JPH05343294A - Contraction projecting exposure apparatus - Google Patents
Contraction projecting exposure apparatusInfo
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は縮小投影露光装置に関
し、特に半導体基板(以下、ウェハという)のオリエン
テーションフラット(以下、OFという)を検出して半
導体基板の位置合せを行う縮小投影露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reduction projection exposure apparatus, and more particularly to a reduction projection exposure apparatus which detects an orientation flat (hereinafter referred to as OF) of a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a wafer) and aligns the semiconductor substrate. ..
【0002】[0002]
【従来の技術】通常、縮小投影露光装置は、露光前にウ
ェハのプリアライメントを行っている。ウェハがOF位
置合せ部に搬入されるとウェハを回転させ、例えば赤色
LED光源を用いてOFを検出して所定位置になるよう
合わせる。その後、位置決めピンにウェハを押し付け、
正確に位置合せして露光ステージに搬送していた。2. Description of the Related Art Generally, a reduction projection exposure apparatus pre-aligns a wafer before exposure. When the wafer is carried into the OF alignment section, the wafer is rotated, and the OF is detected by using, for example, a red LED light source, and the wafer is aligned to a predetermined position. After that, press the wafer against the positioning pins,
It was accurately aligned and conveyed to the exposure stage.
【0003】ところが、ここで新たな問題が出てきた。
レジストを塗布した半導体基板の周辺部やエッジにレジ
ストがあると、プロセスを行う装置内での位置決め時や
スパッタ時のツメでつかむ時にレジストがはがれ、装置
内を汚染してしまう。これを解決するための方法とし
て、特開昭62−286246号がある。However, a new problem has arisen here.
If there is a resist on the peripheral portion or edge of the semiconductor substrate coated with the resist, the resist is peeled off during positioning in a device for performing a process or when it is gripped by a claw during sputtering, and the inside of the device is contaminated. As a method for solving this, there is JP-A-62-286246.
【0004】この従来の縮小投影露光装置は図3,図4
に示すように、ウェハ16がベルト20で搬送されてO
F位置合せ部に搬入されると、ウェハ16がウェハ位置
出し用ローラ19及びOF位置決めローラ18に当接し
て位置が決まったとき、真空チャック21にてウェハ1
6を吸着し、搬送ベルト20と接触しない程度に持上げ
て回転させる。This conventional reduction projection exposure apparatus is shown in FIGS.
As shown in FIG.
When the wafer 16 is carried into the F alignment section and abuts on the wafer positioning roller 19 and the OF positioning roller 18, the position of the wafer 16 is determined.
6 is adsorbed, lifted and rotated to the extent that it does not come into contact with the conveyor belt 20.
【0005】縮小投影露光装置の光源24から光ファイ
バー25にて露光波長の光を発光部17まで導き、発光
部17からウェハ16の周辺部及びエッジに向けて照射
する。Light of the exposure wavelength is guided from the light source 24 of the reduction projection exposure apparatus to the light emitting section 17 by the optical fiber 25, and the light is emitted from the light emitting section 17 toward the peripheral portion and the edge of the wafer 16.
【0006】発光部17から照射される光は露光波長の
光であり、発光部17からウェハ16に光を照射させつ
つウェハ16を回転させれば、ウェハ16の周辺及びエ
ッジは露光される。The light emitted from the light emitting portion 17 is light having an exposure wavelength, and if the wafer 16 is rotated while irradiating the wafer 16 with light from the light emitting portion 17, the periphery and edges of the wafer 16 are exposed.
【0007】このとき、ウェハ16の下方に受光部22
が設置してあるから、ウェハ16のOF16aが発光部
17と対向する位置にきた場合と、受光部22がウェハ
16のOF16a以外の周辺で覆われている場合とで発
光部17から受光部22に達する光量が違うから、その
違いからOF16aの回転方向位置を検出できる。At this time, the light receiving portion 22 is provided below the wafer 16.
Since the OF 16a of the wafer 16 comes to a position facing the light emitting unit 17, and the light receiving unit 22 is covered by the periphery of the wafer 16 other than the OF 16a, the light emitting unit 17 receives light. Since the amount of light reaching the point of is different, the rotational direction position of the OF 16a can be detected from the difference.
【0008】このようにして何回か回転させ、周辺及び
エッジを露光しながらOF16aの回転方向位置を検出
したあと、ウェハ16を搬送ベルト20上にOF位置が
ほぼOF位置決めローラ18同士を結ぶ線と平行になる
ような方向に合わせて降ろし、真空チャック21による
吸着を止め、ウェハ位置決め用ピン23を押してウェハ
16のOF16aを位置決めローラ18に押しあてて位
置決めを行ってから露光用ステージに搬送する。In this way, after rotating several times to detect the rotational direction position of the OF 16a while exposing the periphery and the edge, the wafer 16 is placed on the conveyor belt 20 and the OF position is a line connecting the OF positioning rollers 18 to each other. The vacuum chuck 21 stops the suction, and the wafer positioning pin 23 is pressed to press the OF 16a of the wafer 16 against the positioning roller 18 to perform positioning, and then the wafer is conveyed to the exposure stage. ..
【0009】このように、ウェハ周辺部を露光してしま
うので、現像後ウェハ周辺部にレジストが残らず、した
がって、次に行うプロセスで使用する装置内部を汚染し
ないというメリットがあった。As described above, since the peripheral portion of the wafer is exposed, there is an advantage that the resist does not remain on the peripheral portion of the wafer after development and therefore the inside of the apparatus used in the next process is not contaminated.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ウェハ周辺部のレジス
トを露光すれば、その部分のレジストを除去することが
できるが、ある規定量の露光エネルギーを与えてやらね
ばならず、公知例のような周辺露光部においては装置的
な制約などにより、周辺露光部における照度にも制限が
ある。When the resist on the peripheral portion of the wafer is exposed, the resist on the peripheral portion can be removed, but it is necessary to give a specified amount of exposure energy, as in the known example. In the peripheral exposure unit, the illuminance in the peripheral exposure unit is also limited due to device restrictions and the like.
【0011】したがって、周辺露光時間つまりウェハ回
転時間を増やして規定量の露光エネルギーを稼いでい
た。このため、周辺露光しないステッパーでは、OFの
回転位置検出時間のみウェハを回転させれば良かったの
であるが、公知例のようなステッパーでは周辺露光時間
が余分にかかるので、結果としてステッパーのスループ
ットを低下させる場合があった。Therefore, the peripheral exposure time, that is, the wafer rotation time is increased to obtain a specified amount of exposure energy. For this reason, in a stepper that does not perform peripheral exposure, it suffices to rotate the wafer only during the rotational position detection time of the OF. There was a case to lower.
【0012】また、少しでもプリアライメント終了まで
の時間を短縮する必要があるが、公知例ではウェハの周
辺露光が終了すると、真空吸着を外してから新ためてウ
ェハ位置決めピンの押しつけによるプリアライメントの
動作を行わねばならなかったので、余分に時間が掛かっ
ていた。Although it is necessary to shorten the time until the completion of pre-alignment as much as possible, in the known example, when the peripheral exposure of the wafer is completed, the vacuum suction is removed and a new pre-alignment is performed by pressing the wafer positioning pin. It took extra time because I had to do some work.
【0013】本発明の目的は、ウェハの周辺露光とプリ
アライメントの動作を並行して行い、処理能力の低下を
防ぐ縮小投影露光装置を提供することにある。It is an object of the present invention to provide a reduction projection exposure apparatus that performs a peripheral exposure of a wafer and a pre-alignment operation in parallel to prevent a reduction in processing capacity.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る縮小投影露光装置は、ウェハ回転部
と、2軸移動機構と、ウェハ回転位置検出機構と、照射
部及び受光部と、一軸移動機構と、受光部検出機構と、
演算ユニットとを有する縮小投影露光装置であって、ウ
ェハ回転部は、半導体基板を吸着し回転させるものであ
り、2軸移動機構は、ウェハ回転部を、半導体基板と平
行な平面内に直交する2軸方向に移動させるものであ
り、ウェハ回転位置検出機構は、ウェハ回転部の回転角
度を検出するものであり、照射部及び受光部は、ウェハ
回転部上の半導体基板より外側に設けられ、半導体基板
の径方向に対して移動可能であり、照射部は、パターン
転写用と別光源であり、半導体基板周辺部及び端面のフ
ォトレジストに照射して露光するものであり、受光部
は、照射部に対して半導体基板周辺部を挾んで対向して
設けられ、照射部からの光が半導体基板で遮られた量に
応じた光量を受光するものであり、一軸移動機構は、照
射部及び受光部をウェハ回転部上の半導体基板に対し径
方向に移動させるものであり、受光部検出機構は、受光
部の位置データを検出するものであり、演算ユニット
は、半導体基板の回転に伴ない受光部が受光した光量の
増減に応じて該光量が規定値になる位置に照射部及び受
光部を一軸移動機構により移動させて照射部による露光
を実行させる機能と、受光部検出機構及びウェハ回転位
置検出機構の位置データに基いて半導体基板のウェハ回
転部上での偏心度合及び半導体基板のオリエンテーショ
ンフラットの回転位置を求め、ウェハ回転部を2軸移動
機構により2軸方向に移動させて半導体基板の偏心度合
を補正するとともに、ウェハ回転部により半導体基板を
角回転させオリエンテーションフラットの位置を補正す
る基板のプリアライメントを実行する機能とを並行して
行うものである。In order to achieve the above object, a reduction projection exposure apparatus according to the present invention comprises a wafer rotation unit, a biaxial movement mechanism, a wafer rotation position detection mechanism, an irradiation unit and a light receiving unit. , A uniaxial moving mechanism, a light receiving section detecting mechanism,
A reduction projection exposure apparatus having an arithmetic unit, wherein a wafer rotating unit is for adsorbing and rotating a semiconductor substrate, and a biaxial moving mechanism is such that the wafer rotating unit is orthogonal to a plane parallel to the semiconductor substrate. The wafer rotation position detection mechanism detects the rotation angle of the wafer rotation unit, and the irradiation unit and the light reception unit are provided outside the semiconductor substrate on the wafer rotation unit. It is movable in the radial direction of the semiconductor substrate, and the irradiation part is a light source for pattern transfer and is a separate light source for irradiating and exposing the photoresist on the peripheral part and the end face of the semiconductor substrate. It is provided so as to face the peripheral part of the semiconductor substrate with respect to the part, and receives the amount of light according to the amount of the light from the irradiation part blocked by the semiconductor substrate. Part The light-receiving unit detection mechanism detects the position data of the light-receiving unit in the radial direction with respect to the semiconductor substrate on the rotating unit, and the arithmetic unit receives light received by the light-receiving unit as the semiconductor substrate rotates. The function of moving the irradiation unit and the light receiving unit by the uniaxial moving mechanism to the position where the light amount becomes a specified value according to the increase or decrease of the light amount, and executing the exposure by the irradiation unit, and the function of the light receiving unit detection mechanism and the wafer rotation position detection mechanism. Based on the position data, the eccentricity of the semiconductor substrate on the wafer rotating part and the rotational position of the orientation flat of the semiconductor substrate are obtained, and the wafer rotating part is moved in the two axis directions by the two-axis moving mechanism to determine the eccentricity of the semiconductor substrate. A function to perform the pre-alignment of the substrate by correcting the position of the orientation flat by angularly rotating the semiconductor substrate by the wafer rotating unit. It is performed in parallel.
【0015】[0015]
【作用】プリアライメント動作と、周辺露光動作とを並
行して行うことにより、処理能力の低下を防止する。By performing the pre-alignment operation and the peripheral exposure operation in parallel, it is possible to prevent a decrease in processing capacity.
【0016】[0016]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は、本発明の一実施例を示す断面図、図2は、
同平面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention, and FIG.
It is the same top view.
【0017】図1において、本ユニットは、図示しない
ウェハ搬送ユニットからウェハを受け取り、ウェハの周
辺露光と、ウェハのセンタリング、ウェハのOF位置決
めを行い、図示しないウェハ搬送ユニットを介して露光
ステージ上へウェハを供給することを目的とする。In FIG. 1, this unit receives a wafer from a wafer transfer unit (not shown), performs peripheral exposure of the wafer, performs centering of the wafer, and OF positioning of the wafer, and moves it onto an exposure stage via the wafer transfer unit (not shown). The purpose is to supply a wafer.
【0018】図1において、本実施例は、ウェハ回転部
としての真空チャック2と、2軸移動機構としてのXス
テージ4及びYステージ5と、ウェハ回転位置検出機構
3と、照射部6及び受光部としてのCCDセンサ11
と、一軸移動機構としてのモータ8及び送りネジ7と、
受光部検出機構としてのリニアスケール9と、演算ユニ
ット13とを有する縮小投影露光装置である。Referring to FIG. 1, this embodiment shows a vacuum chuck 2 as a wafer rotating unit, an X stage 4 and a Y stage 5 as a biaxial moving mechanism, a wafer rotational position detecting mechanism 3, an irradiation unit 6 and a light receiving unit. CCD sensor 11 as a part
And a motor 8 and a feed screw 7 as a uniaxial moving mechanism,
This is a reduction projection exposure apparatus having a linear scale 9 as a light receiving section detection mechanism and an arithmetic unit 13.
【0019】ウェハ回転部としての真空チャック2は、
モータを有し、ウェハ1を吸着し回転させるものであ
る。The vacuum chuck 2 as the wafer rotating unit is
It has a motor and sucks and rotates the wafer 1.
【0020】2軸移動機構としてのXYステージ4,5
は、真空チャック2を、ウェハ1と平行な平面内に直交
する2軸方向に移動させるものである。XY stages 4 and 5 as a biaxial moving mechanism
Is for moving the vacuum chuck 2 in two axial directions orthogonal to a plane parallel to the wafer 1.
【0021】ウェハ回転位置検出機構3は、エンコーダ
から構成され、真空チャック2の回転角度を検出するも
のである。The wafer rotation position detection mechanism 3 is composed of an encoder and detects the rotation angle of the vacuum chuck 2.
【0022】照射部6及び受光部11は、真空チャック
2上のウェハ1より外側に設けられ、ウェハ1の径方向
に対して移動可能である。The irradiation unit 6 and the light receiving unit 11 are provided outside the wafer 1 on the vacuum chuck 2 and are movable in the radial direction of the wafer 1.
【0023】照射部6は、ウェハ1の表面上のフォトレ
ジストを露光マスクを介して露光する露光波長帯域の光
を供給するパターン転写用の光源と異なる光源からな
り、半導体基板周辺部及び端面のフォトレジストに光フ
ァイバー10からの光12を照射して露光するものであ
る。The irradiation unit 6 is composed of a light source different from a light source for pattern transfer which supplies light in an exposure wavelength band for exposing the photoresist on the surface of the wafer 1 through an exposure mask. The photoresist 12 is exposed by irradiating it with light 12 from an optical fiber 10.
【0024】受光部としてのCCDセンサ11は、照射
部6に対して半導体基板周辺部を挾んで対向して設けら
れ、照射部6からの光が半導体基板で遮られた量に応じ
た光量を受光するものである。The CCD sensor 11 as a light receiving portion is provided so as to face the irradiation portion 6 with the peripheral portion of the semiconductor substrate being sandwiched therebetween, and a light amount corresponding to the amount of light emitted from the irradiation portion 6 blocked by the semiconductor substrate is provided. It receives light.
【0025】一軸移動機構7,8は、照射部6及び受光
部11をウェハ回転部としての真空チャック2上のウェ
ハ1に対し径方向に移動させるものである。The uniaxial moving mechanisms 7 and 8 move the irradiation unit 6 and the light receiving unit 11 in the radial direction with respect to the wafer 1 on the vacuum chuck 2 as a wafer rotating unit.
【0026】受光部検出機構としてのリニアスケール9
は、受光部11の位置データを検出するものである。Linear scale 9 as a light receiving unit detecting mechanism
Is for detecting the position data of the light receiving unit 11.
【0027】演算ユニット13は、半導体基板の回転に
伴ない受光部11が受光した光量の増減に応じて該光量
が規定値になる位置に照射部6及び受光部11を一軸移
動機構7,8により移動させて照射部6による露光を実
行させる機能と、受光部検出機構としてのリニアスケー
ル9及びウェハ回転位置検出機構3の位置データに基い
てウェハ1のウェハ回転部としての真空チャック2上で
の偏心度合及び半導体基板のOF15の回転位置を求
め、真空チャック2を2軸移動機構としてのXYステー
ジ4,5により2軸方向に移動させて半導体基板の偏心
度合を補正するとともに、真空チャック2によりウェハ
1を角回転させOF15の位置を補正する基板のプリア
ライメントを実行する機能とを並行して行うものであ
る。The arithmetic unit 13 uniaxially moves the irradiation unit 6 and the light receiving unit 11 to a position where the light amount reaches a specified value as the amount of light received by the light receiving unit 11 increases or decreases as the semiconductor substrate rotates. On the vacuum chuck 2 as the wafer rotating unit of the wafer 1 based on the position data of the linear scale 9 as the light receiving unit detecting mechanism and the wafer rotation position detecting mechanism 3 and the function of executing the exposure by the irradiating unit 6 by means of The eccentricity of the semiconductor substrate and the rotational position of the OF 15 of the semiconductor substrate are obtained, and the vacuum chuck 2 is moved in the biaxial directions by the XY stages 4 and 5 as a biaxial moving mechanism to correct the eccentricity of the semiconductor substrate and the vacuum chuck 2 Thus, the function of performing the pre-alignment of the substrate for angularly rotating the wafer 1 and correcting the position of the OF 15 is performed in parallel.
【0028】次に一連の動作の説明を行う。ウェハ1が
図示しないウェハ搬送ユニットから真空チャック2に供
給される。Next, a series of operations will be described. The wafer 1 is supplied to the vacuum chuck 2 from a wafer transfer unit (not shown).
【0029】この場合、真空チャック2の回転中心とウ
ェハ1の中心との位置合せは行われないため、通常数m
mオーダの偏心が存在する。In this case, since the rotation center of the vacuum chuck 2 and the center of the wafer 1 are not aligned with each other, it is normally several meters.
There is m-order eccentricity.
【0030】本発明は、この状態で基板周辺部及び端面
の露光を開始する。In the present invention, the exposure of the peripheral portion and the end face of the substrate is started in this state.
【0031】すなわち、演算ユニット13からの指令に
基いてモータ8及び送りネジ7により、照射部6はウェ
ハ1の周辺部及び端面を露光領域に移動される。一方、
真空チャック2は、ウェハ1を一定の回転にて回転させ
る。That is, based on a command from the arithmetic unit 13, the motor 8 and the feed screw 7 move the irradiation unit 6 to the peripheral region and the end face of the wafer 1 to the exposure region. on the other hand,
The vacuum chuck 2 rotates the wafer 1 at a constant rotation.
【0032】この場合、真空チャック2の回転中心と、
ウェハ1の中心とが偏心している関係上、CCDセンサ
11が受光する光量がウェハ1の回転に伴ない増減す
る。In this case, the rotation center of the vacuum chuck 2 and
Since the center of the wafer 1 is eccentric, the amount of light received by the CCD sensor 11 increases or decreases as the wafer 1 rotates.
【0033】そこで、演算ユニット13は、CCDセン
サ11の出力に基いてCCDセンサ11での光量が規定
値になる位置、すなわち、照射部6による照射範囲が図
2の露光領域14に合致する位置になるように照射部6
をモータ8及び送りネジ7により移動させて照射部6に
よる露光を実行させる。Therefore, the arithmetic unit 13 is located at a position where the light quantity at the CCD sensor 11 becomes a specified value based on the output of the CCD sensor 11, that is, at a position where the irradiation range of the irradiation unit 6 matches the exposure area 14 of FIG. Irradiation unit 6
Is moved by the motor 8 and the feed screw 7 to perform the exposure by the irradiation unit 6.
【0034】同時に演算ユニット13は、エンコーダ3
の出力と同期してリニアスケール9の出力を記憶し、そ
の結果を演算することにより、ウェハ1の偏心量と、O
F15の位置を検出する。At the same time, the arithmetic unit 13 is connected to the encoder 3
The output of the linear scale 9 is stored in synchronism with the output of the wafer, and the result is calculated to obtain the eccentricity of the wafer 1 and O
The position of F15 is detected.
【0035】そして、演算ユニット13は、XYステー
ジ4,5により真空チャック2上のウェハ1の中心の偏
心を補正するとともに、真空チャック2によりウェハ1
を角回転させてOF15の位置を修正する。ここにウェ
ハ1のプリアライメントが完了する。Then, the arithmetic unit 13 corrects the eccentricity of the center of the wafer 1 on the vacuum chuck 2 by the XY stages 4 and 5, and also causes the wafer 1 to be moved by the vacuum chuck 2.
Is rotated to correct the position of OF15. Pre-alignment of the wafer 1 is completed here.
【0036】ここではじめて真空チャック2からウェハ
1を外し、次に図示しないウェハ搬送ユニットにより露
光ステージ上へウェハ1を供給する。Here, the wafer 1 is first removed from the vacuum chuck 2, and then the wafer 1 is supplied onto the exposure stage by a wafer transfer unit (not shown).
【0037】以上の動作により周辺露光領域14が露光
される。また、OF15の位置検出と偏心量の算出は、
ウェハの回転中つまりは周辺露光中に行うことができ、
ウェハの吸着を一度外す必要もなく、周辺露光終了と同
時にプリアライメントを完了することができる。The peripheral exposure area 14 is exposed by the above operation. Further, the position detection of the OF15 and the calculation of the eccentricity amount are
It can be done during the rotation of the wafer, that is, during the edge exposure,
The pre-alignment can be completed at the same time when the peripheral exposure is completed without the need to remove the suction of the wafer once.
【0038】上述の実施例では、ウェハの偏心量に対し
て周辺露光ユニットを動かし、ウェハ周辺の適正な位置
に周辺露光を行うが、Xステージ4およびYステージ5
を動かしながら周辺露光することもできる。In the above-described embodiment, the peripheral exposure unit is moved with respect to the amount of eccentricity of the wafer to perform peripheral exposure at an appropriate position on the periphery of the wafer.
You can also perform peripheral exposure while moving the.
【0039】この場合、周辺露光ユニット側にサーボモ
ータを設ける必要がないので、装置の構造や動かし方が
簡単になるとともに、周辺露光ユニットの振動がなく安
定した周辺露光ができる効果がある。In this case, since it is not necessary to provide a servomotor on the side of the peripheral exposure unit, the structure and movement of the apparatus can be simplified, and stable peripheral exposure can be performed without vibration of the peripheral exposure unit.
【0040】[0040]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、周辺露光
後のウェハの押しつけによるプリアライメント動作をな
くしたので、プリアライメント終了までの時間を短縮し
てステッパーの処理能力を向上できる。As described above, according to the present invention, since the pre-alignment operation by pressing the wafer after the peripheral exposure is eliminated, the time until the completion of the pre-alignment can be shortened and the processing capability of the stepper can be improved.
【0041】しかも、ウェハ周辺のレジストを除去でき
るので、装置内部をレジストで汚染することがないとい
う優れた効果がある。Moreover, since the resist around the wafer can be removed, there is an excellent effect that the inside of the apparatus is not contaminated with the resist.
【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図2】同平面図である。FIG. 2 is a plan view of the same.
【図3】従来例を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a conventional example.
【図4】同側面図である。FIG. 4 is a side view of the same.
1 半導体基板(ウェハ) 2 真空チャック 3 エンコーダ 4 Xステージ 5 Yステージ 6 照射部 7 送りネジ 8 モータ 9 リニアスケール 10 光ファイバー 11 CCDセンサ 12 光 13 演算ユニット 14 周辺露光領域 15 オリエンテーションフラット(OF) 1 Semiconductor substrate (wafer) 2 Vacuum chuck 3 Encoder 4 X stage 5 Y stage 6 Irradiation part 7 Feed screw 8 Motor 9 Linear scale 10 Optical fiber 11 CCD sensor 12 Light 13 Arithmetic unit 14 Peripheral exposure area 15 Orientation flat (OF)
Claims (1)
ハ回転位置検出機構と、照射部及び受光部と、一軸移動
機構と、受光部検出機構と、演算ユニットとを有する縮
小投影露光装置であって、 ウェハ回転部は、半導体基板を吸着し回転させるもので
あり、 2軸移動機構は、ウェハ回転部を、半導体基板と平行な
平面内に直交する2軸方向に移動させるものであり、 ウェハ回転位置検出機構は、ウェハ回転部の回転角度を
検出するものであり、 照射部及び受光部は、ウェハ回転部上の半導体基板より
外側に設けられ、半導体基板の径方向に対して移動可能
であり、 照射部は、パターン転写用と別光源であり、半導体基板
周辺部及び端面のフォトレジストに照射して露光するも
のであり、 受光部は、照射部に対して半導体基板周辺部を挾んで対
向して設けられ、照射部からの光が半導体基板で遮られ
た量に応じた光量を受光するものであり、 一軸移動機構は、照射部及び受光部をウェハ回転部上の
半導体基板に対し径方向に移動させるものであり、 受光部検出機構は、受光部の位置データを検出するもの
であり、 演算ユニットは、半導体基板の回転に伴ない受光部が受
光した光量の増減に応じて該光量が規定値になる位置に
照射部及び受光部を一軸移動機構により移動させて照射
部による露光を実行させる機能と、受光部検出機構及び
ウェハ回転位置検出機構の位置データに基いて半導体基
板のウェハ回転部上での偏心度合及び半導体基板のオリ
エンテーションフラットの回転位置を求め、ウェハ回転
部を2軸移動機構により2軸方向に移動させて半導体基
板の偏心度合を補正するとともに、ウェハ回転部により
半導体基板を角回転させオリエンテーションフラットの
位置を補正する基板のプリアライメントを実行する機能
とを並行して行うものであることを特徴とする縮小投影
露光装置。1. A reduction projection exposure apparatus having a wafer rotating unit, a biaxial moving mechanism, a wafer rotational position detecting mechanism, an irradiating unit and a light receiving unit, a uniaxial moving mechanism, a light receiving unit detecting mechanism, and an arithmetic unit. The wafer rotating unit is for adsorbing and rotating the semiconductor substrate, and the biaxial moving mechanism is for moving the wafer rotating unit in the biaxial directions orthogonal to the plane parallel to the semiconductor substrate. The wafer rotation position detection mechanism detects the rotation angle of the wafer rotation unit. The irradiation unit and the light receiving unit are provided outside the semiconductor substrate on the wafer rotation unit and move in the radial direction of the semiconductor substrate. The irradiation unit is a light source for pattern transfer and is a separate light source that irradiates and exposes the photoresist on the peripheral portion of the semiconductor substrate and the end surface. Clap It is provided so as to face each other, and receives a light amount corresponding to the amount of light emitted from the irradiation unit blocked by the semiconductor substrate.The uniaxial movement mechanism moves the irradiation unit and the light receiving unit relative to the semiconductor substrate on the wafer rotating unit. The light receiving unit detection mechanism detects the position data of the light receiving unit, and the arithmetic unit operates in accordance with an increase or decrease in the amount of light received by the light receiving unit as the semiconductor substrate rotates. The function of moving the irradiation unit and the light receiving unit to the position where the light amount becomes the specified value by the uniaxial moving mechanism to execute the exposure by the irradiation unit, and the position of the semiconductor substrate of the semiconductor substrate based on the position data of the light receiving unit detection mechanism and the wafer rotation position detection mechanism. The eccentricity on the wafer rotating part and the rotation position of the orientation flat of the semiconductor substrate are obtained, and the wafer rotating part is moved in the biaxial directions by the biaxial moving mechanism to correct the eccentricity of the semiconductor substrate. Together, a reduction projection exposure apparatus, characterized in that is performed in parallel and a function of executing the pre-alignment of the substrate for correcting the position of the orientation flat of the semiconductor substrate is angularly rotated by the wafer rotating unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17614892A JPH05343294A (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Contraction projecting exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP17614892A JPH05343294A (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Contraction projecting exposure apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05343294A true JPH05343294A (en) | 1993-12-24 |
Family
ID=16008502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17614892A Pending JPH05343294A (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Contraction projecting exposure apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05343294A (en) |
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1992
- 1992-06-10 JP JP17614892A patent/JPH05343294A/en active Pending
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