JPH03177060A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH03177060A JPH03177060A JP31623189A JP31623189A JPH03177060A JP H03177060 A JPH03177060 A JP H03177060A JP 31623189 A JP31623189 A JP 31623189A JP 31623189 A JP31623189 A JP 31623189A JP H03177060 A JPH03177060 A JP H03177060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- semiconductor element
- lead frame
- protrusion
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体装置のパッケージ、特にトランジス
タのパッケージの半導体装置用リードフレームに関する
ものである。
タのパッケージの半導体装置用リードフレームに関する
ものである。
半導体装置のパッケージの多くは、電気的配線及び半導
体素子の搭載のためのリードフレーム。
体素子の搭載のためのリードフレーム。
電気的配線のためのボンディングワイヤ及び半導体素子
やボンディングワイヤの保護のためのモールド樹脂から
なっている。
やボンディングワイヤの保護のためのモールド樹脂から
なっている。
リードフレームの材料は銅合金または鉄合金が主であり
、プレス打ち抜き加工もしくはエツチング加工を施して
製造され、ボンディングワイヤには直径２５μｍ程度の
金線、モールド樹脂にはエポキシ樹脂が使用されること
が多い。
、プレス打ち抜き加工もしくはエツチング加工を施して
製造され、ボンディングワイヤには直径２５μｍ程度の
金線、モールド樹脂にはエポキシ樹脂が使用されること
が多い。
第４図（ａ）及び（ｂ）は、従来のトランジスタのパッ
ケージの平面図及びＢ−Ｂ線断面図であり、この図はリ
ードフレーム１の表面のモールド樹脂４を取除いた場合
の平面図である。１は３本のリードフレームであり、ボ
ンディングワイヤ３により接続されている。４はモール
ド樹脂であり、３本のリードフレーム１と半導体素子２
がモールド樹脂４内に固定されている。リードフレーム
１において、５はダイパッド、６はインナーリード、７
はアウターリードである。
ケージの平面図及びＢ−Ｂ線断面図であり、この図はリ
ードフレーム１の表面のモールド樹脂４を取除いた場合
の平面図である。１は３本のリードフレームであり、ボ
ンディングワイヤ３により接続されている。４はモール
ド樹脂であり、３本のリードフレーム１と半導体素子２
がモールド樹脂４内に固定されている。リードフレーム
１において、５はダイパッド、６はインナーリード、７
はアウターリードである。
また、３木のリードフレーム１の内、真中の１本はダイ
パッド５を兼ねており、半導体素子２はダイパッド５の
表面に接着剤１３により接着されている。ダイパッド部
５はインナーリード６やアウターリード７の幅より若干
広くなっている。半導体素子２にはベース１４とエミッ
タ１５の２つの電極があり、それぞれ両側のリードフレ
ーム１ヘボンディングワイヤ３により接続され、コレク
タ１６はダイパッド５との接着側にあり、導電性の接着
剤またははんだを介してリードフレーム１へ接続されて
いる。
パッド５を兼ねており、半導体素子２はダイパッド５の
表面に接着剤１３により接着されている。ダイパッド部
５はインナーリード６やアウターリード７の幅より若干
広くなっている。半導体素子２にはベース１４とエミッ
タ１５の２つの電極があり、それぞれ両側のリードフレ
ーム１ヘボンディングワイヤ３により接続され、コレク
タ１６はダイパッド５との接着側にあり、導電性の接着
剤またははんだを介してリードフレーム１へ接続されて
いる。
第５図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は半導体装置の
組立工程図を示す。半導体装置の組立工程は、まずリー
ドフレーム１のダイパッド５に半導体素子２をはんだま
たはエポキシ樹脂等で接着し、半導体素子２のヘース１
４とエミッタ１５の２つの電極とインナーリード６をボ
ンディングワイヤ３で配線し、次にエポキシ樹脂等でモ
ールド４を成形し、最後にアウターリード７をｌ１１１
げて完成している。
組立工程図を示す。半導体装置の組立工程は、まずリー
ドフレーム１のダイパッド５に半導体素子２をはんだま
たはエポキシ樹脂等で接着し、半導体素子２のヘース１
４とエミッタ１５の２つの電極とインナーリード６をボ
ンディングワイヤ３で配線し、次にエポキシ樹脂等でモ
ールド４を成形し、最後にアウターリード７をｌ１１１
げて完成している。
従来の半導体装置、特にトランジスタの場合は、ダイパ
ッド５か１方向たけて支えられている上、アウターリー
ト７とつながっているため、アウターリード７を外側へ
引っ張る力に対して抵抗部の対抗力が小さかった。従っ
て、アウターリード７を曲げる工程において、ダイパッ
ド５か外側に引っ張られ、その応力を半導体素子２が受
けるため、例えば第６図に示すように、半導体素子２に
クラック１２が入るという問題があった。
ッド５か１方向たけて支えられている上、アウターリー
ト７とつながっているため、アウターリード７を外側へ
引っ張る力に対して抵抗部の対抗力が小さかった。従っ
て、アウターリード７を曲げる工程において、ダイパッ
ド５か外側に引っ張られ、その応力を半導体素子２が受
けるため、例えば第６図に示すように、半導体素子２に
クラック１２が入るという問題があった。
この発明は、このような従来の問題点を解決するために
なされたもので、アウターリード曲げ工程において、半
導体素子２にクラックの発生しない、イ３頼性の高い半
導体装置用リードフレームを提供することを目的として
いる。
なされたもので、アウターリード曲げ工程において、半
導体素子２にクラックの発生しない、イ３頼性の高い半
導体装置用リードフレームを提供することを目的として
いる。
（：１ｍを解決するための手段）
この発明は、半導体素子を固着するダイパッド部に補強
固定部を連設し所望のモールド樹脂に固定してなること
を特徴とする半導体装置用リードフレームに係わり、上
記目的を解決しようとするものである。
固定部を連設し所望のモールド樹脂に固定してなること
を特徴とする半導体装置用リードフレームに係わり、上
記目的を解決しようとするものである。
この発明による半導体装置用リードフレームは、半導体
素子を固着するダイパッド部に補強固定部を設けたこと
により、ダイパッドがモールド樹脂によってより完全に
固定される。このようなリードフレームを用いれば、ア
ウターリード曲げ工程においてアウターリート方向へ強
く引っ張られてもダイパッドの位置ずれ及び半導体素子
に対する応力の集中が最小限に抑えられ、半導体素子に
クラックか入る可能性は非常に低くなる。
素子を固着するダイパッド部に補強固定部を設けたこと
により、ダイパッドがモールド樹脂によってより完全に
固定される。このようなリードフレームを用いれば、ア
ウターリード曲げ工程においてアウターリート方向へ強
く引っ張られてもダイパッドの位置ずれ及び半導体素子
に対する応力の集中が最小限に抑えられ、半導体素子に
クラックか入る可能性は非常に低くなる。
第１図は本発明に係わる半導体装置用リードフレームの
１実施例を示す平面図であり、この図はリードフレーム
１の表面のモールド樹脂４を取除いた場合の平面図であ
る。８は補強固定部に相当する突起であり、この突起８
は、ダイパッド部５のモールド樹脂４内の先端部に連設
している。そして、突起８はダイパッド部５と同一厚さ
を有し、グイバット部５の横方向の幅より長い横幅Ｌ１
の長方形状ａを備え、この長方形状ａの横幅Ｌ１より短
い幅２の接続部９によりダイパッド部５と接続している
。
１実施例を示す平面図であり、この図はリードフレーム
１の表面のモールド樹脂４を取除いた場合の平面図であ
る。８は補強固定部に相当する突起であり、この突起８
は、ダイパッド部５のモールド樹脂４内の先端部に連設
している。そして、突起８はダイパッド部５と同一厚さ
を有し、グイバット部５の横方向の幅より長い横幅Ｌ１
の長方形状ａを備え、この長方形状ａの横幅Ｌ１より短
い幅２の接続部９によりダイパッド部５と接続している
。
なお、上述の突起以外の他の構成は従来のパッケージと
同一であり、従来例と同一または相当する構成には同一
符号を付してその説明を省く。
同一であり、従来例と同一または相当する構成には同一
符号を付してその説明を省く。
上述の構成になるので、半導体装置のアウタ−リー１７
を曲げる工程においてダイパッド５は外側へ引っ張られ
る応力を受けるが、本実施例による半導体装置では、ダ
イパッド５に突起８を設けたため、ダイパッド５が応力
を受けても突起８が十分対抗してモールド樹脂４で食い
止められるので、応力が半導体素子２に集中することは
なくなり半導体素子２にクラックの入る可能性が著しく
低下している。
を曲げる工程においてダイパッド５は外側へ引っ張られ
る応力を受けるが、本実施例による半導体装置では、ダ
イパッド５に突起８を設けたため、ダイパッド５が応力
を受けても突起８が十分対抗してモールド樹脂４で食い
止められるので、応力が半導体素子２に集中することは
なくなり半導体素子２にクラックの入る可能性が著しく
低下している。
第２図は本発明の他の実施例を示す平面図であり、ダイ
パッド５とインナーリード６との間に補強固定部に相当
する突起１０を設けている。突起１０は、ダイパッド部
５と同一厚さを有し、ダイパッド部５の横方向の幅より
長い幅Ｌ２で両側に突き出した長方形状すであり、ダイ
パッド部５に連設している。その働きは第１図の実施例
と全く同様である。
パッド５とインナーリード６との間に補強固定部に相当
する突起１０を設けている。突起１０は、ダイパッド部
５と同一厚さを有し、ダイパッド部５の横方向の幅より
長い幅Ｌ２で両側に突き出した長方形状すであり、ダイ
パッド部５に連設している。その働きは第１図の実施例
と全く同様である。
第３図も本発明の他の実施例を示す平面図であり、補強
固定部に相当するアンカーホール１１をダイパッド５の
先端部及びダイパッド５とインナーリード６との間に設
けている。アンカーホール１１の長さはダイパッド５の
厚さと同一であり、ダイパッド５の横方向の幅より短い
直径を有し、ダイパッド５内に設けられている。
固定部に相当するアンカーホール１１をダイパッド５の
先端部及びダイパッド５とインナーリード６との間に設
けている。アンカーホール１１の長さはダイパッド５の
厚さと同一であり、ダイパッド５の横方向の幅より短い
直径を有し、ダイパッド５内に設けられている。
上述の構成になるのでアンカーホール１１はその中に充
填されたモールド樹脂４て食い止められ、ダイパッド５
が動いて半導体素子２に応力が集中して半導体素子２に
クラックが入るといった不都合を著しく減少させること
ができた。
填されたモールド樹脂４て食い止められ、ダイパッド５
が動いて半導体素子２に応力が集中して半導体素子２に
クラックが入るといった不都合を著しく減少させること
ができた。
なお、突起８，１０の形状及び大きさは第１図及び第２
図の実施例に限ったものではなく、ダイパッド５かアウ
ターリート７方向へ動くのを姑げるような形状であれば
良い。また、アンカーホール１１の形状、大きさ及び個
数も、箪３図の実施例に限ったものではなく、突起８．
１０と同様の働きをするものであれば良い。
図の実施例に限ったものではなく、ダイパッド５かアウ
ターリート７方向へ動くのを姑げるような形状であれば
良い。また、アンカーホール１１の形状、大きさ及び個
数も、箪３図の実施例に限ったものではなく、突起８．
１０と同様の働きをするものであれば良い。
以上説明したように、この発明によれば、半導体装置用
リードフレームの半導体素子を固着するダイパッド部に
補強固定部を設けたことにより、アウターリード曲げ工
程において半導体素子にクラックが入らないという効果
がある。
リードフレームの半導体素子を固着するダイパッド部に
補強固定部を設けたことにより、アウターリード曲げ工
程において半導体素子にクラックが入らないという効果
がある。
第１図は本発明による半導体装置用リードフレームの１
実施例を示すモールド樹脂を取除いた場合の平面図、第
２図及び第３図は本発明の他の異なる２つの実施例を示
すモールド樹脂を取除いた場合の平面図、第４図（ａ）
及び（ｂ）は従来のトランジスタのパッケージのリード
フレームを示す平面図及びＢ−Ｂ線断面図、第５図（ａ
）。 （ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）は従来の半導体装置の組立工程
図、第６図はアウターリード曲げ工程における半導体素
子のクラック発生を示す断面図である。 １はリードフレーム、２は半導体素子、３はボンディン
グワイヤ、４はモールド樹脂、５はダイパッド、６はイ
ンナーリード、７はアウターリート、８及び！０は突起
、９は接続部、１１はアンカーホール、１４はベース、
１５はエミッタである。なお、Ｌｌ及びＬ２は突起の横
幅、児は接続部の横幅、ａ及びｂは突起の長方形状であ
る。 なお。 各図中間 符号は同 または相当部分を 示す。
実施例を示すモールド樹脂を取除いた場合の平面図、第
２図及び第３図は本発明の他の異なる２つの実施例を示
すモールド樹脂を取除いた場合の平面図、第４図（ａ）
及び（ｂ）は従来のトランジスタのパッケージのリード
フレームを示す平面図及びＢ−Ｂ線断面図、第５図（ａ
）。 （ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）は従来の半導体装置の組立工程
図、第６図はアウターリード曲げ工程における半導体素
子のクラック発生を示す断面図である。 １はリードフレーム、２は半導体素子、３はボンディン
グワイヤ、４はモールド樹脂、５はダイパッド、６はイ
ンナーリード、７はアウターリート、８及び！０は突起
、９は接続部、１１はアンカーホール、１４はベース、
１５はエミッタである。なお、Ｌｌ及びＬ２は突起の横
幅、児は接続部の横幅、ａ及びｂは突起の長方形状であ
る。 なお。 各図中間 符号は同 または相当部分を 示す。
Claims (1)
- 半導体素子を固着するダイパッド部に補強固定部を連
設し所望のモールド樹脂に固定してなることを特徴とす
る半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31623189A JPH03177060A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31623189A JPH03177060A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177060A true JPH03177060A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=18074772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31623189A Pending JPH03177060A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03177060A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7361533B1 (en) | 2002-11-08 | 2008-04-22 | Amkor Technology, Inc. | Stacked embedded leadframe |
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| US8154111B2 (en) | 1999-12-16 | 2012-04-10 | Amkor Technology, Inc. | Near chip size semiconductor package |
| US8866278B1 (en) | 2011-10-10 | 2014-10-21 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O configuration |
| US8900995B1 (en) | 2010-10-05 | 2014-12-02 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8937381B1 (en) | 2009-12-03 | 2015-01-20 | Amkor Technology, Inc. | Thin stackable package and method |
| US8981572B1 (en) | 2011-11-29 | 2015-03-17 | Amkor Technology, Inc. | Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device |
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| US9324614B1 (en) | 2010-04-06 | 2016-04-26 | Amkor Technology, Inc. | Through via nub reveal method and structure |
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| US9704725B1 (en) | 2012-03-06 | 2017-07-11 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP31623189A patent/JPH03177060A/ja active Pending
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