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JPH01500154A - 表面取付け可能なダイオード - Google Patents

表面取付け可能なダイオード

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Publication number
JPH01500154A
JPH01500154A JP62503012A JP50301287A JPH01500154A JP H01500154 A JPH01500154 A JP H01500154A JP 62503012 A JP62503012 A JP 62503012A JP 50301287 A JP50301287 A JP 50301287A JP H01500154 A JPH01500154 A JP H01500154A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive
region
junction
diode
semiconductor element
Prior art date
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Granted
Application number
JP62503012A
Other languages
English (en)
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JPH0666409B2 (ja
Inventor
ウォルターズ，セシル　ケント
Original Assignee
アンプ　インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アンプ　インコーポレーテッド filed Critical アンプ　インコーポレーテッド
Publication of JPH01500154A publication Critical patent/JPH01500154A/ja
Publication of JPH0666409B2 publication Critical patent/JPH0666409B2/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 表面取付は可能なダイオード 本発明は、最小のスペースで、かつ極めて簡単に表面へ容易に装着できる表面取 付は可能なダイオードに関するものである。
ダイオードは、過渡抑制デバイス、整流器、光源、光検出器および電圧基準とし て広く使用されている。多くの用途においては、ワイヤリード等を用いずに回路 板のような表面にダイオードを直接表面取付けできることが重要である。とくに 、過渡抑制素子としてバイポーラツェナーダイオードまたはユニポーラツェナー ダイオードが使用される時には、高い取付は密度がしばしば極めて重要である。
本発明は、ワイヤリードを必要とせず、必要な取付はスペースを最小にするため に超小型で容易に製造できる改良したダイオードに向けられたものである。
本発明の１つの面によれば、表面に取付けられるダイオードは、ベースと、この ベースから離れて延びる向き合う第１の面および第２の面とを形成する半導体素 子を含む。
この半導体素子は、向き合っている面の間で電気的に相互に接続され、ベースか ら隔てられたｐ−ｎ接合を有する。
第１の導電層が第１の向き合う面へ固定され、第１の導電層と第２の導電層の間 にｐ−ｎ接合が挾まれるように、第１の導電層に全体として平行に配置された第 ２の導電層へ第２の向き合う面を電気的に相互接続する手段が設けられる。各導 電層はそれぞれの露出された表面を形成し、導電層の各露出面が取付は表面のそ れぞれの隔てられている接点へ接触し、導電層の露出面が、取付は表面により形 成された取付は平面から離れる向きへ延びるように、ベースは取付は平面に平行 に向けられる。適当なはんだまたは導電性エポキシのような導電性固定剤の２つ の質量がそれぞれ１つの接点と、関連する導電層の露出面へおのおの固定されて すみ肉を形成する。固定剤は、流体状態にある時に毛管作用により露出面上へ動 くものが選択される。
導電層の露出面は半導体素子のベースと取付は表面の接点の両方を横切って延び ることが好ましい。ダイオードは、たとえば、過渡抑制デバイスとして使用する ユニポーラツェナーダイオードまたはバイポーラツェナーダイオードとすること ができる。ベースおよび接点から離れる向きに延びている導電層の露出面に固定 剤を直接取付けることによりダイオードの寸法と、コストおよび複雑さは全て最 少限に抑えられる。更に、鋭敏なｐ−ｎ接合が固定剤から分離され、それにより 、ｐ−ｎ接合に与える損傷を最少限に抑える。以下に説明する好適な実施例にお いては、ダイオードのいくつかの向きのうちの任意の１つをダイオードの機能を 妨げることなしに使用できるように、半導体素子の周縁部の周囲に対称的に位置 させられる３つまたはそれ以上のベースを半導体素子が形成する。これにより取 付は作業がかなり簡単となり、向きを誤ったダイオードに関連する製造上の諸問 題を少くする。
本発明の特徴の第２の面によれば、第１の外面と、第１の内面と、それらの第１ の外面と第１の内面の間に第１のｐ−ｎ接合を形成する手段とを形成する第１の 半導体素子を有する表面取付は可能なバイポーラダイオードが得られる。また、 第２の外面と、第２の内面と、それらの第２の外面と第２の内面の間に第２のｐ −ｎ接合を形成する手段とを形成する第２の半導体素子が設けられる。第１の手 段は、外面の間を延びるベースを形成する集積化されたユニットを形成するため に、第１の手段は第１の面と第２の面を外面の間に一緒に電気的に相互接続し、 かつ機械的に固定する。第１のｐ−ｎ接合と第２のｐ−ｎ接合は逆極性で向けら れる。第１のｐ−ｎ接合と第２のｐ−ｎ接合が第１の導電面と第２の導電面の間 に位置させられ、導電面がベースから離れて延びるように、第１の導電面と第２ の導電面が第１の外面と第２の外面に取付けられる。それらの導電面は、ベース の横を延びているそれぞれの取付は表面に表面取付けするために位置させられる 。導電面は互いに平行に向け、ベースをほぼ横切ることが好ましい。以下に説明 する好適な実施例においては、導電面はそれぞれのメタライズされた層を有する 。
本発明のダイオードは、たとえば、過渡抑制デバイスとして使用するバイポーラ ツェナーダイオードとして形成できる。本発明のバイポーラダイオードにより、 両方のｐ−ｎ接合がデバイスの中心近くに配置され、したがって良く保護される という大きな利点が得られる。ｐ−ｎ接合はそれぞれの内面の中心に設けられ、 ダイオードの電気的機能を変えることなしに、全体のバイポーラダイオードを反 対にひつくり返えして、導電面の間を延びる軸線を中心として回すことができる ように、全体のバイポーラダイオードは対称的である。このやり方が用いられる と、回路板上での向きの誤りが事実上無くされる。
本発明自体は、別の諸口的および付随する諸利点と一緒に、添附図面とともに下 記の詳しい説明を参照することにより最も良く理解されるであろう。
第１図は本発明の第１の好適な実施例を含むバイポーラダイオードの斜視図、 第２図は第１図のダイオードの中心線に沿って切断した縦断面図、 第３図は第１図のダイオードの製造の中間段階におけるダイオードの部品を示す ウェハーの斜視図、第４図はダイオードを取付ける前の第１図の回路板の平面図 、 第５図は本発明の第２の好適な実施例を含むユニポーラダイオードの平面図であ る。
図面を参照して、第１図および第２図は本発明の第１の好適な実施例を含むバイ ポーラツェナーダイオードの２つの図を示す。このダイオードは第１の半導体素 子すなわちダイ１と、第２の半導体素子すなわちダイ２とを含む。各半導体素子 １．２は、後で詳しく説明するように、それぞれのｐ−ｎ接合を構成する。それ ら２つの半導体素子１゜２はｐ−ｎ接合に隣接する接合領域において一緒に接合 される。各半導体素子１．２はそれぞれの外面４．５と、それぞれの内面３６． ３８と、少くとも１つのそれぞれのベース３１、８２とを構成する。図示のよう に、外面４．５は互いに平行に、かつベース３１．３２を横切るように向けるこ とが好ましい。
次に、回路板の所定場所にダイオードをどのようにして取付けるかについて詳し く説明する。簡単にいえば、各外面４，５はそれぞれのメタライズ層を形成し、 それらのメタライズ層はそれぞれの印刷回路接点８，９に接触し、かつそれぞれ の印刷回路接点から離れて接方向に延びるために位置させられる。適切なはんだ または導電性エポキシのような材料で形成された接合ジヨイント６．７が外面４ ゜５をそれぞれの印刷回路接点８，９へ電気的および機械的に相互接続する。
このように、第１図と第２図のダイオードは、ワイヤボンド、クリップ、または その他の従来のリードアタッチメントを使用することなしに、経済的なやり方で 印刷回路板接点へ電気的に相互接続される。更に、不必要なバッケージング素子 は無くされ、ダイオードを印刷回路板接点８，９へ接続するために用いられるの は不働態化された半導体素子自体である。
第２図は第１図のバイポーラツェナーダイオードの種々の部品素子を詳しく示す 横断面図である。このダイオードは双方向に動作して、所定の電圧しきい値より 高い信号をいずれの向きにも伝える。印刷回路板接点の一方８がコネクタのピン のような信号源へ接続され、他の接点９が接地されるものとすると、第１図と第 ２図の双方向ツェナーダイオードは、超小型に製造できる過渡抑制デバイスとし て使用するのに良く適する。下で指摘するように、本発明はバイポーラデバイス に使用することに限定されるものではなく、ユニポーラダイオードにも容易に使 用される。
第１図および第２図に示すように、図示のダイオードは２つの半導体素子１．２ で形成される。各半導体素子１゜２はシリコンのような半導体物質で構成され、 半導体素子１．２の外面４，５に全体として平行に向けられているそれぞれのｐ −ｎ接合ｔｏ、　１１をおのおのが構成する。それらのｐ−ｎ接合は内面３６． ３８上の領域１２．１３において熱酸化物５ｌｏ２で不働態化され、その不働態 化された領域は領域１４．１５において取付けられたホウけい酸ガラスで被覆さ れて、ダイオードが使用される環境においてｐ−ｎ接合１０゜１１の適切な保護 を行う。
この実施例においては、半導体素子１，２は同一であって、通常のブレーナウェ ハー製造法で製造できる。この方法はウェハーで始まる。そのウェハーを処理し て多数の半導体素子１，２を形成する。種々の工程を終った後で、ウェハーを別 々の半導体素子１，２に切断すなわちさいの目に切る。最後の組立においてダイ オードをそれの側面で印刷回路板に取付けるから、製造においては比較的厚いウ ェハーを使用すると有利である。そのウニ／％−は低抵抗率の半導体基板で形成 することが好ましい。第２図においては、この基準はｎ″１１領域て参照符号１ ６．１７により識別されている。そのｎ＋領領域この実施例においては約０．０ １オーム−■の抵抗率を有することが好ましい。低抵抗率で、高濃度にドープさ れた基準を用いることにより寄生抵抗値は最低に保たれ、それにより、最終的に 得られたツェナーダイオードのダイナミックインピーダンスを減少させる。もち ろん、本発明のダイオードは第２図に示されているドーパントとは逆の種類のド ーパントで形成できること、すなわち、ｎ形を拡散されたｎ−ｐ接合とともにｐ ′″基板を使用できることを理解すべきである。
半導体素子１，２の製造の第１の工程は、希望のツェナー電圧値すなわち希望の なだれ電圧値の制御を助ける抵抗率値のエピタキシャル付着層１８．１９を形成 することである。２０ボルトなだれ降伏デバイスの場合には、エピタキシャル層 １８．１９の抵抗率は約０．０３オーム−■で、厚さが約２４ミクロンであるこ とが好ましい。それからウェハーを熱酸化してＳＬＯ□の層を形成する。この実 施例ではそのＳ　ｉＯ２層の厚さは約１ミクロンである。次に、エツチングして 拡散窓を開くために第１のフォトリソグラフィ工程を行う。次に、適当なドーパ ント（この実施例ではほう素のような）を拡散窓の上に予め付着してから、拡散 による押しこみ工程を行ってｐ−ｎ接合をこの実施例では約８ミクロンの深さま で押しこむ。そのようなｐ−ｎ接合は２０ボルトなだれ降伏ダイオード層にとっ て適当であることが見出されている。押しこみ工程で形成されたｐ層のシート抵 抗値は正方形当り約２２オームであることが好ましい。
この製造法の次の工程は、半導体素子１．２の希望の最終的な厚さを得るために ウェハーの裏面を研磨することである。それから、正方形当り約２オームのシー ト抵抗値を有する非常に高濃度にドープされた領域ｎ　”２０＋　２１を形成す るために表面エンハンス拡散すなわちりんゲッタ操作を行う。以下に説明するよ うに、この非常に高濃度にドープされた領域２０．２１により良好なオーミック 後ろ側接点が得られる。そのエンハンス操作は、全体のウェハー処理の終り近く で後ろ側メタライゼーション操作の一部として選択されたドープされたメタライ ゼーションを行う、他の低温ドーピング技術により行うこともできる。
表面エンハンス操作の後で、フォトリソグラフィ工程によりウェハーを再び選択 エツチングして、拡散工程中に成長させられた熱酸化物にオーミック接触窓を形 成する。次に、第２図に領域１４と１５で示すように、ホウけい酸ガラスの付加 層によりウェハーを更に不働態化する。そのガラス層を付着したとすると、次に 、最後のオーミック接触窓開口部を設けるために第３の選択的エツチング操作を 行うことがめられる。このオーミック接触窓開口部、領域２２゜２３内に、薄膜 蒸着技術でパラジウム層を付着する。それから、このパラジウム薄膜蒸着技術を 領域２２．２３において露出されているシリコンに焼結する。化学エツチングに より過剰のパラジウムをガラス１４．１５から除去する。その後で、比較的厚い 銀隆起接点２４．２５をパラジウムの上に電着する。
典型的には、各隆起接点２４．２５の厚さは約０．０２５４ｍｍ　（約０．００ １インチ）である。
最後に後ろ側のメタライゼーション層２６．２７をエンハンス層２０．２１の上 に付着する。印刷回路板接点８．９とメタライゼーション層２６．２７の間を延 びる適切なすみ肉２８．２９を確実に形成するために、メタライゼーション！２ １３．２７を選択して適当なはんだ流、またはその他の導電性接合物質流をそれ らの表面に付着する。メタライゼーション層２６゜２７は無電解ニッケルめっき または無電解金めっきで形成でき、またはクロームの蒸着層と、その上の銀の蒸 着層と、その上の金の蒸着技術とにより形成できる。また、はんだ被覆を含む他 のメタライゼーション層も使用できる。利用できる金属の完全な溶解、またはメ タライゼーション層２６゜２７の最終的な脱湿用（ｄｅｖｅｔｔＩｎｇ）を起す ことなしに、はんだにぬれることを促進するために層２［ｉ、　２７の相対的な 金属厚さを選択することがしばしば重要である。このようにして、メタライゼー ション層２６．２７が印刷回路板接点８，９に対してほぼ直角に向けられている 場合でも、メタライゼーション層２６．２７と印刷回路板接点８．９との間の良 好な接合の完全性を確保できる。メタライゼーション層２６、２７の１つの好適 な実施例は、ｎ一層２０．２１の附近からスタートして、下記の層を含む： １、クロムの７００オングストロ一ム層；２、クロムと銀の混合物の２０００オ ングストロ一ム層；３、２９００オングストロームの銀層；４、１８００オング ストロームの金層。
クローム層はシリコンに良く接合し、銀層ははんだに良く溶解し、金層は銀層を 酸化から保護する。
第３図はウェハー製造プロセスの終了時におけるウェハー２５の一部を示す。こ の段階においては、次にウエノ１−をのこぎりで、またはその他のやり方で個々 のダイすなわち半導体素子１．２に切断する。それら個々の半導体素子は希望の 形にでき、正方形、長方形、三角形、五角形および六角形のような形は全て適当 である。選択した形状とは無関係に、各半導体素子１．２は少くとも１つのベー ス３１゜３２を形成しなければならない。最終的に組立てられたダイオードがベ ース３１．３２の上にのせられるようにするために、それらのベースは適度に平 らである。
ウェハーを個々の半導体素子１，２に切断した後で、２個の半導体素子１，２を 中心ボンド３０ではんだづけ、または導電性エポキシにより付着してバイポーラ ダイオードを組立てる。この実施例においては、中心ボンド３０は鉛が９５％、 すずが５％で構成され、融点が約３１５℃であるはんだである。はんだ円板を接 点２４と２５の間の場所に固定し、組立体を加熱して希望のボンドを形成する。
ここで用いるはんだは、ダイオードを所定場所に取付けるために用いるはんだの 融点より高い融点を持つものを選択せねばならない。
２個の半導体素子１．２は、平らなｐ−ｎ接合１０と１１が互いに向き合うよう にして、回転して互いに整列させる。
メタライゼーション層２８．２７は相互間とｐ−ｎ接合１０．１１に対して平行 に、かつベース３１．３２に対して垂直に向けられる。このような構造により、 このバイポーラダイオードはベース３１．３２をそれぞれの印刷回路板接点８， ９の上に置き、鋭敏なｐ−ｎ接合＋０．１１を印刷回路板接点８，９のほぼ中間 に位置させて取付けることができる。このようにして、ｐ−ｎ接合１０．１１は 分離され、保護される。
第１図と第２図に示されているダイオードは広い範囲の寸法および広い範囲の電 気的特性を持つようにして形成できる。下記の情報は１つの好適な実施例を構成 するために単に与えたものであって、もちろん本発明を限定するものでは決して ない工 Ａ、外面４，５の寸法：　０．０９１４ｃ＋ｎ　Ｘ　Ｏ，０９１４ｃｍ　；Ｂ、 外面４と５の間の距離：　０．１１４３ｃｍ　；Ｃ９領域２２と２３の間の距離 ：　０．００８　ａｍ　；Ｄ、降　伏　電　圧　：　２０Ｖ　。
Ｅ、試験電流　：１ｍＡ； Ｆ、動作ビーク電圧　：　１５Ｖ　； Ｇ、動作ピーク電圧における洩れ電流＝１０μＡ　；Ｈ６最高ビークサージ電圧 ：　４０Ｖ　。
１、最高ビークサージ電流：　２０Ａ　。
」、最高容量　：３００ｐｆ； に、ビークサージエネルギー消費： ０．００５ジニール（１０μ５ｅｃ） ０．０５　ジュール（１ｍｓｅｃ） 第１図と第２図のバイポーラツェナーダイオードは、メタライゼーション層２８ ．２７を印刷回路板のそれぞれの接点８．９へ電気的に相互接続する、はんだま たはエポキシのような物質のすみ肉で印刷回路板へ取付けられる。適当であるこ とが判明しているこの取付は作業の１つのやり方を以下に説明する。
第１に、印刷回路板３４を清浄にしてから１００℃の炉の中で１時間乾燥し、そ れから適当なエポキシ３３を印刷回路板の接点８と９の間に付着する。このエポ キシ３３は硬化後は高い電気抵抗値を示す種類のものである。カルホルニア州カ ーデニア（Ｃａｒｄｃｎｉａ）所在のエイプルスティック社（Ａｂｌｅｓｔｌｃ ｋ　Ｃｏ、）により＾ｂｌｅｂｏｎｄ　７７−２ＬＴＣとして市販されている物 質がエポキシ３３として使用するのに適当であることが判明している。次に、中 央のはんだボンド３０が絶縁エポキシ３３の上に中心を置き、各メタライゼーシ ョン層２６゜２７がそれぞれの１つの接点８．９へ電気的に接触するように、組 立てられたダイオードを第２図に示すように印刷回路板の上に置く。次に、ダイ オードが取付けられている印刷回路板を炉の中に入れて絶縁エポキシ３３を硬化 する。絶縁エポキシ３３が硬化してから各メタライゼーション層２６゜２７には んだペーストを付着する。Ａ　Ｉ　ｐｈａブランドａｌｌフラックス（ＲＭＡ） 付きＡｌｐｈａブランド６０／４０はんだとして市販されている種類のはんだが 適当であることが判明している。次に、８０℃の適当な炉の中に１５分間入れて そのはんだペーストを硬化させてから、赤外線炉または気相はんだづけ機の内部 ではんだを再び融かして、メタライゼーション層２８．２７をそれぞれの接点８ ，９へ相互接続するすみ肉２８゜２９を形成する。このはんだの再融解作業では 中心はんだボンド３０を弱くすることがある高温にしてはならない。
はんだの再融解作業を行った後で、印刷回路板を清浄にし、試験してから、希望 によってはダイオードの上に封止エポキシを付着し、その封止エポキシを中心は んだボンド３０の周囲に流す。この封止エポキシを１５０℃で１時間加熱して硬 化し、それから印刷回路板を再び電気的に試験する。上記の非導電性を封止エポ キシとして使用できる。
ある用途においては、上記８０／４０はんだペーストの代りに導電性エポキシを 使用することが好ましいことがある。
この場合には、上記のはんだ再融解作業は省かれ、その代りに、使用する導電性 エポキシを硬化させるのに適当な炉内での硬化作業を用いる。適当な導電性エポ キシが前記エイプルスティック社によりＡｂｌｅｂｏｎｄ　８４−Ｉ　ＬＭＩＴ として市販されている。
以上説明した構造の１つの大きな利点は、ベース３１．３２として作用するメタ ライゼーション層２８．２７の間を延長する任意の側でバイポーラツェナーダイ オードを取付けることができることである。したがって、ダイオードを慎重に回 して位置合わせすることは不要である。更に、ダイオードの電気的性能に悪影響 を及ぼすことなしにダイオードをひつくり返えすことができる。それらの位置の 全てにおいて、接合領域３は印刷回路板接点８．９から上方に離れて配置され、 それにより、すみ肉２８．２９のはんだまたは導電性エポキシとｐ−ｎ接合１０ ．１１との望ましくない接触の可能性が低くなる。
もちろん、以上説明したバイポーラツェナーダイオードに対しては多くの変更を 加えることができる。たとえば、放熱のため、および印刷回路板接点８，９への 接合面積を広くするために、メタライゼーション層２６．２７の上に希望の厚さ の金属パッドを置くことができる。更に希望によっては、接合領域３に保護被覆 を設けることができる。そのような保護被覆は特定の環境においては望ましいこ とがあり、たとえば、半導体素子１と２の間の接合領域３の中に流れこむことが でき、それから高温で乾燥できる半導体級ワニス、エポキシまたはポリイミド物 質を使用して保護被覆を設番ノることができる。また、上で指摘したように、ｐ ″″″基板出発し、それからｐ−ｎ接合を形成するために適当なｎ形ドーパント をドーピングすることにより、ドーパントの種類を逆にできる。
また、本発明はユニポーラダイオードを製造するために用いることができる。第 ５図に示すように、これは、半導体素子２からｐ−ｎ接合を無くして簡単にした 半導体素子２′を形成することによって簡単に行うことができる。この簡単にし た半導体素子２′は、ｎ＋＋エンハンス表面を領域２３内に設け、かつエポキシ 領域１９を不要とすることを除いて、半導体素子２に非常に良く似ている。この 簡単にした半導体素子２′は、半導体索子１のｐ−ｎ接合から印刷回路板接点９ へ短絡路を構成するだけである。このようにして、２個の回路板接点８と９の間 のユニポーラｐ−ｎ接合路すなわち単−ｐ−ｎ接合路が得られる。もちろん、こ のユニポーラダイオードは、簡単にした半導体素子２′のように、前記ドーパン ト種とは逆のドーパント種で製造することもできる。
別の実施例においては、簡単にした半導体素子２′の代りに、同様な形状構造の ブロック金属導体を用いることができる。この金属ブロックのはんだ接合と導電 特性が適正に選択されたとすると、上記と同じ取付は技術を使用できる。
以上の説明から、著しく簡単で、効果的かつコンパクトな表面取付は技術を可能 にするユニポーラダイオードおよびバイポーラダイオードについて説明したこと は明らかである。本発明は、整流器、信号ダイオード、ピンダイオード、ツェナ ーダイオード、過渡抑制ダイオード、およびその他の種類のダイオードを含めて 広範囲の二端子半導体デバイスに使用するのに適している。
したがって、以上の説明は本発明を限定するものではなくて例示的なものと見な すべきであること、および本発明の技術的範囲を決定しようと意図されているも のは、全ての均等物を含めて、下記の請求の範囲であることを理解されることを 意図するものである。
国際調査報告

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. １．取付け面に平行におのおのが向けられている一対の隔てられている接点（８ ，９）を備える取付け表面（３４）の上に取付けるための表面取付けダイオード において、半導体素子（１）がベース（３１）と、このベースから離れて延び、 互いに向き合う第１の面（４）および第２の面（３６）を有し、前記半導体素子 （１）は、向き合う面（４，３６）の間に電気的に相互接続されて、ベース（３ １）から隔てられたｐ−ｎ接合（１０）と、第１の向き合う面（４）に合致する ために配置された第１の露出した導電層（２６）と、ｐ−ｎ接合（１０）が２つ の露出されている導電層（２６，２７）の間に挟まれるように、第１の露出され ている導電層（２６）に全体として平行に配置されている第２の露出されている 導電層（２７）へ第２の露出面（３６）を電気的に相互接続する手段と、導電性 固定剤の２つの質量（２８，２９）とを備え、各前記導電層（２６，２７）はそ れぞれの露出された導電面を形成し、導電層（２６，２７）の各露出面が、隔て られている接点（８，９）のそれぞれの１つに接触し、かつ取付け面から離れて 延びるように、前記ベース（３１）は取付け平面に平行に向けられ、各前記質量 は接点（８，９）のそれぞれ１つと関連する導電層（２６，２７）の露出面とに 固定されてすみ肉を形成し、前記固定剤は、流体状態にある時は、毛管作用によ り露出面の上へ動くように選択されることを特徴とする表面取付けダイオード。
  2. ２．相互接続手段は、半導体素子（１）のｐ−ｎ接合とは逆極性の付加ｐ−ｎ接 合（１１）を備える請求の範囲第１項記載の表面取付けダイオード。
  3. ３．相互接続手段は、半導体素子（１）に形が一致する相互接続素子（２）を備 える請求の範囲第１項記載の表面取付けダイオード。
  4. ４．第１の外面（４）と第１の内面（３６）を有する第１の半導体素子（１）が それらの間に第１のｐ−ｎ接合（１０）を形成する手段を備え、第２の外面（５ ）と第２の内面（３４）を有する第２の半導体素子（２）がそれらの間に第２の ｐ−ｎ接合（１１）を形成する手段を備え、第１の手段は第１の内面と第２の内 面を外面の間で電気的に相互接続し、かつ機械的に一緒に固定して、外面の間を 延長するベースを構成する統合されたユニットを形成し、第１のｐ−ｎ接合（１ ０）と第２のｐ−ｎ接合（１１）は逆極性で向けられ、第１のｐ−ｎ接合と第２ のｐ−ｎ接合が第１の導電面と第２の導電面（２６，２７）の間に位置させられ 、導電面（２６，２７）がベースから離れて延びるように、第１の導電面と第２ の導電面（２６，２７）は第１の外面と第２の外面（４，５）の上に設けられ、 前記導電面は、ベースに沿って延長しているそれぞれの取付け表面へ表面取付け するために位置させられることを特徴とする表面取付け可能なバイポーラダイオ ード。
  5. ５．導電面（２６，２７）は互いに平行に、かつベースをほぼ横切るように向け られる請求の範囲第１項または第４項記載のダイオード。
  6. ６．統合されたユニットのベースは、第１の接点と第２の接点（８，９）を構成 する取付け表面の上に設けられ、各前記接点はベースに平行に向けられ、かつ、 導電面（２６，２７）が接点（８，９）から離れる向きに横方向へ延びるように 導電面（２６，２７）のそれぞれ１つに接触し、導電性固定剤の第１のすみ肉お よび第２のすみ肉（２８，２９）が接点（８，９）とそれぞれの導電面（２６， ２７）の間に接合される請求の範囲第５項記載のダイオード。
  7. ７．それぞれの第１の面（３６，３８）とそれらの第１の面に互いに平行に向け られたそれぞれの第２の面（４，５）をおのおの構成する第１の半導体素子およ び第２の半導体素子（１，２）と、導電層を構成し、第２の面（４，５）のそれ ぞれ１つの上におのおの位置させられた第１のメタライゼーション層および第２ のメタライゼーション層（２６，２７）と、半導体素子（１，２）のそれぞれ１ つの第１の面（３６，３８）と第２の面（４，５）の間におのおの位置させられ 、かつ電気的に相互接続された第１のｐ−ｎ接合および第２のｐ−ｎ接合（１０ ，１１）と、第１の半導体素子および第２の半導体素子（１，２）を一緒に機械 的に固定し、かつ電気的に相互接続して、第２の面（４，５）を、逆極性で向け られている第１のｐ−ｎ接合および第２のｐ−ｎ接合（１０，１１）に対して隔 てられて平行な関係に保持する手段とを備えることを特徴とする表面取付け可能 なバイポーラダイオード。
  8. ８．おのおの取付け面に平行に向けられている第１の接触面および第２の接触面 （８，９）の間に表面取付けされるバイポーラダイオードにおいて、第１の半導 体素子（１）は、間に第１のｐ−ｎ接合（１０）を構成する第１の半導体領域と 第２の半導体領域および第１の領域上の第１の導電面（２６）を備え、第２の半 導体素子（２）は、問に第２のｐ−ｎ接合（１１）を構成する第３の半導体領域 と第４の半導体領域および第３の領域上の第２の導電面（２７）を備え、第１の 手段（３０）が第１の半導体素子および第２の半導体素子（１，２）を一緒に機 械的に固定して、下面と少くとも第１の側面および第２の側面を有する統合され たユニットを構成し、第１の導電面および第２の導電面（２６，２７）は側面（ ４，５）のそれぞれの向き合う部分上に位置させられ、第１の手段（３０）は、 下面から隔てられた場所（３）において第２の領域と第４の領域を電気的に相互 接続する手段を備え、前記下面は接触面（８，９）を橋絡するために位置させら れ、各導電面（２６，２７）は接触面（８，９）のそれぞれ１つに接触し、かつ 取付け面に対して角度を成し、第２の手段（２８，２９）が各導電面（２６，２ ７）をそれぞれの接触面へ電気的に相互接続して、かつ物理的に固定し、前記第 ２の手段（２８，２９）は、流体状態にある時に毛管作用により導電面（２６， ２７）を横切って動く導電性金属を儀えることを特徴とするバイポーラダイオー ド。
  9. ９．第１と第３の各領域はそれぞれの外面（４，５）を構成し、第１の導電面お よび第２の導電面（２６，２７）は第１の領域および第３の領域の外面（４，５ ）の上にそれぞれの位置させられ、第２の領域と第４の領域は第１の領域と第３ の領域の上にそれぞれ中心を置かれ、第１の手段（３０）は、２つの第２の領域 および第４の領域が狭い間隔をおいて平行な関係で隔てられるように、第２の領 域と第４の領域の間に固定された導電性素子を備える請求の範囲第８項記載のバ イポーラダイオード。
  10. １０．第２の手段（２８，２９）の導電性物質が導電性素子と第２の領域および 第４の領域へ接触することを阻止するために、導電性素子と第２の領域および第 ４の領域は下面から隔てられる請求の範囲第９項記載のバイポーラダイオード。
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