロン骨格からなるビスフ
ェノール、テレフタル酸、およびビスフェノールAとを
共重合して、平均分子量38000の芳香族ポリエステ
ルカーボネート樹脂を得た。その際の共重合比は、それ
ぞれ5:5:90(mol%)とした。また、得られた
樹脂のガラス転移点温度は、166℃であった。
ェノール、テレフタル酸、およびビスフェノールAとを
共重合して、平均分子量38000の芳香族ポリエステ
ルカーボネート樹脂を得た。その際の共重合比は、それ
ぞれ5:5:90(mol%)とした。また、得られた
樹脂のガラス転移点温度は、166℃であった。
【0083】この樹脂を、メチレンクロライドに20重
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が17重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度129℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
4%になるまで乾燥した。
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が17重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度129℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
4%になるまで乾燥した。
【0084】こうして得られたフィルムの厚みは107
μmであり、幅方向の厚みムラは±3μmであった。フ
ィルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.3
%であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱
処理後が0.03%であり、150℃で30分の熱処理
後が0.08%であった。測定光590nmにおけるレ
ターデーション値は幅方向で5±2nmであり、流れ方
向を基準とした遅相軸の分布は±8°であった。
μmであり、幅方向の厚みムラは±3μmであった。フ
ィルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.3
%であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱
処理後が0.03%であり、150℃で30分の熱処理
後が0.08%であった。測定光590nmにおけるレ
ターデーション値は幅方向で5±2nmであり、流れ方
向を基準とした遅相軸の分布は±8°であった。
【0085】かかるフィルム基板上に、リバースロール
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリイミドからなる配向膜を形成させ、フ
ィルム流れ方向にラビング処理した。
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリイミドからなる配向膜を形成させ、フ
ィルム流れ方向にラビング処理した。
【0086】次に主鎖型高分子液晶であるポリエステル
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比60/10)に対し10重量%溶かした。この溶液
を、前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、1
50℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモ
ノドメインのねじれネマチック構造を固定化した。
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比60/10)に対し10重量%溶かした。この溶液
を、前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、1
50℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモ
ノドメインのねじれネマチック構造を固定化した。
【0087】こうして得られた光学素子を、偏光解析法
で測定したところそのねじれ角は265°であった。ま
た、80℃100時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観
察等行ったが、均一なモノドメインのねじれネマチック
構造を有しており初期値とほとんど変化がなかった。
で測定したところそのねじれ角は265°であった。ま
た、80℃100時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観
察等行ったが、均一なモノドメインのねじれネマチック
構造を有しており初期値とほとんど変化がなかった。
【0088】
【実施例6】フルオレン骨格からなるビスフェノール、
イソフタル酸、およびビスフェノールAとを共重合し
て、平均分子量39000の芳香族ポリエステルカーボ
ネート樹脂を得た。その際の共重合比は、それぞれ7:
5:88(mol%)とした。また、得られた樹脂のガ
ラス転移点温度は、168℃であった。
イソフタル酸、およびビスフェノールAとを共重合し
て、平均分子量39000の芳香族ポリエステルカーボ
ネート樹脂を得た。その際の共重合比は、それぞれ7:
5:88(mol%)とした。また、得られた樹脂のガ
ラス転移点温度は、168℃であった。
【0089】この樹脂を、メチレンクロライドに20重
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が17重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度130℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
4%になるまで乾燥した。
量%溶解した。この溶液をダイコーティング法により、
厚さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。
これを乾燥炉によって残留溶媒が17重量%近くなるま
で乾燥し、その時点でポリエステルフィルムから剥離し
た。この剥離したフィルムを、縦横の張力バランスをと
りながら、温度130℃の乾燥炉中で残留溶媒が0.0
4%になるまで乾燥した。
【0090】こうして得られたフィルムの厚みは104
μmであり、幅方向の厚みムラは±4μmであった。フ
ィルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.4
%であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱
処理後が0.02%であり、150℃で30分の熱処理
後が0.08%であった。測定光590nmにおけるレ
ターデーション値は幅方向で6±2nmであり、流れ方
向を基準とした遅相軸の分布は±7°であった。
μmであり、幅方向の厚みムラは±4μmであった。フ
ィルムのヘイズ値は、ヘイズメーターの測定値で0.4
%であった。また寸法安定性は、120℃で1時間の熱
処理後が0.02%であり、150℃で30分の熱処理
後が0.08%であった。測定光590nmにおけるレ
ターデーション値は幅方向で6±2nmであり、流れ方
向を基準とした遅相軸の分布は±7°であった。
【0091】かかるフィルム基板上に、リバースロール
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリイミドからなる配向膜を形成させ、フ
ィルム流れ方向にラビング処理した。
コーターを用いてシリコン系樹脂を塗布乾燥した。さら
にその上に、ポリイミドからなる配向膜を形成させ、フ
ィルム流れ方向にラビング処理した。
【0092】次に主鎖型高分子液晶であるポリエステル
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比50/10)に対し10重量%溶かした。この溶液
を、前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、1
50℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモ
ノドメインのねじれネマチック構造を固定化した。
系高分子液晶を、フェノール/テトラクロロエタン(重
量比50/10)に対し10重量%溶かした。この溶液
を、前記の配向膜つき基板上に塗布した。塗布後は、1
50℃で1時間熱処理した。その後冷却して、均一なモ
ノドメインのねじれネマチック構造を固定化した。
【0093】こうして得られた光学素子を、偏光解析法
で測定したところそのねじれ角は275°であった。ま
た、80℃100時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観
察等行ったが、均一なモノドメインのねじれネマチック
構造を有しており初期値とほとんど変化がなかった。
で測定したところそのねじれ角は275°であった。ま
た、80℃100時間の耐熱試験を行い、偏光顕微鏡観
察等行ったが、均一なモノドメインのねじれネマチック
構造を有しており初期値とほとんど変化がなかった。
【0094】
【比較例1】ビスフェノールAからなるポリカーボネー
ト樹脂(平均分子量24000)から、溶融押し出し法
で厚さ125μmのポリカーボネートフィルムを製膜し
た。
ト樹脂(平均分子量24000)から、溶融押し出し法
で厚さ125μmのポリカーボネートフィルムを製膜し
た。
【0095】かかるフィルムの測定光590nmで測定
したレターデーション値は、幅方向で平均値として約3
0nmであり、流れ方向を基準とした遅相軸の分布は±
20°であった。このフィルムをクロスニコル下に置
き、フィルム流れ方向の観察を行ったが、場所によって
光の漏れがあることを肉眼で観察した。
したレターデーション値は、幅方向で平均値として約3
0nmであり、流れ方向を基準とした遅相軸の分布は±
20°であった。このフィルムをクロスニコル下に置
き、フィルム流れ方向の観察を行ったが、場所によって
光の漏れがあることを肉眼で観察した。
【0096】さらにかかるフィルム上に実施例1と同様
の加工を行おうことを試みた。しかしながら、高分子液
晶塗布後140℃で熱処理する際に、基板フィルムが収
縮および波打ちし、均一なモノドメインのねじれネマチ
ック構造を形成することが困難となった。
の加工を行おうことを試みた。しかしながら、高分子液
晶塗布後140℃で熱処理する際に、基板フィルムが収
縮および波打ちし、均一なモノドメインのねじれネマチ
ック構造を形成することが困難となった。
【0097】
【発明の効果】本発明は、液晶表示装置において優れた
光学補償効果を発現する光学補償フィルムにおいて、特
定された物性値および特定された共重合組成からなるポ
リカーボネートフィルムを光学補償フィルム用基板とし
て用いることによって、非常に特性の良いかつ経済性に
優れた光学補償フィルムを提供することができるといっ
た効果を有する。すなわち光学特性としては、レターデ
ーション値が20nm以下、遅相軸角度分布の絶対値が
15°以下、かつヘイズ値が0.8%以下と言う特性を
備えつつ、寸法安定性としては120℃で1時間の熱処
理後でも0.10%以下であり、かつ150℃で30分
の熱処理後でも0.15%以下であると言う特性を有し
た光学補償フィルム用基板を得ることができる。
光学補償効果を発現する光学補償フィルムにおいて、特
定された物性値および特定された共重合組成からなるポ
リカーボネートフィルムを光学補償フィルム用基板とし
て用いることによって、非常に特性の良いかつ経済性に
優れた光学補償フィルムを提供することができるといっ
た効果を有する。すなわち光学特性としては、レターデ
ーション値が20nm以下、遅相軸角度分布の絶対値が
15°以下、かつヘイズ値が0.8%以下と言う特性を
備えつつ、寸法安定性としては120℃で1時間の熱処
理後でも0.10%以下であり、かつ150℃で30分
の熱処理後でも0.15%以下であると言う特性を有し
た光学補償フィルム用基板を得ることができる。
Claims (11)
- 【請求項1】 非ビスフェノールA骨格からなるビスフ
ェノール成分を、ビスフェノールAに対して共重合比5
〜30mol%で共重合させたビスフェノールAの共重
合体であるところの、平均分子量30000以上かつガ
ラス転移点温度150℃以上の芳香族ポリカーボネート
からなる、面内光学等方性のポリマーフィルムを、基板
上に光学補償機能を有する光学層を形成してなる光学補
償フィルムにおける基板として用いることを特徴とする
光学補償フィルム用基板。 - 【請求項2】 非ビスフェノールA骨格からなるビスフ
ェノール成分が、パーヒドロイソホロン骨格からなるこ
とを特徴とする請求項1記載の光学補償フィルム用基
板。 - 【請求項3】 非ビスフェノールA骨格からなるビスフ
ェノール成分が、フルオレン骨格からなることを特徴と
する請求項1記載の光学補償フィルム用基板。 - 【請求項4】 テレフタル酸あるいはイソフタル酸ある
いはその混合物を、ビスフェノールAに対して共重合比
5〜45mol%で共重合させたビスフェノールAの共
重合体であるところの、平均分子量30000以上かつ
ガラス転移点温度150℃以上の芳香族ポリエステルカ
ーボネートからなる、面内光学等方性のポリマーフィル
ムを、基板上に光学補償機能を有する光学層を形成して
なる光学補償フィルムにおける基板として用いることを
特徴とする光学補償フィルム用基板。 - 【請求項5】 パーヒドロイソホロン骨格あるいはフル
オレン骨格からなるビスフェノール成分、およびテレフ
タル酸あるいはイソフタル酸あるいはその混合物を、ビ
スフェノールAに対して共重合比5〜30mol%で共
重合させた、ビスフェノールAの共重合体からなる平均
分子量30000以上かつガラス転移温度150℃以上
の芳香族ポリエステルカーボネートのポリマーフィルム
を、基板として用いることを特徴とする光学補償フィル
ム用基板。 - 【請求項6】 基板として用いるポリマーフィルムは、
レターデーション値が15nm以下、遅相軸角度分布が
±10°以下、かつヘイズ値が0.6%以下であること
を特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光学補償
フィルム用基板。 - 【請求項7】 基板として用いるポリマーフィルムは、
溶液流延法で製膜されたことを特徴とする請求項1〜6
のいずれかに記載の光学補償フィルム用基板。 - 【請求項8】 基板として用いるポリマーフィルムは、
残存溶媒濃度が0.3重量%以下であることを特徴とす
る請求項1〜7のいずれかに記載の光学補償フィルム用
基板。 - 【請求項9】 基板として用いるポリマーフィルムは、
120℃で1時間熱処理後フィルムの流れ方向と幅方向
それぞれ寸法安定性が0.05%以下であり、かつ15
0℃で30分の熱処理後のフィルムの流れ方向と幅方向
それぞれで寸法安定性が0.1%以下であることを特徴
とする請求項1〜8のいずれかに記載の光学補償フィル
ム用基板。 - 【請求項10】 基板として用いるポリマーフィルム
は、厚さが50〜200μmであり、厚みムラが±5%
以内であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに
記載の光学補償フィルム用基板。 - 【請求項11】 基板として用いるポリマーフィルムの
少なくとも一方の面に、耐溶剤層および/または接着層
および/または配向膜が施されていることを特徴とする
請求項1〜10のいずれかに記載の光学補償フィルム用
基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6300751A JPH08160222A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 光学補償フィルム用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6300751A JPH08160222A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 光学補償フィルム用基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08160222A true JPH08160222A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17888663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6300751A Pending JPH08160222A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 光学補償フィルム用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08160222A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11500071A (ja) * | 1995-02-03 | 1999-01-06 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 輝度増強フィルムにおける溝突出部の変形防止 |
WO2001009649A1 (fr) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Teijin Limited | Film de dephasage, composite de film de dephasage et dispositif d'affichage de cristaux liquides utilisant ceux-ci |
JP2001249222A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-09-14 | Teijin Ltd | 反射防止フィルム及びそれを用いてなる発光表示素子 |
WO2001081959A1 (fr) * | 2000-04-24 | 2001-11-01 | Teijin Limited | Procede de production de film de retard |
JP2002156525A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 位相差板及びその製造方法 |
JP2012517490A (ja) * | 2009-02-10 | 2012-08-02 | テーザ・ソシエタス・ヨーロピア | 音響信号変換器のためのフィルム及びメンブレン |
CN108690166A (zh) * | 2017-04-05 | 2018-10-23 | 宁波激智科技股份有限公司 | 一种高折射率的柔性扩散微粒及其制备方法、及一种光学薄膜 |
-
1994
- 1994-12-05 JP JP6300751A patent/JPH08160222A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11500071A (ja) * | 1995-02-03 | 1999-01-06 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 輝度増強フィルムにおける溝突出部の変形防止 |
JP2007296855A (ja) * | 1995-02-03 | 2007-11-15 | 3M Co | ミクロ構造含有製品 |
WO2001009649A1 (fr) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Teijin Limited | Film de dephasage, composite de film de dephasage et dispositif d'affichage de cristaux liquides utilisant ceux-ci |
US6638582B1 (en) | 1999-07-29 | 2003-10-28 | Teijin Limited | Phase difference film, phase difference film composite and liquid crystal display device using the same |
JP2001249222A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-09-14 | Teijin Ltd | 反射防止フィルム及びそれを用いてなる発光表示素子 |
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US6800697B2 (en) | 2000-04-24 | 2004-10-05 | Teijin Limited | Process for producing retardation film |
JP4739636B2 (ja) * | 2000-04-24 | 2011-08-03 | 帝人株式会社 | 位相差フィルムの製造方法 |
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CN108690166A (zh) * | 2017-04-05 | 2018-10-23 | 宁波激智科技股份有限公司 | 一种高折射率的柔性扩散微粒及其制备方法、及一种光学薄膜 |
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