JPH0721118B2 - ナフタロシアニン誘導体及びその製造法並びにそれを用いた光学記録媒体及びその光学記録媒体の製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なナフタロシアニン誘導体及びその製造
法並びにそれを用いた光学的情報記録媒体及びその光学
的情報記録媒体の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

近年、コンパクトデイスク，ビデオデイスク，液晶表示
装置，光学文字読取機等における書込みあるいは、読取
りのためかつ電子写真用光源として半導体レーザ光を利
用することが提案されている。半導体レーザ光による書
込み又は、読取りのためには、半導体レーザ光すなわち
近赤外光を吸収できる物質が不可欠である。

近赤外光を吸収する有機色素としては、従来、シアニン
色素がよく知られており、またオキシムやチオールの金
属錯体、アミノ化されたキノン誘導体も近赤外光を吸収
する色素として知られている〔有機合成化学協会誌,43
巻,334頁（1985年），色材協会誌,53巻,197頁（1980
年），色材協会誌,58巻,220頁（1985年）〕。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、シアニン色素は耐光堅牢性が極めて低い
ので、これを使用する場合には、多くの制約を受けざる
を得ない。また、オキシムやチオールの金属錯体も、あ
る種の媒体中では、錯体から金属が脱離して、近赤外光
の吸収能力が消失する欠点がある。アミノ化されたキノ
ン誘導体は、近赤外光を吸収する能力が極めて低い問題
がある。

一方、これらの問題点を克服できる材料として、最近ナ
フタロシアニン誘導体が知られているが、従来の無置換
金属ナフタロシアニン〔ツエーナル・オブシエ・キミ
（Zhurnal Obshchei Khimii），第39巻2554頁,1969年，
モル・クリスト・リク・クリスト（Mol.Cryst.Liq.Crys
t.）第112巻345頁,1984年）は、有機溶媒に不溶である
ために、精製が極めて困難である。また、最近，有機溶
媒に可溶なナフタロシアニン誘導体の合成が報告されて
いる（特開昭60−23451号公報，特開昭60−184565号公
報，特開昭61−215662号公報，特開昭61−215663号公
報）が、これらのナフタロシアニン誘導体は、その吸収
が溶媒の種類，濃度，温度等により大きく変化し、高濃
度の溶液中あるいは固体膜とした場合には、半導体レー
ザ光を吸収する能力が極めて低下してしまうだけでな
く、光デイスクにおいて記録された情報の読み出しに反
射光を用いる場合に重要な反射率が、半導体レーザ領域
（780〜830nm）で非常に低いという問題点があつた。

また、反射率の高いナフタロシアニンが特開昭61−2351
88号公報に２つの化合物だけ報告され、またその合成法
の概念が特開昭61−177287号公報及び特開昭61−177288
号公報に報告されているが、実施例が少なく、実際その
通りに合成できるものは少ない。たとえば、特開昭61−
177288号公報第８頁右上欄第１行目記載の反応式Ｉで
は、Xnに長鎖アルキル基等が含まれると、原料である の溶解度が大きくなり、この原料自体の合成において、
反応溶液からこの原料の単離が不可能となるだけでな
く、その原料である の合成段階でも複雑な反応混合物となつてしまい反応系
からのこの化合物の分離精製が困難となつてしまうこと
から、所望のナフタロシアニン合成に用いることができ
なくなる。また、同じく特開昭61−177288号公報第８頁
右上欄第３行目記載の反応式IIは、Friedel−Craft反応
類似のナフタロシアニン環の求核反応であり、アルコキ
シル基，アルキルチオ基，アミノ基の導入には適さな
い。さらに、同じく特開昭61−177288号公報第８頁右上
欄第５行目記載の反応式IIIでは原料の精製が不可能で
あり、生成物が非常に複雑な混合物となり、生成物も精
製困難であることから純度の高い生成物の単離には不適
当であるだけでなく、原料のSiに付いたヒドロキシル基
の影響で本反応自体が阻害され好ましい方向に反応を進
めることができない。このように、実際に有機溶媒に可
溶で光記録媒体として特性の優れた特にナフタロシアニ
ン環に長鎖アルキル基を有するナフタロシアニンの合成
には、別途合成法を見出さなければならないという問題
があつた。

〔課題を解決するための手段〕

仮に、請求項１の発明を第１の発明と呼ぶことにする。
すなわち第１の発明は、一般式（Ｉ） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し同一でも相
違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
相違してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリー
ルオキシル基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシ
ル基，トリアリールシロキシル基，トリアルコキシシロ
キシル基，トリアリールオキシシロキシル基，トリチル
オキシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一
でも相違してもよい］で表わされるナフタロシアニン誘
導体に関する。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
芳香族系，ハロゲン系，エーテル系，ケトン系及び飽和
炭化水素系溶媒に可溶であり、容易に精製し純度を向上
できるだけでなく、溶媒の種類及び濃度等による吸収の
変化がなく、半導体レーザ光を吸収する能力に著しく優
れている。

上記芳香族系溶媒としては、ベンゼン，トルエン，キシ
レン，クロロベンゼン，ジクロロベンゼン，トリメチル
ベンゼン,1−クロロナフタレン，キノリン等があり、上
記ハロゲン系溶媒としては、塩化メチレン，クロロホル
ム，四塩化炭素，トリクロロエタン等があり、上記エー
テル系溶媒としては、ジエチルエーテル，ジブチルエー
テル，テトラヒドロフラン，エチレングリコールモノメ
チルエーテル，エチレングリコールジメチルエーテル，
ジエチレングリコールモノメチルエーテル，ジエチレン
グリコールジメチルエーテル等があり、ケトン系溶媒と
しては、アセトン，メチルエチルケトン，メチルプロピ
ルケトン，シクロペンタノン，シクロヘキサノン，アセ
トンアルコール等があり、飽和炭化水素系溶媒として
は、ヘキサン，ヘプタン，オクタン，ノナン，デカン，
ウンデカン，ドデカン等がある。

前記一般式（Ｉ）において、R¹のアルキル基の例として
は、メチル基，エチル基,n−プロピル基,sec−プロピル
基,n−ブチル基,sec−ブチル基,t−ブチル基,n−アミル
基,t−アミル基,2−アミル基,3−アミル基，ヘキシル
基，ヘプチル基，オクチル基，デシル基，ドデシル基，
テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，エ
イコシル基，ドコシル基等があげられ、置換基を有する
アルキル基の例としては、エステル基を有するアルキル
基，アミド基を有するアルキル基，ヒドロキシル基を有
するアルキル基，アラルキル基，アルコキシアルキル
基，ハロアルキル基等があり、アリール基としては、フ
エニル基，トリル基，アニシル基，ハロフエニル基等が
ある。

前記一般式（Ｉ）において、Ｍとしては、Si,Ge及びSn
があげられ、Ｙとしては、アリールオキシル基としてフ
エノキシル基，トリルオキシル基，アニシルオキシル基
等があり、アルコキシル基としては、アミロキシル基，
ヘキシロキシル基，オクチロキシル基，デシロキシル
基，ドデシロキシル基，テトラデシロキシル基，ヘキサ
デシロキシル基，オクタデシロキシル基，エイコシロキ
シル基，ドコシロキシル基等があり、トリアルキルシロ
キシル基としては、トリメチルシロキシル基，トリエチ
ルシロキシル基，トリプロピルシロキシル基，トリブチ
ルシロキシル基等があり、トリアリールシロキシル基と
しては、トリフエニルシロキシル基，トリアニシルシロ
キシル基，トリトリルシロキシル基等があり、トリアル
コキシシロキシル基としては、トリメトキシシロキシル
基，トリエトキシシロキシル基，トリプロポキシシロキ
シル基，トリブトキシシロキシル基等があり、トリアリ
ールオキシシロキシル基としては、トリフエノキシシロ
キシル基，トリアニシロキシシロキシル基，トリトリル
オキシシロキシル基等があり、アシロキシル基として
は、アセトキシル基，プロピオニルオキシル基，ブチリ
ルオキシル基，バレリルオキシル基，ピバロイルオキシ
ル基，ヘキサノイルオキシル基，オクタノイルオキシル
基等がある。

これらのアルキル基の長さは、前記一般式（Ｉ）で表わ
されるナフタロシアニン誘導体を有機溶媒に溶解すると
きの溶解度だけでなく、この化合物の融点の値、さらに
はこの化合物を有機溶媒に溶かしその溶液はガラス板な
どの適当な基板上にスピンコートして形成した非晶質膜
の吸光スペクトル，透過スペクトル及び反射スペクトル
に大きな影響を及ぼす。

特に、中心金属Ｍに結合した置換基Ｙのアルキル基の長
さは、スピンコート膜のスペクトルに大きく影響を与え
る。したがつて、使用するレーザーの発振波長に合わせ
てＹのアルキル鎖長を変化させることができる。

一方、R¹のアルキル鎖長は、前述のＹのアルキル鎖長を
変化させたときのこの化合物の有機溶媒に対する溶解度
及び融点を調節するための機能を有する。

たとえば、Ｙがトリアルキルシロキシル基の場合、その
アルキル基の長さは、スピンコート膜のスペクトルに大
きく影響を与え、アルキル鎖長が短いほど、極大吸収，
極小透過率及び極大反射率は、それぞれ大きく長波長シ
フトする。したがつて、使用半導体レーザーに対して極
大反射率の点で特に好ましいものを、トリアルキルシロ
キシル基のアルキル基の長さを変化させることで得ら
れ、R¹はナフタロシアニン誘導体の溶解度及び融点が最
適となるように適当に選択することができる。

前記一般式（Ｉ）においてＭがSi又は、Geであるナフタ
ロシアニン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてk,l,m及びｎが全て１である
ナフタロシアニン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロ
キシル基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてR¹が全て炭素数１〜22個のア
ルキル基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてR¹が全て置換基を有するアル
キル基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい。

本発明に係るナフタロシアニン誘導体の具体例を次に示
す。なお式中、Phはフエニル基を示す。

仮に、請求項７の発明を第２の発明と呼ぶことにする。
すなわち、第２の発明は、一般式（II） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し同一でも相
違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
り、ＭはSi,Ge又はSnを示す。］ で表わされるナフタロシアニン誘導体を一般式（III） (R²)₃SiCl （III） で表わされるクロロシラン、一般式（IV） (R³)₃SiOH （IV） ［ただし、式（III）及び（IV）中、R²及びR³は、それ
ぞれアルキル基，アリール基，アルコキシル基又はアリ
ールオキシル基である］で表わされるシラノール、一般
式（Ｖ） R⁴OH （Ｖ） ［ただし、式中R⁴は、アルキル基又はアリール基であ
る］で表わされるアルコール又は一般式（VI） R⁵CO・X （VI） ［ただし、式中R⁵は、アルキル基、Ｘはハロゲン原子，
ヒドロキシル基又はアシロキシル基である］で表わされ
る化合物と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し同一でも相
違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
相異してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリー
ルオキシル基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシ
ル基，トリアリールシロキシル基，トリアルコキシシロ
キシル基，トリアリールオキシシロキシル基，トリチル
オキシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一
でも相違してもよい］で表わされるナフタロシアニン誘
導体の製造法に関する。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（II）で表わされる化合物と過剰の一般式（II
I），一般式（IV），一般式（Ｖ）又は一般式（VI）で
表わされる化合物とを加熱反応させることにより得るこ
とができる。この場合、反応温度は80〜250℃が好まし
く、反応時間は30分〜10時間が好ましい。この反応は、
溶媒なしで反応させるか、あるいは溶媒として、ベンゼ
ン，トルエン，キシレン，トリメチルベンゼン，クロロ
ベンゼン，ジクロロベンゼン，トリクロロベンゼン,1−
クロロナフタレン，テトラリン，ピリジン，β−ピコリ
ン，キノリン等を使用し、必要に応じてトリエチルアミ
ン，トリプロピルアミン，トリブチルアミン，トリペン
チルアミン，トリヘキシルアミン等の脂肪族アミン存在
下行うのが好ましい。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体の反
応混合物からの単離・精製は、反応混合物をクロマトグ
ラフイー法により分離した後、再結晶法により精製する
などの方法によつて行うことができる。

一般式（II）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（IX） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し、同一でも
相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
相異してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｘはハロゲ
ン原子を示し、２個のＸは同一でも相違してもよい］で
表わされるナフタロシアニン誘導体を加熱下加水分解反
応をさせることにより得ることができる。この場合、反
応温度は50〜150℃が好ましく、反応時間は30分〜10時
間が好ましい。このためには、ピリジン／水，ピリジン
／アンモニア水，メタノール／アンモニア水，エタノー
ル／アンモニア水，プロパノール／アンモニア水などの
混合溶媒中で反応させるのが好ましい。

一般式（IX）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（Ｘ） ［ただし、式中R¹は、同一でも相異してもよいアルキル
基，置換基を有するアルキル基又はアリール基であり、
ｎは同一又は相異してもよい１〜４の整数である］で表
わされる1,3−ジイミノベンゾ［ｆ］イソインドリン誘
導体又は一般式（XI） ［ただし、式中R¹は、同一でも相異してもよいアルキル
基，置換基を有するアルキル基又はアリール基であり、
ｎは同一又は相異してもよい１〜４の整数である］で表
わされる2,3−ジシアノナフタレン誘導体１モルに対し
て一般式（XII） MX_p （XII） ［ただし、式中Ｘはハロゲン原子及びｐは金属ＭへのＸ
の結合数を示す正の整数であり、ＭはSi,Ge又はSnを示
す］で表わされる金属ハロゲン化物を0.1〜１モルの比
で共存させ加熱反応させることにより得ることができ
る。この場合、反応温度は150〜300℃が好ましく、反応
時間は30分〜10時間が好ましい。この反応は、溶媒なし
で反応させてもよいし、また溶媒として尿素，テトラリ
ン，キノリン,1−クロロナフタレン,1−ブロモナフタレ
ン，トリメチルベンゼン，ジクロロベンゼン，トリクロ
ロベンゼン等を使用してもよい。また、この反応は、ア
ミン類の存在下行うのが好ましく、使用するアミンとし
ては、トリエチルアミン，トリプロピルアミン，トリブ
チルアミン，トリペンチルアミン，トリヘキシルアミン
等がある。上記金属ハロゲン化物としては、SiCl₄，SiB
r₄，SiI₄，GeCl₄，GeBr₄，SnCl₂，SnI₂等がある。

一般式（Ｘ）で表わされる1,3−ジイミノベンゾ［ｆ］
イソインドリンは、一般式（XI）で表わされる2,3−ジ
シアノナフタレン誘導体をメタノール中、触媒としてナ
トリウムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き込みな
がら１〜10時間加熱還流することによつて得ることがで
きる。

一般式（XI）で表わされる2,3−ジシアノナフタレン誘
導体は、主に次の２つの方法により製造することができ
る。

すなわち、その一つは、一般式（XIII） （ただし式中R¹は、同一でも相異してもよいアルキル
基，置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、
ｎは１〜４の整数を表わす）で表わされるｏ−キシレン
誘導体と式（XIV） で表わされるｎ−ブロモこはく酸イミドとを、加熱下光
照射されて得られる一般式（XV） （ただし式中R¹は、同一でも相異してもよいアルキル
基，置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、
ｎは１〜４の整数を表わす）で表わされる化合物を、式
（XVI） で表わされるフマロニトリルと加熱下反応させて一般式
（XI）で表わされる2,3−ジシアノナフタレン誘導体を
合成する方法である。

一般に、一般式（XIII）で表わされるｏ−キシレン誘導
体と式（XIV）で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミド
との反応は、ｏ−キシレン誘導体0.2molとＮ−ブロモこ
はく酸イミド0.8molを高圧水銀灯照射下、光照射に対し
て不活性な溶媒中で、４〜12時間加熱還流することによ
り行うことができる。反応は、光反応開始剤として、ラ
ジカル発生剤である過酸化物を添加する必要がある。過
酸化物としては、過酸化ベンゾイル、過酸化オクタノイ
ル、過酸化シクロヘキサノン、過酸化イソブチリル、過
酸化2,4−ジクロロベンゾイル、過酸化メチルエチルケ
トンなどが挙げられ、通常、溶媒500mlに対して500mg〜
2gの範囲で使用される。また光照射に対して不活性な溶
媒としては、クロロホルム，四塩化炭素などのハロゲン
系溶媒、または、ベンゼン，クロロベンゼンなどの芳香
族系溶媒から適宜選択される。

また、次の一般式（XV）で表わされる化合物と式（XV
I）で表わされるフマロニトリルとの反応は、一般式（X
V）で表わされる化合物1molに対して、式（XVI）で表わ
されるフマロニトリルを１〜2molの比で共存させ、反応
温度は、70℃〜100℃が好ましく、反応時間は、５〜10
時間が好ましい。溶媒としては、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジエチルア
セトアミド等の極性有機溶媒が好ましい。

他の一つは、一般式（XVII） （ただし、式中ｎは１〜４の整数を表わす）で表わされ
るブロモ−2,3−ジシアノナフタレンを過剰の一般式（V
III） CuSR¹ （VIII） ［ただし、式中R¹はアルキル基，置換基を有するアルキ
ル基又はアリール基である。］で表わされる銅（Ｉ）チ
オレートと加熱下置換反応させることにより得ることが
できる。この場合、反応温度は80〜250℃が好ましく、
反応時間は、１〜30時間が好ましい。また、この反応の
溶媒としては、ベンゼン，トルエン，キシレン，トリメ
チルベンゼン，クロロベンゼン，ジクロロベンゼン，ト
リクロロベンゼン,1−クロロナフタレン，テトラリン，
ピリジン，β−ピコリン，キノリン等を単一または、混
合溶媒として用いることができる。

一般式（XVI）で表わされるブロモ−2,3−ジシアノナフ
タレンは、例えばツェーナル・オルガニヘスコ・キミ
（Zhurnal Organicheskoi Khimii），第７巻369頁,1971
年に記載された方法を参考にして下記式（Ａ）の経路で
合成することができる。

すなわち、ブロモ−ｏ−キシレン（XVIII）と式（XIV） で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミドとを、加熱下光
照射されて得られるビス（ジブロモメチル）ブロモベン
ゼン（XIX）を式（XVI） で表わされるフマロニトリルと加熱下反応させて一般式
（XVII）で表わされるブロモ−2,3−ジシアノナフタレ
ンを得る方法である。

一般に、一般式（XVIII）で表わされるブロモ−ｏ−キ
シレンと式（XIV）で表わされるＮ−ブロモこはく酸イ
ミドとの反応は、ブロモ−ｏ−キシレン0.2molとＮ−ブ
ロモこはく酸イミド0.8molを高圧水銀灯照射下，光照射
に対して不活性な溶媒中で、４〜12時間加熱還流するこ
とにより行うことができる。反応は、光反応開始剤とし
てラジカル発生剤である過酸化物を添加する必要があ
る。過酸化物としては、過酸化ベンゾイル、過酸化オク
タノイル、過酸化シクロヘキサノン、過酸化イソブチリ
ル、過酸化2,4−ジクロロベンゾイル、過酸化メチルエ
チルケトンなどが挙げられ、通常、溶媒500mlに対して5
00mg〜2gの範囲で使用される。また光照射に対して不活
性な溶媒としては、クロロホルム，四塩化炭素などのハ
ロゲン系溶媒またはベンゼン，クロロベンゼン、などの
芳香族系溶媒から適宜選択される。

また次の式（XIX）で表わされる化合物と式（XVI）で表
わされるフマロニトリルとの反応は、一般式（XIX）で
表わされる化合物1molに対して式（XVI）で表わされる
フマロニトリルを１〜2molの比で共存させ、反応温度
は、70〜100℃が好ましく、反応時間は、５〜10時間が
好ましい。溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジエチルアセト
アミド等の極性有機溶媒が好ましい。

仮に請求項８の発明を第３の発明と呼ぶことにする。す
なわち、第３の発明は一般式（VII） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し同一でも相
違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
り、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリールオキシル
基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシル基，トリ
アリールシロキシル基，トリアルコキシシロキシル基，
トリアリールオキシシロキシル基，トリチルオキシル基
又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一でも相違し
てもよい］で表わされるナフタロシアニン誘導体を一般
式（VIII） CuSR¹ （VIII） ［ただし、式中R¹は、アルキル基，置換基を有するアル
キル基又はアリール基である］で表わされる銅（Ｉ）チ
オレートと反応させることを特徴とする一般式（Ｉ） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し同一でも相
違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
相異してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリー
ルオキシル基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシ
ル基，トリアリールシロキシル基，トリアルコキシシロ
キシル基，トリアリールオキシシロキシル基，トリチル
オキシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一
でも相違してもよい］で表わされるナフタロシアニン誘
導体の製造法に関する。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（VII）で表わされる化合物と過剰の一般式（VII
I）で表わされる銅（Ｉ）チオレートとを加熱下置換反
応させることにより得ることができる。この場合、反応
温度は80〜250℃が好ましく、反応時間は１〜30時間が
好ましい。また、この反応の溶媒としては、ベンゼン，
トルエン，キシレン，トリメチルベンゼン，クロロベン
ゼン，ジクロロベンゼン，トリクロロベンゼン,1−クロ
ロナフタレン，テトラリン，ピリジン，β−ピコリン，
キノリン等を単一または混合溶媒として用いることがで
きる。

一般式（Ｉ）においてR¹が相異する置換基であるナフタ
ロシアニン誘導体を得る場合は、相異する置換基に対応
する置換基を有する数種の一般式（VIII）で表わされる
銅（Ｉ）チオレートと反応させることが必要である。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体の反
応混合物からの単離・精製は、反応混合物をカラムクロ
マトグラフイー法または薄層クロマトグラフイー法によ
り分離した後、再結晶法により精製するなどの方法によ
つて行うことができる。

一般式（VII）で表わされるナフタロシアニン誘導体
は、一般式（XX） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し同一でも相
違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
り、ＭはSi,Ge又はSnを示す］で表わされるナフタロシ
アニン誘導体を過剰の一般式（III） (R²)₃SiCl （III） で表わされるクロロシラン、一般式（IV） (R³)₃SiOH （IV） ［ただし、式（III）及び（IV）中、R²及びR³はそれぞ
れアルキル基，アリール基，アルコキシル基又はアリー
ルオキシル基である］で表わされるシラノール、一般式
（Ｖ） R⁴OH （Ｖ） ［ただし、式中R⁴は、アルキル基又はアリール基であ
る］で表わされるアルコール又は一般式（VI） R⁵CO・X （VI） ［ただし、式中R⁵はアルキル基、Ｘはハロゲン原子，ヒ
ドロキシル基又はアシロキシル基である］で表わされる
化合物と加熱反応させることにより得ることができる。
この場合、反応温度は80〜250℃が好ましく、反応時間
は30分〜10時間が好ましい。この反応は、溶媒なしで反
応させるか、あるいは溶媒として、ベンゼン，トルエ
ン，キシレン，トリメチルベンゼン，クロロベンゼン，
ジクロロベンゼン，トリクロロベンゼン,1−クロロナフ
タレン，テトラリン，ピリジン，β−ピコリン，キノリ
ン等を使用し、必要に応じてトリエチルアミン，トリプ
ロピルアミン，トリブチルアミン，トリペンチルアミ
ン，トリヘキシルアミン等の脂肪族アミン存在下行うの
が好ましい。

一般式（VII）で表わされるナフタロシアニン誘導体の
反応混合物からの単離・精製は、反応混合物をクロマト
グラフイー法により分離した後、再結晶法により精製す
るなどの方法によつて行うことができる。

一般式（XX）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（XXI） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し、同一でも
相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
り、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｘはハロゲン原子を示
し、２個のＸは同一でも相違してもよい］で表わされる
ナフタロシアニン誘導体を室温下１〜10時間濃硫酸中で
処理した後、濃アンモニア水中で30分〜10時間還流する
か、または、ピリジン／水，ピリジン／アンモニア水，
メタノール／アンモニア水，エタノール／アンモニア
水，プロパノール／アンモニア水中で30分〜10時間加熱
還流することによつて得ることができる。

一般式（XXI）で表わされるナフタロシアニン誘導体
は、一般式（XXII） ［ただし、式中ｎは、１〜４の整数を表わす］で表わさ
れるブロモ−1,3−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリ
ン１モルに対して一般式（XII） MX_p （XII） （ただし、式中Ｘはハロゲン原子を表わし、ｐは、金属
ＭへのＸの結合数を表わす正の整数であり、ＭはSi,Ge
又はSnを示す）で表わされる金属ハロゲン化物を0.1〜
１モルの比で共存させて加熱反応させて得ることができ
る。この場合、反応温度は150〜300℃が好ましく、反応
時間は30分〜10時間が好ましい。この反応は、溶媒なし
で反応させてもよいし、また溶媒として尿素，テトラリ
ン，キノリン,1−クロロナフタレン,1−ブロモナフタレ
ン，トリメチルベンゼン，ジクロロベンゼン，トリクロ
ロベンゼン等を使用してもよい。また、この反応は、ア
ミン類の存在下行うのが好ましく、使用するアミンとし
ては、トリエチルアミン，トリプロピルアミン，トリブ
チルアミン，トリペンチルアミン，トリヘキシルアミン
等がある。上記金属ハロゲン化物としては、SiCl₄，SiB
r₄，SiI₄，GeCl₄，GeBr₄，SnCl₂，SnI₂等がある。

一般式（XXII）で表わされるブロモ−1,3−ジイミノベ
ンゾ〔ｆ〕イソインドリンは、一般式（XVII） ［ただし、式中ｎは、１〜４の整数を表わす］で表わさ
れるブロモ−2,3−ジシアノナフタレンをメタノール中
触媒としてナトリウムメトキシド存在下アンモニアガス
を吹き込みながら１〜10時間加熱還流すことによつて得
ることができる。

前記第２の発明及び第３の発明において、一般式（I
I），一般式（Ｉ），一般式（IX），一般式（XII），一
般式（VII），一般式（XIX）及び一般式（XXI）で、Ｍ
がSi又はGeであるナフタロシアニン誘導体の製造法が好
ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において、一般式（I
I），一般式（Ｉ），一般式（IX），一般式（Ｘ），一
般式（XI），一般式（XIII），一般式（XV），一般式
（XVII），一般式（XVIII），一般式（XIX），一般式
（VII），一般式（XX），一般式（XXI）又は一般式（XX
II）でk,l,m及びｎが全て１であるナフタロシアニン誘
導体の製造法が好ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において、一般式（II
I）及び一般式（IV）でそれぞれR²及びR³がアルキル基
であり、一般式（Ｉ）及び一般式（VII）で２個のＹが
トリアルキルシロキシル基であるナフタロシアニン誘導
体の製造法が好ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において、一般式（I
I），一般式（Ｉ），一般式（IX），一般式（Ｘ），一
般式（XI），一般式（XIII），一般式（XV）及び一般式
（VIII）でR¹が全て炭素数１〜22個のアルキル基である
ナフタロシアニン誘導体の製造法が好ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において一般式（II），
一般式（Ｉ），一般式（IX），一般式（Ｘ），一般式
（XI），一般式（XIII），一般式（XV）及び一般式（VI
II）で、R¹が全て置換基を有するアルキル基であるナフ
タロシアニン誘導体の製造法が好ましい。

仮に請求項14の発明を第４の発明と呼ぶことにする。す
なわち、第４の発明は、基板表面に一般式（Ｉ） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し同一でも相
違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
相異してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリー
ルオキシル基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシ
ル基，トリアリールシロキシル基，トリアルコキシシロ
キシル基，トリアリールオキシシロキシル基，トリチル
オキシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一
でも相違してもよい］で表わされるナフタロシアニン誘
導体を主成分とする記録膜層が形成されていることを特
徴とする光学記録媒体に関する。

本発明に係る光学記録媒体は、基板上に本発明の一般式
（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体を主成分と
する記録層を設けたものであるが必要に応じて下地層や
保護層などの他の層を設けることができる。

使用される基板材料は、当業者には既知のものであり、
使用されるレーザー光に対して透明または不透明のいず
れでもよい。しかし、基板側からレーザー光で書き込
み，読出しを行う場合は、そのレーザー光に対して透明
でなければならない。一方、基板と反対側すなわち記録
層側から書き込み，読出しを行う場合は、使用するレー
ザー光に対して透明である必要はない。基板材料として
は、ガラス，石英，マイカ，セラミツク，板状または箔
状の金属などの無機材料のほか、紙，ポリカーボネー
ト，ポリエステル，酢酸セルロース，ニトロセルロー
ス，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，
塩化ビニリデン共重合体，ポリアミド，ポリスチレン，
ポリメチルメタクリレート及びメチルメタクリレート共
重合体等の有機高分子材料の板が挙げられるが、これら
に限定されない。記録時に熱損失が少なく、感度をあげ
るという意味で低熱伝導率の有機高分子からなる支持体
が望ましく、基板には必要に応じて凹凸で形成される案
内溝を設けても良い。

また、基板には必要に応じて下地膜を設けてもよい。

前記一般式（Ｉ）においてＭが、Si又はGeであるナフタ
ロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されて
いる光学記録媒体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてk,l,m及びｎが全て１である
ナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成
されている光学記録媒体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロ
キシル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする
記録膜層が形成されている光学記録媒体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてR¹が全て炭素数１〜22個のア
ルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする
記録膜層が形成されている光学記録媒体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてR¹が全て置換基を有するアル
キル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記
録膜層が形成されている光学記録媒体が好ましい。

仮に請求項20の発明を第５の発明と呼ぶことにする。す
なわち、第５の発明は、一般式（Ｉ） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し同一でも相
違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
相異してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリー
ルオキシル基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシ
ル基，トリアリールシロキシル基，トリアルコキシシロ
キシル基，トリアリールオキシシロキシル基，トリチル
オキシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一
でも相違してもよい］で表わされるナフタロシアニン誘
導体を主として有機溶媒に溶解した溶液を用いて基板表
面に記録膜層を形成することを特徴とする光学記録媒体
の製造方法に関する。

上記有機溶媒としては、一般式（Ｉ）で表わされるナフ
タロシアニン誘導体を溶解する前記芳香族系，ハロゲン
系，エーテル系，ケトン系及び飽和炭化水素系等の溶媒
の中から選択され、単一でも混合された溶媒でもよい。
ただし、使用する基板を浸さない溶媒を用いるのが好ま
しい。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体を有
機溶媒に溶解した溶液を用いた記録膜層の形成方法とし
ては、塗布法，印刷法，浸漬法がある。具体的には、色
素を上記溶媒に溶解し、スプレー，ローラーコーテイン
グ，スピンコーテイング，デイツピングで行う。なお、
記録膜層形成時に、必要に応じてポリマーバインダー等
の結着材，安定剤等を添加することもできる。バインダ
ーとしては、ポリイミド樹脂，ポリアミド樹脂，ポリス
チレン樹脂，アクリル樹脂等を挙げることができるが、
これらに限定されない。

該記録層材料は、単独あるいは２種以上の組み合わせで
用いられ、２種以上の組み合わせの場合は、積層構造で
も、混合された単一層構造でもよい。記録層の膜層は50
〜10000Åの範囲が好ましく、特に100〜5000Åの範囲が
好ましい。

また、形成された記録像を光学的に再生する時、反射光
を利用することが多い。この場合にはコントラストを高
める有効な方法として、基板側から書き込み，読み出し
を行う場合は基板と反対側の記録層の表面に、高い反射
率を示す金属層を設けることもでき、基板と反対側すな
わち記録層側から書き込み，読み出しを行う場合は、基
板と記録層の間に高い反射率を示す金属層を設けること
もできる。この高反射率の金属としては、Al,Cr,Au,Pt,
Snなどが用いられる。これらの膜は、真空蒸着，スパツ
タリング，プラズマ蒸着などの公知の薄膜形成技術で形
成することができ、その膜厚は100〜10000Åの範囲で選
ばれる。

ただし、該ナフタロシアニン誘導体は、それ自身の反射
率が高く、金属反射層を設ける必要はない。

また、基板自身の表面平滑性が問題になるときは、基板
上に有機高分子の均一な膜を設けるとよい。これらのポ
リマーとしては、ポリエステル，ポリ塩化ビニルなどの
市販のポリマーが適用可能である。

さらに、最外層に保護層を設け、これにより安定性，保
護性を増し、さらに、表面反射率の低減による感度増加
を目的とする層を設けることもできる。このような保護
層に用いられる材料としては、ポリ塩化ビニリデン，ポ
リ塩化ビニル，塩化ビニリデンとアクリロニトリル共重
合体，ポリ酢酸ビニル，ポリイミド，ポリメチルメタク
リレート，ポリスチレン，ポリイソプレン，ポリブタジ
エン，ポリウレタン，ポリビニルブチラール，フツ素ゴ
ム，ポリエステル，エポキシ樹脂，シリコーン樹脂，酢
酸セルロースなどがある。これらは、単独でまたはブレ
ンドとして用いられる。保護層にシリコーンオイル，帯
電防止剤，架橋剤などを存在させることは、膜性能の強
化の点で好ましい。また、保護層は２層に重ねることも
できる。上述した保護層用の材料は、適当な溶剤に溶解
して塗布するか、薄いフイルムとしてラミネートする方
法が適用可能である。このような保護層の膜厚は0.1〜1
0μｍの厚みに設けるが、好ましくは0.1〜２μｍで用い
られる。

前記一般式（Ｉ）においてＭが、Si又はGeであるナフタ
ロシアニン誘導体を用いた光学記録媒体の製造方法が好
ましい。

前記一般式（Ｉ）においてk,l,m及びｎが全て１である
ナフタロシアニン誘導体を用いた光学記録媒体の製造方
法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロ
キシル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた光学記
録媒体の製造方法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてR¹が全て炭素数１〜22個のア
ルキル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた光学記
録媒体の製造方法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてR¹が全て置換基を有するアル
キル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた光学記録
媒体の製造方法が好ましい。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、こ
れらに制限されるものではない。

合成例１ 〔3,4−ビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼンの合
成〕 ４−ブロモ−ｏ−キシレン（75％）〔Aldrich社製〕37g
（0.2mol）及びＮ−ブロモこはく酸イミド142.4g（0.8m
ol）の四塩化炭素500ml溶液に過酸化ベンゾイル1gを加
え内部照射管（ウシオ電気工業社製）中で還流しながら
８〜12時間高圧水銀灯（100W）により光照射した。放冷
後、析出した白色結晶を吸引ろ過して除き、母液の四塩
化炭素溶液を減圧下濃縮した。得られた固体をヘキサン
／塩化メチレンより再結晶し、無色結晶として3,4−ビ
ス（ジブロモメチル）ブロモベンゼン64gを得た。3,4−
ビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼンの物性は下記に
示すものであつた。

（１）融点 108.5〜110.5℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Br 計算値（％） 19.19 1.01 79.80 分析値（％） 19.12 0.88 79.84 （３）NMRスペクトル値：CDCl₃溶媒 δ値 7.81（1H,br−ｓ） 7.57（1H,d,J＝8.54Hz） 7.50（1H,dd,J＝8.54,1.83Hz） 7.06（1H,s） 7.02（1H,s） （４）IRスペクトル（KBr法）を第１図に示す。

合成例２ 〔６−ブロモ−2,3−ジシアノナフタレンの合成〕 3,4−ビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼン100.2g
（0.2mol），フマロニトリル27g（0.346mol）の無水N,N
−ジメチルホルムアミド800ml溶液に、よくかくはんし
ながらヨウ化ナトリウム200g（0.67mol）を加え、窒素
雰囲気下約75℃で約７時間かくはんした。反応後、内容
物を約4kgの氷中へ注ぎ出した。赤かつ色水溶液が淡黄
色になるまで徐々に亜硫酸水素ナトリウムを加え、わず
かに過剰量亜硫酸水素ナトリウムを加え、しばらくかく
はんした後、室温下一晩放置した。析出した淡黄色固体
を吸引ろ過し充分に水、次にメタノールで洗浄した。淡
黄色固体をアセトン／エタノールから再結晶することに
よつて無色針状晶が33g得られた。この結晶は、下記の
分析結果から６−ブロモ−2,3−ジシアノナフタレンで
あることを確認した。

（１）融点 254.5〜255.5℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ Br 計算値（％） 56.06 1.96 10.90 31.08 分析値（％） 55.99 1.67 10.87 30.74 （３）NMRスペクトル値：CDCl₃溶媒（NMRスペクトルを
第２図に示す） δ値 8.34（1H,s） 8.27（1H,s） 8.17（1H,br−ｓ） 7.88（2H,m） （４）IRスペクトル（KBr法）を第３図に示す。

合成例３ 〔６−ブロモ−1,3−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインド
リンの合成〕 窒素雰囲気下、無水メタノール270mlに金属ナトリウム
1.92g（84mmol）を５回に分けて加えて調整したナトリ
ウムメトキシド−メタノール溶液に６−ブロモ−2,3−
ジシアノナフタレン44.1g（0.172mol）を加え、よくか
くはんしながら室温下，無水アンモニアガスを約１時間
ゆつくりとバブルした。無水アンモニアガスをバブルし
ながら約３時間還流した。冷却後、析出した黄色固体を
ろ過しメタノールで充分に洗浄し、減圧乾燥すると６−
ブロモ−1,3−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリンが
黄色固体として45g得られた。この６−ブロモ−1,3−ジ
イミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリンのIRスペクトルを第
４図に示す。６−ブロモ−1,3−ジイミノベンゾ〔ｆ〕
イソインドリンは、これ以上精製せずに次の反応に用い
た。

合成例４ 〔ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
（一般式（XXI）：ただしＭはSi,Xは塩素原子であり、
ｎは１である）の合成〕 窒素雰囲気下、６−ブロモ−1,3−ジイミノベンゾ
〔ｆ〕イソインドリン22.5g（81.8mmol）の無水テトラ
リン110ml懸濁液に無水トリ−ｎ−ブチルアミン54mlを
加え、次いで四塩化ケイ素14.4ml（0.126mol）を加えて
約３時間還流した。冷却後メタノール700mlを加え一晩
放置した。赤かつ色反応混合物をろ過しメタノールで充
分に洗浄後、減圧乾燥すると濃緑色の固体としてジクロ
ロシリコン−テトラブロモナフタロシアニン（一般式
（XXI）：ただしＭはSi,Xは塩素原子であり、ｎは１で
ある）が約20g得られた。このジクロロシリコン−テト
ラブロモナフタロシアニンは、これ以上精製せずに次の
反応に用いた。ジクロロシリコン−テトラブロモナフタ
ロシアニンのIRスペクトルを第５図に示す。電子スペク
トルを第６図に示す。

合成例５ 〔ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニ
ン（一般式（XX）：ただしＭはSi、ｎは１である）の合
成〕 ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニン9.7g
（8.6mmol）を濃硫酸250ml中に加え、約２時間かくはん
した。反応混合物を氷約800g中に注ぎ一晩放置した。析
出した沈殿をろ過し、水次いでメタノールで充分に洗浄
した後、この沈殿を濃アンモニア水180ml中で約１時間
還流した。放冷後、吸引ろ過し、水，メタノール次いで
アセトンで充分に洗浄し減圧乾燥すると、濃緑色固体と
してジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシア
ニン（一般式（XX）：ただしＭはSi、ｎは１である）が
8.7g得られた。このジヒドロキシシリコン−テトラブロ
モナフタロシアニンは、これ以上精製せずに次の反応に
用いた。ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロ
シアニンのIRスペクトルを第７図に示す。電子スペクト
ルを第８図に示す。

合成例６ 〔ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニン（一般式（VII）：ただしＭ
はSi、ｎは１であり、Ｙはトリ−ｎ−プロピルシロキシ
ル基である）の合成〕 ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
2.82g（2.6mmol）の無水β−ピコリン280ml懸濁液に窒
素雰囲気下，無水トリ−ｎ−ブチルアミン8ml（33.6mmo
l）ついでトリ−ｎ−プロピルクロロシラン7.2ml（32.8
mmol）を加え、約２時間還流した。冷却後、混合物をエ
タノール／水（1/1）600ml中へ注ぎ、よくかきまぜた後
一晩放置した。析出した沈殿をろ過し水で洗浄した。熱
クロロホルムを用いてこの沈殿のうち溶けるものだけ溶
かし出し、クロロホルム溶液を無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフイーにより精製
し、さらにクロロホルムから再結晶することにより濃緑
色結晶が0.82g得られた。この濃緑色結晶は、下記の分
析結果よりビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコ
ン−テトラブロモナフタロシアニン（一般式（VII）：
ただしＭはSi、ｎは１であり、Ｙはトリ−ｎ−プロピル
シロキシル基である）であることを確認した。

（１）融点 300℃以上 （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ Br 計算値（％） 56.50 4.45 7.99 22.78 分析値（％） 56.28 4.39 8.04 22.45 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第９図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.08（4H,br−ｓ） 10.01（4H,br−ｓ） 8.82（4H,br−ｓ） 8.54（4H,dd,J＝8.85,3.05Hz） 8.00（4H,d,J＝8.85Hz） −0.29（18H,t,J＝7.17Hz） −0.90（12H,sextet−like m） −2.08（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第10図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第11図に示す。

合成例７ 〔ビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン（一般式（VII）：ただしＭはS
i、ｎは１であり、Ｙはトリ−ｎ−ブチルシロキシル基
である）の合成〕 ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
2.82g（2.6mmol）の無水β−ピコリン280ml懸濁液に無
水トリ−ｎ−ブチルアミン8ml（33.6mmol）ついでトリ
−ｎ−ブチルクロロシラン8.8ml（32.8mmol）を加え、
約２時間還流した。放冷後、反応混合物を合成例８と同
様に処理し、クロロホルムから再結晶することによつて
濃緑色結晶を0.75g得た。この濃緑色結晶は下記の分析
結果よりビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−
テトラブロモナフタロシアニン（一般式（VII）：ただ
しＭはSi、ｎは１であり、Ｙはトリ−ｎ−ブチルシロキ
シル基である）であることを確認した。

（１）融点 300℃以上 （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ Br 計算値（％） 58.14 5.02 7.53 21.49 分析値（％） 58.36 5.11 7.51 21.03 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第12図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.09（4H,br−ｓ） 10.02（4H,br−ｓ） 8.85（4H,br−ｓ） 8.55（4H,dd,J＝8.85,3.05Hz） 8.01（4H,d,J＝8.85Hz） 0.02（30H,m） −0.99（12H,sextet−like m） −2.07（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第13図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第14図に示す。

合成例８ 〔ビス（トリ−ｎ−ヘキシルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニン（一般式（VII）：ただしＭ
はSi、ｎは１であり、Ｙはトリ−ｎ−ヘキシルシロキシ
ル基である）の合成〕 ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
2.82g（2.6mmol）の無水β−ピコリン280ml懸濁液に無
水トリ−ｎ−ブチルアミン8ml（33.6mmol）ついでトリ
−ｎ−ヘキシルクロロシラン12ml（32.8mmol）を加え、
約２時間還流した。放冷後、反応混合物を合成例８と同
様に処理し、ヘキサン／クロロホルムから再結晶するこ
とによつて濃緑色結晶を0.78g得た。この濃緑色結晶
は、下記の分析結果よりビス（トリ−ｎ−ヘキシルシロ
キシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニン（一般
式（VII）：ただしＭはSi、ｎは１であり、Ｙはトリ−
ｎ−ヘキシルシロキシル基である）であることを確認し
た。

（１）融点 298〜300℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ Br 計算値（％） 60.94 5.97 6.77 19.30 分析値（％） 60.77 5.71 6.65 19.02 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第15図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.06（4H,br−ｓ） 10.00（4H,br−ｓ） 8.83（4H,br−ｓ） 8.53（4H,dd,J＝8.85,2.44Hz） 7.99（4H,dd,J＝8.85Hz） 0.63（12H,sextet,J＝7.32Hz） 0.45（18H,t,J＝7.32Hz） 0.22（12H,quintet,J＝7.32Hz） 0.05（12H,quintet,J＝7.32Hz） −1.02（12H,quintet−like m） −2.10（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第16図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第17図に示す。

合成例９ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブロモ
ナフタロシアニン（一般式（VII）：ただしＭはSi、ｎ
は１であり、Ｙはトリエチルシロキシル基である）の合
成〕 ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
2.82g（2.6mmol）のキノリン100ml懸濁液にトリエチル
シラノール10ml（65mmol）を加え、約３時間還流した。
冷却後、反応混合物をエタノール／水（1/1）500ml中へ
注ぎ、よくかぎまぜた後一晩放置した。析出した沈殿を
ろ過しメタノール、次いでクロロホルムで充分に洗浄し
た。得られた結晶をソツクスレー抽出法でクロロホルム
を用いて洗浄したところ濃緑色結晶が2.1g得られた。こ
の濃緑色結晶は、下記の分析結果よりビス（トリエチル
シロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニン
（一般式（VII）：ただしＭはSi、ｎは１であり、Ｙは
トリエチルシロキシル基である）であることを確認し
た。

（１）融点 300℃以上 （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ Br 計算値（％） 54.64 3.82 8.50 24.23 分析値（％） 54.18 3.62 8.81 23.94 （３）NMRスペクトル値：CDCl₃ δ値 10.07（4H,br−ｓ） 10.00（4H,br−ｓ） 8.83（4H,br−ｓ） 8.54（4H,dd,J＝8.85,3.05Hz） 8.01（4H,d,J＝8.85Hz） −1.04（18H,t,J＝7.32Hz） −2.05（12H,q,J＝7.32Hz） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第18図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第19図に示す。

実施例１ 〔ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物
（100）］の合成〕 ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン140mg（0.1mmol）のキノリン10
ml及びピリジン3.2ml溶液に、オーガニツク・シンセシ
ス（Organic Syntheses），第42巻22頁記載の方法を参
考にして合成したｎ−ドデシルチオ化第１銅2.33g（8.8
mmol）を加え、160〜170℃で８時間還流した。放冷後、
内容物をメタノール200ml中に注ぎ、よくかきまぜた
後、室温下一晩放置した。析出した沈殿を吸引ろ過しメ
タノールで充分に洗浄した後、ベンゼンを用いて溶ける
ものだけ溶かし出した。ベンゼン溶液を濃縮し、アルミ
ナカラムクロマトグラフイー法を用いて分離し、クロロ
ホルム／エタノールから再結晶することにより、黄緑色
結晶が138mg（73％）得られた。この黄緑色結晶は、下
記の分析結果より、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキ
シ）シリコン−テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシ
アニン［例示化合物（100）］であることを確認した。

（１）融点 145−149℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 72.48 8.64 5.93 分析値（％） 72.61 8.65 5.87 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第20図に示
す）：CDCl₃ δ値 9.94（4H,br−ｓ） 9.89（4H,br−ｓ） 8.45（4H,d,J＝8.85Hz） 8.37（4H,br−ｓ） 7.72（4H,d,J＝8.85Hz） 3.23（8H,t,J＝7.33Hz） 1.86（8H,quintet,J＝7.33Hz） 1.56（8H,m） 1.22（64H,m） 0.81（12H,t−like m） −1.33（18H,t,J＝7.33Hz） −0.92（12H,sextet−like m） −2.13（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第21図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第22図に示す。

実施例２ 〔ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ｎ−テトラデシルチオ）ナフタロシアニン［例示化
合物（101）］の合成〕 ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン140mg（0.1mmol）のキノリン10
ml及びピリジン3.2ml溶液に、オーガニツク・シンセシ
ス（Organic Syntheses），第42巻22頁記載の方法を参
考にして合成したｎ−テトラデシルチオ化第１銅2.53g
（8.8mmol）を加え、160〜170℃で８時間還流した。放
冷後、内容物を実施例１と同様に処理したところ、黄緑
色結晶が126mg（63％）得られた。この黄緑色結晶は、
下記の分析結果よりビス（トリ−ｎ−プロピルシロキ
シ）シリコン−テトラ（ｎ−テトラデシルチオ）ナフタ
ロシアニン［例示化合物（101）］であることを確認し
た。

（１）融点 141〜143℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 73.21 8.97 5.60 分析値（％） 73.36 8.99 5.58 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第23図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.01（4H,br−ｓ） 9.96（4H,br−ｓ） 8.53（4H,d,J＝8.85Hz） 8.45（4H,br−ｓ） 7.80（4H,d,J＝8.85Hz） 3.30（8H,t,J＝7.17Hz） 1.94（8H,quintet,J＝7.17Hz） 1.64（8H,m） 1.27（80H,m） 0.87（12H,t−like m） −0.26（18H,t,J＝7.17Hz） −0.85（12H,sextet−like m） −2.06（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第24図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第25図に示す。

実施例３ 〔ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ｎ−ヘキサデシルチオ）ナフタロシアニン［例示化
合物（105）］の合成〕 ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン140mg（0.1mmol）のキノリン10
ml及びピリジン3.2ml溶液にオーガニツク・シンセシス
（Organic Syntheses），第42巻22頁記載の方法を参考
にして合成したｎ−ヘキサデシルチオ化第１銅2.82g
（8.8mmol）を加え、160〜170℃で８時間還流した。放
冷後、内容物を実施例１と同様に処理したところ、黄緑
色結晶が144mg（68％）得られた。この黄緑色結晶は、
下記の分析結果よりビス（トリ−ｎ−プロピルシロキ
シ）シリコン−テトラ（ｎ−ヘキサデシルチオ）ナフタ
ロシアニン［例示化合物（105）］であることを確認し
た。

（１）融点 130.5〜132.5℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 73.87 9.25 5.30 分析値（％） 73.91 9.33 5.35 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第26図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.02（4H,br−ｓ） 9.97（4H,br−ｓ） 8.52（4H,d,J＝8.85Hz） 8.45（4H,br−ｓ） 7.80（4H,d,J＝8.85Hz） 3.30（8H,t,J＝7.33Hz） 1.94（8H,quintet,J＝7.33Hz） 1.64（8H,m） 1.26（96H,m） 0.87（12H,t−like m） −0.25（18H,t,J＝7.33Hz） −0.84（12H,sextet−like m） −2.05（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第27図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第28図に示す。

実施例４ 〔ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物
（99）］の合成〕 ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン140mg（0.1mmol）のキノリン10
ml及びピリジン3.2ml溶液にオーガニツク・シンセシス
（Organic Syntheses），第42巻22頁記載の方法を参考
にして合成したｎ−デシルチオ化第１銅2.08g（8.8mmo
l）を加え160〜170℃で８時間還流した。放冷後、内容
物を実施例１と同様に処理したところ、黄緑色結晶が12
1mg（68％）得られた。この黄緑色結晶は下記の分析結
果よりビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−
テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合
物（99）］であることを確認した。

（１）融点 166〜169℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 71.65 8.28 6.31 分析値（％） 71.81 8.31 6.28 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第29図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.02（4H,br−ｓ） 9.97（4H,br−ｓ） 8.52（4H,d,J＝8.55Hz） 8.45（4H,br−ｓ） 7.80（4H,d,J＝8.55Hz） 3.30（8H,t,J＝7.32Hz） 1.94（8H,quintet,J＝7.32Hz） 1.64（8H,m） 1.32（48H,m） 0.90（12H,t−like m） −0.26（18H,t,J＝7.32Hz） −0.85（12H,sextet−like m） −2.05（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第30図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第31図に示す。

実施例５ 〔ビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ
（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物
（103）］の合成〕 ビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラブ
ロモナフタロシアニン142mg（0.1mmol）のキノリン10ml
及びピリジン3.2ml溶液にオーガニツク・シンセシス（O
rganic Syntheses），第42巻22頁記載の方法を参考にし
て合成したｎ−ドデシルチオ化第１銅2.33g（8.8mmol）
を加え160〜170℃で８時間還流した。放冷後、内容物を
実施例１と同様に処理したところ黄緑色結晶が114mg（5
8％）得られた。この黄緑色結晶は下記の分析結果より
ビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ
（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物
（103）］であることを確認した。

（１）融点 103〜106℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 73.04 8.89 5.68 分析値（％） 73.21 8.82 5.71 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第32図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.00（4H,br−ｓ） 9.95（4H,br−ｓ） 8.53（4H,d,J＝8.85Hz） 8.45（4H,br−ｓ） 7.80（4H,d,J＝8.85Hz） 3.31（8H,t,J＝7.33Hz） 1.93（8H,quintet,J＝7.33Hz） 1.64（8H,m） 1.30（64H,m） 0.88（12H,t−like m） 0.02（30H,m） −0.96（12H,sextet−like m） −2.06（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第33図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第34図に示す。

試験例１ ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物
（100）］を種々の溶媒に溶かし、電子スペクトルを測
定した。第21図，第35図，第36図，第37図，第38図にそ
れぞれクロロホルム中、テトラヒドロフラン中，アセト
ン中，トルエン中，ヘキサン中の電子スペクトルを示し
たが、溶媒の種類の違いによる吸収波形の変化及び溶液
の濃度による吸収波形の変化は、まつたく観測されなか
つた。

試験例２ ガラス板上にビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン
［例示化合物（100）］２重量部と1,1,2−トリクロロエ
タン98重量部から成る液をスピンコート法で塗布し、約
80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この化合物
の有機膜の透過スペクトル及び５°正反射スペクトルを
第39図及び第40図にそれぞれ示した。半導体レーザー領
域（780〜830nm）で高い光の吸収能力及び高い反射率
（〜39％）を示すことがわかつた。

比較例１ 文献〔ツエーナル・オブシエ・キミ（Zhurnal Obshchei
Khimii），第42巻696頁,1972年〕記載の方法により合
成したバナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニ
ンをクロロホルム溶液中で電子スペクトルを測定した図
を第41図に、ベンゼン溶液中で測定したものを第42図に
示したようにこの化合物では、溶媒の種類及び濃度が変
化すると吸収波形が変化し、高濃度になるほど80nm付近
の吸収が低下し720〜730nmの吸収が大きくなることが観
測された。

バナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニン。

比較例２ ガラス板上に、比較例１で用いたバナジル−テトラ（ｔ
−ブチル）ナフタロシアニンを試験例２と同様にして有
機膜を形成し、この透過スペクトル（第43図）及び５°
正反射スペクトル（第44図）を測定した。半導体レーザ
領域（780〜830nm）であまり高い光の吸収能力及び反射
率（20％以下）を示さなかつた。

試験例３ ガラス板上に例示したナフタロシアニン誘導体（12
7），（99），（102）をそれぞれ、１重量部とテトラヒ
ドロフラン99重量部から成る液をスピンコート法で塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。これ
らの化合物の有機膜の透過スペクトル及び５°正反射ス
ペクトルを第45図及び第46図にそれぞれまとめて示し
た。半導体レーザー領域（780〜830nm）で高い光の吸収
能力及び高い反射率（40％以上）を示すことがわかつ
た。

試験例４ ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（9
9）］の溶解度は、次のようにして測定した。2mlのサン
プル管にビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン
−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン100mg及
び溶媒0.5mlを添加、密栓後40℃で15分間超音波振盪
し、次いで室温下一晩放置した後、ろ過した。ろ紙上の
残渣を集め減圧乾燥後、最初に用いた量から残渣量を差
し引いた値から溶解度を求めた。

ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニンの種々の溶媒に対
する溶解度 実施例６ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−
デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（127）］
の合成〕 ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブロモナ
フタロシアニン132mg（0.1mmol）のキノリン10ml及びピ
リジン3.2ml溶液にオーガニツク・シンセシス（Organic
Syntheses），第42巻22頁記載の方法を参考にして合成
したｎ−デシルチオ化第１銅2.08g（8.8mmol）を加え16
0〜170℃で８時間還流した。放冷後、内容物を実施例と
同様に処理したところ黄緑色結晶が126mg（75％）得ら
れた。この黄緑色結晶は下記の分析結果よりビス（トリ
エチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ）
ナフタロシアニン［例示化合物（127）］であることを
確認した。

（１）融点 278〜280℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 70.96 7.98 6.62 分析値（％） 70.68 7.82 6.75 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第47図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.02（4H,br−ｓ） 9.97（4H,br−ｓ） 8.53（4H,d,J＝8.85Hz） 8.45（4H,br−ｓ） 7.81（4H,dd,J＝8.85,1.83Hz） 3.29（8H,t,J＝7.33Hz） 1.93（8H,quintet,J＝7.33Hz） 1.64（8H,m） 1.33（48H,m） 0.90（12H,t−like m） −1.01（18H,t,J＝7.94Hz） −2.07（12H,q,J＝7.94Hz） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第48図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第49図に示す。

実施例７ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−
ドデシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（95）］
の合成〕 ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブロモナ
フタロシアニン132mg（0.1mmol）のキノリン10ml及びピ
リジン3.2ml溶液にオーガニツク・シンセシス（Organic
Syntheses），第42巻22頁記載の方法を参考にして合成
したｎ−ドデシルチオ化第１銅2.33g（8.8mmol）を加え
160〜170℃で８時間還流した。放冷後、内容物を実施例
と同様に処理したところ黄緑色結晶が93mg（52％）得ら
れた。この黄緑色結晶は下記の分析結果よりビス（トリ
エチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ドデシルチ
オ）ナフタロシアニン［例示化合物（95）］であること
を確認した。

（１）融点 261〜263℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 71.87 8.38 6.21 分析値（％） 71.92 8.13 6.09 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第50図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.02（4H,br−ｓ） 9.97（4H,br−ｓ） 8.53（4H,d,J＝8.85Hz） 8.45（4H,br−ｓ） 7.81（4H,dd,J＝8.85,1.83Hz） 3.29（8H,t,J＝7.33Hz） 1.93（8H,quintet,J＝7.33Hz） 1.64（8H,m） 1.30（64H,m） 0.88（12H,t−like m） −1.02（18H,t,J＝7.94Hz） −2.07（12H,q,J＝7.94Hz） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第51図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第52図に示す。

実施例８ 〔ビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ
（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（10
2）］の合成〕 ビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラブ
ロモナフタロシアニン142mg（0.1mmol）のキノリン10ml
及びピリジン3.2ml溶液にオーガニツク・シンセシス（O
rganic Syntheses），第42巻22頁記載の方法を参考にし
て合成したｎ−デシルチオ化第１銅2.08g（8.8mmol）を
加え160〜170℃で８時間還流した。放冷後、内容物を実
施例と同様に処理したところ黄緑色結晶が112mg（63
％）得られた。この黄緑色結晶は下記の分析結果よりビ
ス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ
−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（10
2）］であることを確認した。

（１）融点 122〜123℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 72.28 8.56 6.02 分析値（％） 72.07 8.32 6.28 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第53図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.00（4H,br−ｓ） 9.95（4H,br−ｓ） 8.53（4H,d,J＝8.85Hz） 8.45（4H,br−ｓ） 7.80（4H,dd,J＝8.55,1.53Hz） 3.31（8H,t,J＝7.33Hz） 1.93（8H,quintet,J＝7.33Hz） 1.64（8H,m） 1.33（48H,m） 0.90（12H,t−like m） 0.02（30H,m） −0.96（12H,sextet−like m） −2.06（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第54図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第55図に示す。

実施例９ 〔ビス（トリ−ｎ−ヘキシルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物
（167）］の合成〕 ビス（トリ−ｎ−ヘキシルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン166mg（0.1mmol）のキノリン10
ml及びピリジン3.2ml溶液にオーガニツク・シンセシス
（Organic Syntheses），第42巻22頁記載の方法を参考
にして合成したｎ−ドデシルチオ化第１銅2.33g（8.8mm
ol）を加え160〜170℃で８時間還流した。放冷後、内容
物を実施例と同様に処理したところ緑色の油状物が89mg
（42％）得られた。この緑色油状物は、下記の分析結果
よりビス（トリ−ｎ−ヘキシルシロキシ）シリコン−テ
トラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合
物（167）］であることを確認した。

（１）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 74.03 9.32 5.23 分析値（％） 73.91 9.18 5.46 （２）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第56図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.00（4H,br−ｓ） 9.95（4H,br−ｓ） 8.52（4H,d,J＝8.85Hz） 8.46（4H,br−ｓ） 7.81（4H,dd,J＝8.55,1.52Hz） 3.29（8H,t,J＝7.32Hz） 1.92（8H,quintet,J＝7.32Hz） 1.63（8H,m） 1.30（64H,m） 0.88（12H,t−like m） 0.63（12H,sextet,J＝7.32Hz） 0.44（18H,t,J＝7.32Hz） 0.23（12H,quintet,J＝7.32Hz） 0.07（12H,quintet,J＝7.32Hz） −0.99（12H,quintet−like m） −2.07（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第57図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第58図に示す。

実施例10 〔ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラキス〔２−（２′−エチルヘキシルオキシカルボニ
ル）エチルチオ〕ナフタロシアニン［例示化合物（14
3）］の合成〕 ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン140mg（0.1mmol）のキノリン10
ml及びピリジン3.2ml溶液にオーガニツク・シンセシス
（Organic Syntheses），第42巻22頁記載の方法を参考
にして合成した２−（２′−エチルヘキシルオキシカル
ボニル）エチルチオ化第１銅2.47g（8.8mmol）を加え16
0〜170℃で８時間還流した。放冷後、内容物を実施例と
同様に処理したところ黄緑色結晶が46mg（24％）得られ
た。この黄緑色結晶は下記の分析結果よりビス（トリ−
ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラキス〔２−
（２′−エチルヘキシルオキシカルボニル）エチルチ
オ〕ナフタロシアニン［例示化合物（143）］であるこ
とを確認した。

（１）融点 125〜127℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 67.65 7.54 5.74 分析値（％） 67.89 7.42 5.65 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第59図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.04（4H,br−ｓ） 10.00（4H,br−ｓ） 8.57（4H,d,J＝8.85Hz） 8.53（4H,br−ｓ） 7.84（4H,d,J＝8.85Hz） 4.14（8H,d,J＝5.80Hz） 3.56（8H,t,J＝7.33Hz） 2.93（8H,t,J＝7.33Hz） 0.7〜1.8（36H,m） 0.94（24H,m） −0.27（18H,t,J＝7.33Hz） −0.87（12H,sextet−like m） −2.08（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第60図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第61図に示す。

実施例11 ｛ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラキス〔２−（２′,2′,4′,4′−テトラメチルペンチ
ルオキシカルボニル）エチルチオ〕ナフタロシアニン
［例示化合物（146）］の合成｝ ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン140mg（0.1mmol）のキノリン10
ml及びピリジン3.2ml溶液にオーガニツク・シンセシス
（Organic Syntheses），第42巻22頁記載の方法を参考
にして合成した２−（２′,2′,4′,4′−テトラメチル
ペンチルオキシカルボニル）エチルチオ化第１銅2.59g
（8.8mmol）を加え160〜170℃で８時間還流した。放冷
後、内容物を実施例と同様に処理したところ黄緑色結晶
が52mg（26％）得られた。この黄緑色結晶は、下記の分
析結果よりビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコ
ン−テトラキス〔２−（２′,2′,4′,4′−テトラメチ
ルペンチルオキシカルボニル）エチルチオ〕ナフタロシ
アニン［例示化合物（146）］であることを確認した。

（１）融点 131〜133℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 68.15 7.73 5.58 分析値（％） 68.13 7.65 5.37 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第62図に示
す）：CDCl₃ δ値 10.05（4H,br−ｓ） 10.01（4H,br−ｓ） 8.57（4H,d,J＝8.55Hz） 8.54（4H,br−ｓ） 7.84（4H,d,J＝8.55Hz） 4.24（8H,t,J＝6.56Hz） 3.57（8H,t,J＝7.33Hz） 2.93（8H,t,J＝7.33Hz） 1.01（8H,d,J＝5.5Hz） 0.94（60H,br−ｓ） −0.26（18H,t,J＝7.33Hz） −0.85（12H,sextet−like m） −2.06（12H,t−like m） （４）電子スペクトル（CHCl₃溶液）を第63図に示す。

（５）IRスペクトル（KBr法）を第64図に示す。

実施例12 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、例示したナフタロシアニン誘導体（１）１重量
部とクロロホルム99重量部からなる液をスピンコート法
で塗布し、約80℃で約15分間乾燥し、記録層を形成し
た。この記録層の厚さは、タリステツプによる測定で、
約1000Åであつた。このようにした作つた光学記録媒体
を記録層を上にしてターンテーブルに乗せ、900rpmの速
度で回転させながら830nmの発振波長と基板面での出力
が6mWを有する半導体レーザーを装備した光学ヘツドを
用いて光学記録媒体の下側つまり基板側からレーザービ
ームがポリメチルメタクリレート樹脂板を通して記録層
に集光するように制御しながら、中心から半径40〜60mm
の間で2MHzのパルス信号の記録を行つた。次に同じ装置
を用いて半導体レーザーの基板面での出力を0.7mWにし
て同じようにしながら、記録した信号の再生を行つた。
この時のC/N比は、56dBで極めて良好な信号の書き込み
と読み出しが行えた。

実施例13 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（15）のクロロ
ホルム溶液を実施例１と同様にスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約1500Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして記録・再生を行つたところ、C/N比は、58d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例14 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（30）を実施例
１と同様にクロロホルム溶液としてスピンコート法で塗
布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約1200
Åであつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例
１と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比
は59dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例15 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（40）を実施例
１と同様にクロロホルム溶液としてスピンコート法で塗
布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約1300Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は6
0dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例16 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（53）を実施例
１と同様にクロロホルム溶液としてスピンコート法で塗
布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約1100
Åであつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例
１と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比
は57dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例17 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（79）を実施例
１と同様にクロロホルム溶液としてスピンコート法で塗
布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約1500
Åであつた。このようにして作つた光学記録媒体を実施
例１と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N
比は、59dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが
行えた。

実施例18 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、例示したナフタロシアニン誘導体（87）を実施
例１と同様クロロホルム溶液としてスピンコート法で塗
布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約1200
Åであつた。このようにして作つた光学記録媒体を実施
例１と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N
比は55dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行
えた。

実施例19 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（94）を実施例
１と同様にクロロホルム溶液としてスピンコート法で塗
布し記録層を形成した。この記録層の厚みは約1300Åで
あつた。このようにして作つた光学記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
8dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例20 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（95）を実施例
１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約600Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は53d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例21 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（96）を実施例
１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約700Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
1dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例22 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（97）を実施例
１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約600Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は52d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例23 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（98）を実施例
１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約600Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
3dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例24 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（99）を実施例
１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約700Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は54d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例25 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（100）を実施
例１と同様にトルエン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約700Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
0dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例26 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（101）を実施
例１と同様にトルエン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約600Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は51d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例27 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（102）を実施
例１と同様にテトラヒドロフラン溶液としてスピンコー
ト法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚み
は、約700Åであつた。このようにして作つた光記録媒
体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行つたと
ころC/N比は52dBで極めて良好な信号の書き込みと読み
出しが行えた。

実施例28 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（103）を実施
例１と同様にテトラヒドロフラン溶液としてスピンコー
ト法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは
約600Åであつた。このようにして作つた光記録媒体を
実施例１と同様にして信号の記録・再生を行つたところ
C/N比は51dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出し
が行えた。

実施例29 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（105）を実施
例１と同様に1,1,2−トリクロロエタン溶液としてスピ
ンコート法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは、約1100Åであつた。このようにして作つた光記
録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行つ
たところC/N比は53dBで極めて良好な信号の書き込みと
読み出しが行えた。

実施例30 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（113）を実施
例１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約700Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は50d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例31 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（114）を実施
例１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚さは、約600Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
1dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例32 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（120）を実施
例１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約600Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は51d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例33 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（127）を実施
例１と同様に1,1,2−トリクロロエタン溶液としてスピ
ンコート法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは、約1100Åであつた。このようにして作つた光記
録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行つ
たところC/N比は54dBで極めて良好な信号の書き込みと
読み出しが行えた。

実施例34 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（130）を実施
例１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約700Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は52d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例35 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（131）を実施
例１と同様にトルエン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚さは、約600Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
1dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例36 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（132）を実施
例１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約600Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は53d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例37 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（133）を実施
例１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約700Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
2dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例38 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（134）を実施
例１と同様にトルエン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約700Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は52d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例39 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（136）を実施
例１と同様にテトラヒドロフラン溶液としてスピンコー
ト法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚み
は、約800Åであつた。このようにして作つた光記録媒
体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行つたと
ころC/N比は53dBで極めて良好な信号の書き込みと読み
出しが行えた。

実施例40 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（139）を実施
例１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約700Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は51d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例41 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（140）を実施
例１と同様にトルエン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約600Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
2dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例42 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（141）を実施
例１と同様にテトラヒドロフラン溶液としてスピンコー
ト法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは
約700Åであつた。このようにして作つた光記録媒体を
実施例１と同様にして信号の記録・再生を行つたところ
C/N比は54dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出し
が行えた。

実施例43 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（142）を実施
例１と同様にトルエン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約600Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
2dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例44 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（145）を実施
例１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約800Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は51d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例45 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（148）を実施
例１と同様にテトラヒドロフラン溶液としてスピンコー
ト法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚み
は、約600Åであつた。このようにして作つた光記録媒
体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行つたと
ころC/N比は50dBで極めて良好な信号の書き込みと読み
出しが行えた。

実施例46 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（149）を実施
例１と同様にトルエン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約600Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は52d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例47 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（151）を実施
例１と同様に1,1,2−トリクロロエタン溶液としてスピ
ンコート法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは、約1000Åであつた。このようにして作つた光記
録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行つ
たところC/N比は53dBで極めて良好な信号の書き込みと
読み出しが行えた。

実施例48 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（154）を実施
例１と同様にブタノール溶液としてスピンコート法で塗
布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約800Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
2dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例49 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（156）を実施
例１と同様にブタノール溶液としてスピンコート法で塗
布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約700
Åであつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例
１と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比
は51dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例50 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（158）を実施
例１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約700Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は53d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例51 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（160）を実施
例１と同様に1,1,2−トリクロロエタン溶液としてスピ
ンコート法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは、約800Åであつた。このようにして作つた光記
録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行つ
たところC/N比は50dBで極めて良好な信号の書き込みと
読み出しが行えた。

実施例52 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（162）を実施
例１と同様にトルエン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約600Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は51d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例53 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（164）を実施
例１と同様にトルエン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約700Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
2dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例54 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（165）を実施
例１と同様にキシレン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約600Åで
あつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は50d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例55 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に例示したナフタロシアニン誘導体（166）を実施
例１と同様にトルエン溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約700Å
であつた。このようにして作つた光記録媒体を実施例１
と同様にして信号の記録・再生を行つたところC/N比は5
3dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

比較例３ 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、OVN_C(t-C₄H₉)₄を実施例１と同様にクロロホル
ム溶液としてスピンコート法で塗布し、記録層を形成し
た。この記録層の厚さは約1000Åであつた。この記録材
を実施例１と同様にして、記録・再生を行つたところ、
C/N比は49dBであまり良好な信号の書き込みと読み出し
が行えなかつた。

実施例56 先に例示したナフタロシアニン誘導体（95）をキシレン
に溶解し、１％の溶液を調製し、回転塗布法にて、厚さ
1.2mmのガラス基板上に700Åの記録膜層を形成した。こ
のようにして形成された記録媒体に波長830nmの半導体
レーザーをガラス基板側から照射し、記録特性を評価し
たところ、ビーム径1.6μm,線速6.5m/秒,6.4mWで記録が
可能であつた。一方、再生劣化に対する安定性を評価す
るべく、0.5mWの読み出し光をくり返し照射したが、10⁶
回くり返しても反射率変化が生じなかつた。

比較例４ シアニン系色素NK−2905（日本感光色素研究所製）をジ
クロロエタンに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板
上、厚さ500Åの記録膜層を得た。この記録媒体に実施
例と同様にしてレーザー光を照射したところ、4.8mWで
記録が可能であつた。しかし、再生劣化に対する安定性
を評価したところ、くり返し照射回数４×10⁴回付近か
ら、反射率が低下しはじめ、10⁶回照射後では、初期反
射率の70％まで低下した。

実施例57 例示したナフタロシアニン誘導体（131）をキシレンに
溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ700Å
の記録膜層を得た。この記録媒体に波長830nmの半導体
レーザーをガラス基板側から照射し、記録特性を評価し
たところ、ビーム径1.6μm,線速度6.5m/秒,6.9mWで記録
が可能であつた。一方、再生劣化に対する安定性を評価
するべく、0.5mWの読み出し光をくり返し照射したが、1
0⁶回くり返しても反射率が生じなかつた。

実施例58 例示したナフタロシアニン誘導体（133）をキシレンに
溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ900Å
の記録膜層を得た。この記録媒体に実施例と同様にして
レーザー光を照射したところ、6.6mWで記録が可能であ
つた。また、再生劣化に対する安定性を同様に評価した
ところ、10⁶回くり返し照射しても反射率変化が生じな
かつた。

実施例59 ガラス基板に、例示したナフタロシアニン誘導体（13
3）及びポリスチレンを1:1の割合でトルエンに溶解し、
回転塗布法により厚さ1500Åの記録膜層を得た。この記
録媒体に実施例と同様にしてレーザー光を照射したとこ
ろ、9.6mWで記録が可能であつた。また、再生劣化に対
する安定性も同様に評価したところ、10⁶回くり返し照
射しても反射率変化が生じなかつた。

実施例60 例示したナフタロシアニン誘導体（138）をトルエンに
溶解し、回転塗布法にて、厚さ1.2mmのガラス基板上に
厚さ700Åの記録膜層を形成した。この記録媒体に波長8
30nmの半導体レーザーをガラス基板側から照射し、記録
特性を評価したところ、ビーム径1.6μm,線速度7.5m/
秒,4.6mWで記録が可能であつた。一方、再生劣化に対す
る安定性を評価するべく、0.5mWの読み出し光をくり返
し照射したが、10⁶回くり返しても反射率変化が生じな
かつた。

比較例５ シアニン色素NK−2873（日本感光色素研究所製）をジク
ロロエタンに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板
上、厚さ500Åの記録膜層を得た。この記録媒体に実施
例と同様にしてレーザー光を照射したところ、5.2mWで
記録が可能であつた。しかし、再生劣化に対する安定性
を評価したところ、くり返し照射回数が５×10⁴回付近
から、反射率が低下しはじめ、10⁶回照射後では、初期
反射率の70％まで低下した。

実施例61 例示したナフタロシアニン誘導体（141）をジクロロエ
タンに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上500Å
の記録膜層を得た。この記録媒体に実施例と同様にして
レーザー光を照射したところ、4.4mWで記録が可能であ
つた。また、再生劣化に対する安定性を評価したとこ
ろ、10⁶回くり返し照射しても反射率変化が生じなかつ
た。

実施例62 例示したナフタロシアニン誘導体（144）をトルエンに
溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ500Å
の記録膜層を得た。この記録媒体に実施例と同様にして
レーザー光を照射したところ、4.9mWで記録が可能であ
つた。また、再生劣化に対する安定性を評価したとこ
ろ、10⁶回くり返し照射しても反射率変化が生じなかつ
た。

実施例63 例示したナフタロシアニン誘導体（147）をトルエンに
溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ400Å
の記録膜層を得た。この記録媒体に実施例と同様にして
レーザー光を照射したところ、4.2mWで記録が可能であ
つた。また、再生劣化に対する安定性を同時に評価した
ところ、10⁶回くり返し照射しても反射率変化が生じな
かつた。

実施例64 10nmのTiキレート表面保護層を有する厚さ1.2mmのポリ
カーボネート基板に、例示したナフタロシアニン誘導体
（150）のトルエン溶液をスピンナー塗布し、厚さ600Å
の記録膜層を得た。実施例と同様にして、線速度5m/秒
で評価したところ、7.4mWで記録が可能であつた。ま
た、再生劣化に対する安定性を同時に評価したところ、
10⁶回くり返し照射しても反射率変化が生じなかつた。

実施例65 例示したナフタロシアニン誘導体（152）とポリスチレ
ンの2:1混合物をメチルエチルケトンに溶解し、ガラス
基板上、厚さ600Åの記録膜層を得た。実施例と同様に
して評価したところ、記録感度4.8mW、再生劣化10⁶回以
上という結果を得た。

実施例66 例示したナフタロシアニン誘導体（154）をブタノール
に溶解し、0.8重量％の溶液を調製した。次いで回転塗
布法にて、厚さ1.2mmのガラス基板上に400Åの記録層を
得た。この記録媒体に波長830nmの半導体レーザーをガ
ラス基板側から照射し、記録特性を評価したところ、1/
e²ビーム径1.6μm,線速度7.6m/s,7.8mWで記録が可能で
あつた。一方、再生劣化に対する安定性を評価するべ
く、0.5mWの読み出し光をくり返し照射したが、10⁶回く
り返しても反射率変化が生じなかつた。

実施例67 例示したナフタロシアニン誘導体（156）をブタノール
に溶解し、1.0重量％の溶液を調製し、回転塗布法にて
厚さ1.2mmのガラス基板上に600Åの記録層を得た。この
記録媒体に波長830nmの半導体レーザー光を基板側から
照射し、記録特性を評価したところ、1/e²ビーム径1.6
μm,線速度7.6m/s,8.6mWで記録が可能であつた。一方、
再生劣化に対する安定性を評価するべく、0.5mWの読み
出し光をくり返し照射したが、10⁶回くり返しても反射
率変化が生じなかつた。

実施例68 例示したナフタロシアニン誘導体（158）とポリスチレ
ンの2:1混合物を1,1,2−トリクロロエタンに溶解し、厚
さ1.2mmのガラス基板上に、回転塗布法にて厚さ800Åの
記録層を得た。この記録媒体に波長830nmの半導体レー
ザー光を基板側から照射し、記録特性を評価したとこ
ろ、線速度8m/s,6mWで記録が可能であつた。また、0.5m
Wの読み出し光をくり返し照射したが、10⁶回くり返し照
射しても反射率変化が生じなかつた。

〔発明の効果〕

発明によつて新規なナフタロシアニン誘導体が提供さ
れ、この化合物は光学記録媒体の記録層材料，光電変換
材料，液晶表示材料等に有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、3,4−ビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼ
ンのIRスペクトルである。第２図は、６−ブロモ−2,3
−ジシアノナフタレンのNMRスペクトルである。第３図
は、６−ブロモ−2,3−ジシアノナフタレンのIRスペク
トルである。第４図は、６−ブロモ−1,3−ジイミノベ
ンゾ〔ｆ〕イソインドリンのIRスペクトル（KBr法）で
ある。第５図は、ジクロロシリコン−テトラブロモナフ
タロシアニンのIRスペクトル（KBr法）である。第６図
は、ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
の電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）である。
第７図は、ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタ
ロシアニンのIRスペクトル（KBr法）である。第８図
は、ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシア
ニンの電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）であ
る。第９図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シ
リコン−テトラブロモナフタロシアニンのNMRスペクト
ルである。第10図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキ
シ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニンの電子ス
ペクトルである。第11図は、ビス（トリ−ｎ−プロピル
シロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニンの
IRスペクトルである。第12図は、ビス（トリ−ｎ−ブチ
ルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニン
のNMRスペクトルである。第13図は、ビス（トリ−ｎ−
ブチルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシア
ニンの電子スペクトルである。第14図は、ビス（トリ−
ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロ
シアニンのIRスペクトルである。第15図は、ビス（トリ
−ｎ−ヘキシルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフ
タロシアニンのNMRスペクトルである。第16図は、ビス
（トリ−ｎ−ヘキシルシロキシ）シリコン−テトラブロ
モナフタロシアニンの電子スペクトルである。第17図
は、ビス（トリ−ｎ−ヘキシルシロキシ）シリコン−テ
トラブロモナフタロシアニンのIRスペクトルである。第
18図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニンの電子スペクトルである。第19
図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブ
ロモナフタロシアニンのIRスペクトルである。第20図
は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テ
トラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンのNMRスペ
クトルである。第21図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシ
ロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタ
ロシアニンの電子スペクトルである。第22図は、ビス
（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ
−ドデシルチオ）ナフタロシアニンのIRスペクトルであ
る。第23図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シ
リコン−テトラ（ｎ−テトラデシルチオ）ナフタロシア
ニンのNMRスペクトルである。第24図は、ビス（トリ−
ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−テトラ
デシルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクトルであ
る。第25図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シ
リコン−テトラ（ｎ−テトラデシルチオ）ナフタロシア
ニンのIRスペクトルである。第26図は、ビス（トリ−ｎ
−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ヘキサデ
シルチオ）ナフタロシアニンのNMRスペクトルである。
第27図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコ
ン−テトラ（ｎ−ヘキサデシルチオ）ナフタロシアニン
の電子スペクトルである。第28図は、ビス（トリ−ｎ−
プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ヘキサデシ
ルチオ）ナフタロシアニンのIRスペクトルである。第29
図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−
テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニンのNMRスペ
クトルである。第30図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシ
ロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロ
シアニンの電子スペクトルである。第31図は、ビス（ト
リ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デ
シルチオ）ナフタロシアニンのIRスペクトルである。第
32図は、ビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−
テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンのNMRス
ペクトルである。第33図は、ビス（トリ−ｎ−ブチルシ
ロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタ
ロシアニンの電子スペクトルである。第34図は、ビス
（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−
ドデシルチオ）ナフタロシアニンのIRスペクトルであ
る。第35図は、テトラヒドロフラン中でのビス（トリ−
ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ドデシ
ルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクトルである。第
36図は、アセトン中でのビス（トリ−ｎ−プロピルシロ
キシ）シリコン−テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロ
シアニンの電子スペクトルである。第37図は、トルエン
中でのビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−
テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンの電子ス
ペクトルである。第38図は、ヘキサン中でのビス（トリ
−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ドデ
シルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクトルである。
第39図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコ
ン−テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンのス
ピンコート膜の透過スペクトルである。第40図は、ビス
（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ
−ドデシルチオ）ナフタロシアニンのスピンコート膜の
５°正反射スペクトルである。第41図は、バナジル−テ
トラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのクロロホルム溶
液中での電子スペクトルで、（ａ）は2.37×10^-6Ｍ濃
度，（ｂ）は1.89×10^-5Ｍ濃度である。第42図は、バナ
ジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのベンゼ
ン溶液中（9.5×10^-6Ｍ濃度）での電子スペクトルであ
る。第43図は、バナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタ
ロシアニンのスピンコート膜の透過スペクトルである。
第44図は、バナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシ
アニンのスピンコート膜の５°正反射スペクトルであ
る。第45図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−
テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合
物（127）］（…），ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキ
シ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシア
ニン［例示化合物（99）］（…），ビス（トリ−ｎ−ブ
チルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナ
フタロシアニン［例示化合物（102）］（−）のスピン
コート膜の透過スペクトルである。第46図は、ビス（ト
リエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチ
オ）ナフタロシアニン［例示化合物（127）］（…），
ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（9
9）］（…），ビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例
示化合物（102）］（−）のスピンコート膜の５°正反
射スペクトルである。第47図は、ビス（トリエチルシロ
キシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシ
アニンのNMRスペクトルである。第48図は、ビス（トリ
エチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ）
ナフタロシアニンの電子スペクトルである。第49図は、
ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デ
シルチオ）ナフタロシアニンのIRスペクトルである。第
50図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ
（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンのNMRスペクト
ルである。第51図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンの
電子スペクトルである。第52図は、ビス（トリエチルシ
ロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタ
ロシアニンのIRスペクトルである。第53図は、ビス（ト
リ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシ
ルチオ）ナフタロシアニンのNMRスペクトルである。第5
4図は、ビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−
テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニンの電子スペ
クトルである。第55図は、ビス（トリ−ｎ−ブチルシロ
キシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシ
アニンのIRスペクトルである。第56図は、ビス（トリ−
ｎ−ヘキシルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ドデシ
ルチオ）ナフタロシアニンのNMRスペクトルである。第5
7図は、ビス（トリ−ｎ−ヘキシルシロキシ）シリコン
−テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンの電子
スペクトルである。第58図は、ビス（トリ−ｎ−ヘキシ
ルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ドデシルチオ）ナ
フタロシアニンのIRスペクトルである。第59図は、ビス
（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラキス
〔２−（２′−エチルヘキシルオキシカルボニル）エチ
ルチオ〕ナフタロシアニンのNMRスペクトルである。第6
0図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン
−テトラキス〔２−（２′−エチルヘキシルオキシカル
ボニル）エチルチオ〕ナフタロシアニンの電子スペクト
ルである。第61図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキ
シ）シリコン−テトラキス〔２−（２′−エチルヘキシ
ルオキシカルボニル）エチルチオ〕ナフタロシアニンの
IRスペクトルである。第62図は、ビス（トリ−ｎ−プロ
ピルシロキシ）シリコン−テトラキス〔２−（２′,
2′,4′,4′−テトラメチルペンチルオキシカルボニ
ル）エチルチオ〕ナフタロシアニンのNMRスペクトルで
ある。第63図は、ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）
シリコン−テトラキス〔２−（２′,2′,4′,4′−テト
ラメチルペンチルオキシカルボニル）エチルチオ〕ナフ
タロシアニンの電子スペクトルである。第64図は、ビス
（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラキス
〔２−（２′,2′,4′,4′−テトラメチルペンチルオキ
シカルボニル）エチルチオ〕ナフタロシアニンのIRスペ
クトルである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 信行 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 萩原 秀雄 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 片寄 光雄 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 上島 浩一 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 秋元 孝幸 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 恵良 進 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 小林 節郎 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 向尾 昭夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式（Ｉ） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し、同一でも
   相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
   り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
   リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
   相異してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリー
   ルオキシル基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシ
   ル基，トリアリールシロキシル基，トリアルコキシシロ
   キシル基，トリアリールオキシシロキシル基，トリチル
   オキシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一
   でも相違してもよい］で表わされるナフタロシアニン誘
   導体。
2. 【請求項２】一般式（Ｉ）において、ＭがSi又はGeであ
   る請求項１記載のナフタロシアニン誘導体。
3. 【請求項３】一般式（Ｉ）において、k,l,m及びｎが全
   て１である請求項１又は２記載のナフタロシアニン誘導
   体。
4. 【請求項４】一般式（Ｉ）において、２個のＹがトリア
   ルキルシロキシル基である請求項1,2又は３記載のナフ
   タロシアニン誘導体。
5. 【請求項５】一般式（Ｉ）においてR¹が全て炭素数１〜
   22個のアルキル基である請求項1,2,3又は４記載のナフ
   タロシアニン誘導体。
6. 【請求項６】一般式（Ｉ）においてR¹が全て置換基を有
   するアルキル基である請求項1,2,3又は４記載のナフタ
   ロシアニン誘導体。
7. 【請求項７】一般式（II） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し、同一でも
   相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
   り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
   リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
   相異してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示す］で表わされ
   るナフタロシアニン誘導体を一般式（III） (R²)₃SiCl （III） で表わされるクロロシラン、一般式（IV） (R³)₃SiOH （IV） ［ただし、式（III）及び（IV）中、R²及びR³は、それ
   ぞれ、アルキル基，アリール基，アルコキシル基又はア
   リールオキシル基である］で表わされるシラノール、一
   般式（Ｖ） R⁴OH （Ｖ） ［ただし、式中R⁴は、アルキル基又はアリール基であ
   る］で表わされるアルコール又は一般式（VI） R⁵CO・X （VI） ［ただし、式中R⁵はアルキル基、Ｘはハロゲン原子，ヒ
   ドロキシル基又はアシロキシル基である］で表わされる
   化合物と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し、同一でも
   相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
   り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
   リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
   相異してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリー
   ルオキシル基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシ
   ル基，トリアリールシロキシル基，トリアルコキシシロ
   キシル基，トリアリールオキシシロキシル基，トリチル
   オキシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一
   でも相違してもよい］で表わされるナフタロシアニン誘
   導体の製造法。
8. 【請求項８】一般式（VII） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し、同一でも
   相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
   り、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリールオキシル
   基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシル基，トリ
   アリールシロキシル基，トリアルコキシシロキシル基，
   トリアリールオキシシロキシル基，トリチルオキシル基
   又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一でも相違し
   てもよい］で表わされるナフタロシアニン誘導体を、一
   般式（VIII） CuSR¹ （VIII） ［ただし、式中R¹は、アルキル基，置換基を有するアル
   キル基又はアリール基である］で表わされる銅（Ｉ）チ
   オレートと反応させることを特徴とする一般式（Ｉ） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し、同一でも
   相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
   り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
   リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
   相異してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリー
   ルオキシル基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシ
   ル基，トリアリールシロキシル基，トリアルコキシシロ
   キシル基，トリアリールオキシシロキシル基，トリチル
   オキシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一
   でも相違してもよい］で表わされるナフタロシアニン誘
   導体の製造法。
9. 【請求項９】一般式（II），一般式（VII）及び一般式
   （Ｉ）において、ＭがSi又はGeである請求項７又は８記
   載のナフタロシアニン誘導体の製造法。
10. 【請求項１０】一般式（II），一般式（VII）及び一般
    式（Ｉ）において、k,l,m及びｎが全て１である請求項
    7,8又は９記載のナフタロシアニン誘導体の製造法。
11. 【請求項１１】一般式（III）及び一般式（IV）におい
    て、R²及びR³がアルキル基であり、一般式（VII）及び
    一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロキシ
    ル基である請求項7,8,9又は10記載のナフタロシアニン
    誘導体の製造法。
12. 【請求項１２】一般式（II），一般式（VIII）及び一般
    式（Ｉ）において、R¹が全て炭素数１〜22個のアルキル
    基である請求項7,8,9,10又は11記載のナフタロシアニン
    誘導体の製造法。
13. 【請求項１３】一般式（II），一般式（VIII）及び一般
    式（Ｉ）において、R¹が全て置換基を有するアルキル基
    である請求項7,8,9,10又は11記載のナフタロシアニン誘
    導体の製造法。
14. 【請求項１４】基板表面に、一般式（Ｉ） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し同一でも相
    違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
    り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
    リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
    相異してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリー
    ルオキシル基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシ
    ル基，トリアリールシロキシル基，トリアルコキシシロ
    キシル基，トリアリールオキシシロキシル基，トリチル
    オキシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一
    でも相違してもよい］で表わされるナフタロシアニン誘
    導体を主成分とする記録膜層が形成されていることを特
    徴とする光学記録媒体。
15. 【請求項１５】一般式（Ｉ）においてＭがSi又はGeであ
    るナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形
    成されている請求項14記載の光学記録媒体。
16. 【請求項１６】一般式（Ｉ）においてk,l,m及びｎが全
    て１であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録
    膜層が形成されている請求項14又は15記載の光学記録媒
    体。
17. 【請求項１７】一般式（Ｉ）において２個のＹがトリア
    ルキルシロキシル基であるナフタロシアニン誘導体を主
    成分とする記録膜層が形成されている請求項14,15又は1
    6記載の光学記録媒体。
18. 【請求項１８】一般式（Ｉ）においてR¹が全て炭素数１
    〜22個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主
    成分とする記録膜層が形成されている請求項14,15,16又
    は17記載の光学記録媒体。
19. 【請求項１９】一般式（Ｉ）においてR¹が全て置換基を
    有するアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成
    分とする記録膜層が形成されている請求項14,15,16又は
    17記載の光学記録媒体。
20. 【請求項２０】一般式（Ｉ） ［式中、k,l,m及びｎは０〜４の整数を示し同一でも相
    違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であ
    り、R¹はアルキル基，置換基を有するアルキル基又はア
    リール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のR¹は同一でも
    相異してもよく、ＭはSi,Ge又はSnを示し、Ｙはアリー
    ルオキシル基，アルコキシル基，トリアルキルシロキシ
    ル基，トリアリールシロキシル基，トリアルコキシシロ
    キシル基，トリアリールオキシシロキシル基，トリチル
    オキシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一
    でも相違してもよい］で表わされるナフタロシアニン誘
    導体を主として有機溶媒に溶解した溶液を用いて基板表
    面に記録膜層が形成することを特徴とする光学記録媒体
    の製造方法。
21. 【請求項２１】一般式（Ｉ）においてＭがSi又はGeであ
    るナフタロシアニン誘導体を用いた請求項20記載の光学
    記録媒体の製造方法。
22. 【請求項２２】一般式（Ｉ）においてk,l,m及びｎが全
    て１であるナフタロシアニン誘導体を用いた請求項20又
    は21記載の光学記録媒体の製造方法。
23. 【請求項２３】一般式（Ｉ）において２個のＹがトリア
    ルキルシロキシル基であるナフタロシアニン誘導体を用
    いた請求項20,21又は22記載の光学記録媒体の製造方
    法。
24. 【請求項２４】一般式（Ｉ）においてR¹が全て炭素数１
    〜22個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を用
    いた請求項20,21,22又は23記載の光学記録媒体の製造方
    法。