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JPH0546622B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0546622B2
JPH0546622B2 JP59174736A JP17473684A JPH0546622B2 JP H0546622 B2 JPH0546622 B2 JP H0546622B2 JP 59174736 A JP59174736 A JP 59174736A JP 17473684 A JP17473684 A JP 17473684A JP H0546622 B2 JPH0546622 B2 JP H0546622B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
track
guide track
reflected light
guide
optical memory
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP59174736A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6151631A (ja
Inventor
Yoshikazu Fujii
Tetsuya Inui
Toshihisa Deguchi
Kenji Oota
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP59174736A priority Critical patent/JPS6151631A/ja
Priority to DE8585305895T priority patent/DE3582984D1/de
Priority to CA000488958A priority patent/CA1247237A/en
Priority to EP85305895A priority patent/EP0173533B1/en
Publication of JPS6151631A publication Critical patent/JPS6151631A/ja
Priority to US07/978,039 priority patent/US5341362A/en
Publication of JPH0546622B2 publication Critical patent/JPH0546622B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • G11B7/24085—Pits
    • G—PHYSICS
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Landscapes

  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は、光により情報の記録、再生、消去の
少なくとも一つの動作を行なう光磁気メモリ素子
に関するものであり、更に詳細には光磁気メモリ
素子のガイドトラツク或いはトラツク番地の形状
に関するものである。
＜発明の技術的背景とその問題点＞ 近年、光メモリ素子は高密度大容量メモリ素子
として注目されている。この光メモリ素子は、そ
の使用形態により、再生専用メモリ、追加記録可
能メモリ、及び書き換え可能メモリの３種に分け
ることが出来る。
このうち、追加記録可能メモリ及び書き換え可
能メモリとして使用する光メモリ素子は、情報の
記録、再生を行なう光ビームを光メモリ素子の所
定の位置に案内するために、通常ガイドトラツク
を備えている。また、ガイドトラツクが何番目の
トラツクかを識別するために、ガイドトラツクの
一部をビツト状に形成したトラツク番地を備えた
ものもある。
例えば、第１図に示す様な光デイスクメモリ
は、その基板１にガイドトラツク２及びトラツク
番地３が同心もしくは螺旋状に形成されている。
なお、第１図においては簡略化して、１本のガイ
ドトラツク２及びトラツク番地３のみを示してい
る。
第２図にガイドトラツク２部分及びトラツク番
地３部分の拡大図（数本）を示し、第３図に第２
図点線部Ａ−Ａ又はＢ−Ｂの断面図を示す。ｈは
ガイドトラツク或いはトラツク番地の幅であり、
ｄは深さである。この形状（幅、深さ）は、ガイ
ドトラツク２部分とトラツク番地３部分とでは必
ずしも一致させるとはかぎらないが、通常、ガイ
ドトラツク２部分に対してはトラツキングサーボ
信号が最大になるようにｄ＝λ／8nを目安に形
成され、トラツク番地３部分については番地信号
が最大になるようにｄ＝λ／4nを目安に形成さ
れていた。但し、λは光メモリ素子に使用するレ
ーザ光等の波長であり、またｎは基板１のガイド
トラツク２或いはトラツク番地３形成部分の屈折
率である。
第４図に断面拡大図を示す。ｍは情報の記録媒
体層であり、情報の記録、再生等は、ガイドトラ
ツク２内の記録媒体層ｍにレーザ光スポツト４を
あて、様々な変化を起こさしめ記録し、後にレー
ザ光スポツト４をあて該変化を信号として読み出
し再生する。
従来、ガイドトラツク２の形状はトラツキング
サーボ信号を最大にする様な形状に設定されてお
り、情報の記録再生信号にとつては必ずしも好ま
しい形状とは言えない。例えば、ガイドトラツク
２のない平らな記録上の記録媒体からの再生信号
は、ガイドトラツク２の有る場合に比べて明らか
に品質がよい結果を得ている。これは、ガイドト
ラツク２によつて信号ビツトが制限されることが
ないために、信号量が増加することもさることな
がら、ガイドトラツク２の形成されたエツジ部分
の形状に起因するノイズ成分がないことも大きな
要因となつている。追加記録可能メモリ及び書き
換え可能メモリとして使用する光メモリ素子に
は、ガイドトラツクは必要なものであるため、ガ
イドトラツク形状に起因するノイズをいかに小さ
くし、また、信号量をいかに大きくするかが問題
となつている。
また、トラツク番地３部分（第２図参照）につ
いては、その形成の容易さ・困難さと番地信号量
（信号品質）との兼ね合いから決まるものであり、
決してｄ＝λ／4nでなければならない必要性は
ない。
＜発明の目的＞ 本発明は、光磁気メモリ素子基板のガイドトラ
ツクの形状を改良し、品質の良い記録再生信号を
得る光磁気メモリ素子を提供すること、及びトラ
ツク番地ビツトの形状を改良し、容易に形成され
品質の良いトラツク番地信号を得る光磁気メモリ
素子を提供することを目的とする。
＜実施例＞ 以下、 Ｏはじめに Ａ反射光量について （Ａ−１） 平面にレーザ光スポツトが当つた
場合の反射光量 （Ａ−２） 凹凸面にレーザ光スポツトが当つ
た場合の反射光量 Ｂトラツク番地信号量について Ｃトラツクサーボ信号量について Ｄトラツク形状によるノイズ量について Ｅまとめ の順で本発明の一実施例を詳細に説明する。
Ｏはじめに 第５図に情報の記録、再生を行なう光ヘツドと
光メモリ素子との関係図を示す。
１１は、レーザ光源５、コリメートレンズ６、
ハーフプリズム７、対物レンズ８、集光レンズ
９、デイテクター１０等を含む光ヘツドであり、
情報の記録（又は消去）は、光メモリ素子の記録
媒体層ｍの所定の位置にレーザ光スポツト４を対
物レンズ８によつて集光して行ない、情報の再生
は、同様に光メモリ素子の所定の位置にレーザ光
スポツト４を集光し、該光スポツトの反射光を対
物レンズ８、ハーフプリズム７、集光レンズ９な
どを通してデイテクター１０に当てて読み出す。
なお、光ヘツド１１には、記録、再生の原理に応
じてさらに様々な光学素子等が含まれるが、本発
明には直接関係しないので省略する。
次に、光メモリ素子の記録媒体層ｍの所定の位
置にレーザ光スポツト４を精度良くあてるための
トラツキングサーボとガイドトラツクの効果につ
いて説明する。
第６図に対物レンズ８と入射レーザ光スポツト
４との関係を示す。対物レンズ８の開口面におけ
る入射光の強度分布がガウス分布である場合、焦
点位置での光スポツトの強度分布（図面で符号Ｇ
で表わされる）はおよそガウス分布であり、 ｉ（ｒ）＝i0・exp（−２・r2／r0 2） で表わされる。ここで、r0は光強度ｉ（r0）が中
心強度ipの１／e2となる半径であり、およそ r0＝tp／π・λ／NA 程度の大きさである。ここで、λはレーザ光の波
長、NAは対物レンズ８の開口数を表わす。又to
は対物レンズ８の開口面における入射光の強度分
布（ガウス分布）半径と、NAとの相対関係によ
つて決まる値であり、光ヘツド１１に使用される
光学系の場合、通常tp＝1.2〜1.4の値をとる。
第７図ａ，ｂ，ｃにそれぞれ異なる条件時の反
射光の強度分布図Ga′，Gb′，Gc′を示す。第７図
ａは平面に光スポツトが当つた場合の反射光分布
であり、およそガウス分布をしている。第７図ｂ
はガイドトラツクの様な段差の有る部分のちよう
ど中心に光スポツト中心が当つた場合の反射光分
布であり、段差の回折の影響により、トラツクの
走る方向と垂直方向に拡がつた形の強度分布とな
る。第７図ｃはガイドトラツクの中心から少しず
れた点に光スポツト中心が当つた場合の反射光分
布であり、ずれた方向に強度分布が偏り、非対称
な強度分布となる。
第７図ｃの様な非対称性、即ち左右の光強度の
差を、２つのデイテクター１０（第５図参照）に
入る光強度の差として検出したものが、トラツク
サーボ信号となる。即ち、第７図ｂの様に中心に
光スポツトが当つている場合、トラツクサーボ信
号は０となり、第７図ｃの様に横にずれた場合、
そのずれた方向に応じて（＋，−）の出力となる。
また、第７図ｂの段差部分からの反射光は回折
により横に拡がるため、対物レンズ８の開口を通
つてデイテクター１０に入る反射光量は、第７図
ａの様の平面からの反射光量に比べて小さい。こ
の光量の変化を信号として出力したものがトラツ
ク番地信号である。即ち、トラツク番地部分の様
にガイドトラツクの一部をビツト状に形成した場
合、光スポツトをその上に走査させた時、反射光
は第７図ａとｂの状態をくり返し、反射光量の増
減変化がビツト列として検出される。
以上により、トラツクサーボ信号とトラツク番
地信号について簡単な説明を行なつた。情報の記
録再生信号は、ガイドトラツク内の記録媒体層の
様々な変化を反射光の強度変化として検出するこ
とにより行なう。また、前述したトラツク形状に
起因したノイズは、トラツク形状の変化によつて
反射光の回折効率が変化し、デイテクターに入射
する反射光量が変化することによつて起こる。
以下、それぞれの信号量とガイドトラツク形状
との関係について詳細に説明する。
Ａ反射光量について （Ａ−１） 平面にレーザ光スポツトが当つた場
合の反射光量 平面に半径r0のレーザ光スポツトが当たり（光
スポツト強度分布Ｇがガウス分布であり、中心強
度の１／e2となる強度半径を光スポツトの半径r0
とする）、その反射光のうち対物レンズ８の開口
（開口数NA）内に入る光量I0は、 I0＝１−e-2to で表わされる。ここで、反射されてくる全光量を
１とした。t0は t0＝r0／λ／π・NA で表わされ、t0＝1.2〜1.4であるため、I0＝0.94〜
0.95の値をとる。
（Ａ−２） 凹凸面にレーザ光スポツトが当つた
場合の反射光量 ガイドトラツクやトラツク番地ビツト部分等の
段差の有る部分に、半径r0のレーザ光スポツトが
当つた場合、第７図ｂの様に、トラツク深さｄ
（基板の屈折率をｎとすれば光学的な深さはnd）、
トラツク幅ｈとすれば、反射光のうち対物レンズ
８の開口内に入る光量Ｄは、前記平面反射光量I0
で規格化すれば、 Ｄ＝１−１／I0・〓(d)・〓(h) で表わされる。
ここで、〓(d)は深さの関数であり、 〓(d)＝１−cos（4πδ）；δ＝nd〓 〓(h)は幅の関数であり、 〓(h)＝４／π∫2〓0 ∫t0 0ω・Ｆ（１−Ｆ）dωdθ Ｆ＝∫s -s １／√πe1-(x+i

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ガイドトラツクの一部をビツト状に形成した
    トラツク番地ビツトを具備する光磁気メモリ素子
    において、 光磁気メモリ素子に使用するレーザ光等の波長
    がλ、ガイドトラツク及びトラツク番地ビツト形
    成部分の屈折率がｎのとき、 深さｄがλ／24n≦ｄ≦λ／12n、 幅ｈが0.5・λ／NA≦ｈ≦0.7・λ／NA であるガイドトラツクと、 深さd′がλ／8n≦d′≦λ／4n、 幅h′が0.18・λ／NA≦h′≦0.38・λ／NA であるトラツク番地ビツトと を備えることを特徴とする光磁気メモリ素子。 ２ ガイドトラツクの一部をビツト状に形成した
    トラツク番地ビツトを具備する光磁気メモリ素子
    において、 光磁気メモリ素子に使用するレーザ光等の波長
    がλ、ガイドトラツク及びトラツク番地ビツト形
    成部分の屈折率がｎのとき、 深さｄがλ／24n≦ｄ≦λ／12n、 幅ｈが0.5・λ／NA≦ｈ≦0.7・λ／NA であるガイドトラツクと、 深さd′がλ／24n≦d′≦λ／12n、 幅h′が0.18・λ／NA≦h′≦0.38・λ／NA であるトラツク番地ビツトと を備えることを特徴とする光磁気メモリ素子。
JP59174736A 1984-08-20 1984-08-20 光磁気メモリ素子 Granted JPS6151631A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59174736A JPS6151631A (ja) 1984-08-20 1984-08-20 光磁気メモリ素子
DE8585305895T DE3582984D1 (de) 1984-08-20 1985-08-19 Optische speichervorrichtung.
CA000488958A CA1247237A (en) 1984-08-20 1985-08-19 Optical memory device
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Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59174736A JPS6151631A (ja) 1984-08-20 1984-08-20 光磁気メモリ素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6151631A JPS6151631A (ja) 1986-03-14
JPH0546622B2 true JPH0546622B2 (ja) 1993-07-14

Family

ID=15983767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59174736A Granted JPS6151631A (ja) 1984-08-20 1984-08-20 光磁気メモリ素子

Country Status (4)

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EP (1) EP0173533B1 (ja)
JP (1) JPS6151631A (ja)
CA (1) CA1247237A (ja)
DE (1) DE3582984D1 (ja)

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