JPH0237105Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0237105Y2 JPH0237105Y2 JP1988148412U JP14841288U JPH0237105Y2 JP H0237105 Y2 JPH0237105 Y2 JP H0237105Y2 JP 1988148412 U JP1988148412 U JP 1988148412U JP 14841288 U JP14841288 U JP 14841288U JP H0237105 Y2 JPH0237105 Y2 JP H0237105Y2
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- gas
- alarm
- semiconductor
- control device
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Landscapes
- Emergency Alarm Devices (AREA)
- Fire Alarms (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Fire-Detection Mechanisms (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、超LSI工場などにおける製造工程
において発生する処理ガスとしてのシランガスの
漏洩を検出し、消火装置などの防災装置および製
造工程を適切に制御する半導体工場などにおける
警報および制御装置に関するものである。
において発生する処理ガスとしてのシランガスの
漏洩を検出し、消火装置などの防災装置および製
造工程を適切に制御する半導体工場などにおける
警報および制御装置に関するものである。
近年大きな飛躍を遂げている超LSIなどの半導
体工場では、シリコンウエハに絶縁膜を設ける
際、シランガスを使用するが、このような処理ガ
スは有毒であるとともにその濃度が２〜５％以上
になると空気中の酸素と反応し燃焼して危険であ
り、ある超LSI工場でこれらガスが原因と思われ
る火災が発生し、ただいの損害を被むつた。
体工場では、シリコンウエハに絶縁膜を設ける
際、シランガスを使用するが、このような処理ガ
スは有毒であるとともにその濃度が２〜５％以上
になると空気中の酸素と反応し燃焼して危険であ
り、ある超LSI工場でこれらガスが原因と思われ
る火災が発生し、ただいの損害を被むつた。
この考案は以上の点にかんがみ、漏洩したシラ
ンガスが空気中の酸素と反応し着炎燃焼しない程
度の低濃度の間にこのガスを存在をガス検出器に
より検出し、事前に防災などの適切な制御を行な
うことができる半導体工場などの警報および制御
装置を提供するものである。
ンガスが空気中の酸素と反応し着炎燃焼しない程
度の低濃度の間にこのガスを存在をガス検出器に
より検出し、事前に防災などの適切な制御を行な
うことができる半導体工場などの警報および制御
装置を提供するものである。
以下この考案の一実施例を半導体ウエハに絶縁
膜を形成させる際に使用されるCVD装置
（Chemical Vapor Deposition）およびその周辺
装置に用いた場合について、図面により説明す
る。
膜を形成させる際に使用されるCVD装置
（Chemical Vapor Deposition）およびその周辺
装置に用いた場合について、図面により説明す
る。
第１図において、１はシランガスボンベ、２は
アンモニアガスボンベ、３はこれらボンベを収納
する格納箱、６は配管４，５を通じてシランガス
とアンモニアガスを供給し半導体ウエハに絶縁膜
を形成させる窒化膜形成装置（CVD）、８は装置
６から配管７を通じて流出される未反応のシラン
ガスに酸素を供給し強制的に酸化反応させる、す
なわち燃焼処理する除害装置、１０は除害装置８
より排気ダクト１１へ放出されるガスの状態を監
視するために配管９間に設けられた検出箱、１２
は形成装置６内を真空にする真空ポンプ、１３は
室内の空気を排気する排気口、１４は格納箱３と
排気ダクト１１とを結ぶ配管１５中に設けられた
ダンパである。また格納箱３と検出箱１０とに
は、シランガスなどの処理ガスの漏洩を検出する
ガス検出器G1とG2とが設けられる。この場合ガ
ス検出器G1，G2としてはガス粒子による散乱光
を検出する光学的なガス検出器も使用できるが、
特公昭55−14380号公報で一酸化炭素の検出素子
として知られている酸第二スズの組成物中に白金
黒を含有した金属酸化物半導体をシランガスの雰
囲気中でエージングすると、0.2〜0.5％以上の低
濃度のシランガスに応答する、この実施例に好適
なガス検出器が得られる。さらに上記検出器G1，
G2は第２図に示すように、それぞれOR回路OR
に接続され、その出力はガス漏れ響報あるいは消
火装置などの防災装置あるいは半導体製造工程を
適切に制御する図示されない継電装置に接続され
る。
アンモニアガスボンベ、３はこれらボンベを収納
する格納箱、６は配管４，５を通じてシランガス
とアンモニアガスを供給し半導体ウエハに絶縁膜
を形成させる窒化膜形成装置（CVD）、８は装置
６から配管７を通じて流出される未反応のシラン
ガスに酸素を供給し強制的に酸化反応させる、す
なわち燃焼処理する除害装置、１０は除害装置８
より排気ダクト１１へ放出されるガスの状態を監
視するために配管９間に設けられた検出箱、１２
は形成装置６内を真空にする真空ポンプ、１３は
室内の空気を排気する排気口、１４は格納箱３と
排気ダクト１１とを結ぶ配管１５中に設けられた
ダンパである。また格納箱３と検出箱１０とに
は、シランガスなどの処理ガスの漏洩を検出する
ガス検出器G1とG2とが設けられる。この場合ガ
ス検出器G1，G2としてはガス粒子による散乱光
を検出する光学的なガス検出器も使用できるが、
特公昭55−14380号公報で一酸化炭素の検出素子
として知られている酸第二スズの組成物中に白金
黒を含有した金属酸化物半導体をシランガスの雰
囲気中でエージングすると、0.2〜0.5％以上の低
濃度のシランガスに応答する、この実施例に好適
なガス検出器が得られる。さらに上記検出器G1，
G2は第２図に示すように、それぞれOR回路OR
に接続され、その出力はガス漏れ響報あるいは消
火装置などの防災装置あるいは半導体製造工程を
適切に制御する図示されない継電装置に接続され
る。
次に上記装置の作用について説明する。窒化膜
形成装置６は、この中に半導体ウエハを入れ、真
空ポンプ１２により真空にした後、シランガスボ
ンベ１とアンモニアガスボンベ２とを開きシラン
ガスとアンモニアガスとを装置６に供給し半導体
ウエハに必要な窒化膜、すなわち絶縁膜を生成さ
せる。また未反応スを含んだ処理後のガスは除害
装置８において強制的に酸化反応させて安全なも
のとして配管９を通じて排気ダクト１１より排出
される。
形成装置６は、この中に半導体ウエハを入れ、真
空ポンプ１２により真空にした後、シランガスボ
ンベ１とアンモニアガスボンベ２とを開きシラン
ガスとアンモニアガスとを装置６に供給し半導体
ウエハに必要な窒化膜、すなわち絶縁膜を生成さ
せる。また未反応スを含んだ処理後のガスは除害
装置８において強制的に酸化反応させて安全なも
のとして配管９を通じて排気ダクト１１より排出
される。
一方このような状態において、シランガスボン
ベ１よりシランガスが空気中の酸素と反応し着炎
燃焼しない程度の少量漏れると、そのガス自体を
検出しガス検出器G1が動作し、OR回路ORを介
して図示されないガス漏れ警報や消火装置などの
防災装置あるいはダンパ１４の開度を全開として
漏洩したガスをダクト１１に放出するなどこの製
造工程を制御する継電装置を動作させる。また検
出箱１０においては、除害装置８が正常に動作し
ている間は、配管９を介して焼却された燃焼生成
物が配管９を通じて排気ダクト１１へ排出される
ので、ガス検出器G2は動作しない。ところが除
害装置８が故障し未処理のままのシランガスが放
出されると、ガス検出器G2が動作しOR回路OR
を動作させ、OR回路ORを通じて図示されない
ガス漏れ警報や消火装置などの防災装置あるいは
製造工程を制御する継電装置を動作させる。
ベ１よりシランガスが空気中の酸素と反応し着炎
燃焼しない程度の少量漏れると、そのガス自体を
検出しガス検出器G1が動作し、OR回路ORを介
して図示されないガス漏れ警報や消火装置などの
防災装置あるいはダンパ１４の開度を全開として
漏洩したガスをダクト１１に放出するなどこの製
造工程を制御する継電装置を動作させる。また検
出箱１０においては、除害装置８が正常に動作し
ている間は、配管９を介して焼却された燃焼生成
物が配管９を通じて排気ダクト１１へ排出される
ので、ガス検出器G2は動作しない。ところが除
害装置８が故障し未処理のままのシランガスが放
出されると、ガス検出器G2が動作しOR回路OR
を動作させ、OR回路ORを通じて図示されない
ガス漏れ警報や消火装置などの防災装置あるいは
製造工程を制御する継電装置を動作させる。
この考案は以上のように半導体製造工程など、
処理ガスとしての有毒で可燃性のシランガスを使
用する箇所に、漏洩したシランガスが空気中の酸
素と反応し着炎燃焼しない程度の低濃度の間にこ
のガスの存在をガス検出器により検出するように
したので、事前に適切な制御が行なうことができ
る半導体工場などにおける警報および制御装置が
得られる効果がある。
処理ガスとしての有毒で可燃性のシランガスを使
用する箇所に、漏洩したシランガスが空気中の酸
素と反応し着炎燃焼しない程度の低濃度の間にこ
のガスの存在をガス検出器により検出するように
したので、事前に適切な制御が行なうことができ
る半導体工場などにおける警報および制御装置が
得られる効果がある。
第１図はこの考案の一実施例の概略図、第２図
はその回路図である。 １……シランガスボンベ、３……格納箱、６…
…窒化膜形成装置、８……除害装置、１０……検
出箱、１１……排気ダクト、G1，G2……ガス検
出器。
はその回路図である。 １……シランガスボンベ、３……格納箱、６…
…窒化膜形成装置、８……除害装置、１０……検
出箱、１１……排気ダクト、G1，G2……ガス検
出器。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 半導体製造工程など、処理ガスとして有毒で
可燃性のシランガスを使用する箇所に、該シラ
ンガスを選択的に検出する金属酸化物半導体を
検出素子としたガス検出器を設け、この検出器
の出力変化により警報を発するとともに消火装
置などの防災装置および半導体製造工程などを
制御することを特徴とする半導体工場などにお
ける警報および制御装置。 ２ ガス検出器が排気ダクトに設けられた実用新
案登録請求の範囲第１項記載の半導体工場など
における警報および制御装置。 ３ ガス検出器がシランガスボンベが収納された
格納箱に設けられた実用新案登録請求の範囲第
１項記載の半導体工場などにおける警報および
制御装置。 ４ 検出素子としての金属酸化物半導体には白金
黒が含有されている実用新案登録請求の範囲第
１項ないし第３項のいずれかに記載された半導
体工場などにおける警報および制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988148412U JPH0237105Y2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988148412U JPH0237105Y2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0184186U JPH0184186U (ja) | 1989-06-05 |
| JPH0237105Y2 true JPH0237105Y2 (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=31419715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988148412U Expired JPH0237105Y2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237105Y2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396895A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Nitto Electric Ind Co | Gas sensor element |
| JPS553510A (en) * | 1978-06-21 | 1980-01-11 | Yasunori Nagao | Inner cylinder for rotary incinerator |
| JPS5721350A (en) * | 1980-05-28 | 1982-02-04 | Naarden International Nv | Perfume composition and use |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP1988148412U patent/JPH0237105Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396895A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Nitto Electric Ind Co | Gas sensor element |
| JPS553510A (en) * | 1978-06-21 | 1980-01-11 | Yasunori Nagao | Inner cylinder for rotary incinerator |
| JPS5721350A (en) * | 1980-05-28 | 1982-02-04 | Naarden International Nv | Perfume composition and use |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0184186U (ja) | 1989-06-05 |
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