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JPH0518186B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0518186B2
JPH0518186B2 JP59207838A JP20783884A JPH0518186B2 JP H0518186 B2 JPH0518186 B2 JP H0518186B2 JP 59207838 A JP59207838 A JP 59207838A JP 20783884 A JP20783884 A JP 20783884A JP H0518186 B2 JPH0518186 B2 JP H0518186B2
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JP
Japan
Prior art keywords
guide groove
address signal
width
pit
magneto
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59207838A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6185653A (ja
Inventor
Kenji Oota
Yoshikazu Fujii
Tetsuya Inui
Toshihisa Deguchi
Shigemi Maeda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP59207838A priority Critical patent/JPS6185653A/ja
Priority to EP93102191A priority patent/EP0543800B1/en
Priority to DE3588191T priority patent/DE3588191T2/de
Priority to CA000491998A priority patent/CA1248229A/en
Priority to DE85307022T priority patent/DE3587708T2/de
Priority to EP97112534A priority patent/EP0811968B1/en
Priority to DE3588236T priority patent/DE3588236T2/de
Priority to EP85307022A priority patent/EP0178116B1/en
Publication of JPS6185653A publication Critical patent/JPS6185653A/ja
Publication of JPH0518186B2 publication Critical patent/JPH0518186B2/ja
Priority to US08/447,738 priority patent/US5828649A/en
Priority to US08/447,739 priority patent/US5809005A/en
Priority to US09/008,581 priority patent/US6055223A/en
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ＜発明の技術分野＞ 本発明はレーザ光等の光によつて情報の記録、
再生、消去の少なくとも１つの動作を行なう光磁
気メモリ素子に関するものである。
＜発明の技術的背景とその問題点＞ 近年、光により情報の記録、再生、消去等を行
う光メモリ素子が高密度大容量メモリとして各方
面で注目されている。特に記録素子を円板状にし
た光デイスクメモリはテープ状の素子に比べて高
速アクセスが可能であるという特長があり、多く
の研究が成されている。
この光メモリ素子は、その記録単位が1μｍφ
程度の大きさであるため、記録再生あるいは消去
時に光ビームを所定の位置に持つて来ることが重
要な技術となつて来る。即ち、機械的な精度のみ
で位置決めを行うことは困難になるため、各種サ
ーボ技術が用いられている。
例えば、光デイスクメモリにおいて円板の面ぶ
れに対応してはフオーカスサーボが用いられ、芯
ぶれに対してはトラツキングサーボが用いられて
いる。後者は再生専用メモリにおいては既に記録
されているビツト（通常はPMMA、ポリカーボ
ネート等の基板に設けられた凹凸の穴）を参照し
て行うことが出来るが、追加記録可能なメモリ
（いわゆるWrite−onceメモリ）あるいは消去再
記録可能なメモリでは、予め案内となる溝とその
溝の位置を示すピツト状の番地信号部とを基板に
形成しておくことが普通である。
例えば追加記録可能なメモリに用いられる従来
の案内溝の構造を第１０図を参照しながら説明す
る。
第１０図は従来の光メモリ円板に設けられた同
心あるいは螺旋状の案内溝に沿つた円板の断面一
部拡大図である。
第１０図において１はPMMAあるいはガラス
等よりなる厚さ１〜1.5mm程度の基板であり、２
は案内溝を設けるための感光性樹脂層（いわゆる
2P層であり厚さは10μｍ〜100μｍ程度である）で
ある。また３は情報を記録すべき案内溝であり、
４はその案内溝３の番号を示す番地信号用のピツ
ト部である。このピツト部４は通常番地信号が最
適に再生される深さがλ／4n（但しλは再生レー
ザ光の波長、ｎは2P層の屈折率）に設定され、
案内溝３の部分はトラツキング信号を多くとるた
めにλ／8nの深さに作られている。
上記案内溝３及び番地信号用ピツト部４は上述
のごとき2P法かPMMAやポリカーボネート等の
樹脂を成形して記録板と案内溝３、ピツト部４を
一体に作製するのが一般的である。しかしいずれ
も記録媒体が樹脂面に積層されるため樹脂層に含
まれる水分が記録媒体を劣化さす原因となる。
そこで上記問題点を解決するため、本出願人は
先に、ガラス基板に直接凹凸溝を形成する方法を
特願昭58−84613（「光メモリ素子の製造方法」）と
して提案している。
この方法は、基板上にレジスト膜を被覆し、レ
ジスト膜にレーザ光で案内溝及び番地信号を記録
し、現像した後リアクテイブイオンエツチングに
よつてそのパターンをガラス基板に直接形成する
方法である。この方法によれば案内溝３及び番地
信号部４の深さは、ガラス基板がリアクテイブイ
オンエツチング時のプラズマにさらされる時間に
よつて決まるため、案内溝部３と番地信号部４の
深さを異ならせることは困難になる。そのため番
地信号出力、トラツキング出力あるいは該読出し
信号出力を考慮して案内溝と番地信号部の形状を
決めねばならなくなる。
＜発明の目的＞ 本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであ
り、トラツキング信号、番地信号及び記録情報の
再生信号を充分に取ることは可能な形状の案内溝
部及び番地信号用ビツ部を備えた光磁気メモリ素
子を提供することを目的としている。
＜発明の構成＞ 上記目的を達成するため、本発明の光磁気メモ
リ素子は、案内溝部とこの案内溝部の溝幅より狭
いピツト幅を有する上記の案内溝部の番地を表わ
す番地信号用ピツト部とを備えるように構成され
ている。
＜発明の実施例＞ 以下、図面を参照して本発明の一実施例を挙げ
て詳細に説明する。
第１図は本発明の光磁気メモリ素子の案内溝部
及び該案内溝部の番地を表わす番地信号用ピツト
部の拡大図であり、第２図は案内溝部に沿つた光
磁気メモリ素子用円板の断面一部拡大図である。
第１図及び第２図において、１１はガラス等の
基板、１２は基板１１に形成された案内溝、１３
は基板１１に形成された案内溝１２の番号を示す
番地信号用ピツト部であり、第１図に示すように
ピツト部１３ピツトの幅t1が案内溝１２の溝幅t2
より狭く形成されている。
第３図は記録した情報の書き換えが可能な光磁
気デイスク用の光学系の構成を示す概念図であ
り、１１はガラス基板、１５は光磁気記録媒体、
１６は対物レンズ、１７は反射レンズ、１８はビ
ームスプリツタ、１９はビーム形状整形プリズ
ム、２０はコリメータレンズ、２１は半導体レー
ザ、２２はビームスプリツタ、２３はレンズ、２
４はシリンドリカルレンズ、２５は４分割PINフ
オトダイオード、２６はλ/2フイルタ板、２７は
レンズ、２８は偏光ビームスプリツタ、２９及び
３０はアバランシエフオトダイオードである。
上記第３図においてトラツキング信号は４分割
PINフオトダイオード２５からプツシユプル法を
用いて得られるように構成されており、番地信号
は２個のアバランシエフオトダイオード２９及び
３０の出力の和をとることによつて得られるよう
に構成されており、又情報信号はフオトダイオー
ド２９及び３０の差をとることによる、いわゆる
差動検出法で得られるように構成されている。ま
た対物レンズ１６のN.A.は0.6でありビームは
１／e2の所で約1.1μｍに絞られている。
第４図は第３図の光学系で再生される光磁気デ
イスクの案内溝１２に直交した方向の断面を一部
拡大した図で凹凸案内溝付きガラス基板１１上に
AlN膜３１、GdTbFe３２、AlN膜３３及び
AlNi膜３４を積層している。
第５図は第４図における案内溝（トラツク）深
さを700Åにした光磁気デイスクに1MHzの信号を
記録再生した時のＣ／Ｎをトラツク幅t2の関数と
してプロツトしたものである。
第６図ａは第５図の測定に用いた光磁気デイス
クのトラツク幅0.75μｍにおける番地信号の再生
波形を示す図であり同図ｂは0.48μｍトラツク幅
における番地信号の再生波形を示している。
上記の第５図から明らかなように、情報信号の
Ｃ／Ｎをトラツク幅が広い程良い。これは第７図
ａに示すようにビーム径３６と信号ビツト３５の
幅t3との関係に依存し理想的には第７図ｂの様に
ビーム径３６よりビツト３５の幅が大きいものが
良いこと、又案内溝付きデイスクにおいてはビツ
ト幅は案内溝１２の幅t2に制限されることの２点
から容易に説明される。
又、第６図からは更に番地信号用ピツト幅t1が
狭い方が良いことが分る。これはピツト幅t1が広
いと例えば第７図(b)において信号ビツト３５を番
地信号用ピツトと考えた場合、ビーム３６がピツ
ト３５の中央に来た場合はビーム３６がすつぽり
とピツト３５の中に入つてしまい実質上ピツトが
無い場合に等しくなり、デイテクタに返る光量が
増すことになる。そのため第６図ａに示すように
信号は中央部が高くなつている。
以上のように、光磁気記録においては、深さ約
λ／8n（即ち650〜700Å程度）の案内溝１２及び
番地信号用ピツト１３を有する場合、第１図に示
すように案内溝１２の幅t2が広く、番地信号用ピ
ツト部１３の幅t1が狭い程良いことが分る。
また、上記の如き構成、即ち第１図、第２図及
び第４図に示すような円板に第３図に示す構造の
光学ヘツドを用いる場合には、トラツク幅t2は1μ
ｍ以内であれば、充分なトラツキング信号が得ら
れた。
以上のように本発明の光磁気メモリ素子の構造
の特徴の一つは第１図に示すように案内溝部と番
地信号用ピツト部の深さが同じ場合、番地信号用
ピツト部の幅を狭くし、案内溝部の幅を広くした
ところにある。
次に、本発明を実施したガラスデイスクの作製
方法について、工程順に説明する。
工程(i)…酸素、水分等の通過に対して信頼性の高
い（水分等を通過させない）ガラス基板１１の
上にレジスト膜３７を塗布する。
工程(ii)…上記ガラス基板１１の上に塗布したレジ
スト膜３７にArレーザ等の光３８変調器３９，
４０、ミラー４１及び集光レンズ４２を介して
照射した光磁気メモリ素子用の案内（ガイド）
溝（第１図１２参照）の幅t2と同一の幅を持つ
線及び番地信号用ピツト部１３を記録する幅t1
の断続線を書き込む（第８図）。このレジスト
膜３７にレーザ光３８で案内溝１２及び番地信
号部１３を記録する工程で案内溝１２を記録す
るレーザパワーを番地信号部１３を記録するレ
ーザパワーより大きくすることによつて、本発
明の上記した特徴を備えた案内溝１２及び番地
信号部１３の各幅を得ることが可能となる。
具体的には第８図に示すようにレーザ（たと
えばAr）光３８の光路の途中に光変調器３９
及び４０を入れ、一方を番地信号の変調に用
い、他方を番地信号の記録時だけパワーを若千
下げるように作動させることで可能である。な
お、この場合、必ずしも２つの変調器を使用せ
ずとも入力により変調度がリニアに変化する変
調器を用い、第８図の符号４３で示した番地信
号部の記録の入力パワー高さを符号４４で示し
た案内溝部の記録時だけ入力するパワー高さよ
りも低くして記録すれば良い。
工程(iii)…上記線及び断続線を書き込んだレジスト
膜３７を現像工程に通すことで上記レジスト膜
３７に凹凸の溝を形成する。
工程(iv)…上記凹凸の溝を形成したレジスト膜３７
の被覆状態において、CF4、CHF3等のエツチ
ングガス中でスパツタリング（リアクテイブイ
オンエツチング）を行ないガラス基板１１に溝
１２及びピツト部１３を形成する。
工程(v)…上記レジスト膜３７をアセトン等の溶
媒、O2中でのスパツタリング法により除去す
る。この結果ガラス基板１１に溝幅t2の案内溝
１２及びピツト幅t1の番地信号用ピツト部１３
が形成される。
以上のようにして、第１図に示した形状の案内
溝１２及び番地信号用ピツト部１３がガラス基板
１１上に形成される。
なお、上記実施例においては、ガラス円板、光
磁気デイスクの組合せに基づいて説明したが、本
発明は必ずしも上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の主旨の範囲内での種々の変形及び
適用が可能であることは言うまでもない。
＜発明の効果＞ 以上の如く、本発明によればトラツキングサー
ボ信号、番地信号、情報再生信号の全てに渡つて
品質の良い光磁気メモリ素子を得ることが出来
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光磁気メモリ素子の案内溝部
及び該案内溝部の番地を表わす番地信号用ピツト
部の拡大図、第２図は案内溝部に沿つた光磁気メ
モリ素子用円板の断面一部拡大図、第３図は光磁
気デイスク用ピツクアツプの構成を示す概念図、
第４図は光磁気デイスクの断面を示す一部拡大
図、第５図はＣ／Ｎとトラツク幅の関係を示す
図、第６図ａ及びｂはそれぞれトラツク幅による
番地信号の差を示す図、第７図ａ及びｂはそれぞ
れ記録信号もしくは番地信号用ピツト部とビーム
径の関係を示す図、第８図は本発明の光磁気メモ
リ素子を製造するための一手段を示す図、第９図
は本発明の光磁気メモリ素子を製造するための電
気入力信号の一例を示す図、第１０図は従来の光
デイスク基板の断面構造を示す一部拡大図であ
る。 １１……ガラス基板、１２……案内溝、１３…
…番地信号用ピツト部、t1……ピツト部のピツト
幅、t2……案内溝の溝幅。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 案内溝部と、 該案内溝部の溝幅より狭いピツト幅を有する上
    記案内溝の番地を表す番地信号用ピツト部とを備
    えたことを特徴とする光磁気メモリ素子。 ２ 前記案内溝部及び番地信号用ピツト部は各々
    レーザ光によつて記録形成され、且つ前記番地信
    号用ピツト部の光パワーを案内溝部の光パワーよ
    りも少なくして記録形成せしめるように成したこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁
    気メモリ素子。
JP59207838A 1984-10-02 1984-10-02 光磁気メモリ素子 Granted JPS6185653A (ja)

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