JPH0690961B2 - 抵抗材料及びこれらから製造された温度測定用センサー中の温度依存性抵抗層 - Google Patents
抵抗材料及びこれらから製造された温度測定用センサー中の温度依存性抵抗層Info
- Publication number
- JPH0690961B2 JPH0690961B2 JP2318181A JP31818190A JPH0690961B2 JP H0690961 B2 JPH0690961 B2 JP H0690961B2 JP 2318181 A JP2318181 A JP 2318181A JP 31818190 A JP31818190 A JP 31818190A JP H0690961 B2 JPH0690961 B2 JP H0690961B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- resistance
- glass frit
- weight
- resistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 24
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 229910004247 CaCu Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 5
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- GXCLVBGFBYZDAG-UHFFFAOYSA-N N-[2-(1H-indol-3-yl)ethyl]-N-methylprop-2-en-1-amine Chemical compound CN(CCC1=CNC2=C1C=CC=C2)CC=C GXCLVBGFBYZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001919 chlorite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052619 chlorite group Inorganic materials 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G55/00—Compounds of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum
- C01G55/002—Compounds containing ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium or platinum, with or without oxygen or hydrogen, and containing two or more other elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/021—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、銅及びルテニウムを含有する酸化物及びガラ
スフリツトを含有する抵抗材料及びその使用に関する。
スフリツトを含有する抵抗材料及びその使用に関する。
導電相として、一般式： MxM′2-xM″2O7-z 〔式中Ｍは銀及び／又は銅であり、Ｍ′はビスマス又は
ビスマス最少1/2＋カドミウム、鉛、イツトリウム、タ
リウム、インジウム及び／又は希土類金属1/2までより
なる混合物であり、Ｍ″はルテニウム、イリジウム及び
／又はルテニウム及び／又はイリジウム最少3/4及び白
金及び／又はチタン及び／又はロジウム1/4までよりな
る混合物である〕で表わされるバイクロール（pychlor:
黄緑石）類似結晶構造を有する多元酸化物（polynaere
oxide）を含有する電気抵抗材料は、西ドイツ特許出願
公告第3403667号明細書に記載されている。これは、５
〜90％の量で、ガラスフリツト又は他の適当な無機結合
剤と一緒になつて、（印刷可能であるべきために）更に
例えばテルピネオール中のエチルセルロースの溶液から
の液状有機担持剤を含有する抵抗物質の固体分を成して
いる。この抵抗材料を誘電性基材例えば酸化アルミニウ
ム上で約650〜950℃で焼結させることにより、特に低い
比抵抗及び温度に対する比抵抗の平担な応答を有する抵
抗体を製造することができる。
ビスマス最少1/2＋カドミウム、鉛、イツトリウム、タ
リウム、インジウム及び／又は希土類金属1/2までより
なる混合物であり、Ｍ″はルテニウム、イリジウム及び
／又はルテニウム及び／又はイリジウム最少3/4及び白
金及び／又はチタン及び／又はロジウム1/4までよりな
る混合物である〕で表わされるバイクロール（pychlor:
黄緑石）類似結晶構造を有する多元酸化物（polynaere
oxide）を含有する電気抵抗材料は、西ドイツ特許出願
公告第3403667号明細書に記載されている。これは、５
〜90％の量で、ガラスフリツト又は他の適当な無機結合
剤と一緒になつて、（印刷可能であるべきために）更に
例えばテルピネオール中のエチルセルロースの溶液から
の液状有機担持剤を含有する抵抗物質の固体分を成して
いる。この抵抗材料を誘電性基材例えば酸化アルミニウ
ム上で約650〜950℃で焼結させることにより、特に低い
比抵抗及び温度に対する比抵抗の平担な応答を有する抵
抗体を製造することができる。
欧州特許第110167号の発明は、大きい比表面積を有し、
＋25℃〜＋125℃の領域での抵抗の温度係数に関して相
対的に低い値を有する抵抗体を得るために好適である、
一般式： Bi2-xMxB2O7-z 〔式中Ｍはドミウム、銅、鉛、インジウム、カドリニウ
ム及び／又は銀であり、Ｂはルテニウム及び／又はイン
ジウムである〕のバイロクロール化合物の製法に関す
る。
＋25℃〜＋125℃の領域での抵抗の温度係数に関して相
対的に低い値を有する抵抗体を得るために好適である、
一般式： Bi2-xMxB2O7-z 〔式中Ｍはドミウム、銅、鉛、インジウム、カドリニウ
ム及び／又は銀であり、Ｂはルテニウム及び／又はイン
ジウムである〕のバイロクロール化合物の製法に関す
る。
西ドイツ特許出願第P3914844.0号明細書からは、一般
式： MxM′ｙ(Pb,Bi)2-x-yRu2O7-z 〔式中Ｍ＝銅及び／又は銀、Ｍ′＝カルシウム、ストロ
ンチウム及び／又はバリウム〕の酸化物を含有する抵抗
材料が公知である。この抵抗材料から製造された抵抗層
は、低い温度係数及び＋25℃〜125℃の範囲での抵抗の
温度係数と−55℃〜＋25℃の範囲での抵抗の温度係数と
の間の僅かな差異において優れている。
式： MxM′ｙ(Pb,Bi)2-x-yRu2O7-z 〔式中Ｍ＝銅及び／又は銀、Ｍ′＝カルシウム、ストロ
ンチウム及び／又はバリウム〕の酸化物を含有する抵抗
材料が公知である。この抵抗材料から製造された抵抗層
は、低い温度係数及び＋25℃〜125℃の範囲での抵抗の
温度係数と−55℃〜＋25℃の範囲での抵抗の温度係数と
の間の僅かな差異において優れている。
本発明の課題は、空気中で燃焼可能で、比較的高い面抵
抗で、抵抗の高い温度係数を有する厚層‐抵抗素子を製
造するための、前記種類の特性を有する抵抗材料を見つ
けることである。
抗で、抵抗の高い温度係数を有する厚層‐抵抗素子を製
造するための、前記種類の特性を有する抵抗材料を見つ
けることである。
この課題を解決する抵抗材料は、本発明により、その酸
化物がCaCu3Ru4O12及び／又はLaCu3Ru4O12より成ること
を特徴とする。
化物がCaCu3Ru4O12及び／又はLaCu3Ru4O12より成ること
を特徴とする。
抵抗材料は、それが酸化物５〜90重量％有利に10〜50重
量％及びガラスフリツト10〜95重量％有利に50〜90重量
％より成る際に、特に有効である。
量％及びガラスフリツト10〜95重量％有利に50〜90重量
％より成る際に、特に有効である。
ペロブスキー石類似結晶構造を有する酸化物CaCu3Ru4O
12及びLaCu3Ru4O12は、ジヤーナル・オブ・ソリツド・
ステート・ケミストリイ（Journal of Solid State Che
mistry）33、357〜261（1980）から公知のように、炭酸
カルシウムもしくは酸化ランタンと酸化銅及び酸化ルテ
ニウムとの反応により製造することができる。
12及びLaCu3Ru4O12は、ジヤーナル・オブ・ソリツド・
ステート・ケミストリイ（Journal of Solid State Che
mistry）33、357〜261（1980）から公知のように、炭酸
カルシウムもしくは酸化ランタンと酸化銅及び酸化ルテ
ニウムとの反応により製造することができる。
ガラスフリツトとしては、この目的に慣用のガラスフリ
ツトのいずれを含有していてもよい。酸化物CaCu3Ru4O
12及び／又はLaCu3RuO12をアルミノ珪酸鉛‐ガラスフリ
ツト又はアルミノ珪酸鉛‐ガラスフリツトと一緒に含有
する抵抗材料は特に好適であると立証された。
ツトのいずれを含有していてもよい。酸化物CaCu3Ru4O
12及び／又はLaCu3RuO12をアルミノ珪酸鉛‐ガラスフリ
ツト又はアルミノ珪酸鉛‐ガラスフリツトと一緒に含有
する抵抗材料は特に好適であると立証された。
この抵抗材料は、固体と共に、大抵は、なお液状担持剤
としての有機媒体を含有し、固体約65〜85重量％含有す
るペースト（これは例えばスクリーン印刷法で誘電性基
材上に施与される）として存在する。この液状担持剤
は、大抵、有機ポリマーの溶液例えば有機溶剤例えば通
例、抵抗ペースト用に使用されるようなテルピネオール
又はブチルカルビトール（ブチルジグリコールアセテー
ト）中のアクリル樹脂又はエチルセルロースから成る。
としての有機媒体を含有し、固体約65〜85重量％含有す
るペースト（これは例えばスクリーン印刷法で誘電性基
材上に施与される）として存在する。この液状担持剤
は、大抵、有機ポリマーの溶液例えば有機溶剤例えば通
例、抵抗ペースト用に使用されるようなテルピネオール
又はブチルカルビトール（ブチルジグリコールアセテー
ト）中のアクリル樹脂又はエチルセルロースから成る。
抵抗ペーストは、常法で、これを形成する成分の混合に
より製造される。例えば酸化アルミニウムから成る基材
上へのこのペーストのプリント（Aufdrucken）及び溶剤
の蒸発によるこのペーストの乾燥の後に、プリントされ
た基材を約700〜900℃で空気中で焼成する。
より製造される。例えば酸化アルミニウムから成る基材
上へのこのペーストのプリント（Aufdrucken）及び溶剤
の蒸発によるこのペーストの乾燥の後に、プリントされ
た基材を約700〜900℃で空気中で焼成する。
この抵抗材料から本発明により製造された抵抗層は、抵
抗の高い正の温度係数により優れている。約10〜500Ω
／□の面抵抗で、これは、＋25℃〜＋125℃の範囲で100
0ppm/Kより大きい抵抗の温度係数を有する。
抗の高い正の温度係数により優れている。約10〜500Ω
／□の面抵抗で、これは、＋25℃〜＋125℃の範囲で100
0ppm/Kより大きい抵抗の温度係数を有する。
従つて、この抵抗材料は、特に、温度測定用のセンサー
中の温度依存性抵抗層の製造のために好適である。
中の温度依存性抵抗層の製造のために好適である。
詳細な説明のために、次の例で、抵抗ペーストとして存
在する本発明による抵抗材料の製造及びこのペーストか
らの抵抗層の製造を記載する。
在する本発明による抵抗材料の製造及びこのペーストか
らの抵抗層の製造を記載する。
酸化アルミニウム基材上のペーストの焼成により得られ
る抵抗層の層厚ｄ〔μｍ〕、面抵抗Rf〔Ω／□〕及び＋
25℃〜＋125℃の範囲における抵抗の温度係数HTCR〔ppm
/K〕（Hot Temperature Coefficient of Resistance）
を示す。
る抵抗層の層厚ｄ〔μｍ〕、面抵抗Rf〔Ω／□〕及び＋
25℃〜＋125℃の範囲における抵抗の温度係数HTCR〔ppm
/K〕（Hot Temperature Coefficient of Resistance）
を示す。
例１ CaCu3Ru4O12 22.2重量％及びPbO 62重量％、SiO2 29重
量％、Al2O3 6重量％及びCdO 3重量％よりなる平均粒径
３〜６μｍのガラスフリツト77.8重量％からなる混合物
及びテルピオネール中のエチルセルロースの５％溶液を
3:1の割合でローラ（Walzenstuhl）上で加工してペース
トにする。このペーストを不銹鋼篩（200メツシユ）を
通して50×50×0.63mmの寸法のAl2O3基板上に印刷し、
空気中、150℃で10分間乾燥させ、通過炉内で850℃で10
分間焼成する（炉内帯留時間は合計１時間）。
量％、Al2O3 6重量％及びCdO 3重量％よりなる平均粒径
３〜６μｍのガラスフリツト77.8重量％からなる混合物
及びテルピオネール中のエチルセルロースの５％溶液を
3:1の割合でローラ（Walzenstuhl）上で加工してペース
トにする。このペーストを不銹鋼篩（200メツシユ）を
通して50×50×0.63mmの寸法のAl2O3基板上に印刷し、
空気中、150℃で10分間乾燥させ、通過炉内で850℃で10
分間焼成する（炉内帯留時間は合計１時間）。
こうして製造された抵抗層の乾燥された層の厚さ、25μ
ｍの乾燥層の厚さに対する面抵抗及び抵抗の温度係数を
表に記載する。
ｍの乾燥層の厚さに対する面抵抗及び抵抗の温度係数を
表に記載する。
例２ LaCu3Ru4O12 22.2重量％及びPbO 62重量％、SiO2 29重
量％、Al2O3 6重量％及びCdO 3重量％よりなる平均粒径
３〜６μｍのガラスフリツト77.8重量％からなる混合物
及びテルピネオール中のエチルセルロースの５％溶液を
3:1の割合でローラ上でペーストに加工する。このペー
ストを不銹鋼篩（200メツシユ）を通し、50×50×0.63m
mの寸法のAl2O3‐基板上に印刷し、空気中、150℃で10
分間乾燥させ、次いで、通過炉内で850℃で10分間焼成
させる（炉内帯留時間合計１時間）。
量％、Al2O3 6重量％及びCdO 3重量％よりなる平均粒径
３〜６μｍのガラスフリツト77.8重量％からなる混合物
及びテルピネオール中のエチルセルロースの５％溶液を
3:1の割合でローラ上でペーストに加工する。このペー
ストを不銹鋼篩（200メツシユ）を通し、50×50×0.63m
mの寸法のAl2O3‐基板上に印刷し、空気中、150℃で10
分間乾燥させ、次いで、通過炉内で850℃で10分間焼成
させる（炉内帯留時間合計１時間）。
このように製造した抵抗層の乾燥層の厚さ、25μｍの乾
燥層厚に対する面抵抗及び抵抗の温度係数を表中に示
す。
燥層厚に対する面抵抗及び抵抗の温度係数を表中に示
す。
例３ LaCu3Ru4O12 22.2重量％及びPbO 49.5重量％、SiO2 34
重量％、B2O3 8.4重量％、Al2O3 3.1重量％及びCaO 5重
量％よりなる平均粒径３〜６μｍのガラスフリツト77.8
重量％からなる混合物及びテルピオネール中のエチルセ
ルロースの５％溶液を3:1の割合でローラ上でペースト
に加工する。このペーストを不銹鋼篩（200メツシユ）
を通して50×50×0.63mmの寸法のAl2O3‐基板上に印刷
し、空気中、150℃で10分間乾燥させ、次いで、通過炉
内で850℃で10分間焼成する（炉内帯留時間は合計１時
間）。
重量％、B2O3 8.4重量％、Al2O3 3.1重量％及びCaO 5重
量％よりなる平均粒径３〜６μｍのガラスフリツト77.8
重量％からなる混合物及びテルピオネール中のエチルセ
ルロースの５％溶液を3:1の割合でローラ上でペースト
に加工する。このペーストを不銹鋼篩（200メツシユ）
を通して50×50×0.63mmの寸法のAl2O3‐基板上に印刷
し、空気中、150℃で10分間乾燥させ、次いで、通過炉
内で850℃で10分間焼成する（炉内帯留時間は合計１時
間）。
こうして製造された抵抗層の乾燥層厚、25μｍの乾燥層
厚に対する面抵抗及び抵抗の温度係数を表中に示す。
厚に対する面抵抗及び抵抗の温度係数を表中に示す。
例３で製造した抵抗層の電気抵抗の温度挙動を特性付け
るために、０〜180℃の範囲で、0.1mAの電流の使用下に
その抵抗を測定する。
るために、０〜180℃の範囲で、0.1mAの電流の使用下に
その抵抗を測定する。
温度ｔ（℃）における抵抗及び０℃での抵抗の割合Rt/R
oにより表現される抵抗の依存性を第１図に示す。
oにより表現される抵抗の依存性を第１図に示す。
第１図は、本発明の例３による抵抗層の0.1mAの電流使
用下における温度依存性を示す図である。
用下における温度依存性を示す図である。
フロントページの続き (72)発明者 カール‐ハインツ・グルドナー ドイツ連邦共和国アシヤツフエンブルク・ ハナウエル・シユトラーセ ４ (72)発明者 ユルゲン・デホウスト ドイツ連邦共和国ハナウ９・クロツエンブ ルガー・シユトラーセ ９ (72)発明者 クリスチーナ・モーデス ドイツ連邦共和国ダルムシユタツト・フロ トヴシユトラーセ 23 (72)発明者 ヨアヒム・シユミツト ドイツ連邦共和国ハナウ１・フリートベル ガー・シユトラーセ 15 (72)発明者 ライナー・キーメル ドイツ連邦共和国テユービンゲン・シエー フシユトラーセ27 (72)発明者 シビレ・ケムラー‐ザック ドイツ連邦共和国テユービンゲン・モルト ケシユトラーセ10
Claims (9)
- 【請求項１】銅及びルテニウムを含有する酸化物及びガ
ラスフリツトを含有する抵抗材料において、この酸化物
は、CaCu3RuO12及び／又はLaCu3Ru4O12より成ることを
特徴とする、抵抗材料。 - 【請求項２】酸化物５〜90重量％及びガラスフリツト10
〜95重量％を含有する、請求項１記載の抵抗材料。 - 【請求項３】酸化物10〜50重量％及びガラスフリツト50
〜90重量％を含有する、請求項２記載の抵抗材料。 - 【請求項４】ガラスフリツトはアルミノ珪酸鉛‐ガラス
フリツトである、請求項１から３までのいずれか１項記
載の抵抗材料。 - 【請求項５】ガラスフリツトはアルミノ硼珪酸鉛‐ガラ
スフリツトである、請求項１から３までのいずれか１項
記載の抵抗材料。 - 【請求項６】CaCu3Ru4O12及びアルミノ珪酸鉛‐又はア
ルミノ硼珪酸鉛‐ガラスフリツトを含有する、請求項１
から５までのいずれか１項記載の抵抗材料。 - 【請求項７】LaCu3Ru4O12及びアルミノ珪酸鉛‐又はア
ルミノ硼珪酸鉛‐ガラスフリツトを含有する、請求項１
から５までのいずれか１項記載の抵抗材料。 - 【請求項８】付加的に液体担持剤としての有機媒体を含
有する、請求項１から８までのいずれか１項記載の抵抗
材料。 - 【請求項９】請求項１から８までのいずれか１項記載の
抵抗材料を使用して製造された、温度測定用センサー中
の温度依存性抵抗層。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3941283.0 | 1989-12-14 | ||
| DE3941283A DE3941283C1 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190201A JPH03190201A (ja) | 1991-08-20 |
| JPH0690961B2 true JPH0690961B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=6395446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2318181A Expired - Lifetime JPH0690961B2 (ja) | 1989-12-14 | 1990-11-26 | 抵抗材料及びこれらから製造された温度測定用センサー中の温度依存性抵抗層 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5244601A (ja) |
| EP (1) | EP0432353B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0690961B2 (ja) |
| KR (1) | KR970010985B1 (ja) |
| DE (2) | DE3941283C1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4127845C1 (ja) * | 1991-08-22 | 1992-11-19 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau, De | |
| US5534194A (en) * | 1993-03-30 | 1996-07-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor composition containing pyrochlore and silver-containing binder |
| US5491118A (en) * | 1994-12-20 | 1996-02-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Cadmium-free and lead-free thick film paste composition |
| US20060043772A1 (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | L&L Products, Inc. | Baffle and system formed therewith |
| JP6848327B2 (ja) * | 2016-10-19 | 2021-03-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 正温度係数抵抗体用組成物、正温度係数抵抗体用ペースト、正温度係数抵抗体ならびに正温度係数抵抗体の製造方法 |
| JP7039075B2 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-03-22 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 導電性材料、導電性セラミックス、導電性ペースト、導電性材料膜、複合酸化物の製造方法、導電性ペーストの製造方法及び導電性材料膜の製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3630969A (en) * | 1969-10-24 | 1971-12-28 | Du Pont | Resistor compositions containing pyrochlore-related oxides and platinum |
| DE2115814C3 (de) * | 1971-04-01 | 1975-10-30 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Widerstandspaste und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Dickschichtwiderstandes |
| US3896055A (en) * | 1973-01-26 | 1975-07-22 | Du Pont | Pyrochlore-related oxides containing copper and/or silver and resistor compositions thereof |
| DE2403628A1 (de) * | 1973-01-26 | 1974-08-15 | Du Pont | Pulvermassen aus polynaeren oxiden und kupfer |
| US3950597A (en) * | 1973-01-26 | 1976-04-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Powder compositions of polynary oxides and copper |
| US3974107A (en) * | 1974-03-27 | 1976-08-10 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Resistors and compositions therefor |
| CA1191022A (en) * | 1981-12-29 | 1985-07-30 | Eiichi Asada | Resistor compositions and resistors produced therefrom |
| US4420422A (en) * | 1982-11-01 | 1983-12-13 | E. I. Du Pont De Nemours & Co. | Method for making high surface area bismuth-containing pyrochlores |
| JPS60221358A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-06 | 日本碍子株式会社 | 電気絶縁体用セラミック組成物 |
| US4536328A (en) * | 1984-05-30 | 1985-08-20 | Heraeus Cermalloy, Inc. | Electrical resistance compositions and methods of making the same |
| JPH0812802B2 (ja) * | 1986-11-14 | 1996-02-07 | 株式会社日立製作所 | サ−マルヘツド用厚膜抵抗体材料，サ−マルヘツド用厚膜抵抗体，並びにサ−マルヘツド |
| US4814107A (en) * | 1988-02-12 | 1989-03-21 | Heraeus Incorporated Cermalloy Division | Nitrogen fireable resistor compositions |
| US4906406A (en) * | 1988-07-21 | 1990-03-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermistor composition |
| US4961999A (en) * | 1988-07-21 | 1990-10-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermistor composition |
| DE3914844A1 (de) * | 1989-05-05 | 1990-11-08 | Heraeus Gmbh W C | Pyrochlorverwandte oxide und sie enthaltende widerstandsmassen |
-
1989
- 1989-12-14 DE DE3941283A patent/DE3941283C1/de not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-06-26 EP EP90112107A patent/EP0432353B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-26 DE DE59005524T patent/DE59005524D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-17 KR KR1019900018682A patent/KR970010985B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-11-26 JP JP2318181A patent/JPH0690961B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-10 US US07/624,979 patent/US5244601A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3941283C1 (ja) | 1991-01-31 |
| EP0432353B1 (de) | 1994-04-27 |
| KR910013307A (ko) | 1991-08-08 |
| JPH03190201A (ja) | 1991-08-20 |
| EP0432353A2 (de) | 1991-06-19 |
| EP0432353A3 (en) | 1991-12-27 |
| US5244601A (en) | 1993-09-14 |
| DE59005524D1 (de) | 1994-06-01 |
| KR970010985B1 (ko) | 1997-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0164666B1 (ko) | 카드뮴 및 납을 함유하지 않는 후막 페이스트 조성물 | |
| US3682840A (en) | Electrical resistor containing lead ruthenate | |
| EP0115798B1 (en) | Stain-resistant ruthenium oxide-based resistors | |
| WO2012091901A1 (en) | Improved thick film resistive heater compositions comprising silver and ruthenium dioxide, and methods of making same | |
| EP0114310B1 (en) | Carbon monoxide sensing element and process for manufacturing it | |
| CN102005273A (zh) | 一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法 | |
| JPS61260605A (ja) | セラミツク湿度センサ | |
| JPH0690961B2 (ja) | 抵抗材料及びこれらから製造された温度測定用センサー中の温度依存性抵抗層 | |
| KR0130831B1 (ko) | 후막 레지스터 조성물(thick film resistor composition) | |
| US5069824A (en) | Oxides of the pyrochlore family and electrically resistant materials that contain them | |
| US4743881A (en) | Ceramic temperature sensor | |
| US4647895A (en) | Ceramic temperature sensor | |
| RU2086027C1 (ru) | Способ изготовления толстопленочных резисторов | |
| JPH0821484B2 (ja) | 厚膜抵抗体を製造するための抵抗組成物 | |
| CA1196990A (en) | Gas sensor | |
| JPH0469591B2 (ja) | ||
| JP3294705B2 (ja) | 高温焼成用導電ペーストおよび透光性導電膜 | |
| EP0722175B1 (en) | Resistance paste and resistor comprising the material | |
| JPH07105282B2 (ja) | 抵抗体及び抵抗体の製造方法 | |
| JPH11135303A (ja) | 厚膜サーミスタ組成物 | |
| JPS61136978A (ja) | 厚膜回路形成用導電ペ−スト | |
| JP2743383B2 (ja) | 抵抗体の製造方法及びサーマルヘッドの製造方法 | |
| US4693843A (en) | Resistance paste | |
| JP2829552B2 (ja) | ガス検知素子 | |
| JPH07104309B2 (ja) | ガスセンサの製造方法 |