JPH03263431A - ケイ素含有デンドリマー - Google Patents
ケイ素含有デンドリマーInfo
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- JPH03263431A JPH03263431A JP6224990A JP6224990A JPH03263431A JP H03263431 A JPH03263431 A JP H03263431A JP 6224990 A JP6224990 A JP 6224990A JP 6224990 A JP6224990 A JP 6224990A JP H03263431 A JPH03263431 A JP H03263431A
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Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野:1
本発明は準−で特定構造を有するデンドリマ型分岐ポリ
シロキザンとその合成法に係るものである。
シロキザンとその合成法に係るものである。
〔従来の技術とその課題]
デンドリマー(樹枝状ポリマー)とは、下記の一般式(
1)で表される単一で特定構造を有する高分岐、高分子
ポリマーである。。
1)で表される単一で特定構造を有する高分岐、高分子
ポリマーである。。
能代(1)
(1)
〔式中、ずヘテ(7)X’Y’(Z’)N’バー世代1
;:#イテ同じものであり、かつ異なる世代においては
同じものか異なるものであり、更にX’ν(zt)Nt
は同じものであるという条件で、lは多官能性核剤、ミ
ザイルドラッグ、高分子吸収剤等の用途が考えられる。
;:#イテ同じものであり、かつ異なる世代においては
同じものか異なるものであり、更にX’ν(zt)Nt
は同じものであるという条件で、lは多官能性核剤、ミ
ザイルドラッグ、高分子吸収剤等の用途が考えられる。
その合成法として、例えばアメリカ特許第4、507.
466によれば、゛γンモニアを核とし、それにアクリ
ル酸とエチレンジアミンの付加を繰り返すといった方法
等が開示されているが、従来ケイ素あるいはケイ素を含
む官能基をデンドリマー内に導入したものについては報
告されていない。
466によれば、゛γンモニアを核とし、それにアクリ
ル酸とエチレンジアミンの付加を繰り返すといった方法
等が開示されているが、従来ケイ素あるいはケイ素を含
む官能基をデンドリマー内に導入したものについては報
告されていない。
デンドリマーにケイ素を導入すれば、ケイ素化合物に特
異的な包接能、あるいはケイ素化合物特有な物性をデン
ドリマーに付与することが期待できる。
異的な包接能、あるいはケイ素化合物特有な物性をデン
ドリマーに付与することが期待できる。
本発明者等はケイ素を含有するデンドリマーについで鋭
意研究し、−1−記一般式(1)においテ1.Zc、X
’、Y’、Z’、X’、Y+′、ZLノうち少なくとも
1つはケイ素を含む官能基を示すデンドリマー型分岐ポ
リシロキザンを得るべく検討を行ったところ、以下の4
段階よりなる合成法により目的であり、Z′−は核及び
第一・世代のX基へ結合し5た官能基で・あり、N、は
核゛・\結合し、た官能λλ数7・あり、X’ハY’及
びi −11j代ノz基−4a合1.. タi [、i
lh代の繰返単位Y”の−官能性足部Yあり、l゛は\
゛及び1+1世代のX基・\結合した官能基であり、N
”はY゛の多官能性頭部の数に、相当する少なくJ・も
2の数であり、N゛−1はYi−1の多官能性頭部の数
に相当する少なくとも2の数であり(y”はY″−1世
代の繰返単位である)、x′′は最終世代の繰返単位Y
Lの一官能性尾部であり、Z’はν・\結合した末端基
であり、Ntは0あるいは1個のYtへ結合した末端基
であり、N’は1]あるいは1個のYtへ結合したZL
基の数に相当丈る数であり、1は1から+、−1の数′
までの連続した特定な世代の数を示す。〕 その特徴としCは同じ程度の分子量を有する他の直鎖あ
るいは分岐ポリマーと比較して分子単位あたりの官能基
密度が大きく、世代を数世代重ねると内部に空間を持−
つことである。このデンドリマーの特性から、界面活性
剤、ゲル化が達成できることを見出し、本発明に到−2
たものごある。
意研究し、−1−記一般式(1)においテ1.Zc、X
’、Y’、Z’、X’、Y+′、ZLノうち少なくとも
1つはケイ素を含む官能基を示すデンドリマー型分岐ポ
リシロキザンを得るべく検討を行ったところ、以下の4
段階よりなる合成法により目的であり、Z′−は核及び
第一・世代のX基へ結合し5た官能基で・あり、N、は
核゛・\結合し、た官能λλ数7・あり、X’ハY’及
びi −11j代ノz基−4a合1.. タi [、i
lh代の繰返単位Y”の−官能性足部Yあり、l゛は\
゛及び1+1世代のX基・\結合した官能基であり、N
”はY゛の多官能性頭部の数に、相当する少なくJ・も
2の数であり、N゛−1はYi−1の多官能性頭部の数
に相当する少なくとも2の数であり(y”はY″−1世
代の繰返単位である)、x′′は最終世代の繰返単位Y
Lの一官能性尾部であり、Z’はν・\結合した末端基
であり、Ntは0あるいは1個のYtへ結合した末端基
であり、N’は1]あるいは1個のYtへ結合したZL
基の数に相当丈る数であり、1は1から+、−1の数′
までの連続した特定な世代の数を示す。〕 その特徴としCは同じ程度の分子量を有する他の直鎖あ
るいは分岐ポリマーと比較して分子単位あたりの官能基
密度が大きく、世代を数世代重ねると内部に空間を持−
つことである。このデンドリマーの特性から、界面活性
剤、ゲル化が達成できることを見出し、本発明に到−2
たものごある。
第1段階
一般式(III)
(式中nは0以」二の任意の整数、Rはケベで同じでも
異なってもよいケイ素に直接結合するアルキル又はアル
ケニル基。〉 で表される単一なボリシτjキザンの合成。
異なってもよいケイ素に直接結合するアルキル又はアル
ケニル基。〉 で表される単一なボリシτjキザンの合成。
第2段階
式(III)で表される化合物とR31CI3.5iC
14等のクロルシラン順とのカップリングによる一般式
(■) (式中のR,nは式(I’m)に同じ、mはRの数でO
又は1、Xは2又は3で、mとXの和は3である。) で表される単一なポリシロキサンの合成。
14等のクロルシラン順とのカップリングによる一般式
(■) (式中のR,nは式(I’m)に同じ、mはRの数でO
又は1、Xは2又は3で、mとXの和は3である。) で表される単一なポリシロキサンの合成。
第3段階
式(I)で表される化合物とR31C13,5iCL等
のクロルシラン類とのカップリングによる一般式(V) (式中口とRは式(I[I)に同じ、βはRの数で0.
1.2、yは2.3.4のいずれかであり、lとyの和
は4である。) で表されるポリシロキサンの合成。
のクロルシラン類とのカップリングによる一般式(V) (式中口とRは式(I[I)に同じ、βはRの数で0.
1.2、yは2.3.4のいずれかであり、lとyの和
は4である。) で表されるポリシロキサンの合成。
第4段階
0式(V)で表されるポリシロキサンの5iflをすべ
て5iOtlとし、■これに当量の式(IV)で表され
るポリシロキサンをカップリングさせる。この■1■の
操作を繰り返すことによる、−能代: 〔式中、R1は水素又は で表される単一なポリシロキサンを得る。
て5iOtlとし、■これに当量の式(IV)で表され
るポリシロキサンをカップリングさせる。この■1■の
操作を繰り返すことによる、−能代: 〔式中、R1は水素又は で表される単一なポリシロキサンを得る。
式(■)中Xが塩素である場合の合成は、式(Vl)で
表されるα、ω−ジヒドロポリシロキサンを過酸化ベン
ゾイルと四塩化炭素によって部分クロル化することによ
って得られる。あるいは環状シロキサンをジメチルクロ
ルシランと活性炭と少量の水とによって開環させ、直接
的に得ることも可能である。
表されるα、ω−ジヒドロポリシロキサンを過酸化ベン
ゾイルと四塩化炭素によって部分クロル化することによ
って得られる。あるいは環状シロキサンをジメチルクロ
ルシランと活性炭と少量の水とによって開環させ、直接
的に得ることも可能である。
式(■)中XがCH,COO−基である場合の合成は、
式(VI)で表されるα、ω−ジヒドロポリシロキサン
とこれに対し約5倍モル以下、より好ましくは1.2倍
モル以下の酢酸と、触媒量のPd/C(5%)を用い、
0℃〜200℃、より好ましくは60〜120℃で攪拌
する。溶媒は用いても用いなくても良いが、ベンゼン、
トルエン、キシレン、ヘキサン等が使用できる。
式(VI)で表されるα、ω−ジヒドロポリシロキサン
とこれに対し約5倍モル以下、より好ましくは1.2倍
モル以下の酢酸と、触媒量のPd/C(5%)を用い、
0℃〜200℃、より好ましくは60〜120℃で攪拌
する。溶媒は用いても用いなくても良いが、ベンゼン、
トルエン、キシレン、ヘキサン等が使用できる。
この反応は目的とするモノアセトキシ体を経てジアセト
キシ体へ進行するので、試薬の量や反応温度を調整し、
ジアセトキシ体の生成を抑え、モノアセトキシ体を単離
することがであり、n、m、j!、Rは式(I[I)、
(■)、 (V)に同じ。) で表されるデンドリマー型ポリシロキサンの合成。
キシ体へ進行するので、試薬の量や反応温度を調整し、
ジアセトキシ体の生成を抑え、モノアセトキシ体を単離
することがであり、n、m、j!、Rは式(I[I)、
(■)、 (V)に同じ。) で表されるデンドリマー型ポリシロキサンの合成。
以下各段階について更に詳細に述べる。
第1段階
一般式(I)で表されるポリシロキサンの合成は、まず
環状シロキサンを当量の水とジメチルクロルシランを用
いシリカゲル存在下に開環させることによって得られる
、 −能代(Vl) で表されるα、ω−ジヒドロポリシロキサンを用い、こ
のシロキサンが有する2つのSiHのうち片方のみを修
飾し、−能代(■)(式中XはCI Br等のハロゲン
原子、又はC1l、C0D−、Cl(、CH2C0D−
等のアシル基を示す。)肝要である。未反応の原料は回
収し再使用することができる。式(■)で表されるポリ
シロキサンから式(I)で表されるポリシロキサンへ変
換する方法は式(■)中Xがハロゲン原子である場合、
例えばジャーナル・オブ・オルガノメタリック・ケミス
トリー375巻。
環状シロキサンを当量の水とジメチルクロルシランを用
いシリカゲル存在下に開環させることによって得られる
、 −能代(Vl) で表されるα、ω−ジヒドロポリシロキサンを用い、こ
のシロキサンが有する2つのSiHのうち片方のみを修
飾し、−能代(■)(式中XはCI Br等のハロゲン
原子、又はC1l、C0D−、Cl(、CH2C0D−
等のアシル基を示す。)肝要である。未反応の原料は回
収し再使用することができる。式(■)で表されるポリ
シロキサンから式(I)で表されるポリシロキサンへ変
換する方法は式(■)中Xがハロゲン原子である場合、
例えばジャーナル・オブ・オルガノメタリック・ケミス
トリー375巻。
33頁(1989年)に示されるが如く、炭酸水素ナト
リウムと水を用い部分加水分解して得ることができる。
リウムと水を用い部分加水分解して得ることができる。
式(■)中Xがアシル基である場合は水のみ、あるいは
水と炭酸水素ナトリウムを用いてもよいが、ピリジン、
トリエチルアミン、ジエチルアミン等のアミン類を用い
ることにより、迅速かつ副生物の生成を抑えて行うこと
ができる。用いるアミンの量は例えばトリエチルアミン
の場合、基質に対し10倍モル以下、より好ましくは0
.3倍モル以上2倍モル以下である。溶媒は用いても用
いなくても良いが、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
が使用できる。
水と炭酸水素ナトリウムを用いてもよいが、ピリジン、
トリエチルアミン、ジエチルアミン等のアミン類を用い
ることにより、迅速かつ副生物の生成を抑えて行うこと
ができる。用いるアミンの量は例えばトリエチルアミン
の場合、基質に対し10倍モル以下、より好ましくは0
.3倍モル以上2倍モル以下である。溶媒は用いても用
いなくても良いが、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
が使用できる。
第2段階
デンドリマー型ポリシロキザン合成の第2段階Cある式
(iV)で表されるポリシロキサンの合成は、式(II
I)で表されるシロキサンをR6ICl3.5iC1<
等のりTフルシラン類に部分的、段階的に導入すること
により、次のスキーム■の如く達成できる。
(iV)で表されるポリシロキサンの合成は、式(II
I)で表されるシロキサンをR6ICl3.5iC1<
等のりTフルシラン類に部分的、段階的に導入すること
により、次のスキーム■の如く達成できる。
スキーノ、■
く■)
(■“)
即ち、例えばR3ICl3を用いる場合、まず式(II
I)で表されるポリシロキサンと等モルのR3ICl3
をピリジン等のアミン存在下カップリングさせ、式(■
)で表されるボリシ■】キサンを得る。用いるR31C
13の量は式(III)で表されるポリシロキサンに対
し等モル以」−10倍モル以下、より好ましくは1.2
倍モル以上2倍(ル以下を用いると良い。アミンの量は
当量が好“よしい。溶媒は用いなくても良いが、ベンゼ
ン、トルエン、ヘキサン等を用いルJ二とができる。反
応終了後、過剰のR51CI、、アミン類、溶媒を除き
式(■)の化合物を単離し、これに等モルの式(III
)で表されるポリシロキサンと当量アミン類と溶媒を新
たに加え、反応終了後、溶媒や未反応の試薬等を除去し
、目的の式(1’V)で表されるポリシロキサンを得る
。この化合物は分岐ポリシロキサン合成の延長ユニット
として有用である。
I)で表されるポリシロキサンと等モルのR3ICl3
をピリジン等のアミン存在下カップリングさせ、式(■
)で表されるボリシ■】キサンを得る。用いるR31C
13の量は式(III)で表されるポリシロキサンに対
し等モル以」−10倍モル以下、より好ましくは1.2
倍モル以上2倍(ル以下を用いると良い。アミンの量は
当量が好“よしい。溶媒は用いなくても良いが、ベンゼ
ン、トルエン、ヘキサン等を用いルJ二とができる。反
応終了後、過剰のR51CI、、アミン類、溶媒を除き
式(■)の化合物を単離し、これに等モルの式(III
)で表されるポリシロキサンと当量アミン類と溶媒を新
たに加え、反応終了後、溶媒や未反応の試薬等を除去し
、目的の式(1’V)で表されるポリシロキサンを得る
。この化合物は分岐ポリシロキサン合成の延長ユニット
として有用である。
第:3段階
デンドリマー型ポリシロキサンの第3段階である式(V
)で表されるポリシロキサンの合成は特開昭60−25
2486に示される様に、R31C13,5iCIs
等のクロルシラン類と当量の式(1)で表されるポリシ
ロキサンをカップリングさせることにより得ることがで
きる。即ち、クロルシラン類に対し、当量以上10当量
以下、より好ましくは2当量以下の1 式(Vl)で表されるポリシロキサンを当量のピリジン
等のアミン類の存在下反応させる。
)で表されるポリシロキサンの合成は特開昭60−25
2486に示される様に、R31C13,5iCIs
等のクロルシラン類と当量の式(1)で表されるポリシ
ロキサンをカップリングさせることにより得ることがで
きる。即ち、クロルシラン類に対し、当量以上10当量
以下、より好ましくは2当量以下の1 式(Vl)で表されるポリシロキサンを当量のピリジン
等のアミン類の存在下反応させる。
溶媒は用いなくても良いが、ベンゼン、トルエン、ヘキ
サン等を用いることができる。反応終了後、水洗し′C
塩を除き、共沸脱水により水を除き、式(IV)で表さ
れるポリシロキサンを単離する。この化合物は三次元構
造を有するポリシロキサンの出発物質く核)として有用
である。
サン等を用いることができる。反応終了後、水洗し′C
塩を除き、共沸脱水により水を除き、式(IV)で表さ
れるポリシロキサンを単離する。この化合物は三次元構
造を有するポリシロキサンの出発物質く核)として有用
である。
第4段階
デンドリマー型ポリシロキザンの合成は、式(IV)及
び式(V)で表されるポリシロキサンを用いて達成でき
る。即ち、まず式(V)で表されるヒドロポリシロキサ
ンが有するSiHをすべで81叶とし、次に当量の式(
IV)で表されるクロロポリシロキサンをカップリング
させることにより、第一=世代のデンドリマーを得る1
、この操作を繰り返していくことにより、式(n)で表
されるデンドリマーを次のスーj−、−1,■により得
ることができる。
び式(V)で表されるポリシロキサンを用いて達成でき
る。即ち、まず式(V)で表されるヒドロポリシロキサ
ンが有するSiHをすべで81叶とし、次に当量の式(
IV)で表されるクロロポリシロキサンをカップリング
させることにより、第一=世代のデンドリマーを得る1
、この操作を繰り返していくことにより、式(n)で表
されるデンドリマーを次のスーj−、−1,■により得
ることができる。
スキーム■
第一世代
2
第一世代
M、 D、 T、 Oは以下の略号であることを示し、
置換基がメチル基以外である場合は肩文字で表す。
置換基がメチル基以外である場合は肩文字で表す。
M=−3i−〇。、。
D =Oo、 5−3i −0,、。
(V)式で表されるポリシロキサンのSIHを5iOH
と変換する方法は、例えばジャーナル・オブ・オーガニ
ック・ケミストリー131巻。
と変換する方法は、例えばジャーナル・オブ・オーガニ
ック・ケミストリー131巻。
885頁(1966年)、あるいは特開昭61−167
694に示されているが如< 、Pd/C(5%)触媒
と水を用いて行うことができる。生成したシラノールを
当量以上、より好ましくは132位当量以上2当量以下
の式(rV)で示されるクロルポリシロキサンと等量の
ピリジン等のアミンの存在下反応せしめ、第一世代のデ
ンドリマーを得る。溶媒を用いなくてもよいが、ベンゼ
ン、ヘキサン、トルエン等が使用できる。この操作を繰
り返すことによりデンドリマー型ポリシロキサンが得ら
れる。この様にして合成されたデンドリマー型ポリシロ
キサンはシリコーン特有の物性を有するデンドリマーで
あり、また表面に多数のSiHを有するため、ヒドロシ
リル化反応により様々な炭素官能基の導入が可能であり
、各種機能性物質の原料として有用である。
694に示されているが如< 、Pd/C(5%)触媒
と水を用いて行うことができる。生成したシラノールを
当量以上、より好ましくは132位当量以上2当量以下
の式(rV)で示されるクロルポリシロキサンと等量の
ピリジン等のアミンの存在下反応せしめ、第一世代のデ
ンドリマーを得る。溶媒を用いなくてもよいが、ベンゼ
ン、ヘキサン、トルエン等が使用できる。この操作を繰
り返すことによりデンドリマー型ポリシロキサンが得ら
れる。この様にして合成されたデンドリマー型ポリシロ
キサンはシリコーン特有の物性を有するデンドリマーで
あり、また表面に多数のSiHを有するため、ヒドロシ
リル化反応により様々な炭素官能基の導入が可能であり
、各種機能性物質の原料として有用である。
以下実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。
明はこれら実施例に限定されるものではない。
参考例1 (”MD、M”’の合成)コンデンサーと
滴下ロートを備えた50〇−20フラスコ中に、ベンゼ
ン200dと’M02MH98、7g(0,35mol
)、パラジウムチャーコール(5=15− %)3gを入れ、フラスコを100℃に加熱する。
滴下ロートを備えた50〇−20フラスコ中に、ベンゼ
ン200dと’M02MH98、7g(0,35mol
)、パラジウムチャーコール(5=15− %)3gを入れ、フラスコを100℃に加熱する。
これに酢酸16.8g(0,28mol)を約3時間か
けて滴下した。更に4時間反応させた後、冷却し触媒を
濾取し、ベンゼンと未反応の酢酸等を留去する。残渣を
蒸留し、未反応の原料35g(回収率29%)と’M0
2M0AC34,1g (収率30%)を得た。
けて滴下した。更に4時間反応させた後、冷却し触媒を
濾取し、ベンゼンと未反応の酢酸等を留去する。残渣を
蒸留し、未反応の原料35g(回収率29%)と’M0
2M0AC34,1g (収率30%)を得た。
bp;78〜b
IR; 2128cnr’ (Si−H)、 1734
(Si−0^C)MS ;339(M”−1>、 32
5(M”−15)NMR(重ベンゼン、δppm)
;+1 (溶媒基準) 0、147 (6H,s) 0、170 (6)1. d、 2.8Hz)0、20
0 (6)1. s) 0、314(6H,s) 1.73 (3H,s) 4、96 (LH,5epc、 2.811z)13C
(溶媒基準) 0.187 M0^0のCH3 6− 0,776M’のCL 2.3 (CH,−COO) 170.0 (C=0) ”Si(TMS基準) −6,61M” 9.68 MoAe 参考例2 (T(DSM’)a (T型の核)の合成
)滴下ロートを備えた50−2日フラスコ中に水15−
、テトラヒドロフラン(THF)15rd、トリエチル
アミン(EtJ)1.82g(18mmol) を入れ
る。
(Si−0^C)MS ;339(M”−1>、 32
5(M”−15)NMR(重ベンゼン、δppm)
;+1 (溶媒基準) 0、147 (6H,s) 0、170 (6)1. d、 2.8Hz)0、20
0 (6)1. s) 0、314(6H,s) 1.73 (3H,s) 4、96 (LH,5epc、 2.811z)13C
(溶媒基準) 0.187 M0^0のCH3 6− 0,776M’のCL 2.3 (CH,−COO) 170.0 (C=0) ”Si(TMS基準) −6,61M” 9.68 MoAe 参考例2 (T(DSM’)a (T型の核)の合成
)滴下ロートを備えた50−2日フラスコ中に水15−
、テトラヒドロフラン(THF)15rd、トリエチル
アミン(EtJ)1.82g(18mmol) を入れ
る。
これを水浴中で冷却し、’MD4M0Ac8.78g(
18mmol)を約1時間かけて滴下した。1時間後室
温に戻し、更に1時間攪拌した。その後分液ロートに移
し、ベンゼン50−を加えて抽出し、更に水25−で3
回洗浄した後、共沸脱水によりベンゼンと水を除きII
M04MO11を得た。(これを単離せず1、ご次の反
応1、−用いろ) 次に滴ト′ロー ) ’fi備えた100d2rlノ゛
ンスーノ中にベンゼン50カと!、l e S i口3
850mg(bmmol)とピリジン1.19g(15
mmol)を人イ′1、′ノラス、]を水浴中で冷却し
た。これに先第1?合成(,2プ、“1′へ1114
、7.(Q Hを約20分かけで滴下した1、約2時間
後室記jコ戻(12、更に約−十ト」攪拌しゾこ、1反
応紳1′後、分液ロートに移し1、水30m2で13回
洗浄しピリジン塩を除いた。次にベンゼンや水を留去し
た後、クーゲル1コール蒸留器を用い・−・22Dt/
4.2X10−5tor+という条件で蒸留し、T (
DsM”) 3を4.69g (68%)得た。
18mmol)を約1時間かけて滴下した。1時間後室
温に戻し、更に1時間攪拌した。その後分液ロートに移
し、ベンゼン50−を加えて抽出し、更に水25−で3
回洗浄した後、共沸脱水によりベンゼンと水を除きII
M04MO11を得た。(これを単離せず1、ご次の反
応1、−用いろ) 次に滴ト′ロー ) ’fi備えた100d2rlノ゛
ンスーノ中にベンゼン50カと!、l e S i口3
850mg(bmmol)とピリジン1.19g(15
mmol)を人イ′1、′ノラス、]を水浴中で冷却し
た。これに先第1?合成(,2プ、“1′へ1114
、7.(Q Hを約20分かけで滴下した1、約2時間
後室記jコ戻(12、更に約−十ト」攪拌しゾこ、1反
応紳1′後、分液ロートに移し1、水30m2で13回
洗浄しピリジン塩を除いた。次にベンゼンや水を留去し
た後、クーゲル1コール蒸留器を用い・−・22Dt/
4.2X10−5tor+という条件で蒸留し、T (
DsM”) 3を4.69g (68%)得た。
IR”2128cm−’ (Si−H)九+S −13
78(M”) N!、IR(重ベンゼン中、 TMS基準、δppm)
;0、 ]、、951 9 入れる。これを水浴中で冷却し、’M[]J0Ae15
g(44゜1mmol)を約1時間かけで滴下した。そ
の後室温に戻し、更に2時間攪拌した。反応終了後、分
液ロートに移し、ベンゼン60rd、を加え下層を除い
た。残った有機層を更に水307!で2回洗浄し、共沸
脱水により水とベンゼンを除きHMI)、MO)lを得
る。(これを単離せずに次の反応に用いる) 次に滴下■コートを備えた20M 2 [コフラスコ中
にベンゼン80m1、MeSiCl310. Ig(8
8,2mmn1)、ピリジン3.49g (44゜1m
mol)を入れ水浴中で冷却した。これに先程合成した
HM02MDHをアルゴン気流下約1時間かけ一〇滴下
し攪拌した。1時間後室温に戻し、更に2時間攪拌した
。反応終了後、ピリジン塩を濾取し、溶媒と過剰のMe
SiCl。
78(M”) N!、IR(重ベンゼン中、 TMS基準、δppm)
;0、 ]、、951 9 入れる。これを水浴中で冷却し、’M[]J0Ae15
g(44゜1mmol)を約1時間かけで滴下した。そ
の後室温に戻し、更に2時間攪拌した。反応終了後、分
液ロートに移し、ベンゼン60rd、を加え下層を除い
た。残った有機層を更に水307!で2回洗浄し、共沸
脱水により水とベンゼンを除きHMI)、MO)lを得
る。(これを単離せずに次の反応に用いる) 次に滴下■コートを備えた20M 2 [コフラスコ中
にベンゼン80m1、MeSiCl310. Ig(8
8,2mmn1)、ピリジン3.49g (44゜1m
mol)を入れ水浴中で冷却した。これに先程合成した
HM02MDHをアルゴン気流下約1時間かけ一〇滴下
し攪拌した。1時間後室温に戻し、更に2時間攪拌した
。反応終了後、ピリジン塩を濾取し、溶媒と過剰のMe
SiCl。
を留去し、c12MD、lJ”を得た。これを再び反応
容器内に戻し2、新たにベンゼン8(h+tf!とピリ
ジン3、49g(44゜1mmol)を加え水浴中で冷
却した。これに上記方法により新たに合成したJu+、
λ101′(44,1+mmol)をアルゴン気流下約
9()分間かげて滴+3C 0,3401 [)、旧 (3H,BS) 0.832 M”のC11。
容器内に戻し2、新たにベンゼン8(h+tf!とピリ
ジン3、49g(44゜1mmol)を加え水浴中で冷
却した。これに上記方法により新たに合成したJu+、
λ101′(44,1+mmol)をアルゴン気流下約
9()分間かげて滴+3C 0,3401 [)、旧 (3H,BS) 0.832 M”のC11。
1.85 TのCH。
9S1
6.6
Ml+
66゜7T
参考例3 (”[1(D、l1lH)2 の合成)滴
下ロートを備えた100rd20フラスコ中に水30m
1、THF30d、Et3N4.46g(44,1mm
ol)を0 下した。約2時間抜室温に戻し、更に約半日攪拌した。
下ロートを備えた100rd20フラスコ中に水30m
1、THF30d、Et3N4.46g(44,1mm
ol)を0 下した。約2時間抜室温に戻し、更に約半日攪拌した。
反応終了後、ピリジン塩を濾取し、溶媒を留去した。残
渣を蒸留し、”D(D3M’)214.8g(49%)
を得た。
渣を蒸留し、”D(D3M’)214.8g(49%)
を得た。
bp;〜105℃/1..4 X 10−′5torr
IR; 2128cnr’ (Si−8)MS ;67
2(M”) NMR(重ベンゼン中、δppm) ;H(溶媒基準
) 495 (2H,BS) 0.442 (3B、5) 3c(溶媒基準) 2.10 []”の自13 0.820 Ml(のC8゜ ”Si(TMS基準) 6.65 MH 45,60” 実施例1 (T(D、T(03M”)2h (第一
世代のデンドリマー)の合成) 滴下ロートを備えた100m120フラスコ中にジオキ
サン30−1りん酸緩衝液(p)17゜3)10−とパ
ラジウムチャーコール(5%>0.3gを入れ、フラス
コを水浴中で冷却した。これにT (DsM)I) s
3.22g (2,34mo 1)を約15分かけて
滴下した。約1時間抜室温に戻し、更に2時間攪拌した
。反応終了をIRにおいてSiHの特定吸収2130c
m−’のピークが消失することにより確認した後、触媒
を濾去3− +H(溶媒基準) 5、02 (2H,BS) +sC(溶媒基準) M)lのCL TのCl13 0.816 1.82 ”Si(TMS基準) −6,34MII し、分液ロートに移してベンゼン50−で抽出した。こ
の有機層を水307!で更に3回洗浄し、共沸脱水によ
りベンゼンと水を除いた。
IR; 2128cnr’ (Si−8)MS ;67
2(M”) NMR(重ベンゼン中、δppm) ;H(溶媒基準
) 495 (2H,BS) 0.442 (3B、5) 3c(溶媒基準) 2.10 []”の自13 0.820 Ml(のC8゜ ”Si(TMS基準) 6.65 MH 45,60” 実施例1 (T(D、T(03M”)2h (第一
世代のデンドリマー)の合成) 滴下ロートを備えた100m120フラスコ中にジオキ
サン30−1りん酸緩衝液(p)17゜3)10−とパ
ラジウムチャーコール(5%>0.3gを入れ、フラス
コを水浴中で冷却した。これにT (DsM)I) s
3.22g (2,34mo 1)を約15分かけて
滴下した。約1時間抜室温に戻し、更に2時間攪拌した
。反応終了をIRにおいてSiHの特定吸収2130c
m−’のピークが消失することにより確認した後、触媒
を濾去3− +H(溶媒基準) 5、02 (2H,BS) +sC(溶媒基準) M)lのCL TのCl13 0.816 1.82 ”Si(TMS基準) −6,34MII し、分液ロートに移してベンゼン50−で抽出した。こ
の有機層を水307!で更に3回洗浄し、共沸脱水によ
りベンゼンと水を除いた。
次に滴下ロートを備えた100m1の2日フラスコ中に
ベンゼン40−と”D(03M’)25.8g (8,
44mmol)とピリジン668g(8,44mmol
)を入れ、7ラス’:Jを水浴中で冷却した。これに上
記で合成したT (D、M”’)、を約20分かけて滴
下した。約2時間抜室温に戻し、更に約半日攪拌した。
ベンゼン40−と”D(03M’)25.8g (8,
44mmol)とピリジン668g(8,44mmol
)を入れ、7ラス’:Jを水浴中で冷却した。これに上
記で合成したT (D、M”’)、を約20分かけて滴
下した。約2時間抜室温に戻し、更に約半日攪拌した。
反応終了後、分液ロートに移し、水30艷で3回洗いピ
リジン塩を除き、共沸脱水によりベンゼンと水を除いた
。次にクーゲルロール蒸留器を用い〜200’CI2
Xl0−storrの条件で低沸除去し、残渣をT(D
ST(D31’l’>2)3として6.78g (87
,0%)得た。
リジン塩を除き、共沸脱水によりベンゼンと水を除いた
。次にクーゲルロール蒸留器を用い〜200’CI2
Xl0−storrの条件で低沸除去し、残渣をT(D
ST(D31’l’>2)3として6.78g (87
,0%)得た。
)IPLCを用いて純度を検定したところ80%であっ
た。以下に分取11PLCを用いて精製したく純度99
%) T(DST(D3M”)2)3の物性値を示す。
た。以下に分取11PLCを用いて精製したく純度99
%) T(DST(D3M”)2)3の物性値を示す。
IR; 2128c+yr’ (Si−H)MS ;3
340(M”)、 3325(M”−15>、 326
6(M”−74)NMR(重ベンゼン中、δppm): 24 −66.5 7 実施例2(T[口sT(口sT(口JII) a)2コ
、 (第二世代のデンドリマー)の合成) 滴下ロートを備えた50社2日フラスコ中にジオキサン
15m1、りん酸緩衝液(pH7,3)5mfとパラジ
ウムチャーコール(5%>(1,2gを入れ、フラスコ
を水浴中で冷却した。これにT(DsT(DJ’)z)
sl、 82g (0,55mmol)を約10分かけ
て滴下した。約1時間抜室温に戻し、更に2時間攪拌し
た。反応終了をIHにおいてSiHの特定吸収2130
cm−’のピークが消失することにより確認した後、触
媒を濾去し、分液ロートに移してベンゼン20m1で抽
出した。この有機層を水10m1で更に3回洗浄し、共
沸脱水によりベンゼンと水を除いた。
340(M”)、 3325(M”−15>、 326
6(M”−74)NMR(重ベンゼン中、δppm): 24 −66.5 7 実施例2(T[口sT(口sT(口JII) a)2コ
、 (第二世代のデンドリマー)の合成) 滴下ロートを備えた50社2日フラスコ中にジオキサン
15m1、りん酸緩衝液(pH7,3)5mfとパラジ
ウムチャーコール(5%>(1,2gを入れ、フラスコ
を水浴中で冷却した。これにT(DsT(DJ’)z)
sl、 82g (0,55mmol)を約10分かけ
て滴下した。約1時間抜室温に戻し、更に2時間攪拌し
た。反応終了をIHにおいてSiHの特定吸収2130
cm−’のピークが消失することにより確認した後、触
媒を濾去し、分液ロートに移してベンゼン20m1で抽
出した。この有機層を水10m1で更に3回洗浄し、共
沸脱水によりベンゼンと水を除いた。
次に滴下ロートを備えた50m1の20フラスコ中にベ
ンゼン20証とclD(DiiJ”) 22.72g(
4,Ommol)とピリジン313mg(4,Ommo
l)を入れ、フラスコを水浴中で冷却した1、これに上
記で合成(、またT(D、T (D、M”’) 2)3
を約20分かけて滴下した。約2時間抜室温に戻し、更
に約′+−nm拌し5た。反応終了後、分液τ7−トに
移し、水20m!で3回洗いピリジン塩を除き、共沸脱
水によりベンゼンと水を除いた。次にクーゲルロール蒸
留器を用い〜200℃/2 Xl0−5torrの条件
で低沸除去し、残渣を粗T[DsT(D3T(DaM’
)i)2]3として2.78g (70%)得た。II
PI、Cを用いて純度を検定したところ41%であった
。以下に分取HPLCを用いて精製したく純度98%’
) T[DST(D3T(D3M’)2)2]3の物性
値を示す。
ンゼン20証とclD(DiiJ”) 22.72g(
4,Ommol)とピリジン313mg(4,Ommo
l)を入れ、フラスコを水浴中で冷却した1、これに上
記で合成(、またT(D、T (D、M”’) 2)3
を約20分かけて滴下した。約2時間抜室温に戻し、更
に約′+−nm拌し5た。反応終了後、分液τ7−トに
移し、水20m!で3回洗いピリジン塩を除き、共沸脱
水によりベンゼンと水を除いた。次にクーゲルロール蒸
留器を用い〜200℃/2 Xl0−5torrの条件
で低沸除去し、残渣を粗T[DsT(D3T(DaM’
)i)2]3として2.78g (70%)得た。II
PI、Cを用いて純度を検定したところ41%であった
。以下に分取HPLCを用いて精製したく純度98%’
) T[DST(D3T(D3M’)2)2]3の物性
値を示す。
IR;2134e+v−’(Si−1t)MS ;
7259(M”)、 7244(IJ”−15)
、 7185(M“−74)Nλ)R; !■ 5.02 (36H,BS) 0.304J 0283 ) 13(H 0,819M”のC13 183TのCH3 9S1 6.34 M1+ 66.51 7 実施例3 (T(DST[D3T(D3T(D3M”)
2)2]□)3(第三世代のデンドリマー)の合成〉 滴下ロートを備えた50mF、2[−」フラスコ中にシ
フ オキサン15m1、りん酸緩衝液(pH7,3>5mj
!とパラジウムヂャーコール(5%)0.2gを入れ、
フラスコを水浴中で冷却uだ、、コレニT[05f(r
13T(03M′′>2)2131、47g (0,2
+n+y+ol)を約15分かけて滴FLだ。約1時間
抜室温に戻し、更に2時間攪拌した。反応終了をIRに
おいて5illの特定吸収2130cm=のビークが消
失することにより確認した後、触媒を濾去し、分液ロー
トに移してベンゼン20mf!で抽出した。この有機層
を水10−で更に3回洗浄し、共沸脱水によりベンゼン
と水を除いた。
7259(M”)、 7244(IJ”−15)
、 7185(M“−74)Nλ)R; !■ 5.02 (36H,BS) 0.304J 0283 ) 13(H 0,819M”のC13 183TのCH3 9S1 6.34 M1+ 66.51 7 実施例3 (T(DST[D3T(D3T(D3M”)
2)2]□)3(第三世代のデンドリマー)の合成〉 滴下ロートを備えた50mF、2[−」フラスコ中にシ
フ オキサン15m1、りん酸緩衝液(pH7,3>5mj
!とパラジウムヂャーコール(5%)0.2gを入れ、
フラスコを水浴中で冷却uだ、、コレニT[05f(r
13T(03M′′>2)2131、47g (0,2
+n+y+ol)を約15分かけて滴FLだ。約1時間
抜室温に戻し、更に2時間攪拌した。反応終了をIRに
おいて5illの特定吸収2130cm=のビークが消
失することにより確認した後、触媒を濾去し、分液ロー
トに移してベンゼン20mf!で抽出した。この有機層
を水10−で更に3回洗浄し、共沸脱水によりベンゼン
と水を除いた。
次に滴下ロートを備えた50dの2日フラスコ中にベン
ゼン20dと”D([]3M’)21.98g(2,8
8mmol)とピリジン227mg (2,33mmo
!、)を入れ、フラスコを水浴中で冷却した。これに上
記で合成したT[口ST(D3T(03M’) 2)2
]3を約20分かけて滴下した。
ゼン20dと”D([]3M’)21.98g(2,8
8mmol)とピリジン227mg (2,33mmo
!、)を入れ、フラスコを水浴中で冷却した。これに上
記で合成したT[口ST(D3T(03M’) 2)2
]3を約20分かけて滴下した。
約2時間抜室温に戻し、更に約半IX]攪拌した。
反応終了後、分液ロートに移し、水20m1で3回洗い
ピリジン塩を除き、共沸脱水によりベンゼンと水を除い
た。次にクーゲルロール蒸留器を用い〜200 t/2
X 10−’torrの条件で低沸除去し、8 残渣を粗T[D5T[D3T(D3T(D31.l’)
、)2]2) 3とし2て3、03g (99%)得
た。HP l−Cを用いて純度を検定したところ24%
であった。以下に分取i1 P L Cを用いテib製
した(純度96%)T (r15T[D3T(IJ、T
(111,、M”) 2 )2]2> 3の物性値を
示す。
ピリジン塩を除き、共沸脱水によりベンゼンと水を除い
た。次にクーゲルロール蒸留器を用い〜200 t/2
X 10−’torrの条件で低沸除去し、8 残渣を粗T[D5T[D3T(D3T(D31.l’)
、)2]2) 3とし2て3、03g (99%)得
た。HP l−Cを用いて純度を検定したところ24%
であった。以下に分取i1 P L Cを用いテib製
した(純度96%)T (r15T[D3T(IJ、T
(111,、M”) 2 )2]2> 3の物性値を
示す。
IR; 2128cm−’ (Si−H)NMR;
1
5.02 (72H,BS)
0・338)
C
08j
0、820
−1.83
9S1
−6.50
MIIのCL
TのCH3
M’
手続補正書1発)
平成2年4月27日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 次の一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼ ( I ) 〔式中、すべてのX^iY^i(Z^i)_N_^_i
は一世代において同じものであり、かつ異なる世代にお
いては同じものか異なるものであり、更にX^tY^t
(Z^t)_N_^_tは同じものであるという条件で
、Iは多官能性核であり、Z^Cは核及び第一世代のX
基へ結合した官能基であり、N_Cは核へ結合した官能
基数であり、X^iはY^i及びi−1世代のZ基へ結
合したi世代の繰返単位Y^iの一官能性尾部であり、
Z^iはY^i及びi+1世代のX基へ結合した官能基
であり、N^iはY^iの多官能性頭部の数に相当する
少なくとも2の数であり、N^i^−^1はY^i^−
^1の多官能性頭部の数に相当する少なくとも2の数で
あり(Y^i^−^1はY^i^−^1世代の繰返単位
である)、X^tは最終世代の繰返単位Y^tの一官能
性尾部であり、Z^tはY^tへ結合した末端基であり
、N^tは0あるいは1個のY^tへ結合した末端基で
あり、N^tは0あるいは1個のY^tへ結合したZ^
t基の数に相当する数であり、iは1からt−1の数ま
での連続した特定な世代の数を示し、I、Z^C、X^
i、Y^i、Z^i、X^t、Y^t、Z^tのうち少
なくとも1つはケイ素を含む官能基を示す。〕によって
表されるデンドリマー。 2 一般式( I )で表される化合物が次式(II)で表
されるものである請求項1記載のデンドリマー。 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、R^*は水素あるいは ▲数式、化学式、表等があります▼ Rは同じでも異なってもよいケイ素に直接結合するアル
キル又はアルケニル基、nは0以上の任意の整数、mは
Rの数で0又は1、xは2又は3で、mとxの和は3で
あり、lはRの数で0、1、2のいずれかであり、yは
2、3、4のいずれかであり、lとyの和は4である。 〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6224990A JPH03263431A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | ケイ素含有デンドリマー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6224990A JPH03263431A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | ケイ素含有デンドリマー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03263431A true JPH03263431A (ja) | 1991-11-22 |
Family
ID=13194682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6224990A Pending JPH03263431A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | ケイ素含有デンドリマー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03263431A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995028966A1 (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-02 | Nycomed Salutar Inc | Dendrimeric compounds |
EP0682059A1 (en) * | 1994-05-13 | 1995-11-15 | Gould Electronics Inc. | Polymer electrolytes having a dendrimer structure |
EP0882755A1 (en) * | 1997-06-02 | 1998-12-09 | Dow Corning Corporation | Radially layered copoly (amidoamineorganosilicon) dendrimers |
US6140525A (en) * | 1997-11-24 | 2000-10-31 | Russian Academy Of Sciences | Hyperbranched polymers and methods for the preparation thereof |
WO2006115788A3 (en) * | 2005-04-20 | 2006-12-21 | Gen Electric | Process for making si-h functional siloxane oligomer |
US7504467B2 (en) * | 2005-04-21 | 2009-03-17 | Wacker Chemie Ag | Process for preparing organopolysiloxanes having triorganosiloxy groups |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP6224990A patent/JPH03263431A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995028966A1 (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-02 | Nycomed Salutar Inc | Dendrimeric compounds |
US5834020A (en) * | 1994-04-20 | 1998-11-10 | Nycomed Salutar, Inc. | Dendrimeric compounds |
EP0682059A1 (en) * | 1994-05-13 | 1995-11-15 | Gould Electronics Inc. | Polymer electrolytes having a dendrimer structure |
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US7504467B2 (en) * | 2005-04-21 | 2009-03-17 | Wacker Chemie Ag | Process for preparing organopolysiloxanes having triorganosiloxy groups |
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