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JPH0258874A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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Publication number
JPH0258874A
JPH0258874A JP63211219A JP21121988A JPH0258874A JP H0258874 A JPH0258874 A JP H0258874A JP 63211219 A JP63211219 A JP 63211219A JP 21121988 A JP21121988 A JP 21121988A JP H0258874 A JPH0258874 A JP H0258874A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
titanium
film
integrated circuit
semiconductor integrated
circuit device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63211219A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Yamazaki
孝二 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63211219A priority Critical patent/JPH0258874A/ja
Priority to US07/397,015 priority patent/US5012320A/en
Publication of JPH0258874A publication Critical patent/JPH0258874A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置に関し、特に高速動作を可
能ならしめ、かつ高い信頼性を有する半導体集積回路装
置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体集積回路装置においては、ｒｌＥ
３Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ　ｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　
ＤｅｖｉｃｅｓＪ１４１〜１４９ベージＶｏｌ　　ＥＤ
−３２Ｎａ２　Ｆｅｂｒｕａｒｙ１９８５に記載されて
いる様に、ＭＯＳ）ランシスターのソース・ドレイン領
域のシリコン表面に、及びゲート電極として用いられて
いる多結晶シリコンの表面にチタンシリサイド膜が形成
されており、このチタンシリサイド膜としては、膜内部
にはチタン酸化物又はチタン炭化物又はチタンホウ化物
は含まれない純粋なチタンシリサイド膜が使われていた
。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体集積回路装置においては、その製
造工程中に９００〜１０００℃の熱処理が加わるために
、チタンシリサイド膜が島状に形成され、層抵抗値が高
くなると共に大きくバラつくという問題点があった（例
えばＶＬＳＩ　ＭｕｌｔｉｌｅｖｅｌＩｎｔｅｒｃｏｎ
ｎｅｃｔｉｏｎ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　Ｊｕｎｅ　１
５−１６゜１９８７のＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ、ページ４
７０〜４７９を参照）。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体集積回路装置は、不純物拡散層と、多結
晶シリコンから成る電極又は配線と、少なくとも不純物
拡散層表面又は多結晶シリコンから成る電極または、配
線表面に形成したチタンシリサイド膜とを備えている半
導体集積回路装置において、チタンシリサイド膜内部に
チタン酸化物又はチタン炭化物又はチタンホウ化物を有
している。
本発明の発明者は、純粋なチタンシリタイド膜内部にチ
タン酸化物又はチタン炭化物又はチタンホウ化物が含ま
れていると、純粋なチタンシリサイド膜に比べて、耐熱
性が向上することを見出した。即ち、チタン酸化物又は
チタン炭化物又はチタンホウ化物を膜内部に含有するチ
タンシリサイド膜を、不純物拡散層表面に又は多結晶シ
リコンから成る電極表面に又は配線表面に備えた半導体
集積回路装置を形成する場合、その製造工程中に熱処理
工程が加わっても、このチタンシリサイド膜は島状にな
りにくい。従って層抵抗が高くなると共にバラつきが大
きくなるという問題は発生しない。
〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例であるＮチャンネルＭＯ
８＋−ランジスタの縦断面図である。ここで、１０は、
Ｐ型Ｓｉ、１１はチャンネルストッパー　１２は膜厚４
０００人〜８０００人のフィールド酸化膜、１３は膜厚
１００〜４００人のゲート酸化膜、１４は膜厚４０００
人のゲートポリシリコン、１５はＮ−拡散層、１６は幅
が約２０００人のサイドウオール酸化膜、１７はＮ＋拡
散層、１８はチタン酸化物又はチタン炭化物、又はチタ
ンホウ化物を含む膜厚が５００〜１０００人のチタンシ
リサイド膜、１９は膜厚が１０００人程度０シリコン酸
化膜、２０は膜厚が７０００人程度０ポロンリンガラス
、２１はアルミニウム配線である。
このＮチャンネルＭＯ３）ランジスタの製造工程中にシ
リコン酸化膜１９．ポロンリンガラ口２０を焼きしめる
ために９００〜１０００℃の熱処理工程が必要であるが
、この熱処理によっても、このチタンシリサイド膜１８
は島状にならず、それによる層抵抗値の不均一化は起き
ない。したがって、このＮチャンネルＭＯ３）ランジス
タの特性はバラツカす、高い信頼性をもった半導体集積
回路装置が得られる６ 第２図は本発明の第２の実施例であり、ソース・ドレイ
ン領域への接続をポリシリコン電極によす行ったＮチャ
ンネルＭＯＳトランジスタの縦断面図である。
ここで、１００はＰ型Ｓｉ、１０１はチャンネルストッ
パー　１０２は膜厚４０００人〜８０００人のフィール
ド酸化膜、１０３は膜厚工００人〜４００人のゲート酸
化膜、１０４は膜厚４０００人程度０ゲートポリシリコ
ン、１０５はＮ−拡散層、１０６は幅が２０００人程度
０サイドウオール酸化膜、１０７はＮ＋拡散層、１０８
はポリシリコン電極、１０９はチタン酸化物又はチタン
炭化物又はチタンホウ化物を含む膜厚が５００人〜１０
００人のチタンシリサイド膜、１１０は膜厚が１０００
人程度０シリコン酸化膜、１１１は膜厚が７０００人程
度０ポロンリンガラス、１１２はアルミニウム配線であ
る。
この第２の実施例のＮチャンネルＭＯ３）ランジスタを
製造する場合にも９００〜１０００℃の熱処理が必要で
あるが、当該熱処理を行い形成したトランジスタは、第
１の実施例と同様に、チタンシリサイド膜１０９の層抵
抗値のバラツキは大きくならず、従ってこのＮチャンネ
ルＭＯＳトランジスタの特性はバラツカす、高い信頼性
をもった半導体集積回路装置が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、不純物拡散層表面に又は
多結晶シリコンから成る電極または配線表面に、チタン
シリサイド膜を備えている半導体集積回路装置において
、このチタンシリサイド膜内部に組成としてチタン酸化
物又はチタン炭化物又はチタンホウ化物を含有すること
により、チタンシリサイド膜の耐熱性を向上せしめる効
果を有する。従って、この半導体集積回路装置の製造工
程中に加わる熱処理によって、チタンシリサイド膜の層
抵抗値の不均一化は生じにくく、したがって、高い信頼
性をもち、更に、高い性能をもった半導体集積回路装置
が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例であるＮチャンネルＭＯ
Ｓ）ランジスタの縦断面図、第２図は本発明の第２の実
施例であるソース・ドレイン領域がポリシリコン電極に
より形成されているＮチャンネルＭＯＳ）ランジスタの
縦断面図である。 １０・・・・・・Ｐ型Ｓｉ、１１・・・・・・チャンネ
ルストッパー　１２・・・・・・フィールド酸化膜、１
３・・・・・・ゲート酸化膜、１４・・・・・・ゲート
ポリシリコン、１５・・・・・・Ｎ−拡散層、１６・・
・・・・サイドウオール酸化膜。 １７・・・・・・Ｎ＋拡散層、１８・・・・・・チタン
酸化物又はチタン炭化物又はチタンホウ化物を含むチタ
ンシリサイド膜、１９・・・・・・シリコン酸化膜、２
０・・・・・・ボロンリンガラス、２１・・・・・・ア
ルミ配線、１００・・・・・・Ｐ型Ｓｉ、１０１・・・
・・・チャンネルストッパー１０２・・・・・・フィー
ルド酸化膜、１０３・・・・・・ゲート酸化膜、１０４
・・・・・・ゲートポリシリコン、１０５・・・・・・
Ｎ−拡散層、１０６・・・・・・サイドウオール酸化膜
、１０７・・・・・・Ｎ＋拡散層、１０８・・・・・・
ポリシリコン電極、１０９・・・・・・チタン酸化物又
はチタン炭化物又はチタンホウ化物を含むチタンシリサ
イド膜、１１０・・・・・・シリコン酸化膜、１１１・
・・・・・ポロンリンガラス、１１２・・・・・・アル
ミ配線。 代理人　弁理士　　内　原　　　音 振　１ｒｇＪ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　チタン酸化物又はチタン炭化物又はチタンホウ化物を
    組成として含むチタンシリサイド膜を電極又は配線とし
    て有することを特徴とする半導体集積回路装置。
JP63211219A 1988-08-24 1988-08-24 半導体集積回路装置 Pending JPH0258874A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63211219A JPH0258874A (ja) 1988-08-24 1988-08-24 半導体集積回路装置
US07/397,015 US5012320A (en) 1988-08-24 1989-08-21 Semiconductor device having high-reliable interconnections with titanium silicide film

Applications Claiming Priority (1)

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JP63211219A JPH0258874A (ja) 1988-08-24 1988-08-24 半導体集積回路装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0258874A true JPH0258874A (ja) 1990-02-28

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ID=16602266

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JP63211219A Pending JPH0258874A (ja) 1988-08-24 1988-08-24 半導体集積回路装置

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US5012320A (en) 1991-04-30

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