JPH0413756Y2 - - Google Patents
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- JPH0413756Y2 JPH0413756Y2 JP1988151278U JP15127888U JPH0413756Y2 JP H0413756 Y2 JPH0413756 Y2 JP H0413756Y2 JP 1988151278 U JP1988151278 U JP 1988151278U JP 15127888 U JP15127888 U JP 15127888U JP H0413756 Y2 JPH0413756 Y2 JP H0413756Y2
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 65
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000779 smoke Substances 0.000 claims description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 6
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 claims description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Emergency Alarm Devices (AREA)
- Fire Alarms (AREA)
- Fire-Detection Mechanisms (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、超LSI工場などにおける製造工程
において発生する処理ガスの漏洩あるいは火災発
生を検出し、消火装置などの防災装置および製造
工程を適切に制御する半導体工場などにおける警
報および制御装置に関するものである。
において発生する処理ガスの漏洩あるいは火災発
生を検出し、消火装置などの防災装置および製造
工程を適切に制御する半導体工場などにおける警
報および制御装置に関するものである。
近年大きな飛躍を遂げている超LSIなどの半導
体工場では、シリコンウエハに絶縁膜を設ける
際、シランガスを使用するが、このような処理ガ
スは有毒であるとともにその濃度が２〜５％以上
になると空気中の酸素と反応し着炎燃焼して危険
であり、ある超LSI工場でこれらガスが原因と思
われる火災が発生し、ただいの損害を被むつた。
体工場では、シリコンウエハに絶縁膜を設ける
際、シランガスを使用するが、このような処理ガ
スは有毒であるとともにその濃度が２〜５％以上
になると空気中の酸素と反応し着炎燃焼して危険
であり、ある超LSI工場でこれらガスが原因と思
われる火災が発生し、ただいの損害を被むつた。
この考案は以上の点にかんがみ、漏洩した処理
ガスが、ガス自体の状態または空気中の酸素と反
応し燃焼し燃焼生成物を発生している状態のいず
れをも検出するようにし、事前にあるいは火災の
初期段階において適切な制御を行なうことができ
る半導体工場などの警報および制御装置を提供す
るものである。
ガスが、ガス自体の状態または空気中の酸素と反
応し燃焼し燃焼生成物を発生している状態のいず
れをも検出するようにし、事前にあるいは火災の
初期段階において適切な制御を行なうことができ
る半導体工場などの警報および制御装置を提供す
るものである。
以下この考案の一実施例を半導体ウエハに絶縁
膜を形成させる際に使用されるCVD装置
（Chemical Vapor Deposition）およびその周辺
装置に用いた場合について、図面により説明す
る。
膜を形成させる際に使用されるCVD装置
（Chemical Vapor Deposition）およびその周辺
装置に用いた場合について、図面により説明す
る。
第１図において、１はシランガスボンベ、２は
アンモニアガスボンベ、３はこれらボンベを収納
する格納箱、６は配管４，５を通じてシランガス
とアンモニアガスを供給し半導体ウエハに絶縁膜
を形成させる窒化膜形成装置（CVD）、８は装置
６から配管７を通じて流出される未反応のシラン
ガスに酸素を供給し強制的に酸化反応させる、す
なわち燃焼処理する除害装置、１０は除害装置８
より排気ダクト１１へ放出されるガスの状態を監
視するために配管９間に設けられた検出箱、１２
は形成装置６内を真空にする真空ポンプ、１３は
室内の空気を排気する排気口である。また格納箱
３と検出箱１０とには、シランガスなどの処理ガ
スの漏洩を検出するガス検出器G1，G2と、ガス
が燃焼したことにより生ずる燃焼生成物を検出す
る火災感知器D1，とD2とが設けられる。この場
合ガス検出器G1，G2としてはガス粒子による散
乱光を検出する光学的なガス検出器も使用できる
が、特公昭55−14380号公報で一酸化炭素の検出
素子として知られている酸化第二スズの組成物中
に白金黒を含有した金属酸化物半導体をシランガ
スの雰囲気中でエージングすると、0.2〜0.5％以
上の低濃度のシランガスに応答する、この実施例
に好適なガス検出器が得られる。また燃焼生成物
を検出する火災感知器として光電式煙感知器とイ
オン化式煙感知器が使用できるが、縦軸にそれぞ
れの感知器の出力、横軸にシランガスの燃焼生成
物の濃度が示された第３図の特性曲線図によれ
ば、光電式煙感知器ａよりもイオン化式煙感知器
ｂの方がシランガスの燃焼生成物に対し高感度で
より早期にその発生が検出できる。さらに上記検
出器G1，G2と感知器D1，D2は第２図に示すよう
に、格納箱３内に設けられたガス検出器G1と火
災感知器D1は第１のOR回路OR1に、検出箱１０
内に設けられたガス検出器G2は直接また火災感
知器D2はインバータを介して第２のOR回路
OR2に接続され、それら出力は第３のOR回路
OR3に接続され、その出力は火災警報あるいは消
火装置などの防災装置あるいは半導体製造工程を
適切に制御する図示されない継電装置に接続され
る。
アンモニアガスボンベ、３はこれらボンベを収納
する格納箱、６は配管４，５を通じてシランガス
とアンモニアガスを供給し半導体ウエハに絶縁膜
を形成させる窒化膜形成装置（CVD）、８は装置
６から配管７を通じて流出される未反応のシラン
ガスに酸素を供給し強制的に酸化反応させる、す
なわち燃焼処理する除害装置、１０は除害装置８
より排気ダクト１１へ放出されるガスの状態を監
視するために配管９間に設けられた検出箱、１２
は形成装置６内を真空にする真空ポンプ、１３は
室内の空気を排気する排気口である。また格納箱
３と検出箱１０とには、シランガスなどの処理ガ
スの漏洩を検出するガス検出器G1，G2と、ガス
が燃焼したことにより生ずる燃焼生成物を検出す
る火災感知器D1，とD2とが設けられる。この場
合ガス検出器G1，G2としてはガス粒子による散
乱光を検出する光学的なガス検出器も使用できる
が、特公昭55−14380号公報で一酸化炭素の検出
素子として知られている酸化第二スズの組成物中
に白金黒を含有した金属酸化物半導体をシランガ
スの雰囲気中でエージングすると、0.2〜0.5％以
上の低濃度のシランガスに応答する、この実施例
に好適なガス検出器が得られる。また燃焼生成物
を検出する火災感知器として光電式煙感知器とイ
オン化式煙感知器が使用できるが、縦軸にそれぞ
れの感知器の出力、横軸にシランガスの燃焼生成
物の濃度が示された第３図の特性曲線図によれ
ば、光電式煙感知器ａよりもイオン化式煙感知器
ｂの方がシランガスの燃焼生成物に対し高感度で
より早期にその発生が検出できる。さらに上記検
出器G1，G2と感知器D1，D2は第２図に示すよう
に、格納箱３内に設けられたガス検出器G1と火
災感知器D1は第１のOR回路OR1に、検出箱１０
内に設けられたガス検出器G2は直接また火災感
知器D2はインバータを介して第２のOR回路
OR2に接続され、それら出力は第３のOR回路
OR3に接続され、その出力は火災警報あるいは消
火装置などの防災装置あるいは半導体製造工程を
適切に制御する図示されない継電装置に接続され
る。
次に上記装置の作用について説明する。窒化膜
形成装置６は、この中に半導体ウエハを入れ、真
空ポンプ１２により真空にした後、シランガスボ
ンベ１とアンモニアガスボンベ２とを開きシラン
ガスとアンモニアガスとを装置６に供給し半導体
ウエハに必要な窒化膜、すなわち絶縁膜を生成さ
せる。また未反応ガスを含んだ処理後のガスは除
害装置８において強制的に酸化反応されて安全な
ものとして配管９を通じて排気ダクト１１より排
出される。
形成装置６は、この中に半導体ウエハを入れ、真
空ポンプ１２により真空にした後、シランガスボ
ンベ１とアンモニアガスボンベ２とを開きシラン
ガスとアンモニアガスとを装置６に供給し半導体
ウエハに必要な窒化膜、すなわち絶縁膜を生成さ
せる。また未反応ガスを含んだ処理後のガスは除
害装置８において強制的に酸化反応されて安全な
ものとして配管９を通じて排気ダクト１１より排
出される。
一方このような状態において、シランガスボン
ベ１よりシランガスが空気中の酸素と反応し着炎
燃焼しない程度の少量漏れると、そのガス自体を
検出しガス検出器G1が動作し、またガスボンベ
１よりシランガスが漏れる量が多く直ちに空気中
の酸素と反応し着炎燃焼してしまう場合はその燃
焼生成物により火災感知器D1が動作し、OR回路
OR1，OR3を介して図示されない火災警報や消火
装置などの防災装置あるいはこの製造工程を制御
する継電装置を動作させる。また検出箱１０にお
いては、除害装置８が正常に動作している間は、
配管９を介して焼却された燃焼生成物が配管９を
通じて排気ダクト１１へ排出されるので、ガス検
出器G2は動作せずその出力を出さず、また火災
感知器D2は燃焼生成物を検出し動作するが、そ
の出力はインバータにより反転されるので、
OR回路OR2にはなんら入力されず、OR回路OR2
は動作しない。ところが除害装置８が故障し未処
理のままのシランガスが放出され燃焼生成物が発
生しなくなると、シランガスによりガス検出器
G2が動作するか、または火災感知器D2は不動作
となるが、インバータによりその出力は反転さ
れ出力が発生するのでOR回路OR2が動作し、OR
回路OR3を通じて図示されない火災警報や消火装
置などの防災装置あるいは製造工程を制御する継
電装置を動作させる。
ベ１よりシランガスが空気中の酸素と反応し着炎
燃焼しない程度の少量漏れると、そのガス自体を
検出しガス検出器G1が動作し、またガスボンベ
１よりシランガスが漏れる量が多く直ちに空気中
の酸素と反応し着炎燃焼してしまう場合はその燃
焼生成物により火災感知器D1が動作し、OR回路
OR1，OR3を介して図示されない火災警報や消火
装置などの防災装置あるいはこの製造工程を制御
する継電装置を動作させる。また検出箱１０にお
いては、除害装置８が正常に動作している間は、
配管９を介して焼却された燃焼生成物が配管９を
通じて排気ダクト１１へ排出されるので、ガス検
出器G2は動作せずその出力を出さず、また火災
感知器D2は燃焼生成物を検出し動作するが、そ
の出力はインバータにより反転されるので、
OR回路OR2にはなんら入力されず、OR回路OR2
は動作しない。ところが除害装置８が故障し未処
理のままのシランガスが放出され燃焼生成物が発
生しなくなると、シランガスによりガス検出器
G2が動作するか、または火災感知器D2は不動作
となるが、インバータによりその出力は反転さ
れ出力が発生するのでOR回路OR2が動作し、OR
回路OR3を通じて図示されない火災警報や消火装
置などの防災装置あるいは製造工程を制御する継
電装置を動作させる。
なお上記実施例では、ガス検出器と火災感知器
とを別個に設けたが、両者を一体としかつ第２図
の回路機能を組み込むようにしてもよい。
とを別個に設けたが、両者を一体としかつ第２図
の回路機能を組み込むようにしてもよい。
この考案の火災警報装置は以上のように半導体
製造工程など、シランガスなどの有毒で可燃性の
処理ガスを使用する箇所であつて、処理ガスを格
納および処理する箇所には、処理ガスを選択的に
検出するガス検出器と該処理ガスの燃焼生成物を
検出する火災感知器を設け、また使用後の処理ガ
スを安全に処理する除害装置の二次側には、処理
ガスを選択的に検出するガス検出器と出力側にイ
ンバータを備えた処理ガスの燃焼生成物を検出す
る火災感知器とを設け、上記検出器と感知器の動
作により警報を発すると共に消火装置などの防災
装置および半導体製造工程などを制御するように
したので、処理ガスの何れの形の漏洩にも対処で
きまた既存の感知器にインバータを設けるだけで
対処できるので、事前にあるいは火災の初期段階
において適切な制御が行うことができ且つ安価な
半導体工場などにおける警報および制御装置が得
られる効果がある。
製造工程など、シランガスなどの有毒で可燃性の
処理ガスを使用する箇所であつて、処理ガスを格
納および処理する箇所には、処理ガスを選択的に
検出するガス検出器と該処理ガスの燃焼生成物を
検出する火災感知器を設け、また使用後の処理ガ
スを安全に処理する除害装置の二次側には、処理
ガスを選択的に検出するガス検出器と出力側にイ
ンバータを備えた処理ガスの燃焼生成物を検出す
る火災感知器とを設け、上記検出器と感知器の動
作により警報を発すると共に消火装置などの防災
装置および半導体製造工程などを制御するように
したので、処理ガスの何れの形の漏洩にも対処で
きまた既存の感知器にインバータを設けるだけで
対処できるので、事前にあるいは火災の初期段階
において適切な制御が行うことができ且つ安価な
半導体工場などにおける警報および制御装置が得
られる効果がある。
第１図はこの考案の一実施例の概略図、第２図
はその回路図、第３図は光電式煙感知器とイオン
化式煙感知器との特性曲線図である。 １……シランガスボンベ、３……格納箱、６…
…窒化膜形成装置、８……除害装置、１０……検
出箱、１１……排気ダクト、G1，G2……ガス検
出器、D1，D2……燃焼生成物を検出する火災感
知器。
はその回路図、第３図は光電式煙感知器とイオン
化式煙感知器との特性曲線図である。 １……シランガスボンベ、３……格納箱、６…
…窒化膜形成装置、８……除害装置、１０……検
出箱、１１……排気ダクト、G1，G2……ガス検
出器、D1，D2……燃焼生成物を検出する火災感
知器。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 半導体製造工程など、シランガスなどの有毒
で可燃性の処理ガスを使用する箇所であつて、
処理ガスを格納および処理する箇所には、処理
ガスを選択的に検出するガス検出器と該処理ガ
スの燃焼生成物を検出する火災感知器を設け、
また使用後の処理ガスを安全に処理する除害装
置の二次側には、処理ガスを選択的に検出する
ガス検出器と出力側にインバータを備えた処理
ガスの燃焼生成物を検出する火災感知器とを設
け、上記検出器と感知器のいずれかの動作によ
り警報を発すると共に消火装置などの防災装置
および半導体製造工程などを制御することを特
徴とする半導体工場などにおける警報および制
御装置。 ２ ガス検出器は、その検出素子が金属酸化物半
導体よりなる実用新案登録請求の範囲第１項記
載の半導体工場などにおける警報および制御装
置。 ３ 火災感知器が、イオン化式煙感知器である実
用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体工場
などにおける警報および制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988151278U JPH0413756Y2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988151278U JPH0413756Y2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0184187U JPH0184187U (ja) | 1989-06-05 |
| JPH0413756Y2 true JPH0413756Y2 (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=31425177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988151278U Expired JPH0413756Y2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0413756Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101988361B1 (ko) * | 2017-06-15 | 2019-06-12 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | 가스 공급 시스템 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5138797U (ja) * | 1974-09-17 | 1976-03-23 | ||
| JPS5396895A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Nitto Electric Ind Co | Gas sensor element |
| JPS553510A (en) * | 1978-06-21 | 1980-01-11 | Yasunori Nagao | Inner cylinder for rotary incinerator |
| JPS5721350A (en) * | 1980-05-28 | 1982-02-04 | Naarden International Nv | Perfume composition and use |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0216283Y2 (ja) * | 1977-09-19 | 1990-05-02 |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP1988151278U patent/JPH0413756Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5138797U (ja) * | 1974-09-17 | 1976-03-23 | ||
| JPS5396895A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Nitto Electric Ind Co | Gas sensor element |
| JPS553510A (en) * | 1978-06-21 | 1980-01-11 | Yasunori Nagao | Inner cylinder for rotary incinerator |
| JPS5721350A (en) * | 1980-05-28 | 1982-02-04 | Naarden International Nv | Perfume composition and use |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0184187U (ja) | 1989-06-05 |
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