JPH08111092A - バッファ供給回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 データバッファの数が選択可能になったダイ
ナミックランダムアクセスメモリ用のバッファ供給回路
を得る。 【構成】 制御信号によって、選ばれた数のバッファを
励起するために必要な電力を供給するのに適したポンプ
チャージ容量（３１）を提供するようにバッファ供給を
構成できる。外部の制御信号に応答して、第１のコンデ
ンサー（３１）へのプレチャージおよび電荷供給と同時
に、第２のコンデンサー（３２）（またはコンデンサー
バンク）がプレチャージされ、次に、バッファ供給回路
の出力端子（Ｖｐｐ）へ供給される。第１のコンデンサ
ー（３１）の寸法は第１のバッファ構成に対するバッフ
ァ供給回路に適したものであり、また第２のコンデンサ
ー（３２）は第２構成の付加的なバッファ増幅器に対す
るバッファ供給回路に適したものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般的に半導体メモリに
関するものであり、更に詳細には出力データバッファの
構成（または数）を変えることのできるダイナミックラ
ンダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）に関する。

【０００２】

【従来の技術】関連技術分野において、ｎチャンネル金
属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）出力バッファを備えたダイ
ナミックランダムアクセスメモリは、可変数の出力バッ
ファを備え得る。一般にＶｐｐと記される電圧を供給す
る出力バッファ供給回路は、１出力のバッファおよび４
出力のバッファのいずれの構成に対しても単一サイズの
ポンピングコンデンサーを有する。このＮＭＯＳ出力バ
ッファは集積回路の外部にあるデータバスのプルアップ
およびプルダウン両機能を提供する。データバスを高電
圧レベルに駆動するためにはプルアップトランジスタ
（図１の１３３）が必要とされ、プルアップトランジス
タのゲート端子にはブート電圧（ｂｏｏｔｅｄ ｖｏｌ
ｔａｇｅ）が与えられなければならない。このブート電
圧はＶｐｐ電圧と呼ばれ、ダイナミックランダムアクセ
スメモリユニットの中で生成される。製造工程における
ボンディングパッドのオプションによって、ダイナミッ
クランダムアクセスメモリは１バッファメモリユニット
または４バッファメモリユニットのいずれかに対応する
ように構成される。

【０００３】図１を参照すると、バッファ供給回路と一
緒に使用されるべきバッファ回路の模式図が示されてい
る。ＷＯＥＮ＿信号が、ｎチャンネルトランジスタ１０
３の第１端子とゲート端子とへつながれ、またｎチャン
ネルトランジスタ１０９のゲート端子へつながれてい
る。ＷＯＥＮ信号はｎチャンネルトランジスタ１０１の
ゲート端子へつながれている。ＷＯＥ３＿信号はトラン
ジスタ１０１の第１端子とトランジスタ１１１のゲート
端子とへつながれている。トランジスタ１０９の第１端
子はアースへつながれている。トランジスタ１１１の第
１端子はアースへつながれ、トランジスタ１１１の第２
端子はトランジスタ１０９の第２端子、ｐチャンネルト
ランジスタ１０７の第１端子、ｐチャンネルトランジス
タ１０５のゲート端子、ｐチャンネルトランジスタ１２
３のゲート端子、ｎチャンネルトランジスタ１２４のゲ
ート端子、ｐチャンネルトランジスタ１２５のゲート端
子、およびｎチャンネルトランジスタ１２７のゲート端
子へつながれている。トランジスタ１０１の第２端子は
トランジスタ１０３の第２端子、トランジスタ１０５の
第１端子、およびトランジスタ１０７のゲート端子へつ
ながれている。ＷＤＬＡＴ信号はＣＭＯＳパスゲートト
ランジスタ１１７の第１端子とインバーター増幅器１１
５の入力とへつながれている。インバーター１１５の出
力端子はパスゲートトランジスタ１１７の第２端子へつ
ながれている。ＩＯＭＵＸ３信号はパスゲートトランジ
スタ１１７の出力端子へつながれ、またインバーター増
幅器１１９の入力端子およびトランジスタ１２７の第１
端子へつながれている。インバーター増幅器１１９の出
力端子はインバーター増幅器１２１の入力端子およびト
ランジスタ１２４の第１端子へつながれている。インバ
ーター増幅器１２１の出力端子はパスゲートトランジス
タ１１７の入力端子へつながれている。トランジスタ１
２７の第２端子はトランジスタ１２５の第１端子とＮＯ
Ｒゲート１３１の第１端子とへつながれている。トラン
ジスタ１２４の第２端子はトランジスタ１２３の第１端
子とＮＯＲゲート１２９の第１端子とへつながれてい
る。ＮＯＲゲート１２９の出力端子はＮＯＲゲート１３
１の入力端子へつながれ、抵抗１３５を介してｎチャン
ネルトランジスタ１３３のゲート端子とトランジスタ１
３２の第１端子とへつながれている。ＮＯＲゲート１３
１の出力端子はＮＯＲゲート１２９の第２入力端子とｎ
チャンネルトランジスタ１３９のゲート端子とへつなが
れている。トランジスタ１３９の第１端子は共通電位へ
つながれ、一方、トランジスタ１３９の第２端子は、抵
抗１３７を介してバッファ回路の出力端子へつながれ、
また、トランジスタ１３２の第２端子とトランジスタ１
３３の第１端子とへつながれている。トランジスタ１３
３の第２端子はＶｅｘ端子へつながれている。Ｖｐｐ端
子はＮＯＲゲート１３１の電力端子、ＮＯＲゲート１２
９の電力端子、トランジスタ１２５の第２端子、トラン
ジスタ１２３の第２端子、トランジスタ１０７の第２端
子、およびトランジスタ１０５の第２端子へつながれて
いる。初期の単一増幅器に付加された３個のバッファ増
幅器も同じ模式的構成を有する。違いはＷＯＥ３＿信号
の代わりにＷＯＦＸ４信号が用いられ、ＩＯＭＵＸ３信
号の代わりにＩＯＰＲＢＮ（Ｎ＝０−２）が用いられて
いることである。このバッファ回路は入力信号ＩＯＭＵ
Ｘ３（またはＩＯＰＲＢＮ）を受け取り、その信号をバ
ッファリングし、バッファリングされた信号をＤＱ３
（ＤＱＮ）端子へ供給する。

【０００４】次に図２を参照すると、従来技術に従うバ
ッファ供給回路が示されている。入力のＵＰＡＴＤＥＮ
信号がインバーター増幅器２０１の入力端子、ＮＯＲゲ
ート２１１の入力端子、およびＮＡＮＤゲート２０９の
第１入力端子へつながれている。インバーター増幅器２
０１の出力端子は遅延線２０３を介して遅延線２０５の
入力端子へつながれ、またインバーター増幅器２１５の
入力端子へつながれている。遅延線２０５の出力端子は
インバーター増幅器２０７を介してＮＡＮＤゲート２０
９の第２入力端子とＮＯＲゲート２１１の第２入力端子
とへつながれている。ＮＯＲゲート２１１の出力端子は
等価ダイオード２２７を介して基板へつながれ、またコ
ンデンサー２１３の第１端子へつながれている。コンデ
ンサー２１３の第２端子は、ダイオード接続されたｎチ
ャンネルトランジスタ２３１を介してＶｓ端子へ、ｎチ
ャンネルトランジスタ２３７のゲートおよび第１端子
へ、ｎチャンネルトランジスタ２３９のゲートへ、そし
てｎチャンネルトランジスタ２２５のゲート端子へつな
がれている。トランジスタ２３７の第２端子はｎチャン
ネルトランジスタ２３５の第１端子およびゲートへつな
がれている。トランジスタ２３５の第２端子はｎチャン
ネルトランジスタ２３３のゲートおよび第１端子へつな
がれている。トランジスタ２３３の第２端子はＶｓ端子
へつながれている。インバーター増幅器２１９の出力端
子は等価ダイオード２２１によって基板へつながれ、ま
たコンデンサー２２３の第１端子へつながれている。イ
ンバーター増幅器２１５の出力端子はインバーター増幅
器２１７を介して、ｎチャンネルトランジスタ２４１の
ゲート端子とｐチャンネルトランジスタ２４３のゲート
端子とへつながれている。トランジスタ２４１の第１端
子はアースへつながれ、一方、トランジスタ２４１の第
２端子はトランジスタ２４３の第１端子、コンデンサー
２４５の第１端子、および等価ダイオード２２９を介し
て基板へつながれている。トランジスタ２４３の第２端
子はＶｓ端子へつながれている。コンデンサー２２３の
第２端子はトランジスタ２２５の第１端子、ｎチャンネ
ルトランジスタ２４９の第１端子、およびトランジスタ
２４７のゲート端子へつながれている。トランジスタ２
２５の第２端子はＶｓ端子へつながれている。コンデン
サー２４５の第２端子はトランジスタ２３９の第１端
子、トランジスタ２４７の第１端子、および、トランジ
スタ２４９の第２端子へつながれている。トランジスタ
２３９の第２端子はＶｓ端子へつながれている。トラン
ジスタ２４７の第２端子とトランジスタ２４９のゲート
端子とはＶｐｐ端子へつながれている。

【０００５】図２のバッファ供給ユニットの動作は次の
ように理解することができる。ＮＯＲゲート２１１の出
力端子が低レベルの時、トランジスタ２３９のゲート端
子を含むこの回路のノードをダイオード接続されたトラ
ンジスタが充電する。ＵＰＡＴＤＥＮ信号の変化に応答
してＮＯＲゲート２１１の出力端子が高レベルへ駆動さ
れる時には、トランジスタ２３９のゲート端子における
電圧上昇がトランジスタ２３９を導通させ、ポンピング
コンデンサー２４５がプレチャージ（ｐｒｅｃｈａｒｇ
ｅ）される。ＵＰＡＴＤＥＮ信号の変化に応答してＮＯ
Ｒゲート２１１の出力端子が低レベルへ駆動される時に
は、トランジスタ２３９のゲート端子における電圧の変
化によってトランジスタ２３９の導通は停止する。前と
同じく、ＮＯＲゲート２１１のゲート端子が低レベルの
時は、トランジスタ２３９のゲート端子を含むこの回路
のノードが充電を開始する。ＮＯＲゲート２１１の出力
端子が低レベルへ駆動されると、トランジスタ２４１と
２４３とがつながるノードは高レベルへ駆動される（す
なわち、ＵＰＡＴＤＥＮ信号の変化に応答して）。同時
に、トランジスタ２４１／２４３ノードが高レベル状態
にあって、インバーター増幅器２１９の出力端子は高レ
ベルへ駆動され、パストランジスタ２４７が導通する。
パストランジスタ２４７の導通とトランジスタ２４１／
２４３ノードの高レベル状態とが組合わさって、コンデ
ンサーからＶｐｐ端子へと電荷が流れる。ＵＰＡＴＤＥ
Ｎ信号がＮＯＲゲートを高レベル状態へ駆動する時、コ
ンデンサー２４５は再びプレチャージされる。ＵＰＡＴ
ＤＥＮ信号の状態変化はインバーター増幅器２１９の出
力端子の状態を変化させ、トランジスタ２４７の導通を
停止させる。ＵＰＡＴＤＥＮ信号の状態変化はトランジ
スタ２４１／２４３ノードを低レベル状態にし、コンデ
ンサー２４５のプレチャージを助ける。

【０００６】従来技術において、最初に述べた可変構成
の問題に対する解答では、１出力バッファ構成における
不必要な大電力消費の他に、１出力バッファ構成と４出
力バッファ構成とで異なるＶｐｐ電圧レベルが必要とさ
れる。従って、１出力バッファ構成と４出力バッファ構
成とで異なる電力供給レベルを必要としないポンピング
コンデンサーを提供し、１出力バッファ構成を駆動する
場合に不必要な電力を必要としない装置および関連技術
に対する需要が認められる。

【０００７】

【発明の概要】上述およびその他の特徴は、本発明に従
った、ポンピングコンデンサーの寸法が出力バッファ構
成によって決定されるようになった可変コンデンサー方
式によって提供される。ポンピングコンデンサーの寸法
は、１個のみの出力バッファが用いられる時には第１の
値を、４個すべてのバッファが用いられる時は第２の値
（すなわち、４倍大きな値）をとる。バッファ電力供給
回路には２つのチャージポンピング回路が含まれる。第
１のチャージポンプ回路は常に励起されており、与えら
れたバッファ構成に適したポンプ容量を有している。第
２のチャージポンプ回路は外部の制御信号によって励起
され、第１のチャージポンプ回路と同時に動作して同じ
出力端子へ電荷を供給するようになっている。第２のチ
ャージポンプ回路はバッファ構成の増大分に適した容量
を有しており、第２のチャージポンプ回路はその構成に
対応するように設計されている。

【０００８】これらおよびその他の本発明の特徴は以下
の図面を参照した説明から理解されよう。

【０００９】

【実施例】図１および図２については従来の技術の項で
説明した。

【００１０】次に図３を参照すると、本発明に従うバッ
ファ供給回路のブロック図が示されている。チャージポ
ンプ信号が、ＡＮＤゲート３７の１つの入力端子、ドラ
イバーユニット３８、プレチャージユニット３３、およ
びゲートユニット３４へ供給されている。コンデンサー
３１は１つの端子をドライバー回路３８を介して供給端
子Ｖｓへつながれている。コンデンサー３１の第２の端
子はプレチャージユニット３３からの電荷を受け取り、
ゲート３４に対して信号を供給している。構成信号がＡ
ＮＤゲート３７の第２端子へ供給される。ＡＮＤゲート
３７からの出力信号はゲートユニット３６、ドライバー
ユニット３９、およびプレチャージユニット３５へ供給
される。コンデンサー３２は第１の端子をドライバーユ
ニット３９を介して電圧供給Ｖｓへつながれている。コ
ンデンサー３２の第２の端子はプレチャージユニット３
５から電荷を受け取り、ゲートユニット３６へ信号を供
給している。ゲートユニット３４およびゲートユニット
３４からの出力信号はＶｐｐ電圧端子へ供給される。

【００１１】図４を参照すると、本発明に従うバッファ
供給回路の模式図が示されている。この回路は２つの並
列回路を含み、その各々は一般に図２に示されたバッフ
ァ供給回路と配置および動作の点で類似している。この
類似性を強調するために、図４において、並列回路の第
１のものに関して図２と本質的に同じ働きをする要素に
は同じ参照符号が用いられている。第２の並列回路に関
しても、第１の並列回路と同じ働きをする要素に対して
下２桁が同じ数字となる参照符号を用いている。付加的
な要素の機能については次のように理解される。ＷＯＥ
Ｎ信号とＵＰＨＥＮ信号とを受信するＮＡＮＤゲート４
９９およびインバーター増幅器４９７は、バッファ供給
回路を駆動する入力信号であるＵＰＡＴＤＥＮ信号を提
供する。ＮＡＮＤゲート４９１はパスゲートトランジス
タ４４７の制御可能な駆動を提供するために付加された
ものである。同様に、ＮＡＮＤゲート４７１は、インバ
ーター増幅器４７３、４７５、および４７７と一緒に、
コンデンサー４４５に関する”ポンピング”作用の駆動
制御を可能とする。（インバーター増幅器４６３、４６
５、４６７、および４６９はコンデンサー２４５に関す
る”ポンピング”作用に関する補償（ｃｏｍｐｅｎｓａ
ｔｉｏｎ）、すなわち時間遅延とバッファリングとを提
供する。）ＮＡＮＤゲート４５５およびインバーター増
幅器４５９は、コンデンサー２４５のプレチャージに相
当するコンデンサー４４５のプレチャージの駆動制御を
可能とする。（インバーター増幅器４５７および４６１
はＮＡＮＤゲート４５５およびインバーター増幅器４５
９に関する補償、すなわち時間遅延とバッファリングと
を提供する。）トランジスタ４３９のゲート端子はトラ
ンジスタ４２５のゲート端子へつながれている。トラン
ジスタ２３９のゲート端子はトランジスタ２２５のゲー
ト端子へつながれている。

【００１２】

【実施例の動作】バッファ供給回路は、既に述べたのと
本質的に同様に、すなわち図２に関して述べたのと同じ
ように動作する２つのチャージポンプ回路を含んでい
る。本発明では、これらの回路の一方は常に入力信号に
応答して動作している。第２の回路はバッファ供給回路
に対して適切な制御信号が供給されない限り不活動状態
に留まっている。駆動制御信号が現れると、第２のチャ
ージポンプ回路は第１のチャージポンプ回路と同期して
動作する。各ポンプ（２４５と４４５）の容量値は、バ
ッファ増幅器の構成に対して適切な量の電荷が充電され
るような値に選ばれている。このように本発明のバッフ
ァ供給回路は、各構成におけるポンプ容量がその構成に
適したものとなっていることから、より効率的である。

【００１３】本発明は各種の出力バッファ増幅器構成を
備えるメモリ回路の形で使用されるのが最もふさわしい
が、本発明を複数の構成を取る出力バッファ増幅器を有
する、マイクロプロセッサー等の任意の回路へ適用する
ことも可能である。基本的な要求は、バッファ増幅器が
プルアップトランジスタおよびプルダウントランジスタ
の出力段を備えた用途に適したＶｐｐ電力供給を必要と
しているということである。

【００１４】好適実施例において、バッファ供給回路を
バッファ増幅器の数に整合するように再構成するＷＸ４
信号（図４に示されている）は装置製造工程におけるボ
ンディングパッドのオプションによって提供される。そ
の後、このバッファ供給回路の構成は固定される。しか
し明らかなように、ＷＸ４信号は、バッファ供給回路を
動的に変更できるような形でバッファ供給回路へ供給さ
れる。

【００１５】本発明は好適実施例の特定のものに関して
説明してきたが、当業者には明らかなように、本発明の
範囲内で各種の変更が行われ得、好適実施例の要素に対
する置換が行われ得る。例えば、本発明は特に２構成
（または２個）のバッファ増幅器に関して説明してき
た。実際には、本発明は２構成よりも多くの構成へ拡張
することができ、あるいは２個以上のバッファ増幅器を
含む場合へ拡張することができる。更に、本発明の教え
るところの本質から離れることなく、本発明の教えると
ころに対して、特定の構造および材料に関する数多くの
修正が可能である。

【００１６】以上の説明から明らかなように、本発明の
各態様は例示実施例の特定の詳細に限定されるものでな
く、従って、その他の修正や応用が当業者には思いつか
れるであろうことを想定している。従って、本発明の特
許請求の範囲は本発明の精神および展望から外れないす
べての修正や実施例を包含するものと解釈されるべきで
ある。

【００１７】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）バッファ増幅器の少なくとも２つの構成を有する
バッファ増幅器アレイにエネルギーを供給するためのバ
ッファ供給回路であって、入力信号に応答する第１のチ
ャージポンプ回路であって、前記バッファ増幅器の第１
の構成とともに使用するために選ばれたパラメーターを
備える第１のポンピングコンデンサーを有する第１のチ
ャージポンプ回路、および前記第１の入力信号と制御信
号とに応答する第２のチャージポンプ回路であって、前
記第２のチャージポンプ回路の出力が前記第１のチャー
ジポンプ回路の出力とつながっており、前記バッファ増
幅器の第２の構成とともに使用するための前記第１のポ
ンピングコンデンサーと一緒に使用するために選ばれた
パラメーターを備える第２のポンピングコンデンサーを
有する第２のチャージポンプ回路、を含むバッファ供給
回路。

【００１８】（２）第１項記載の回路であって、前記第
１および第２のチャージポンプ回路が、前記第１の入力
信号に応答して本質的に同時に動作するようになったバ
ッファ供給回路。

【００１９】（３）第２項記載の回路であって、前記第
１のチャージポンプ回路が第１のプレチャージユニッ
ト、パスゲートユニット、およびドライバーユニットを
含み、前記第２のチャージポンプ回路が第２のプレチャ
ージユニット、第２のパスゲートユニット、および第２
のドライバーユニットを含み、ここにおいて、前記第２
のプレチャージユニット、前記第２のパスゲートユニッ
ト、および前記第２のドライバーユニットが前記制御信
号によって駆動されるようになったバッファ供給回路。

【００２０】（４）複数のバッファ増幅器構成に対して
電荷を供給する方法であって、次の工程、バッファ増幅
器の第１の構成に対して電荷を供給する場合、第１のチ
ャージポンプ回路を前記第１の構成と一緒に動作させる
ように選ばれたポンピングコンデンサーを有する前記第
１のチャージポンプ回路でもって前記第１構成の電荷供
給を行うこと、バッファ増幅器の第２の構成に対して電
荷を供給する場合、前記第１のチャージポンピングコン
デンサーと第２のポンピングコンデンサーとを前記第２
の構成と一緒に動作させるように選ばれた第２のチャー
ジポンピングコンデンサーを有する前記第２のチャージ
ポンプと前記第１のチャージポンプとでもって前記第２
構成の電荷供給を行うこと、を含む方法。

【００２１】（５）第４項記載の方法であって、更に、
外部から供給される制御信号で以て前記第２のチャージ
ポンプ回路を駆動する工程を含む方法。

【００２２】（６）第５項記載の方法であって、更に、
共通の入力信号に応答して前記第１と第２のチャージポ
ンプを同時に動作させる工程を含む方法。

【００２３】（７）バッファ増幅器の複数個構成を励起
するためのバッファ供給回路であって、第１の入力信号
に応答して動作し、第１の構成のバッファ増幅器を励起
するためのパラメーターを有する第１のチャージポン
プ、および第１の制御信号に応答して駆動される第２の
チャージポンプ回路であって、前記第２のチャージポン
プ回路が前記第１の入力信号に応答して動作し、前記第
１および第２のチャージポンプ回路が第２のバッファ増
幅器構成を励起するためのパラメーターを有する第２の
チャージポンプ回路、を含むバッファ供給回路。

【００２４】（８）第７項記載のバッファ供給回路であ
って、前記バッファ増幅器の出力段にｎチャンネルプル
アップトランジスタおよびｎチャンネルプルダウントラ
ンジスタを有するバッファ増幅器と一緒に使用されるバ
ッファ供給回路。

【００２５】（９）第７項記載のバッファ供給回路であ
って、前記第２のチャージポンプ回路が第２のポンピン
グコンデンサー、第２のプレチャージユニット、第２の
ドライバーユニット、および第２のパスゲートユニット
を含み、ここにおいて、前記第２のプレチャージユニッ
ト、前記第２のドライバーユニット、および前記第２の
パスゲートユニットが各々前記制御信号によってイネー
ブルされるようになったバッファ供給回路。

【００２６】（１０）第９項記載のバッファ回路であっ
て、前記第１のポンピングコンデンサーのパラメーター
が前記第１の構成のパラメーターに対応して選ばれ、こ
こにおいて、前記第２のポンピングコンデンサーが、前
記第１のポンピングコンデンサーおよび前記第２のバッ
ファ増幅器構成のパラメーターに対応して選ばれたもの
であるバッファ回路。

【００２７】（１１）データバッファの数が選択可能に
なったダイナミックランダムアクセスメモリにおいて、
制御信号によって、選ばれた数のバッファを励起するた
めに必要な電力を提供するのに適したポンプチャージ容
量３１を提供するようにバッファ供給を構成できる。外
部の制御信号に応答して、第１のコンデンサー３１への
プレチャージおよび電荷供給と同時に、第２のコンデン
サー３２（またはコンデンサーバンク）がプレチャージ
され、次に、バッファ供給回路の出力端子（Ｖｐｐ）へ
供給される。第１のコンデンサー３１の寸法は第１のバ
ッファ構成に対するバッファ供給回路に適したものであ
り、また第２のコンデンサー３２は第２構成の付加的な
バッファ増幅器に対するバッファ供給回路に適したもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明と一緒に有利に用いることができる典型
的なｎチャンネル出力バッファ回路の模式図。

【図２】従来技術に従うバッファ供給回路の模式図。

【図３】本発明に従うバッファ供給回路のブロック図。

【図４】本発明に従うバッファ供給回路の模式図。

【符号の説明】

３１ コンデンサー ３２ コンデンサー ３３ プレチャージユニット ３４ ゲートユニット ３５ プレチャージユニット ３６ ゲートユニット ３７ ＡＮＤゲート ３８ ドライバーユニット ３９ ドライバーユニット

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 バッファ増幅器の少なくとも２つの構成
   を有するバッファ増幅器アレイにエネルギーを供給する
   ためのバッファ供給回路であって、 入力信号に応答する第１のチャージポンプ回路であっ
   て、前記バッファ増幅器の第１の構成とともに使用する
   ために選ばれたパラメーターを備える第１のポンピング
   コンデンサーを有する第１のチャージポンプ回路、およ
   び前記第１の入力信号と制御信号とに応答する第２のチ
   ャージポンプ回路であって、前記第２のチャージポンプ
   回路の出力が前記第１のチャージポンプ回路の出力とつ
   ながっており、前記バッファ増幅器の第２の構成ととも
   に使用するための前記第１のポンピングコンデンサーと
   一緒に使用するために選ばれたパラメーターを備える第
   ２のポンピングコンデンサーを有する第２のチャージポ
   ンプ回路、を含むバッファ供給回路。
2. 【請求項２】 複数のバッファ増幅器構成に対して電荷
   を供給する方法であって、次の工程、 バッファ増幅器の第１の構成に対して電荷を供給する場
   合、第１のチャージポンプ回路を前記第１の構成と一緒
   に動作させるように選ばれたポンピングコンデンサーを
   有する前記第１のチャージポンプ回路でもって前記第１
   構成の電荷供給を行うこと、 バッファ増幅器の第２の構成に対して電荷を供給する場
   合、前記第１のチャージポンピングコンデンサーと第２
   のポンピングコンデンサーとを前記第２の構成と一緒に
   動作させるように選ばれた第２のチャージポンピングコ
   ンデンサーを有する前記第２のチャージポンプと前記第
   １のチャージポンプとでもって前記第２構成の電荷供給
   を行うこと、を含む方法。