JPH0230152A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0230152A JPH0230152A JP18101688A JP18101688A JPH0230152A JP H0230152 A JPH0230152 A JP H0230152A JP 18101688 A JP18101688 A JP 18101688A JP 18101688 A JP18101688 A JP 18101688A JP H0230152 A JPH0230152 A JP H0230152A
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- Japan
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- resin
- lead frame
- lead
- punching
- punched
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- Pending
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に樹脂封止型
の半導体装置の製造方法に関する。
の半導体装置の製造方法に関する。
従来、樹脂封止型の半導体装置はプレス打抜法で作った
リードフレームの打抜き面を上にして金型で樹脂射出方
式で製造していたが、樹脂成形直後第３図（ａ）に示す
様に樹脂封止された半導体装置３１から出ているリード
フレーム３２の外部リード部３４とダムバ一部３３に囲
まれた部分に厚樹脂パリ部３５がはみ出して形成されて
しまう。
リードフレームの打抜き面を上にして金型で樹脂射出方
式で製造していたが、樹脂成形直後第３図（ａ）に示す
様に樹脂封止された半導体装置３１から出ているリード
フレーム３２の外部リード部３４とダムバ一部３３に囲
まれた部分に厚樹脂パリ部３５がはみ出して形成されて
しまう。
この厚樹脂パリ部３５を取り除くために第３図（ｂ）に
示す様にダイ３７とポンチ３６で打ち抜いていた。
示す様にダイ３７とポンチ３６で打ち抜いていた。
上述した従来の半導体装置の製造方法では第３図（Ｃ）
に示す如く、プレス打抜き法でリードフレームを形成す
る時に打抜き面側にできてしまうダレ面３８側から樹脂
抜きポンチ３６により打抜くので、その力はポンチの周
囲で真下に働きダレ部３８に付着した樹脂部にはほとん
どその力が働かないのでダレ部３８にはダレ部に残った
樹脂バリ３９が付着したまま残る。ダレ部に残った樹脂
バリ３９は後工程の樹脂バリ取り工程例えば一般的に用
いられている電解によるパリ取り法や高圧水を吹き付け
るジェットホーニング法を行っても取りきれず後の半田
メツキ工程でこの部分には半田メツキがなされず、不良
として歩留りを低下させる原因となり、生産性が著しく
悪くなるという欠点を有していた。
に示す如く、プレス打抜き法でリードフレームを形成す
る時に打抜き面側にできてしまうダレ面３８側から樹脂
抜きポンチ３６により打抜くので、その力はポンチの周
囲で真下に働きダレ部３８に付着した樹脂部にはほとん
どその力が働かないのでダレ部３８にはダレ部に残った
樹脂バリ３９が付着したまま残る。ダレ部に残った樹脂
バリ３９は後工程の樹脂バリ取り工程例えば一般的に用
いられている電解によるパリ取り法や高圧水を吹き付け
るジェットホーニング法を行っても取りきれず後の半田
メツキ工程でこの部分には半田メツキがなされず、不良
として歩留りを低下させる原因となり、生産性が著しく
悪くなるという欠点を有していた。
本発明の半導体装置の製造方法は半導体素子を搭載した
リードフレームを樹脂封止した後、封止樹脂本体の周辺
に薄くはみ出しリードと溶着している樹脂片を、リード
フレームをプレス打抜き法により打抜いた面と反対の面
から前記樹脂片を打抜きを行なって取り除くことである
。
リードフレームを樹脂封止した後、封止樹脂本体の周辺
に薄くはみ出しリードと溶着している樹脂片を、リード
フレームをプレス打抜き法により打抜いた面と反対の面
から前記樹脂片を打抜きを行なって取り除くことである
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図である。
第１図（ａ）はデエアル・インライン・パッケージ（Ｄ
Ｉ Ｐ）型半導体装置のリード導出部の平面図である
本図は厚樹脂パリ部１５の樹脂抜き前の半導体装置１１
を示し、プレス打抜き法で形成したリードフレーム１２
０打抜面が下側になる様に半導体装置を裏向き（半導体
素子面が下向き）に置いてあり、ダムバ一部１３と外部
リード部１４に囲まれた部分には厚樹脂バ！Ｊ １５．
が形成されている。第１図Ｃｂ）はＭ１図（ａ）のＡ−
Ａ’断面に樹脂抜きポンチ１６とダイ１７で樹脂パリが
打抜かれる前の状態を示す。第１図（ｃ）は第１図（ｂ
）で厚樹脂パリ部１５を打抜いた後の形状である。以上
説明した本発明の製造方法によれば、プレス打抜き法で
形成したリードフレームのダレ部１８が厚樹脂パリを打
抜くポンチ１６の反対面に位置しており、厚樹脂パリの
断面形状が先広がりになっているので、樹脂抜きポンチ
１６の作用する力が有効にダレ部１８にある樹脂パリに
も加わり、従来方法の様にダレ部に残る樹脂パリをなく
すことが可能になった。
Ｉ Ｐ）型半導体装置のリード導出部の平面図である
本図は厚樹脂パリ部１５の樹脂抜き前の半導体装置１１
を示し、プレス打抜き法で形成したリードフレーム１２
０打抜面が下側になる様に半導体装置を裏向き（半導体
素子面が下向き）に置いてあり、ダムバ一部１３と外部
リード部１４に囲まれた部分には厚樹脂バ！Ｊ １５．
が形成されている。第１図Ｃｂ）はＭ１図（ａ）のＡ−
Ａ’断面に樹脂抜きポンチ１６とダイ１７で樹脂パリが
打抜かれる前の状態を示す。第１図（ｃ）は第１図（ｂ
）で厚樹脂パリ部１５を打抜いた後の形状である。以上
説明した本発明の製造方法によれば、プレス打抜き法で
形成したリードフレームのダレ部１８が厚樹脂パリを打
抜くポンチ１６の反対面に位置しており、厚樹脂パリの
断面形状が先広がりになっているので、樹脂抜きポンチ
１６の作用する力が有効にダレ部１８にある樹脂パリに
も加わり、従来方法の様にダレ部に残る樹脂パリをなく
すことが可能になった。
第２図は本発明の第２の実施例を示す図である。
第２図（ａ）はＤＩＰ型半導体装置のリード導出部の平
面図、第２図（ｂ）、 （ｃ）は第２図（ａ）のＡ−Ａ
″部の断面図である。第１の実施例では半導体装置１１
を裏向きにしてリードフレームの打抜き面を樹脂抜きポ
ンチの反対側に位置させたが、第２の実施例ではあらか
じめリードフレーム２２０打抜き面が下向き（半導体素
子が打抜き面の反対側に固着されている。）になる様に
配置して樹脂封止したもので、この場合樹脂抜きする際
には半導体装置を裏向きにする必要はない。本実施例に
おいて作用効果は第１の実施例と同じである。
面図、第２図（ｂ）、 （ｃ）は第２図（ａ）のＡ−Ａ
″部の断面図である。第１の実施例では半導体装置１１
を裏向きにしてリードフレームの打抜き面を樹脂抜きポ
ンチの反対側に位置させたが、第２の実施例ではあらか
じめリードフレーム２２０打抜き面が下向き（半導体素
子が打抜き面の反対側に固着されている。）になる様に
配置して樹脂封止したもので、この場合樹脂抜きする際
には半導体装置を裏向きにする必要はない。本実施例に
おいて作用効果は第１の実施例と同じである。
以上説明したように、本発明の方法によればプレス打抜
き法により形成した金属フレームの打抜き面の反対面か
ら樹脂抜きを行うことにより、リードフレームのダレ部
に残る樹脂パリをなくすことが可能になり、従来方法に
比ベバリ残りによる半田メツキネ良を激減させる効果が
ある。
き法により形成した金属フレームの打抜き面の反対面か
ら樹脂抜きを行うことにより、リードフレームのダレ部
に残る樹脂パリをなくすことが可能になり、従来方法に
比ベバリ残りによる半田メツキネ良を激減させる効果が
ある。
第１図は本発明の第１の実施例を示し、同図（ａ）はＤ
ＩＰ型半導体装置のリード導出部の平面図、同図（ｂ）
、 （ｃ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’部の樹脂抜き前後の
断面図、第２図は本発明の第２の実施例を示し、同図（
ａ）はＤＩＰ型半導体装置のり一ド導出部の平面図、同
図（ｂ）、 （ｃ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’部の樹脂抜
き前後の断面図、第３図は従来例のＤＩＰ型半導体装置
の製造方法を示し、同図（ａ）はリード導出部の平面図
、同図（ｂ）、 （ｃ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’部の樹
脂抜き前後の断面図である。 １１．２１．３１・・・・・・半導体装置、１７，２７
゜３７・・・・・・グイ、１２，２２．３２・・・・・
・リードフレーム、１８，２８．３８・・・・・・ダレ
部、１３，２３゜３３・・・・・・ダムバ一部、３９・
・・・・・ダレ部に残った樹脂パリ、１４，２４，３．
４・・・・・・外部リード部、１５゜２５．３５・・・
・・・厚樹脂パリ部、１６，２６゜３６・・・・・・樹
脂抜きポンチ。 代理人 弁理士 内 原 晋
ＩＰ型半導体装置のリード導出部の平面図、同図（ｂ）
、 （ｃ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’部の樹脂抜き前後の
断面図、第２図は本発明の第２の実施例を示し、同図（
ａ）はＤＩＰ型半導体装置のり一ド導出部の平面図、同
図（ｂ）、 （ｃ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’部の樹脂抜
き前後の断面図、第３図は従来例のＤＩＰ型半導体装置
の製造方法を示し、同図（ａ）はリード導出部の平面図
、同図（ｂ）、 （ｃ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’部の樹
脂抜き前後の断面図である。 １１．２１．３１・・・・・・半導体装置、１７，２７
゜３７・・・・・・グイ、１２，２２．３２・・・・・
・リードフレーム、１８，２８．３８・・・・・・ダレ
部、１３，２３゜３３・・・・・・ダムバ一部、３９・
・・・・・ダレ部に残った樹脂パリ、１４，２４，３．
４・・・・・・外部リード部、１５゜２５．３５・・・
・・・厚樹脂パリ部、１６，２６゜３６・・・・・・樹
脂抜きポンチ。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体素子を搭載したリードフレームを樹脂封止した後
、封止樹脂本体の周辺に薄くはみ出しリードと溶着して
いる樹脂片を、リードフレームをプレス打抜き法により
打抜いた面と反対の面から前記樹脂片を打抜きを行なっ
て取り除くことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18101688A JPH0230152A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18101688A JPH0230152A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230152A true JPH0230152A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16093279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18101688A Pending JPH0230152A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230152A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0371647A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55157235A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP18101688A patent/JPH0230152A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55157235A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0371647A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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