JPH03261153A - 半導体装置用パッケージ - Google Patents
半導体装置用パッケージInfo
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- JPH03261153A JPH03261153A JP2059308A JP5930890A JPH03261153A JP H03261153 A JPH03261153 A JP H03261153A JP 2059308 A JP2059308 A JP 2059308A JP 5930890 A JP5930890 A JP 5930890A JP H03261153 A JPH03261153 A JP H03261153A
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- semiconductor device
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- tape
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置用パッケージの構造に関するも
のである。
のである。
第5図は従来の半導体装置を実装したパッケ−ジの一実
施例を示した断面図である0図において、1は半導体装
置、2はリードフレームのダイスパッド部であり、半導
体装置1をロー材4にて接合している。5は金属細線で
あり、半導体装置1上の電極部とリードフレームのリー
ド部3を電気的に接合している。6は封止用樹脂であり
、上記半導体装置1を保護する役割を果している。
施例を示した断面図である0図において、1は半導体装
置、2はリードフレームのダイスパッド部であり、半導
体装置1をロー材4にて接合している。5は金属細線で
あり、半導体装置1上の電極部とリードフレームのリー
ド部3を電気的に接合している。6は封止用樹脂であり
、上記半導体装置1を保護する役割を果している。
次に、上記半導体装置用パッケージの組立動作について
説明する。まず半導体装置1をリードフレームのダイス
パッド部2にロー材4にて接合する。
説明する。まず半導体装置1をリードフレームのダイス
パッド部2にロー材4にて接合する。
そして、半導体装置lの電極部とリードフレームのリー
ド部3とを金属細線5により電気的に接合する。さらに
、半導体装置1を外部から保護する等の目的で、封止用
樹脂6により封止を行う。なお、上記リードフレームの
ダイスパッド部2.リード部3は鉄・銅系の材料が使わ
れており、一般にパンチング及びエツチングによりパタ
ーンが作成されている。
ド部3とを金属細線5により電気的に接合する。さらに
、半導体装置1を外部から保護する等の目的で、封止用
樹脂6により封止を行う。なお、上記リードフレームの
ダイスパッド部2.リード部3は鉄・銅系の材料が使わ
れており、一般にパンチング及びエツチングによりパタ
ーンが作成されている。
従来の半導体装置用パッケージは上記のような槽底であ
り、リードフレームのリード本数が多くなるに従い、リ
ードフレームを製作しても、リード先端が変形しやすく
、実使用において使用しにくい等の問題点が発生してい
た。
り、リードフレームのリード本数が多くなるに従い、リ
ードフレームを製作しても、リード先端が変形しやすく
、実使用において使用しにくい等の問題点が発生してい
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たものであり、リード本数が多くなっても、リード先端
の位置精度を高く保持することができる半導体装置用パ
ッケージを得ることを目的とする。
たものであり、リード本数が多くなっても、リード先端
の位置精度を高く保持することができる半導体装置用パ
ッケージを得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置用パッケージは、テープ状の
絶縁樹脂の一面に金属膜層の配線パターンを形成させ、
さらに上記テープ状樹脂の一部を半導体装置の一面と接
合させ、半導体装置の電極とテープ状樹脂上の配線パタ
ーンとを金属細線にて接合させるようにしたものである
。
絶縁樹脂の一面に金属膜層の配線パターンを形成させ、
さらに上記テープ状樹脂の一部を半導体装置の一面と接
合させ、半導体装置の電極とテープ状樹脂上の配線パタ
ーンとを金属細線にて接合させるようにしたものである
。
この発明の半導体装置用パッケージによれば、テープ状
絶縁樹脂の一面に金属膜層をパターニングするため、位
置精度の高いリードポストを設けることができ、さらに
上記テープ状絶縁樹脂と半導体装置の一面とを接合する
ことにより、より生産性の高い半導体装置の組立てが可
能となる。
絶縁樹脂の一面に金属膜層をパターニングするため、位
置精度の高いリードポストを設けることができ、さらに
上記テープ状絶縁樹脂と半導体装置の一面とを接合する
ことにより、より生産性の高い半導体装置の組立てが可
能となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による半導体装置用パッケージ
を示す斜視図、第2図は上記半導体装置用パッケージを
封止した状態を示す断面図である6図において、1は半
導体装置、7は電気的絶縁性を有する材料からなるテー
プ状樹脂であり、上記半導体装置1の一面と接着材等で
接合されている。さらに、8はテープ状樹脂7の一面に
パターニングされた金属膜層であり、金属細線5によっ
て半導体装置1上に形成された電極と電気的に接続され
ている。6は半導体装置保護のための封止用樹脂である
。
図はこの発明の一実施例による半導体装置用パッケージ
を示す斜視図、第2図は上記半導体装置用パッケージを
封止した状態を示す断面図である6図において、1は半
導体装置、7は電気的絶縁性を有する材料からなるテー
プ状樹脂であり、上記半導体装置1の一面と接着材等で
接合されている。さらに、8はテープ状樹脂7の一面に
パターニングされた金属膜層であり、金属細線5によっ
て半導体装置1上に形成された電極と電気的に接続され
ている。6は半導体装置保護のための封止用樹脂である
。
次に、本実施例の組立動作について説明する。まず半導
体装11の一生面とテープ状樹脂7とを接着材等により
接合し、更に、金属膜i15により、半導体装置1の電
極部とテープ状樹脂7の一面にバターニングされた金属
膜層8とを電気的に接続する。そして、最後に半導体装
置1の保護の目的で封止用樹脂6等により全体を封止す
る。
体装11の一生面とテープ状樹脂7とを接着材等により
接合し、更に、金属膜i15により、半導体装置1の電
極部とテープ状樹脂7の一面にバターニングされた金属
膜層8とを電気的に接続する。そして、最後に半導体装
置1の保護の目的で封止用樹脂6等により全体を封止す
る。
なお、第2図において、半導体装置1の一面とテープ状
樹脂7との接続は、中心部を一本で接続した構造になっ
ているが、接続部の形状・本数共にこの通りでなくても
同様の効果がある。
樹脂7との接続は、中心部を一本で接続した構造になっ
ているが、接続部の形状・本数共にこの通りでなくても
同様の効果がある。
また、封止用樹脂6より外側にあるテープ状樹脂7及び
金属膜層8は、第3図に示すように一体であっても、第
4図に示すように個々に分離されている状態であっても
良く、さらに外部の部分を曲げ加工して使用しても、曲
げ加工なしで使用しても良い。
金属膜層8は、第3図に示すように一体であっても、第
4図に示すように個々に分離されている状態であっても
良く、さらに外部の部分を曲げ加工して使用しても、曲
げ加工なしで使用しても良い。
また、テープ状樹脂7は例えばポリイミド系の樹脂が望
ましいが、特に電気的に不導体であれば指定はしない0
.tた金属膜層8もメツキを施していてもいなくても良
い。
ましいが、特に電気的に不導体であれば指定はしない0
.tた金属膜層8もメツキを施していてもいなくても良
い。
以上のように、この発明によればテープ状絶縁樹脂の一
面に金属膜層をバターニングするため、位置精度の高い
リードポストを設けることができ、さらに上記テープ状
樹脂と半導体装置の一面とを接合することにより、より
生産性の高い半導体装置の組立てができる効果がある。
面に金属膜層をバターニングするため、位置精度の高い
リードポストを設けることができ、さらに上記テープ状
樹脂と半導体装置の一面とを接合することにより、より
生産性の高い半導体装置の組立てができる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置用パッケ
ージを示す斜視図、第2図は上記半導体装置用パッケー
ジを封止した状態を示す断面図、第3図、第4図は封止
用樹脂外部でのテープ状樹脂の形状を示す斜視図、第5
図は従来の半導体装置用パッケージを示す断面図である
。 図中、1は半導体装置、5は金属細線、6は封止用樹脂
、7はテープ状樹脂、8は金属膜層である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ージを示す斜視図、第2図は上記半導体装置用パッケー
ジを封止した状態を示す断面図、第3図、第4図は封止
用樹脂外部でのテープ状樹脂の形状を示す斜視図、第5
図は従来の半導体装置用パッケージを示す断面図である
。 図中、1は半導体装置、5は金属細線、6は封止用樹脂
、7はテープ状樹脂、8は金属膜層である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体装置と、その上に金属膜層の配線パターンが形
成されたテープ状絶縁板を備え、上記半導体装置の一面
と上記テープ状絶縁板の一部とを接合させ、上記金属膜
層の配線パターンと上記半導体装置の電極とを金属細線
により接続したことを特徴とする半導体装置用パッケー
ジ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2059308A JPH03261153A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2059308A JPH03261153A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 半導体装置用パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03261153A true JPH03261153A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13109617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2059308A Pending JPH03261153A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03261153A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5347429A (en) * | 1990-11-14 | 1994-09-13 | Hitachi, Ltd. | Plastic-molded-type semiconductor device |
US5446313A (en) * | 1992-05-25 | 1995-08-29 | Hitachi, Ltd. | Thin type semiconductor device and module structure using the device |
US5473514A (en) * | 1990-12-20 | 1995-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board |
JPH08330491A (ja) * | 1995-05-27 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP2059308A patent/JPH03261153A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5347429A (en) * | 1990-11-14 | 1994-09-13 | Hitachi, Ltd. | Plastic-molded-type semiconductor device |
US5473514A (en) * | 1990-12-20 | 1995-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board |
US5613295A (en) * | 1990-12-20 | 1997-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board and method for manufacturing same |
US5646830A (en) * | 1990-12-20 | 1997-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board |
US5715147A (en) * | 1990-12-20 | 1998-02-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board |
US5446313A (en) * | 1992-05-25 | 1995-08-29 | Hitachi, Ltd. | Thin type semiconductor device and module structure using the device |
US5723903A (en) * | 1992-05-25 | 1998-03-03 | Hitachi, Ltd. | Thin type semiconductor device, module structure using the device and method of mounting the device on board |
US5895969A (en) * | 1992-05-25 | 1999-04-20 | Hitachi, Ltd. And Hitachi Vlsi Engineering Corp. | Thin type semiconductor device, module structure using the device and method of mounting the device on board |
JPH08330491A (ja) * | 1995-05-27 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
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