JPH07159333A - 外観検査装置及び外観検査方法 - Google Patents
外観検査装置及び外観検査方法Info
- Publication number
- JPH07159333A JPH07159333A JP30385693A JP30385693A JPH07159333A JP H07159333 A JPH07159333 A JP H07159333A JP 30385693 A JP30385693 A JP 30385693A JP 30385693 A JP30385693 A JP 30385693A JP H07159333 A JPH07159333 A JP H07159333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- defect
- pattern defect
- cause
- appearance inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 18
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 検査対象物の表面に発生したパターン不良を
検出すると共に、当該検出結果に基づいて、発生原因を
も解析する外観検査装置を提供する。 【構成】 外観検査装置は、試料台１２に搭載された半
導体ウェハ１に光線を照射する光源１３と、その反射光
を検出してパターン不良の特徴を示す信号を出力する反
射光検出器１４と、上記パターン不良検出手段によって
得られた多数のパラメータ信号の値を、パターン不良の
発生原因に応じてグループ分けする外観検査制御装置１
５と、グループ分けされたパターン不良を記憶する記憶
装置１６とを具える。上記制御装置１５は、上記検出器
１４からの信号によってパターン不良を認識し、記憶装
置１６に記憶されているデータと比較して、その不良発
生原因を判定する。
検出すると共に、当該検出結果に基づいて、発生原因を
も解析する外観検査装置を提供する。 【構成】 外観検査装置は、試料台１２に搭載された半
導体ウェハ１に光線を照射する光源１３と、その反射光
を検出してパターン不良の特徴を示す信号を出力する反
射光検出器１４と、上記パターン不良検出手段によって
得られた多数のパラメータ信号の値を、パターン不良の
発生原因に応じてグループ分けする外観検査制御装置１
５と、グループ分けされたパターン不良を記憶する記憶
装置１６とを具える。上記制御装置１５は、上記検出器
１４からの信号によってパターン不良を認識し、記憶装
置１６に記憶されているデータと比較して、その不良発
生原因を判定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外観検査装置さらには
半導体ウェハの外観検査装置に適用して特に有効な技術
に関し、例えばウェハ表面に付着した異物、パターン欠
陥等のパターン不良の発生原因の解析に利用して有用な
技術に関する。
半導体ウェハの外観検査装置に適用して特に有効な技術
に関し、例えばウェハ表面に付着した異物、パターン欠
陥等のパターン不良の発生原因の解析に利用して有用な
技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造するに当たり、その製
造歩留りを上げるために主要製造プロセス終了毎に、パ
ターンの断線／短絡等のパターン異常の原因となるウェ
ハ表面の異物検査が行われる。この異物検査は、外観検
査装置を用いて、例えば以下の手順で行われる。先ず、
被検査物たる半導体ウェハの、特定チップ表面に異物検
査用の光を照射してその反射光の明度を反射光検出器
（例えばＣＣＤ撮像デバイス）により検出する。そし
て、これに隣接する１又は２以上のチップに同様に検査
用の光を照射しその反射光の明度を検出する。そして、
２つのチップの同一パターンから反射された夫々の反射
光の明度を表す信号（明度信号）を互いに比較し、明度
の差分を表す検査信号（パラメータ信号）を得る。そし
て、このパラメータ信号に基づいてウェハ上に異物、パ
ターン欠陥等の不良が発生しているか否かが判定される
ようになっている。
造歩留りを上げるために主要製造プロセス終了毎に、パ
ターンの断線／短絡等のパターン異常の原因となるウェ
ハ表面の異物検査が行われる。この異物検査は、外観検
査装置を用いて、例えば以下の手順で行われる。先ず、
被検査物たる半導体ウェハの、特定チップ表面に異物検
査用の光を照射してその反射光の明度を反射光検出器
（例えばＣＣＤ撮像デバイス）により検出する。そし
て、これに隣接する１又は２以上のチップに同様に検査
用の光を照射しその反射光の明度を検出する。そして、
２つのチップの同一パターンから反射された夫々の反射
光の明度を表す信号（明度信号）を互いに比較し、明度
の差分を表す検査信号（パラメータ信号）を得る。そし
て、このパラメータ信号に基づいてウェハ上に異物、パ
ターン欠陥等の不良が発生しているか否かが判定される
ようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。即ち、上記従来の半導体ウェ
ハの外観検査装置は、ウェハ上に付着した個々の異物、
パターン欠陥について、その大きさ、高さ、段差等の形
状や、色彩、表面の粗さ等の材質を表すパラメータ信号
を出力するのみで、これらのパターン不良の発生原因の
解析は、上記得られたパラメータ信号の値に基づいて、
熟練した設計者らが人為的に行っていた。このためパタ
ーン不良の発生原因を客観的に解析することは困難であ
り、不良発生原因の解析作業は、依然、その検査効率の
向上が図られていなかった。
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。即ち、上記従来の半導体ウェ
ハの外観検査装置は、ウェハ上に付着した個々の異物、
パターン欠陥について、その大きさ、高さ、段差等の形
状や、色彩、表面の粗さ等の材質を表すパラメータ信号
を出力するのみで、これらのパターン不良の発生原因の
解析は、上記得られたパラメータ信号の値に基づいて、
熟練した設計者らが人為的に行っていた。このためパタ
ーン不良の発生原因を客観的に解析することは困難であ
り、不良発生原因の解析作業は、依然、その検査効率の
向上が図られていなかった。
【０００４】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
ので、半導体ウェハ等の検査対象物の表面に発生した異
物、パターン欠陥等のパターン不良を検出すると共に、
当該検出結果に基づいて、その発生原因をも解析するこ
とができる外観検査装置を提供することをその主たる目
的とする。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴については、本明細書の記述および添附図面か
ら明らかになるであろう。
ので、半導体ウェハ等の検査対象物の表面に発生した異
物、パターン欠陥等のパターン不良を検出すると共に、
当該検出結果に基づいて、その発生原因をも解析するこ
とができる外観検査装置を提供することをその主たる目
的とする。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴については、本明細書の記述および添附図面か
ら明らかになるであろう。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。即ち、本発明は、試料台に搭載された検査
対象物に光線を照射する照射手段と、その反射光を検出
して検査対象物の表面に発生したパターン不良の特徴を
示すパラメータ信号を出力するパターン不良検出手段と
を具えた外観検査装置に、上記パターン不良検出手段に
よって得られた多数のパラメータ信号の値を、パターン
不良の発生原因に応じてグループ分けするパターン不良
分類手段と、グループ分けされたパターン不良を記憶す
る不良モード記憶手段と、上記パターン不良検出手段に
よって得られたパラメータ信号を、上記モード記憶手段
に記憶されている値と比較して、何れのグループに属す
るかを判断して不良発生原因を判定する不良モード判定
手段とを具えるようにしたものである。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。即ち、本発明は、試料台に搭載された検査
対象物に光線を照射する照射手段と、その反射光を検出
して検査対象物の表面に発生したパターン不良の特徴を
示すパラメータ信号を出力するパターン不良検出手段と
を具えた外観検査装置に、上記パターン不良検出手段に
よって得られた多数のパラメータ信号の値を、パターン
不良の発生原因に応じてグループ分けするパターン不良
分類手段と、グループ分けされたパターン不良を記憶す
る不良モード記憶手段と、上記パターン不良検出手段に
よって得られたパラメータ信号を、上記モード記憶手段
に記憶されている値と比較して、何れのグループに属す
るかを判断して不良発生原因を判定する不良モード判定
手段とを具えるようにしたものである。
【０００６】
【作用】外観検査装置によってその形状等が検出された
異物、パターン欠陥が、その検出結果に基づいて、自動
的にモード分類されるので、その発生原因の解析を客観
的に行うことができ、又、その解析結果を用いて更に詳
細な解析作業を簡易に行うことができるようになる。
異物、パターン欠陥が、その検出結果に基づいて、自動
的にモード分類されるので、その発生原因の解析を客観
的に行うことができ、又、その解析結果を用いて更に詳
細な解析作業を簡易に行うことができるようになる。
【０００７】
（第１実施例）以下、本発明の第１実施例を添付図面を
参照して説明する。図１は、本実施例の外観検査装置を
示すブロック図、図２は外観検査装置による分析手順を
示すフローチャートである。
参照して説明する。図１は、本実施例の外観検査装置を
示すブロック図、図２は外観検査装置による分析手順を
示すフローチャートである。
【０００８】上記外観検査装置は、外観検査が行われる
半導体ウェハ１が搭載される試料台（Ｘ−Ｙステージ）
１２と、当該ウェハ１に検査用光（Ｘｅランプ光）を照
射する光源（Ｘｅランプ）１３と、ウェハ上で反射した
Ｘｅレーザ光（反射光）を検知して検出信号を出力する
反射光検出器（ＣＣＤセンサ）１４と、外観検査装置の
動作制御並びに上記検査信号に基づいて、詳細は後述す
る解析処理を行なう外観検査制御装置１５と、解析結果
を記憶する記憶装置１６と、上記解析結果を出力する出
力装置（ＣＲＴ，プリンタ）１７とを具えている。
半導体ウェハ１が搭載される試料台（Ｘ−Ｙステージ）
１２と、当該ウェハ１に検査用光（Ｘｅランプ光）を照
射する光源（Ｘｅランプ）１３と、ウェハ上で反射した
Ｘｅレーザ光（反射光）を検知して検出信号を出力する
反射光検出器（ＣＣＤセンサ）１４と、外観検査装置の
動作制御並びに上記検査信号に基づいて、詳細は後述す
る解析処理を行なう外観検査制御装置１５と、解析結果
を記憶する記憶装置１６と、上記解析結果を出力する出
力装置（ＣＲＴ，プリンタ）１７とを具えている。
【０００９】このうち反射光検出器１４は、結像光学系
１９、レンズ２０を通した反射光をＣＣＤ素子にて検出
するもので、半導体ウェハ１に照射された反射光の強
度、波長等を測定し、測定結果に応じた検出信号を出力
する。
１９、レンズ２０を通した反射光をＣＣＤ素子にて検出
するもので、半導体ウェハ１に照射された反射光の強
度、波長等を測定し、測定結果に応じた検出信号を出力
する。
【００１０】外観検査制御装置１５は、Ｘ−Ｙステージ
１２のステップ移動量、光源１３によるビームの走査方
向及びビームの強度等を制御すると共に、これらの制御
状態と上記反射光検出器１４からの検出信号とに基づい
て、ウェハ上の異物（１ａ）、パターン欠陥の発生位
置、その形状（大きさ、高さ、段差等）、色彩等を検出
する。上記外観検査制御装置１５による判定の結果得ら
れた外観データ（付着位置、形状、色彩等を表すデー
タ）は記憶装置１６に所定の態様にて記憶される。
１２のステップ移動量、光源１３によるビームの走査方
向及びビームの強度等を制御すると共に、これらの制御
状態と上記反射光検出器１４からの検出信号とに基づい
て、ウェハ上の異物（１ａ）、パターン欠陥の発生位
置、その形状（大きさ、高さ、段差等）、色彩等を検出
する。上記外観検査制御装置１５による判定の結果得ら
れた外観データ（付着位置、形状、色彩等を表すデー
タ）は記憶装置１６に所定の態様にて記憶される。
【００１１】しかして、ウェハ上の異物、パターン欠陥
の、形状、色彩等の検出は、具体的には、以下のように
行われる。 半導体ウェハの、特定チップの全面に異物検査用の光
を照射してその反射光を結像光学系１９を通して反射光
検出器（例えばＣＣＤ撮像デバイス）１４上に結像さ
せ、当該検出信号に基づいて外観検査制御装置１５内で
チップ像を形成する。 既に検出され、記憶装置１６に記憶されている他のチ
ップ（同一パターンが形成されている）のチップ像に係
るデータ信号を上記制御装置１５に読み出す。 上記２つの像の差画像を得、この差画像に基づいて、
新たに発生した異物、パターン欠陥の特徴を得る。
の、形状、色彩等の検出は、具体的には、以下のように
行われる。 半導体ウェハの、特定チップの全面に異物検査用の光
を照射してその反射光を結像光学系１９を通して反射光
検出器（例えばＣＣＤ撮像デバイス）１４上に結像さ
せ、当該検出信号に基づいて外観検査制御装置１５内で
チップ像を形成する。 既に検出され、記憶装置１６に記憶されている他のチ
ップ（同一パターンが形成されている）のチップ像に係
るデータ信号を上記制御装置１５に読み出す。 上記２つの像の差画像を得、この差画像に基づいて、
新たに発生した異物、パターン欠陥の特徴を得る。
【００１２】このように得られた、異物、パターン欠陥
の特徴を表す差画像データは、図２のフローチャートに
従って、発生原因毎に、その分類が行われる。即ち、過
去の外観検査によって得られた差画像データは、予めス
テップ１で、その不良発生原因毎にグループ分けされ
（各差画像データのモード分類）、モード毎に記憶装置
１６に記憶される。尚、不良モードの分類の態様として
は、例えば、異物やパターン欠陥の大きさを検出し、そ
の大きさに応じてＡモード（〜１μｍ），Ｂモード（１
〜５μｍ），Ｃモード（５μｍ〜）と云う具合いに分類
する方法が考えられる。
の特徴を表す差画像データは、図２のフローチャートに
従って、発生原因毎に、その分類が行われる。即ち、過
去の外観検査によって得られた差画像データは、予めス
テップ１で、その不良発生原因毎にグループ分けされ
（各差画像データのモード分類）、モード毎に記憶装置
１６に記憶される。尚、不良モードの分類の態様として
は、例えば、異物やパターン欠陥の大きさを検出し、そ
の大きさに応じてＡモード（〜１μｍ），Ｂモード（１
〜５μｍ），Ｃモード（５μｍ〜）と云う具合いに分類
する方法が考えられる。
【００１３】一方、今回の外観検査によって得られた差
画像データは、制御装置１５にて出力され（ステップ
２）、上記各不良モードの差画像データ（記憶装置１６
に記憶されているデータ）と比較され（ステップ３）、
今回の差画像データが、これに近いデータが属している
不良モードに分類される（ステップ４）。この分離した
結果は、出力装置１７によって表示される（ステップ
５）。
画像データは、制御装置１５にて出力され（ステップ
２）、上記各不良モードの差画像データ（記憶装置１６
に記憶されているデータ）と比較され（ステップ３）、
今回の差画像データが、これに近いデータが属している
不良モードに分類される（ステップ４）。この分離した
結果は、出力装置１７によって表示される（ステップ
５）。
【００１４】このようにして、今回新たに検出された差
画像データの、不良モード分類（解析）が自動的に行わ
れた後は、この不良モードに基づいて、更に詳細な不良
発生原因の解析が行われる。
画像データの、不良モード分類（解析）が自動的に行わ
れた後は、この不良モードに基づいて、更に詳細な不良
発生原因の解析が行われる。
【００１５】（第２実施例）図３は、第２実施例の差画
像データの不良モード分類の方法を示すフローチャート
である。この第２実施例では、ウェハ上に発生した多数
のパターン不良を表す多数の差画像データを検出してお
き（ステップ１１）、斯く得られた多数の複数の差画像
データの特徴を互いに比較して、差画像データの特徴
（大きさ、形状、色彩等）が近似するもの同士を同じ不
良モードとして分類する（ステップ１２）。そして、特
定の差画像データの発生原因を、更に詳細に解析するの
であれば、当該不良モードを選択し、この不良モードに
係る差画像データを抽出して、他の解析方法（例えばＳ
ＥＭ分析）による、当該不良モード発生原因の詳細な解
析が行われる（ステップ１４）。
像データの不良モード分類の方法を示すフローチャート
である。この第２実施例では、ウェハ上に発生した多数
のパターン不良を表す多数の差画像データを検出してお
き（ステップ１１）、斯く得られた多数の複数の差画像
データの特徴を互いに比較して、差画像データの特徴
（大きさ、形状、色彩等）が近似するもの同士を同じ不
良モードとして分類する（ステップ１２）。そして、特
定の差画像データの発生原因を、更に詳細に解析するの
であれば、当該不良モードを選択し、この不良モードに
係る差画像データを抽出して、他の解析方法（例えばＳ
ＥＭ分析）による、当該不良モード発生原因の詳細な解
析が行われる（ステップ１４）。
【００１６】又、上記のようにウェハ上の異物、パター
ン欠陥を検出するとともに、一方で、ウェハ上に形成さ
れたＬＳＩのショート／オープン位置を検出して、これ
を記憶しておき、検出したパターン不良に係るデータ
と、この電気的な不良データとを互いに比較して、電気
的不良の詳細な原因解析を行うようにしてもよい。
ン欠陥を検出するとともに、一方で、ウェハ上に形成さ
れたＬＳＩのショート／オープン位置を検出して、これ
を記憶しておき、検出したパターン不良に係るデータ
と、この電気的な不良データとを互いに比較して、電気
的不良の詳細な原因解析を行うようにしてもよい。
【００１７】以上詳述したように、本実施例の外観検査
装置によれば、今回検出された異物、パターン欠陥の特
徴を表す差画像データを、当該検査装置内で、発生原因
が既に解析された他の差画像データと比較して、その不
良発生原因の大まか解析を自動的に行なうことができる
ので、その後の詳細な解析作業の高効率化が図られる。
装置によれば、今回検出された異物、パターン欠陥の特
徴を表す差画像データを、当該検査装置内で、発生原因
が既に解析された他の差画像データと比較して、その不
良発生原因の大まか解析を自動的に行なうことができる
ので、その後の詳細な解析作業の高効率化が図られる。
【００１８】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、本
実施例では不良モードを、異物、パターン欠陥の大きさ
に応じて分類したが、他の特徴、例えば外形（丸形、角
形）に応じて分類するなど他の分類方法を用いてもよ
い。又、本実施例では、半導体ウェハ上に異物、パター
ン欠陥について説明したが、転写用マスク（例えばレチ
クル、１：１マスク）等の表面に付着した異物等、他の
パターン不良についても本発明は適用できる。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、本
実施例では不良モードを、異物、パターン欠陥の大きさ
に応じて分類したが、他の特徴、例えば外形（丸形、角
形）に応じて分類するなど他の分類方法を用いてもよ
い。又、本実施例では、半導体ウェハ上に異物、パター
ン欠陥について説明したが、転写用マスク（例えばレチ
クル、１：１マスク）等の表面に付着した異物等、他の
パターン不良についても本発明は適用できる。
【００１９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。即ち、１つの外観検査装置で、半導体
ウェハ等の検査対象物の表面に発生したパターン不良の
検出と、パターン不良の発生原因に応じた分類とが行え
るので、不良原因の解析の高効率化が図られる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。即ち、１つの外観検査装置で、半導体
ウェハ等の検査対象物の表面に発生したパターン不良の
検出と、パターン不良の発生原因に応じた分類とが行え
るので、不良原因の解析の高効率化が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例の外観検査装置を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】外観検査装置による分析手順を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図３】第２実施例の差画像データの不良モード分類の
方法を示すフローチャートである。
方法を示すフローチャートである。
１ 半導体ウェハ １２ 試料台（Ｘ−Ｙステージ） １３ 光源（Ｘｅランプ） １４ 反射光検出器（ＣＣＤセンサ） １５ 外観検査装置 １６ 記憶装置
Claims (4)
- 【請求項１】 試料台に搭載された検査対象物に光線を
照射する照射手段と、その反射光を検出して検査対象物
の表面に発生したパターン不良の特徴を示すパラメータ
信号を出力するパターン不良検出手段と、上記パターン
不良検出手段によって得られた多数のパラメータ信号の
値を、パターン不良の発生原因に応じてグループ分けす
るパターン不良分類手段と、グループ分けされたパター
ン不良を記憶する不良モード記憶手段と、上記パターン
不良検出手段によって得られたパラメータ信号を、上記
モード記憶手段に記憶されている値と比較して、何れの
グループに属するかを判断して不良発生原因を判定する
不良モード判定手段とを具備したことを特徴とする外観
検査装置。 - 【請求項２】 上記パラメータ信号は、パターン不良を
なす異物、パターン欠陥の、大きさ、高さ、段差、色
彩、表面粗さの少なくとも１つを表すことを特徴とする
請求項１に記載の外観検査装置。 - 【請求項３】 試料台に搭載された検査対象物に光線を
照射する照射手段と、その反射光を検出して検査対象物
の表面に発生したパターン不良の特徴を示すパラメータ
信号を出力するパターン不良検出手段と、上記パターン
不良検出手段によって得られた複数のパラメータ信号を
互いに比較してパターン不良の特徴が近似するもの同士
にグループ分けする不良モード分類手段とを具備したこ
とを特徴とする外観検査装置。 - 【請求項４】 試料台に搭載された検査対象物に光線を
照射してその反射光を検出することにより当該検査対象
物の表面に発生したパターン不良を検出する外観検査装
置を用いて、複数の検査対象物のパターン不良に係るデ
ータを収集し、斯く収集したデータをパターンの特徴に
応じて複数のモードに分類しておき、新たに検出したパ
ターン不良を上記複数のモードに分類された収集データ
と比較し、上記新たに検出されたパターン不良が上記何
れのモードに分類されるかを判別し、分類されたモード
に基づいて不良発生原因の解析を行なうことを特徴とす
る外観検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30385693A JP3314217B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30385693A JP3314217B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 外観検査装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29669299A Division JP3348059B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159333A true JPH07159333A (ja) | 1995-06-23 |
| JP3314217B2 JP3314217B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=17926121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30385693A Expired - Lifetime JP3314217B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3314217B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003098111A (ja) * | 2000-09-21 | 2003-04-03 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法およびその装置 |
| JP2006105926A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Nikon Corp | 検査装置 |
| JP2006112939A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
| US7262425B2 (en) | 2000-09-21 | 2007-08-28 | Hitachi, Ltd. | Method and its apparatus for inspecting particles or defects of a semiconductor device |
| JP2016212488A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 大日本印刷株式会社 | 検査システム、検査方法、プログラムおよび記憶媒体 |
-
1993
- 1993-12-03 JP JP30385693A patent/JP3314217B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003098111A (ja) * | 2000-09-21 | 2003-04-03 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法およびその装置 |
| US7262425B2 (en) | 2000-09-21 | 2007-08-28 | Hitachi, Ltd. | Method and its apparatus for inspecting particles or defects of a semiconductor device |
| US7411207B2 (en) | 2000-09-21 | 2008-08-12 | Hitachi, Ltd. | Method and its apparatus for inspecting particles or defects of a semiconductor device |
| JP2006105926A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Nikon Corp | 検査装置 |
| JP2006112939A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
| JP2016212488A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 大日本印刷株式会社 | 検査システム、検査方法、プログラムおよび記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3314217B2 (ja) | 2002-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6661912B1 (en) | Inspecting method and apparatus for repeated micro-miniature patterns | |
| US8903158B2 (en) | Inspection system and inspection method | |
| JP3938227B2 (ja) | 異物検査方法および装置 | |
| JP4408298B2 (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
| JP4733154B2 (ja) | 異物検査方法及び異物検査装置 | |
| US20080239289A1 (en) | Method and apparatus for inspecting a semiconductor device | |
| JP2022043365A (ja) | 検査装置、検査方法、欠陥検出プログラム | |
| CN103972124A (zh) | 图案化晶圆缺点检测系统及其方法 | |
| JPH0575062B2 (ja) | ||
| JP3971943B2 (ja) | 光学的検査方法及び光学的検査システム | |
| JP3793668B2 (ja) | 異物欠陥検査方法及びその装置 | |
| JP7015235B2 (ja) | 範囲に基づくリアルタイム走査電子顕微鏡非可視ビナー | |
| JP3314217B2 (ja) | 外観検査装置 | |
| TW202225675A (zh) | 雜訊圖案化特徵之檢測 | |
| JP4015436B2 (ja) | 金めっき欠陥検査装置 | |
| JPH0868618A (ja) | 半導体装置の製造システム及び製造方法 | |
| JP2647051B2 (ja) | 外観検査装置 | |
| JP4052733B2 (ja) | パターン付きウエハの異物検査方法 | |
| JP3348059B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002116155A (ja) | 異物・欠陥検査装置及び検査方法 | |
| JP4408902B2 (ja) | 異物検査方法および装置 | |
| JP3142991B2 (ja) | レーザ走査装置および画像形成方法 | |
| JP2003057193A (ja) | 異物検査装置 | |
| US20070053578A1 (en) | Pattern inspection apparatus and method and reticle for use therein | |
| JPH09145627A (ja) | 半導体検査方法および装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080607 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080607 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090607 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100607 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110607 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110607 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110607 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120607 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120607 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130607 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130607 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140607 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |