JPS6148945A - ハイプリツドｉｃモジユ−ル - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はハイブリッドＩＣモジュールｌ二おいて、特
（二２種の封止樹脂（二よって封止されるハイブリッド
ＩＣモジュール（二関する。
（二２種の封止樹脂（二よって封止されるハイブリッド
ＩＣモジュール（二関する。
一般Ｃ二２徳の封止樹脂Ｃ二よって封止されるハイブリ
ッドＩＣモジュールを第８図（二示す。図（二おいて、
（１０１）はセラピンク基板で、この上ｍ１ｉ＝形成さ
れたパターン（１０２） （二４４成部品（１０３ａ
、 １０３ｂ 、 １０３ｃ −）を組込み回路を構成
したのち、接着剤（１０４） 等Ｃ：よ少外囲器（１
０５） ｌ二組込み、これら回路部分を封止材料１例え
ば封止樹脂（１０６，１０７）ζ二より封止し防湿防庭
等をはかつていた。
ッドＩＣモジュールを第８図（二示す。図（二おいて、
（１０１）はセラピンク基板で、この上ｍ１ｉ＝形成さ
れたパターン（１０２） （二４４成部品（１０３ａ
、 １０３ｂ 、 １０３ｃ −）を組込み回路を構成
したのち、接着剤（１０４） 等Ｃ：よ少外囲器（１
０５） ｌ二組込み、これら回路部分を封止材料１例え
ば封止樹脂（１０６，１０７）ζ二より封止し防湿防庭
等をはかつていた。
封止材料は、材料自体を媒体として構成部品Ｃ二機械的
応力が加わることを極力小さくすることを主目的とした
ゲル状樹脂（１０６）の例えばシリコン樹脂と、これを
保持し防湿効果を上げるため等を目的とじて少くともゲ
ル状よルもＭＵの大きい保護用樹脂（１０７）の例えば
エポキシ樹脂から一般口構成されている。そして、上記
ゲル状樹脂（１０６）は外部との回路接続用リード（１
０３ｃ）等の必要最少限の部分を残し他のすべての植成
部品を包み充填し、その上に保護用樹脂（１０７）を充
填する。
応力が加わることを極力小さくすることを主目的とした
ゲル状樹脂（１０６）の例えばシリコン樹脂と、これを
保持し防湿効果を上げるため等を目的とじて少くともゲ
ル状よルもＭＵの大きい保護用樹脂（１０７）の例えば
エポキシ樹脂から一般口構成されている。そして、上記
ゲル状樹脂（１０６）は外部との回路接続用リード（１
０３ｃ）等の必要最少限の部分を残し他のすべての植成
部品を包み充填し、その上に保護用樹脂（１０７）を充
填する。
保護用Ｉ＃脂の防湿効果に影響する要因は第１（＝それ
自体の透湿性であ少、第２に外囲器との接触状態が考え
られる。同一の樹脂を用い等量（二で封止するときの防
湿効果は外囲器との蝋触状態のみの影響をうける。
自体の透湿性であ少、第２に外囲器との接触状態が考え
られる。同一の樹脂を用い等量（二で封止するときの防
湿効果は外囲器との蝋触状態のみの影響をうける。
駅上のようなモジュールが高温、低温または高低温サイ
クルの環境下Ｃ二おかれたとき、またはモジエール自体
の発熱等Ｃ二より外囲器、封止材料。
クルの環境下Ｃ二おかれたとき、またはモジエール自体
の発熱等Ｃ二より外囲器、封止材料。
回路４成部品等の熱膨張係数の違い（二よる相互間の引
張シまたは圧縮の応力を発生し、時として外囲器、接着
部（二亀裂を生じてモジュールの耐湿性を著るしく低下
させることがある。亀裂が発生する原因は上Ｃ：述べた
よう（二同じ材料１等葉である時外囲器との接着力の影
醤を受けるものであシ、また、この接着力は外囲器の表
面状態と、外ｄ器と保護用樹脂相互の材料の組合わせを
同一条件としたとき、接着の面積（二よシ＋ａする。こ
の接着面積は図（：も示されるよう（＝、毛管現象（＝
よる樹脂の這い上シなどがあシ、算出は檻しいが、例え
ばこれを無視しこの樹脂の厚さく＝単位面積を掛は合わ
せたものと仮冗しても、上記表面状態等（＝よシこの部
分が応力（二最も弱くなるのが一般的である。
張シまたは圧縮の応力を発生し、時として外囲器、接着
部（二亀裂を生じてモジュールの耐湿性を著るしく低下
させることがある。亀裂が発生する原因は上Ｃ：述べた
よう（二同じ材料１等葉である時外囲器との接着力の影
醤を受けるものであシ、また、この接着力は外囲器の表
面状態と、外ｄ器と保護用樹脂相互の材料の組合わせを
同一条件としたとき、接着の面積（二よシ＋ａする。こ
の接着面積は図（：も示されるよう（＝、毛管現象（＝
よる樹脂の這い上シなどがあシ、算出は檻しいが、例え
ばこれを無視しこの樹脂の厚さく＝単位面積を掛は合わ
せたものと仮冗しても、上記表面状態等（＝よシこの部
分が応力（二最も弱くなるのが一般的である。
成上の問題（二対して通常樹脂量を増す処置がとられる
。これ（＝よ）接着面積が増加し接着力は増大するが、
漬着部以外の部分（二対しては過剰（−なるため、モジ
ュールがコスト高となり、外囲器を必要以上（二大きく
しなければならない等の制約が発生する。
。これ（＝よ）接着面積が増加し接着力は増大するが、
漬着部以外の部分（二対しては過剰（−なるため、モジ
ュールがコスト高となり、外囲器を必要以上（二大きく
しなければならない等の制約が発生する。
この発明は上記従来の技術の問題点（二鑑みてハイブリ
ッドＩＣモジュールの外囲器と封止樹脂界面（二熱的影
響（＝よって生ずるクラックを防止し耐湿性の１司上を
はかる。
ッドＩＣモジュールの外囲器と封止樹脂界面（二熱的影
響（＝よって生ずるクラックを防止し耐湿性の１司上を
はかる。
この発明（二かかるハイブリッドＩＣモジュールは外囲
器内（二その庶ｍに密接しこの外民器の内装部品の少く
とも一部を囲繞する内側壁を設け、この内側壁内を封止
する第１の封止樹脂と、外囲器の側壁の内面に周縁で封
着しかつこの側壁の内面と前記内側壁との間Ｃ二形成さ
れた隙間（二人り込ませて外囲器内を封止する第２の封
止樹脂によって封止されたことを特徴とし、接着面積を
増大して接着強度を上げ、封止の耐湿効果を同上させる
ものである。
器内（二その庶ｍに密接しこの外民器の内装部品の少く
とも一部を囲繞する内側壁を設け、この内側壁内を封止
する第１の封止樹脂と、外囲器の側壁の内面に周縁で封
着しかつこの側壁の内面と前記内側壁との間Ｃ二形成さ
れた隙間（二人り込ませて外囲器内を封止する第２の封
止樹脂によって封止されたことを特徴とし、接着面積を
増大して接着強度を上げ、封止の耐湿効果を同上させる
ものである。
以下（＝この発明を実施例Ｃ二つ＠第１図ないし第７図
を参照して説明する。なお、実施例の説明において従来
と変わらない部分Ｃ＝ついては図面（二同じ符号を付け
て示し説明を省略する。
を参照して説明する。なお、実施例の説明において従来
と変わらない部分Ｃ＝ついては図面（二同じ符号を付け
て示し説明を省略する。
第１図Ｃ二示すへイブリッドＩＣモジュールは、その外
囲器（１）の側壁（１ａ）の内面（ｌｂ） ｌ二対同し
、かつある間隙を有して底面（ＩＣ）から立上る内側壁
（２）が設けられている。そして、この内側壁（２）内
（＝ゲル状の樹脂、例えばシリコン樹脂（１０６）を封
入し、この上面から内側壁（２）を越えて間隙内を充た
す保護用の樹脂、例えばエポキシ樹脂（１０７）が外囲
器１ｉｌｌ壁内面（ｌｂ）−二層縁で封着して封止を達
成するものである。
囲器（１）の側壁（１ａ）の内面（ｌｂ） ｌ二対同し
、かつある間隙を有して底面（ＩＣ）から立上る内側壁
（２）が設けられている。そして、この内側壁（２）内
（＝ゲル状の樹脂、例えばシリコン樹脂（１０６）を封
入し、この上面から内側壁（２）を越えて間隙内を充た
す保護用の樹脂、例えばエポキシ樹脂（１０７）が外囲
器１ｉｌｌ壁内面（ｌｂ）−二層縁で封着して封止を達
成するものである。
次（＝、第２図１＝示すハイブリッジＩＣモジュールは
、第１図に示すものと内側壁αりが外囲器の底面（ｌｃ
） ｌ：ｌ−接着剤Ｒ（３）で固着されたものである。
、第１図に示すものと内側壁αりが外囲器の底面（ｌｃ
） ｌ：ｌ−接着剤Ｒ（３）で固着されたものである。
したがって内側壁μりは図（ｂ）（＝示すような枠体で
よく、これは外囲器とは別途容易（二作製できるととも
（−外囲器は従来のままで用いることもできる利点がお
る。
よく、これは外囲器とは別途容易（二作製できるととも
（−外囲器は従来のままで用いることもできる利点がお
る。
次の第３図には内側壁αりの固定（ニシリコン樹ノ信（
１０６）を用いたもので、外囲器内（＝予め必要とする
高さよシ少く入れたのち、内側壁（Ｌのを装入し、流れ
出ない状態（−加熱処理を施しておく。ついで内側壁の
内側（二必要とする量の樹脂を注加するものである。
１０６）を用いたもので、外囲器内（＝予め必要とする
高さよシ少く入れたのち、内側壁（Ｌのを装入し、流れ
出ない状態（−加熱処理を施しておく。ついで内側壁の
内側（二必要とする量の樹脂を注加するものである。
次の第４図（＝は内側壁ａ邊が外囲器内の底面（ｌｉｅ
）に設けられた溝（ｌｉｄ） ｉ二装入固定されたもの
を示す。
）に設けられた溝（ｌｉｄ） ｉ二装入固定されたもの
を示す。
これは接着剤を用いずＣ二内側壁を固定できるとともＣ
二、溝加工も簡単である利点がある。
二、溝加工も簡単である利点がある。
次の第５図（二は内装部品の一部を限って内装する内側
壁＠を例示する。なお、この内側壁はこれを外囲器底面
へ固定するの（＝接着剤（３）を用いた場合を例示した
が、第１図、または第３図二夫々示すよう（＝底面から
一体（二車上らせ形成しても、また底面（−溝を設けて
装入固定させても、さら（＝は次（二第６図（＝よって
説明する一体構造としてもよい。
壁＠を例示する。なお、この内側壁はこれを外囲器底面
へ固定するの（＝接着剤（３）を用いた場合を例示した
が、第１図、または第３図二夫々示すよう（＝底面から
一体（二車上らせ形成しても、また底面（−溝を設けて
装入固定させても、さら（＝は次（二第６図（＝よって
説明する一体構造としてもよい。
次の第６図（＝示す構造は外囲器Ｑ１）がプレス成形Ｃ
：よって形成され、その内側種口は外囲器を折曲して形
成した一体構造になっている。
：よって形成され、その内側種口は外囲器を折曲して形
成した一体構造になっている。
次の第７図Ｃ二示す構造は外囲器６υ（＝コネクタ（Ｉ
Ｏ２）が取着されたもので、このコネクタは成上の諸構
造Ｃ：おける外部との回路接続用リード（１０３ｃ）二
相当するが、保護用樹脂（１０７）を貫通していない構
造上の特徴を備えている。
Ｏ２）が取着されたもので、このコネクタは成上の諸構
造Ｃ：おける外部との回路接続用リード（１０３ｃ）二
相当するが、保護用樹脂（１０７）を貫通していない構
造上の特徴を備えている。
封止材料と外囲器との接審力は、接着部の辰面状態、双
方の＃質の組合わせが一定のとき接着面積Ｃ二はぼ比例
することは自明である。この発明の構造は外囲器側壁の
内側に隙間をもって内側壁を設け、この隙間（二保腹用
樹脂の周縁部を広く接着させて耐湿、封止効果を同上で
きる顕著な利点がある。また、上記接着面積を増大する
ため（二樹脂封入量を％１；増量することなく達成でき
る上に、この構造は廉価Ｃ：構成できる利点もある。
方の＃質の組合わせが一定のとき接着面積Ｃ二はぼ比例
することは自明である。この発明の構造は外囲器側壁の
内側に隙間をもって内側壁を設け、この隙間（二保腹用
樹脂の周縁部を広く接着させて耐湿、封止効果を同上で
きる顕著な利点がある。また、上記接着面積を増大する
ため（二樹脂封入量を％１；増量することなく達成でき
る上に、この構造は廉価Ｃ：構成できる利点もある。
第１図（ｄ）、第２図（ａ）、第３図ないし第７図はい
ずれも夫々がこの発明の実施例Ｃ二かかるＩＣモジュー
ルのｌＯＴ面図、第１図＋ｂｌは同図１ａｌの一部を切
欠して示す斜視図、第２図（ｂｌは同図＋ａｌの内側壁
の−かるＩＣモジュールの断面図、同図（ｂｌは斜視図
でちる。 １ 、１１．２１．３１ 外囲器 ２ 、１２．２２．３２ 内側壁 １０１、１０２．１０３ａ、 １０３ｂ、 １０３ｃ
内装部品１０６ 第１の封止（ゲル状
）樹脂１０７ 第２の封止（保護用）ｍ脂
代理人 弁理士 井 上 −男 第１図 （α２ （ｃＬン 第 ２ 図 （ｂ］ 第 ３ 図 ｌ 第 ４ 図 ／／ ｔｌｔｔ ＩＩＣ 第５図 第６図 第 ７ 図 第 ８ 図 （ａ） （ｂ）
ずれも夫々がこの発明の実施例Ｃ二かかるＩＣモジュー
ルのｌＯＴ面図、第１図＋ｂｌは同図１ａｌの一部を切
欠して示す斜視図、第２図（ｂｌは同図＋ａｌの内側壁
の−かるＩＣモジュールの断面図、同図（ｂｌは斜視図
でちる。 １ 、１１．２１．３１ 外囲器 ２ 、１２．２２．３２ 内側壁 １０１、１０２．１０３ａ、 １０３ｂ、 １０３ｃ
内装部品１０６ 第１の封止（ゲル状
）樹脂１０７ 第２の封止（保護用）ｍ脂
代理人 弁理士 井 上 −男 第１図 （α２ （ｃＬン 第 ２ 図 （ｂ］ 第 ３ 図 ｌ 第 ４ 図 ／／ ｔｌｔｔ ＩＩＣ 第５図 第６図 第 ７ 図 第 ８ 図 （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- 外囲器内にその底面に密接しこの外囲器の内装部品の少
くとも一部を囲繞する内側壁を設け、この内側壁内を封
止する第１の封止樹脂と、外囲器の側壁に周縁で封着し
かつこの外囲器を封止する第２の封止樹脂によつて封止
されたことを特徴とするハイブリツドＩＣモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16990984A JPS6148945A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | ハイプリツドｉｃモジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16990984A JPS6148945A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | ハイプリツドｉｃモジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148945A true JPS6148945A (ja) | 1986-03-10 |
Family
ID=15895211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16990984A Pending JPS6148945A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | ハイプリツドｉｃモジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148945A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956231A (en) * | 1994-10-07 | 1999-09-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having power semiconductor elements |
| US6001918A (en) * | 1997-07-10 | 1999-12-14 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Silicone gel composition for use as a sealant and a filler for electrical and electronic components and a gel prepared from this composition |
| US6001943A (en) * | 1997-01-30 | 1999-12-14 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Silicone gel composition and silicone gel for use in sealing and filling of electrical and electronic parts |
| WO2015111409A1 (en) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Silicone gel composition |
| WO2018056298A1 (ja) | 2016-09-26 | 2018-03-29 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 積層体、その製造方法および電子部品の製造方法 |
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