JPH02133039A - 満充電検出回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、バッテリーを充電する充電装置の満充電検出
回路に関する。

（口）従来の技術 バッテリーの充電装置に設けられ、バッテリーが満充電
となったことを検出する満充電検出回路については、例
えば特公昭６　０−１　８　１　７　７号公１（ＨＯ２
Ｊ　　７／０４）に示されている。前記従来技術では、
第６図に示すように、バッテリーが満充電状態となる少
し前に、充電電圧のピーク点（ヘ）が現れ、ピーク点後
は充電電圧が漸減する充電電圧特性に着目し、ピーク点
における電圧を記憶回路に記憶せしめ、漸減する電圧が
、記憶回路に記憶されている電圧より所定値（△■）以
上降ドした場合に、満充電を検出する構成となっている
。

第５図は、ト記従来技術と同様、ピーク点後に漸減する
電圧が、所定値（△Ｖ）以上降下した場合に満充電を検
出する回路の、他の構成例を示す図である。

図において、（５１）は充電電圧入力端子であり、バッ
テリーの充電電圧（Ｖｃｃ）が入力されている。（Ｂ）
点の電圧（Ｖ，）ｌｉ、充電電圧（Ｖｃｃ）よりツエナ
ーダイオード（ＺＤ，）による電圧降下だけ低く、オン
アンプ（Ｑ，）の（＋）側入力には、電圧（■１）が入
力されている。オンアンプ（Ｑ，）の出力は、抵抗（Ｒ
．）　、ダイオード（１），）を介してオンアンプ（Ｑ
，）の（−）側入力へ帰還されており、コンデンサ（Ｃ
１）の電圧（Ｖｐ）は電圧（■１）と等しくなっている
。

よって、オンアンプ（Ｑ１）のく−）側入力にも電圧（
■１）が入力される。オンアンプ（Ｑ１）の（＋）側入
力には、抵抗（Ｒ，）による電圧降下（△■）だけ（Ｂ
）点の電圧（■，）より高い電圧（Ｖ，＋△Ｖ）が入力
され、オンアンプ（Ｑ，）の出力は（Ｉ］）レベルとな
っている。充電電圧（Ｖｃｃ）がト昇している間はｖｐ
＝ｖ となり、オンアンプ（Ｑ，）の出力は（Ｈ）レベルを保
持するが、充電電圧（Ｖｃｃ）がピーク点に達した後、
下降した場合コンデンサ（Ｃ１）は電圧（Ｖｐ）を維持
するため、充電電圧（ＶｃＣ）がピーク点における電圧
より、△Ｖ以上下降したとき、オンアンプ（Ｑ，）の出
力は（Ｌ）レベルとなり、満充電が検出される。

（ハ）発明が解決しようとする課題 しかし、上記従来技術はいずれも、ノイズ等により、充
電電圧が異常に変動した場合の対策が施されていない。

よって、従来技術による回路では例えば、第７図に示す
ように、充ｉｔ圧がノイズにより、一時的に高くなった
場合、この電圧がピーク点における電圧として保持され
、満充電となる以前に、満充電が検出されることがある
。又、充電中に、振動等により充電装置とバッテリーと
の接触抵抗が大きくなり、第８図に示すように充電電圧
が一時点に降下した場合にも、満充電が誤って検出され
ることがある。

本発明は、ノイズや、接触抵抗の変化等によリ、充電電
圧が変動した場合でも、誤動作することなく、確実な満
充電の検出が為される満充電検出回路を提供することを
目的とする。

（二）課題を解決するための手段 本発明は、充電電圧を所定周期でサンプリングし、サン
プリング値を検出するサンプリング手段と、前記サンプ
リング値より最大サンプリング値を更新記憶する最大サ
ンプリング値記憶手段と、前記サンプリング値と前記最
大サンプリング値とを比較する比較手段とを配し、比較
の結果、前記サンプリング値が前記最大サンプリング値
より大ならば、該最大サンプリング値を更新記憶せしめ
、前記サンプリング値が前記最大サンプリング値より、
所定値以上小ならば、満充電検出出力を導出する満充電
検出回路において、比較の結果、前記サンプリング値が
前記最大サンプリング値より大であると共に、その差が
所定の差より小である状態を第１の所定回数継続的に検
出した場合、及び、前記サンプリング値が前記最大サン
プリング値より大であると共に、その差が前記所定の差
より夫である状態を、前記第１の所定回数より大である
第２の所定回数継続的に検出した場合に限り、前記サン
プリング値記憶手段の更新記憶を許容する更新制御手段
を設けることを特徴とする。

又，充ｉｔ圧を所定周期でサンプリングし、サンプリン
グ値を検出するサンプリング手段と、前記サンプリング
値より最大サンプリング値を更新記憶する最大サンプリ
ング値記憶手段と、前記サンプリング値と前記最大サン
プリング値とを比較する比較手段とを配し、比較の結果
、前記サンプ』ング値が前記最大サンプリング値より大
ならば、該最大サンプリング値を更新記憶せしめ、前記
サンプリング値が前記最大サンプリング値より，所定値
以上小ならば、満充電検出出力を導出する満充電検出回
路において、前記サンプリング値の降下を検出し、該降
下の検出が、所定回数以上継続的に行われた場合に降下
検出信号を導出する降下検出手段と、前記降下検出信号
と、前記満充電検出出力が入力された場合に、第２満充
電検出出力を導出する判別手段を設けることを特徴とす
る。

（ホ）作　用 本発明は、以上の様に構成されているので、サンプリン
グ値が最大サンプリング値より大であると共に、その差
が所定の差より小であり、さらに、その状態が第１の所
定回数継続的に検出された場合、及び、サンプリング値
が最大サンプリング値より大であると共に、その差が所
定の差より大であり、さらに、その状態が第２の所定回
数継続的に検出された場合に限り、記憶手段は更新記ｔ
伍される。又、降下検出手段により、サンプリング値の
継続的な降下が検出されると共に、制御手段により満充
電検出出力が導出された場合に、第２満充電検出出力が
導出される。

（へ）実施例 以下図面に従い、本発明の実施例について説明する。

第１図は第１実施例のブロック図である。図において（
２）はＡ／Ｄコンバータであり、入力されるバッテリー
の充電電圧を所定の時間間隔（所定周期）で逐次サンプ
リングし、サンプリングされたサンプリング値は第１ｔ
圧値（Ａ）として第１メモリ（３）に取り込まれる。本
実施例では数十〜数百１．Ｌ　Ｓ　ｅ　Ｃ程度の周期で
サンプリングが行われる構成となっている。Ａ／Ｄコン
パータ（２）と第１メモリ（３）とによりサンプリング
手段（１）が構成されている。（４）は充電電圧の最大
サンプリング値を第２１ｔ圧値（Ｂ）として記憶する第
２メモリ（最大サンプリング値記憶手段）である。デー
タ比較１段（比較手段）（５）は、タイミングクロック
発生Ｔ段（６）より導出されるタイミングクロックに同
期して第１メモリ（３）に取り込まれる第１電圧値（Ａ
）と、第２メモリ（４）に記憶されている第２ｔ圧値（
Ｂ）との比較を行う。本実施例では数百７１　Ｓ　ｅ　
Ｃ〜数ｍｓｅｃ程度の周期で、比較が行われる構成とな
っている。（７）は第１制御手段であり、データ比較手
段（５）より供給される比較結果、後述する第２制御手
段（９）より供給される更新制御信号等に応じて、転送
制御信号、満充電検出信号（ｆＭ充電検出出力）を導出
する。第１制御手段（７）の動作については、後に詳述
する。

（８）は、第２制御手段（９）、タイマー切替手段（ｌ
Ｏ）、第１タイマー（１１）　（第ｌカウンタ）、第２
タイマー（１２）　（第２カウンタ）より構成される更
新制御手段である。第２制御手段（９）は、データ比較
手段（５）より供給される比較結果に応じて、タイマー
切替制御信号を導出する。タイマー切替手段（１０）は
、タイマー切替制御信号に応じて、第１タイマー（１１
）か第２タイマー（１２）を選択し、第１タイマー（ｌ
１）が選択された場合には、第１の所定同数が、第２タ
イマー（１２）が選択された場合には、第１の所定回数
より大きい、第２の所定回数が設定される。本実施例で
は、第１の所定回数は・１０９６回程度、第２の所定回
数は６５５３６回程度に設定されている。また、第２制
御手段（９）は，第１制御手段（７）に更新制御信号を
導出する。更新制御手段（８）の動作については、後に
詳述する。

（１３）は満充電検出制御手段であり、第３タイマ−（
１４）（第３カウンタ）に設定されている設定回数以ト
、満充電検出信号を継続して入力された場合に、満充電
検出確定信号を導出する。本実施例では、第３の所定回
数は６５５３６回程度に設定されている。（１５）は、
転送制御信号を入力された場合に、第１メモリ（３）に
取り込まれている第１電圧値（Ａ）を、第２メモリ（４
）に転送し、新たに第２ｔ圧値（Ｂ）として記憶せしめ
るデータ転送制御手段である。（１６）は、充電開始時
等に、Ａ／Ｄコンバータ（２）、第１メモリ（３）、第
２７モリ（４）等を初期化するためのリセット手段であ
る。

次に、上記構成の動作について説明する。

第６図に示す様に変化する充電電圧は、所定の時間間隔
で逐次第１メモリ（３）に、第１電圧値（Ａ）として取
り込まれる。データ比較手段（５）は、タイミングクロ
ックに同期して、第１１ｔ圧値（Ａ）と、第２メモリ（
４）に記憶されている第２電圧値（ｌ３）とを比較する
。データ比較手段（５）は、比較結果が（Ａ）≧（Ｂ’
ｌであり、かつＣＡＩ　’＝　（Ｂ］である場合、即ち
、微小増加が検出された場合には第１検出信号を、（Ａ
ｌ　＞＞　ＣＢ）である場合、即ち、急激な増加が検出
された場合には第２検出信号を、［Ａ］　＜　ＣＢ〕と
なった場合には第３検出信号を第２制御手段（９）に導
出する。又、比較結果がＣＢ）−　［Ａ］≧△Ｖとなっ
た場合、即ち、第１電圧値（Ａ）が、充電電圧の最大値
より所定ｆ＋／ｊ　（所定の差）（△Ｖ）以上低下した
場合には，第１制御手段（７）に対して、第４制御信号
を［有］出する。

第２メモリ（４）には、後述する動作により、充電開始
後の充電電圧の変化における最大値が第２゛．ｋ圧値（
Ｂ）として記憶されており、また、充電電匡は、第６図
におけるピーク点（Ａ）に達するまでは、緩やかに増加
するため、この綬やかに増加する間においては、通常、
第１電圧値（Ａ）は、第２ｔＬ王値（Ｂ）より若干高い
値となる。よって、データ比較手段（５）は第１検出信
号を導出し、第２制御手段（９）は、第１検出信号を供
給されることにより、タイマー切替回路（１０）が第１
タイマー（１ｌ）を選択するようにタイマー切替制御信
号を導出する。この時、第１の所定回数が設定される。

第１の所定回数が設定された後も、データ比較手段（５
）における比較はタイミングクロツクに同明して、順次
行われる。第２制御手段（９）は、第１の所定回数が設
定された後の、第１の所定回数の比較において、すべて
第１検出信号が入力された場合にかぎり、史析制御信号
を、第１制御手段（７）に導出する。第１制御手段（７
）は更新制御信号を人力された場合には、転送制御信号
を導出し、転送制御信号発生時に第１メモリ（３）に取
り込まれている第１ｔ圧値（Ａ）が、第２メモリ（４）
に転送される。

第１の所定回数の比較が終了した後の、最初の比較にお
ける比較結果に応じて、再び第１の所定回数か、第２の
所定回数の何れかが設定され、第１の所士回数が設定さ
れた場合には、同様の動作が繰り返される。第２の所定
回数が設定される動作については、後に説明する。

前述した充″ｅＬ電圧が緩やかに増加する間において、
充電電圧の変化が安定している状態においては、〔Ａ〕
≧ＣＢ’ｌ　と［Ａ］→〔Ｂ〕の関係が、通常、常時満
足されるため、データ比較手段（５）からは、常に第１
検出信号が導出される。この場合、第１電圧値（Ａ）の
第２メモリ（４）への転送は、第１の所定回数の比較が
行われるのと略同様な周期で行われる。

次に、第７図に示すようなノイズが発生し、充電ｔｂ　
Ｉ１Ｅが大きく変動した場合について説明する。

ノイズ等の発生により、［Ａ］＞＞　（Ｂ）となった場
合には、前述したように、データ比較手段（５）は第２
検出信号を導出する。第１の所定回数の比較中において
、第２検出信号が発生した場合には、第２制御手段（９
）は、直ちに，タイマー切替制御信号を導出し、タイマ
ー切替手段（１０）が第２タイマー（１２）を選択する
ように制御する。この時、第１の所定回数に代えて、第
２の所定回数が設定される。第２制御手段（９）は、第
２の所定回数が設定された後の、第２の所定回数の比較
において、すべて第２検出信号が入力された場合にかぎ
り、更新制御信号を第１制御手段に導出し、この場合に
は、第１電圧値（Ａ）が第２メモリ（４）に転送される
。第２の所定回数の比較が終了した後の、最初の比較に
おける比較結果に応じて、再び第１の所定値か、第２の
所定値の何れかが設定される。

１−述するような、第２検出信号が連続して発生するの
は、充電電圧が急激に上昇し、上昇した電圧において、
安定状態となった場合等であり、充電開始直後等にこの
様な状態となることがある。

しかし、ノイズ等の発生により第２検出信号が発生し、
第２の所定回数が設定された場合、第２検出信号が連続
して発生する。即ち、新しく取り込まれる第１′＠圧値
（Ａ）がすべて第２電圧値（Ｂ）より火となることは少
なく、通常は、第２の所定回数の比較を全て終ｒする以
前に、第１′７ｃＬ圧値（Ａ）は降トし、［Ａ］　＜　
ＣＢ）或いは〔Ａ〕≧〔Ｂ〕かつｒＡ）：　（Ｂ〕の状
態となる。〔Ａ〕≧ＣＢ）かつ（Ａ３″Ｆ　ＣＢ）とな
った場合には、データ比！２手段（５）からは第１検出
信号が導出され、ＩＡ）＜［８］の場合には、第３検出
信号が導出される。第１検出信号発生時には、再び、第
２の所定回数に代えて、第１の所定回数が設定される。

また、第３検出信号発生時には、第２の所定回数に係る
比較は終了し、第２制御手段（９）に、再び、第１検出
信号か或いは第２検出信号が、入力されるまでは、第１
の所定回数、第２の所定回数の何れの設定も行われない
。

Ｌ記構成においては、前述したように、第２の所定回数
は、第１の所定回数に比較して大きく設定されている。

よって、充電電圧の変化が、緩やかにＬ昇する場合には
、第１の所定回数の比較により、第１電圧値（Ａ）がノ
イズ等によるものではなく、安定した値であることが確
認された後、第２メモリ（４）に転送される。この時、
第１の所定回数は、第２メモリ（４）に新しい電圧値が
取り込まれる間隔が、長くならず、ピーク電圧の検出等
が精度良く行える程度に設定されている。

充電電圧が急激に上昇し、上昇した電圧において安定し
た状態となった場合等に、第２の所定回数の比較すべて
において、　［Ａ］　＞＞　（Ｂ）となった場合には、
上昇した電圧が安定したものと判断され、第１゛Ｉｔ圧
値（八）の第２メモリ（４）への転送が行われるが、第
２の所定回数は、第１の所定回数に比軸して、充分大き
く設定されているため、急１牧な電圧の１−．−５１−
が、例えば、方形波のようなノイズによるものて゛あっ
た場合には、この電圧値が取】込まれることはない。

よって上記購成によれば、ピーク電圧の検出等が、精度
良く行えると共に、ノイズ等による高電１１：．を、誤
って取り込むことが、極めて少なくなる。

次に、満九一ｔ検出の動作について説明する。

第６図に示す充電電圧の変化特性において、充電’ｔ　
Ｌｆｚがピーク点（Ａ）を過ぎ、降下を開始すると、第
１電１．Ｅ値（Ａ）＋！常＋：、第２　’．１ｔ圧値（
Ｂ）ヨ’）小さくなり、［Ａ］　＜　［Ｂ］が満足され
、データ比較手段（５）は第３検出信号を導出する。第
２制御手段（９）は、第３検出信号を供給されている場
合には、第１の所定回数、第２の所定回数、何れも設定
することなく、また、更新制御信号を導出することはな
い。よって、第１電圧値（Ａ）の第２メモリ（１）への
転送は行われず、第２メモリ（４）の第２゛心圧値（Ｂ
）には、ピーク点（Ａ）の充電電圧が保持されることに
なる。充電電圧の降下が続き、第１電圧値（Ａ）が第２
電圧値（Ｂ）より所定値（△Ｖ）以１一小さくなった場
合には、第４検出信号が第１制御丁・段（７）に導出さ
れ、第１制御手段（７）は満充電検出信号を満充電検出
制御手段（１３）に導出する。

満充電検出制御手段（ｌ３）は、第３タイマー（１４）
に設定されている設定回数以上、満充電検出信号が継続
して入力された場合に、満充電検出確定信号を導出し、
満充電が検出されることになる。

尚、上記構成において、第１制御手段（７）を設けない
構成とし、データ転送制御手段（１５）は、第２制御手
段（９）より更新制御信号が入力された場合に、第１メ
モリ（３）に取り込まれている第１電ｊ丁値（Ａ）を第
２メモリ（４）に転送し、満充電検出制御手段（ｌ３）
は、データ比較手段（５）より第４検出信号が、第３タ
イマー（１４）に設定されている設定回数以上！！続し
て入力された場合に、満充電検出確定信号を導出する構
成としてもよい。

ヒ記溝成と同様な効果が得られるソフトウエアの一例を
、第２図のフローチャートに示す。

第２図において、（Ｍ１）は第１メモリ（３）の内容、
（Ｍ，）は第２メモリ（４）の内容であり、それぞれ第
１電圧値（Ａ）、第２＠圧値（Ｂ）に対応している。ま
た、タイマー１、タイマー２、タイマー３はそれぞれ、
第１タイマー（１１）、第２タイマー（ｌ２）、第３タ
イマー（１４）に対応するものである。

第２図に示す処理のフローチャートでは、第１電圧値（
Ａ）が、緩やかに増加する場合には、■→■→■→■の
ループが繰り返され、このくり返し回数がタイマーｌに
よりカウントされる（経過時間が計測される）。カウン
ト数がタイマー】に設定されている第１の所定回数に達
すると（即ち、経過時間が、タイマー１に設定されてい
る設定時間に達すると）、（Ｍ１）が（Ｍ２）に転送さ
れ、再び■→■→■→■のループが繰り返される。尚、
タイマー１のカウント数は、第１の所定回数に達した後
にリセットされる。第１電圧値（Ａ）が、急激にＬ昇し
、ｔ昇した状態が保持さ，＋１だ場合には、■→■→■
→■のループが繰り返される。この繰り返し回数がタイ
マー２によりカウントされ、カウント数がタイマー２に
設定されている第２の所定回数に達すると（Ｍ１）が（
Ｍ，）に転送される。

尚、■→■一■→■、■→■一■一■の何れのループに
おいても、ループが繰り返されるごとにタイマー１、タ
イマー２は共にカウントを行う様に構成されているため
、■→■一■一■のループにより第１の所定回数のカウ
ントが為される場合には、ループが繰り返されるごとに
タイマー２のりセントが行われ、また■→■→■→■の
ループにより第２所定回数のカウントが為される場合に
は、ループが繰り返されるごとにタイマー１のリセｌト
が行われる構成となっている。

Ｍ２−Ｍ，≧△Ｖとなった場合には、■→■→■→■の
ループが繰り返され、繰り返し回数はタイマー３により
カウントされる。カウント数がタイマー３に設定されて
いる所定回数に達した場合には、満充電検出確定出力が
導出される。

尚、タイマー３は、■一■→■一■、■→■→■一■等
のループにおいても、ループが繰り返されるごとに常に
カウントを行うように構成さているため、これらのルー
プにおいては、ループが繰フ返されるごとにタイマー３
のリセットが行われる構成となっている。

次に第２実施例について説明する。

第２実施例は、〔Ｂ〕−〔Ａ〕≧△■となるとともに、
第１？［圧値（Ａ）の変化が緩やかに下降していること
が検出された場合に限り満充電が検出される構成となっ
ている。

第３図は第２実施例のブロック図であり、第１図と同一
部分には同一番号を符し説明は省略する。

図において（２１）は、第１電圧値（Ａ）（サンプリン
グ値）と第２ｔｌＥＥ値（Ｂ）Ｃ最大サンプリング値）
の比較を行う第２データ比較手段（比較手段）であり、
比やク結果が〔Ａ〕≧ＣＢ’ｌである場合には第５検出
信号を、［Ｂ］　−　［Ａ］≧△Ｖである場合には、第
６検出信号を導出する。本実施例て゛は、数百μＳｅｃ
から数ｍｓｅｃ程度の周期で比較が行われる構成となっ
ている。（２２）は第３制帥手段であり、第５制御信号
が入力された場合にはデータ転送制御手段（！５）に転
送制御信号を、第６検出信号が入力された場合には第２
満充電検出制御丁段（論理積手段）　（２３）に満充電
検出信号（満充電検出出力）を導出する。

ｈ記購成により、第２メモリ（４）に充電電圧の最大値
が第２電圧値（Ｂ）として取り込まれ、第１電王値（Ａ
）が第２ｉ圧値（Ｂ）より所定値（所定の差）（△Ｖ）
以上降下した場合に、満充電検出信号が導出されること
になる。

次に、降下検出手段（２４）について説明する。

（２５）は第３ｔ圧値（Ｃ）を記憶する第３メモリであ
る。（２６）は第１メモリ（３）に取り込まれる第１電
圧値（Ａ）と第３ｔＬ圧値（Ｃ）との比較を行う第３デ
ータ比較手段であり、比較結果が（Ａ」≦〔Ｃ〕である
場合には第７検出信号を、［Ａ）＞　［Ｃ〕である場合
には第８検出信号を導出する。第４制御手段（２７）は
、第７検出信号、第８検出信号等に応じて、転送制御信
号、満充電検出信号を導出する。（２８）は第４タイマ
ー（第４カウンタ）　、（２９）は第２データ転送制御
手段である。

以下に、降下検出手段（２４）の動作について説明する
。

充ｉｔ圧は、第６図に示すように、ピーク点後に漸減し
、この漸減過程において、満充電状態となる。降Ｆ検出
手段（２４）は、充電電圧の変化が漸減していることを
検出するものである。

第３メモリ（２５）には、後述する動作により、充電電
圧の最小値が第３電圧値として記憶されており、第６図
におけるピーク点（　Ａ　）？＆に漸減する間において
は、新しく取り込まれる第１電圧（ｔｉ（Ａ）は第３電
圧値（Ｃ）より、常時小となり、第３データ比較手段（
２６）は比較を行うごとに、第７検出信号を導出する。

第４制御手段（２７）は、第７検出信号を入力されると
、転送制御信号を導出し、第３メモリ（２５）に第１電
圧値（Ａ）が転送され、最小値が更新される。第４制御
手段（２７）は、また、第４タイマー（２８）に設定さ
れている所定回数（本実施例では６５５３６回程度）だ
け、第７検出信号をＩ！続して入力された場合に、降下
検出信号を導出する。しかし、第７検出信号が所定回数
継続して入力される前に、第８検出信号が入力された場
合には、転送制御信号のみを導出し、降下検出信号を導
出することはない。

よって、例えば、充電電圧が一度降下し、再び１；昇し
た場合等には、降下検出信号は導出されない。

第４制御手段（２７）は第７検出信号が第４タイマ−（
２８）に設定されている所定回数以上継続して入力され
ている場合には常に、降下検出信号を導出する。

第２満充電検出手段（２３）は、第３制御手段（２２）
から満充電検出信号が供給され、同時に、第４制御手段
（２７）から降下検出信号が入力された場合に満充電検
出確定信号（第２満充電検出出力）を導出する。即ち、
第１ｔ圧値（Ａ）が、充電電圧の最大値より所定値（△
■）以上降下し、さらに、第１＠ＩＴ．値（Ａ）が、漸
減していることが確認された場合にかぎり、第２満充電
検出信号が導出される。よって、例えば、第８図に示す
ように、接触抵抗の増大等により、充ＴＬ電圧が△Ｖ以
上降下した場合に、誤って満充電が検出されることはな
い。

尚、■−記ｈ’／ｉ成において、第３制御手段（２２）
を設けξ一い構成とし、データ転送制御手段（ｌ５）は
転送制御信号に変えて、第２データ比較手段（２１）よ
り第５検出信号が供給された場合に所定の動作を一、第
２満充電検出制御手段（２３）は満充電検出信号に変え
て、第６制御信号が入力された場合に所定の動作をする
構成としてもよい。

ヒ記構成と同様な効果が得られるソフトウェアの−・例
を、第４図のフロートチャートに示す。第１図において
、（Ｍ，）は第１メモリ（３）の内容、Ｉ　Ｎ＋　，　
）は第２メモリ（４）の内容、（Ｍ，）は第３メモリ（
２５）の内容であり、それぞれ、第１電圧値（．１）、
第２１１ｔ圧値（Ｂ）、第３電圧値（Ｃ）に対応してい
る。また、タイマーは、第４タイマー（２８）に対応す
るものである。

しＲ］　　−　［ＡＩ　≧〔△Ｖ〕であり、さらに、Ｃ
　Ａ　．１≦［Ｃ，ｌ　となった場合には、■→■→■
→■のループが繰り返され、この繰り返し回数がタイマ
ーによりカウントされる（経過時間が計測される）。カ
ウント数が、タイマーに設定されている所定回数に達す
ると（即ち、経過時間がタイマーに設定されている設定
時間に達すると）、満充電検出確定出力が導出される。

尚、タイマーは、■→■→■、■→■→■等のループに
おいても、ループが繰り返されるごとに常にカウントを
行うように構成されているため、これらのループにおい
ては、ループが繰り返されるごとにタイマーのリセット
が行われる構成となっている。

本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、種々
の変更が可能である。例えば、第１実施例と第２実施例
とを組合わせ、ピーク値の取り込みは、充電電圧が安定
した状態にあるときにかぎり、また、満充電の検出は、
充電電圧がピーク値から所定値以ヒ降下すると共に、そ
の時点での充ｆｉ′電圧の変化が漸減状態にある場合に
限る構成としてもよい。

（ト）発明の効果 以Ｌに述べたように、本発明によればノイズや接触抵抗
の変化等により、充電電圧が変動した場合でも、誤動作
することなく、確実な満充電の検出が為され、その効果
は大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１実施例のブロック図、第３図は第２実施例
ブロック図、第２図、第４図はソフトウエアのフローチ
ャートを示す図である。第５図は１足来の満充電検出回
路の一例を示す図である。 第６図、第７図、第８図は、充１電圧の変化特性を示す
図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）充電電圧を所定周期でサンプリングし、サンプリ
   ング値を検出するサンプリング手段と、前記サンプリン
   グ値より最大サンプリング値を更新記憶する最大サンプ
   リング値記憶手段と、前記サンプリング値と前記最大サ
   ンプリング値とを比較する比較手段とを配し、比較の結
   果、前記サンプリング値が前記最大サンプリング値より
   大ならば、該最大サンプリング値を更新記憶せしめ、前
   記サンプリング値が前記最大サンプリング値より、所定
   以上小ならば、満充電検出出力を導出する満充電検出回
   路において、 比較の結果、前記サンプリング値が前記最大サンプリン
   グ値より大であると共に、その差が所定の差より小であ
   る状態を第１の所定回数継続的に検出した場合、及び、
   前記サンプリング値が前記最大サンプリング値より大で
   あると共に、その差が前記所定の差より大である状態を
   、前記第１の所定回数より大である第２の所定回数継続
   的に検出した場合に限り、前記サンプリング値記憶手段
   の更新記憶を許容する更新制御手段を設けることを特徴
   とする満充電検出回路。
2. （２）充電電圧を所定周期でサンプリングし、サンプリ
   ング値を検出するサンプリング手段と、前記サンプリン
   グ値より最大サンプリング値を更新記憶する最大サンプ
   リング値記憶手段と、前記サンプリング値と前記最大サ
   ンプリング値とを比較する比較手段とを配し、比較の結
   果、前記サンプリング値が前記最大サンプリング値より
   大ならば、該最大サンプリング値を更新記憶せしめ、前
   記サンプリング値が前記最大サンプリング値より、所定
   値以上小ならば、満充電検出出力を導出する満充電検出
   回路において、 前記サンプリング値の降下を検出し、該降下の検出が、
   所定回数以上継続的に行われた場合に降下検出信号を導
   出する降下検出手段と、前記降下検出信号と、前記満充
   電検出出力とが入力された場合に、第２満充電検出出力
   を導出する論理積手段を設けることを特徴とする満充電
   検出回路。