JPS62110612A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気記録媒体として、磁気テープ、磁気ディス
クを使用した磁気記録再生装置において、高記録密度化
、高信頼性化に対応した薄膜磁気ヘッドに関するもので
ある。

従来の技術 最近磁気記録再生装置において、記録線密度及びトラッ
ク密度の著しい向上に伴ない記録再生ヘッドに薄膜磁気
ヘッドが広く使用されつつある。

特に従来のコンパクトカセットテープレコーダの高音質
、高品質化を目的として、或いはコンピュータ用磁気テ
ープ装置、磁気ディスク装置での高信頼性を維持しつつ
大記憶容量化をめざして、従来のバルクヘッドに代わっ
て薄膜磁気ヘッドによるディジタル記録・再生が進んで
いる。薄膜磁気ヘッドは従来のバルクヘッドに比べて記
録時では記録磁界分布が急峻であること、再生時におい
ては再生出力波形のピークシフトが小さいこと、またマ
ルチトラック化が容易なことなど優れた利点を数多く有
している。一方薄膜磁気ヘッドの製造に関しては半導体
ＩＣ製造技術を駆使して、薄膜微細加工法にも著しい進
展が見られ、狭トラック化、狭磁気ギャップ化、マルチ
トラック化など高密度磁気記録の社会的要請に応えられ
るようになってきている。

薄膜磁気ヘッドの構造に関しては数多くのものが提案さ
れている。最も代表的な従来の構造例として２層マルチ
ターンコイル構造の薄膜磁気ヘッドを第４図に示す。以
下、図面を参照しながら従来の薄膜磁気ヘッドについて
説明を行なう。

第４図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。

第４図において、１はＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトなど
の高透磁性を有する強磁性基板、２は強磁性基板１上に
スパッタ法、プラズマＣ”／Ｄ法などによって形成され
たＳｉＯ□Ｓｉ３Ｎ４などの第１の絶縁層である。第１
の絶縁層２上には第１の薄膜コイル３を有し、第４図で
は４ターンを構成している。薄膜コイル３は銅７アルミ
ニウム、金などがら成膜、スパッタ法、蒸着法、電気メ
ツキ法などで成膜された後、フオＩ−ＩＪングラフィ技
術によって所望の形状にパターニングされる。４は第１
の薄膜コイル３を絶縁するための第２の絶縁層である。

第２の絶縁層４は第１の絶縁層２と同一の材料を用いて
所望の形状にパターニングするか又は耐熱性ホトレジス
トを用いることもでき、この場合パターニング後熱硬化
してコイル絶縁材とするものである。第２の絶縁層４の
表面は適切な手法によって平坦化された後、第２層目の
第２の薄膜コイル５が形成される。第１層目の第１の薄
膜コイル３と上記第２の薄膜コイル６は結合導体６で連
結され、その結果薄膜コイル構成としては、バックギャ
ップ部を形成するスルーホール８部を中心として渦巻き
状に巻回される。第２の薄膜コイル６は第１の薄膜コイ
ル３と同一材質、同一プロセスにて形成される。アは第
２の薄膜コイル５を絶縁する。第３の絶縁層で、第２の
絶縁層４と同一材質、同一プロセスで形成され、かつ表
面が平坦化される。前述したスルーホール８は各絶縁層
のパターニング段階で形成していく手法では寸法精度、
工程数などに問題がある。そこで第１の絶縁層２のパタ
ーニング工程時と、第３の絶縁層７が成膜されかつ平坦
化された時点で、第２．第３の絶縁層４，７を一括して
所望の形状にパターニングする工程で完成する方法が好
ましい。スルーホール８には磁気ボール１０の形成に先
立ってバック磁気ボール９が形成され、強磁性基板１と
連結している。１０は磁気ボールで高透磁率を有すルパ
ーマロイ、センダスト或いはアモルファス合金から成る
軟磁性薄膜である。製法としてはスパッタ法、電子ビー
ム蒸着法、電気メツキ法などが使われる。ホトリソグラ
フィ技術によってパターニングされる。１１は磁気ボー
ル１ｏを保護する保護層で、ＳｘＯ）　３１０２　　＋
　Ａｊ？２０３などの絶縁膜を蒸着法やスパッタ法を用
いて積層される。その後接着材１２を介してセラミック
、ガラス材などから成るバルク状の保護基板１３が接着
され、磁気記録媒体１６との安定走行と磁気ギャップデ
プス作成を目的としてヘッド先端加工と鏡面研摩される
。

以上のように構成された薄膜磁気ヘッドについて動作説
明する。薄膜磁気ヘッドとしての磁気ギャップ１４は第
１の絶縁層２の膜厚で形成される。

記録動作時では、薄膜コイル３．５に記録電流が印加さ
れ、磁気ポール１０→磁気ギヤツプ１４→磁気記録媒体
１５→強磁性基板１→バックギャップ磁気ポール、９→
磁気ポール１ｏの経路を流れる誘導磁束が発生し、磁気
記録媒体１６に信号が記録される。再生動作時において
は、情報が記録された磁気記録媒体１６からの信号磁束
が前記の磁気回路内を流れ、薄膜コイル３，６と鎖交す
ることにより薄膜コイル３，６の両端子間に再生出力を
得る。

また薄膜磁気ヘッドとして別の構造を有するものが特開
昭６０−１１９６１３号公報で提案されている。その断
面図を第５図に示す。

以下第６図を参照にしながら最近の薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明する。第５図においてアルミナなどから成る非
磁性基板２０上にスパッタリング法で付着されたセンダ
スト膜が下部磁性層２１として構成される。この下部磁
性層２１上のヘッド先端側は磁気ギャップ長に相当する
膜厚で成る５１０２　などのギャップ層２２を挾んで先
端磁気ポールピース２３及びバックギャップ部にはバッ
ク磁気ポールピース２４がパターニング形成される。さ
らに上記先端磁気ポールピース２３とパ・ツク磁気ポー
ルピース２４の間で、かつ下部磁性層２１上には第１の
絶縁層２６を介して薄膜コイル２６とコイル絶縁層２７
が充填される。この時点でコイル絶縁層２７、先端磁気
ポールピース２３、バック磁気ポールピース２４のそれ
ぞれの上面が同一平面内にある様に調整される。この平
坦化された平面上に先端磁気ポールピース２３、バック
磁気ポールピース２４を連結するスパッタリング法で付
着されるパーマロイ膜で成る上部磁性層２８が形成され
る。この後５ｉ０２膜などから成る保護層２９が形成さ
れ、非磁性保護基板３１が接着剤３ｏによって接合され
る。

動作に関しては第４図に示した構成のものと同じである
が、第６図に示す構成での磁気回路は先端磁気ポールピ
ース２３、上部磁性層２８、バック磁気ポールピース２
４、下部磁性層２１で形成されている。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の様な構造では次の如き理由でいくつ
かの問題点を有していた。

（１）第４図に示されるヘッド構成上、薄膜コイル３．
５及びコイル絶縁膜（第４図においては第２、第３の絶
縁層４，７）のそれぞれの膜厚が２μｍ程度必要とされ
る。この結果磁気ボール１０に大きな段差部ａ、ｂ又は
凹部Ｃを生じる。

スパッタ法等によって成膜される磁気ポールでは、段差
部ａ、ｂ部の膜厚が他の平坦部に比べて薄くなり、磁束
の流れる断面積が小さくなり、磁気飽和を発生しやすい
。また第４図の如く２層薄膜コイル構造の様にコイルの
多層化が進むにつれて段差部ａ、ｂの段差値が大きくな
る。

これは段差部における磁気ポール１ｏの透磁率に大きな
劣化を招く。以上の現象は薄膜磁気ヘッドにおける記録
効率、再生効率低下の主要原因となっている。

磁気飽和を防ぐためには磁気ポール１０の段差部の磁性
膜を厚く成膜することであるが、厚くなる程、下地材料
との熱膨張係数の相異、長時間スパッタなどの原因で磁
気ポール１０又は基板の亀裂、はく離などの弊害が生じ
る。この問題解決の一手法、す−なわち磁性膜の段差を
除去する構造として第６図に示されるものが提案された
。しかし次項で述べる問題点が第４図。

第６図に示される従来の構造には依然として残される。

（２）磁気ポール１０又は上部磁性層２８上の保護層１
１．２９の表面が平坦化された状態においても、磁気記
録媒体と摺動するヘッド先端部に露出する保護層１１又
は２９や接着層３ｏの膜厚が最小でも磁気ポール１０の
段差量又は上部磁性層２８の厚み段差だけ出現する。こ
の結果ヘッド先端部に露出する異質薄膜材料が交互に出
現する。第４図の場合では５ｉ０２などから成る第１の
絶縁層２と保護層１１と磁気ポール１゜となり、第６図
の場合ではセンダスト膜の上。

下部磁性層２１・２３とＳｉＯ□膜保護層２９及び接着
剤３ｏ等であり磁気記録媒体との接触摺動に伴なうヘッ
ド先端部の偏摩耗が生じ易くなる。この偏摩耗量は磁気
ポール１ｏ及び保護層１１又は２９さらには接着層３０
の膜厚が増えるにつれて増大するものである。特に第４
図の構造では薄膜コイルの積層数が増えるにつれて段差
量は大きくなり、当然磁気ポール１ｏ上の保護層１１に
要求される膜厚は厚くしなければならない。一般に第４
図、第５図の保護層１１゜２９はＳｉＯ□　、ムｌ！２
０３　　などの材料で構成されるが、強磁性基板１、非
磁性基板２ｏや磁気回路を構成する磁性薄膜との熱膨張
係数の大きな相異から、保護層の成膜中又は成膜後に生
じる基板の亀裂、ひび割れや下地薄膜層のはく離など保
護層１１．２９に起因する製造中のトラブルが多発する
。

（３）第５図の構造においては、センダスト膜にて先端
磁気ポールピース２３、バック磁気ポールピース２４が
薄膜コイル２６の形成に先立って構成される。このため
薄膜コイル２６導体が凹部に成膜される結果、コイルパ
ターン出し精度に限界が生じ、微細なコイルパターニン
グがむずかしい。さらに先端磁気ポールピース２３と上
部磁性層２８が一部重なるような形で両者が連結されて
いる。これは記録再生感度向上のための手段としてギャ
ップデプスを短かくするとき、重複部の長さ及び面積を
減少せしめる必要が生じ、磁気飽和の大きな原因となる
。

本発明は上記問題点に鑑み、薄膜磁気ヘッドの記録・再
生効率の向上を図る中で、特に高密度ディジタル記録再
生可能な高保磁力を有する磁気記録媒体の適用を可能と
し、さらに偏摩耗特性の改善と製造工程の簡易化、生産
歩留りの向上を図ることのできる薄膜磁気ヘッドを提供
するものである。

問題点を解決するための手段 上記目的を達成するための本発明の薄膜磁気ヘッドは磁
性薄膜の段差と段差のために生じる厚膜の保護層を除去
することである。薄膜コイル絶縁層のパターニング後、
強磁性基板上に発生するコイル絶縁層の段差又は凹部に
上記強磁性基板と接合する形で高透磁率磁性膜を充填し
、その上表面が薄膜コイルの最上位絶縁層の上表面と同
一平面となるよう最適な製造プロセスに従って調整加工
する。この平坦化された面上に所定の寸法で磁気ギャッ
プ層を形成する。この後上部磁性体として高透磁率のバ
ルク状強磁性基板或いは磁性膜で実現し、ヘッド先端に
露出する構成とする。

作用 単層又は多層から成る薄膜コイルの絶縁層の最上位置面
が形成された後、コイル絶縁層は一括でパターンエツチ
ングされる。この時コイル絶縁層には段差又は凹部が発
生している。この段差又は凹部に高透磁率磁性膜を充填
し、強磁性基板に接合された先端磁気ポールとバック磁
気ポールを形成する。先端磁気ポールとバック磁気ポー
ルの上表面はコイル絶縁層の最上位面と同一平面となる
よう平坦加工されており、この時点で磁性膜の段差は取
り除かれる。上記同一平面上に磁気ギャップ長相当の絶
縁層を付着後、高透磁率強磁性基板又は磁性膜から成る
上部磁性体で、先端磁気ポールとバック磁気ポールとが
磁気的に連結され、磁気ヘッドとしての磁路が完成され
る。上部磁性体には平坦な磁気ギャップ層をはさんでバ
ルク状の強磁性基板又は平坦な磁性膜で構成されること
から、磁束伝搬経路内に段差が生じず、さらにヘッド先
端に露出する厚膜の保護層と厚膜接着層が不要となる。

実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第１図は本発明の一実施例の２層４ターンコイル
構造の薄膜磁気ヘッドの断面図を示している。

第１図において、４０は高透磁率を有するＭｎ　−Ｚｎ
単結晶フェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る強
磁性基板であり、その表面は鏡面研摩されている。強磁
性基板４ｏ上には、ＳｉＯ□、Ｓ工、Ｎ４゜人１２０３
　　の池に耐熱性ホトレジストなどの有機材料から成る
第１の絶縁層４１が付着される。薄膜形成手段としては
高周波スパッタ法、プラズマＣＶＤ法などが一般的であ
る。４２は第１層目となる第１の薄膜コイルで第１図の
例では４ターン巻きであり、（ｕ　ｈｅなどの導電性金
属体がスパッタ法、蒸着法、電気メツキ法等で成膜され
た後、エツチング手法によりコイル形状にパターニング
される。薄膜コイル４２上には薄膜コイルの絶縁を目的
とした第２の絶縁層４３が付けられる。この第２の絶縁
層４３は第１の絶縁層４１と同一材料、製法で形成され
た後、表面は平坦化される。

４６は第２層目の第２の薄膜コイルで、第１の薄膜コイ
ル４２とは第２の絶縁層４３に形成されたスルーホール
４４で連結している。第２の薄膜コイル４６上には第１
．第２の絶縁層４１．４３と同一の製法で第３の絶縁層
４６が形成される。この第３の絶縁層４６も第２の絶縁
層４３と同様に適切な手段で平坦化が施される。この後
磁気ヘッドの磁路形成のため、上記第１．第２．第３の
絶縁層４１，４３．４６が所定の形状に一括エッチング
される。エツチング手法としてはイオンビームエツチン
グ、リアクティブプラズマエツチングなどのドライ方式
やフッ酸によるウエットエッチング方式などが採られる
。この時点で強磁性基板上にコイル絶縁層の段差による
凹部４７，４８を発生する。エツチング段差は第１図に
示す如くｈである。この後センダスト、アモルファス合
金などの高透磁率を有する強磁性膜をスパッタ法などで
凹部４７．４８を充填する如く段差り以上の膜厚で付着
する。この強磁性膜は適切な手段（第３図を使って後述
する）を用いて薄膜コイルの最上位絶縁層（第１図の場
合、第３の絶縁層４６）の上表面と同一平面となるよう
に平坦加工される。

この加工により強磁性膜は先端磁気ポール４９とバック
磁気ポール６ｏが完成される。強磁性基板４ｏからの高
さｈで調整加工された先端磁気ポール４９、バック磁気
ポール６ｏ、及び第３の絶縁層４６上に、先端磁気ギャ
ップ６１を形成するだめの５ｉｎ２．　Ｓｉ３Ｎ４．　
ＡＩ！２０３などから成るギャップ層５２が付着される
。最後にＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライト、Ｎｉ　−Ｚｎ　
フェライトなどのバルク状の高透磁率保護基板６３が上
部磁性体として配置される。接着方法は保護基板６３に
スペーサとして予め付着された比較的高い融点をもつガ
ラス膜や５ｉｎ２膜（図示せず）などを溶融接着するこ
とで実現できるが、この場合ギャップ長はギャップ層５
２の厚さと保護基板５３上の接着層の厚さの和となる。

第２図は第２の実施例で上部磁性体が薄膜磁性層で構成
される薄膜磁気ヘッド断面図を示す。第１図と同一部材
には同一番号を付しである。第２図においてギャップ層
６２上には上部磁性層５４が形成される。上部磁性層６
４はセンダスト・アモルファス合金などの高透磁率磁性
膜で実現され、所定の形状にパターニング後、少なくと
もその表面をカバーするだけの薄い保護層５５が被覆さ
れる。最後に非磁性保護基板５７が接着剤６６によって
配置される。接着法としてはガラスボンディング法、有
機樹脂接着法などの他に＠１図において述べた方法と同
様、非磁性保護基板５７に予め付着されたガラス膜、Ｓ
ｉＯ２膜を溶融接着することもできる。

第３図人〜Ｅは上述した第１図、第２図における実施例
の中で、第１．第２．第３の絶縁層４１゜４３．４６が
一括パターンエツチングによって段差りの凹部４γ、４
８が形成された以後の主要な製造プロセスについて示し
たものである。第１図及び第２図と同一部材には同一番
号を付している。

第３図Ａｉセンダスト、アモルファス合金など高透磁率
磁性膜５８が厚さｈ’（ｈ′〉ｈ　）で付着される。こ
の磁性膜５８の表面は下地の形状を反映して段差が生じ
ており、ホトレジスト５９をコーティングして、その表
面を平坦にする。平坦化された後イオンビーム６０照射
によりエツチングを行なう。イオンビーム６０の入射角
度θはホトレジスト５９と磁性膜５９のエツチング速度
が等しくなる様に調節される。エツチング深度は所定の
深さく点線ライン）まで実施される。同図Ｂは強磁性基
板４ｏからの高さｈで平坦化加工を完了した時点で先端
磁気ポール４９とバック磁気ポール６０が形成される。

同図Ｃでは磁気ギャップ長を考慮した膜厚のＳ１０□な
どから成るギャップ層５２が付着される。Ｄは第１図に
対応した構成のものでバルク状の高透磁率強磁性基板６
３が上部磁性体として配置された時点を示し、Ｚは第２
図に対応したもので、上部磁性体として薄膜の上部磁性
層５４が付着され、パターニング後薄い保護層６５が形
成されたところを示している。

以上のように構成された薄膜磁気ヘッドについて以下そ
の動作について説明する。

本発明の特徴は高透磁率磁性膜で構成される磁束伝搬経
路に急激な磁路段差を除去して磁気効率を高めると同時
に、薄膜部材が平坦化積層される結果、ヘッド先端に露
出する薄膜複合層に起因する偏摩耗特性を向上すること
にある。第１図、第２図に従って詳しく説明する。

第２の薄膜コイル４５上の第３の絶縁層４６が平坦に形
成された後１．コイル絶縁層が一括で所望の形状にパタ
ーンエツチングされる結果、強磁性基板４０上には深さ
ｈなる凹部が発生するが、ここに高透磁率磁性膜が充填
される。この後第３図に従ったプロセスで高透磁率性を
維持して先端磁気ボール４９とバック磁気ポール５０が
形成されるが、前者はヘッド機能上重要な磁気ギャップ
デプスの長さを決め、後者は強磁性基板４０との間に生
じるバックギャップ磁気抵抗を低減せしめ、磁気回路効
率を上げている。ギャップ層５２は所望の先端磁気ギャ
ップ長を画定し、その上に配置されるヘッド先端まで伸
びる強磁性保護基板６３又は上部磁性層５４は先端磁気
ポール４９とバック磁気ポール６ｏとを連結し強磁性基
板４ｏを含めた閉磁路を構成するとともに、ヘッド先端
に近い先端磁気ポール４９との接合部での磁気飽和を防
いでいる。本発明の構造によるとギャップデプス長を任
意に設定できる。

記録時・再生時とも磁束伝搬に供する部材は先端磁気ポ
ール４９、強磁性基板４０、バック磁気ポール６０及び
強磁性保護基板６３（第１図の場合）或いは上部磁性層
５４（第２図の場合）で構成される。磁路構成部材とし
て使用される磁性膜にアモルファス合金又はセンダスト
が適している。

これらの磁性膜は高透磁率を得るためにアニール処理を
施す必要がるる。特にアモルファス合金膜は回転磁場中
アニール処理を必要とする。アニール処理のタイミング
は強磁性保護基板６３が接合された（第１図に示す構造
の場合）後か第２図に示す構造では上部磁性層５４上の
薄い保護膜５５が形成された後か、或いは非磁性保護基
板５７の接着とを兼ねて同時に行なうこともできる。

以上のように本実施例によれば、最適な製造プロセスに
従いコイル絶縁層の段差又は凹部に高透磁率磁性膜を付
着後、エツチングにより表面がコイル絶縁層の最上位面
と同一平面内にある平坦な先端磁気ポール４９とバック
磁気ポール５ｏを形成した後、上記平面上にギャップ層
５２を形成し、さらに高透磁率でヘッド先端まで伸びる
上部磁性体を配置する構成により （１）磁束伝達経路上における磁性膜の段差が除去され
、磁性膜の透磁率を劣化させることがなく、磁束伝搬効
率の高い磁気回路が実現できる。

（２）先端磁気ポール４９と上部磁性体（強磁性保護基
板５３又は上部磁性層５４）の両者がギャップ層５２を
挾んで平行に対向して先端磁気ギャップ５１とギャップ
デプスを形成するため、ヘッド先端部での磁気飽和を起
こすことなくギャップデプスを任意に設定できる。特に
浅いギャップデプスとしてヘッド効率を上げるときなど
特に威力を発揮する。

（３）従来構造にみられる磁気ポール段差又は上部磁性
層の厚み段差量以上の厚みを有する保護層を介在させる
必要がなく、磁気記録媒体と摺動するヘッド先端に露出
する異種の薄膜複合層やその厚さに起因する偏摩耗特性
を大幅に低減できる。さらに高保磁力媒体（保磁力は約
１０００６ｅ〜１５００６ｅ）に対応した記録ヘッドで
は従来の磁気ポール段差又は上部磁性層の厚み段差は６
〜１０μｍにも達し、薄膜保護層の厚みは平坦化処理前
では約２０μｍの厚さの成膜を必要とする。この保護層
は５ｉ０２　　、１１２０３などで構成されることが多
いが、一般的に強磁性基板又は磁性膜との熱膨張係数の
大きな相異から保護層の成膜中又は成膜後に基板の亀裂
、ひび割れ、下地薄膜層のひび割れ、はく離などが多発
する。膜厚の厚い保護層を除去することは生産歩留りや
品質の向上に大いに役立つ。

（４）製造プロセス上薄膜コイルは磁性膜付着に先立っ
て形成されるため、薄膜コイルの微細パターン化が容易
である。

（（へ）第１図に示した実施例の構成によると、強磁性
保護基板６３自身は磁気回路の一部としても動作してお
り、従来構造にみられる非磁性体から成る保護基板を別
途使用する必要がない。さらに強磁性基板５３の接着を
、ギャップ層５２形成用の５ｉｎ２膜で行なうことがで
き、製法が簡素化できる。

なお実施例では芝屑コイル構造のシングルトラックで説
明してきたが、単層コイル構造においても、又マルチト
ラック構造でも同様の効果があることは自明である。

発明の効果 本発明はドライエツチング手法により表面が平坦な先端
磁気ポールとバック磁気ポールを形成し、その上部にギ
ャップ層を挾んでヘッド先端まで伸びる表面が平坦な上
部磁性体を配置することにより、磁性膜の段差を除去し
、磁気飽和、透磁性劣化のない磁路を構築することがで
き、記録再生効率の向上に寄与できる。またヘッド先端
に露出する厚膜の保護層も除去できることから、異種薄
膜複合層とその総合厚みに起因する偏摩耗特性の向上、
生産性の向上、品質の安定化など数々の優れた効果を得
ることのできる薄膜磁気ヘッドを実現できるものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの断
面図、第２図は本発明の池の実施例における薄膜磁気ヘ
ッドの断面図、第３図は本発明の製造プロセスの一例を
示す工程図、第４図、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの
断面図である。 ４０・・・・・・強磁性基板、４１．４３．４６・・・
・・・第１、第２．第３の絶縁層、４２　、４５・・・
・・・第１１第２の薄膜コイル、４７　、４８・川・・
凹！、４９゜５０・・・・・・先端磁気ポール、バック
磁気ポール、５１・・・・・・先端磁気ギャップ、５２
・・・・・・ギャップ層、６３・・−・・・強磁性保護
基板、５４・・・・・上部磁性層、５５・・・・・・保
護層、５６・・・・・・接着剤、５７・・・・・・非磁
性保護基板、５８・・・・磁性膜、５９・・・・・レジ
スト、６０・・・・・・イオンビーム。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名−；
み母占零千τちち汐３

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 高透磁率強磁性基板上に第１の絶縁層を形成し、上記絶
   縁層上に薄膜コイルと上記薄膜コイル絶縁層を順次積層
   し、かつ上記薄膜コイル絶縁層の最上位面と同一平面と
   なるよう上表面の高さ調整加工された上記強磁性基板上
   の先端磁気ポールとバック磁気ポールと、上記平面上に
   形成される磁気ギャップ層と、上記磁気ギャップ層を挾
   持して接合されヘッド先端まで伸びる高透磁率上部磁性
   体の順で構築される主要部材と、上記強磁性基板とで構
   成される磁気回路を有し、上記薄膜コイルは上記磁気ギ
   ャップ層で形成される先端磁気ギャップに磁界を発生し
   、かつ磁気記録媒体上の信号を読み取るように巻回され
   た構造の薄膜磁気ヘッド。