JPH02179910A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、オーディオテープレコーダやビデオテープレ
コーダ等の磁気記録再生装置に搭載される電磁誘導型の
磁気ヘッド及びその製造方法に関するもので、詳細には
複数トランクを同時に記録するマルチトラック構造とし
た磁気ヘッド及びその製造方法に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、積層方向にマルチトラック構造が形成された
磁気ヘッドにおいて、複数の薄膜磁性コアをフロントギ
ャップ側及びバックギャップ側でそれぞれ非磁性膜及び
補助磁性薄膜を介して積層させ、各薄膜磁性コアの磁気
ギャップを積層方向にずらして配置させることにより、
高精度にギャップ間隔調整およびトラック位置合わせし
ようとするものである。

さらに本発明は、いずれも膜厚をトランク幅とした薄膜
磁性コア、補助磁性薄膜、非磁性膜よりなる層を順次積
層してゆき、磁気記録媒体摺動面に磁気ギャップを有す
る薄膜磁性コアを各層毎にずらして配置することにより
、ギャップ間隔調整やトラック位置合わせの不要な磁気
ヘッドを歩留りよく製造しようとするものである。

〔従来の技術〕 近年、オーディオテープレコーダやビデオテープレコー
ダ等の分野においては、高画質記録が追求されており、
映像信号をＰＣＭ（パルス信号変調）記録方式により記
録する、いわゆるディジタルテープレコーダの開発が進
められている。このディジタルテープレコーダでは、通
常のテープレコーダ（アナログ）に比べ記録する信号量
が飛躍的に増大することから、複数のトラックを同時に
記録するマルチトラック記録方式が採用されている。か
かる状況より、磁気ヘッドの分野においては、ディジタ
ルにおける高密度記録化に対処するべくマルチトラック
構造とした磁気ヘッドへの要求が高まっている。

マルチトラック構造の磁気ヘッドとしては、例えばバル
クタイプの単体へラドチップをマルチベースに複数取付
は固定したものや、薄膜により形成された単体へラドチ
ップを同一基板上に並べて構成したもの等が挙げられる
。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上記マルチトラック構造となされた磁気ヘッ
ドにおいては、各ヘッドチップの相対位置、例えばギャ
ップ間隔調整やトラック位置合わせ等をする必要があり
、通常、機械的手段等により行われている。上記磁気ヘ
ッドにおいて、さらに狭トラツク化を目指そうとした場
合には、これら各ヘッドチップ間のギャップ間隔調整や
トラック位置合わせをより一層高精度に行わなければな
らなくなる。

ところが、トラック幅を極めて狭い例えば５μｍ以下と
する場合には、先の機械的手段では各ヘッドチップ間の
ギャップ間隔調整やトラック位置合わせを高精度に調整
するのは精度的に限界がある。また、これらへラドチッ
プのマルチベースあるいは基板上への取付は作業も極め
て難しくなり、しかもその取付は作業が煩雑化し、歩留
りや製造コスト等の点で大きな難点を抱えることになる
。

そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案されて
ものであって、各ヘッドチップ間のギャップ間隔調整、
トラック位置合わせが不要な磁気ヘッドを提供しようと
するものである。

さらに本発明は、作業性に優れるとともに、歩留りの向
上が図れ、しかも製造コストの低下が図れる磁気ヘッド
の製造方法を提供しようとするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の磁気ヘッドは、上記の目的を達成するために、
磁気記録媒体摺動面に磁気ギャップを有する複数の薄膜
磁性コアがフロントギャップ側では非磁性膜を介しバッ
クギャップ側では補助磁性薄膜を介して同一基板上に積
層され、これらＦｉｉ膜磁性コアと補助磁性薄膜とでそ
れぞれ閉磁路が構成されるとともに、各薄膜磁性コアの
磁気ギャップが積層方向にずらして配置されマルチトラ
ック構造とされていることを特徴とするものである。

さらに本発明の磁気ヘッドの製造方法は、磁気記録媒体
摺動面に磁気ギャップを有する第１の薄膜磁性コアを形
成する工程と、他の薄膜磁性コアのハックギャップ側に
対応する位置に補助磁性薄膜を形成するとともに、フロ
ントギャップ側を含めた他の部分に非磁性膜を積層する
工程と、これら第１の薄膜磁性コア、補助磁性薄膜及び
非磁性膜を所定のトランク幅となるように平坦化する工
程と、所定の補助磁性薄膜に対応する位置に第２の薄膜
磁性コアを積層形成する工程と、前記第１の薄膜磁性コ
アを含めた他の薄膜磁性コアのパックギャップ側に対応
する位置に補助磁性薄膜を積層するとともに、フロント
ギャップ側を含めた他の部分に非磁性膜を積層する工程
と、これら第２の薄膜磁性コア、補助磁性薄膜及び非磁
性膜を所定のトラック幅となるように平坦化する工程と
を薄膜磁性コアの積層数に対応して繰り返し、これら複
数の薄膜磁性コアの磁気ギャップを積層方向でずらして
配置しマルチトラック構造を形成することを特徴とする
ものである。

〔作用〕

本発明の磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体慴動面に
磁気ギャップを有する複数の薄膜磁性コアがフロントギ
ャップ側では非磁性膜、ハックギャップ側では補助磁性
薄膜を介して同一基板上に積層され、該薄膜磁性コアと
補助磁性薄膜とが磁気的に接続されることによって、こ
れらｍ膜磁性コアと補助磁性薄膜により閉磁路が構成さ
れる。

また、これら複数の’ｉｉｌ膜磁性コアの磁気ギヤノブ
は、前記積層方向にずらして位置されているので、当該
積層方向にマルチトラック構造を有した型となる。

さらに本発明の磁気ヘッドの製造方法においては、磁気
記録媒体摺動面に磁気ギャップを有する第１の薄膜磁性
コアを形成すると同時に、他方の薄膜磁性コアのバック
ギャップ側に対応する位置に補助磁性薄膜を形成し、さ
らにフロントギャップ側を含めた他の部分に非磁性膜を
積層した後、これら第１の薄膜磁性コア、補助磁性薄膜
および非磁性膜を同時に所定のトラック幅となるように
平坦化するので、これら膜厚は全てトランク幅に規制さ
れる。

次いで、所定の補助磁性薄膜に対応する位置に第２の薄
膜磁性コアを形成すると同時に、やはり前記第１の薄膜
磁性コアを含めた他の薄膜磁性コアのバックギャップ側
に対応する位置に補助磁性薄膜を積層し、さらにフロン
トギャップ側を含めた他の部分に非磁性膜を積層した後
、これら第２の薄膜磁性コア、補助磁性薄膜および非磁
性膜を所定のトラック幅となるように平坦化しているの
で、前記トラック幅となされた平坦面上にさらにトラッ
ク幅となされた第２の薄膜磁性コアからなる層が形成さ
れる。そして、薄膜磁性コアの積層数に対応してこれら
の工程を繰り返すことにより、積層方向に磁気ギャップ
がずれて配置され、しかも高精度に磁気ギャップ間隔調
整及びトラック位置合わせされたマルチトラック構造の
磁気ヘッドが形成される。

〔実施例〕

以下、本発明の好適な実施例について具体的に説明する
。

先ず、本実施例の磁気ヘッドについて図面を参照しなが
ら説明するが、本実施例では、その磁気へノドの構造を
より理解し易くするため、積層方向に２トラツクとした
磁気ヘッドとして説明する。

本実施例の磁気ヘッドは、第１図に示すように、磁気記
録媒体摺動面（３ａ）に磁気ギャップｇ１を有する薄膜
磁性コア（４）、補助磁性薄膜（８）、非磁性膜（１２
）よりなる第１の層と、やはり磁気記録媒体摺動面（３
ａ）に磁気ギャップｇ８を有する薄膜磁性コア（５）、
補助磁性画＠　（６）　、非磁性膜（１３）よりなる第
２の層と、主として補助磁性薄膜（７）及び補助磁性薄
膜（９）　よりなる第３の層とからなり、これらが積層
されることにより当該積層方向に第１のヘッド素子及び
第２のヘッド素子が形成されたものである。

上記第１のヘッド素子（１）及び第２のヘッド素子（２
）は、基板（３）上に形成される薄膜磁性コア（４）及
び薄膜磁性コア（５）と、これと磁気的に接続して閉磁
路を構成する補助磁性薄膜（６）　、　（７）及び補助
磁性薄膜（８）　、　（９）とから構成されている。

上記基板（３）には、チタン酸カリウム、チタン酸バリ
ウム、アルミナチタンカーバイト等の非磁性材料が使用
可能である。さらには、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ
−Ｚｎ系フェライト等の強磁性酸化物材料等も使用でき
るが、この場合には該基板（３）上に非磁性材料よりな
る絶縁膜を形成する必要がある。

上記薄膜磁性コア（４）、（５）　、補助磁性薄膜（６
）。

（７）　（８）、（９）には、高い飽和磁束密度を有し
且つ軟磁気特性に優れた強磁性材料が使用されるが、か
かる強磁性材料としては従来から公知のものがいずれも
使用でき、結晶質、非結晶質を問わない。

例示するならば、純鉄１窒化鉄、Ｆｅ−Ａｊｌ！−５ｉ
系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ａｆｆ系合金、Ｆｅ
−５ｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ａｌ！、−Ｇｅ系合金、Ｆ
ｅ−Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−３ｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ
−Ｃｏ−５ｉ　−Ａｊ！系合金等の強磁性金属材料、あ
るいは、Ｆｅ−Ｇａ−３ｉ系合金、さらには上記Ｆｅ−
Ｇａ−５ｉ系合金の耐蝕性や耐摩耗性の一層の向上を図
るために、ＦｅＧａ、Ｃｏ　（Ｆｅの一部をＣｏで置換
したものを含む。）、Ｓｉを基本組成とする合金に、Ｔ
１Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ。

Ｏｓ　　　　Ｒｈ　　　　ｒｒ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐ
　　Ｌ　。

Ｈｆ、Ｖの少なくとも一種を添加したものであってもよ
い。

また、強磁性非晶質合金、いわゆるアモルファス合金（
例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの一つ以上の元素とＰ、Ｃ，
Ｂ、Ｓｉの一つ以上の元素とからなる合金、またはこれ
を主成分としＡｊ！、　　ＧｅＢｅ　　Ｓｎ　　Ｉｎ、
Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｒ。

Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等を含んだ合金等のメタル−メタロイ
ド系アモルファス合金、あるいはＣ０Ｈｆ、Ｚｒ等の遷
移元素や希土類元素等を主成分とするメタル−メタル系
アモルファス合金）等も使用される。

特に、上記薄膜磁性コア（４）　、　（５）には、磁気
記録媒体との摺接による摩耗を防止する上から硬度が高
く、しかも高飽和磁束密度を有することが要求される。

かかる条件を満たすには、例えば、硬度の高い材料から
なる膜と高飽和磁束密度を有する膜とを短周期で交互に
積層することが考えられる。上記硬度の高い材料として
は、例えばダイヤモンド、ＡｌｚＯ，、Ｓ　ｉｏ、、Ｓ
　ｔＮ、Ｓ　！３Ｎ４＋Ｚｒ０ｚ、ＴａｚＯｓ、Ｍｎ−
ＺｎフェライｈＮｉＺｎフェライト等が挙げられる。一
方、高飽和磁束密度を有する膜としては、先に挙げた強
磁性材料からなる膜が使用可能である。上記高硬度膜と
強磁性材料からなる膜の膜厚としては、例えば、高硬度
膜が５〜１００人で強磁性材料からなる膜が１０〜１０
００人であることが望ましい。このように、高硬度膜と
強磁性材料からなる膜とを交互に積層することにより、
磁気記録媒体との摺接による摩耗を減少することができ
、しかも高飽和磁束密度も十分確保できる。

上記薄膜磁性コア（４）、（５）　、補助磁性薄膜（６
）（７）　、　（８）　、　（９）の成膜方法としては
、真空莫着法スパンクリング法、イオンブレーティング
法等に代表される膜厚制御性に優れる真空薄膜形成技術
が採用される。

前記第１のヘッド素子（１）においては、前記基板（３
）の平坦面（３ｂ）上に薄膜磁性コア（４）が形成され
、該薄膜磁性コア（４）の（６気ギヤ・７ブｇｌがｆｌ
（ｉ気記録媒体摺動面（３ａ）に臨むようになされてい
る。この薄膜磁性コア（４）は、膜厚が所定のトラック
幅Ｔｗとなされた一対の磁性コア（４ａ）　、　（４ｂ
）からなり、その一方の磁性コア（４ａ）は磁気記録媒
体摺動面（３ａ）からパックギャップ側に亘って形成さ
れ、他方の磁性コア（４ｂ）は磁気記録媒体摺動面（３
ａ）からフロントギャップ近傍部のみに形成されている
。なお、これら一対の磁性コア（４ａ）　、　（４ｂ）
は、バックギャップ側で分断されている。

また、上記一対の磁性コア（４ａ）　、　（４ｂ）の突
合わせ面は、前記基板（３）の平坦面（３ｂ）に対して
所定角度（アジマス角）で傾斜されている。そして、こ
の１頃斜面にギャップ膜（図示は省略する。）が成膜さ
れて磁気記録媒体摺動面（３ａ）に臨む所定のアジマス
角となされた磁気ギャップｇ、が形成されている。

そして、上記薄膜磁性コア（４）上であって、前記フロ
ントギャップ側を除く当該薄膜磁性コア（４）のバック
ギャップ側に対応する位置には、やはり膜厚がトラック
幅となされた補助磁性薄膜（６）が積層されている。上
記補助磁性薄膜（６）は、一対の補助磁性薄膜（６ａ）
　、　（６ｂ）からなり、その一方の補助磁性薄膜（６
ａ）が先の磁気記録媒体摺動面（３ａ）からバックギャ
ップ側に亘って形成された一方の磁性コア（４ａ）上に
積層され、他方の補助磁性薄膜（６ｂ）はやはり先のフ
ロントギャップ近傍部のみに形成された他方の磁性コア
（４ｂ）上に積層されている。この一対の補助磁性薄膜
（６ａ）　、　（６ｂ）は、フロントギャップ近傍部及
びバックギャップ側でそれぞれ分断されている。なお、
上記補助磁性薄膜（６ａ）、　（６ｂ）は、それぞれ前
記一対の磁性コア（４ａ）。

（４ｂ）の形状と略同形状となされ、しかも上記磁性コ
ア（４ａ）　、　（４ｂ）より若干小さく形成されてい
る。

ここで、前記フロントギャップ側の薄膜磁性コア（４）
上であって前記補助磁性薄膜（６）に対応した位置には
、やはり膜厚がトラック幅Ｔｗとなされ非磁性膜（１３
）が積層されている。もちろん、この非磁性膜（１３）
は、上記補助磁性薄膜（６）と第２のへノド素子（２）
の薄膜磁性コア（５）が形成される部分以外のところを
埋める形で形成されている。

なお、上記非磁性膜（１３）には、例えば３１０　！＋
Ａ２□Ｏ＋、ＳｉｔＮｍ等の非磁性材料等が使用される
。

また、上記一方の補助磁性薄膜（６ａ）上であって、バ
ックギャップ側に対応する位置には、非磁性絶縁膜（図
示は省略する。）を介してスパイラル状となされた導体
コイル（１０）が形成されている。そして、この導体コ
イル（１０）の巻き始めと巻き終わり部分に外部端子（
１０ａ）　、　（１０ｂ）が設けられている。

さらに、この導体コイル（１０）上には、やはり上記非
磁性絶縁膜と同様の非磁性絶縁膜（図示は省略する。）
が形成されている。これら非磁性絶縁膜は、先の磁性コ
ア（６ａ）と最上部に形成される補助磁性薄膜（７）と
の絶縁をとるためのものであるため、その膜厚はトラッ
ク幅である必要はない。

また、上記最上部の非磁性絶縁膜上には、先の薄膜磁性
コア（４）と磁気的に接続される補助磁性薄膜（７）が
積層されている。すなわち、この補助磁性薄膜（７）は
、先の磁気記録媒体摺動面（３ａ）からバックギャップ
側に亘って形成された一方の補助磁性薄膜（６ａ）側か
ら前記フロントギャップ近傍部のみに形成された他方の
補助磁性薄膜（６ｂ）上に掛は渡されるようにして積層
された形となされている。そして、上記補助磁性薄膜（
７）のバックギャップ側の一部（７ａ）が先の一方の補
助磁性薄膜（６ａ）上に磁気的に接続され、またフロン
トギャップ近傍部の補助磁性薄膜（７）の一部（７ｂ）
がやはり他方の補助磁性薄膜（６ｂ）上に磁気的に接続
されている。なお、これら補助磁性薄膜（７）と前記補
助磁性薄膜（６ａ）　、　（６ｂ）の接続部分には、少
なくとも先の非磁性絶縁膜が形成されていない。したが
って、前記薄膜磁性コア（４）、補助磁性薄膜（６）及
び最上部に形成される補助磁性薄膜（７）が磁気的に接
続されることになり、この結果これらによって閉磁路が
構成される。

これに対して、第２のヘッド素子（２）においては、先
のヘッド素子（１）の薄膜磁性コア（４）、対の補助磁
性薄膜（６ａ）　、　（６ｂ）からなる補助磁性薄。

膜（６）、最上部に形成される補助磁性薄膜（７）と対
応する位置に、それぞれ一対の補助磁性薄膜（８ａ）　
、　（８ｂ）からなる補助磁性薄膜（８）、磁気ギャッ
プｇ！を有する薄膜磁性コア（５）、最上部に形成され
る補助磁性薄膜（９）が対応し、前記薄膜磁性コア（５
）が補助磁性薄膜（８）と最上部の補助磁性薄膜（９）
とによって挟み込まれた構造となされている。

すなわち、前記基板（３）の平坦面（３ｂ）上には、膜
厚がトラック幅Ｔｗとなされた一対の補助磁性薄膜（８
ａ）　、　（８ｂ）からなる補助磁性薄膜（８）が形成
されている。この補助磁性薄膜（８）は、フロントギャ
ップ側を除くバックギャップ側に形成され、そのうちの
先のヘッド素子（１）に隣接する一方補助磁性薄膜（８
ａ）はフロントギャップ近傍部からバックギャップ側に
亘って形成されている。これに対して、他方の補助磁性
薄膜（８ｂ）はフロントギャツブ近傍部のみに形成され
ている。また、これら補助磁性画［（８ａ）　、　（８
ｂ）は、フロントギャップ近傍部及びバックギャップ側
でそれぞれ分断されている。

ここで、上記補助磁性薄膜（８）に対応する前記フロン
トギャップ側の基板（３）の平坦面（３ａ）上には、や
はりトラック幅Ｔｗとなされた非磁性材料からなる非磁
性１１！１（１２）が形成されている。なお、この非磁
性膜（１２）はフロントギャップ側のみならず、先の第
１のヘッド素子（１）の薄膜磁性コア（４）と前記補助
磁性ｍｔｌ！（８）が形成される部分以外のところを埋
める形で形成されている。

そして、上記補助磁性薄膜（８）上に前記薄膜磁性コア
（５）が積層され、該薄膜磁性コア（５）の磁気ギャッ
プｇ２が前記磁気記録媒体摺動面（３ａ）に臨むように
なされている。上記薄膜磁性コア（５）は、やはり膜厚
がトラック幅Ｔｗとなされた一対の磁性コア（５ａ）　
、　（５ｂ）から構成されている。これらのうち、第１
のヘッド素子（１）に隣接する一方の磁性コア（５ａ）
は、磁気記録媒体摺動面（３ａ）からバックギャップ側
に亘って形成されている。特に、上記磁性コア（５ａ）
のうちフロントギャップ側の部分は、上記補助磁性薄膜
（８ａ）上に積層されるのではなく、前記フロントギャ
ップ側に形成された非磁性膜（１２）上に積層されてい
る。これに対して他方の磁性コア（５ｂ）は、前記磁気
記録媒体摺動面（３ａ）からフロントギャップ近傍部の
みに形成されている。そしてこの磁性コア（５ｂ）のう
ち磁気記録媒体摺動面（３ａ）側の部分もやはり同様、
上記補助磁性薄膜（８ｂ）上に積層されるのではなく、
前記フロントギャップ側に形成された非磁性１１！（１
２）上に積層された形となされている。なお、これら磁
性コア（８ａ）　、　（８ｂ）は、バックギャップ側で
分離されている。

また、上記一対の磁性コア（５ａ）　、　（５ｂ）の突
合わせ面は、第１のヘッド素子（１）の′ｇｌ膜磁性コ
ア（４）の傾斜面とは逆向きとなされ、やはり所定の角
度（アジマス角）で傾斜されている。そして、この傾斜
面にギャップ膜（図示は省略する。）が成膜されて磁気
記録媒体摺動面（３ａ）に臨む所定のアジマス角となさ
れた磁気ギャップｇ：が形成されている。この結果、上
記′ｒＩＩＭ磁性コア（５）の磁気ギャップｇ、と先の
薄膜磁性コア（４）の磁気ギャップｇ１とは逆アジマス
をとる形となる。

そして、上記ｆｉ　ＩＩＩ　ｉｆｆ性コア（５）上であ
って、バックギャップ側に対応する位置には、非磁性絶
縁膜（図示は省略する。）を介してスパイラル状となさ
れた導体コイル（１１）が形成されている。そして、こ
の導体コイル（１１）の巻き始めと巻き終わり部分に外
部端子（ｌｌａ）、（ｌｌｂ）が設けられている。

さらに、この導体コイル（１１）上には、やはり上記非
磁性絶縁膜と同様の非磁性絶縁膜（図示は省略する。）
が形成されている。これら非磁性絶縁膜は、やはり先の
磁性コア（８ａ）と最上部に形成される補助磁性ｆ３１
１Ｉ！（９）との絶縁をとるためのものであるため、そ
の膜厚はトラック幅である必要はない。

また、上記最上部の非磁性絶縁膜上には、先の薄膜磁性
コア（５）と磁気的に接続される補助磁性薄膜（９）が
積層されている。すなわち、この補助磁性薄膜（９）は
、先の磁気記録媒体摺動面（３ａ）からハックギャップ
側に亘って形成された一方の磁性コア（５ａ）から前記
フロントギャップ近傍部のみに形成された他方の磁性コ
ア（５ｂ）上に掛は渡されるようにして積層された形と
なされている。そして、上記補助磁性薄膜（９）のバッ
クギャップ側の一部（９ａ）が先の一力の磁性コア（５
ａ）上に磁気的に接続され、さらにフロントギャップ側
の補助磁性薄膜（９）の一部（９ｂ）も他方の磁性コア
（５ｂ）上に磁気的に接続されている。なお、これら補
助磁性薄膜（９）と前記磁性コア（５ａ）　、　（５ｂ
）の接続部分には、少なくとも先の非磁性絶縁膜が形成
されていない。

したがって、前記補助磁性画Ｂ（８）　、上記薄膜磁性
コア（５）及び最上部に形成される補助磁性１膜（９）
が磁気的に接続されることになり、この結果これらによ
って閉磁路が構成される。

このように形成された第１のヘッド素子（１）及び第２
のヘッド素子（２）によれば、同一基板（３）上に所定
間隔をもって形成されるそれぞれの薄膜磁性コア（４）
及び薄膜磁性コア（５）がフロントギャソブ側では非磁
性膜（１２）を介して積層され、バックギャップ側では
補助磁性薄膜（６）　、　（７）及び補助磁性薄膜（８
）　、　（９）を介して積層され、しかもこれら薄膜磁
性コア（４）及び薄膜磁性コア（５）の磁気ギャップｇ
＋及び磁気ギャップｇ２が積層方向にずらして形成され
ているので、当該積層方向にマルチトラック構造が形成
される。

また、本実施例の磁気ヘッドによれば、いずれも膜厚が
トラック幅Ｔｗとなされた薄膜磁性コア（４）、（５）
　、補助磁性薄膜（６）、（７）、（８）、（９）　、
非磁性膜（１２）、　（１３）よりなる層の積層体によ
り構成されるものであるから、各薄膜磁性コア（４）及
び薄膜磁性コア（５）を各層毎に精度よくずらして配置
すれば、前記磁気ギャップｇ、及び磁気ギャップｇ２は
高精度にトラック位置合わせ及びギャップ間隔調整され
る。

さらに、上記磁気ヘッドにおいては、フロントギャップ
側の積層体の膜厚がいずれもがトラック幅Ｔｗとなされ
ているので、これらの各層の膜厚を制御してさらに薄く
すれば、容易に狭トラ、り化が達成される。

次に、上記磁気ヘッドの製造方法について図面を参照し
ながら説明する。なお、この製造方法の説明においても
やはりその製造工程をより明確なものとするために、積
層方向に２トラツクとした磁気ヘッドとして説明する。

上記磁気ヘッドを作製するには、先ず、第２図に示すよ
うに、チタン酸カリウム等からなる基板（３）の平坦面
（３ｂ）上に強磁性材料をスパッタリングした後、第１
のｙｌＨ磁性コアとなる一方の磁性コア（４ｂ）をイオ
ンミーリングによって所定形状に形成する。

すなわち、上記磁性コア（４ｂ）を前記基板（３）の一
端面である磁気記録媒体摺動面（３ａ）からフロントギ
ャップ近傍部のみに形成するとともに、他方の磁性コア
との突合わせ面となる該磁性コア（４ｂ）の側面（４ｃ
）を所望のアジマス角となるように規制する。

なお、強磁性材料をスパッタリングする際に、当該強磁
性材料の磁気異方性方向をコア幅方向と形成すれば、磁
気ギャップ付近の磁壁の発生を防止することができ、バ
ルクハウゼンノイズを低減できる。さらには、実効トラ
ック幅の減少もない。

また、上記バルクハウゼンノイズの発生は、狭トランク
化した場合であっても、コア幅が膜厚に対して十分広い
ので生ずる虞れはない。

また、上記イオンミーリングの際に、上記磁性コア（４
ｂ）を除いた前記基板（３）の平坦面（３ｂ）を後述の
ギャップ膜（１４）の膜厚１分だけ余分にエツチングし
ておく。

次に、第３図に示すように、磁気ギャップ長を規制する
ための所定の膜厚ｌとしたＳｉｎ、等からなるギャップ
膜（１４）を上記磁性コア（４ｂ）を含めた前記基板（
３）の上に形成する。

この結果、上記ギャップ膜（１４）の上面（１４ａ）と
前記基板（３）の平坦面（３ｂ）とが同じレベルとなる
。

したがって、次工程において上記ギャップ膜（１４）上
に他方の磁性コア（４ａ）を形成したときに、これら一
対の磁性コア（４ａ）　、　（４ｂ）の突合わせ面に形
成される磁気ギャップの正確なトラック幅が規制される
。なお、上記基板（３）の平坦面（３ｂ）上に直接ギャ
ップ膜（１４）を形成した場合には、ギャップずれが生
じ、正確なトラック幅を決定することはできない。

次に、第４図に示すように、前記一方の磁性コア（４ｂ
）を覆って基板（３）全体に強磁性材料をスパッタリン
グした後、エツチングを施して他方の磁性コア（４ａ）
を形成する。

すなわち、エツチングによって上記磁性コア（４ａ）を
前記基板（３）の磁気記録媒体摺動面（３ａ）からバッ
クギャップ側に亘って形成する。なお、上記磁性コア（
４ａ）は、先の一方の磁性コア（４ｂ）とはバックギャ
ップ側で分断させる。

この結果、これら一対の磁性コア（４ａ）　、　（４ｂ
）によって磁気記録媒体摺動面（３ａ）に臨む磁気ギャ
ップｇ１を有する第１の薄膜磁性コア（４）が形成され
る。

またこのエツチングの際に、他方の薄膜磁性コア、すな
わち第２の薄膜性コアのパックギャップ側に対応する位
置に一対の補助６ｉ性薄膜（８ａ）　、　（８ｂ）から
なる補助磁性薄膜（８）を所定形状に形成する。

すなわち、上記補助磁性１１！（８）をフロントギャッ
プ側を除くバックギャップ側に形成し、且つそのうちの
先の第１の薄膜磁性コア（４）を構成する他方の磁性コ
ア（４ａ）に隣接する一方の磁性コア（８ａ）をフロン
トギャップ近傍部からバックギャップ側に亘って形成し
、他方の磁性コア（８ｂ）をフロントギャップ近傍部の
みに形成する。なお、この状態では上記一対の磁性コア
（８ａ）　、　（８ｂ）はフロントギャップ近傍部及び
バックギャップ側でそれぞれ接続されておらず、この結
果磁気的に接続が図られていない。

次に、第５図に示すように、上記補助磁性薄膜（８）と
前記磁気記録媒体摺動面（３ａ）との間のフロントギャ
ップ側を含めた他の部分、すなわち前記一対の磁性コア
（４ａ）　、　（４ｂ）及び補助磁性薄膜（８）上に非
磁性膜（１２）を積層する。

次に、第６図に示すように、前記第１の薄膜磁性コア（
４）、補助磁性薄膜（８）及び非磁性膜（１２）を研磨
加工等によって所定のトラック幅Ｔｗとなるように平坦
化する。

この結果、上記第１の薄膜磁性コア（４）、補助磁性Ｆ
ｔｌ膜（８）及び非磁性膜（１２）のいずれの膜厚もト
ランク幅Ｔｗとなり、これらによる第１の層が形成され
る。

したがって、トランク幅Ｔｗは上記薄膜磁性コア（４）
の膜厚により規制されることになる。このため、従来の
ようにコア幅をトランク幅とするものとは異なり、正確
なトラック幅が得られる。

次に、第７図に示すように、所定の補助磁性薄膜、すな
わち本実施例では第１の薄膜磁性コア（４）に隣接して
形成された補助磁性１１ＦＪ（８）上に先の第３図で示
した工程と同様にして、強磁性材料をスパッタリングし
た後、第２の薄膜磁性コアとなる一方の磁性コア（５ａ
）をイオンミーリングによって所定形状に形成する。

すなわち、上記磁性コア（５ａ）を前記磁気記録媒体摺
動面（３ａ）からバックギャップ側に亘って形成し且つ
、他方の磁性コアとの突合わせ面となる磁性コア（５ａ
）の側面を所望のアジマス角となるように規制する。

また、上記イオンミーリングの際に、当該筒２の薄膜磁
性コアが形成される位置に相当する前記非磁性膜（１２
）を後述するギャップ膜の膜厚分だけ余分にエツチング
しておく。

次に、先の第４図で示した工程と同様にして、磁気ギャ
ップ長を規制するための所定の膜厚としたＳｉＯ□等か
らなるギャップ膜（図示は省略する。）を上記磁性コア
（５ａ）を含めた前記第１の薄膜磁性コア（４）等が形
成された平坦面上に形成する。

次に、やはり第４図で示した工程と同様にして、前記一
方の磁性コア（５ａ）を覆って前記平坦面上に強磁性材
料をスパッタリングした後、エツチングを施して他方の
磁性コア（５ｂ）を形成する。

すなわち、エツチングによって上記磁性コア（５ｂ）を
前記基板（３）の磁気記録媒体摺動面（３ａ）からフロ
ントギャップ近傍部のみに形成する。なお、上記磁性コ
ア（５ｂ）は、先の一方の磁性コア（５ａ）とはバック
ギャップ側で分断させる。

この結果、これら一対の磁性コア（５ａ）　、　（５ｂ
）によって磁気記録媒体摺動面（３ａ）に臨む磁気ギャ
ップｇ２を有する第２の磁性薄膜コア（５）が形成され
る。

またこのエツチングの際に、他方の薄膜磁性コア、すな
わち第１の薄膜磁性コア（４）のバックギャップ側に対
応する位置に一対の補助磁性薄膜（６ａ＞　、　（６ｂ
）からなる補助磁性薄膜（６）を所定形状に形成する。

すなわち、上記補助磁性薄膜（６）をフロントギャップ
側を除くバックギャップ側に形成し、且つそのうちの先
の第２の薄膜磁性コア（５）を構成する一方の磁性コア
（５ａ）に隣接する一方の磁性コア（６ａ）をフロント
ギャップ近傍部からバックギャップ側に亘って形成し、
他方の！ｎ性コア（６ｂ）をフロントギャップ近傍部の
みに形成する。なお、この状態では上記一対の磁性コア
（６ａ）　、　（６ｂ）はフロントギャップ近傍部及び
バックギャップ側でそれぞれ接続されておらず、この結
果磁気的に接続が図られていない。

次に、やはり先の第５図に示した工程と同様にして、上
記補助磁性薄膜（６）と前記磁気記録媒体摺動面（３ａ
）との間のフロントギャップ側を含めた他の部分、すな
わち前記一対の磁性コア（５ａ）　、　（５ｂ）及び補
助磁性薄Ｈり（６）上に非磁性膜（１３）を積層する。

次に、やはり先の第６図に示した工程と同様にして、前
記第２の薄膜磁性コア（５）、補助磁性薄膜（６）及び
非磁性膜（１３）を研磨加工等によって所定のトラック
幅Ｔｗとなるように平坦化する。

この結果、上記第２の薄膜磁性コア（５）、補助磁性薄
膜（６）及び非磁性膜（１３）のいずれの膜厚もトラッ
ク幅Ｔｗとなされ、これらにより第２の層が形成される
。したがって、この第２の薄膜磁性コア（６）において
も、先の第１の薄膜磁性コア（４）と同様、正確にトラ
ック幅が規制でき、バルクハウゼンノイズの発生もない
。

次に、第８図に示すように、上記平坦化された平坦面上
のバックギャップ側にＳｉｎ、等からなる非磁性絶縁膜
（１５ａ）を積層する。そして、前記第１の薄膜磁性コ
ア（４）及び第２の薄膜磁性コア（５）のそれぞれバッ
クギャップ側に対応する位置に、銅等の導電金属材料を
スパッタリングした後、エンチングしてスパイラル状の
導体コイル（１０）及び導体コイル（１１）をそれぞれ
形成する。

本実施例では、上記第１の薄膜磁性コア（４）及び第２
の薄膜磁性コア（５）上の導体コイル（１０）及び導体
コイル（１１）を同時に形成することができるので、工
程数を減らすことができ、生産性の向上が図れる。

次に、上記導体コイル（１０）　、　（１１）上にやは
り５ｉＯｚ等からなる非磁性絶縁膜（１５ｂ）を積層す
る。なお、これら非磁性絶縁膜（ｆ５ａ）　、　（１５
ｂ）の膜厚は絶縁をとるためのものであるため、トラッ
ク幅とする必要はない。

次に、第９図に示すように、それぞれの導体コイル（１
０）　、　（１１）上に形成された非磁性絶縁層（１５
ｂ）上に強磁性材料をスパッタリングして第１の薄膜磁
性コア（４）及び第２の薄膜磁性コア（５）とそれぞれ
接続を図る第３の層となる捕助磁性薄ｎり（７）及び補
助磁性薄膜（９）を形成する。

すなわち、第１のＦ１膜磁性コア（４）と接続される補
助磁性薄膜（７）を当該筒１の薄膜磁性コア（４）上に
積層されるバックギャップ側の一方の補助磁性薄膜（６
ａ）からフロントギャップ側の他方の補助磁性薄膜（６
ｂ）に掛は渡すようにして積層し、この補助磁性薄膜（
７）のバックギャップ側の一部を一方の補助磁性ｇｔ膜
（６ａ）、フロントギャップ側の一部を他方の補助磁性
薄膜（６ｂ）にそれぞれ磁気的に接続させる。

一方、第２の薄膜磁性コア（５）と接続される補助磁性
薄膜（９）を当該筒２の薄膜磁性コア（５）のバックギ
ャップ側の一方の磁性コア（５ａ）がらフロントギャッ
プ側の他方の磁性コア（５ｂ）に掛は渡すようにして積
層し、この補助磁性薄膜（９）のバックキャップ側の一
部を一方の磁性コア（５ａ＞、７０ントギヤツプ側の一
部を他方の磁性コア（５ｂ）にそれぞれ磁気的に接続さ
せる。

この結果、前記第１の薄膜磁性コア（４）、補助磁性ｆ
ＨＩ＃（６）　、　（７）によって閉磁路が構成される
。同様に、前記第２の薄膜磁性コア（５）、補助磁性薄
膜（８）　、　（９）によって閉磁路が構成される。し
たがって、前記基板（３）上には、各薄膜磁性コア（４
）及び薄膜磁性コア（５）の磁気ギャップｇ１及び磁気
ギャップｇ２が積層方向にずれて配置されたガートバン
ドの無い２トラツク構造の磁気ヘッドが完成する。

このように、本実施例の磁気ヘッドの製造方法において
は、いずれもトラック幅となされた薄膜磁性コア、補助
磁性薄膜、非磁性膜よりなる層を順次積層してゆき、該
薄膜磁性コアを各層毎に精度よ（ずらして形成している
ので、ギャップ間隔調整やトラック位置調整が高精度に
制御され、これらの調整の要らない磁気ヘッドが歩留り
よく製造される。

以上、本実施例では本発明にかかる磁気ヘッドの構造及
びその製造方法をより明確なものとするため積層方向に
２トラツクした磁気ヘッドとして説明してきたが、もち
ろん上記トラック数は３トラック以上であっても本発明
を適用することができる。

例えば、第１０図に示すように、積層方向に４トラツク
とした磁気へノドを作製するには、次のようにして作製
すればよい。

なお、第１０図は磁気記録媒体摺動面から見た正面図を
示すが、その構造をより明確なものとするために、ここ
では先の非磁性膜を省略しである。

先ず、基板（２９）上の所定位置に磁気記録媒体摺動面
（２９ａ）に磁気ギャップｇ１を有する第１の薄膜磁性
コア（３０）を形成する。

そして、これと同時に他の薄膜磁性コア（３３）　。

（３６）　、　（３９）のバックギャップ側に対応する
位置にそれぞれ補助磁性薄膜（３４ａ）　、　（３７ａ
）　、　（４０ａ）を積層するとともに、フロントギャ
ップ側を含めた他の部分に非磁性層（４２ａ）を積層す
る。

次に、これら第１の薄膜磁性コア（３０）、補助磁性画
１！！　（３４ａ）　、　（３７ａ）　、　（４０ａ）
及び非磁性層（４２ａ）を所定のトラック幅Ｔｗとなる
ように平坦化し、これらによる第１の層を形成する。

この結果、上記第１の層には、第１のヘッドとなる第１
の薄膜磁性コア（３０）を有することになる。

次に、所定の補助磁性薄膜（３４ａ）に対応する位置に
第２の磁気ヘッドとなるやはり磁気記録媒体摺動面（２
９ａ）に磁気ギャップｇよを有する第２の薄膜磁性コア
（３３）を積層形成する。

そして、これと同時に前記第１の薄膜磁性コア（３０）
を含めた他の薄膜磁性コア（３６）　、　（３９）のパ
ックギャップ側に対応する位置に補助磁性画１１１（３
１ａ）。

（３７ｂ）　、　（４０ｂ）を積層するとともに、フロ
ントギャップ側を含めた他の部分に非磁性層（４２ｂ）
を積層する。

次に、これら第２の薄膜磁性コア（３３）　、補助磁性
薄膜（３１ａ）　、　（３７ｂ）　、　（４０ｂ）　、
非磁性Ｎ（４２ｂ）を所定のトラック幅Ｔｗとなるよう
に平坦化し、これらによる第２の層を形成する。

この結果、上記第２の層には、第２のヘッドとなる第２
の薄膜磁性コア（３３）を有することになり、この第２
の薄膜磁性コア（３３）は先の第１の薄膜磁性コア（３
０）とずれて配置される。したがって、この状態では積
層方向に２トラツク構造が形成されることになる。

次に、所定の補助磁性薄膜（３７ｂ）に対応する位置に
第３の磁気ヘッドとなるやはり磁気記録媒体摺動面（２
９ａ）に磁気ギャップｇ、を存する第３の薄膜磁性コア
（３６）を積層形成する。

そして、これと同時に前記第２の薄膜磁性コア（３３）
を含めた他の薄膜磁性コア（３０）　、　（３９）のパ
ックギャップ側に対応する位置に補助磁性画１１　（３
１ｂ）　。

（３４ｂ）　、　（４０ｃ）を積層するとともに、フロ
ントギャップ側を含めた他の部分に非磁性層（４２ｃ）
を積層する。

次に、これら第３の薄膜磁性コア（３６）　、補助磁性
薄膜（３１ｂ）　、　（３４ｂ）　、　（４０ｃ）　、
非磁性Ｊｌ！Ｉ（４２ｃ）を所定のトラック幅Ｔｗとな
るように平坦化し、これらによる第３の層を形成する。

この結果、上記第３の層には、第３のヘッドとなる第３
の薄膜磁性コア（３６）を有することになり、この第３
の薄膜磁性コア（３６）は先の第１の薄膜磁性コア（３
の及び第２の薄膜磁性コア（３３）とはそれぞれずれて
配置される。したがって、この状態では積層方向に３ト
ラツク構造が形成されることになる。

次に、やはり所定の補助磁性画＠（４０ｃ）に対応する
位置に第４の磁気ヘッドとなるやはり磁気記録媒体摺動
面（２９ａ）に磁気ギャップｇ４を有する第４の薄膜磁
性コア（３９）を積層する。

そして、これと同時に前記第３の薄膜磁性コア（３６）
を含めた他の薄膜磁性コア（３０）　、　（３３）のパ
ックギャップ側に対応する位置に補助磁性薄膜（３１ｃ
）（３４ｃ）　、　（３７ｃ）を積層するとともに、フ
ロントギャップ側を含めた他の部分に非磁性層（４２ｄ
）を積層する。

次に、これら第４の薄膜磁性コア（３９）　、補助磁性
Ｆｉ１ｇ　（３１ｃ）　、　（３４ｃ）　、　（３７ｃ
）　、非磁性層（４２ｄ）を所定のトラック幅Ｔｗとな
るように平坦化し、これらによる第４の層を形成する。

この結果、上記第４の層には、第４のヘッドとなる第４
の薄膜磁性コア（３９）を有することになり、この第４
の薄膜磁性コア（３９）は先の第１の薄Ｉｌｌ磁性コア
（３０）、第２の薄膜磁性コア（３３）及び第３の薄膜
磁性コア（３６）とはそれぞれずれて配置される。

したがって、この状態では積層方向に４トラツク構造が
形成されることになる。

次に、この第４の層の平坦面上に非磁性絶縁層（４３ａ
）を積層した後、各ヘッド素子に対応する位置にそれぞ
れ導体コイル（３２）、（３５）、（３Ｂ）、（４１）
を同時に形成し、さらにこの上に同様の非磁性絶縁層（
４３ｂ）を積層する。

そして、上記各導体コイル（３２）　、　（３５）　、
　（３８）　、　（４１）上に先の薄膜磁性コア（３０
）　、　（３３）　、　（３６）　、　（３９）とそれ
ぞれ磁気的に接続を図るための補助磁性薄膜（３１ｄ）
　、　（３４ｄ）　、　（３７ｄ）　、　（４０ｄ）を
同時に積層形成する。

この結果、第１の薄膜磁性コア（３０）　、補助磁性薄
Ｍ　（３１ａ）　、　（３１ｂ）　、　（３１ｃ）　、
　（３１ｄ）によって閉磁路が構成される第１のヘッド
素子が形成される。さらに、この第１のヘッド素子の隣
に第２の薄膜磁性コア（３３）　、補助磁性薄膜（３４
ａ）　、　（３４ｂ）　、　（３４ｃ）　、　（３４ｄ
）によって閉磁路が構成される第２のヘッド素子が形成
される。以下同様に、第３の薄膜磁性コア（３６）、補
助磁性薄膜（３７ａ）　、　（３７ｂ）　、　（３７ｃ
）　（３７ｄ）によって閉磁路が構成される第３のヘッ
ド素子、第４の薄膜磁性：ｔ　７　（３９）　、補助磁
性薄ＩＩ！　（４０ａ）　、　（４０ｂ）　。

（４０ｃ）　、　（４０ｄ）によって閉磁路が構成され
る第４のヘッド素子が形成される。

したがって、前記基板（２９）上には、高精度にギャッ
プ間隔調整及びトラック位置調整された各層の薄膜磁性
コア（３０）　、　（３３）　、　（３６）　、　（３
９）の磁気ギャップｇ　Ｉ＋　ｇ　！ｌ　ｇ　ｆｌ＋　
ｇ　４がそれぞれ積層方向にずれて配置され、当該積層
方向にガートバンドの無い４トランク構造のマルチトラ
ック磁気ヘッドが完成する。

以上述べてきた実施例においては、薄膜磁性コア、補助
磁性薄膜、非磁性膜のいずれの膜厚をもトラック幅とし
ているが、例えばこれらの膜厚の全てをトラック幅とす
るのではなく、上記非磁性層の膜厚のみをトラック幅と
するようにしてもよい。

すなわち、その構造を第１１図（ａ）ないし第１１図（
ｇ）の製造工程に基づいて説明する。

なお、上記第１１図（ａ）ないし第１１図（ｇ）は、磁
気記録媒体摺動面から見た正面図を示すが、その構造を
より明確なものとするために先の補助磁性薄膜は省略し
である。

先ず、第１１図（ａ）で示すように、基板（１６）の平
坦面（１６ａ）上に第１の薄膜磁性コアとなる一方の磁
性コア（１７ｂ）を所定形状に形成する。

このとき他方の磁性コアとの突合わせ面となる該磁性コ
ア（１７ｂ）の側面（１７ｃ）を所望のアジマス角とな
るようにイオンミーリングによって規制する。

次に、第１１図（ｂ）で示すように、上記磁性コア（１
７ｂ）の側面（１７ｃ）部のみにギャップ膜（図示は省
略する。）を成膜した後、前記平坦面（１６ａ）全体に
亘って強磁性材料をスパッタリングする。

次いで、エツチングを施して他方の磁性コア（１７ａ）
形成すると同時に、他方のＦｊｌ膜磁性コア、すなわち
第２の薄膜磁性コアのバックギャップ側に対応する位置
に補助磁性薄膜（図示は省略する。）を所定形状に形成
する。

次に、第１１図（Ｃ）で示すように、上記一対の磁性コ
ア（１７ａ）　、　（１７ｂ）及び上記補助磁性薄膜上
に５ｊＯｔやＡｊ２．０３等を積層して非磁性層（１Ｂ
）を形成した後、さらにこの上にＴｉ等よりなる膜を終
点検出膜（１９）として積層する。

このとき、上記非磁性層（１８）と終点検出膜（１９）
とを合わせた膜厚は、先の磁性コア（１７ａ）　、　（
１７ｂ）の膜厚より小で、しかもトラック幅Ｔｗとなる
ように形成する。

なお、上記終点検出！（１９）は後のエツチング工程で
エツチング終了を知らせる役目をするものであるから、
本実施例ではエツチングをストップさせるＴｉ膜を採用
した。また、このＴｉ膜に限らず例えば、上記非磁性層
（１８）とは反射率の異なる非磁性材料等を用いてもよ
い。

次に、第１１図（ｄ）で示すように、上記終点検出膜（
１９）上にやはり先の非磁性層（１８）と同様、Ｓｉｎ
ｇやＡ　Ｉ！　ｔ　０３等からなる非磁性層（２０）を
積層してこれら非磁性Ｎ（１８）　、終点検出膜（１９
）。

非磁性層（２０）の積層体たる非磁性中間１１ｉ（２１
）を形成する。

次に、第１１図（ｅ）で示すように、上記非磁性中間膜
（２１）を前記一対の磁性コア（１７ａ）　、　（１７
ｂ）の膜厚と略一致する位置まで回転砥石等によって研
磨し平坦化する。

この結果、上記研摩面には主として前記一対の磁性コア
（１７ａ）　、　（ｌＴｂ）と終点検出ｌ１ｌ（１９）
上に積層される非磁性層（２０）とが露出する。

次に、第１１図Ｃｆ＞に示すように、上記終点検出膜（
１９）上に残存した非磁性７ｉｉ　（２０）を反応性イ
オンエンチングによって除去し平坦化する。

上記エツチングにおいては、終点検出膜（１９）でエツ
チングがストップするため、必要以上のエツチングが防
止される。もちろん、上記終点検出膜（１９）に前記非
磁性層（１８）とは反射率の異なる材料を用いた場合に
は、当該終点検出膜（１９）が露出したところでエツチ
ングを終了すればよい。

この結果、前記基板（１６）の平坦面（１６ａ）上には
、■■磁気記録媒体摺動面磁気ギヤ・ンプｇ１を有する
一対の磁性コア（１７ａ）　、　（１７ｂ）からなる第
１の薄膜磁性コア（１７）と、トラ・ンク幅Ｔｗとなさ
れた平坦面（１９ａ）を有する非磁性層（１８）と終点
検出Ｍ（１９）との積層体が形成される。

次に、第１１図（ｇ）に示すように、上記終点検出膜（
１９）の平坦面（１９ａ）上に前述の工程を順次繰り返
し、先の磁気ギャップｇ１のアジマス角と番よ逆アジマ
ス角をとるやはり磁気記録媒体摺動面に磁気ギャップｇ
２を有する一対の磁性コア（２２ａ）（２２ｂ）からな
る第２の薄膜磁性コア（２２）と、やはりトラック幅Ｔ
ｗとなされた非磁性１９　（２３）と終点検出ｌ１ｌ（
２４）との積層体を形成する。

この結果、前記基板（１６）上には、互いに逆アジマス
をとる形で積層方向に磁気ギヤ・ノブｇｚｇｔがずれて
配置されたマルチトラ・ンク構造が形成される。

このような構成とした磁気へ・ノド（もちろん以下の工
程を経て形成される。）では、磁気記録媒体上に記録を
行った場合、上記第１の薄膜磁性コバ１７）の膜厚Ｔ＋
及び第２のＴＲＮ！　ｉｆｆ性コア（２２）のＳ厚Ｔ２
で実際に記録されるものの、記録フォーマント上で見た
場合には、見かけ上Ｔｗなる前記非磁性１（１８）と終
点検出膜（１９）の積層体の膜厚で記録されることにな
る。すなわち、これら薄膜磁性コア（１７）及び薄膜磁
性コア（２２）の間に介在する非磁性層（１８）と終点
検出膜（１９）との積層体の膜厚によって媒体上の記録
トラック幅が決定される。

したがって、膜厚制御性に優れる真空薄膜形成技術及び
エツチングによって高精度に膜厚制御された上記非磁性
層（１８）と終点検出膜（１９）の積層体をトラック幅
としているので、同一基板（１６）上に複数のｆｉＷｉ
磁性コアを形成した場合でも、媒体上の記録トラック幅
を正確に制御することができる。

また、この磁気ヘッドによれば、ヘッド間でのベラフキ
を低減することができ、また歩留りの向上が期待でき、
しかもヘッド間での互換性が取れる。

なお、これら第１の薄膜磁性コア（１７）及び第２の薄
膜磁性コア（２２）により記録される領域は、上記非磁
性層（１８）と終点検出膜（１９）との積層体の膜厚Ｔ
ｗがこれら第１の薄ｌｌ磁性コア（１７）及び第２の薄
膜磁性コア（２２）の膜厚Ｔ、及び膜厚Ｔ２より大きい
ため、その一部が重なるが、その領域は僅かであるため
記録時には隣接トラ・ンクの記録情報に何ら影響しない
、また、再生時にも上記各磁気ギャップｇ＋、ｇｚが互
いに逆アジマスとなされているのでやはり影響がない。

また、本実施例ではいずれも導体コイルをスノぐイラル
状に形成しているが、例えば、上記導体コイルは薄膜磁
性コア、補助磁性薄膜を巻き込むようにヘリカル状に巻
回してもよい。

なお、ここでは上記導体コイルの巻回構造をより明確な
ものとするため、単層膜よりなる薄膜磁性コアに導体コ
イルをヘリカル状に巻回したものについて説明するが、
先の実施例の如く多層構造を有するものでも同様である
。

上記薄膜磁性コア（２５）に導体コイルをヘリカル状に
巻回するには、先ず、第１２図に示すように、前記一対
の磁性コア（２５ａ）　、　ｉｆｆ性コア（２５ｂ）の
フロントギャップ部とバンクギヤ・ノブ部との接続部で
ある脚部（２５ｃ）　、　（２５ｄ）と対応する基板（
２６）上の所定位置に所定幅とした複数の導体コイル（
２７ａ）　、　（２７ｂ）　、　（２７ｃ）及び導体コ
イル（２８ａ）を形成する。

次に、これら導体コイル上に閉磁路を構成する前記一対
の磁性コア（２５ａ）　、　（２５ｂ）よりなる薄膜磁
性コア（２５）を形成する。

そして、先の導体コイル（２７ａ）　、　（２７ｂ）　
、　（２７ｃ）及び導体コイル（２８ａ）と磁気的に接
続さ廿るための導体コイル（２７ｄ）　、　（２７ｅ）
及び導体コイル（２８ｂ）　、　（２８ｃ）を上記薄膜
磁性コア（２５）上に積層して形成する。

すなわち、一方の磁性コア（２５ａ）の下方に形成され
る導体コイル（２７ａ）　　と導体コイル（２７ｂ）　
とを接続させる導体コイル（２７ｄ）を上記磁性コア（
２５ａ）上に積層し、その端部にてこれらの接続を図る
。

これと同時に上記導体コイル（２７ｂ）　と導体コイル
（２７ｃ）とを接続する導体コイル（２７ｅ）をやはり
上記磁性コア（２５ａ）上に積層してその端部にて接続
を図る。同様にして、他方の磁性コア（２５ｂ）の下方
に形成される導体コイル（２８ａ）と接続を図る導体コ
イル（２８ｂ）　、　（２８ｃ）を該磁性コア（２５ｂ
）上に積層して当該下方の導体コイル（２８ａ）の両端
部にて接続を回る。

この結果、上記一方の磁性コア（２５ａ）の脚部（２５
ｃ）には、前記導体コイル（２７ａ）　、　（２７ｂ）
　、　（２７ｃ）　、　（２７ｄ）　、　（２７ｅ）が
ヘリカル状に巻回される。また、他方の磁性コア（２５
ｂ）の脚部（２５ｄ）にも同様、前記導体コイル（２８
ａ）　、　（２８ｂ）　、　（２８ｃ）によってヘリカ
ル状に巻回される。

そして、これら各磁性コア（２５ａ）　、　（２５ｂ）
に巻回された導体コイルを先の導体コイル（２８ａ）　
　と導体コイル（２７ａ）とを接続することによって磁
気的に接続を図る。

このように導体コイルを薄膜磁性コア（２５）にヘリカ
ル状に巻回すれば、スパイラル状に形成したときよりも
磁気記録媒体摺動面近傍部により多く導体コイルを巻回
することができる。したがって、再生効率の向上が図れ
、しかもアジマス角の異なるヘッド素子をより近接して
配置することができ、実装密度の向上が達成される。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明を通用した磁
気ヘッドによれば、高精度にギャップ間隔調整及びトラ
ック位置調整がなされる。また、薄膜磁性コア、補助磁
性薄膜５非磁性膜の膜厚をさらに薄くして狭トラツク化
を図った場合であっても、同様にギャップ間隔調整及び
トラック位置調整が高精度になされ、これらの調整を後
工程でする必要がない。

したがって、本発明の磁気ヘッドによれば、磁気記録媒
体上の記録トラック幅を正確に制御することができ、ヘ
ッド間での互換性も改善される。

一方、本発明の磁気へノドの製造方法によれば、いずれ
も膜厚をトラック幅とした薄膜磁性コア補助磁性薄膜、
非磁性膜よりなる層をｌ頃次ｆｆｔ層してゆき、各層毎
に薄膜磁性コアの磁気ギャップを積層方向にずらして配
置させているので、高精度にギャップ間隔調整及びトラ
ック位置調整された磁気ヘッドが歩留りよく製造できる
。

したがって、生産性の向上が図れるとともに、製造コス
トの低下も回れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す要部
拡大斜視図である。 第２図ないし第９図は本実施例の磁気ヘッドの製造工程
をそれぞれ示す要部拡大正面図であり、第２図は第１の
薄膜磁性コアとなる一方の磁性コア形成工程、第３図は
ギャップ膜成膜工程、第４図は第１の薄膜ｃｎ性コア及
び第２の薄膜磁性コアの補助磁性薄膜形成工程、第５図
は非磁性層形成工程、第６図は平坦化工程、第７図は第
２の薄膜磁性コア及び第１の薄膜磁性コアの補助磁性薄
膜形成工程、第８図は導体コイル形成工程、第９図は補
助磁性薄膜形成工程である。 第１０図は４トランク構造とした磁気へノドの一構成例
を示す要部拡大正面図である。 第１１図（ａ）ないし第１１図（ｇ）は非磁性膜のみを
トラック幅とした磁気ヘッドの製造工程をそれぞれ示す
要部拡大正面図であり、第１１図＜ａ＞は第１の薄膜磁
性コアとなる一方の磁性コア形成工程、第１１図（ｂ）
は第１のｒｉＪＢＱＪ１１性コア形成工程、第１１図（
ｃ）は非磁性層及び終点検出膜形成工程、第１１図（ｄ
）は非磁性中間膜形成工程、第１１図（ｅ）は平坦化工
程、第１１図（ｆ）はエツチング工程、第１１図（ｇ）
は第２の薄膜磁性コア形成工程である。 第１２図は単層膜よりなるｇＪ膜膜性性コア導体コイル
をヘリカル状に巻回した磁気ヘッドの一構成例を示す要
部拡大斜視図である。 １．２　　　・・・ヘッド素子 ４．５，３０，３３，３６．３９　　・・・薄膜磁性コ
ア６．７．８，９．３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ　
　−・−補助磁性薄膜３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ
、３７ａ、３７ｂ３７ｃ、３７ｄ、４０ａ、４０ｂ、４
０ｃ、４０ｄ１０．１１，３２．３５．３８．４１　　
・・・導体コイルｇ＋＋ｇｚ＋ｇｉ＋ｇ４　”　′磁気
ギャップ特許出願人　　　ソニー株式会社 代理人　弁理士　　　小　池　　　晃（他二名）第２図 第３図 第４図 第５図 手続補正書（自発） 平成１年６月３０日 昭和６３年　特許側　第３３４２９１号２、発明の名称 るｎ気ヘッド及びその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住所　東京部品用区北品用６丁目７番３５号住所　〒１
０５東京都港区虎ノ門二丁目６番４号第１１森ビル１１
階　置　（５０８）　８２６６　（（カフ、補正の内容 （１）　　明細書第１１頁第５行目から第９行目に亘り
ｒさらには、・・・絶縁膜を形成する必要がある。Ｊと
ある記載を削除する。 （２）明細書の次の箇所に「磁性コア（５ａ）　Ｊとあ
る記載を「６ｎ性コア（５ｂ）　Ｊと補正する。 ■第２８頁第１６行目 ■第２８頁第１８行目 ■第２８頁第２０行目から第２９頁第１行目に亘る箇所 ■第２９頁第１０行目 ■第２９真第１４行目 ■第２９頁第２０行目 （３）明細書の次の箇所に「磁性コア（５ｂ）」とある
記載をｒ磁性コア（５ａ）　Ｊと補正する。 ■第２９頁第１６行目 ■第２９頁第１７行目から第１８行目に亘る箇所■第２
９頁第２０行目 （４）明細書第２８頁第１９行目に［バックギャップ側
に亘って」とある記載を「フロントギャップ近傍部のみ
に」と補正する。 （５）明細書第２９頁第１９行目に「フロントギャップ
近傍部のみに」とある記載を［バックギャンブ側に亘っ
て］と補正する。 （６）　　明細書第４４頁第１１行目の「積層体を形成
する。」とある記載の後に「なお、例えば２トラツクヘ
ンドの場合には、終点検出膜（２４）を研磨の終点検出
に用いることもできる。つまり、非磁性層（２３）と終
点検出膜（２４）との積層膜厚は薄膜磁性コア（２２）
の膜厚と一致する。このときの膜厚Ｔ８は必要なトラッ
ク幅Ｔｗより大きめにしておく、３トラツクヘンド以上
の場合にも最上層のヘッドを形成する場合には同様とす
ることができる。」を挿入する。 （７）明細書第４６頁第１行目から第３行目に亘り［大
きいため、・・・記録情報に何ら影響しない。」とある
記載を［小さいため、その一部が重なるが、その領域は
例えば薄膜磁性コア（１７）からなるヘッドを先行ヘッ
ドとした場合、薄膜磁性コア（２２）からなる後行ヘツ
ドによりオーバライドされるため、記録情報に何ら影響
しない、」と補正する。 （８）明細書の次の箇所に「磁気的Ｊとある記載を「電
気的」と補正する。 ■第４７頁第６行目 ■第４８頁第ｉｏ行目 （９）明細書第４８頁第９行目に［導体コイル（２８ａ
）とある記載を［導体コイル（２８ｂ）　Ｊと補正する
。 以上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気記録媒体摺動面に磁気ギャップを有する複数
   の薄膜磁性コアがフロントギャップ側では非磁性膜を介
   しバックギャップ側では補助磁性薄膜を介して同一基板
   上に積層され、これら薄膜磁性コアと補助磁性薄膜とで
   それぞれ閉磁路が構成されるとともに、 各薄膜磁性コアの磁気ギャップが積層方向にずらして配
   置されマルチトラック構造とされていることを特徴とす
   る磁気ヘッド。
2. （２）磁気記録媒体摺動面に磁気ギャップを有する第１
   の薄膜磁性コアを形成する工程と、 他の薄膜磁性コアのバックギャップ側に対応する位置に
   補助磁性薄膜を形成するとともに、フロントギャップ側
   を含めた他の部分に非磁性膜を積層する工程と、 これら第１の薄膜磁性コア、補助磁性薄膜及び非磁性膜
   を所定のトラック幅となるように平坦化する工程と、 所定の補助磁性薄膜に対応する位置に第２の薄膜磁性コ
   アを積層形成する工程と、 前記第１の薄膜磁性コアを含めた他の薄膜磁性コアのバ
   ックギャップ側に対応する位置に補助磁性薄膜を積層す
   るとともに、フロントギャップ側を含めた他の部分に非
   磁性膜を積層する工程と、これら第２の薄膜磁性コア、
   補助磁性薄膜及び非磁性膜を所定のトラック幅となるよ
   うに平坦化する工程とを薄膜磁性コアの積層数に対応し
   て繰り返し、 これら複数の薄膜磁性コアの磁気ギャップを積層方向で
   ずらして配置しマルチトラック構造を形成することを特
   徴とする磁気ヘッドの製造方法。