JPH0244475B2 - Futaroshianinkagobutsu - Google Patents
FutaroshianinkagobutsuInfo
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- JPH0244475B2 JPH0244475B2 JP28119184A JP28119184A JPH0244475B2 JP H0244475 B2 JPH0244475 B2 JP H0244475B2 JP 28119184 A JP28119184 A JP 28119184A JP 28119184 A JP28119184 A JP 28119184A JP H0244475 B2 JPH0244475 B2 JP H0244475B2
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Landscapes
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
技術分野
本発明は、フタロシアニン化合物、特に近赤外
および赤外域に吸収をもつフタロシアニン化合物
に関する。 先行技術とその問題点 フタロシアニン化合物は、光、熱、湿度等、い
ずれに対しても安定であり、堅牢性に優れてい
る。特に、金属フタロシアニンは、その高い安定
性と強い色調から各種の染料あるいは顔料として
広く用いられているほか、大きなπ電子共役系の
中に金属イオンが存在するため、電導、光電導、
エネルギー変換、電極、触媒等の材料として、ま
た高分子とブレンドすることにより高度の機能を
有するフイルムや薄膜等の高分子材料などとして
注目され、種々研究が行われている。 これらのフタロシアニン化合物の用途の1つに
光の吸収剤としての役割が挙げられる。 しかし、吸収剤として用いた場合、近赤外およ
び赤外域に吸収がなく、近赤外および赤外域に吸
収をもつたフタロシアニン化合物が要望されてい
る。 発明の目的 本発明の目的は、近赤外および赤外域に吸収を
もつフタロシアニン化合物を提供するとにある。 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によつて達成
される。 すなわち、本発明は 式 MX−Pc(−SR)o(Y)16-o {式中、MはAl、GaまたはInを表わす。 Xは、ハロゲン原子を表わす。 PCは、フタロシアニン核を表わす。 Rは、炭素原子数1〜20のアルキル基または
炭表原子数6〜24のアリール基、アルキルアリ
ール基、アルコキシアリール基もしくはハロゲン
置換アリール基を表わす。 Yは、水素原子またはハロゲン原子を表わす。 nは、5〜16の正の整教を表わす。} で示されることを特徴とするフタロシニアン化合
物。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明のフタロシアニン化合物は、下記式
()で示されるものである。 式 MX−PC(−SR)n(Y)16-n() 上記式()において、Mは、A金属原子の
うちAl,Ga,Inである。 Xはハロゲン原子、例えばF,Cl,Br,I
等;であり、なかでもCl,Brが好ましい。 Pcは下記式()で表わされるフタロシアニ
ン核である。 式 上記式()で、−SRもしくはYが置換する位
置は1〜16のいずれかである。 Rは、炭素数1〜20の非置換のアルキル基、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ドデシル基等; それぞれ、炭素数6〜24の 非置換のアリール基、例えばフエニル基、ナフ
チル基等; アルキルアリール基、例えばトリル基、キシリ
基等; アルコキシアリール基、例えばメトキシフエニ
ル基、
および赤外域に吸収をもつフタロシアニン化合物
に関する。 先行技術とその問題点 フタロシアニン化合物は、光、熱、湿度等、い
ずれに対しても安定であり、堅牢性に優れてい
る。特に、金属フタロシアニンは、その高い安定
性と強い色調から各種の染料あるいは顔料として
広く用いられているほか、大きなπ電子共役系の
中に金属イオンが存在するため、電導、光電導、
エネルギー変換、電極、触媒等の材料として、ま
た高分子とブレンドすることにより高度の機能を
有するフイルムや薄膜等の高分子材料などとして
注目され、種々研究が行われている。 これらのフタロシアニン化合物の用途の1つに
光の吸収剤としての役割が挙げられる。 しかし、吸収剤として用いた場合、近赤外およ
び赤外域に吸収がなく、近赤外および赤外域に吸
収をもつたフタロシアニン化合物が要望されてい
る。 発明の目的 本発明の目的は、近赤外および赤外域に吸収を
もつフタロシアニン化合物を提供するとにある。 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によつて達成
される。 すなわち、本発明は 式 MX−Pc(−SR)o(Y)16-o {式中、MはAl、GaまたはInを表わす。 Xは、ハロゲン原子を表わす。 PCは、フタロシアニン核を表わす。 Rは、炭素原子数1〜20のアルキル基または
炭表原子数6〜24のアリール基、アルキルアリ
ール基、アルコキシアリール基もしくはハロゲン
置換アリール基を表わす。 Yは、水素原子またはハロゲン原子を表わす。 nは、5〜16の正の整教を表わす。} で示されることを特徴とするフタロシニアン化合
物。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明のフタロシアニン化合物は、下記式
()で示されるものである。 式 MX−PC(−SR)n(Y)16-n() 上記式()において、Mは、A金属原子の
うちAl,Ga,Inである。 Xはハロゲン原子、例えばF,Cl,Br,I
等;であり、なかでもCl,Brが好ましい。 Pcは下記式()で表わされるフタロシアニ
ン核である。 式 上記式()で、−SRもしくはYが置換する位
置は1〜16のいずれかである。 Rは、炭素数1〜20の非置換のアルキル基、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ドデシル基等; それぞれ、炭素数6〜24の 非置換のアリール基、例えばフエニル基、ナフ
チル基等; アルキルアリール基、例えばトリル基、キシリ
基等; アルコキシアリール基、例えばメトキシフエニ
ル基、
【式】等;
ハロゲン置換アリール基、例えば塩化フエニル
基等; である。 Yは、水素原子; ハロゲン原子、例えば、Cl、Br、I、F等; であり、なかでも、H、Cl、Br、Iが好ましい。 nは、5〜16の正の整数を表わし、なかでも8
〜16であることが好ましい。 以下に本発明のフタロシアニン化合物の具体例
を挙げる。
基等; である。 Yは、水素原子; ハロゲン原子、例えば、Cl、Br、I、F等; であり、なかでも、H、Cl、Br、Iが好ましい。 nは、5〜16の正の整数を表わし、なかでも8
〜16であることが好ましい。 以下に本発明のフタロシアニン化合物の具体例
を挙げる。
【表】
【表】
【表】
本発明のフタロシアニン化合物は、一般に次の
スキームに従う方法で合成することができる。
スキームに従う方法で合成することができる。
【表】
この方法を用いた場合の反応生成物の精製は次
のように行う。 反応生成物を100℃に冷却し、エタノールで希
釈した後、室温に戻して濾過する。この濾別した
ものをエタノールで洗浄し、さらにエタノール−
水溶液で洗浄し、乾燥する。こうして得られた粗
生成物をシリカカラムでトリエンによつて展開
し、分離して精製する。 発明の具体的作用効果 本発明のフタロシアニン化合物は、 MX−Pc(−SR)o(Y)16-o で示されるものであるため、近赤外および赤外域
に吸収をもつものが得られる。 従つて、きわめて光や熱に対して堅牢性の高い
近赤外・赤外吸収剤が実現し、光記録媒体や電子
写真感光体用等の吸収剤として有用である。 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例1 例示化合物(9)の合成 1モルと、エチルメルカプタン(EtSH)4モ
ルとを130℃で2時間で反応させ、 を得た。 この化合物4モル倍にLi+(OC5H11)-2モルを加
えて140℃で2時間反応させ、Li2Pc(−SEt)16を得
た。さらに、この化合物1モルにInCl31モルを加
え、アミルアルコー中で130℃で2時間反応させ、
目的物を得た。得られた反応生成物を100℃に冷
却した後、エタノール(EtOH)で希釈して室温
に戻し、濾過した。濾別したものをEtOHで洗浄
し、さらにEtOH−H2O(1:1)溶液で洗浄し、
乾燥した。このようにして得られた粗生成物をシ
リカカラムでトルエンによつて展開し、分離、精
製して目的物を得た。 収 率 18.5% 元素分析 C H N In 計算値/% 47.31 4.93 6.90 7.07 実測値/% 45.98 4.95 6.92 7.05 吸収極大 λmax 830nm(スピンナー塗布により0.1μm厚の薄
膜を形成して測定) 実施例2 例示化合物(2)の合成 実施例1と同様にして目的物を得た。 収 率 23.4% 元素分析 C H N In 計算値/% 40.61 2.82 7.90 8.10 実測値/% 40.79 2.83 7.85 8.04 実施例3 例示化合物(3)の合成 実施例1と同様にして目的物を得た。 収 率 21.8% 元素分析 C H N Ga 計算値/% 54.63 2.28 6.37 3.97 実測値/% 54.95 2.28 6.35 3.99 実施例4 例示化合物(7)の合成 実施例1と同様にして目的物を得た。 収 率 21.9% 元素分析 C H N In 計算値/% 48.12 1.74 4.88 5.01 実測値/% 48.95 1.72 4.82 4.98 実施例5 例示化合物(10)の合成 2−チオナフトール18モルとKOH18モルとを
キノリン中で140℃にて1時間反応させた。これ
にInClPc(Cl)161モルを加え、160〜180℃にて1
時間反応させた。得られた反応生成物は実施例1
と同様に精製した。 収 率 23.8% 元素分析 C H N In 計算値/% 72.20 3.51 3.51 3.60 実測値/% 71.21 3.54 3.52 3.59 吸収極大 λmax 840nm(スピンナー塗布により0.1μm厚の薄
膜を形成して測定) 実施例6 例示化合物(11)の合成 実施例5と同様にして目的物を得た。 収 率 29.4% 元素分析 C H N Ga 計算値/% 51.99 6.07 6.07 3.78 実測値/% 50.92 6.09 6.08 3.74 実施例7 例示化合物(6)の合成 実施例5と同様にして目的物を得た。 収 率 17.2% 元素分析 C H N Al 計算値/% 47.44 2.52 5.03 1.21 実測値/% 47.35 2.53 5.01 1.21 実施例8 例示化合物(13)の合成 実施例5と同様にして目的物を得た。 収 率 12.8% 元素分析 C H N In 計算値/% 57.78 1.49 4.65 4.77 実測値/% 57.92 1.48 4.63 4.75
のように行う。 反応生成物を100℃に冷却し、エタノールで希
釈した後、室温に戻して濾過する。この濾別した
ものをエタノールで洗浄し、さらにエタノール−
水溶液で洗浄し、乾燥する。こうして得られた粗
生成物をシリカカラムでトリエンによつて展開
し、分離して精製する。 発明の具体的作用効果 本発明のフタロシアニン化合物は、 MX−Pc(−SR)o(Y)16-o で示されるものであるため、近赤外および赤外域
に吸収をもつものが得られる。 従つて、きわめて光や熱に対して堅牢性の高い
近赤外・赤外吸収剤が実現し、光記録媒体や電子
写真感光体用等の吸収剤として有用である。 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例1 例示化合物(9)の合成 1モルと、エチルメルカプタン(EtSH)4モ
ルとを130℃で2時間で反応させ、 を得た。 この化合物4モル倍にLi+(OC5H11)-2モルを加
えて140℃で2時間反応させ、Li2Pc(−SEt)16を得
た。さらに、この化合物1モルにInCl31モルを加
え、アミルアルコー中で130℃で2時間反応させ、
目的物を得た。得られた反応生成物を100℃に冷
却した後、エタノール(EtOH)で希釈して室温
に戻し、濾過した。濾別したものをEtOHで洗浄
し、さらにEtOH−H2O(1:1)溶液で洗浄し、
乾燥した。このようにして得られた粗生成物をシ
リカカラムでトルエンによつて展開し、分離、精
製して目的物を得た。 収 率 18.5% 元素分析 C H N In 計算値/% 47.31 4.93 6.90 7.07 実測値/% 45.98 4.95 6.92 7.05 吸収極大 λmax 830nm(スピンナー塗布により0.1μm厚の薄
膜を形成して測定) 実施例2 例示化合物(2)の合成 実施例1と同様にして目的物を得た。 収 率 23.4% 元素分析 C H N In 計算値/% 40.61 2.82 7.90 8.10 実測値/% 40.79 2.83 7.85 8.04 実施例3 例示化合物(3)の合成 実施例1と同様にして目的物を得た。 収 率 21.8% 元素分析 C H N Ga 計算値/% 54.63 2.28 6.37 3.97 実測値/% 54.95 2.28 6.35 3.99 実施例4 例示化合物(7)の合成 実施例1と同様にして目的物を得た。 収 率 21.9% 元素分析 C H N In 計算値/% 48.12 1.74 4.88 5.01 実測値/% 48.95 1.72 4.82 4.98 実施例5 例示化合物(10)の合成 2−チオナフトール18モルとKOH18モルとを
キノリン中で140℃にて1時間反応させた。これ
にInClPc(Cl)161モルを加え、160〜180℃にて1
時間反応させた。得られた反応生成物は実施例1
と同様に精製した。 収 率 23.8% 元素分析 C H N In 計算値/% 72.20 3.51 3.51 3.60 実測値/% 71.21 3.54 3.52 3.59 吸収極大 λmax 840nm(スピンナー塗布により0.1μm厚の薄
膜を形成して測定) 実施例6 例示化合物(11)の合成 実施例5と同様にして目的物を得た。 収 率 29.4% 元素分析 C H N Ga 計算値/% 51.99 6.07 6.07 3.78 実測値/% 50.92 6.09 6.08 3.74 実施例7 例示化合物(6)の合成 実施例5と同様にして目的物を得た。 収 率 17.2% 元素分析 C H N Al 計算値/% 47.44 2.52 5.03 1.21 実測値/% 47.35 2.53 5.01 1.21 実施例8 例示化合物(13)の合成 実施例5と同様にして目的物を得た。 収 率 12.8% 元素分析 C H N In 計算値/% 57.78 1.49 4.65 4.77 実測値/% 57.92 1.48 4.63 4.75
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式 MX−Pc(−SR)o(Y)16-o {式中、MはAl、GaまたはInを表わす。 Xは、ハロゲン原子を表わす。 Pcは、フタロシアニン核を表わす。 Rは、炭素原子数1〜20のアルキル基または炭
素原子数6〜24のアリール基、アルキルアリール
基、アルコキシアリール基もしくはハロゲン置換
アリール基を表わす。 Yは、水素原子またはハロゲン原子を表わす。 nは、5〜16の正の整数を表わす。} で示されることを特徴とするフタロシアニン化合
物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28119184A JPH0244475B2 (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | Futaroshianinkagobutsu |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28119184A JPH0244475B2 (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | Futaroshianinkagobutsu |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61152685A JPS61152685A (ja) | 1986-07-11 |
JPH0244475B2 true JPH0244475B2 (ja) | 1990-10-04 |
Family
ID=17635612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28119184A Expired - Lifetime JPH0244475B2 (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | Futaroshianinkagobutsu |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0244475B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0631239B2 (ja) * | 1987-04-06 | 1994-04-27 | 株式会社日本触媒 | 新規含フッ素フタロシアニン化合物およびその製造方法 |
JPH0721118B2 (ja) * | 1987-06-26 | 1995-03-08 | 日立化成工業株式会社 | ナフタロシアニン誘導体及びその製造法並びにそれを用いた光学記録媒体及びその光学記録媒体の製造法 |
JP3077458B2 (ja) * | 1993-07-23 | 2000-08-14 | 東洋インキ製造株式会社 | アルミニウムフタロシアニン組成物の製造法 |
EP0718375B1 (en) * | 1994-12-21 | 2000-07-05 | Mitsui Chemicals, Inc. | Near infrared absorber, preparation process thereof and use thereof |
JP6016507B2 (ja) * | 2012-08-02 | 2016-10-26 | 株式会社日本触媒 | フタロシアニン化合物およびこれを含む赤外線カットフィルター |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP28119184A patent/JPH0244475B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61152685A (ja) | 1986-07-11 |
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