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JPH03108315A - ウエハ周辺露光方法 - Google Patents

ウエハ周辺露光方法

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Publication number
JPH03108315A
JPH03108315A JP24349289A JP24349289A JPH03108315A JP H03108315 A JPH03108315 A JP H03108315A JP 24349289 A JP24349289 A JP 24349289A JP 24349289 A JP24349289 A JP 24349289A JP H03108315 A JPH03108315 A JP H03108315A
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JP
Japan
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wafer
periphery
exposure
angle
rotation
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JP24349289A
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English (en)
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JP2544665B2 (ja
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Shinetsu Miura
三浦 真悦
Kazumoto Tochihara
栃原 一元
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Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、IC,LSI、その他のエレクトロニクス
素子に用いられる半導体ウェハに葛いて、そのウェハ周
辺部の所定箇所を選択的に露光するウェハ周辺露光方法
に関するものである。
[従来の技術] ICやLSI等の製造工程においては、微細パターンを
形成するにあたって、シリコンウェハ等の表面にレジス
トを塗布し、さらに露光、現像を行いレジストパターン
を形成することが行われる0次に、このレジストパター
ンをマスクにしてイオン注入、エツチング、リフトオフ
等の加工が行われる。
通常、レジストの塗布はスピン;−ト法によって行われ
る。スピンコード法はウェハ表面の中心位置にレジスト
を注ぎながらクエへを回転させ。
遠心力によってウェハの全表面にレジストを塗布するも
のである。
しかし、加工に利用されるのはウェハ表面全域ではない
、即ち、レジストの塗布されたウェハはいろいろな処理
工程及びいろいろな方式て搬送や保管され、周辺部の全
周もしくはその一部を保持に利用するのて、あまり周辺
部までは利用できない、また一般に周辺部では1回路パ
ターンが歪んで描かれたり、歩留りが悪かったりする。
ところで、レジストがポジ型レジストの場合、パターン
形成のための露光工程を経ても、このパターン形成に利
用しない周辺部のレジストは残留し、ウェハ周辺部を機
械的につかんで保持したり、ウェハ周辺部がウェハカセ
ット等の収納器の壁にこすれたりして「ゴミ」の発生源
となる。このようにポジ型レジストの場合ウェハ周辺部
に残留した不要レジストが「ゴミ」となって歩留まりを
低下させることは、特に集積回路の高機能化、微細化が
進みつつある現在、深刻な問題となっている。
そこで、このような現像後も残留したウェハ周辺部の不
要レジストを除去するため、パターン形成のための露光
工程とは別にウェハ周辺部の不要レジストを現像工程で
除去するために別途露光することが行われている。
第9図(イ)、(ロ)、(ハ)は、このような不要レジ
スト除去のための従来のウェハ周辺露光方法の概略説明
図である。
搬送系(不図示)により回転ステージ2の上にウェハl
を設置し、回転ステージ2を回転させ、センサ72によ
りウェハlのオリエンテーションフラットIfを検出し
、このオリエンテーションフラットifが概略所定の位
置にきた時1回転をとめ、次にオリエンテーションフラ
ットあて板74a及びピン74b、74c、74dによ
りセンタリングとオリエンテーションフラットIfの位
置出しを行う。
上記の位置出し後、ウェハlを回転させながらライトガ
イドファイバの出射端75より光照射し、円周部を露光
する。この回転運動(矢印76a)による露光では、第
9図(ハ)の如く露光されるため、オリエンテーション
フラット1fに沿った部分は完全に露光されず、さらに
オリエンテーションフラットIfを所定の位置でとめ、
オリエンテーションフラットIfに平行して出射端75
を動かしく矢印76b)、露光することが必要である。
[発明が解決しようとする課題] 上記の従来のウェハ周辺露光方法は、ウェハのエツジか
ら一定幅を周状に露光していくものである。しかし、ウ
ェハの利用効率を考慮すると、歩留り低下を招かない範
囲で、できるだけ周辺部ぎりぎりまで利用したい、もし
くは保持用の爪が接触する数箇所のみの保持で、その他
のウェハ部分の全域を利用したい等の要請もある。
従って、ウェハ周辺部のうち、保持用の爪が接触する箇
所のみを選択的に露光する技術が必要になってくる。
ここで、上記ウェハ保持用の爪が接触する箇所として指
定されるウェハ周辺部の所定箇所を選択するのは、技術
的にはかなり困難である。
即ち、上記のウェハ周辺部の所定箇所の露光をウェハを
回転させながら行う場合、ウェハが一定の角度の回転を
した時に、ライトガイドファイバの出射端を照射位置に
持ってくるとか、シャッタを開閉制御する等の方法が考
えられる。この方法における「一定の角度」とは、何ら
かの特異点を基準にして、ウェハの利用設計上、予め定
められる角度によって決めることになる。この場合、ウ
ェハの回転中心と円周の中心とが一致していることが前
提になるので、回転中心と円周の中心とを一致させる動
作が必要になる。
従って、このウェハ周辺部の所定箇所の選択的な露光は
、ウェハのセンタリング動作が必要なため、かなり煩雑
な動作2機構を含み、処理時間が長くなってしまうとい
う問題がある。また、機械的なセンタリング動作では精
度上限界があり、露光位置の精度を上げることができな
い。
この発明は、上記の課題を解決するためになされたもの
で、ウェハのセンタリング動作、a構が不要で、露光位
置の精度の高いウェハ周辺部の所定箇所の選択的露光方
法の提供を目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、この発明のウェハ周辺露
光方法は、回転ステージによりウェハを回転させながら
、回転ステージの回転角を検出し、回転角が露光角02
になった時に、露光光源部等に配置されるシャッタの開
閉を制御して、ウェハ周辺部の所定箇所を露光するウェ
ハ周辺露光方法であって、回転するウェハの周縁を周縁
検出用センサで検出すると共に1周縁検出用センサが常
に周縁を検出するように周縁検出用センサな一体に回転
軸に向けて直線移動させて位置制御用し、この位置制御
が行われている周縁検出用センサの位置の情報により、
ウェハの周縁の特異点を検出し、この特異点を基準とし
て回転中心とウェハ円周の中心のズレ量を算出し、算出
されたズレ量によって求まる補正角αと、予め定められ
た指定角φとによって、前記露光角θアを決定して露光
するものである。
[作用] 上記の方法を行うことにより、ウェハの中心と回転中心
とかズしていても、ウェハ周辺部の所定箇所の露光を正
確に行うことができる。
[実施例] 次に、本発明の詳細な説明する。
以下に、本発明の実施例のウェハ周辺露光方法の各ステ
ップを概略的に説明する。
ステップ■・・・・・・ウェハを一回転(360度)回
転させながら、周縁検出用セン サをウェハの周縁に追従して 位置制御させて、周縁を検出 する。
ステップ■・・・・・・位置制御が行われている周縁検
出用センサの位置の情報か ら、ウェハの周縁の特異点を 算出する。
ステップm・・・・・・特異点を基準として回転中心と
円周の中心のズレ量を算出 し、算出された回転中心と円 周の中心のズレ量から補正角 αを算出し、補正角αと予め 入力された指定角φとによっ て露光角θEを決定する。
ステップ■・・・・・・再度ウェハを回転させて、決定
された露光角θEに従いシ ャッタを制御し、ウェハ周辺 部の所定箇所の選択的露光を 行う。
第1図は、本発明の実施例のウェハ周辺露光方法を実施
するための装置の概略説明図である。第1図中、lはウ
ェハ、tpはウェハ周辺部、leはウェハの周縁、2は
回転ステージ、3はメインコントローラ、4はステージ
駆動機構、5は回転角読み取り機構、6は周縁検出用セ
ンサとしての透過型のフォトセンサ、7は位置制御機構
、8は位置制御機構駆動回路、9は周縁検出用センサの
位置検出手段、lOはサブコントローラ、11は記憶手
段、12は演算手段、13はシャッタ駆動機構、14は
ライトガイドファイバ、15は出射部、Eは露光光源部
を示す。
まず、ステップ■について説明する。
第2図は、第1図の装置におけるフォトセンサ6の位置
制御の説明図である。第1図において、フォトセンサ6
は常に回転するウェハの周縁1eを検出するように制御
される。即ち、第2図に示すように1発光器61からの
光を受けた受光器62の光電流は増幅器81て増幅され
、比較器82で比較される。比較器82の基準電圧は、
第2図に示す光軸Hが周縁1eに接するようフォトセン
サ6を配置した際発生する光電流の値として予め設定さ
れる。比較器82の出力信号は位置制御機構7に送られ
、位置制御機構7は、この比較器82からの信号により
、発光器61及び受光器62を一体に保持するフォトセ
ンサ6を回転中心OTに向けて直線移動させ、常にウェ
ハの周縁leを検出するように制御する。この位置制御
機構7としては、具体的にはサーボモータが用いられる
位置制御機構7による位置制御を行っているときのフォ
トセンサ6の位置の情報は、位置検出手段9によって検
出される。この位置検出手段9としては、例えば上記位
affJ御機構7として用いられたサーボモータのパル
スをカウントするパルスカウンタなどが用いられる0例
えば、サーボモータの1パルスのフォトセンサ6の移動
距離は予めわかるので、位置制御開始前の所定の退避位
置を基準点として、ある回転角度の時にパルスカウンタ
が何パJレスカウントしたかによって、フォトセンサ6
の位置を検出することができる。
位置検出手段9により検出されたフォトセンサ6の位置
の情報及び回転角読み取り機構5により読取られたウェ
ハlの回転角は、逐次記憶手段11に送られ記憶される
。このようにして、ウェハlを一回転(360度)回転
させ、各々の回転角でフォトセンサ6がどの位置にあっ
たかのデータが記憶手段11に蓄積される。記憶手段1
1としては、icメモリが用いられる。
次に、ステップ■につぃて説明する。
第3図中、lはウェハ、ocはウェハの円周の中心、1
fはオリエンテーションフラット、o2は特異点の一例
としてのオリエンテーションフラットの原点を示す。
特異点は、指定角の指定や露光角の決定等に必要な基準
点である。従来より、ウェハlには結晶構造の方向性を
示すオリエンテーションフラットifが設けられており
、本実施例ではこのオリエンテーションフラットifを
検出して基準点とする。但し、オリエンテーションフラ
ットifは長さABを有するので、特異点としては、回
転中心0丁とオリエンテーションフラットIfに弓1い
た垂線とオリエンテーションフラットIfとの交点0、
を選び、点02をオリエンテーションフラットの原点即
ち特異点とする。この他、周縁に小さな切欠き等を設け
てアライメント等に利用するようなウェハも最近では使
用さており、この場合にはこの切欠きを特異点としても
良い、要は何らかの基準となる点が判れば良い。
第4図は、位置検出手段に記憶されたフォトセンサの位
置と回転角との関係の説明図であり、そのうち同図(イ
)が実測値、同図(ロ)が微分値で示したものである。
位置検出手段から送られたフォトセンサの位置の情報は
1位置制御機構として用いられたサーボモータのパルス
数である。このパルス数nがフォトセンサの位置の情報
の実測値であり、これを第4図(イ)の縦軸とする。ま
た、パルス数nを回転角度θで微分したd n / d
θはフォトセンサの変位量に相当し、この変位量d n
 / dθを第4図(ロ)の縦軸とする。また、第4図
の横軸は回転角θである。尚、回転角θは第1図の回転
角読み取り機構5からのデータを使用せずに、回転ステ
ージ2の回転の角速度(ω)のデータを予め記憶手段1
1に入力しておき、0=ωt、dθ=ωdtの演算を演
算手段12により行って求めるようにしても良い。
ウェハの回転が始まり、周縁の位置変化に追従してフォ
トセンサが移動すると、第4図(ロ)に点線で示すよう
に、d n / dθの値が変化する。
ここで、d n / dθが大きく+側、−側に変化し
ている領域Fは、フォトセンサがオリエンテーションフ
ラットの部分を検出している角度範囲であると考えられ
る。さらに、該領域F内てdn/dθ=0となっている
θ。は、オリエンテーションフラットの検出時にフォト
センサの変位量がOであるから、フォトセンサ6が最も
回転中心07側に寄っている状態を示す、この状態は、
第3図に示すように、フォトセンサ6の光軸Hが原点O
2でウェハの周縁に接した状態であり、前記0゜を求め
ることにより、原点OFの位置を知ることが可能となる
。従って、第1図の演算子段12では、領域F内でd 
n / d O= Oとなっている回転角θ。を求める
演算を行う。
次に、ステップ■について説明する。
第5図及び第6図はフォトセンサの位置の情報から回転
中心と円周の中心のズレ量を求める演算の説明図である
第5図に示すように1回転中心OTからオリエンテーシ
ョンフラットの原点02に引いた線分を基準に、θ、、
θE.θ3.θ4.θ5.θ6の角度回転したときのウ
ェハの周縁上の点を、それぞれ第5図に示すようにA、
C,B、A’、C’、B’ とする。
具体的には、 OI・・・・・・45@ 02・・・・・・90゜ θ3・・・・・・135’ θ4・・・・・・zzs” 05・・・・・・270@ 06・・拳争・・315’ とする。θ4 = Or ”+80” 、θS;θE÷
180”θ6=03÷180″かつθ、=00+90°
、03;0、+90″になっていれば、θ1.θ3.θ
1.θ6の角度は上記の角度に限られない。但し、点A
、B’がオリエンテーションフラット上にならないよう
にする必要がある。
第5図及び第6図において、いま、例えば回転中心0丁
を通り、円周の中心OCを通る線分BB’に対し直交す
る線分AA’を考える。フすトセンサかAの地点を検出
した時のフォトセンサの位置の情報としてのパルス数を
n(θl)、 A’の地点の検出した時のフォトセンサ
の位置の情報なn(θ4)とすると。
n (θ4)  n  (0+)= AOr −A’ 
 Or交点Pは線分AAI’の中点だから、 AP=A’ P=見 とすると、ズレ量OTPは、 OT P=AOT−交 0アP=交−A’ Or 故に、 Or P =54 ” AOT −A’  Or=郊・
 (n(θυ−n((’J) となる。
従って、点A、A’での7オトセンサの移動量n(Ot
)、 n (θ4)を知ることによって、OtPの距離
を求めることができる。また、n(θ4)−n(Ot)
の符号を調べることにより、ズレの向きも知ることがで
きるa n (θ、)、 n (θ4)の値は、第4図
(イ)に図示したように第1図の記憶手段11に記憶さ
れたデータ中にあるから、上記θ1.θ4を指定してサ
ンプリングし、上記演算を演算手段12により行えば良
い。
同様にして、第6図に示す。TQの距離及び方向がn(
θ3)、 n (θ6)のデータより、OARの距離及
び方向がn(θ、)、 n (θ5)のデータより求め
られる。
第7図は、補正角αの説明図である。lpDはウェハ周
辺部の所定箇所、φは指定角、αは補正角を示す。
第1図に示す回転角読み取り機構5が読み取り可能な角
度は、回転ステージ2の回転角即ち回転中心Oアを基準
とした回転角度である。従ワて、後述のステップ■での
露光のためには、回転中心OTと何らかの周縁の特異点
とを結ぶ線分を基準として露光角θEを指定する必要か
ある。
そこで第7図に示すように、まず指定角φを、特異点と
してのオリエンテーションフラットの原点OFと回転中
心Oアとを結ぶ線分を基準に、予め指定する。この指定
角φは、後の処理工程でのウェハ保持具が保持されるウ
ェハ周辺部の箇所の位置に従い指定され、第1図に示す
ように、予めメインコントローラに入力される。従って
、露光角θEを指定角φと補正角αとで表すと、02 
=φ+α となる。
補正角αは、ステップ■でのデータから以下に示す演算
により求められる。
第8図は、補正角αを求める演算を説明するための図で
ある。第6図中のO,P=a、O丁Q=b、0アR=c
とする。
第8図において、 β= tan−’(c / V ) y=「iη1τイPより 、°、β=jan−’(c/  a  +b  −c 
 )   ・・・・・(1)また、 x cosa −a cos(180°−(β+φ))
=r+”+ x cosa + d cos(β+φ)
 = r   ””(2)d 5in(180°−(β
+φ))=x sinαdsin(β+φ)=xsin
α :、 x = d 5in(β+φ) /sin a 
   ・・・・・(3)(3)を(2)に代入して、 (dsin(β+φ)/sin αトcosa+ d 
cos(β+φ)=「 (dsin(β+φ)/lan α)+dcos(β+
φ)=rLanα−5in(β+φ)バ(r / d 
)−cos(β+φ))八α= tan−’(sin(β+φ)/((r / d )−
cos(β+φ)))・・・・・(4) 従って、第1図のメインコントローラ3に内蔵された演
算手段では、サブコントローラ10から上記a、b、c
のデータをもらって、式(1)の演算を行ってから、式
(4)の演算を行い、補正角αを算出することになる。
そして、入力されたφと算出されたαより02=φ+α
を計算して、露光角02を得る。
次に、ステップ■について説明する。
第1図において、露光光源部Eは、ショートアーク型の
水銀ランプ等の光源ランプEl、光源ランプElからの
光をライトガイドファイバ14に集光、入射せしめる楕
円集光鏡E2及び平面鏡E3.シャッタE4等からなる
。露光光源部Eからの光はライトガイドファイバ14に
より導かれ、内部に投影レンズを有する出射部15によ
りウェハ周辺部の所定箇所に投影露光される。出射部1
5は後述の露光角θ6を有する周縁le上の点を含む所
定の部分を露光するようフォトセンサ6に取り付けられ
ている。
第1図において、回転ステージ2が再度回転を始めると
共に5回転角読み取り機構5により回転角が読み取られ
、回転角のモニタ信号はメインコントローラ3に送られ
る。メインコントローラ3が、回転角が露光角θEにな
ったとの信号を受は取ると、シャッタ駆動機構13にシ
ャッタ駆動信号を送り、所定時間シャッタE4が開いて
、ウェハ周辺部の所定箇所の露光が行われる。尚、回転
初期に出射部15のある位置が基準点であるオリエンテ
ーションフラットの原点02を露光する位置にあるとは
限らない、そこて、ステップ■での1回転(360度)
の終了時に、原点02がどの位置にあったかは、ステッ
プHにおける特異点の算出により判るので、具体的には
露光角θEに前記θ0を加え、回転角がθ。十〇、にな
った時に、シャッタE4を駆動するようにする。
また、シャツタ開時間は、露光すべきウェハ周辺部の所
定箇所の周方向の長さに従い、予め決定され、メインコ
ントローラ3に入力される。
尚、周縁1eから一定幅の周状の露光が必要な場合は、
ステップ■での回転の時にシャッタE4を開き、ウェハ
lの周縁1eに追従して露光するようにしても良い。
また1本実施例では、周縁検出用センサとして透過型の
フォトセンサ6を用いたが、これに限られず、反射型の
フォトセンサや磁気センサ等の各種のセンサの使用が可
能である。
[発明の効果] 以上説明したとおり、この発明によれば、ウェハの円周
の中心と回転の中心のズレ量を周縁検出用センサの移動
量から演算して求め、補正角αを加味して露光するので
、ウェハのセンタリングの機構、動作が不要で、かつ露
光位置の精度の高いウェハ周辺露光方法となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例のウェハ周辺露光方法を実施
するための装置の概略説明図である。 第2図は、第1図の装置におけるフォトセンサの位置制
御の説明図である。 第3図は、本発明の実施例における特異点を説明するた
めの図である。 第4図は1位置検出手段に記憶されたフォトセンサの位
置情報と回転角との関係の説明図であり、そのうち同図
(イ)が実測値、同図(ロ)が微分値で示したものであ
る。 第5図及び第6図は、フォトセンサの位置情報のデータ
から回転中心と円周の中心のズレ量を求める演算の説明
図である。 第7図は、補正角αの説明図である。 第8図は、補正角αを求める演算を説明するための図で
ある。 第9図(イ)、(ロ)、(ハ)は、従来のウェハ周辺露
光方法の概略説明図である。 図中。 l二手導体ウェハ 2、回転ステーシ メインコントローラ 回転角読み取り機構 周縁検出用センサとしてのフ才 位置制御機構 位置検出手段 サブコンドローラ ドセンサ E:露光光源部 E4:シャッタ lpD:ウニへ周辺部の所定箇所 le:周縁 Oc:円周の中心 Or:特異点としてのオリエンテーションフラットの原
点 OT=回転中心

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 回転ステージによりウェハを回転させながら、回転ステ
    ージの回転角を検出し、回転角が露光角θ_Eになった
    時に、露光光源部等に配置されるシャッタの開閉を制御
    して、ウェハ周辺部の所定箇所を露光するウェハ周辺露
    光方法であって、回転するウェハの周縁を周縁検出用セ
    ンサで検出すると共に、周縁検出用センサが常に周縁を
    検出するように周縁検出用センサを一体に回転軸に向け
    て直線移動させて位置制御し、 この位置制御が行われている周縁検出用センサの位置の
    情報により、ウェハの周縁の特異点を検出し、 この特異点を基準として回転中心とウェハの円周の中心
    のズレ量を算出し、 算出されたズレ量によって求まる補正角αと、予め定め
    られた指定角φとによって、前記露光角θ_Eを決定し
    て露光する ことを特徴とするウェハ周辺露光方法。
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