JPH0795518B2 - ウエハ周辺露光ユニット - Google Patents
ウエハ周辺露光ユニットInfo
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- JPH0795518B2 JPH0795518B2 JP63267258A JP26725888A JPH0795518B2 JP H0795518 B2 JPH0795518 B2 JP H0795518B2 JP 63267258 A JP63267258 A JP 63267258A JP 26725888 A JP26725888 A JP 26725888A JP H0795518 B2 JPH0795518 B2 JP H0795518B2
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、IC,LSI,その他のエレクトロニクス素子に
おける部品の加工における微細パターンの形成工程にお
いて、シリコンウエハに代表される半導体基板、あるい
は誘電体、金属、絶縁体等の基板に塗布されたレジスト
の内の該基板周辺部の不要レジストを現像工程で除去す
るためのウエハ周辺部露光装置におけるウエハ周辺露光
ユニットに関するものである。
おける部品の加工における微細パターンの形成工程にお
いて、シリコンウエハに代表される半導体基板、あるい
は誘電体、金属、絶縁体等の基板に塗布されたレジスト
の内の該基板周辺部の不要レジストを現像工程で除去す
るためのウエハ周辺部露光装置におけるウエハ周辺露光
ユニットに関するものである。
ICやLSI等の製造工程においては、微細パターンを形成
するにあたって、シリコンウエハ等の表面にレジストを
塗布し、さらに露光、現像を行いレジストパターンを形
成することが行われる。次に、このレジストパターンを
マスクにしてイオン注入、エッチング、リフトオフ等の
工程が行われる。
するにあたって、シリコンウエハ等の表面にレジストを
塗布し、さらに露光、現像を行いレジストパターンを形
成することが行われる。次に、このレジストパターンを
マスクにしてイオン注入、エッチング、リフトオフ等の
工程が行われる。
通常、レジストの塗布はスピンコート法によって行われ
る。スピンコート法はウエハ表面の中心位置にレジスト
を注ぎながらウエハを回転させ、遠心力によってウエハ
の全表面にレジストを塗布するものである。
る。スピンコート法はウエハ表面の中心位置にレジスト
を注ぎながらウエハを回転させ、遠心力によってウエハ
の全表面にレジストを塗布するものである。
しかし、加工に利用されるのはウエハ表面全域ではな
い。すなわち、レジストの塗布されたウエハはいろいろ
な処理工程及びいろいろな方式で搬送や保管されるの
で、周辺部の全周もしくはその一部を保持に利用する。
したがって、あまり周辺部までは利用できない。また一
般に周辺部では、回路パターンが歪んで描かれたり、歩
留りが悪かったりする。ところで、レジストがポジ型レ
ジストの場合、パターン形成のための露光工程を経て
も、このパターン形成に利用しない周辺部のレジストは
残留し、ウエハ周辺部を機械的につかんで保持したり、
ウエハ周辺部がウエハカセット等の収納器の壁にこすれ
たりして「ゴミ」の発生源となる。このようにポジ型レ
ジストの場合ウエハ周辺部に残留した不要レジストが
「ゴミ」となって歩留まりを低下させることは、特に集
積回路の高機能化、微細化が進みつつある現在、深刻な
問題となっている。
い。すなわち、レジストの塗布されたウエハはいろいろ
な処理工程及びいろいろな方式で搬送や保管されるの
で、周辺部の全周もしくはその一部を保持に利用する。
したがって、あまり周辺部までは利用できない。また一
般に周辺部では、回路パターンが歪んで描かれたり、歩
留りが悪かったりする。ところで、レジストがポジ型レ
ジストの場合、パターン形成のための露光工程を経て
も、このパターン形成に利用しない周辺部のレジストは
残留し、ウエハ周辺部を機械的につかんで保持したり、
ウエハ周辺部がウエハカセット等の収納器の壁にこすれ
たりして「ゴミ」の発生源となる。このようにポジ型レ
ジストの場合ウエハ周辺部に残留した不要レジストが
「ゴミ」となって歩留まりを低下させることは、特に集
積回路の高機能化、微細化が進みつつある現在、深刻な
問題となっている。
そこで、このような現像後も残留したウエハ周辺部の不
要レジスタを除去するため、溶剤噴射法によって除去す
る技術が実用化されている。
要レジスタを除去するため、溶剤噴射法によって除去す
る技術が実用化されている。
これは、このウエハ周辺部の表面の不要レジストを除去
すべくウエハの上方から溶剤を噴射するようにしても、
溶剤の飛沫の問題が生ずるばかりでなく、ウエハ周辺部
の表面の不要レジストと後のエッチングやイオン注入等
の際のマスク層として必要なレジストであるパターン形
成部のレジストとの境界をシャープに、かつ制御性良く
不要レジストのみを除去することはできない。
すべくウエハの上方から溶剤を噴射するようにしても、
溶剤の飛沫の問題が生ずるばかりでなく、ウエハ周辺部
の表面の不要レジストと後のエッチングやイオン注入等
の際のマスク層として必要なレジストであるパターン形
成部のレジストとの境界をシャープに、かつ制御性良く
不要レジストのみを除去することはできない。
そこで、最近ではパターン形成のための露光工程とは別
にウエハ周辺部の不要レジスト現像工程で除去するため
に別途露光することが行われている。
にウエハ周辺部の不要レジスト現像工程で除去するため
に別途露光することが行われている。
第4図(a),(b)はこのような不要レジスト除去の
ための従来のウエハ周辺露光方法の概略説明図である。
ための従来のウエハ周辺露光方法の概略説明図である。
搬送系(不図示)により回転ステージ71の上にウエハ70
を設置し、回転ステージ71を回転させ、センサ72により
ウエハ70のオリエンテーションフラット73を検出し、こ
のオリエンテーションフラット73が概略所定の位置にき
た時回転をとめ、次にオリエンテーションフラットあて
板74a及びピン74b,74c,74dによりセンサリングとオリエ
ンテーションフラット73の位置出しを行う。
を設置し、回転ステージ71を回転させ、センサ72により
ウエハ70のオリエンテーションフラット73を検出し、こ
のオリエンテーションフラット73が概略所定の位置にき
た時回転をとめ、次にオリエンテーションフラットあて
板74a及びピン74b,74c,74dによりセンサリングとオリエ
ンテーションフラット73の位置出しを行う。
上記の位置出し後、ウエハ70を回転させながらライトガ
イドファイバの出射端75より光照射し、円周部を露光す
る。この回転運動(矢印76a)による露光では、第4図
(c)の如く露光されるため、オリエンテーションフラ
ット73に沿った部分は完全に露光されず、さらにオリエ
ンテーションフラット73を所定の位置でとめ、オリエン
テーションフラット73に平行して出射端75を動かし(矢
印76b)、露光することが必要である。
イドファイバの出射端75より光照射し、円周部を露光す
る。この回転運動(矢印76a)による露光では、第4図
(c)の如く露光されるため、オリエンテーションフラ
ット73に沿った部分は完全に露光されず、さらにオリエ
ンテーションフラット73を所定の位置でとめ、オリエン
テーションフラット73に平行して出射端75を動かし(矢
印76b)、露光することが必要である。
このウエハ周辺露光方法は、ウエハ周辺部の表面の不要
レジストと後のイオン注入等の際のマスク層として必要
なパターン形成部のレジストとの境界Pがシャープに、
制御性良く除去できるので、溶剤噴射法に比べ優れてい
る。
レジストと後のイオン注入等の際のマスク層として必要
なパターン形成部のレジストとの境界Pがシャープに、
制御性良く除去できるので、溶剤噴射法に比べ優れてい
る。
上述の如く、レジストパターン形成のための露光工程と
は別に、ウエハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去
するためにウエハ周辺部を別途露光するウエハ周辺露光
方法による場合は、溶剤噴射法に比べ、不要なレジスト
と後のイオン注入等の際のマスク層として必要なレジス
トの境界がシャープに、制御性良く除去できる利点があ
る。しかし、このためには不要レジスト部分として予め
定めたウエハのエッジから一定距離の領域のみを精度良
く制御して露光する必要がある。ここで、従来のウエハ
周辺露光方法はウエハのオリエンテーションフラットの
検出、ウエハのセンタリング及びオリエンテーションフ
ラットの機械的位置合わせ、円周部とオリエンテーショ
ンフラットを別々に露光することが必要であり、処理時
間が長くかかる。また、機械的位置合わせであるため充
分な精度が得られにくい。例えば、0.2mmの誤差でセン
タリングできたとしても、回転して露光した場合、全体
としてこの2倍、即ち0.4mmの露光幅誤差となる。さら
に、ウエハ直径のバラツキが露光幅にそのまま反映され
る。また、直径が異なるウエハや様々な形状の基板を処
理する場合、機械的制御は非常に煩雑なものとなる。
は別に、ウエハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去
するためにウエハ周辺部を別途露光するウエハ周辺露光
方法による場合は、溶剤噴射法に比べ、不要なレジスト
と後のイオン注入等の際のマスク層として必要なレジス
トの境界がシャープに、制御性良く除去できる利点があ
る。しかし、このためには不要レジスト部分として予め
定めたウエハのエッジから一定距離の領域のみを精度良
く制御して露光する必要がある。ここで、従来のウエハ
周辺露光方法はウエハのオリエンテーションフラットの
検出、ウエハのセンタリング及びオリエンテーションフ
ラットの機械的位置合わせ、円周部とオリエンテーショ
ンフラットを別々に露光することが必要であり、処理時
間が長くかかる。また、機械的位置合わせであるため充
分な精度が得られにくい。例えば、0.2mmの誤差でセン
タリングできたとしても、回転して露光した場合、全体
としてこの2倍、即ち0.4mmの露光幅誤差となる。さら
に、ウエハ直径のバラツキが露光幅にそのまま反映され
る。また、直径が異なるウエハや様々な形状の基板を処
理する場合、機械的制御は非常に煩雑なものとなる。
さらに、倣いカム,倣いローラを併用した場合、露光精
度がカムの精度に依存して決まるのでカムの精度を上げ
る必要があり、その上、倣いの速度を早くしようとする
と、例えばウエハ円周部とオリエンテーションフラット
で曲率が異なるので、精度が悪くなるという問題があ
る。
度がカムの精度に依存して決まるのでカムの精度を上げ
る必要があり、その上、倣いの速度を早くしようとする
と、例えばウエハ円周部とオリエンテーションフラット
で曲率が異なるので、精度が悪くなるという問題があ
る。
他方、ウエハの利用面積を考慮すると、歩留り低下を招
かない範囲で、できるだけ周辺部ぎりぎりまで利用した
い、もしくは保持用の爪が接触する数箇所のみの保持
で、その他のウエハ部分の全域を利用したい等の希望も
ある。
かない範囲で、できるだけ周辺部ぎりぎりまで利用した
い、もしくは保持用の爪が接触する数箇所のみの保持
で、その他のウエハ部分の全域を利用したい等の希望も
ある。
本発明は以上の種々の事情を考慮してなされたものであ
り、ウエハのエッジから所定幅の領域を精度よく露光す
ることができ、また、ウエハの周辺部の露光と保持用の
爪等が接触する特定区域の露光を同時に行うことができ
る機構の簡単なウエハ周辺露光ユニットを提供すること
を目的とする。
り、ウエハのエッジから所定幅の領域を精度よく露光す
ることができ、また、ウエハの周辺部の露光と保持用の
爪等が接触する特定区域の露光を同時に行うことができ
る機構の簡単なウエハ周辺露光ユニットを提供すること
を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明においては、ウエハを
載せて回転するステージと露光光を照射する出射端を備
えウエハのエッジから予め設定された幅の周辺部を露光
するウエハ周辺露光装置におけるウエハ周辺露光ユニッ
トを、ウエハの径方向に移動する第1の移動部材と、ウ
エハの径方向に移動可能に上記第1の移動部材上に取り
付けられた第2の移動部材と、上記第1の移動部材に取
り付けられたウエハのエッジ検出手段と、上記第2の移
動部材に取り付けられ、露光光を照射する出射端を保持
するアームと、上記エッジ検出手段の検出信号に基づ
き、第1の移動部材がウエハのエッジに対して所定の位
置関係に維持されるように、第1の移動部材をウエハの
径方向に駆動する第1の駆動手段と、第2の移動部材を
ウエハの径方向に駆動して第1の移動部材に対して第2
の移動部材を所定の位置関係に位置決めし、出射端をウ
エハのエッジ対して予め設定された位置に保持させる第
2の駆動手段とから構成したものである。
載せて回転するステージと露光光を照射する出射端を備
えウエハのエッジから予め設定された幅の周辺部を露光
するウエハ周辺露光装置におけるウエハ周辺露光ユニッ
トを、ウエハの径方向に移動する第1の移動部材と、ウ
エハの径方向に移動可能に上記第1の移動部材上に取り
付けられた第2の移動部材と、上記第1の移動部材に取
り付けられたウエハのエッジ検出手段と、上記第2の移
動部材に取り付けられ、露光光を照射する出射端を保持
するアームと、上記エッジ検出手段の検出信号に基づ
き、第1の移動部材がウエハのエッジに対して所定の位
置関係に維持されるように、第1の移動部材をウエハの
径方向に駆動する第1の駆動手段と、第2の移動部材を
ウエハの径方向に駆動して第1の移動部材に対して第2
の移動部材を所定の位置関係に位置決めし、出射端をウ
エハのエッジ対して予め設定された位置に保持させる第
2の駆動手段とから構成したものである。
ウエハの径方向に移動する第1の移動部材にエッジ検出
手段を取り付け、ウエハのエッジ位置を検出しながら、
第1の駆動手段により第1の移動部材をウエハの径方向
に移動させるようにしたので、第1の移動部材をウエハ
のエッジに対して所定の位置関係に保持することができ
る。
手段を取り付け、ウエハのエッジ位置を検出しながら、
第1の駆動手段により第1の移動部材をウエハの径方向
に移動させるようにしたので、第1の移動部材をウエハ
のエッジに対して所定の位置関係に保持することができ
る。
そして、上記第1の移動部材の上に、露光光を照射する
出射端を保持するアームを取り付けた第2の移動部材を
設け、第2の移動部材を第1の移動部材に対して所定の
位置に保持させるようにしたので、ウエハをセンタリン
グする機構等を設けたり、オリエンテーションフラット
の検出機構を設けることなく、簡単な機構によりオリエ
ンテーションフラット部を含めたウエハの周辺部を設定
された露光幅で精度よく露光することができる。
出射端を保持するアームを取り付けた第2の移動部材を
設け、第2の移動部材を第1の移動部材に対して所定の
位置に保持させるようにしたので、ウエハをセンタリン
グする機構等を設けたり、オリエンテーションフラット
の検出機構を設けることなく、簡単な機構によりオリエ
ンテーションフラット部を含めたウエハの周辺部を設定
された露光幅で精度よく露光することができる。
また、露光中、第2の駆動手段により、第2の移動部材
を第1の移動部材に対してウエハの径方向に移動させる
ことによりウエハ周辺の露光幅を変化させることがで
き、ウエハ周辺の全周の露光とウエハ保持用の爪が接触
する部分の露光を同時に行うことができる。
を第1の移動部材に対してウエハの径方向に移動させる
ことによりウエハ周辺の露光幅を変化させることがで
き、ウエハ周辺の全周の露光とウエハ保持用の爪が接触
する部分の露光を同時に行うことができる。
第1図は、本発明のウエハ周辺露光ユニットを用いたシ
ステムの概略構成の一例を示す図である。
ステムの概略構成の一例を示す図である。
第1図において、1はその周辺部が露光工程を受けるウ
エハ、2はこのウエハ1が載置される昇降および回転可
能なステージ、3は信号系を処理制御するシステムコン
トローラ、4はステージ2を昇降及び回転をさせるステ
ージ駆動機構、5は例えばロータリエンコーダ等からな
るステージ回転角度読取機構、6はオリエンテーション
フラット検出機構、7はウエハ搬送系、8は本発明にか
かわるウエハ周辺露光ユニットの駆動機構であり、駆動
機構8は、後述するように相互に一定の位置関係にある
出射端12と、発光素子13と受光素子17から構成されるエ
ッジ検出手段をウエハの径方向に駆動する。
エハ、2はこのウエハ1が載置される昇降および回転可
能なステージ、3は信号系を処理制御するシステムコン
トローラ、4はステージ2を昇降及び回転をさせるステ
ージ駆動機構、5は例えばロータリエンコーダ等からな
るステージ回転角度読取機構、6はオリエンテーション
フラット検出機構、7はウエハ搬送系、8は本発明にか
かわるウエハ周辺露光ユニットの駆動機構であり、駆動
機構8は、後述するように相互に一定の位置関係にある
出射端12と、発光素子13と受光素子17から構成されるエ
ッジ検出手段をウエハの径方向に駆動する。
9はシャッタ10の駆動機構、11はライトガイドファイバ
であり、ライトガイドファイバ11の一端に前記した出射
端12が設けられる。14は平面反射鏡、15は楕円集光鏡、
16はショートアーク型の水銀ランプを示し、シャッタ1
0、平面反射鏡14、楕円集光鏡15、水銀ランプ16等から
露光光源部が形成され、この光源部からの放射光は、前
記ライトガイドファイバ11の他端11aに入射し、該ファ
イバ内を通って出射端12から出射され、ウエハに照射さ
れる。この場合、周辺露光ユニットでは、ウエハのエッ
ジ1aを検出した時、照射区域がウエハの特定区域を照射
するようにあらかじめその構成物の位置関係を設定して
ある。
であり、ライトガイドファイバ11の一端に前記した出射
端12が設けられる。14は平面反射鏡、15は楕円集光鏡、
16はショートアーク型の水銀ランプを示し、シャッタ1
0、平面反射鏡14、楕円集光鏡15、水銀ランプ16等から
露光光源部が形成され、この光源部からの放射光は、前
記ライトガイドファイバ11の他端11aに入射し、該ファ
イバ内を通って出射端12から出射され、ウエハに照射さ
れる。この場合、周辺露光ユニットでは、ウエハのエッ
ジ1aを検出した時、照射区域がウエハの特定区域を照射
するようにあらかじめその構成物の位置関係を設定して
ある。
第2図は、露光を受けるウエハ周辺部の領域とオリエン
テーションフラットの位置関係を示す図であって、Oは
ウエハのエッジの検出点、Eは方形の照射パターン、A
−B間の直線部分がオリエンテーションフラット、C
は、エッジ1aから予め定められた一定幅の被露光帯域、
Dは、後の工程でウエハ保持部材例えば保持爪が接触す
る接触部あり、例えばオリエンテーションフラットA−
Bの中心点Qもしくは任意の点を基準にしてその点から
の回転角度を検出して露光される区域である。前記の受
光素子は、エッジの検出点Oによってさえぎられる発光
素子からの光量に応じた信号をシステムコントローラに
送り、他方、システムコントローラは、前記信号が特定
の一定値になるようにユニット駆動機構を動かすよう信
号を送る。したがって、ウエハの回動にともなって、前
記光量が変化しても、システムコントローラを仲介し
て、この前記光量が一定になるようにユニットが動く。
つまり、前記のユニットは検出点Oを見ながらウエハの
エッジをトレースするように動く。保持爪は保持機能の
関係から言えば、Dはある程度の大きな幅が必要である
が、Cは出来るだけ小さな幅かもしくは他の条件が許す
限り無い方がよい。したがって、区域Cや区域D、もし
くはそれら区域の組み合わせによっては周辺部につい
て、露光したい区域の寸法、形状はいろいろある。
テーションフラットの位置関係を示す図であって、Oは
ウエハのエッジの検出点、Eは方形の照射パターン、A
−B間の直線部分がオリエンテーションフラット、C
は、エッジ1aから予め定められた一定幅の被露光帯域、
Dは、後の工程でウエハ保持部材例えば保持爪が接触す
る接触部あり、例えばオリエンテーションフラットA−
Bの中心点Qもしくは任意の点を基準にしてその点から
の回転角度を検出して露光される区域である。前記の受
光素子は、エッジの検出点Oによってさえぎられる発光
素子からの光量に応じた信号をシステムコントローラに
送り、他方、システムコントローラは、前記信号が特定
の一定値になるようにユニット駆動機構を動かすよう信
号を送る。したがって、ウエハの回動にともなって、前
記光量が変化しても、システムコントローラを仲介し
て、この前記光量が一定になるようにユニットが動く。
つまり、前記のユニットは検出点Oを見ながらウエハの
エッジをトレースするように動く。保持爪は保持機能の
関係から言えば、Dはある程度の大きな幅が必要である
が、Cは出来るだけ小さな幅かもしくは他の条件が許す
限り無い方がよい。したがって、区域Cや区域D、もし
くはそれら区域の組み合わせによっては周辺部につい
て、露光したい区域の寸法、形状はいろいろある。
そこで、本実施例においてはウエハ周辺露光ユニットを
次のように構成している。第3図はウエハ周辺露光ユニ
ットを要部を示す説明図であり、同図(a)はウエハ周
辺露光ユニットを上面から見た図、(b)は側面から見
た図を示している。
次のように構成している。第3図はウエハ周辺露光ユニ
ットを要部を示す説明図であり、同図(a)はウエハ周
辺露光ユニットを上面から見た図、(b)は側面から見
た図を示している。
同図において、18は第1のベンチであり、第1のベンチ
18は固定部18−1と、固定部18−1に対してウエハ1の
径方向に移動する移動部18−2から構成されており、第
1のベンチ18の移動部18−2には透過形のフォトセンサ
を構成する一組の発光素子13と受光素子17が取り付けら
れている。
18は固定部18−1と、固定部18−1に対してウエハ1の
径方向に移動する移動部18−2から構成されており、第
1のベンチ18の移動部18−2には透過形のフォトセンサ
を構成する一組の発光素子13と受光素子17が取り付けら
れている。
19は第2のベンチであり、第2のベンチ19は第1のベン
チ18の移動部に固定された固定部19−1と、固定部19−
1に対してウエハ1の径方向に移動する移動部19−2か
ら構成されており、第2のベンチの移動部19−2にはラ
イトガイドファイバ11の出射端12を保持するアーム20が
取り付けられている。
チ18の移動部に固定された固定部19−1と、固定部19−
1に対してウエハ1の径方向に移動する移動部19−2か
ら構成されており、第2のベンチの移動部19−2にはラ
イトガイドファイバ11の出射端12を保持するアーム20が
取り付けられている。
8−1は第1のベンチ18の移動部18−2をウエハ1の径
方向に駆動する第1の駆動機構、8−2は第1のベンチ
19の移動部19−2をウエハ1の径方向に駆動する第2の
駆動機構であり、第1、第2の駆動機構は例えばサーボ
モータから構成されており、第2の駆動機構8−2は第
1のベンチ18の移動部18−2上に載置されている。
方向に駆動する第1の駆動機構、8−2は第1のベンチ
19の移動部19−2をウエハ1の径方向に駆動する第2の
駆動機構であり、第1、第2の駆動機構は例えばサーボ
モータから構成されており、第2の駆動機構8−2は第
1のベンチ18の移動部18−2上に載置されている。
本実施例のウエハ周辺露光ユニットは上記のように構成
されており、発光素子13と受光素子17によりウエハ1の
エッジを検出し、第1の駆動部8−1により第1のベン
チ18の移動部18−2をウエハの径方向に駆動して、移動
部18−2をエッジに対して所定の位置関係になるように
保持させることができる。
されており、発光素子13と受光素子17によりウエハ1の
エッジを検出し、第1の駆動部8−1により第1のベン
チ18の移動部18−2をウエハの径方向に駆動して、移動
部18−2をエッジに対して所定の位置関係になるように
保持させることができる。
また、第2のベンチ19の移動部19−2を第2の駆動機構
8−2により駆動して、第1のベンチの移動部18−2に
対して出射端12を所定の位置に保持させることができ
る。
8−2により駆動して、第1のベンチの移動部18−2に
対して出射端12を所定の位置に保持させることができ
る。
すなわち、発光素子13と受光素子17によりウエハ1のエ
ッジを検出して、移動部18−2をウエハ1のエッジに対
して所定の位置関係に保持した状態で、第2の移動部19
−2を第1の移動部18−2に対して所定の位置に位置決
めすることにより、出射端12の照射エリアをウエハ1の
周辺部の所定領域に設定することができる。
ッジを検出して、移動部18−2をウエハ1のエッジに対
して所定の位置関係に保持した状態で、第2の移動部19
−2を第1の移動部18−2に対して所定の位置に位置決
めすることにより、出射端12の照射エリアをウエハ1の
周辺部の所定領域に設定することができる。
次に第1図、第3図により本実施例の動作を説明する。
ウエハ1がウエハ搬送系7によってステージ2の上方に
搬送されると、ステージ2が上昇してウエハ1がステー
ジ2上に載置される。そして、ステージ2に具備された
真空チャック機構が働いてウエハ1がステージ2上に固
定される。
搬送されると、ステージ2が上昇してウエハ1がステー
ジ2上に載置される。そして、ステージ2に具備された
真空チャック機構が働いてウエハ1がステージ2上に固
定される。
その後、第1もしくは第2の駆動機構8−1,8−2が動
作し、退避位置にあったライトガイドファイバ11の出射
端12がウエハ周辺部を露光する位置に移動する。そし
て、ステージ2が回転を始めると共に、システムコント
ローラ3がシャッタ駆動機構9にシャッタ開信号を送
り、シャッタ10が開くとウエハの周辺露光が行われる。
作し、退避位置にあったライトガイドファイバ11の出射
端12がウエハ周辺部を露光する位置に移動する。そし
て、ステージ2が回転を始めると共に、システムコント
ローラ3がシャッタ駆動機構9にシャッタ開信号を送
り、シャッタ10が開くとウエハの周辺露光が行われる。
なお、水銀ランプ16として、本実施例ではショートアー
ク型の超高圧水銀灯を用いている。また、水銀ランプ16
のアーク位置が楕円集光鏡15の第1焦点の位置に、ライ
トガイドファイバ11の入射面11aが楕円集光鏡15の第2
焦点の位置にそれぞれ設けられているので、水銀ランプ
16の光は効率良くライトガイドファイバ11によって導か
れ、ウエハ周辺部を露光する。
ク型の超高圧水銀灯を用いている。また、水銀ランプ16
のアーク位置が楕円集光鏡15の第1焦点の位置に、ライ
トガイドファイバ11の入射面11aが楕円集光鏡15の第2
焦点の位置にそれぞれ設けられているので、水銀ランプ
16の光は効率良くライトガイドファイバ11によって導か
れ、ウエハ周辺部を露光する。
発光素子13と受光素子17は透過形のフォトセンサを構成
し、光量変化を測定してウエハ1のエッジ1aを検出す
る。そして、上記フォトセンサが常にウエハ1のエッジ
1aを検出するように、第1の移動部18−2と第2のベン
チ19は一体となって第1の駆動機構8−1によりウエハ
1の径方向に駆動される。
し、光量変化を測定してウエハ1のエッジ1aを検出す
る。そして、上記フォトセンサが常にウエハ1のエッジ
1aを検出するように、第1の移動部18−2と第2のベン
チ19は一体となって第1の駆動機構8−1によりウエハ
1の径方向に駆動される。
また、第2の駆動機構8−2により、第2の移動部19−
2を第1のベンチ18に対して移動させることにより、ウ
エハのエッジ検出点O(第2図参照)に対して、出射端
12の位置、すなわち、照射パターンEのウエハ径方向の
位置を変えることができる。これにより、第2図におけ
る区域Cの幅を容易に変更することができる。
2を第1のベンチ18に対して移動させることにより、ウ
エハのエッジ検出点O(第2図参照)に対して、出射端
12の位置、すなわち、照射パターンEのウエハ径方向の
位置を変えることができる。これにより、第2図におけ
る区域Cの幅を容易に変更することができる。
例えば、区域Dを露光したい場合には、ロータリーエン
コーダ5からの回転角度情報に基づいて所定の角度θ1,
θ2もしくはθ3をシステムコントローラ3が確認した
時、出射端12がウエハの径の中央方向に動くように第2
の駆動機構8−2に対して指令を出せるようにしておけ
ば良い。これはシステムコントローラのプログラミング
として設計できる。
コーダ5からの回転角度情報に基づいて所定の角度θ1,
θ2もしくはθ3をシステムコントローラ3が確認した
時、出射端12がウエハの径の中央方向に動くように第2
の駆動機構8−2に対して指令を出せるようにしておけ
ば良い。これはシステムコントローラのプログラミング
として設計できる。
尚、本実施例で照射される光の形状Eが矩形状となるの
は、ライトガイドファイバ11が出射側で矩形に束ねられ
ているからである。これは照射パターンEの範囲内でウ
エハ円周方向の積算光量をほぼ同じにするのに都合が良
いからである。また、本実施例においては、ライトガイ
ドファイバ11の出射端12からの光は不図示の結像レンズ
でウエハ1上に結像されるので、露光される光のパター
ンEの輪郭がシャープとなり、現像後にシャープなレジ
スト除去ができる。
は、ライトガイドファイバ11が出射側で矩形に束ねられ
ているからである。これは照射パターンEの範囲内でウ
エハ円周方向の積算光量をほぼ同じにするのに都合が良
いからである。また、本実施例においては、ライトガイ
ドファイバ11の出射端12からの光は不図示の結像レンズ
でウエハ1上に結像されるので、露光される光のパター
ンEの輪郭がシャープとなり、現像後にシャープなレジ
スト除去ができる。
また、ウエハ1のエッジ1aを検出するセンサとして発光
素子13と受光17からなる透過型のフォトセンサを用いた
が、これに限らず反射型のフォトセンサや、さらに静電
型のセンサ等を使用することも可能である。
素子13と受光17からなる透過型のフォトセンサを用いた
が、これに限らず反射型のフォトセンサや、さらに静電
型のセンサ等を使用することも可能である。
また、本発明はシリコンやガリウム砒素等の半導体ウエ
ハに限ることなく、リチウム酸タンタル、ニオブ酸タン
タル等の表面弾性波素子、バブルメモリ素子、液晶素
子、磁気記録素子そ他のエレクトロニクス素子の製作に
適用できることは言うまでもない。また、ウエハ形状も
円形と限ることなく、多角形でも差支えない。
ハに限ることなく、リチウム酸タンタル、ニオブ酸タン
タル等の表面弾性波素子、バブルメモリ素子、液晶素
子、磁気記録素子そ他のエレクトロニクス素子の製作に
適用できることは言うまでもない。また、ウエハ形状も
円形と限ることなく、多角形でも差支えない。
以上説明したように、本発明のウエハ周辺露光ユニット
は、第1のベンチの移動部にウエハのエッジを検出する
センサを取り付け、また、第1のベンチの移動部上に、
ライトガイドファイバの出射端を保持するアームを取り
付けた第2のベンチを載置し、ウエハのエッジ位置を上
記センサで検出し、該センサからの信号によって第1の
ベンチの移動部をウエハの径方向に移動させてエッジを
トレースするように構成したので、出射端をウエハのエ
ッジに対して所定の位置に保持することができ、簡単な
機構によりオリエンテーションフラット部を含めたウエ
ハの周辺部を設定された露光幅で精度よく露光すること
ができる。
は、第1のベンチの移動部にウエハのエッジを検出する
センサを取り付け、また、第1のベンチの移動部上に、
ライトガイドファイバの出射端を保持するアームを取り
付けた第2のベンチを載置し、ウエハのエッジ位置を上
記センサで検出し、該センサからの信号によって第1の
ベンチの移動部をウエハの径方向に移動させてエッジを
トレースするように構成したので、出射端をウエハのエ
ッジに対して所定の位置に保持することができ、簡単な
機構によりオリエンテーションフラット部を含めたウエ
ハの周辺部を設定された露光幅で精度よく露光すること
ができる。
また、第2のベンチの移動部を第1のベンチの移動部に
対してウエハの径方向に移動させることによりウエハ周
辺の露光幅を変化させることができ、ウエハ周辺の全周
の露光とウエハ保持用の爪が接触する部分の露光を精度
よく行うことができる。
対してウエハの径方向に移動させることによりウエハ周
辺の露光幅を変化させることができ、ウエハ周辺の全周
の露光とウエハ保持用の爪が接触する部分の露光を精度
よく行うことができる。
さらに、従来のように、ウエハのセンタリング機構や、
ウエハのオリエンテーションフラット部の検出・位置合
せ機構が不要となるので、構成を極めて簡単化すること
ができ、また、処理時間を大幅に短くでき、極めて高効
率のウエハ周辺露光を実現することができる。
ウエハのオリエンテーションフラット部の検出・位置合
せ機構が不要となるので、構成を極めて簡単化すること
ができ、また、処理時間を大幅に短くでき、極めて高効
率のウエハ周辺露光を実現することができる。
第1図は本発明装置を利用する場合のウエハ周辺露光方
法のシステムの一例の説明図、第2図は、露光を受ける
ウエハ周辺部の区域の説明図、第3図は本発明ウエハ周
辺露光ユニットの一例の概略説明図、第4図(a),
(b),(c)は従来のウエハ周辺露光方法の概略説明
図である。 図中、 8:第1の駆動機構 18:第1のベンチ 19:第2のベンチ 20:アーム 22:第2の駆動機構 12:出射端 13:発光素子 17:受光素子
法のシステムの一例の説明図、第2図は、露光を受ける
ウエハ周辺部の区域の説明図、第3図は本発明ウエハ周
辺露光ユニットの一例の概略説明図、第4図(a),
(b),(c)は従来のウエハ周辺露光方法の概略説明
図である。 図中、 8:第1の駆動機構 18:第1のベンチ 19:第2のベンチ 20:アーム 22:第2の駆動機構 12:出射端 13:発光素子 17:受光素子
Claims (1)
- 【請求項1】ウエハを載せて回転するステージと露光光
を照射する出射端を備え、ウエハのエッジから予め設定
された幅の周辺部を露光するウエハ周辺露光装置におけ
るウエハ周辺露光ユニットであって、 ウエハの径方向に移動する第1の移動部材と、 ウエハの径方向に移動可能に上記第1の移動部材上に取
り付けられた第2の移動部材と、 上記第1の移動部材に取り付けられたウエハのエッジ検
出手段と、 上記第2の移動部材に取り付けられ、露光光を照射する
出射端を保持するアームと、 上記エッジ検出手段の検出信号に基づき、第1の移動部
材がウエハのエッジに対して所定の位置関係に維持され
るように、第1の移動部材をウエハの径方向に駆動する
第1の駆動手段と、 第2の移動部材をウエハの径方向に駆動して第1の移動
部材に対して第2の移動部材を所定の位置関係に位置決
めし、出射端をウエハのエッジ対して予め設定された位
置に保持させる第2の駆動手段とを備えた ことを特徴とするウエハ周辺露光ユニット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63267258A JPH0795518B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | ウエハ周辺露光ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63267258A JPH0795518B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | ウエハ周辺露光ユニット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02114630A JPH02114630A (ja) | 1990-04-26 |
JPH0795518B2 true JPH0795518B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=17442342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63267258A Expired - Fee Related JPH0795518B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | ウエハ周辺露光ユニット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0795518B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0612756B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1994-02-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ウエハの周辺部露光装置 |
US7282427B1 (en) | 2006-05-04 | 2007-10-16 | Applied Materials, Inc. | Method of implanting a substrate and an ion implanter for performing the method |
JP4736615B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2011-07-27 | 大日本印刷株式会社 | 複合容器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59158520A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Toshiba Corp | 照射装置 |
JPH0797549B2 (ja) * | 1987-08-28 | 1995-10-18 | 東京エレクトロン九州株式会社 | 露光方法及びその装置 |
JP2567005B2 (ja) * | 1987-12-21 | 1996-12-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ウエハの周縁部露光装置 |
JP2668537B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1997-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
JP2696973B2 (ja) * | 1988-08-22 | 1998-01-14 | 株式会社ニコン | パターン露光装置および周縁露光方法 |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63267258A patent/JPH0795518B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02114630A (ja) | 1990-04-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071011 Year of fee payment: 12 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081011 Year of fee payment: 13 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |