JPH04157761A - タイバー切断方法 - Google Patents
タイバー切断方法Info
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- JPH04157761A JPH04157761A JP28283090A JP28283090A JPH04157761A JP H04157761 A JPH04157761 A JP H04157761A JP 28283090 A JP28283090 A JP 28283090A JP 28283090 A JP28283090 A JP 28283090A JP H04157761 A JPH04157761 A JP H04157761A
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- resin
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体素子（以下モールドＩＣと記
す）の製造工程におけるタイバー切断方法に関し、特に
樹脂封止後にリード加工を行う工程の内、タイバーと樹
脂ダム部の樹脂の除去を行うタイバー切断方法に関する
。
す）の製造工程におけるタイバー切断方法に関し、特に
樹脂封止後にリード加工を行う工程の内、タイバーと樹
脂ダム部の樹脂の除去を行うタイバー切断方法に関する
。
従来、この種のタイバー切断方法は、第３図（ａ）、（
ｂ）、（ｃ）の説明区に示すように、プレス金型内にセ
ットされているパンチとそれに精密に嵌合するダイとを
用いて、第３図（ａ＞に示すように、モールド樹脂９か
ら出ているリードフレーム２のリードとリードの間に生
じる樹脂ダム部３とタイバー部５とを同時に打ち抜く方
法であり、この方法は第３図（ｂ）に示すように、複数
のパンチ７を樹脂ダム部とタイバー部の位置に合わせて
くし歯状に配置し、同時に複数箇所の樹脂ダム部とタイ
バー部とを打ち抜く方式が一般的であった。
ｂ）、（ｃ）の説明区に示すように、プレス金型内にセ
ットされているパンチとそれに精密に嵌合するダイとを
用いて、第３図（ａ＞に示すように、モールド樹脂９か
ら出ているリードフレーム２のリードとリードの間に生
じる樹脂ダム部３とタイバー部５とを同時に打ち抜く方
法であり、この方法は第３図（ｂ）に示すように、複数
のパンチ７を樹脂ダム部とタイバー部の位置に合わせて
くし歯状に配置し、同時に複数箇所の樹脂ダム部とタイ
バー部とを打ち抜く方式が一般的であった。
尚、パンチをくし歯状に配置する方法は、−本ずつのパ
ンチを一列に並べる方法と、一つの材料から複数本分同
時に加工しそれを並べる方法とがある。打ち抜きが終了
したタイバー部は、第３図（Ｃ）に示す様にクリアラン
スの関係で樹脂ダム部の周囲に樹脂残り部８が発生する
。
ンチを一列に並べる方法と、一つの材料から複数本分同
時に加工しそれを並べる方法とがある。打ち抜きが終了
したタイバー部は、第３図（Ｃ）に示す様にクリアラン
スの関係で樹脂ダム部の周囲に樹脂残り部８が発生する
。
上述した従来のタイバー切断方法は、パンチとダイを用
いた機械式の打ち抜き方法であり、パンチ及びダイの製
作加工公差、モールドＩＣの樹脂封止の位置ずれ、リー
ドフレームの公差等を加味して打ち抜きを考えると、樹
脂ダム部の打ち抜きには左右のリード側及びモールド樹
脂側にそれぞれ厚さ０．１ｍｍ程度の樹脂残り部を発生
させる。
いた機械式の打ち抜き方法であり、パンチ及びダイの製
作加工公差、モールドＩＣの樹脂封止の位置ずれ、リー
ドフレームの公差等を加味して打ち抜きを考えると、樹
脂ダム部の打ち抜きには左右のリード側及びモールド樹
脂側にそれぞれ厚さ０．１ｍｍ程度の樹脂残り部を発生
させる。
この樹脂残り部は、リードとリードの間にはさまってい
るだけであり、次工程以降落下する可能性があり、リー
ドを所望の形状に曲げるリード加工用の金型内に落下し
た場合はリードにくいこみ、傷を生じさせなり、金型内
のパンチあるいはダイを破損させたりする原因になると
いう欠点がある。又、樹脂残り部が有ると、リードの樹
脂ダム部側面に次工程で付けるめっきが付かず、リード
の保護ができないといった欠点もある。
るだけであり、次工程以降落下する可能性があり、リー
ドを所望の形状に曲げるリード加工用の金型内に落下し
た場合はリードにくいこみ、傷を生じさせなり、金型内
のパンチあるいはダイを破損させたりする原因になると
いう欠点がある。又、樹脂残り部が有ると、リードの樹
脂ダム部側面に次工程で付けるめっきが付かず、リード
の保護ができないといった欠点もある。
上述した従来のタイバー切断方法に対し、本発明のタイ
バー切断方法は、樹脂ダム部の樹脂除去にＹＡＧレーザ
やＣＯ２レーザ等のレーザ光線を用い、レーザ光線を樹
脂ダム部より大きな面積に照射し、樹脂残り部を発生さ
せないように樹脂ダム部の全ての樹脂を溶融除去し、そ
の後、パンチとダイを用いてタイバー部を切断するとい
う相違点を有する。
バー切断方法は、樹脂ダム部の樹脂除去にＹＡＧレーザ
やＣＯ２レーザ等のレーザ光線を用い、レーザ光線を樹
脂ダム部より大きな面積に照射し、樹脂残り部を発生さ
せないように樹脂ダム部の全ての樹脂を溶融除去し、そ
の後、パンチとダイを用いてタイバー部を切断するとい
う相違点を有する。
本発明のタイバー切断方法は、樹脂ダム部にＹＡＧ又は
Ｃ０２を発生源とするレーザ光線を照射し、その熱でダ
ム部の樹脂を溶融除去し、その後、パンチとダイを用い
てタイバー部を切断除去する方法である。
Ｃ０２を発生源とするレーザ光線を照射し、その熱でダ
ム部の樹脂を溶融除去し、その後、パンチとダイを用い
てタイバー部を切断除去する方法である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の実施例１の説
明図である。レーザ光線１はＹＡＧ又はＣ０２を発生源
とするものであり、照射面積は樹脂ダム部３より周囲に
幅０．１ｍｍ程度大きい。
明図である。レーザ光線１はＹＡＧ又はＣ０２を発生源
とするものであり、照射面積は樹脂ダム部３より周囲に
幅０．１ｍｍ程度大きい。
照射エネルギーはリードフレーム２を切断できる程強く
はなく、数Ｗ／ｃｍ２程度であり、１回の照射で樹脂を
厚さ５０μｍ程度除去できるものである。
はなく、数Ｗ／ｃｍ２程度であり、１回の照射で樹脂を
厚さ５０μｍ程度除去できるものである。
照射方法は、所望の照射面積に合わせるようにレンズ等
を用いてレーザ光線を絞り、所望の樹脂ダム部にミラー
等で誘導し照射して行くものである。照射回数は、１回
の照射で除去できる樹脂は厚さ５０μｍ程度であるので
３回から４回程度照射する。リードフレーム２は４２合
金や銅でできでおり、その厚みは０−１５ｍｍから０．
２ｍｍ程度である。樹脂ダム部３に流れ込んだ樹脂はモ
ールドＩＣを封止している樹脂と同じ材料であり、厚み
はリードフレーム２と同じである。パンチ４は超硬合金
でできており、長さはタイバー部５のみを切断する長さ
であり、幅は切断時にリードへのくい込みを発生させな
いようにタイバーの幅より両側を０．１ｍｍ程度ずつ狭
くしである。
を用いてレーザ光線を絞り、所望の樹脂ダム部にミラー
等で誘導し照射して行くものである。照射回数は、１回
の照射で除去できる樹脂は厚さ５０μｍ程度であるので
３回から４回程度照射する。リードフレーム２は４２合
金や銅でできでおり、その厚みは０−１５ｍｍから０．
２ｍｍ程度である。樹脂ダム部３に流れ込んだ樹脂はモ
ールドＩＣを封止している樹脂と同じ材料であり、厚み
はリードフレーム２と同じである。パンチ４は超硬合金
でできており、長さはタイバー部５のみを切断する長さ
であり、幅は切断時にリードへのくい込みを発生させな
いようにタイバーの幅より両側を０．１ｍｍ程度ずつ狭
くしである。
レーザ光線１を、第１図（ａ＞のように樹脂ダム部３よ
り周囲に幅０．１ｍｍ程度ずつ大きな面積で樹脂ダム部
３に１箇所ずつ照射する。レーザ光線１を照射された樹
脂ダム部３では、周囲のリードフレーム２は何も変化し
ないが中の樹脂のみが厚さ５０μｍ程度除去される。こ
れを１ｍ所につき３回から４回程度繰返すことにより、
樹脂のみを全て除去する。次に、第１図＜ｂ＞に示すよ
うにタイバー部５をパンチ４で除去する。尚、パンチ４
はくし歯状になっており、タイバー部５を複数箇所同時
に切断加工できる。樹脂ダム部３の樹脂とタイバー部５
を除去した後のリード形状は、第１図（ｃ）に示すよう
に樹脂ダム部３には樹脂残り部がない状態でタイバー切
断を終了する。
り周囲に幅０．１ｍｍ程度ずつ大きな面積で樹脂ダム部
３に１箇所ずつ照射する。レーザ光線１を照射された樹
脂ダム部３では、周囲のリードフレーム２は何も変化し
ないが中の樹脂のみが厚さ５０μｍ程度除去される。こ
れを１ｍ所につき３回から４回程度繰返すことにより、
樹脂のみを全て除去する。次に、第１図＜ｂ＞に示すよ
うにタイバー部５をパンチ４で除去する。尚、パンチ４
はくし歯状になっており、タイバー部５を複数箇所同時
に切断加工できる。樹脂ダム部３の樹脂とタイバー部５
を除去した後のリード形状は、第１図（ｃ）に示すよう
に樹脂ダム部３には樹脂残り部がない状態でタイバー切
断を終了する。
第２図は本発明の実施例２の説明図である。レーザ光線
６は実施例１と同様にＹＡＧ又はｃｏ２を発生源とする
が、その照射面積は、第２図に示す様に複数の樹脂ダム
部３を同時に照射できる様に幅広く、かつ奥行き方向は
実施例１と同様にモールド樹脂９の本体側へ０．１ｍｍ
、タイバー部５側へ０．１ｍｍ程度入った斯道とする。
６は実施例１と同様にＹＡＧ又はｃｏ２を発生源とする
が、その照射面積は、第２図に示す様に複数の樹脂ダム
部３を同時に照射できる様に幅広く、かつ奥行き方向は
実施例１と同様にモールド樹脂９の本体側へ０．１ｍｍ
、タイバー部５側へ０．１ｍｍ程度入った斯道とする。
照射エネルギー、照射回数は実施例１と同様である。
複数箇所の樹脂ダム部３へ同時にレーザ光線６を照射す
ると、リードフレーム２に当っなレーザ光線６は反射さ
れるが、樹脂ダム部３に当ったレーザ光線６は樹脂を１
回で厚さ５０μｍ程度除去する。これを３回から４回繰
返し、厚さ１５０μｍから２００μｍの樹脂を除去する
。その後のタイバー部５の切断は実施例１と同様である
。この実施例２では、複数箇所の樹脂ダム部に同時にレ
ーザ光線を照射するので、レーザ光線の照射時間を短縮
できるといった利点がある。
ると、リードフレーム２に当っなレーザ光線６は反射さ
れるが、樹脂ダム部３に当ったレーザ光線６は樹脂を１
回で厚さ５０μｍ程度除去する。これを３回から４回繰
返し、厚さ１５０μｍから２００μｍの樹脂を除去する
。その後のタイバー部５の切断は実施例１と同様である
。この実施例２では、複数箇所の樹脂ダム部に同時にレ
ーザ光線を照射するので、レーザ光線の照射時間を短縮
できるといった利点がある。
以上説明したように本発明は、樹脂ダム部の樹脂除去に
レーザ光線を用いることにより、樹脂残りを発生させず
タイバー切断を行うことができる効果がある。
レーザ光線を用いることにより、樹脂残りを発生させず
タイバー切断を行うことができる効果がある。
第１図は本発明の実施例１の説明図で、図（ａ）はレー
ザ光線の照射位置を示す図、図（ｂ）はタイバー切断の
位置を示す図、図（Ｃ）はタイバー切断後のリードの形
状を示す図、第２図は本発明の実施例２の説明図、第３
図は従来のタイバー切断方法の説明図で、図（ａ）は樹
脂ダム部を示す図、図（ｂ）はタイバー切断の位置を示
す図、図（ｃ）はタイバー切断後のリードの形状を示す
図である。 １・・・レーザ光線、２・・・リードフレーム、３・・
・樹脂ダム部、４・・・パンチ、５・・・タイバー部、
６・・・レーザ光線、７・・・パンチ、８・・・樹脂残
り部、９・・・モールド樹脂。
ザ光線の照射位置を示す図、図（ｂ）はタイバー切断の
位置を示す図、図（Ｃ）はタイバー切断後のリードの形
状を示す図、第２図は本発明の実施例２の説明図、第３
図は従来のタイバー切断方法の説明図で、図（ａ）は樹
脂ダム部を示す図、図（ｂ）はタイバー切断の位置を示
す図、図（ｃ）はタイバー切断後のリードの形状を示す
図である。 １・・・レーザ光線、２・・・リードフレーム、３・・
・樹脂ダム部、４・・・パンチ、５・・・タイバー部、
６・・・レーザ光線、７・・・パンチ、８・・・樹脂残
り部、９・・・モールド樹脂。
Claims (1)
- 樹脂封止した後樹脂ダム部とタイバー部とを同時に切
断除去するタイバー切断方法において、樹脂ダム部にレ
ーザ光線を照射し、その熱でダム部の樹脂を溶融して除
去し、その後パンチを用いてタイバー部を切断除去する
ことを特徴とするタイバー切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28283090A JPH04157761A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | タイバー切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28283090A JPH04157761A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | タイバー切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04157761A true JPH04157761A (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=17657635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28283090A Pending JPH04157761A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | タイバー切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04157761A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10063041A1 (de) * | 2000-12-18 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung |
| JP2010080913A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、樹脂封止型電子装置 |
| CN102044451A (zh) * | 2009-10-22 | 2011-05-04 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件的制造方法和电子器件的制造方法 |
| US8377751B2 (en) | 2010-02-12 | 2013-02-19 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9087850B2 (en) | 2009-07-06 | 2015-07-21 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2016076179A1 (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-19 | 株式会社ミツバ | インサート成形品およびインサート成形品の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP28283090A patent/JPH04157761A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10063041A1 (de) * | 2000-12-18 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung |
| US6649450B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-11-18 | Infineon Technologies Ag | Method of producing an integrated circuit and an integrated circuit |
| DE10063041B4 (de) * | 2000-12-18 | 2012-12-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Leadless-Gehäuse-Schaltung und integrierte Leadless-Gehäuse-Schaltung |
| JP2010080913A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、樹脂封止型電子装置 |
| US8502360B2 (en) | 2008-08-28 | 2013-08-06 | Sanyo Semiconductor Co., Ltd. | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and resin sealing type electronic device |
| US9087850B2 (en) | 2009-07-06 | 2015-07-21 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9263274B2 (en) | 2009-07-06 | 2016-02-16 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN102044451A (zh) * | 2009-10-22 | 2011-05-04 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件的制造方法和电子器件的制造方法 |
| US8435867B2 (en) | 2009-10-22 | 2013-05-07 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing electronic device |
| US8377751B2 (en) | 2010-02-12 | 2013-02-19 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2016076179A1 (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-19 | 株式会社ミツバ | インサート成形品およびインサート成形品の製造方法 |
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