JP2668537B2 - レジスト処理装置及びレジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理装置及びレジスト処理方法Info
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 28
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、レジスト処理装置及びレジスト処理方法に
関する。
関する。
(従来の技術) 半導体製造において、半導体ウエハの表面にフォトレ
ジスト膜を形成して配線等のパターニングが行われてい
る。そして、上記フォトレジスト膜は一般に半導体ウエ
ハを回転させながらレジスト液を滴下して塗布するスピ
ンナー法にて、塗布形成される。
ジスト膜を形成して配線等のパターニングが行われてい
る。そして、上記フォトレジスト膜は一般に半導体ウエ
ハを回転させながらレジスト液を滴下して塗布するスピ
ンナー法にて、塗布形成される。
ところで、上記半導体ウエハの外周部分に存在するレ
ジスト膜は、例えば、半導体ウエハの搬送中に機械的に
破壊されたりしてゴミとして飛散する可能性があるの
で、半導体チップの収率に影響を与えない部分をレジス
トの塗布現象工程で予め除去しておくのが望ましい。
ジスト膜は、例えば、半導体ウエハの搬送中に機械的に
破壊されたりしてゴミとして飛散する可能性があるの
で、半導体チップの収率に影響を与えない部分をレジス
トの塗布現象工程で予め除去しておくのが望ましい。
上記レジストの除去について、例えば特開昭58-15953
5、特開昭59-138335、特開昭61-73330号公報等にて開示
された装置がある。
5、特開昭59-138335、特開昭61-73330号公報等にて開示
された装置がある。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記開示された装置は、レジスト膜の
露光用光源を半導体ウエハの外周部に固定配置し、上記
半導体ウエハを回転して外周部を露光する構成であるた
め、半導体ウエハのオリエンテーションフラットと呼称
される切り欠け部分を露光することができず。したがっ
てこの部分のレジスト膜を除去することはできない。
露光用光源を半導体ウエハの外周部に固定配置し、上記
半導体ウエハを回転して外周部を露光する構成であるた
め、半導体ウエハのオリエンテーションフラットと呼称
される切り欠け部分を露光することができず。したがっ
てこの部分のレジスト膜を除去することはできない。
本発明は上記従来事情に対処してなされたもので、半
導体ウエハの外周部全域に渡り露光可能なレジスト処理
装置及びレジスト処理方法を提供しようとするものであ
る。
導体ウエハの外周部全域に渡り露光可能なレジスト処理
装置及びレジスト処理方法を提供しようとするものであ
る。
(課題を解決するための手段) すなわち、本発明は、第1に、その周縁が円形部分と
直線部分とで構成された被処理体に形成されたレジスト
膜を処理するレジスト処理装置であって、 前記被処理体を保持する保持手段と、 前記被処理体に形成されたレジスト膜の周縁部を露光
するための露光光源と、 前記保持手段を回転させる回転機構と、 前記露光光源を直線移動させる直線移動機構と、 前記回転手段を回転させながら前記被処理体周縁の円
形部分を露光し、前記直線移動機構により前記露光光源
を直線移動させながら前記被処理体周縁の直線部分を露
光し、これら円形部分の露光と直線部分の露光とをいず
れかが先になるように実行して一回の露光が終了した地
点から、次の露光が開始されるように制御する制御手段
と、 を具備することを特徴とするレジスト処理装置を提供す
る。
直線部分とで構成された被処理体に形成されたレジスト
膜を処理するレジスト処理装置であって、 前記被処理体を保持する保持手段と、 前記被処理体に形成されたレジスト膜の周縁部を露光
するための露光光源と、 前記保持手段を回転させる回転機構と、 前記露光光源を直線移動させる直線移動機構と、 前記回転手段を回転させながら前記被処理体周縁の円
形部分を露光し、前記直線移動機構により前記露光光源
を直線移動させながら前記被処理体周縁の直線部分を露
光し、これら円形部分の露光と直線部分の露光とをいず
れかが先になるように実行して一回の露光が終了した地
点から、次の露光が開始されるように制御する制御手段
と、 を具備することを特徴とするレジスト処理装置を提供す
る。
第2に、上記装置において、前記露光光源の露光開始
位置が、前記直線移動機構による移動範囲の一方の端部
と他方の端部とで交互になるように制御されることを特
徴とするレジスト処理装置を提供する。
位置が、前記直線移動機構による移動範囲の一方の端部
と他方の端部とで交互になるように制御されることを特
徴とするレジスト処理装置を提供する。
第3に、その周縁が円形部分と直線部分とで構成され
た被処理体に形成されたレジスト膜を処理するレジスト
処理方法であって、 前記被処理体を回転させながら前記被処理体周縁の円
形部分を露光するA工程と、 露光光源を直線移動させながら前記被処理体周縁の直
線部分を露光するB工程と、 を具備し、前記A又はB工程のいずれかを先に実行して
一回の露光が終了した地点から、次の露光が開始される
ように制御することを特徴とするレジスト処理方法を提
供する。
た被処理体に形成されたレジスト膜を処理するレジスト
処理方法であって、 前記被処理体を回転させながら前記被処理体周縁の円
形部分を露光するA工程と、 露光光源を直線移動させながら前記被処理体周縁の直
線部分を露光するB工程と、 を具備し、前記A又はB工程のいずれかを先に実行して
一回の露光が終了した地点から、次の露光が開始される
ように制御することを特徴とするレジスト処理方法を提
供する。
第4に、上記方法において、前記露光開始位置が、前
記直線移動の範囲の一方の端部と他方の端部とで交互に
なるように制御されることを特徴とするレジスト処理方
法を提供する。
記直線移動の範囲の一方の端部と他方の端部とで交互に
なるように制御されることを特徴とするレジスト処理方
法を提供する。
第5に、上記いずれかの方法において、前記被処理体
の回転は、ほぼ1回転であることを特徴とするレジスト
処理方法を提供する。
の回転は、ほぼ1回転であることを特徴とするレジスト
処理方法を提供する。
(作用) このような構成を有する本発明によれば、被処理体を
保持する保持手段を回転させ、かつ露光光源を直線移動
させるので、オリエンテーションフラットを有する半導
体ウエハのような、周縁が円形部分と直線部分とで構成
された被処理体の周縁部を容易にかつ確実に露光してレ
ジスト膜を処理することができる。また、被処理体を回
転させながら被処理体周縁の円形部分を露光し、露光光
源を直線移動させながら被処理体周縁の直線部分を露光
し、これら円形部分の露光と直線部分の露光とをいずれ
かが先になるように実行して一回の露光が終了した地点
から、次の露光が開始されるように制御するので、露光
光源を基準位置に戻す必要がなくスループットが向上す
るし、可動部の移動が少ないからミスト発生を少なくす
ることができる。
保持する保持手段を回転させ、かつ露光光源を直線移動
させるので、オリエンテーションフラットを有する半導
体ウエハのような、周縁が円形部分と直線部分とで構成
された被処理体の周縁部を容易にかつ確実に露光してレ
ジスト膜を処理することができる。また、被処理体を回
転させながら被処理体周縁の円形部分を露光し、露光光
源を直線移動させながら被処理体周縁の直線部分を露光
し、これら円形部分の露光と直線部分の露光とをいずれ
かが先になるように実行して一回の露光が終了した地点
から、次の露光が開始されるように制御するので、露光
光源を基準位置に戻す必要がなくスループットが向上す
るし、可動部の移動が少ないからミスト発生を少なくす
ることができる。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
基台(1)には、半導体ウエハ(2)を吸着保持する
チャック(3)を備え、このチャック(3)をモータ等
により回転することにより上記半導体ウエハ(2)を回
転する回転機構(4)が取着されている。
チャック(3)を備え、このチャック(3)をモータ等
により回転することにより上記半導体ウエハ(2)を回
転する回転機構(4)が取着されている。
また、この回転機構(4)の近傍には、半導体ウエハ
(2)に形成されたレジスト膜(5)を露光するための
露光用光源例えば光ファイバー(6)を横(X)方向お
よび縦(Y)方向に移動する移動機構(7)が基台
(1)に取着されている。
(2)に形成されたレジスト膜(5)を露光するための
露光用光源例えば光ファイバー(6)を横(X)方向お
よび縦(Y)方向に移動する移動機構(7)が基台
(1)に取着されている。
この移動機構(7)は、基台(1)に取着されたモー
タ(8)等の回転装置によって回転されるボールスクリ
ュー(9)に嵌合し、かつ摺動可能に貫通したガイドシ
ャフト(10)等により支持され、上記ボールスクリュー
(9)を回転することにより縦(Y)方向に移動可能に
構成された移動台(11)と、この移動台(11)に取着さ
れたモータ(12)等の回転装置によって回転されるボー
ルスクリュー(13)に嵌合し、このボールスクリュー
(13)を回転することにより横(X)方向に移動可能で
あり、かつ露光用の光ファイバー(6)を保持する保持
部材(14)等から構成され、光ファイバー(6)をXY方
向に移動可能に構成されている。なお、上記モータ
(8)(12)は、移動制御機構(図示せず)により所定
通りに回転駆動される。
タ(8)等の回転装置によって回転されるボールスクリ
ュー(9)に嵌合し、かつ摺動可能に貫通したガイドシ
ャフト(10)等により支持され、上記ボールスクリュー
(9)を回転することにより縦(Y)方向に移動可能に
構成された移動台(11)と、この移動台(11)に取着さ
れたモータ(12)等の回転装置によって回転されるボー
ルスクリュー(13)に嵌合し、このボールスクリュー
(13)を回転することにより横(X)方向に移動可能で
あり、かつ露光用の光ファイバー(6)を保持する保持
部材(14)等から構成され、光ファイバー(6)をXY方
向に移動可能に構成されている。なお、上記モータ
(8)(12)は、移動制御機構(図示せず)により所定
通りに回転駆動される。
次に、動作を説明する。
先ず、露光すべき半導体ウエハ(2)を搬送装置(図
示せず)により搬入し、上記半導体ウエハ(2)を所定
の状態例えばこの半導体ウエハ(2)の中心(図示せ
ず)とチャック(3)の中心(図示せず)とを一致さ
せ、かつ半導体ウエハ(2)のオリエンテーションフラ
ット(15)とX方向が平行となるような状態でチャック
(3)上に載置して保持する。
示せず)により搬入し、上記半導体ウエハ(2)を所定
の状態例えばこの半導体ウエハ(2)の中心(図示せ
ず)とチャック(3)の中心(図示せず)とを一致さ
せ、かつ半導体ウエハ(2)のオリエンテーションフラ
ット(15)とX方向が平行となるような状態でチャック
(3)上に載置して保持する。
そして、移動機構(7)のモータ(8)を回転させて
光ファイバー(6)を半導体ウエハ(2)に向ってY方
向移動させ、この半導体ウエハ(2)の外周部分の露光
部分(16)に対応した所定の位置例えば、オリエンテー
ションフラット(15)の一端部X方向位置A(17)、か
つY方向位置B(18)に移動させる。
光ファイバー(6)を半導体ウエハ(2)に向ってY方
向移動させ、この半導体ウエハ(2)の外周部分の露光
部分(16)に対応した所定の位置例えば、オリエンテー
ションフラット(15)の一端部X方向位置A(17)、か
つY方向位置B(18)に移動させる。
次に、光ファイバー(6)を露光可能な状態に点灯
し、回転機構(4)を動作させて半導体ウエハ(2)を
上記位置から1回転させて外周部分の露光部分(16)の
うちオリエンテーションフラット(15)以外の部分を先
ず露光する。この後、移動機構(7)のモータ(12)を
回転させて光ファイバー(6)をX方向に向って例えば
オリエンテーションフラット(15)の他端部の位置C
(19)まで移動させて、オリエンテーションフラット
(15)部分を露光して、露光部分(16)をすべて露光す
る。
し、回転機構(4)を動作させて半導体ウエハ(2)を
上記位置から1回転させて外周部分の露光部分(16)の
うちオリエンテーションフラット(15)以外の部分を先
ず露光する。この後、移動機構(7)のモータ(12)を
回転させて光ファイバー(6)をX方向に向って例えば
オリエンテーションフラット(15)の他端部の位置C
(19)まで移動させて、オリエンテーションフラット
(15)部分を露光して、露光部分(16)をすべて露光す
る。
なお、上記露光の順序は、先にオリエンテーションフ
ラット(15)部分を露光し、次に外周部分の露光部分
(16)を露光してもよい。
ラット(15)部分を露光し、次に外周部分の露光部分
(16)を露光してもよい。
また、光ファイバー(6)の位置は、半導体ウエハ
(2)の搬送に支障が無ければ当初から位置A(17)位
置B(18)に位置させておいてもよい。
(2)の搬送に支障が無ければ当初から位置A(17)位
置B(18)に位置させておいてもよい。
また、光ファイバー(6)は、ある半導体ウエハ
(2)の露光がオリエンテーションフラット(15)の位
置C(19)の位置にて終了した場合、上記光ファイバー
(6)を位置A(17)に戻す必要はなく、次の半導体ウ
エハ(2)の露光は上記位置C(19)から始めて位置A
(17)にて終るようにしてもよい。この場合には、露光
開始位置が、一方の端部である位置A17と他方の端部で
ある位置C19とで交互になるように制御されることとな
る。
(2)の露光がオリエンテーションフラット(15)の位
置C(19)の位置にて終了した場合、上記光ファイバー
(6)を位置A(17)に戻す必要はなく、次の半導体ウ
エハ(2)の露光は上記位置C(19)から始めて位置A
(17)にて終るようにしてもよい。この場合には、露光
開始位置が、一方の端部である位置A17と他方の端部で
ある位置C19とで交互になるように制御されることとな
る。
上記位置A(17)B(18)C(19)は半導体ウエハ
(2)の大きさに対応して設定するのは言うまでもな
い。
(2)の大きさに対応して設定するのは言うまでもな
い。
なお、本発明は、例えば露光用光源部分をライン型の
発光・受光素子等で構成し、露光幅を一定、つまり遮光
量を一定となるように移動機構を制御駆動することによ
り、上記半導体ウエハのみならず、例えば、角状型、楕
円型のものの外周部をも露光することが可能となる。
発光・受光素子等で構成し、露光幅を一定、つまり遮光
量を一定となるように移動機構を制御駆動することによ
り、上記半導体ウエハのみならず、例えば、角状型、楕
円型のものの外周部をも露光することが可能となる。
上述したように、本発明によれば、被処理体を保持す
る保持手段を回転させ、かつ露光光源を直線移動させる
ので、周縁が円形部分と直線部分とで構成された被処理
体の周縁部を容易にかつ確実に露光してレジスト膜を処
理することができる。また、円形部分の露光と直線部分
の露光とをいずれかが先になるように実行して一回の露
光が終了した地点から、次の露光が開始されるように制
御するので、露光光源を基準位置に戻す必要がなくスル
ープットが向上するし、可動部の移動が少ないからミス
ト発生を少なくすることができる。
る保持手段を回転させ、かつ露光光源を直線移動させる
ので、周縁が円形部分と直線部分とで構成された被処理
体の周縁部を容易にかつ確実に露光してレジスト膜を処
理することができる。また、円形部分の露光と直線部分
の露光とをいずれかが先になるように実行して一回の露
光が終了した地点から、次の露光が開始されるように制
御するので、露光光源を基準位置に戻す必要がなくスル
ープットが向上するし、可動部の移動が少ないからミス
ト発生を少なくすることができる。
第1図は、本発明の一実施例を示す構成図である。 2……半導体ウエハ、4……回転機構、6……光ファイ
バー、7……移動機構、15……オリエンテーションフラ
ット、16……露光部分。
バー、7……移動機構、15……オリエンテーションフラ
ット、16……露光部分。
Claims (5)
- 【請求項1】その周縁が円形部分と直線部分とで構成さ
れた被処理体に形成されたレジスト膜を処理するレジス
ト処理装置であって、 前記被処理体を保持する保持手段と、 前記被処理体に形成されたレジスト膜の周縁部を露光す
るための露光光源と、 前記保持手段を回転させる回転機構と、 前記露光光源を直線移動させる直線移動機構と、 前記回転手段を回転させながら前記被処理体周縁の円形
部分を露光し、前記直線移動機構により前記露光光源を
直線移動させながら前記被処理体周縁の直線部分を露光
し、これら円形部分の露光と直線部分の露光とをいずれ
かが先になるように実行して一回の露光が終了した地点
から、次の露光が開始されるように制御する制御手段
と、 を具備することを特徴とするレジスト処理装置。 - 【請求項2】前記露光光源の露光開始位置が、前記直線
移動機構による移動範囲の一方の端部と他方の端部とで
交互になるように制御されることを特徴とする請求項1
に記載のレジスト処理装置。 - 【請求項3】その周縁が円形部分と直線部分とで構成さ
れた被処理体に形成されたレジスト膜を処理するレジス
ト処理方法であって、 前記被処理体を回転させながら前記被処理体周縁の円形
部分を露光するA工程と、 露光光源を直線移動させながら前記被処理体周縁の直線
部分を露光するB工程と、 を具備し、前記A又はB工程のいずれかを先に実行して
一回の露光が終了した地点から、次の露光が開始される
ように制御することを特徴とするレジスト処理方法。 - 【請求項4】前記露光開始位置が、前記直線移動の範囲
の一方の端部と他方の端部とで交互になるように制御さ
れることを特徴とする請求項3に記載のレジスト処理方
法。 - 【請求項5】前記被処理体の回転は、ほぼ1回転である
ことを特徴とする請求項3または請求項4に記載のレジ
スト処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63016539A JP2668537B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63016539A JP2668537B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01192117A JPH01192117A (ja) | 1989-08-02 |
JP2668537B2 true JP2668537B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=11919071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63016539A Expired - Fee Related JP2668537B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2668537B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0795516B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1995-10-11 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法及び装置 |
JPH0273621A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法 |
JPH0795517B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1995-10-11 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法 |
JPH0795518B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1995-10-11 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光ユニット |
JP2544665B2 (ja) * | 1989-09-21 | 1996-10-16 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法 |
JP2544666B2 (ja) * | 1989-09-21 | 1996-10-16 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法 |
JP2534567B2 (ja) * | 1990-02-21 | 1996-09-18 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59158520A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Toshiba Corp | 照射装置 |
JPS63160332A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト除去装置 |
JP2623495B2 (ja) * | 1988-01-22 | 1997-06-25 | ウシオ電機株式会社 | 不要レジスト除去方法及び装置 |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP63016539A patent/JP2668537B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01192117A (ja) | 1989-08-02 |
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