JPH0467260B2 - - Google Patents
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- JPH0467260B2 JPH0467260B2 JP2131183A JP2131183A JPH0467260B2 JP H0467260 B2 JPH0467260 B2 JP H0467260B2 JP 2131183 A JP2131183 A JP 2131183A JP 2131183 A JP2131183 A JP 2131183A JP H0467260 B2 JPH0467260 B2 JP H0467260B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 101150065817 ROM2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体発光素子から発生する光出力を
自動的に制御する光出力自動制御装置に関し、特
に光出力変調時における系の安定化手段に関す
る。
自動的に制御する光出力自動制御装置に関し、特
に光出力変調時における系の安定化手段に関す
る。
半導体レーザ等に用いられる半導体発光素子に
おける順方向電流と出力光量とは第1図に示すよ
うな関係を有している。すなわち出力光量は或る
一定のしきい値以上の順方向電流を流さないと得
られない。このしきい値は温度の関数であり、温
度が上昇するに従つて曲線,,,という
具合にしきい値が増加する。したがつて出力光量
を一定レベルLに保つためには温度変化に応じて
半導体発光素子に流す順方向電流を制御する必要
がある。
おける順方向電流と出力光量とは第1図に示すよ
うな関係を有している。すなわち出力光量は或る
一定のしきい値以上の順方向電流を流さないと得
られない。このしきい値は温度の関数であり、温
度が上昇するに従つて曲線,,,という
具合にしきい値が増加する。したがつて出力光量
を一定レベルLに保つためには温度変化に応じて
半導体発光素子に流す順方向電流を制御する必要
がある。
第2図は従来の光出力自動制御装置の構成を示
す図である。第2図において1は半導体発光素子
であり、可変電流源2から順方向電流を通流さ
れるものとなつている。なお半導体発光素子1に
は変調用スイツチング回路3が直列に接続されて
いる。4はPINダイオード等の光検出器であり、
前記発光素子1から発せられる光の一部を受光し
光電変換する。この光検出器4の検出電流は電流
−電圧変換器5によつて電圧に変換され比較器6
の入力端に与えられる。上記比較器6の入力
端には、ポテンシヨメータ7から目標値に相当す
る基準電圧が与えられる。かくして比較器6から
は目標値と検出値との差に相当する差出力が得ら
れる。この差出力は積分器8によつて積分され、
前記可変電流源2にフイードバツク制御信号とし
て与えられる。その結果、発光素子1の出力光量
の変化分に応じて順方向電流が増減され出力光量
が一定に保たれる。
す図である。第2図において1は半導体発光素子
であり、可変電流源2から順方向電流を通流さ
れるものとなつている。なお半導体発光素子1に
は変調用スイツチング回路3が直列に接続されて
いる。4はPINダイオード等の光検出器であり、
前記発光素子1から発せられる光の一部を受光し
光電変換する。この光検出器4の検出電流は電流
−電圧変換器5によつて電圧に変換され比較器6
の入力端に与えられる。上記比較器6の入力
端には、ポテンシヨメータ7から目標値に相当す
る基準電圧が与えられる。かくして比較器6から
は目標値と検出値との差に相当する差出力が得ら
れる。この差出力は積分器8によつて積分され、
前記可変電流源2にフイードバツク制御信号とし
て与えられる。その結果、発光素子1の出力光量
の変化分に応じて順方向電流が増減され出力光量
が一定に保たれる。
しかるに第2図に示した光出力自動制御装置に
は次のような問題がある。すなわち第2図におけ
るフイードバツク系は出力光量の平均値と目標値
との差が零になるように作動するので、連続発光
制御の場合には問題が生じないが、変調用スイツ
チング回路3を動作させ光出力をスイツチングす
ることにより変調動作を行なう場合においてスイ
ツチングのデユーテイ比が変化すると、それに伴
つて変調光のピーク値も変化してしまうことにな
る。
は次のような問題がある。すなわち第2図におけ
るフイードバツク系は出力光量の平均値と目標値
との差が零になるように作動するので、連続発光
制御の場合には問題が生じないが、変調用スイツ
チング回路3を動作させ光出力をスイツチングす
ることにより変調動作を行なう場合においてスイ
ツチングのデユーテイ比が変化すると、それに伴
つて変調光のピーク値も変化してしまうことにな
る。
第3図a,b,cおよびd,e,fはそのもよ
うを示している。すなわち第3図aのようにデユ
ーテイ比40:10の変調波形の場合は平均値が同図
bの如くになり、その結果、変調時Tにおける出
力光量は同図cのようになる。また第3図dのよ
うにデユーテイ比10:40の変調波形の場合は平均
値が同図eのようになり、その結果、変調時Tに
おける出力光量は同図fのようになる。
うを示している。すなわち第3図aのようにデユ
ーテイ比40:10の変調波形の場合は平均値が同図
bの如くになり、その結果、変調時Tにおける出
力光量は同図cのようになる。また第3図dのよ
うにデユーテイ比10:40の変調波形の場合は平均
値が同図eのようになり、その結果、変調時Tに
おける出力光量は同図fのようになる。
なお高速のスイツチングを行なう場合にはスイ
ツチング変調開始時と終了時においてフイードバ
ツク系の遅れによつて大幅なパワーの変動が発生
することは避けられない。この点を改善すべく、
フイードバツク系の応答速度をスイツチングサイ
クルより十分高くすることが考えられるが、光デ
イスクやレーザプリンタ等で用いられる周波数は
数MHz以上であり、実装する場合には浮遊容量除
去手段を講じなければならない上、使用される回
路素子にも制限が加わるのでコスト高となり現実
的でない。
ツチング変調開始時と終了時においてフイードバ
ツク系の遅れによつて大幅なパワーの変動が発生
することは避けられない。この点を改善すべく、
フイードバツク系の応答速度をスイツチングサイ
クルより十分高くすることが考えられるが、光デ
イスクやレーザプリンタ等で用いられる周波数は
数MHz以上であり、実装する場合には浮遊容量除
去手段を講じなければならない上、使用される回
路素子にも制限が加わるのでコスト高となり現実
的でない。
本発明はこのような事情に基いてなされたもの
であり、その目的は温度変化に対して安定な一定
の出力光量が得られるのは勿論、変調時における
変調信号波形のデユーテイ比が大幅に変化しても
変調光のピーク値が変化することがなく、しかも
変調開始時あるいは変調終了時において大幅なパ
ワー変動が生じない光出力自動制御装置を提供す
ることにある。
であり、その目的は温度変化に対して安定な一定
の出力光量が得られるのは勿論、変調時における
変調信号波形のデユーテイ比が大幅に変化しても
変調光のピーク値が変化することがなく、しかも
変調開始時あるいは変調終了時において大幅なパ
ワー変動が生じない光出力自動制御装置を提供す
ることにある。
本発明は上記目的を達成するために次の如く構
成したことを特徴としている。すなわち半導体発
光素子に第1の電流源から順方向電流を供給して
発光させ、その光の一部を受光器で受光して光電
変換し、その波形率を平均化したのち光出力の目
標値と比較してその差出力を得、この差出力を積
分して第1の電流源にフイードバツク制御信号と
して与えるようにする。そして第1の電流源に第
2の電流源を併設し、この第2の電流源に変調時
におけるピークパワーを設定すると共に、変調信
号に応動する変調用スイツチにより、上記第2の
電流源をON・OFFして発光素子の出力変調を行
なうようにする。そして変調信号の波形率を平均
化した信号を前記変調時におけるピークパワーの
設定値に乗じて前記目標値に加算することによ
り、光出力変調時において光量検出信号に含まれ
る「ピークパワー設定値」×「変調信号の平均値」
なる成分を除去し、系の安定化をはかるようにし
たことを特徴としている。
成したことを特徴としている。すなわち半導体発
光素子に第1の電流源から順方向電流を供給して
発光させ、その光の一部を受光器で受光して光電
変換し、その波形率を平均化したのち光出力の目
標値と比較してその差出力を得、この差出力を積
分して第1の電流源にフイードバツク制御信号と
して与えるようにする。そして第1の電流源に第
2の電流源を併設し、この第2の電流源に変調時
におけるピークパワーを設定すると共に、変調信
号に応動する変調用スイツチにより、上記第2の
電流源をON・OFFして発光素子の出力変調を行
なうようにする。そして変調信号の波形率を平均
化した信号を前記変調時におけるピークパワーの
設定値に乗じて前記目標値に加算することによ
り、光出力変調時において光量検出信号に含まれ
る「ピークパワー設定値」×「変調信号の平均値」
なる成分を除去し、系の安定化をはかるようにし
たことを特徴としている。
以下、本発明の詳細を図面に示す実施例によつ
て明らかにする。
て明らかにする。
第4図は本発明の一実施例の構成を示すブロツ
ク図である。なお第2図と同一部分には同一符号
を付してある。第4図において9は第2の可変電
流源であり、第1の可変電流源2に並列的に設け
られている。そして上記第2の可変電流源9と直
列に変調用高速電流スイツチ10が接続されてい
る。この高速電流スイツチ10は端子11に与え
られる変調信号によつてスイツチング動作するも
のとなつている。一方フイードバツク系の電流−
電圧変換器5の出力端には第1の平均化回路とし
ての低域フイルタ12を接続し、この低域フイル
タ12の出力端を比較器13の入力端に接続し
ている。比較器13の一方入力端には無変調時
の目標値となるパワー設定値が設定器14から与
えられる。また比較器13の他方の入力端には
アナログ乗算器15の出力が与えられる。アナロ
グ乗算器15の一方の入力端には変調時のピーク
パワー設定値が設定器16から与えられ、他方の
入力端には変調信号供給端子11に与えられる変
調信号を、抵抗16とコンデンサ18とからなる
第2の平均化回路としての低域フイルタによつて
波形率を平均化した信号が供給される。変調時ピ
ークパワー設定器16の出力は効率調整回路19
にも供給される。効率調整回路19は可変電源2
0を備えており、発光素子1が変調時ピークパワ
ー設定器16の出力電圧に対応した発光をなすよ
うに、上記設定器16の出力電圧と第2の可変電
流源9の電流値との比例関係を調整するものとな
つている。
ク図である。なお第2図と同一部分には同一符号
を付してある。第4図において9は第2の可変電
流源であり、第1の可変電流源2に並列的に設け
られている。そして上記第2の可変電流源9と直
列に変調用高速電流スイツチ10が接続されてい
る。この高速電流スイツチ10は端子11に与え
られる変調信号によつてスイツチング動作するも
のとなつている。一方フイードバツク系の電流−
電圧変換器5の出力端には第1の平均化回路とし
ての低域フイルタ12を接続し、この低域フイル
タ12の出力端を比較器13の入力端に接続し
ている。比較器13の一方入力端には無変調時
の目標値となるパワー設定値が設定器14から与
えられる。また比較器13の他方の入力端には
アナログ乗算器15の出力が与えられる。アナロ
グ乗算器15の一方の入力端には変調時のピーク
パワー設定値が設定器16から与えられ、他方の
入力端には変調信号供給端子11に与えられる変
調信号を、抵抗16とコンデンサ18とからなる
第2の平均化回路としての低域フイルタによつて
波形率を平均化した信号が供給される。変調時ピ
ークパワー設定器16の出力は効率調整回路19
にも供給される。効率調整回路19は可変電源2
0を備えており、発光素子1が変調時ピークパワ
ー設定器16の出力電圧に対応した発光をなすよ
うに、上記設定器16の出力電圧と第2の可変電
流源9の電流値との比例関係を調整するものとな
つている。
次に上記の如く構成された本装置の動作を説明
する。先ず無変調時の動作を説明する。始動時に
おいて無変調時パワー設定器14の出力電圧が比
較器13を経由して積分器8に供給されると、積
分器8から第1の可変電流源2に対し電流増加制
御入力が与えられる。このため第1の可変電流源
2がその引込み電流値を増加させて発光素子1の
順方向電流を増加させる。順方向電流がしきい値
を越えると発光素子1が発光をはじめる。この発
光した光の一部は光検出器4に受光され光電流を
発生させる。この光電流は電流−電圧変換器5よ
り電圧に変換されたのち低域フイルタ12を通り
比較器13の入力端に供給される。したがつて
比較器13において無変調時パワー設定器14か
らの目標値に相当する基準電圧と比較されその差
電圧が増幅器としての積分器8に供給される。こ
のため積分器8により上記差電圧に応じたフイー
ドバツク制御信号が得られ、これが第1の可変電
流源2に与えられる。発光素子1の発光量が増加
して比較器13に入力する検出信号の大きさが無
変調時パワー設定器14からの基準電圧と等しく
なると、比較器13の出力は零になる。その結
果、積分器8の出力は平衡し発光素子1は一定の
出力光量で発光をつづける。
する。先ず無変調時の動作を説明する。始動時に
おいて無変調時パワー設定器14の出力電圧が比
較器13を経由して積分器8に供給されると、積
分器8から第1の可変電流源2に対し電流増加制
御入力が与えられる。このため第1の可変電流源
2がその引込み電流値を増加させて発光素子1の
順方向電流を増加させる。順方向電流がしきい値
を越えると発光素子1が発光をはじめる。この発
光した光の一部は光検出器4に受光され光電流を
発生させる。この光電流は電流−電圧変換器5よ
り電圧に変換されたのち低域フイルタ12を通り
比較器13の入力端に供給される。したがつて
比較器13において無変調時パワー設定器14か
らの目標値に相当する基準電圧と比較されその差
電圧が増幅器としての積分器8に供給される。こ
のため積分器8により上記差電圧に応じたフイー
ドバツク制御信号が得られ、これが第1の可変電
流源2に与えられる。発光素子1の発光量が増加
して比較器13に入力する検出信号の大きさが無
変調時パワー設定器14からの基準電圧と等しく
なると、比較器13の出力は零になる。その結
果、積分器8の出力は平衡し発光素子1は一定の
出力光量で発光をつづける。
温度が変化して出力光量が変化すると、光検出
器4、電流−電圧変換器5、フイルタ12を通し
てその変化分を含んだ検出信号が比較器13に入
力するので、比較器13から基準電圧との差電圧
が出力され、積分器8を介して第1の可変電流源
2に前記変化分を打消すような制御入力が与えら
れる。このため発光素子1は常に無変調時パワー
設定器14の設定値に対応した出力光量を維持す
る。なお上記動作においては変調信号が与えられ
ていないので、高速電流スイツチ10はOFF状
態になつており、第2の可変電流源9による影響
は生じない。またアナログ乗算器15の一方の入
力mも零であるため、上記乗算器15の出力すな
わちm×nも零である。したがつて比較器13に
アナログ乗算器15の出力が影響を及ぼすおそれ
もない。
器4、電流−電圧変換器5、フイルタ12を通し
てその変化分を含んだ検出信号が比較器13に入
力するので、比較器13から基準電圧との差電圧
が出力され、積分器8を介して第1の可変電流源
2に前記変化分を打消すような制御入力が与えら
れる。このため発光素子1は常に無変調時パワー
設定器14の設定値に対応した出力光量を維持す
る。なお上記動作においては変調信号が与えられ
ていないので、高速電流スイツチ10はOFF状
態になつており、第2の可変電流源9による影響
は生じない。またアナログ乗算器15の一方の入
力mも零であるため、上記乗算器15の出力すな
わちm×nも零である。したがつて比較器13に
アナログ乗算器15の出力が影響を及ぼすおそれ
もない。
次に変調時の動作を説明する。端子11に第5
図Aのような変調信号が与えられると、この変調
信号に応じて高速電流スイツチ10がON,OFF
動作する。このため発光素子1には第2の可変電
流源9によつて決定された電流がスイツチのON
時において第1の可変電流源2による電流値に加
算されて流れる。その結果、発光パワーが上昇し
た形で変調が行なわれる。このとき光検出器4で
検出され、電流−電圧変換器5で電圧に変換さ
れ、さらに低域フイルタ12で波形率を平均化さ
れた検出信号は、第5図Bの変調波形率平均値に
変調時ピークパワー設定器16の出力電圧を乗じ
た第5図Cのような波形の信号を、第5図Dに示
す無変調時パワー設定器14の出力電圧に重量し
た第5図Eのような波形となる。ここで変調時に
おける系の乱れを防ぐためには第5図Eの波形か
ら変調時に発生する第5図Cに示す波形すなわち
変調波形率平均値と変調時ピークパワー設定値と
を乗じたものを、差引いてやればよい。
図Aのような変調信号が与えられると、この変調
信号に応じて高速電流スイツチ10がON,OFF
動作する。このため発光素子1には第2の可変電
流源9によつて決定された電流がスイツチのON
時において第1の可変電流源2による電流値に加
算されて流れる。その結果、発光パワーが上昇し
た形で変調が行なわれる。このとき光検出器4で
検出され、電流−電圧変換器5で電圧に変換さ
れ、さらに低域フイルタ12で波形率を平均化さ
れた検出信号は、第5図Bの変調波形率平均値に
変調時ピークパワー設定器16の出力電圧を乗じ
た第5図Cのような波形の信号を、第5図Dに示
す無変調時パワー設定器14の出力電圧に重量し
た第5図Eのような波形となる。ここで変調時に
おける系の乱れを防ぐためには第5図Eの波形か
ら変調時に発生する第5図Cに示す波形すなわち
変調波形率平均値と変調時ピークパワー設定値と
を乗じたものを、差引いてやればよい。
そこで本実施例では端子11に与えられた第5
図Aの変調信号を抵抗17とコンデンサ18とか
らなる低域フイルタを通すことにより波形率を平
均化して第5図Bのような波形の信号を得、これ
をアナログ乗算器15の一方の入力mとして与え
ると共に、上記アナログ乗算器15の他方の入力
nとして変調時ピークパワー設定用電源16の出
力電圧を与えている。したがつてアナログ乗算器
15からはm×nすなわち変調波形率平均値に変
調時ピークパワー設定値を乗じた第5図Cに示す
波形の出力が送出され、これが比較器13の入
力端の一つに加えられる。このため比較器13か
らは(C+D)−Eなる出力が得られることにな
り、波形Cによる系の乱れが補償される。無論こ
の場合、低域フイルタ12の周波数特性と、抵抗
17、コンデンサ18からなる平均化回路のそれ
とは、実用的な範囲で同一の値となつている。そ
の結果、系全体としては温度変化、変調信号の波
形率の変化、変調時ピークパワー設定値の変更等
に対しても乱れを生じることなく追従する。
図Aの変調信号を抵抗17とコンデンサ18とか
らなる低域フイルタを通すことにより波形率を平
均化して第5図Bのような波形の信号を得、これ
をアナログ乗算器15の一方の入力mとして与え
ると共に、上記アナログ乗算器15の他方の入力
nとして変調時ピークパワー設定用電源16の出
力電圧を与えている。したがつてアナログ乗算器
15からはm×nすなわち変調波形率平均値に変
調時ピークパワー設定値を乗じた第5図Cに示す
波形の出力が送出され、これが比較器13の入
力端の一つに加えられる。このため比較器13か
らは(C+D)−Eなる出力が得られることにな
り、波形Cによる系の乱れが補償される。無論こ
の場合、低域フイルタ12の周波数特性と、抵抗
17、コンデンサ18からなる平均化回路のそれ
とは、実用的な範囲で同一の値となつている。そ
の結果、系全体としては温度変化、変調信号の波
形率の変化、変調時ピークパワー設定値の変更等
に対しても乱れを生じることなく追従する。
ところで第2の可変電流源9で制御される電流
値によつて増加した発光素子1の出力が変調時ピ
ークパワー設定値と一致していないと、(C+D)
−E=0なる条件が成立しないことになる。
値によつて増加した発光素子1の出力が変調時ピ
ークパワー設定値と一致していないと、(C+D)
−E=0なる条件が成立しないことになる。
そこで本実施例では変調時ピークパワー設定器
16と第2の可変電流源9との間に効率調整回路
19を介在させている。この回路19によつて変
調時ピークパワー設定値とこれによつて決定され
る第2の可変電流源9の電流値との比例関係が調
整され、変調時ピークパワー設定値と発光素子1
による出力光量すなわち光検出器4で受光検出さ
れる検出々力との一致がはかられる。
16と第2の可変電流源9との間に効率調整回路
19を介在させている。この回路19によつて変
調時ピークパワー設定値とこれによつて決定され
る第2の可変電流源9の電流値との比例関係が調
整され、変調時ピークパワー設定値と発光素子1
による出力光量すなわち光検出器4で受光検出さ
れる検出々力との一致がはかられる。
本装置は前述したように、変調時ピークパワー
設定値の変更を行なつても系に乱れを生じさせず
にすむことから、CAV(角速度一定)方式の光デ
イスクに対応するランダムアクセス時において、
光学式ピツクアツプの半径方向への動きに応じて
光出力を変化させて記録品質の向上をはかる場合
において有効に使用可能である。この場合、変調
時ピークパワー設定器16の代りに第6図のよう
な回路を用いることが望ましい。
設定値の変更を行なつても系に乱れを生じさせず
にすむことから、CAV(角速度一定)方式の光デ
イスクに対応するランダムアクセス時において、
光学式ピツクアツプの半径方向への動きに応じて
光出力を変化させて記録品質の向上をはかる場合
において有効に使用可能である。この場合、変調
時ピークパワー設定器16の代りに第6図のよう
な回路を用いることが望ましい。
第6図において21a,21b……21nは光
デイスクの半径方向のビーム位置情報を与える端
子であり、これらの端子21a,21b……21
nから与えられたビーム位置情報をROM(リー
ドオンリーメモリ)22に供給する。ROM22
には第7図に示すような位置に対応する所定の信
号レベルをもつたデイジタル信号が得られるよう
にその内容を設定しておく。そして上記ROM2
2の出力をD/A変換器23にてアナログ信号に
変換して端子24から出力する。かくしてデイス
クの半径方向の位置に応じた出力光量が得られ
る。
デイスクの半径方向のビーム位置情報を与える端
子であり、これらの端子21a,21b……21
nから与えられたビーム位置情報をROM(リー
ドオンリーメモリ)22に供給する。ROM22
には第7図に示すような位置に対応する所定の信
号レベルをもつたデイジタル信号が得られるよう
にその内容を設定しておく。そして上記ROM2
2の出力をD/A変換器23にてアナログ信号に
変換して端子24から出力する。かくしてデイス
クの半径方向の位置に応じた出力光量が得られ
る。
なお本発明は上述した実施例に限定されるもの
ではない。たとえば前記実施例では効率調整回路
19として変調時ピークパワー設定値と第2の可
変電流源9による電流値との比例演算を行なうよ
うにした場合を示したがこれに限られるものでは
ない。すなわち一般に半導体レーザ等に使用され
る発光素子はしきい値以上の順方向電流を重畳さ
せるようにした実用上の範囲では第1図に示すよ
うにその発光効率Δp/Δiが一定であるため前記
実施例の如く比例演算を行なうだけで十分であ
る。しかるに発光素子1の発光効率が非直線性を
有している場合には、単なる比例演算のみでは不
十分になる。かかる場合には効率調整回路19と
して非直線性の逆関数を用いた演算を行なうこと
により補正を行なう手段を備えたものを用いれば
よい。また経時変化によつて発生する発光効率
Δp/Δiの変化を調整するために、マイクロプロ
セツサ等により自動調整する手段を備えるように
してもよい。さらに、光検出器4としてのPINダ
イオードには公知の温度補償手段を付加するよう
にしてもよい。このほか本発明の要旨を変更しな
い範囲で種々変形実施可能であるのは勿論であ
る。
ではない。たとえば前記実施例では効率調整回路
19として変調時ピークパワー設定値と第2の可
変電流源9による電流値との比例演算を行なうよ
うにした場合を示したがこれに限られるものでは
ない。すなわち一般に半導体レーザ等に使用され
る発光素子はしきい値以上の順方向電流を重畳さ
せるようにした実用上の範囲では第1図に示すよ
うにその発光効率Δp/Δiが一定であるため前記
実施例の如く比例演算を行なうだけで十分であ
る。しかるに発光素子1の発光効率が非直線性を
有している場合には、単なる比例演算のみでは不
十分になる。かかる場合には効率調整回路19と
して非直線性の逆関数を用いた演算を行なうこと
により補正を行なう手段を備えたものを用いれば
よい。また経時変化によつて発生する発光効率
Δp/Δiの変化を調整するために、マイクロプロ
セツサ等により自動調整する手段を備えるように
してもよい。さらに、光検出器4としてのPINダ
イオードには公知の温度補償手段を付加するよう
にしてもよい。このほか本発明の要旨を変更しな
い範囲で種々変形実施可能であるのは勿論であ
る。
以上説明したように本発明によれば、光出力変
調時において光量検出信号に含まれている「変調
信号の波形率平均値」×「変調時のピークパワー設
定値」成分を差引く手段を設け、系の安定化をは
かるようにしたので、温度変化に対して安定な一
定の光出力を発生させ得るのは勿論、変調時にお
ける変調信号波形のデユーテイ比が変化しても変
調光のピーク値が変動することなく、しかも光出
力の変調を無変調時に用いられる第1の電流源に
併設した第2の電流源によつて行なうようにした
ので、変調開始時あるいは変調終了時において大
幅なパワー変動が生じない光出力自動制御装置を
提供できる。
調時において光量検出信号に含まれている「変調
信号の波形率平均値」×「変調時のピークパワー設
定値」成分を差引く手段を設け、系の安定化をは
かるようにしたので、温度変化に対して安定な一
定の光出力を発生させ得るのは勿論、変調時にお
ける変調信号波形のデユーテイ比が変化しても変
調光のピーク値が変動することなく、しかも光出
力の変調を無変調時に用いられる第1の電流源に
併設した第2の電流源によつて行なうようにした
ので、変調開始時あるいは変調終了時において大
幅なパワー変動が生じない光出力自動制御装置を
提供できる。
第1図は半導体発光素子の順方向電流に対する
出力光量の特性例を示す図、第2図は従来の光出
力自動制御装置の構成を示すブロツク図、第3図
a〜fは第2図の装置における動作説明用波形
図、第4図は本発明の一実施例の構成を示すブロ
ツク図、第5図は同実施例の動作説明用波形図、
第6図および第7図は本発明の一部変形例を示す
ブロツク図および特性曲線図である。 1……半導体発光素子、2……(第1の)可変
電流源、3……変調用スイツチ、4……光検出
器、5……電流−電圧変換器、6……比較器、7
……ポテンシヨメータ、8……積分器、9……第
2の可変電流源、10……変調用高速電流スイツ
チ、11……変調信号供給端子、12……低域フ
イルタ(第1の平均化回路)、13……比較器、
14……無変調時パワー設定器、15……アナロ
グ乗算器、16……変調時ピークパワー設定器、
17……抵抗、18……コンデンサ、19……効
率調整回路、20……可変電源。
出力光量の特性例を示す図、第2図は従来の光出
力自動制御装置の構成を示すブロツク図、第3図
a〜fは第2図の装置における動作説明用波形
図、第4図は本発明の一実施例の構成を示すブロ
ツク図、第5図は同実施例の動作説明用波形図、
第6図および第7図は本発明の一部変形例を示す
ブロツク図および特性曲線図である。 1……半導体発光素子、2……(第1の)可変
電流源、3……変調用スイツチ、4……光検出
器、5……電流−電圧変換器、6……比較器、7
……ポテンシヨメータ、8……積分器、9……第
2の可変電流源、10……変調用高速電流スイツ
チ、11……変調信号供給端子、12……低域フ
イルタ(第1の平均化回路)、13……比較器、
14……無変調時パワー設定器、15……アナロ
グ乗算器、16……変調時ピークパワー設定器、
17……抵抗、18……コンデンサ、19……効
率調整回路、20……可変電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体発光素子と、この半導体発光素子に順
方向電流を供給して発光させる第1の電流源と、
この第1の電流源により発光した前記半導体発光
素子からの光の一部を受光して光電変換する光検
出器と、この光検出器の出力信号を平均化する第
1の平均化回路と、この第1の平均化回路にて平
均化した信号を光出力の目標値と比較しその差出
力を得る比較器と、この比較器で得た差出力を増
幅して前記第1の電流源にフイードバツク制御信
号として与える増幅器と、前記第1の電流源に併
設される第2の電流源と、この第2の電流源に変
調時におけるピークパワーを設定する手段と、こ
の手段にてピークパワーを設定された前記第2の
電流源を変調信号に応じてON・OFFすることに
より前記発光素子の光出力を変調する変調用スイ
ツチと、前記変調信号の波形率を平均化する第2
の平均化回路と、この第2の平均化回路にて平均
化された信号を前記変調時におけるピークパワー
設定値に乗じて前記目標値に加算する手段とを具
備したことを特徴とする光出力自動制御装置。 2 第2の電流源に対し変調時におけるピークパ
ワーを設定する手段は、発光素子の発光効率を調
整する効率調整回路を備えたものであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の光出力自動
制御装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58021311A JPS59146457A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 光出力自動制御装置 |
US06/575,042 US4577320A (en) | 1983-02-10 | 1984-01-30 | Light power controlling apparatus |
DE19843404444 DE3404444A1 (de) | 1983-02-10 | 1984-02-08 | Vorrichtung zum steuern der lichtstaerke |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58021311A JPS59146457A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 光出力自動制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59146457A JPS59146457A (ja) | 1984-08-22 |
JPH0467260B2 true JPH0467260B2 (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=12051601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58021311A Granted JPS59146457A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 光出力自動制御装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4577320A (ja) |
JP (1) | JPS59146457A (ja) |
DE (1) | DE3404444A1 (ja) |
Families Citing this family (50)
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1983
- 1983-02-10 JP JP58021311A patent/JPS59146457A/ja active Granted
-
1984
- 1984-01-30 US US06/575,042 patent/US4577320A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-02-08 DE DE19843404444 patent/DE3404444A1/de active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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DE3404444C2 (ja) | 1990-08-02 |
DE3404444A1 (de) | 1984-08-16 |
US4577320A (en) | 1986-03-18 |
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