JPH0326541B2 - - Google Patents
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- JPH0326541B2 JPH0326541B2 JP60002274A JP227485A JPH0326541B2 JP H0326541 B2 JPH0326541 B2 JP H0326541B2 JP 60002274 A JP60002274 A JP 60002274A JP 227485 A JP227485 A JP 227485A JP H0326541 B2 JPH0326541 B2 JP H0326541B2
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は電子部品の包装技術に関するもので
あり、特に蓋の下方に配置された基板上に取り付
けられたシリコンチツプを収納するためのパツケ
ージに関するものである。
あり、特に蓋の下方に配置された基板上に取り付
けられたシリコンチツプを収納するためのパツケ
ージに関するものである。
[従来技術]
電子部品の包装技術は、モジユール内にシリコ
ンチツプを包装することからなる。そのモジユー
ルは基板と、その基板上に取り付けられたシリコ
ンチツプと、シリコンチツプの上方をとり囲むよ
うに配置された蓋とからなる。そのような包装技
術の一例として、本発明の出願人に譲渡された、
Moserらによる米国特許第4312116号に開示され
たものがある。
ンチツプを包装することからなる。そのモジユー
ルは基板と、その基板上に取り付けられたシリコ
ンチツプと、シリコンチツプの上方をとり囲むよ
うに配置された蓋とからなる。そのような包装技
術の一例として、本発明の出願人に譲渡された、
Moserらによる米国特許第4312116号に開示され
たものがある。
上記Moserらの特許においてはシリコンチツプ
が基板上に取付けられ、そのシリコンチツプの上
方をとり囲むように蓋が配置される。このMoser
らの特許が出された後に、今日のコンピユータシ
ステムの性能の向上に応えるべく、チツプ上の回
路の集積度が大幅に高まつている。このとき、チ
ツプ内ではある量の電力が消費されるので、集積
度の上昇はチツプ上で発生する熱の上昇となる。
この発生した熱によつてチツプに損傷がもたらさ
れるのを防止するために、従来においては伝熱グ
リース等の熱放散手段がチツプと蓋との間に塗り
つけられ、この伝熱グリースを伝わつて熱が散逸
するようにしてある。
が基板上に取付けられ、そのシリコンチツプの上
方をとり囲むように蓋が配置される。このMoser
らの特許が出された後に、今日のコンピユータシ
ステムの性能の向上に応えるべく、チツプ上の回
路の集積度が大幅に高まつている。このとき、チ
ツプ内ではある量の電力が消費されるので、集積
度の上昇はチツプ上で発生する熱の上昇となる。
この発生した熱によつてチツプに損傷がもたらさ
れるのを防止するために、従来においては伝熱グ
リース等の熱放散手段がチツプと蓋との間に塗り
つけられ、この伝熱グリースを伝わつて熱が散逸
するようにしてある。
上記Moserらの特許の教示するところによれ
ば、基板の端面と蓋の内壁との間には隙間があ
る。そして、基板の背面にはエポキシシール材が
充填されて、そのシール材は基板の背面全体に行
き亘り、基板の端面と蓋の内壁との間を埋めてい
る。この結果、エポキシシール材がモジユールを
シールして、これによりモジユール内に配置され
たチツプが有害な熱の影響をうけないように防護
される。
ば、基板の端面と蓋の内壁との間には隙間があ
る。そして、基板の背面にはエポキシシール材が
充填されて、そのシール材は基板の背面全体に行
き亘り、基板の端面と蓋の内壁との間を埋めてい
る。この結果、エポキシシール材がモジユールを
シールして、これによりモジユール内に配置され
たチツプが有害な熱の影響をうけないように防護
される。
しかしながらモジユールが置かれている外気の
温度が変動する場合、蓋と基板とは伸び縮みする
傾向があり、しかもその熱膨張率は異なつてい
る。ところが、基板が伸び縮みするにもかかわら
ず、基板と蓋との間の隙間に充填されたエポキシ
が蓋の伸み縮みを阻止するため、蓋はゆがむこと
になる。そして蓋は伝熱グリースを介してチツプ
と近接しているので、蓋のゆがみにより許容限度
を超えた圧力が基板上のチツプに加えられかねな
い。というのは、チツプは複数の球状のハンダを
介して導電接片等に接続されているのであるが、
チツプに圧力が加えられると、球状のハンダにひ
びが入る傾向がある。このひび割れの結果とし
て、シリコンチツプと導電接片を結ぶ電気経路に
断線が生じるのである。
温度が変動する場合、蓋と基板とは伸び縮みする
傾向があり、しかもその熱膨張率は異なつてい
る。ところが、基板が伸び縮みするにもかかわら
ず、基板と蓋との間の隙間に充填されたエポキシ
が蓋の伸み縮みを阻止するため、蓋はゆがむこと
になる。そして蓋は伝熱グリースを介してチツプ
と近接しているので、蓋のゆがみにより許容限度
を超えた圧力が基板上のチツプに加えられかねな
い。というのは、チツプは複数の球状のハンダを
介して導電接片等に接続されているのであるが、
チツプに圧力が加えられると、球状のハンダにひ
びが入る傾向がある。このひび割れの結果とし
て、シリコンチツプと導電接片を結ぶ電気経路に
断線が生じるのである。
[発明が解決しようとする問題点]
この発明の主な目的は、温度の変化に応じて蓋
が基板とは独立に自由に伸縮できるようなパツケ
ージを提供することにある。
が基板とは独立に自由に伸縮できるようなパツケ
ージを提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
この発明の目的は、ポリイミドテープのような
阻止手段を基板の裏面と蓋の内壁とに接着するこ
とにより達成される。尚、この阻止手段の接着は
基板の裏面へのエポキシシール材の接着に先立つ
て行なわれる。この結果、エポキシシール材は阻
止手段の存在によつて基板の端面と蓋の内壁の間
の隙間に入り込むことができなくなる。そのシー
ル材は基板の裏面と、テープ(阻止手段)と、蓋
の内壁の一部とにそれぞれ貼着固定される。従つ
て基板と蓋の間の接着点はその隙間からは除去さ
れる。すなわち、シール材が蓋と基板の間の隙間
に進入せず、接着点がその隙間から除去されてい
るので、基板と蓋との間の連動関係は弱まる。そ
れゆえに、蓋が温度の変化に応じて伸縮したとき
に、蓋のゆがみはほとんど生じない。この結果、
温度の変化に応じて蓋に生じるゆがみは最小限に
抑えられ、従つてシリコンチツプ上の球状のハン
ダのひずみがほとんど生じることがなくなるの
で、ハンダのひび割れを原因とするチツプ上の断
線が防止されるのである。
阻止手段を基板の裏面と蓋の内壁とに接着するこ
とにより達成される。尚、この阻止手段の接着は
基板の裏面へのエポキシシール材の接着に先立つ
て行なわれる。この結果、エポキシシール材は阻
止手段の存在によつて基板の端面と蓋の内壁の間
の隙間に入り込むことができなくなる。そのシー
ル材は基板の裏面と、テープ(阻止手段)と、蓋
の内壁の一部とにそれぞれ貼着固定される。従つ
て基板と蓋の間の接着点はその隙間からは除去さ
れる。すなわち、シール材が蓋と基板の間の隙間
に進入せず、接着点がその隙間から除去されてい
るので、基板と蓋との間の連動関係は弱まる。そ
れゆえに、蓋が温度の変化に応じて伸縮したとき
に、蓋のゆがみはほとんど生じない。この結果、
温度の変化に応じて蓋に生じるゆがみは最小限に
抑えられ、従つてシリコンチツプ上の球状のハン
ダのひずみがほとんど生じることがなくなるの
で、ハンダのひび割れを原因とするチツプ上の断
線が防止されるのである。
[実施例]
本発明の実施例を説明する前に、前述した
Moserらの米国特許第4312116号に記述された従
来例について第3〜6図に基づき述べておこう。
この従来技術との対比により本発明が一層よく理
解できると思うからである。
Moserらの米国特許第4312116号に記述された従
来例について第3〜6図に基づき述べておこう。
この従来技術との対比により本発明が一層よく理
解できると思うからである。
先ず第4図において、シリコンチツプ10が複
数の球状のハンダ14を介して基板12に取り付
けられている。シリコンチツプ10には、基板1
2の上面の球状のハンダ14上に設けられた複数
の導電片を介して複数のピン16が接続されてい
る。チツプ10上には、基板上でチツプを被覆す
るために、シリコンポリマからなる被覆体18が
貼着される。
数の球状のハンダ14を介して基板12に取り付
けられている。シリコンチツプ10には、基板1
2の上面の球状のハンダ14上に設けられた複数
の導電片を介して複数のピン16が接続されてい
る。チツプ10上には、基板上でチツプを被覆す
るために、シリコンポリマからなる被覆体18が
貼着される。
この好適なシリコンポリマーの一例としては
“sylgard”という商標でDow Corning社から販
売されているものがある。このシリコンポリマは
モジユールと蓋とが組み付けられる前に周知の技
術を用いて加工しておく。
“sylgard”という商標でDow Corning社から販
売されているものがある。このシリコンポリマは
モジユールと蓋とが組み付けられる前に周知の技
術を用いて加工しておく。
蓋20はチツプ10を取り付けた基板12をと
り囲むように基板12上に配置される。基板12
は先ず凹部22上に係止される。出張り24は、
基板12の裏面に対してエポキシシール材を貼着
するのにちようどよい位置に基板12を保持する
ように形成されている。チツプ10は蓋20の内
方の空間26内に配置される。
り囲むように基板12上に配置される。基板12
は先ず凹部22上に係止される。出張り24は、
基板12の裏面に対してエポキシシール材を貼着
するのにちようどよい位置に基板12を保持する
ように形成されている。チツプ10は蓋20の内
方の空間26内に配置される。
Moserらの特許においては、空間26には熱放
散材等の特別な部材が入れられていなかつた。し
かしながらチツプ10の集積度が高まるにつれ
て、チツプ10から発生する熱も増加してきた。
この結果、空間26に何らかの熱放散材を空間2
6につめ込まれなくてはならないことが明白にな
つた。そこで第4,5図に示すように、空間26
に熱放散材26Aが詰め込まれたのである。この
熱放材26Aはチツプ10と蓋20とに接触して
いる。熱放散材として伝熱グリース26Aを用い
ることができる。伝熱グリース26Aはチツプ1
0上の回路の作動中にチツプ10から熱を逃がす
はたらきをもつ。そのような伝熱グリース26A
としては酸化亜鉛のシリコンオイル乳剤がある。
散材等の特別な部材が入れられていなかつた。し
かしながらチツプ10の集積度が高まるにつれ
て、チツプ10から発生する熱も増加してきた。
この結果、空間26に何らかの熱放散材を空間2
6につめ込まれなくてはならないことが明白にな
つた。そこで第4,5図に示すように、空間26
に熱放散材26Aが詰め込まれたのである。この
熱放材26Aはチツプ10と蓋20とに接触して
いる。熱放散材として伝熱グリース26Aを用い
ることができる。伝熱グリース26Aはチツプ1
0上の回路の作動中にチツプ10から熱を逃がす
はたらきをもつ。そのような伝熱グリース26A
としては酸化亜鉛のシリコンオイル乳剤がある。
第4図に示すように、エポキシシール材30は
分配針32から基板12の裏面に注入される。エ
ポキシとして好ましいのは商品名Scotchcast5239
としてスリーエム社から販売されているものであ
る。このエポキシは、樹脂が重量比46%、硬化剤
が重量比52%、染料が重量比2%である。ここに
示したエポキシが一応好ましいものであるが、他
の成分比のエポキシも同様に使用することができ
る。蓋20の周端縁20Aは、基板12とエポキ
シ30とを固定するために内方に屈曲して係止さ
れる。
分配針32から基板12の裏面に注入される。エ
ポキシとして好ましいのは商品名Scotchcast5239
としてスリーエム社から販売されているものであ
る。このエポキシは、樹脂が重量比46%、硬化剤
が重量比52%、染料が重量比2%である。ここに
示したエポキシが一応好ましいものであるが、他
の成分比のエポキシも同様に使用することができ
る。蓋20の周端縁20Aは、基板12とエポキ
シ30とを固定するために内方に屈曲して係止さ
れる。
第4図と第5図とに示されるように、エポキシ
30は基板12の端面と蓋20の間の隙間34に
流入することができ、隙間34に流入したエポキ
シ30は蓋20の内壁に対して基板12の端面を
被覆する。しかし、蓋20が外気の温度変化に曝
されると、蓋20は伸縮する。そして、エポキシ
30が隙間34に埋まつていることによつて、蓋
20の内壁に対して基板12の端面を被覆してい
るので、蓋20の収縮により蓋20の頂部が屈曲
する。この蓋20の屈曲により、伝熱グリース2
6Aを介してチツプ10に対し相当に応力が加え
られる。この結果、球状のハンダ14にはひび割
れが生じ勝ちになり、これらのひび割れはチツプ
10と、球状のハンダ14が配置されている導電
片との間の断線をもたらす。
30は基板12の端面と蓋20の間の隙間34に
流入することができ、隙間34に流入したエポキ
シ30は蓋20の内壁に対して基板12の端面を
被覆する。しかし、蓋20が外気の温度変化に曝
されると、蓋20は伸縮する。そして、エポキシ
30が隙間34に埋まつていることによつて、蓋
20の内壁に対して基板12の端面を被覆してい
るので、蓋20の収縮により蓋20の頂部が屈曲
する。この蓋20の屈曲により、伝熱グリース2
6Aを介してチツプ10に対し相当に応力が加え
られる。この結果、球状のハンダ14にはひび割
れが生じ勝ちになり、これらのひび割れはチツプ
10と、球状のハンダ14が配置されている導電
片との間の断線をもたらす。
第3図には、基板12に連結された蓋20の側
面図が概略的に示されており、とくにこの図は基
板12とは相対的に蓋20が伸縮するありさまを
示したものである。この第3図において、基板1
2の端部が符号40で示した地点で蓋20の内壁
に接着されていることに注意されたい。各地点4
0は隙間34内のエポキシ30をあらわすもので
ある。すなわち、隙間34では、エポキシ30が
蓋20の内壁に対して基板12の端部を被覆し接
着している。
面図が概略的に示されており、とくにこの図は基
板12とは相対的に蓋20が伸縮するありさまを
示したものである。この第3図において、基板1
2の端部が符号40で示した地点で蓋20の内壁
に接着されていることに注意されたい。各地点4
0は隙間34内のエポキシ30をあらわすもので
ある。すなわち、隙間34では、エポキシ30が
蓋20の内壁に対して基板12の端部を被覆し接
着している。
基板12と蓋20との接着は、エポキシのガラ
ス転移温度に近い高温で行なわれている。さて、
蓋20が温度の上昇をも下降をも被ることがなけ
れば、蓋20は第3図の点線で示す位置にある。
しかるに、地点40での接着の結果として、温度
が上昇したときには蓋20は膨張する。また温度
が下がると蓋20は第3図の実線で示すように収
縮する。すると前にも述べたように、この収縮に
よつて、伝熱グリース26Aを介してチツプ10
上にある強さの応力が加わるから、この応力によ
つて球状のハンダ14にひび割れが入り、かくし
てチツプ10と導電片との間に断線が発生してし
まう。
ス転移温度に近い高温で行なわれている。さて、
蓋20が温度の上昇をも下降をも被ることがなけ
れば、蓋20は第3図の点線で示す位置にある。
しかるに、地点40での接着の結果として、温度
が上昇したときには蓋20は膨張する。また温度
が下がると蓋20は第3図の実線で示すように収
縮する。すると前にも述べたように、この収縮に
よつて、伝熱グリース26Aを介してチツプ10
上にある強さの応力が加わるから、この応力によ
つて球状のハンダ14にひび割れが入り、かくし
てチツプ10と導電片との間に断線が発生してし
まう。
本発明の実施例
今まで従来技術を詳しく説明してきたのは、本
発明がこの従来技術の改良に係るからである。従
つて、以下に示す本発明の説明においては、第4
〜6図で説明された箇所をそのまま援用し、同一
の構成については同番号を付すことにする。
発明がこの従来技術の改良に係るからである。従
つて、以下に示す本発明の説明においては、第4
〜6図で説明された箇所をそのまま援用し、同一
の構成については同番号を付すことにする。
第1図は、本発明に基づく阻止手段を設けたモ
ジユールの部分断面図を示すものである。尚、第
1図は第4図とは上下方向が逆になつているので
注意されたい。この阻止手段はエポキシシール部
材30が間隙領域34に流入することを防止し、
すなわち蓋20が基板12とは相対的により自由
に動けるようにするためのものである。第1図に
おいて阻止手段は符号50で示してある。阻止手
段50は基板12の周囲に沿つて配置され、さら
に蓋20の内壁に沿つて配置され、さらにはエポ
キシ組成物30と基板12の間、及びエポキシ組
成物30と蓋20の内壁20Aの間にも配置され
る。阻止手段50は隙間34への入口を塞ぎ、こ
れによつてエポキシ30が隙間34へ流入するの
を防止する。本発明の好適な実施例においては、
阻止手段はポリイミドテープ50であり、基板1
2の裏面(第1図下面)にエポキシ組成物30を
流入する前に、蓋20の内壁領域20Aと、基板
12の裏面に接着固定される。テープ50はこれ
らの面のモジユール全周に亘つて接着固定され
る。このような構成においては、モジユールが暖
められ、あるいは冷却されると、蓋20は第2図
点線と実線とで示すように伸縮する。
ジユールの部分断面図を示すものである。尚、第
1図は第4図とは上下方向が逆になつているので
注意されたい。この阻止手段はエポキシシール部
材30が間隙領域34に流入することを防止し、
すなわち蓋20が基板12とは相対的により自由
に動けるようにするためのものである。第1図に
おいて阻止手段は符号50で示してある。阻止手
段50は基板12の周囲に沿つて配置され、さら
に蓋20の内壁に沿つて配置され、さらにはエポ
キシ組成物30と基板12の間、及びエポキシ組
成物30と蓋20の内壁20Aの間にも配置され
る。阻止手段50は隙間34への入口を塞ぎ、こ
れによつてエポキシ30が隙間34へ流入するの
を防止する。本発明の好適な実施例においては、
阻止手段はポリイミドテープ50であり、基板1
2の裏面(第1図下面)にエポキシ組成物30を
流入する前に、蓋20の内壁領域20Aと、基板
12の裏面に接着固定される。テープ50はこれ
らの面のモジユール全周に亘つて接着固定され
る。このような構成においては、モジユールが暖
められ、あるいは冷却されると、蓋20は第2図
点線と実線とで示すように伸縮する。
[作用]
第2図は、本発明に基づく阻止手段50を使用
した場合における、モジユール上の蓋20の伸縮
状態を示す図である。第2図においては、基板1
2の端面が、蓋20の内壁領域20bに対して、
エポキシ30により被覆されていない。しかしな
がら、基板12の底面は蓋20の内壁領域20c
に対してエポキシ30により覆われている。それ
ゆえ、外部の温度の低下により蓋20が収縮した
ときにも、蓋20は屈曲することなく比較的自由
に移動できる。第2図における蓋20の点線の輪
郭線は蓋20の膨張が生じたあとの蓋20の大き
さと相対的な形状を現わしている。また、蓋20
の実線の輪郭線は蓋20の収縮が生じたあとの蓋
20の大きさと相対的な形状をあらわしている。
そして第2図に示すように、蓋20は基板12に
対して比較的自由に動きうる。この蓋20の動き
が自由であることは、エポキシ30の流入を阻止
することによつて設けた間隙領域によつて利用可
能な空間ができたためである。これにより、蓋2
0のゆがみは最小限にとどめられる。
した場合における、モジユール上の蓋20の伸縮
状態を示す図である。第2図においては、基板1
2の端面が、蓋20の内壁領域20bに対して、
エポキシ30により被覆されていない。しかしな
がら、基板12の底面は蓋20の内壁領域20c
に対してエポキシ30により覆われている。それ
ゆえ、外部の温度の低下により蓋20が収縮した
ときにも、蓋20は屈曲することなく比較的自由
に移動できる。第2図における蓋20の点線の輪
郭線は蓋20の膨張が生じたあとの蓋20の大き
さと相対的な形状を現わしている。また、蓋20
の実線の輪郭線は蓋20の収縮が生じたあとの蓋
20の大きさと相対的な形状をあらわしている。
そして第2図に示すように、蓋20は基板12に
対して比較的自由に動きうる。この蓋20の動き
が自由であることは、エポキシ30の流入を阻止
することによつて設けた間隙領域によつて利用可
能な空間ができたためである。これにより、蓋2
0のゆがみは最小限にとどめられる。
[発明の効果]
以上のように、この発明によれば、エポキシ3
0の流入の阻止手段を設けることにより、隙間3
4を保つことができ、従つてこの隙間34の存在
により蓋20が自由に伸縮できることから、温度
変化によりグリース26Aを介してチツプに強い
応力が加えることがなくなり、よつて球状のハン
ダのひび割れによる断線を防止できるという効果
がある。
0の流入の阻止手段を設けることにより、隙間3
4を保つことができ、従つてこの隙間34の存在
により蓋20が自由に伸縮できることから、温度
変化によりグリース26Aを介してチツプに強い
応力が加えることがなくなり、よつて球状のハン
ダのひび割れによる断線を防止できるという効果
がある。
第1図は、本発明に基づく阻止手段を設けたパ
ツケージの部分断面図、第2図は、本発明に基づ
く阻止手段を使用した場合におけるパツケージの
蓋の伸縮状態を示す図、第3図は、従来のモジユ
ールにおける蓋の伸縮状態を示す図、第4,5図
は、従来のパツケージの構成を示す断面側面図、
第6図は、第4,5図の構成の底面図である。
ツケージの部分断面図、第2図は、本発明に基づ
く阻止手段を使用した場合におけるパツケージの
蓋の伸縮状態を示す図、第3図は、従来のモジユ
ールにおける蓋の伸縮状態を示す図、第4,5図
は、従来のパツケージの構成を示す断面側面図、
第6図は、第4,5図の構成の底面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 裏面と端面とを有する基板と、 内壁を有し、上記基板上面を覆うように且つ該
内壁と上記基板の端面との間で隙間を設定するよ
うに配置された蓋と、 上記基板の裏面に設けられたシール材と、 上記シール材が上記隙間に流入するのを防止す
るように配置した阻止手段、 とを具備する電子部品のパツケージ。 2 上記阻止手段は、上記基板の端面と上記蓋の
内壁とにそれぞれ接着固定されたポリイミドテー
プである特許請求の範囲第1項に記載の電子部品
のパツケージ。 3 上記基板の上面と上記蓋との間には熱放散手
段が配置されてなる特許請求の範囲第1項または
2項に記載の電子部品のパツケージ。 4 上記熱放射手段は伝熱グリースである特許請
求の範囲第3項に記載の電子部品のパツケージ。 5 上記シール材はエポキシ樹脂である特許請求
の範囲第1項、2項または3項に記載の電子部品
のパツケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US598631 | 1984-04-10 | ||
US06/598,631 US4514752A (en) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | Displacement compensating module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60214545A JPS60214545A (ja) | 1985-10-26 |
JPH0326541B2 true JPH0326541B2 (ja) | 1991-04-11 |
Family
ID=24396340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60002274A Granted JPS60214545A (ja) | 1984-04-10 | 1985-01-11 | 電子部品のパツケ−ジ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4514752A (ja) |
EP (1) | EP0159472B1 (ja) |
JP (1) | JPS60214545A (ja) |
DE (1) | DE3578267D1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62194693A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-27 | 信越ポリマ−株式会社 | 基板付き電気電子部品 |
JPS62244139A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-24 | Citizen Watch Co Ltd | 樹脂封止型ピングリツドアレイ及びその製造方法 |
US4935581A (en) * | 1986-04-17 | 1990-06-19 | Citizen Watch Co., Ltd. | Pin grid array package |
US5144412A (en) * | 1987-02-19 | 1992-09-01 | Olin Corporation | Process for manufacturing plastic pin grid arrays and the product produced thereby |
JPH079953B2 (ja) * | 1988-04-13 | 1995-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US4910867A (en) * | 1988-05-27 | 1990-03-27 | Amp Incorporated | Method of forming a sealed electrical connector |
US5175613A (en) * | 1991-01-18 | 1992-12-29 | Digital Equipment Corporation | Package for EMI, ESD, thermal, and mechanical shock protection of circuit chips |
US5218759A (en) * | 1991-03-18 | 1993-06-15 | Motorola, Inc. | Method of making a transfer molded semiconductor device |
JPH07109867B2 (ja) * | 1991-04-15 | 1995-11-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 半導体チツプの冷却構造 |
CH683212A5 (de) * | 1992-03-10 | 1994-01-31 | Frama Ag | Elektronischer Festspeicher. |
US5268814A (en) * | 1992-05-20 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Module packaging |
US5285559A (en) * | 1992-09-10 | 1994-02-15 | Sundstrand Corporation | Method and apparatus for isolating electronic boards from shock and thermal environments |
US6262477B1 (en) | 1993-03-19 | 2001-07-17 | Advanced Interconnect Technologies | Ball grid array electronic package |
US5410806A (en) * | 1993-09-15 | 1995-05-02 | Lsi Logic Corporation | Method for fabricating conductive epoxy grid array semiconductors packages |
US5441684A (en) * | 1993-09-24 | 1995-08-15 | Vlsi Technology, Inc. | Method of forming molded plastic packages with integrated heat sinks |
US5734201A (en) * | 1993-11-09 | 1998-03-31 | Motorola, Inc. | Low profile semiconductor device with like-sized chip and mounting substrate |
DE4427309C2 (de) * | 1994-08-02 | 1999-12-02 | Ibm | Herstellung eines Trägerelementmoduls zum Einbau in Chipkarten oder andere Datenträgerkarten |
JP3004578B2 (ja) * | 1995-05-12 | 2000-01-31 | 財団法人工業技術研究院 | 熱放散増強のための多熱導伝路とパッケージ統合性及び信頼性向上のための縁の周りを囲むキャップからなる集積回路パッケージ |
US5985697A (en) * | 1996-05-06 | 1999-11-16 | Sun Microsystems, Inc. | Method and apparatus for mounting an integrated circuit to a printed circuit board |
US6016006A (en) * | 1996-06-24 | 2000-01-18 | Intel Corporation | Thermal grease insertion and retention |
US5990418A (en) * | 1997-07-29 | 1999-11-23 | International Business Machines Corporation | Hermetic CBGA/CCGA structure with thermal paste cooling |
US6448106B1 (en) * | 1999-11-09 | 2002-09-10 | Fujitsu Limited | Modules with pins and methods for making modules with pins |
US6559537B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Ball grid array packages with thermally conductive containers |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE26899E (en) * | 1963-08-08 | 1970-05-26 | Encapsulation op electronic modules | |
GB1514595A (en) * | 1975-03-03 | 1978-06-14 | Hughes Aircraft Co | Package for hermetically sealing electronic circuits |
US4233620A (en) * | 1979-02-27 | 1980-11-11 | International Business Machines Corporation | Sealing of integrated circuit modules |
US4312116A (en) * | 1980-04-14 | 1982-01-26 | International Business Machines Corporation | Method of sealing an electronic module in a cap |
US4374080A (en) * | 1981-01-13 | 1983-02-15 | Indy Electronics, Inc. | Method and apparatus for encapsulation casting |
JPS5941857A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジユ−ル装置 |
-
1984
- 1984-04-10 US US06/598,631 patent/US4514752A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-01-11 JP JP60002274A patent/JPS60214545A/ja active Granted
- 1985-02-01 EP EP85101040A patent/EP0159472B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-01 DE DE8585101040T patent/DE3578267D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3578267D1 (de) | 1990-07-19 |
EP0159472A3 (en) | 1987-04-29 |
EP0159472B1 (en) | 1990-06-13 |
JPS60214545A (ja) | 1985-10-26 |
US4514752A (en) | 1985-04-30 |
EP0159472A2 (en) | 1985-10-30 |
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