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JPH0330990B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0330990B2
JPH0330990B2 JP58095190A JP9519083A JPH0330990B2 JP H0330990 B2 JPH0330990 B2 JP H0330990B2 JP 58095190 A JP58095190 A JP 58095190A JP 9519083 A JP9519083 A JP 9519083A JP H0330990 B2 JPH0330990 B2 JP H0330990B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
flat
rollers
holder
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58095190A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS59219931A (en
Inventor
Takeshi Naraki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nippon Kogaku KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Kogaku KK filed Critical Nippon Kogaku KK
Priority to JP58095190A priority Critical patent/JPS59219931A/en
Publication of JPS59219931A publication Critical patent/JPS59219931A/en
Publication of JPH0330990B2 publication Critical patent/JPH0330990B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は周辺の一部に直線的な切欠きを有する
円板、例えば半導体ウエハを位置決めする装置に
関し、特に、IC製造用の露光装置に適したウエ
ハの位置決め装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an apparatus for positioning a disk having a linear notch in a portion of its periphery, such as a semiconductor wafer, and more particularly to a wafer positioning apparatus suitable for an exposure apparatus for IC manufacturing. .

(発明の背景) IC製造用の露光装置として、近年マスクやレ
チクルの回路パターン像をウエハ上に縮小投影し
て1シヨツト露光転写しては、ウエハを一定量移
動させることを繰返す、いわゆるステツプ・アン
ド・リピート方式の縮小投影型露光装置(ステツ
パー)が普及してきている。
(Background of the Invention) In recent years, exposure equipment for IC manufacturing has been used in a so-called step process, in which a circuit pattern image of a mask or reticle is projected onto a wafer in a reduced size, exposed and transferred in one shot, and then the wafer is moved by a certain amount. BACKGROUND ART AND-REPEAT type reduction projection exposure apparatuses (steppers) are becoming popular.

このような光学的リソグラフイー用のステツパ
ーは、通常、ウエハを高速に2次元移動させるス
テージを備えている。ところで、このステージに
はウエハが予め定められた誤差範囲内で位置決め
して載置される必要がある。
Such a stepper for optical lithography typically includes a stage that moves a wafer two-dimensionally at high speed. By the way, the wafer needs to be positioned and placed on this stage within a predetermined error range.

この種の位置決めは、一般にウエハの直接的な
切欠き、すなわちフラツトを用いてウエハを一方
向に配向するという意味から、オリエンテーシヨ
ン・フラツトと呼ばれている。従来より知られて
いるオリエンテーシヨン・フラツト(以下、オ
リ・フラと呼ぶ)の装置は、例えば特開昭58−
18713号に開示されているように、ウエハの搬送
装置内に設けられており、フラツトを用いてプ
リ・アライメントされたウエハを搬送アームやス
ライダー等を用いて、ステージ上に移送するよう
になつていた。
This type of positioning is commonly referred to as an orientation flat because it uses a direct notch or flat in the wafer to orient the wafer in one direction. A conventionally known orientation flat (hereinafter referred to as an orientation flat) device is, for example, disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1986-
As disclosed in No. 18713, it is installed in a wafer transfer device, and is designed to transfer a wafer that has been pre-aligned using a flat onto a stage using a transfer arm, slider, etc. Ta.

ところが、ステージ上にウエハを載置して真空
吸着する際、ウエハのフラツトによる位置決め精
度が悪化していて、位置決め誤差範囲内に納まら
ないという問題が生じていた。そこで、ステージ
上に受け渡されたウエハを再度フラツトを使つて
プリ・アライメントすることが考えられている。
具体的にはステージ上のウエハホルダ(ウエハチ
ヤツク)に設けられた基準部材にウエハのフラツ
トを押圧することによつて、ウエハをプリ・アラ
イメントするものである。
However, when a wafer is placed on a stage and vacuum suctioned, the positioning accuracy deteriorates due to the flatness of the wafer, causing a problem that the positioning accuracy is not within the positioning error range. Therefore, it has been considered to pre-align the wafer transferred onto the stage again using a flat.
Specifically, the wafer is pre-aligned by pressing the flat of the wafer against a reference member provided on a wafer holder (wafer chuck) on a stage.

すなわち、ウエハ・搬送装置側でプリ・アライ
メントを行ない、ステージのウエハホルダ側で再
度プリ・アライメントを行なう、いわゆる2回プ
リ・アライメントによつて、ステージに対するウ
エハの位置決め精度を向上させるものである。
That is, the accuracy of positioning the wafer with respect to the stage is improved by performing pre-alignment on the wafer/transfer device side and performing pre-alignment again on the wafer holder side of the stage, so-called two-time pre-alignment.

ところで、ICの1チツプ(又は1シヨツトの
露光領域)は回路パターンの設計上、正方形の領
域になることは少なく、長方形になる場合が多
い。このため長方形の長辺側と短辺側とをウエハ
の結晶構造に合わせて決定する必要が生じてく
る。ところが上述のような装置ではフラツトを常
に一方向(0゜方向)に配向することしかできず、
露光領域の長方形化に伴い、ウエハのフラツトを
0゜と90゜の2方向に配向したいという要求に対し
ては位置決めが不可能であるという欠点があつ
た。
By the way, one chip (or one shot exposure area) of an IC is rarely a square area due to circuit pattern design, but is often a rectangular area. Therefore, it becomes necessary to determine the long sides and short sides of the rectangle according to the crystal structure of the wafer. However, with the above-mentioned device, it is only possible to always orient the flat in one direction (0° direction).
As the exposure area becomes more rectangular, wafer flatness
In response to the request for orientation in two directions, 0° and 90°, there was a drawback that positioning was impossible.

(発明の目的) そこで本発明は、これらの欠点を解決し、通常
露光方向の位置決め(以下、0゜のオリフラとす
る)のほかに、そこからウエハを90゜回転した位
置での位置決め(以下90゜のオリフラとする)も
可能とした位置決め装置を得ることを目的とす
る。
(Objective of the Invention) Therefore, the present invention solves these drawbacks, and in addition to positioning in the normal exposure direction (hereinafter referred to as 0° orientation flat), positioning at a position where the wafer is rotated 90° from there (hereinafter referred to as 0° orientation flat). The purpose of the present invention is to obtain a positioning device that also enables a 90° orientation flat.

(発明の概要) そこで本発明は、周辺に所定長さのフラツト部
を有する円板状のウエハを載置するホルダーと、
該ホルダーの周辺部に立設された位置決め用の基
準部材と、前記ホルダーに載置されたウエハを前
記基準部材の方向に押圧する押圧部材とを備え、
ウエハをホルダー上で位置決めする装置におい
て、ウエハ(W1,W2)を水平面内で回転させる
ターンテーブル2と、回転中のウエハ(W1
W2)の周辺を光電検出して、フラツト部Fの中
央位置を検出するフラツト検出部40,PD,1
10〜113,G1と、このフラツト検出部40,
PD,110〜113,G1からの検出信号I1と、
フラツト部Fを0゜方向と90゜方向のどちらかに配
向するかを切り替える信号119とに基づいて、
ターンテーブル2の回転停止位置を制御する制御
部100,114〜118とを含むプリ・アライ
メント手段と、 該プリ・アライメント手段によつて0゜方向、も
しくは90゜方向に位置決めされたウエハW2をホル
ダー20上に搬送する搬送手段10,12,1
4,22とを設け、 前記基準部材は、搬送されてきたウエハW2
0゜方向のフラツト部Fと対向して並置された3つ
のローラ25a,25b,25cから成る第1基
準部材と、搬送されてきたウエハの90゜方向のフ
ラツト部Fと対向して並置された3つのローラ2
6a,26b,26cから成る第2基準部材とを
含み、 前記第1基準部材と第2基準部材の夫々の中央
の1つのローラ25a;26aは、両脇の2つの
ローラ25b,25c;26b,26cを結ぶ線
分から前記ホルダー20の外側へ一定間隙δだけ
離して設けられ、かつその一定間隙δはウエハ
W2の円周部分が並置された3つのローラのうち
中央の1つのローラ25a;26aと接触して両
脇の2つのローラ25b,25c;26b,26
cとは非接触になるような量に定めたことを要点
としている。
(Summary of the Invention) Therefore, the present invention provides a holder for placing a disc-shaped wafer having a flat portion of a predetermined length around the periphery;
comprising a positioning reference member erected on the periphery of the holder, and a pressing member that presses the wafer placed on the holder in the direction of the reference member,
A device for positioning a wafer on a holder includes a turntable 2 that rotates the wafer (W 1 , W 2 ) in a horizontal plane, and a rotating wafer (W 1 ;
Flat detection unit 40, PD, 1 that photoelectrically detects the periphery of W2 ) to detect the center position of flat part F.
10 to 113, G1 , and this flat detection section 40,
PD, 110-113, detection signal I 1 from G 1 ;
Based on the signal 119 for switching whether to orient the flat portion F in either the 0° direction or the 90° direction,
A pre-alignment means including control units 100, 114 to 118 for controlling the rotation stop position of the turntable 2, and a wafer W2 positioned in the 0° direction or the 90° direction by the pre-alignment means. Conveying means 10, 12, 1 for conveying onto the holder 20
4 and 22, and the reference member is located at the position of the wafer W2 that has been transported.
A first reference member consisting of three rollers 25a, 25b, and 25c arranged side by side facing the flat part F in the 0° direction, and a first reference member made up of three rollers 25a, 25b, and 25c arranged in parallel opposite to the flat part F in the 90° direction of the transferred wafer. three rollers 2
6a, 26b, and 26c, one roller 25a at the center of each of the first reference member and the second reference member; two rollers 25b, 25c; 26b, on both sides; The line connecting 26c is spaced apart from the outside of the holder 20 by a predetermined gap δ, and the predetermined gap δ is
The circumferential portion of W 2 contacts the central roller 25a; 26a among the three rollers arranged in parallel, and the two rollers on both sides 25b, 25c; 26b, 26
The key point is to set the amount so that there is no contact with c.

(実施例の説明) 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
(Description of Examples) Examples of the present invention will be described below based on the drawings.

第1図は、投影型露光装置のウエハ搬送装置の
一例を示す全体構成の平面図であり、本発明の実
施例である。
FIG. 1 is a plan view of the overall configuration of an example of a wafer transfer device of a projection exposure apparatus, which is an embodiment of the present invention.

第2図は、そのウエハ搬送装置内に設けられた
プリアライメント機構部の一部断面図であり、第
3図はステージ上のウエハホルダの平面図であ
る。
FIG. 2 is a partial sectional view of a pre-alignment mechanism provided in the wafer transfer device, and FIG. 3 is a plan view of a wafer holder on a stage.

尚、上記第1図、第2図に示した装置は、基本
的には特開昭58−18713号と同様に構成される。
The apparatus shown in FIGS. 1 and 2 is basically constructed in the same manner as in Japanese Patent Application Laid-open No. 18713/1983.

第1図において、1a〜1fはウエハWの搬送
ベルト、2は環状テーブルで、搬送ベルト1a〜
1fによつて搬送されたウエハWは、この還状テ
ーブル2の上面に載置される。環状テーブル2
は、矢印に示す時計方向に回転可能であるととも
に、載置されたウエハWを真空吸着あるいは吸着
とは反対にエアフローできるようになつている。
破線で示すウエハW1が、ベルト搬送によつてテ
ーブル2の上方に位置すると、ベルト1a〜1f
の送りが止められるとともに、ベルト1c〜1f
が下降して、ウエハW1がテーブル2上に受け渡
される。4a〜4gはセンタリングアームで、テ
ーブル2の回転中心O1から距離を等しく保ちつ
つ、放射方向に往復運動可能に設置されている。
このセンタリングアーム4a〜4gは、テーブル
2によつてエアフローされたウエハW1の周辺を
当接保持し、ウエハW1の中心とテーブル2の回
転中心O1とを一致させる。ウエハW1の中心と、
中心O1とが一致すると、この段階でテーブル2
は真空吸着動作をし、ウエハW1をテーブル2上
に吸着させる。この後、センタリングアーム4a
〜4gは退避する。
In FIG. 1, 1a to 1f are conveyor belts for the wafer W, 2 is an annular table, and the conveyor belts 1a to 1f are
The wafer W transported by 1f is placed on the upper surface of the circular table 2. circular table 2
is rotatable in the clockwise direction shown by the arrow, and is also capable of vacuum suction or airflow to the placed wafer W, which is the opposite of suction.
When the wafer W 1 indicated by the broken line is located above the table 2 by belt conveyance, the belts 1a to 1f
At the same time, the feeding of belts 1c to 1f is stopped.
is lowered, and the wafer W1 is transferred onto the table 2. Centering arms 4a to 4g are installed so as to be able to reciprocate in the radial direction while maintaining the same distance from the rotation center O1 of the table 2.
The centering arms 4a to 4g abut and hold the periphery of the wafer W1 that has been air-flowed by the table 2, and align the center of the wafer W1 with the rotation center O1 of the table 2. The center of wafer W 1 and
If the center O 1 matches, at this stage table 2
performs a vacuum suction operation to suction the wafer W1 onto the table 2. After this, centering arm 4a
~4g will be evacuated.

さて、テーブル2には、第2図のように載置面
2b内に環状の溝2cが形成され、この溝2cを
介してエアフローや真空吸着が行なわれる。
Now, as shown in FIG. 2, the table 2 has an annular groove 2c formed in the mounting surface 2b, and air flow and vacuum suction are performed through this groove 2c.

またテーブル2の下側円周端には歯部2aが刻
設されている。歯部2aは、モータ5によつて回
転する歯車5aと歯合しており、モータ5の回転
数(回転角)はパルスジエネレータ7(以下、
PG7とする)のパルス数によつて検出される。
また、ウエハW1のフラツトFを検出するために、
第1図のようにフラツトFの直線方向がX方向と
一致する0゜のオリ・フラの位置に光電素子PDが
設けられ、第2図のように光電素子PDの上方か
らウエハW1の周端部を平行光束で照射する投光
器40が設けられている。
Furthermore, a toothed portion 2a is carved on the lower circumferential end of the table 2. The tooth portion 2a meshes with a gear 5a rotated by a motor 5, and the rotation speed (rotation angle) of the motor 5 is controlled by a pulse generator 7 (hereinafter referred to as
PG7) is detected by the number of pulses.
Also, in order to detect the flat F of wafer W1 ,
As shown in Fig. 1, the photoelectric element PD is provided at the 0° orientation flat position where the linear direction of the flat F coincides with the X direction, and as shown in Fig. A floodlight 40 is provided that illuminates the end portion with a parallel beam of light.

さて、モータ5によつてテーブル2が回転し、
ウエハW1のフラツトFを光電素子PDで光学的に
検出すると、0゜のオリ・フラの場合、フラツトF
がX方向に並んだ2つのローラ6a,6bにくる
所定位置でテーブル2が停止する。この位置で再
びテーブル2はエアフローし、アーム8を中心
O1に向けて移動させ、ウエハW1をローラ6a,
6b,6dに当接させる。この時、オリエンテー
シヨンフラツト(粗い)が確立され、ウエハは一
点鎖線W2で示すようにフラツトFがx方向と平
行となるように位置する。
Now, the table 2 is rotated by the motor 5,
When the flat F of wafer W1 is optically detected by the photoelectric element PD, it is found that if the orientation is 0°, the flat F is detected.
The table 2 stops at a predetermined position where the rollers 6a and 6b are aligned in the X direction. In this position, the table 2 has airflow again, and the arm 8 is the center.
The wafer W 1 is moved toward the roller 6a,
6b and 6d. At this time, an orientation flat (rough) is established, and the wafer is positioned so that the flat F is parallel to the x direction, as shown by the dashed line W2 .

こうして位置決めされたウエハW2の中心は、
センターアツプ10の中心O2と一致する。ここ
で、中心O1と、中心O2とはアーム8の押圧によ
るウエハの移動分だけ偏心している。
The center of wafer W 2 positioned in this way is
It coincides with the center O 2 of center up 10. Here, the center O 1 and the center O 2 are eccentric by the amount of movement of the wafer due to the pressure of the arm 8 .

さて、このローラ6a,6bは0゜のオリ・フラ
の際はウエハのフラツトFに当接し、ローラ6d
は円周端部の一ケ所に当接する。一方、90゜のオ
リ・フラの際は、アーム8の移動によつてローラ
6c,6dがウエハのフラツトFに当接し、ロー
ラ6bがウエハの円周端部の一ケ所に当接する。
Now, these rollers 6a and 6b come into contact with the flat F of the wafer during the 0° orientation and flat, and the roller 6d
comes into contact with one place on the circumferential end. On the other hand, during the 90° orientation/flating, as the arm 8 moves, the rollers 6c and 6d come into contact with the flat F of the wafer, and the roller 6b comes into contact with one location on the circumferential edge of the wafer.

さて、センターアツプ10の上昇によりウエハ
W2はテーブル2からセンターアツプ10へ受け
渡される。このとき吸気孔10aによつてウエハ
W2は吸着されている。14はスライダーアーム
で、先端に吸着孔14a,14bを備えており、
ガイドレール12に沿つてy方向に往復運動す
る。このスライダーアーム14は、センターアツ
プ10で持ち上げられたウエハW2の下まで移動
し、吸着孔14a,14bを真空に引いて、ウエ
ハW2を吸着する。この時、センターアツプ10
は吸気孔10aによる吸着を解除し、降下する。
これによつて、ウエハW2がスライダーアーム1
4に受け渡される。その後スライダーアーム14
は、ウエハW2をステージ上のウエハホルダ20
側に受け渡すためにy方向に移動する。
Now, due to the increase in center up 10, the wafer
W 2 is passed from table 2 to center up 10. At this time, the wafer is
W 2 is adsorbed. 14 is a slider arm, which is equipped with suction holes 14a and 14b at its tip.
It reciprocates along the guide rail 12 in the y direction. This slider arm 14 moves below the wafer W2 lifted by the center up 10, evacuates the suction holes 14a and 14b, and suctions the wafer W2 . At this time, center up 10
releases the adsorption by the intake hole 10a and descends.
As a result, wafer W 2 is attached to slider arm 1.
It will be handed over to 4. Then slider arm 14
The wafer W 2 is placed in the wafer holder 20 on the stage.
Move in the y direction to pass to the side.

ウエハホルダ20は、第1図では不図示の露光
装置の2次元移動ステージ上に設けられており、
このステージを移動することによつて、投影露光
位置でウエハをステツプアンドリピート方式で露
光できるようになつている。なお、21はウエハ
ホルダの載置面、22はウエハホルダ20の中心
に上下動可能に設置されているセンターアツプで
ある。
The wafer holder 20 is provided on a two-dimensional moving stage of an exposure apparatus (not shown in FIG. 1),
By moving this stage, the wafer can be exposed in a step-and-repeat manner at the projection exposure position. Note that 21 is a mounting surface of the wafer holder, and 22 is a center up that is installed at the center of the wafer holder 20 so as to be movable up and down.

ステージは、0゜のオリ・フラの場合、ウエハホ
ルダ20の載置面21が受け渡し位置、即ち、載
置面21の中心O3とセンターアツプ10の中心
O2を結ぶ線がy軸方向とほぼ一致(平行)する
位置にくるように送るもので、この位置でセンタ
ーアツプ22が上昇し、吸着孔14a,14bの
吸着を解除し、ウエハW2をセンターアツプ22
に受け渡す。その後スライダーアーム14が後退
し、ウエハW2を吸着しているセンターアツプ2
2は降下し、ウエハW2が載置面21上に載置さ
れる。なお、載置面21は、真空吸着、エアフロ
ーが可能である。その後、ステージは図示してな
い投影レンズの直下(露光位置)まで移動する。
When the stage has an orientation of 0°, the mounting surface 21 of the wafer holder 20 is at the transfer position, that is, the center O 3 of the mounting surface 21 and the center of the center up 10.
The wafer W 2 is fed in such a way that the line connecting the wafers W 2 is almost coincident with (parallel to) the y-axis direction. At this position, the center up 22 rises, releases the adsorption of the suction holes 14a and 14b, and removes the wafer W 2 . Center up 22
hand it over to After that, the slider arm 14 retreats, and the center up 2 which is adsorbing the wafer W 2
2 is lowered, and the wafer W 2 is placed on the mounting surface 21. Note that the mounting surface 21 is capable of vacuum suction and air flow. Thereafter, the stage moves to a position directly below a projection lens (not shown) (exposure position).

ところで、このような装置において、センター
アツプ10からスライダーアーム14へのウエハ
の受け渡し、及びスライダーアーム14からセン
ターアツプ22へのウエハの受け渡しのそれぞれ
の時点で、ウエハW2のフラツトFが、所定位置
からずれることなく受け渡され、正確にウエハホ
ルダ20上に載置されることが要求される。
By the way, in such an apparatus, the flat F of the wafer W 2 is moved to a predetermined position at each point in time when the wafer is transferred from the center up 10 to the slider arm 14 and when the wafer is transferred from the slider arm 14 to the center up 22. It is required that the wafer be transferred without shifting from the wafer holder 20 and placed accurately on the wafer holder 20.

第3図は、このような要求を満足するためにス
テージ上で再度ウエハの位置決めを行なう装置の
要部の構成平面図であり、本発明のより望ましい
実施例である。
FIG. 3 is a plan view showing a main part of an apparatus for repositioning a wafer on a stage in order to satisfy such requirements, and is a preferred embodiment of the present invention.

第3図において、ウエハホルダ20の載置面2
1には、特開昭57−85235号に開示されたような
螺旋状の溝21aが形成されている。この溝21
a内には、載置面21の中心O3よりも周辺側で、
かつ載置面21を3等分するような3ケ所に真空
吸着用の吸気孔21bが設けられている。また、
載置面21の中心O3から放射方向の3ケ所で溝
21a中にエアフロ用の排気孔21cが設けられ
ている。
In FIG. 3, the mounting surface 2 of the wafer holder 20 is
1 is formed with a spiral groove 21a as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-85235. This groove 21
In a, on the peripheral side of the center O 3 of the mounting surface 21,
In addition, suction holes 21b for vacuum suction are provided at three locations that divide the mounting surface 21 into three equal parts. Also,
Airflow exhaust holes 21c are provided in the groove 21a at three locations in the radial direction from the center O3 of the mounting surface 21.

さて、0゜のオリ・フラによつて搬送されたウエ
ハが載置面21上に載置されると、フラツトFに
沿うように並んで配置された回転自在の3つのロ
ーラ25a,25b,25cに対向する。
Now, when the wafer conveyed by the 0° orientation flat is placed on the placing surface 21, three rotatable rollers 25a, 25b, 25c arranged in line along the flat F are moved. to face.

一方、90゜のオリ・フラによつて搬送されたウ
エハが載置面21上に載置されると、フラツトF
は3つのローラ25a,25b,25cからほぼ
90゜回転した位置に並んで配置された回転自在の
3つのローラ26a,26b,26cと対向す
る。
On the other hand, when the wafer transported by the 90° orientation flat is placed on the mounting surface 21, the flat F
is approximately from the three rollers 25a, 25b, 25c.
It faces three rotatable rollers 26a, 26b, and 26c arranged in parallel at positions rotated by 90 degrees.

また、ウエハホルダ20上にはウエハの周辺を
押圧するプランジヤ23が設けられ、押圧部材2
4が中心O3に向けて進避するように移動する。
このとき、ウエハの押圧力はウエハがローラ25
a〜25cの方向と、ローラ26a〜26cの方
向の両方に共に働くように押圧方向が定められて
いる。
Further, a plunger 23 for pressing the periphery of the wafer is provided on the wafer holder 20, and a pressing member 23 is provided to press the periphery of the wafer.
4 moves towards the center O3 .
At this time, the pressing force of the wafer is such that the wafer is
The pressing direction is determined so as to work both in the direction of a to 25c and in the direction of rollers 26a to 26c.

さらに、これら6つのローラのうち、0゜のオ
リ・フラのウエハを押圧部材24で押圧すると、
ウエハのフラツトFがローラ25b,25cに当
接し、ウエハの円周の1ケ所がローラ26aに当
接する。
Furthermore, among these six rollers, when a wafer with an orientation of 0° is pressed by the pressing member 24,
The flat F of the wafer contacts the rollers 25b and 25c, and one location on the circumference of the wafer contacts the roller 26a.

また90゜のオリ・フラのウエハの場合は、ロー
ラ26b,26cがフラツトFに当接し、ローラ
25aがウエハの円周の1ケ所に当接する。この
ように、ウエハの載置面21上での位置決めも、
0゜方向、90゜方向のオリ・フラのウエハに対して
常に3つのローラによつて行なわれる。
In the case of a wafer with an orientation of 90 degrees, the rollers 26b and 26c contact the flat F, and the roller 25a contacts the wafer at one location on its circumference. In this way, the positioning of the wafer on the mounting surface 21 is also
Ori-flat wafers in 0° and 90° directions are always subjected to three rollers.

尚、以上のようにウエハのフラツトFの位置が
ローラ25a〜25c側、及びローラ26a〜2
6c側にくるので、螺旋状の溝21aのその部分
はフラツトFの形状に合わせて不連続としつつ、
ウエハの載置面21への密着性は高めてある。
尚、第1図,第2図においてウエハW1,W2のフ
ラツトFは、いわゆる主フラツトと呼ばれるもの
を表わしており、ウエハによつては主フラツトよ
りも切欠き量が小さいサブ・フラツトが形成され
ていることもある。
As mentioned above, the position of the flat F of the wafer is on the rollers 25a to 25c side and the rollers 26a to 26a side.
6c side, so that part of the spiral groove 21a is made discontinuous to match the shape of the flat F.
The adhesion of the wafer to the mounting surface 21 is enhanced.
Note that the flats F of wafers W 1 and W 2 in FIGS. 1 and 2 represent what is called a main flat, and some wafers have a sub-flat with a smaller notch depth than the main flat. Sometimes it is formed.

次に本発明の実施例において、前述のウエハ搬
送装置の具体的な制御系を第4図に基づいて説明
する。
Next, in an embodiment of the present invention, a specific control system of the above-mentioned wafer transfer device will be explained based on FIG.

本装置のシーケンスは全てマイコン100によ
り制御されており、テーブル2の真空吸着、エア
フローの動作、センターアツプ10,22の真空
吸着及び上下動の動作、スライダーアーム14の
移動、センタリングアーム4a〜4gの作動、ア
ーム8の移動、プランジヤ23の作動、ベルト1
a〜1hの駆動及びステージの2次元移動等は全
てマイコン100のI/Oポートからのバスライ
ン120を介して情報のやり取りが行なわれる。
All sequences of this device are controlled by the microcomputer 100, including vacuum suction of the table 2, air flow operation, vacuum suction and vertical movement of the center ups 10 and 22, movement of the slider arm 14, and movement of the centering arms 4a to 4g. Operation, movement of arm 8, operation of plunger 23, belt 1
All information is exchanged via the bus line 120 from the I/O port of the microcomputer 100 for driving a to 1h and moving the stage two-dimensionally.

尚、以下の説明において、マイコン100の
I/Oポートの情報は実際は所定のインターフエ
イスを介して外部の装置とやり取りされるが、便
宜上、I/Oポートに代表して説明する。
In the following explanation, information on the I/O port of the microcomputer 100 is actually exchanged with an external device via a predetermined interface, but for convenience, the I/O port will be explained as a representative.

第4図において、光電素子PDの光電出力はア
ンプ110によつて増幅され、その出力信号E1
は次のバンドパスフイルタ111(以下、BPF
111とする。)によつて微分される。そして
BPF111の出力信号E2は、ウエハの切欠きの
うち、切欠き量の大きい主フラツトのみを検出す
るための第1検出回路112と、主フラツトとサ
ブフラツトの切欠きの中心部の位置を検出するた
めの第2検出回路113との両方に入力する。第
1検出回路112,第2検出回路113の各出力
信号E3,E4はデジタル化された2値信号として
発生し、信号E3,E4はアンド回路G1を介してマ
イコン100のI/Oポートのうち、人力動作を
行なうポートI1に入力する。
In FIG. 4, the photoelectric output of the photoelectric element PD is amplified by an amplifier 110, and its output signal E 1
is the following bandpass filter 111 (hereinafter referred to as BPF)
111. ). and
The output signal E2 of the BPF 111 is sent to a first detection circuit 112 for detecting only the main flat with a large amount of notch among the notches on the wafer, and for detecting the positions of the centers of the notches of the main flat and subflat. and the second detection circuit 113. The output signals E 3 and E 4 of the first detection circuit 112 and the second detection circuit 113 are generated as digitized binary signals, and the signals E 3 and E 4 are sent to the I of the microcomputer 100 via the AND circuit G 1 . Of the /O ports, input to port I1 , which performs manual operation.

一方、モータ5は、直列接続された2つのトラ
ンジスタ(以下、Tfとする。)17,118によ
つて駆動と急停止が制御される。そのためTr,
117,118の各ベースは、マイコン100の
I/Oポートのうち、出力動作を行なうポート
P3,P4からデジタル信号を入力する。尚、モー
タ5はエミツタを電源に接続したpnp Tr117
のみが導通することによつてコレクタから給電さ
れる。そしてモータ5の急停止は、モータ5の端
子に並列接続されたnpn Tr118のみを導通す
るとによつて、モータ5の端子を短絡する。いわ
ゆるダイナミツク・ブレーキにより行なわれる。
そして、モータ5に給電される電源電圧はスイツ
チ116により高電圧HVと低電圧LVとに切替
え可能であり、モータ5の回転速度を2段階に選
択できる。このスイツチ116はマイコン100
のI/Oポートのうち、出力動作を行なうポート
P2からのデジタル信号、例えば論理値「H」,
「L」によつて切替え動作を行なう。
On the other hand, the drive and sudden stop of the motor 5 are controlled by two transistors (hereinafter referred to as Tf) 17 and 118 connected in series. Therefore, Tr,
Each of the bases 117 and 118 is a port that performs an output operation among the I/O ports of the microcomputer 100.
Input digital signals from P3 and P4 . In addition, motor 5 is a pnp Tr117 with the emitter connected to the power supply.
Power is supplied from the collector by only the current being conductive. Then, the sudden stop of the motor 5 short-circuits the terminals of the motor 5 by making only the npn Tr 118 connected in parallel to the terminals of the motor 5 conductive. This is done using a so-called dynamic brake.
The power supply voltage supplied to the motor 5 can be switched between a high voltage HV and a low voltage LV by a switch 116, and the rotation speed of the motor 5 can be selected in two stages. This switch 116 is a microcomputer 100
Among the I/O ports, the port that performs output operation
Digital signal from P 2 , e.g. logical value "H",
Switching operation is performed by "L".

またモータ5の回転軸に連結してPG7のパル
ス信号は、スイツチ115を介してカウンタ11
4に入力する。
Further, the pulse signal of PG 7 connected to the rotating shaft of motor 5 is sent to counter 11 via switch 115.
Enter 4.

そしてカウンタ114は、このパルス信号のパ
ルス数を計数すると共に、その計数値をマイコン
100のI/OポートのうちポートDSに送り出
す。尚、カウンタ114はポートDSを介してマ
イコン100から任意のデジタル値をプリセツト
可能である。また、スイツチ115はPG7のパ
ルス信号をカウンタ114へ入力するか否かを切
替えるためにマイコン100のI/Oポートのう
ち出力動作を行なうポートP1からのデジタル信
号、論理値「H」,「L」によつて制御される。ま
た、スイツチ119は0゜のオリ・フラと90゜のオ
リ・フラとを切替えるものである。
The counter 114 counts the number of pulses of this pulse signal and sends the counted value to port D S of the I/O ports of the microcomputer 100. Note that the counter 114 can be preset to an arbitrary digital value from the microcomputer 100 via the port DS . In addition, the switch 115 switches whether or not to input the pulse signal of PG7 to the counter 114 by inputting a digital signal from port P1 , which performs an output operation among the I/O ports of the microcomputer 100, and a logical value of "H", " Controlled by "L". Further, the switch 119 is used to switch between the 0° orientation and flat and the 90° orientation and flat.

スイツチ119お切替えが端子a側のとき、マ
イコン100の入力動作を行なうポートI2には
「H」が印加されたものと見なされ、0゜のオリ・
フラが指定される。端子b側のきは、ポートI2
「L」が印加されたものと見なされ、90゜のオリ・
フラが指定される。
When the switch 119 is switched to the terminal a side, it is assumed that "H" is applied to the port I2 that performs the input operation of the microcomputer 100, and the 0° ori
Hula is specified. When the terminal is on the b side, it is assumed that "L" is applied to port I2 , and the orientation is 90°.
Hula is specified.

次に、本装置の全体の動作を第5〜第10図を
参照して説明する。
Next, the overall operation of this apparatus will be explained with reference to FIGS. 5 to 10.

第5図は、第1,第2図に示したウエハ搬送装
置により0゜ばのオリ・フラ、90゜のオリ・フラを
実行するためのマイコン100のフローチヤート
図である。第6図は第4図中の各信号のタイムチ
ヤート図であり、0゜のオリ・フラの場合を示す。
FIG. 5 is a flowchart of the microcomputer 100 for executing 0° ori-flat and 90° ori-flat with the wafer transfer apparatus shown in FIGS. 1 and 2. FIG. 6 is a time chart of each signal in FIG. 4, and shows the case of 0° ori-flat.

さて、第1図のようにウエハがセンタリングさ
れた状態で、テーブル2の真空吸着が行なわれ
る。その後、第5図のステツプ200で、ポートP1
に「L」、ポートP2に「H」,ポートP4に「L」
を出力して、スイツチ115をOFFに、スイツ
チ116を高電圧HV側に、Tr118をOFFに
イニシヤライズする。次のステツプ201でマイコ
ン100はポートI2を読み込み、スイツチ119
が「H」(解放)状態ならばステツプ202に進み、
「L」(接地)状態ならばステツプ203に進む。ス
テツプ202は0゜のオリ・フラのために、カウンタ
114にプリセツトするデータを、テーブル2の
1回転(360゜)中にPG7から発生するパルス数
と等しくして、ポートDSから出力するものであ
る。
Now, with the wafer centered as shown in FIG. 1, vacuum suction of the table 2 is performed. Then, in step 200 of FIG.
“L” to port P2 , “H” to port P4 , “L” to port P4
is output to initialize switch 115 to OFF, switch 116 to high voltage HV side, and Tr 118 to OFF. In the next step 201, the microcomputer 100 reads port I2 and switches the switch 119.
If is in "H" (released) state, proceed to step 202;
If the state is "L" (grounded), the process advances to step 203. Step 202 sets the data preset in the counter 114 for the 0° orientation and flattening equal to the number of pulses generated from PG7 during one rotation (360°) of table 2, and outputs it from port D S. It is.

また、ステツプ203は90゜のオリ・フラのため
に、カウンタ114にプリセツトするデータを、
テーブル2の3/4回転(270゜)中にPG7から発生
するパルス数と等しくして、ポートDSから出力
するものである。
Also, in step 203, data to be preset in the counter 114 for the 90° orientation/flat is set.
The number of pulses is made equal to the number of pulses generated from PG7 during 3/4 rotation (270 degrees) of table 2, and is output from port D S.

次に、ステツプ204で、マイコン100はポー
トP3に「L」を出力してTr117を導通してモ
ータ5に高電圧HVを印加する。これによりモー
タ5は高速回転を開始する。
Next, in step 204, the microcomputer 100 outputs "L" to the port P3 , makes the Tr 117 conductive, and applies the high voltage HV to the motor 5. As a result, the motor 5 starts rotating at high speed.

さて、ウエハW2の回転に伴つて、アンプ11
0の信号E1は第6図のように変化する。尚、第
6図は横軸を時間に、縦軸を電位として定めてあ
る。モータ5が時刻t0で高速回転を始め、その後
ウエハのサブフラツトの中心部が光電素子PDの
真上に位置すると、アンプ110は時刻t1におい
て信号E1が極大値となるピークPSを発生する。
さらにウエハの回転が続くと、主フラツトの中心
部が光電素子PDの真上に位置する時刻t2におい
て、アンプ110は信号E1が最大値となるピー
クPMを発生する。主フラツトの切欠き量はサブ
フラツトよりも多いので、第6図の如くピーク
PMの波高値の方がピークPSよりも大きくなる。
従つてピークPMのみを判別して検出することに
よつてウエハの主フラツトの検出が正確に行なわ
れる。しかしながら、ウエハに回転に伴う偏心が
生じていると、信号E1は第6図のようにきれい
に発生せず、ウエハの円周部分で生じる信号E1
の直流電位が偏心に伴つて変動してしまい、最悪
の場合ピークPS,PMの波高値の関係が逆になつ
てしまうこともある。本装置ではこの点を考慮し
て、あらかじめセンタリング動作によりウエハの
偏心を取り除いてあるので、1つの光電素子PD
で十分フラツトの判別検出が可能となる。
Now, as wafer W 2 rotates, amplifier 11
The zero signal E1 changes as shown in FIG. In FIG. 6, the horizontal axis is time and the vertical axis is electric potential. When the motor 5 starts rotating at high speed at time t 0 and the center of the subflat of the wafer is located directly above the photoelectric element PD, the amplifier 110 generates a peak P S at which the signal E 1 reaches its maximum value at time t 1 . do.
As the wafer continues to rotate further, at time t2 when the center of the main flat is located directly above the photoelectric element PD, the amplifier 110 generates a peak PM at which the signal E1 reaches its maximum value. The amount of notch on the main flat is larger than that on the subflat, so the peak as shown in Figure 6
The peak value of P M is larger than the peak P S.
Therefore, by distinguishing and detecting only the peak PM, the main flats of the wafer can be accurately detected. However, if eccentricity occurs in the wafer due to rotation, the signal E 1 will not be generated neatly as shown in Figure 6, and the signal E 1 generated at the circumference of the wafer will be
The DC potential of will fluctuate with eccentricity, and in the worst case, the relationship between the peak values of peaks P S and PM may become reversed. Taking this point into consideration, this device uses a centering operation to remove the eccentricity of the wafer, so that one photoelectric element PD
is sufficient to enable discrimination and detection of flatness.

そして、上述の如き信号E1はBPF11によつ
て微分されて、第6図のような信号E2を得る。
信号E1にPSが生じると、信号E2には単振動的な
過渡応答波TSが生じ、ピークPMが生じると、過
渡応答波TSよりも振動が大きい過渡応答波TM
生じる。この応答波TS,TMの振動中心は、ピー
クPS,PMの波高値の時刻t1,t2に対応している。
Then, the signal E 1 as described above is differentiated by the BPF 11 to obtain the signal E 2 as shown in FIG.
When P S occurs in the signal E 1 , a simple harmonic transient response wave T S occurs in the signal E 2 , and when a peak P M occurs, a transient response wave T M with larger oscillation than the transient response wave T S occurs. arise. The vibration centers of the response waves T S and TM correspond to times t 1 and t 2 of the peak values of the peaks P S and PM .

この信号E2は第1検出回路112に入力して、
所定のスレツシホールドレベル±Vrと比較する
と共に、振動の大きな応答波TMのみを検出して
時刻t2の前後でパルスD1を生じるような信号E3
発生する。さらに信号E2は第2検出回路113
に入力して、応答波TS,TMの振動中心である零
クロス点をウインド・コンパレータ等で検出し
て、時刻t1,t2においてパルスD2,D3を生じるよ
うな信号E4を発生する。
This signal E 2 is input to the first detection circuit 112,
It compares it with a predetermined threshold level ±Vr, detects only the response wave T M with large vibration, and generates a signal E 3 that generates a pulse D 1 before and after time t 2 . Furthermore, the signal E 2 is transmitted to the second detection circuit 113.
A signal E 4 that generates pulses D 2 and D 3 at times t 1 and t 2 is obtained by inputting a signal E 4 to occurs.

さて、マイコン100は第5図のステツプ205
で、モータ5が回転し始めた時刻t0からポートI1
を読み込む。
Now, the microcomputer 100 goes to step 205 in Figure 5.
Then, from time t 0 when motor 5 starts rotating, port I 1
Load.

そして時刻t2において、パルスD1とパルスD3
とでアンドがとれると、すなわちウエハW2の回
転中に主フラツトの中心部が光電素子PDの真上
に位置したとき、マイコン100はI1=「H」を
検出して、ステツプ206に進み、ポートP1に論理
「H」を出力してスイツチ115を閉じると共に、
ポートDSを入力動作にしてカウンタ114のデ
ジタル値の読み込みを開始する。そして第7図の
如く時刻t2からPG7のパルス信号EPはカウンタ
114に入力し、カウンタ114はそのパルスを
前述の如くプリセツトされたデジタル値から順次
減算していく。マイコン100は時刻t2以降、カ
ウンタ114の計数値のみに基づいて主フラツト
の位置を定める。
And at time t 2 , pulse D 1 and pulse D 3
When the AND is obtained, that is, when the center of the main flat is located directly above the photoelectric element PD while the wafer W 2 is rotating, the microcomputer 100 detects I 1 = "H" and proceeds to step 206. , outputs logic "H" to port P1 and closes the switch 115,
The port D S is set to input operation and reading of the digital value of the counter 114 is started. Then, as shown in FIG. 7, from time t2 , the pulse signal E P of PG7 is input to the counter 114, and the counter 114 sequentially subtracts the pulse from the preset digital value as described above. After time t2 , the microcomputer 100 determines the position of the main flat based only on the count value of the counter 114.

詳しく述べるなら、マイコン100はステツプ
207で計数値が零に近づいた所定値nになつたこ
とを検知したとき、例えば第6図で時刻t3のとき
ステツプ208に進み、ポートP2に論理「L」を出
力し、スイツチ116を低電圧LV側に切替えて
モータ5を低速回転にする。すなわち、ウエハが
時刻t2から1回転又は3/4回転を終了する前にウ
エハの回転を減速して、慣性によるオーバランの
影響を防止する。さらにその状態で、マイコン1
00はステツプ209でカウンタ114の計数値が
零になつたか否かを判定しつつ、時刻t4において
零のときステツプ210に進み、ポートP3,P4から
共に論理「H」を出力してTr117を不導通に、
Tr118を導通状態に切替える。
To explain in detail, the microcontroller 100 is a step
When it is detected in step 207 that the count value has reached a predetermined value n approaching zero , for example at time t3 in FIG. is switched to the low voltage LV side to rotate the motor 5 at low speed. That is, the rotation of the wafer is decelerated before the wafer completes one rotation or 3/4 rotation from time t2 to prevent the influence of overrun due to inertia. Furthermore, in this state, microcontroller 1
00, it is determined in step 209 whether or not the count value of the counter 114 has become zero, and when it is zero at time t4 , the process proceeds to step 210, and outputs logic "H" from both ports P3 and P4 . Make Tr117 non-conductive,
Switch Tr118 to conduction state.

これによりモータ5の逆起電力はTr118で
短絡されて、ウエハの回転は急停止する。
As a result, the back electromotive force of the motor 5 is short-circuited by the Tr 118, and the rotation of the wafer is abruptly stopped.

従つて、ウエハW2の主フラツトFが光電素子
PDの真上に位置し、かつ主フラツトFの直線的
な切欠き方向と一致する時刻t2から、ウエハW2
は正確に1回転(360゜)又は3/4回転(270゜)し
た後、停止する。
Therefore, the main flat F of wafer W2 is the photoelectric element.
From time t 2 , which is located directly above PD and coincides with the linear notch direction of main flat F, wafer W 2
stops after making exactly one rotation (360°) or 3/4 rotation (270°).

さて、ウエハW2の主フラツトFが0゜方向又は
90゜方向に向くと、マイコン100はテーブル2
の真空吸着を解除して、エアフローに切替える。
そして、アーム8がウエハW2を押圧して、ウエ
ハW2をローラ6a〜6dに当接させる。そこで
0゜方向と90゜方向のウエハ搬送装置上での位置決
めについて、第7図,第8図に基づいて説明す
る。
Now, the main flat F of wafer W2 is in the 0° direction or
When facing in a 90° direction, the microcomputer 100 is on the table 2.
Release vacuum suction and switch to air flow.
Then, the arm 8 presses the wafer W 2 to bring the wafer W 2 into contact with the rollers 6 a to 6 d. Therefore
Positioning on the wafer transfer device in the 0° direction and 90° direction will be explained based on FIGS. 7 and 8.

0゜方向のの位置決めは第7図のように行なわれ
る。第7図はアーム8がウエハW2を押圧して、
位置決めされた状態を示し、主フラツトFはx方
向の真線上に配置されたローラ6aと6bと当接
し、ウエハW2の円周の一ケ所がローラ6dと当
接する。これによつて、W2の主フラツトFの切
欠き方向がx方向と一致するように位置決めされ
る。尚、0゜方向の位置決めが達成された状態で、
ウエハW2の中心O4とセンターアツプ10の中心
O2とは一致するように定められている。
Positioning in the 0° direction is performed as shown in FIG. In Figure 7, arm 8 presses wafer W2 ,
In the positioned state, the main flat F is in contact with rollers 6a and 6b arranged on a straight line in the x direction, and one place on the circumference of the wafer W2 is in contact with the roller 6d. As a result, the notch direction of the main flat F of W2 is positioned to coincide with the x direction. In addition, when positioning in the 0° direction is achieved,
Center of wafer W 2 O 4 and center of center up 10
It is set to match O 2 .

一方、90゜方向の位置決めは第8図のように行
なわれる。
On the other hand, positioning in the 90° direction is performed as shown in FIG.

第8図は、ウエハW2が90゜方向に位置決めされ
た状態を示し、主フラツトFはy方向の直線上に
配置されたローラ6cと6dと当接し、ウエハ
W2の円周の一ケ所がローラ6dと当接する。こ
れによつてウエハW2の主フラツトFの切欠き方
向がy方向と一致するように位置決めされる。
尚、この場合、ウエハW2の中心O4はセンターア
ツプ10の中心O2からずれて位置決めされる。
FIG. 8 shows a state in which the wafer W 2 is positioned in the 90° direction, and the main flat F is in contact with rollers 6c and 6d arranged on a straight line in the y direction, and the wafer W 2 is positioned in the 90° direction.
One place on the circumference of W 2 contacts the roller 6d. Thereby, the wafer W2 is positioned so that the notch direction of the main flat F coincides with the y direction.
In this case, the center O 4 of the wafer W 2 is positioned offset from the center O 2 of the center up 10 .

また、位置決めの精度、再現性を向上するた
め、ローラ6aと6bの間隔及びローラ6cと6
dの間隔は、フラツトFのできるだけ離れた2ケ
所が当接するように、すなわちフラツトFの長さ
よりも若干短かめに定めておくことが望ましい。
In addition, in order to improve positioning accuracy and reproducibility, the distance between rollers 6a and 6b and the distance between rollers 6c and 6
It is desirable that the distance d be set so that two points of the flat F that are as far apart as possible come into contact with each other, that is, set to be slightly shorter than the length of the flat F.

以上のように、ウエハ搬送装置上では、x方向
の直線上に配置された第1基準部材の当接部とし
ての2つのローラ6a,6bと、x方向と直交す
るy方向の直線上に配置された第2基準部材の当
接部として2つのローラ6c,6dとを設け、ウ
エハのフラツトFの直線方向をx方向と一致させ
て位置決めするときは、フラツトFがローラ66
a,6bに当接すると共に、ウエハの円周の一ケ
所がローラ6dに当接し、フラツトFの直線方向
をy方向と一致させて位置決めするときは、フラ
ツトFがローラ6c,6dに当接すると共に、ウ
エハの円周の一ケ所がローラ6dに当接するよう
に、4つのローラ6a〜6dを配置することによ
つて、ウエハの2方向の位置決めを行なうもので
ある。
As described above, on the wafer transfer device, the two rollers 6a and 6b are placed on a straight line in the x direction as the abutting portions of the first reference member, and the rollers 6a and 6b are placed on a straight line in the y direction perpendicular to the x direction. Two rollers 6c and 6d are provided as abutting portions of the second reference member, and when positioning the wafer so that the linear direction of the flat F coincides with the x direction, the flat F contacts the roller 66.
a, 6b, and one place on the circumference of the wafer contacts the roller 6d. When positioning the flat F by aligning the linear direction with the y direction, the flat F contacts the rollers 6c, 6d and The wafer is positioned in two directions by arranging four rollers 6a to 6d such that one point on the circumference of the wafer contacts the roller 6d.

尚、第7図(第8図)では、ローラ6a,6
b,6c,6dがフラツトFに当接した状態で、
ウエハW2の円周の一ケ所はローラ6d,6bに
当接するが、各ローラの配置によつては、ローラ
6c,6aに当接する場合もある。
In addition, in FIG. 7 (FIG. 8), the rollers 6a, 6
With b, 6c, and 6d in contact with flat F,
One location on the circumference of the wafer W2 contacts the rollers 6d and 6b, but may also contact the rollers 6c and 6a depending on the arrangement of each roller.

さて、テーブル2上でプリ・アライメントされ
たウエハW2は、前述のようにセンターアツプ1
0の上昇、スライダーアーム14の搬送によつ
て、ステージ上のウエハホルダ20に受け渡され
る。まず0゜のオリ・フラの場合は第9図のように
2回目のプリ・アライメントが行なわれる。ウエ
ハW2が載置面21上に載置されると、第3図に
示した排気孔21cによつてエアフローされ、ウ
エハW2はわずかに浮上する。そのてプランジヤ
23が作動して押圧部材24がウエハW2の周端
部を押圧する。これによつて第9図のようにウエ
ハW2の主フラツトはローラ25b,25cに当
接し、ウエハW2の円周の一ケ所はローラ26a
に当接する。この時、ローラ25b,25cは主
フラツトの、なるべく離れた2ケ所で当接するこ
とが望ましく、また、ローラ26aはウエハW2
の径方向を規定するために、ウエハW2の中心O4
を通り、主フラツトFと平行な直線l1とウエハ
W2の円周が交わる位置、すなわちウエハW2の最
大径の位置で当接することが望ましい。このよう
に3つのローラ25b,25c,26aを配置す
ることによつて、ウエハW2のホルダ20に対す
る位置決めは極めて正確なものとなる。またこの
時、ローラ25aはy方向に主フラツトFよりも
δだけ退避した位置にあり、ローラ26b,26
cはx方向にローラ26aよりもδだけ離れた位
置にある。このため、押圧部材24の押圧により
ウエハW2が位置決めされたとき、ローラ25a,
26b,26cはウエハW2と当接することはな
い。
Now, the wafer W 2 which has been pre-aligned on the table 2 is placed at the center up 1 as mentioned above.
0 and is transferred to the wafer holder 20 on the stage by the movement of the slider arm 14. First, in the case of an orientation flat of 0°, a second pre-alignment is performed as shown in Figure 9. When the wafer W 2 is placed on the mounting surface 21, air flows through the exhaust hole 21c shown in FIG. 3, and the wafer W 2 floats slightly. Then, the plunger 23 operates and the pressing member 24 presses the peripheral edge of the wafer W2 . As a result, as shown in FIG. 9, the main flat of wafer W 2 comes into contact with rollers 25b and 25c, and one place on the circumference of wafer W 2 comes into contact with roller 26a.
comes into contact with. At this time, it is desirable that the rollers 25b and 25c contact the main flat at two locations as far apart as possible, and the roller 26a should contact the wafer W2.
To define the radial direction of the wafer W 2, the center of the wafer W 2 O 4
, and the straight line l 1 parallel to the main flat F and the wafer
It is desirable that the contact be made at a position where the circumferences of the wafer W 2 intersect, that is, at the position of the maximum diameter of the wafer W 2 . By arranging the three rollers 25b, 25c, and 26a in this manner, the positioning of the wafer W2 with respect to the holder 20 becomes extremely accurate. Further, at this time, the roller 25a is at a position retracted by δ from the main flat F in the y direction, and the rollers 26b, 26
c is located at a distance of δ from the roller 26a in the x direction. Therefore, when the wafer W 2 is positioned by the pressure of the pressing member 24, the rollers 25a,
26b and 26c never come into contact with the wafer W2 .

さて、90゜ばのオリ・フラの場合は、第10図
のように行なわれる。このとき、ウエハW2の主
フラツトFはローラ26b,26cに当接し、ウ
エハW2の円周の一ケ所はローラ25aに当接す
る。この場合み0゜のオリ・フラのときの条件と同
様に、ローラ26b,26cは主フラツトFのな
るべく離れた2ケ所で当接し、ローラ25aはウ
エハW2の中心O4を通り、フラツトFと平行な直
線l1上でウエハW2と当接する。
Now, in the case of a 90° angle, it is done as shown in Figure 10. At this time, the main flat F of the wafer W2 comes into contact with the rollers 26b and 26c, and one place on the circumference of the wafer W2 comes into contact with the roller 25a. In this case, similar to the conditions for the 0° orientation flat, the rollers 26b and 26c abut on the main flat F at two locations as far apart as possible, and the roller 25a passes through the center O4 of the wafer W2 , It comes into contact with wafer W 2 on a straight line l 1 parallel to .

以上のように、6つのローラ25a〜25c,
26a〜26cのうち、3つのローラが0゜のオ
リ・フラ,90゜のオリ・フラの各々に対して同一
条件でウエハW2と当接するため、両方向の位置
決めに対して精度が異なることなく、極めて再現
性のよい位置決めが達成される。
As mentioned above, the six rollers 25a to 25c,
Of 26a to 26c, three rollers contact the wafer W 2 under the same conditions for each of the 0° and 90° orientation flats, so there is no difference in positioning accuracy in both directions. , extremely reproducible positioning is achieved.

さて、このように押圧部材24がウエハW2
押圧して90゜のオリ・フラが達成された段階で、
第3図に示した吸気孔21bによつて真空吸着が
行なわれると共に、排気孔21cによるエアフロ
ーが停止する。そして真空吸着時のバキユームセ
ンサーに基づいて、吸着完了が確認されると、プ
ランジヤ23の作動を停止し、押圧部材24をウ
エハW2から退避させる。こうしてウエハW2は2
回目のプリアライメントが達成された状態でウエ
ハホルダ20の載置面21に平坦化されて固定さ
れる。
Now, when the pressing member 24 presses the wafer W 2 and the 90° orientation/flat is achieved,
Vacuum suction is performed through the intake hole 21b shown in FIG. 3, and air flow through the exhaust hole 21c is stopped. When suction completion is confirmed based on the vacuum sensor during vacuum suction, the operation of the plunger 23 is stopped and the pressing member 24 is retracted from the wafer W2 . Thus wafer W 2 is 2
After the second pre-alignment is achieved, the wafer is flattened and fixed on the mounting surface 21 of the wafer holder 20.

また、上記排気孔21cはエアフローのために
気体を排出するだけでなく、吸気孔21bと同様
に吸気動作するようにすれば、載置面21上の6
ケ所で真空引きされるから、ウエハはより均一に
吸着され、平坦度も向上する。
Furthermore, if the exhaust hole 21c is configured to not only exhaust gas for airflow, but also take in air in the same way as the intake hole 21b, the exhaust hole 21c can be used to
Since vacuum is applied at only one location, the wafer is attracted more uniformly and its flatness is improved.

尚、第9図,第10図からもわかるように、ウ
エハホルダ20の中心O3に対するウエハW2の中
心O4は、0゜のオリ・フラ時と、90゜のオリ・フラ
時とで若干ずれている。このため、0゜のオリ・フ
ラ時と90゜のオリ・フラ時とで、スライダーアー
ム14からウエハホルダ20への受け渡し位置が
若干ずれることになる。
As can be seen from FIGS. 9 and 10, the center O 4 of the wafer W 2 relative to the center O 3 of the wafer holder 20 is slightly different between 0° and 90°. It's off. Therefore, the transfer position from the slider arm 14 to the wafer holder 20 will be slightly shifted between the 0° orientation and flatness and the 90° orientation and flatness.

この制御はマイコン100がポートI2を読み込
み、ステージを受け渡し位置に移動させる際に若
干補正することによつて行なわれる。この中心4
のずれは第7図,第8図のように1回目のプリ・
アライメント時においても同様に発生するから、
このときのずれも含めてウエハのステージへの受
け渡し位置を補正するように、ステージを移動さ
せる。
This control is performed by the microcomputer 100 reading port I2 and making slight corrections when moving the stage to the delivery position. this center 4
As shown in Figures 7 and 8, the deviation is due to the first pre-
The same thing occurs during alignment, so
The stage is moved so as to correct the position at which the wafer is transferred to the stage, including the deviation at this time.

尚、本実施例においては、ウエハをウエハ搬送
装置内のテーブル2上でローラ6a,6b,6
c,6dに当接させた後、再度ステージ上のウエ
ハホルダ20で同様にローラ25a〜25c,2
6a〜26cに当接させて位置決めした。しかし
ながら、ウエハホルダ20上の位置決め完了まで
の総合時間を短縮したい場合は、ウエハのローラ
6a,6b,6c,6dへの当接ステツプを省略
してもよい。これは本実施例では、ウエハのテー
ブル2への搬送後、センタリング動作を行い、ウ
エハの中心とテーブル2の回転中心とを一致させ
るため、回転に伴う偏芯がなく、フラツトFがテ
ーブル2上で正確に位置決めされるからである。
In this embodiment, the wafer is placed on the table 2 in the wafer transfer device by rollers 6a, 6b, 6.
After contacting the rollers 25a to 25c and 6d, the wafer holder 20 on the stage is moved again.
It was positioned by making it contact with 6a to 26c. However, if it is desired to shorten the total time until the completion of positioning on the wafer holder 20, the step of bringing the wafer into contact with the rollers 6a, 6b, 6c, and 6d may be omitted. In this embodiment, after the wafer is transferred to the table 2, a centering operation is performed to align the center of the wafer with the rotation center of the table 2, so there is no eccentricity due to rotation, and the flat F is placed on the table 2. This is because accurate positioning is possible.

具体的には、テーブル2を回転させてフラツト
Fが光電素子PDの真上に位置したとき、テーブ
ル2の回転を停止させる。そしてセンターアツプ
10の真空吸着を開始すると共に、センターアツ
プ10を上昇させ、テーブル2の真空吸着を解除
し、ウエハをセツターアツプ10に受け渡す。以
後は本実施例と同様にステージまで搬送すればよ
い。
Specifically, when the table 2 is rotated and the flat F is located directly above the photoelectric element PD, the rotation of the table 2 is stopped. Then, vacuum suction of the center up 10 is started, the center up 10 is raised, the vacuum suction of the table 2 is released, and the wafer is transferred to the setter up 10. Thereafter, it is only necessary to transport it to the stage in the same manner as in this embodiment.

さて、以上の実施例では、押圧部材24によつ
てウエハの押圧を斜め45゜の一方向から行ない、
その分力でウエハのxy方向の位置決めを行なつ
た。しかしながら、x方向,y方向の押圧を第1
1図のように独立に行なうようにしてもよい。
Now, in the above embodiment, the pressing member 24 presses the wafer from one direction at an angle of 45 degrees.
This force was used to position the wafer in the x and y directions. However, the pressure in the x and y directions is
They may be performed independently as shown in Figure 1.

第11図において、ウエハW2をx方向に押圧
する揺動部材30と、y方向に押圧する揺動部材
31とを設ける。
In FIG. 11, a swing member 30 that presses the wafer W 2 in the x direction and a swing member 31 that presses the wafer W 2 in the y direction are provided.

今、0゜のオリ・フラのウエハW2が載置される
と、まず初めに揺動部材31が揺動し、回転自在
に取付けられたローラ30aが、ウエハW2をロ
ーラ26a側に押圧する。その後、揺動部材31
が揺動し、回転自在に取付けられたローラ31a
がウエハW2をローラ25b,25c側に押圧す
る。このとき、ローラ30aはウエハW2の中心
O4を通り、フラツトFに平行な直線l1に対して角
度θだけフラツトFから離れた位置でウエハW2
に当接し、中心O4に向う押圧力を発生する。
Now, when the wafer W 2 with an orientation and flat orientation of 0° is placed, the swinging member 31 swings, and the rotatably mounted roller 30a presses the wafer W 2 toward the roller 26a. do. After that, the swinging member 31
The roller 31a is attached to be able to swing and rotate freely.
presses the wafer W 2 toward the rollers 25b and 25c. At this time, the roller 30a is at the center of the wafer W2.
The wafer W 2 passes through O 4 and is separated from the flat F by an angle θ with respect to the straight line l 1 parallel to the flat F.
and generates a pressing force toward the center O4 .

このようにすることによつて、ローラ30aと
ローラ26aによつてウエハW2がはさまれたと
き、、ウエハW2は回転可能であると共に、揺動部
材31側に浮動することなく、ローラ25b,2
5c側に当接しようとする。そして、その後ロー
ラ31aがウエハW2を押圧するから、フラツト
Fが微小に傾いていたとしてもローラ25b,2
5cの両方に当接し、正確な位置決めが達成され
る。
By doing this, when the wafer W 2 is sandwiched between the roller 30a and the roller 26a, the wafer W 2 can be rotated, and the wafer W 2 can be rotated without floating toward the swinging member 31. 25b,2
It tries to come into contact with the 5c side. Then, since the roller 31a presses the wafer W2 , even if the flat F is slightly tilted, the rollers 25b and 2
5c, accurate positioning is achieved.

また、90゜のオリ・フラのウエハの場合も同様
であり、このときウエハW2の中心は中心O4′とな
り、直線l1は直線l1′となる。
The same applies to the case of a 90° orientation/flat wafer, in which case the center of the wafer W 2 becomes the center O 4 ′, and the straight line l 1 becomes the straight line l 1 ′.

そして、初めに揺動部材31が揺動して、ウエ
ハW2をローラ25aと31aではさみ込み、続
いて揺動部材30を揺動させて、ウエハW2のフ
ラツトFをローラ26b,26cに当接させる。
First, the swinging member 31 swings to sandwich the wafer W 2 between the rollers 25a and 31a, and then the swinging member 30 swings to move the flat F of the wafer W 2 onto the rollers 26b and 26c. bring it into contact.

このため、ローラ31aは直線l1′に対して角度
θだけフラツトFから離れた位置で、中心O4′に
向う押圧力を発生する。
Therefore, the roller 31a generates a pressing force toward the center O 4 ' at a position separated from the flat F by an angle θ with respect to the straight line l 1 '.

以上の実施例によれば、浮上したウエハW2
確実に押圧することができ、斜め45゜の方向から
押圧するよりも安定した位置決めが達成される。
According to the above embodiment, the floating wafer W 2 can be reliably pressed, and more stable positioning can be achieved than when pressing from a diagonal direction of 45 degrees.

また本願発明とは直接関係しないが、基準部材
の当接部をローラとせずに、単なる突出部として
形成してもよい。例えば第12図のように、第1
基準部材40と第2基準部材41とを各々x方向
とy方向に沿つて配置する。そして第1基準部材
40には第3,9,10,11図のローラ25
a,25b,25cのかわりに突出部40a,4
0b,40cを設け、第2基準部材41には、ロ
ーラ26a,26b,26cのかわりに突出部4
1a,41b,41cを設ける。突出部40bと
40cを結ぶ線分はx方向と一致し、突出部40
aはその線分よりδだけウエハホルダ20の外側
に変位して形成されている。また突出部41bと
41cを結ぶ線分はy方向と一致し、突出部41
aはの線分よりδだけウエハホルダ20の外側に
変位して形成される。
Although not directly related to the present invention, the contact portion of the reference member may be formed as a mere protrusion instead of a roller. For example, as shown in Figure 12, the first
The reference member 40 and the second reference member 41 are arranged along the x direction and the y direction, respectively. The first reference member 40 has a roller 25 shown in FIGS. 3, 9, 10, and 11.
Projections 40a, 4 instead of a, 25b, 25c
0b, 40c, and the second reference member 41 has a protrusion 4 instead of the rollers 26a, 26b, 26c.
1a, 41b, and 41c are provided. A line segment connecting the protrusions 40b and 40c coincides with the x direction, and the protrusion 40
A is formed to be displaced outward of the wafer holder 20 by δ from the line segment. Further, the line segment connecting the protrusions 41b and 41c coincides with the y direction, and the protrusion 41
A is formed to be displaced outward of the wafer holder 20 by δ from the line segment a.

(発明の効果) 以上、本発明によれば0゜方向と90°方向との2
方向のウエハ位置決めに両用できると共に、両方
の位置決めに関して、3つのローラがウエハとと
当接するだけなので、ウエハを押圧したとき、ウ
エハは回転しやすく、極めて精度よく位置決めさ
れる。
(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, there are two directions: 0° direction and 90° direction.
It can be used to position the wafer in both directions, and since the three rollers only come into contact with the wafer in both positions, when the wafer is pressed, the wafer rotates easily and is positioned with extremely high accuracy.

さらにウエハと当接する第1,第2基準部材
は、それぞれ0゜方向とと90゜方向の2ケ所にのみ
設けられているから、0゜方向での位置決め完了時
のウエハの位置と、90゜方向での位置決め完了時
のウエハの位置とは若干ずれるだけであり、引き
続く真空吸着を考慮して、ウエハホルダの載置面
の形状を特別なものにする必要がなく、両方向で
位置決めされたウエハを確実に固定できるという
利点もある。さらに、第1と第2基準部材が、0゜
方向と90゜方向のそれぞれに設けられているだけ
であるからウエハの円周上その他の方向には空間
的に干渉するものがなく、押圧部材の配置の自由
度が大きくなると共に、ウエハのロードやアン・
ロードの方向性にも自由度が大きくなるという効
果が得られる。
Furthermore, since the first and second reference members that come into contact with the wafer are provided only at two locations, one in the 0° direction and the other in the 90° direction, the position of the wafer upon completion of positioning in the 0° direction and the 90° There is only a slight deviation from the position of the wafer when positioning is completed in both directions, and there is no need to make a special shape for the mounting surface of the wafer holder in consideration of subsequent vacuum suction, and the wafer positioned in both directions can be Another advantage is that it can be fixed securely. Furthermore, since the first and second reference members are only provided in the 0° direction and the 90° direction, there is no spatial interference on the circumference of the wafer or in other directions, and the pressing member The degree of freedom in wafer placement is increased, and wafer loading and unloading
This also has the effect of increasing the degree of freedom in the directionality of the load.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係る装置が用いられる投影型
露光装置において、ウエハ搬送装置上で位置決め
する本発明の実施例を示す全体構成の平面図、第
2図はそのウエハ搬送装置の一部断面図、第3図
は本発明のより望ましい実施例を示すウエハホル
ダの平面図、第4図はウエハ搬送装置でウエハの
位置決めを行なうための制御回路の回路ブロツク
図、第5図は、その制御回路中で用いられるマイ
クロコンピユータのフローチヤート図、第6図
は、その制御回路中の各信号の様子を示すタイム
チヤート図、第7図,第8図は、第1,第2図に
示した本発明の実施例による装置の位置決め動作
を説明する図、第9図,第10図は第3図に示し
た本発明のより望ましい実施例によるウエハホル
ダの位置決め動作を説明する図、第11図,第1
2図は本発明の他の実施例による位置決め装置の
平面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 2…回転テーブル、6a,6b,25a,25
b,25c…第1基準部材の当接部としてのロー
ラ、6c,6d,26a,26d,26c…第2
基準部材の当接部としてのローラ、8…アーム、
20…ウエハホルダ、24…押圧部材、30,3
1…揺動部材、40…第1基準部材、41…第2
基準部材。
FIG. 1 is a plan view of the overall configuration of a projection exposure apparatus using the apparatus according to the present invention, showing an embodiment of the present invention for positioning on a wafer transfer device, and FIG. 2 is a partial cross-section of the wafer transfer device. 3 is a plan view of a wafer holder showing a more preferable embodiment of the present invention, FIG. 4 is a circuit block diagram of a control circuit for positioning a wafer in a wafer transfer device, and FIG. 5 is a circuit block diagram of the control circuit. Figure 6 is a flowchart of the microcomputer used in the control circuit, and Figure 6 is a time chart showing the state of each signal in the control circuit. FIGS. 9 and 10 are diagrams for explaining the positioning operation of the apparatus according to the embodiment of the invention, and FIGS. 1
FIG. 2 is a plan view of a positioning device according to another embodiment of the present invention. [Explanation of symbols of main parts] 2...Rotary table, 6a, 6b, 25a, 25
b, 25c...roller as a contact portion of the first reference member, 6c, 6d, 26a, 26d, 26c...second
A roller as a contact portion of the reference member, 8...arm,
20... Wafer holder, 24... Pressing member, 30, 3
1... Swinging member, 40... First reference member, 41... Second
Reference member.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 周辺に所定長さのフラツト部を有する円板状
のウエハを載置するホルダーと、該ホルダーの周
辺部に立設された位置決め用の基準部材と、前記
ホルダーに載置されたウエハを前記基準部材の方
向に押圧する押圧部材とを備え、前記ウエハを前
記ホルダー上に位置決めする装置において、 前記ウエハを水平面内で回転させるターンテー
ブルと、該回転中のウエハの周辺を光電検出し
て、前記フラツト部の中央位置を検出するフラツ
ト検出部と、該フラツト検出部からの検出信号
と、前記フラツト部を0゜方向、又は90゜方向のど
ちらに配向するかを切り替える信号とに基づい
て、前記ターンテーブルの回転停止位置を制御す
る制御部とを含むプリ・アライメント手段と; 該プリ・アライメント手段によつて0゜方向、も
しくは90゜方向に位置決めされた前記ウエハを前
記ホルダー上に搬送する搬送手段とを設け、 前記基準部材は、搬送されてきたウエハの0゜方
向のフラツト部と対向して並置された3つのロー
ラから成る第1基準部材と、搬送されてきたウエ
ハの90゜方向のフラツト部と対向して並置された
3つのローラから成る第2基準部材とを含み、前
記第1基準部材と第2基準部材の夫々の中央の1
つのローラは、両脇の2つのローラを結ぶ線分か
ら前記ホルダーの外側へ一定間隙だけ離して設け
られ、かつ該一定間隙は前記ウエハの円周部分が
前記並置された3つのローラのうち中央の1つの
ローラと接触して両脇の2つのローラとは非接触
になるような量に定められたことを特徴とするウ
エハの位置決め装置。 2 前記第1基準部材と第2基準部材の夫々の3
つのローラのうち両脇の2つのローラを結ぶ線分
を、前記ホルダーのほぼ中央を中心とした円の弦
としたとき、前記一定間隙は該弦の垂直二等分線
が前記円の弧と交るまでの長さよりも小さくした
ことを特徴とする請求項第1項に記載の装置。
[Scope of Claims] 1. A holder on which a disc-shaped wafer is placed having a flat portion of a predetermined length on the periphery, a reference member for positioning provided upright on the periphery of the holder, and a wafer placed on the holder. A press member that presses a placed wafer in the direction of the reference member, and an apparatus for positioning the wafer on the holder, comprising: a turntable that rotates the wafer in a horizontal plane; a flat detection section that photoelectrically detects the central position of the flat section; a detection signal from the flat detection section; and switching between the orientation of the flat section in the 0° direction or the 90° direction. a control section for controlling a rotation stop position of the turntable based on a signal; and a control section for controlling a rotation stop position of the turntable based on a signal; a conveying means for conveying the wafer onto the holder, and the reference member includes a first reference member consisting of three rollers arranged in parallel to face a flat portion of the conveyed wafer in the 0° direction; a second reference member consisting of three rollers disposed in parallel to face the flat portion of the wafer in the 90° direction;
The two rollers are provided at a predetermined distance from the outside of the holder from a line connecting the two rollers on both sides, and the predetermined gap is such that the circumferential portion of the wafer is located at the center of the three rollers arranged side by side. 1. A wafer positioning device, characterized in that the amount is determined such that it makes contact with one roller and does not come into contact with two rollers on both sides. 2 3 of each of the first reference member and the second reference member
When the line segment connecting the two rollers on both sides of the two rollers is the chord of a circle centered approximately at the center of the holder, the constant gap is such that the perpendicular bisector of the chord is the arc of the circle. 2. The device according to claim 1, wherein the length is smaller than the length of the device until it intersects.
JP58095190A 1983-05-30 1983-05-30 Positioning device for wafer Granted JPS59219931A (en)

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JP58095190A JPS59219931A (en) 1983-05-30 1983-05-30 Positioning device for wafer

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JPH0330990B2 true JPH0330990B2 (en) 1991-05-01

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