JPH03185744A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPH03185744A JPH03185744A JP1325695A JP32569589A JPH03185744A JP H03185744 A JPH03185744 A JP H03185744A JP 1325695 A JP1325695 A JP 1325695A JP 32569589 A JP32569589 A JP 32569589A JP H03185744 A JPH03185744 A JP H03185744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measured
- semiconductor elements
- defect
- contact
- fuse terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体試験装置により試験を行う半導体素子
に関する。
に関する。
この発明は数回に分けて試験することにより、測定時間
短縮のため多数個同時測定を行う半導体素子において、
試験により不良と判定されたにもかかわらず、バンドマ
ークがつけられない場合でも内蔵されたヒユーズ端子の
ヒユーズを切断することにより、不良であることを識別
し多数個同時測定を可能としたものである。
短縮のため多数個同時測定を行う半導体素子において、
試験により不良と判定されたにもかかわらず、バンドマ
ークがつけられない場合でも内蔵されたヒユーズ端子の
ヒユーズを切断することにより、不良であることを識別
し多数個同時測定を可能としたものである。
従来、ウェハで半導体素子の測定時間短縮の目的による
多数個同時測定において半導体試験装置からの不良信号
数に合わせて同時測定数を決定する方法で行われていた
。
多数個同時測定において半導体試験装置からの不良信号
数に合わせて同時測定数を決定する方法で行われていた
。
しかし、従来の技術においては、半導体素子を試験する
にあたり、半導体素子が不良である場合試験装置からの
不良信号をブローバが受は取り、半導体素子にパッドマ
ークをつけることで、前記半導体素子を破壊し不良品と
していた。しかし、試験装置からの不良信号数に制限が
あり、多数個同時測定を行おうとすると、バンドマーク
がつけられないものがでて多数個同時測定数を制限する
という欠点があった。
にあたり、半導体素子が不良である場合試験装置からの
不良信号をブローバが受は取り、半導体素子にパッドマ
ークをつけることで、前記半導体素子を破壊し不良品と
していた。しかし、試験装置からの不良信号数に制限が
あり、多数個同時測定を行おうとすると、バンドマーク
がつけられないものがでて多数個同時測定数を制限する
という欠点があった。
上記問題点を解決するために、この発明は半導体素子に
ヒユーズ端子を設けた溝底とし、バッドマークを付けら
れない制約がある場合の多数個同時測定の合否の判定を
可能としたものである。
ヒユーズ端子を設けた溝底とし、バッドマークを付けら
れない制約がある場合の多数個同時測定の合否の判定を
可能としたものである。
上記のように構成された半導体素子を多数個同時測定し
たとき、試験により不良であった場合、このヒユーズ端
子のヒユーズを切断することで、不良であることを識別
し、多数個同時測定を容易に行えることが出来るのであ
る。
たとき、試験により不良であった場合、このヒユーズ端
子のヒユーズを切断することで、不良であることを識別
し、多数個同時測定を容易に行えることが出来るのであ
る。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図において一つの半導体素子の中で、ヒユーズ端子
1.1は本機能動作回路lと電源で接続されている。ま
ず半導体試験装置により多数個同時測定するにあたり、
各バンド2〜10にプローブカードの針を接触させる。
1.1は本機能動作回路lと電源で接続されている。ま
ず半導体試験装置により多数個同時測定するにあたり、
各バンド2〜10にプローブカードの針を接触させる。
各バッドに付いているダイオード12に順方向に電流を
流し、その時の電圧を測定する。その測定値から正常に
プローブカードの針が各バッドに接触されているかを読
み取り判定する。これと同しことを半導体素子、多数個
で実施する。正常に接触されていれば電気的機能的試験
を行い、合否判定をする。合否判定により不良である場
合にはヒユーズ端子に電圧もしくは電流を印加し、ヒユ
ーズ13を切断する。切断することにより、プローブカ
ードの針が接触しても電気的につながらないことになる
。その結果、次工程で試験した時にこの半導体素子につ
いては接触不良と判定され、それ以降電気的1機能的試
験は行われない。このようにして半導体素子のヒユーズ
の状態により、バッドマークをつけられない時の多数個
同時測定を可能にしているのである。
流し、その時の電圧を測定する。その測定値から正常に
プローブカードの針が各バッドに接触されているかを読
み取り判定する。これと同しことを半導体素子、多数個
で実施する。正常に接触されていれば電気的機能的試験
を行い、合否判定をする。合否判定により不良である場
合にはヒユーズ端子に電圧もしくは電流を印加し、ヒユ
ーズ13を切断する。切断することにより、プローブカ
ードの針が接触しても電気的につながらないことになる
。その結果、次工程で試験した時にこの半導体素子につ
いては接触不良と判定され、それ以降電気的1機能的試
験は行われない。このようにして半導体素子のヒユーズ
の状態により、バッドマークをつけられない時の多数個
同時測定を可能にしているのである。
この発明は以上説明したように半導体素子にヒユーズ端
子を内蔵したことにより多数個同時測定時の不良判定を
容易にする効果がある。
子を内蔵したことにより多数個同時測定時の不良判定を
容易にする効果がある。
第1図はこの発明の実施例である半導体素子である。
本機能動作回路
2〜10・・・バッド
11・・・ヒユーズ端子
12・・・ダイオード
13・・・ヒユーズ
Claims (1)
- 半導体試験装置によって多数個同時に半導体素子の電
気的、機能的試験がなされるウェハ上に設けられた半導
体素子において、半導体素子にヒューズ端子を付けたこ
とを特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1325695A JPH03185744A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1325695A JPH03185744A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03185744A true JPH03185744A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18179682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1325695A Pending JPH03185744A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03185744A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997024763A1 (en) * | 1995-12-29 | 1997-07-10 | Intel Corporation | An integrated circuit package with internally readable permanent identification of device characteristics |
US5686759A (en) * | 1995-09-29 | 1997-11-11 | Intel Corporation | Integrated circuit package with permanent identification of device characteristics and method for adding the same |
CN102683326A (zh) * | 2011-03-16 | 2012-09-19 | 三星Led株式会社 | 半导体发光二极管芯片、其制造方法及其质量控制方法 |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1325695A patent/JPH03185744A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5670825A (en) * | 1995-09-29 | 1997-09-23 | Intel Corporation | Integrated circuit package with internally readable permanent identification of device characteristics |
US5686759A (en) * | 1995-09-29 | 1997-11-11 | Intel Corporation | Integrated circuit package with permanent identification of device characteristics and method for adding the same |
WO1997024763A1 (en) * | 1995-12-29 | 1997-07-10 | Intel Corporation | An integrated circuit package with internally readable permanent identification of device characteristics |
CN102683326A (zh) * | 2011-03-16 | 2012-09-19 | 三星Led株式会社 | 半导体发光二极管芯片、其制造方法及其质量控制方法 |
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