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JPH01204953A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物

Info

Publication number
JPH01204953A
JPH01204953A JP3054988A JP3054988A JPH01204953A JP H01204953 A JPH01204953 A JP H01204953A JP 3054988 A JP3054988 A JP 3054988A JP 3054988 A JP3054988 A JP 3054988A JP H01204953 A JPH01204953 A JP H01204953A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
resin composition
inorganic filler
compound
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3054988A
Other languages
English (en)
Inventor
Kousen Sawada
澤田 佼宣
Hidenori Furukawa
秀範 古川
Naoki Noda
野田 直喜
Koichiro Arimatsu
有松 浩一郎
Shoichi Fukunaga
尚一 福永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JNC Corp
Original Assignee
Chisso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chisso Corp filed Critical Chisso Corp
Priority to JP3054988A priority Critical patent/JPH01204953A/ja
Publication of JPH01204953A publication Critical patent/JPH01204953A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Sealing Material Composition (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体封止用樹脂組成物に関し、特に半導体
を樹脂封止する場合にチップに加わる応力を軽減し、そ
の信頼性を向上させる半導体封止用樹脂組成物に関する
ものである。
〔従来の技術〕
エポキシ樹脂硬化物は電気的性質、耐熱性、機械的性質
、耐湿性等が非常に優れているので、従来より電気部品
、電子部品の封止用として広く用いられてきた。特にト
ランジスタ、IC,LSI等の樹脂封止材としては、従
来の金属やセラミックと比較して極めて安価であるとと
もに、性能、信頼性の面においても優れたものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
近年、半導体の分野においては、その集積度の増加速度
が極めて速い上に、素子のサイズが大型化し、封止材に
要求される性質も厳しくなってきている。特に樹脂封止
においては、樹脂の温度変化による膨張または収縮によ
って生じる応力が半導体素子の性能を変化または低下さ
せるのみならず、パッシベーション膜の破損をも引き起
こし、耐湿性を大幅に低下させている。したがって封止
材として温度変化等による応力の発生を極力小さくする
とともに、生じた応力をできる限り吸収することができ
る樹脂組成物の開発が望まれている。
本発明の目的は、温度変化等による膨張または収縮の影
響を極めて受けにくい半導体封止用樹脂組成物を提供す
ることにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、無機充填材を含むエポキシ樹脂を主成分とす
る半導体封止用樹脂組成物において、該無機充填材とし
て、下記の一般式(1)(式中、m≧0SR1、R2、
・・・・・・R8はそのいずれかに−R9−S t  
(OR10) 3基および反応性の有機基をそれぞれ1
個以上有する一価の炭化水素基または水素、R9は酸素
または二価の有機基、R10は水素または一価の炭化水
素基である)で示される化合物で表面処理したものを用
いることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物である。
〔作用〕 前記一般式(1)で表わされる化合物は、無機充填材上
に表面処理されると、該化合物中のアルコキシ基が加水
分解して該無機充填材と化学的に結合し、一方、有機残
基はエポキシ樹脂/硬化剤系と化学結合する。したがっ
てこの化合物は無機充填材とエポキシ樹脂硬化物との間
に介在し、発生する応力の吸収に寄与し、温度変化等に
よる膨張または収縮の影響を極めて受けにくい半導体封
止用樹脂組成物を与える。
本発明に用いる一般式(I)の化合物は、例えばシロキ
サンオリゴマーをヘキサメチルジシロキサンと反応させ
てH変性シリコーンポリマーを得、次いでこれをヒドロ
シリル化することによって合成することができる。
式(I)中のmは好ましくは10以上である。
またR1〜R日は、そのいずれかに1個以上の−R9−
3i  (OR10)3基および反応性の有機基を有す
る炭化水素基または水素である。反応性の有機基として
は、好ましくは3−グリシドキシプロピル基、2− (
3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3−アミ
ノプロピル基、fl−(2−アミノエチル)3−アミノ
プロピル基、3−メルカプトプロピル基、ビニル基、ア
リール基または/および3−メタクリロキシプロピル基
が好ましい。これらのうち、3−グリシドキシプロピル
基、2− (3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル
基が特に好ましく、また3−アミノプロピル基、n−(
2−アミノエチル)3−アミノプロピル基、3−メルカ
プトプロピル基も効果的である。
R1−R8の前記特定基以外の基は炭化水素基であり、
通常、メチル基、フェニル基等が好ましい。
−R9−3i  (OR10) 3基のR9は好ましく
はエチレン基、R10は好ましくはメチル基またはエチ
ル基である。このような基の具体例としては、トリメト
キシシリル基、トリメトキシシロキシ基、トリメトキシ
シリルアルキル基、トリエトキシシロキシ基、トリエト
キシシリルアルキル基、トリス(2−メトキシエトキシ
)シロキシ基、トリス(2−メトキシエトキシ)シリル
アルキル基が好ましい。
本発明で用いる無機充填材としては、クォーツ、ジルコ
ニア、ウオラストナイト、タルク、マイカ、アルミナ、
結晶性シリカ、非結晶性シリカ等があげられるが、これ
らのうち特にシリカが好ましい。
上記一般式(1)で示される化合物は、上記無機充填材
に対し0.01〜5重量%の割合で添加され、該無機充
填材の表面が化学的に処理される。
無機充填材の処理方法としては、−船釣に高速流動型の
攪拌混合機、例えばヘンシェルミキサー、スーパーミキ
サー等に適当量の無機充填材を投入し、(1)処理剤を
原液のまま所定量を流動化した無機充填材の粉体上に滴
下し、3〜10分間高速攪拌する、(2)有機溶剤/水
混合液、例えばエタノール/水: 9 Q/I 0重量
%で処理剤を希釈した後、所定量を前記攪拌混合機で流
動化した無機充填材の粉体上に滴下し、3〜10分間高
速攪拌し、その後ホツパードライヤ等を用いて加熱乾燥
し、水分、溶剤等を除去する。
本発明において上記一般式(I)の化合物で表面処理さ
れた無機充填材が添加されるエポキシ樹脂としては、1
分子中に2個以上のエポキシ基を有する樹脂であればよ
く、具体的にはビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビス
フェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型
エポキシ樹脂、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂、
アリールフェノールノボラック型エポキシ樹脂、シクロ
ヘキセンオキサイド基を有するエポキシ樹脂に代表され
る脂環型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノール型エ
ポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂等があげられる。これらのエポキシ樹脂における
グリシジル基の結合様式はエーテル型、エステル型、ア
ミン型のいずれであってもよく、特定のものに限定され
ない。またこれらのエポキシ樹脂は2種類以上併用して
も差し支えなく、−船釣にはクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂とブロム化フェノールノボラック型エポキシ
樹脂を併用することが好ましい。
該エポキシ樹脂の硬化剤として、ノボラック型フェノー
ル樹脂、ビスフェノールA1ビスフエノールF等を用い
る場合には、1分子中に2個以上のフェノール性OH基
を有する化合物であればよ(、従来から知られている種
々のものを使用することができる。さらにこれらの他に
硬化剤として例えば無水フクール酸、無水へキサヒドロ
フタル酸、無水トリメリット酸、無水メチルナジック酸
等を用いることができる。これらは2種類以上併用する
ことができる。
本発明の樹脂組成物中に含有させることができる添加剤
類としては、通常この種の樹脂組成物中に使用可能なも
のがあればよいが、一般には難燃助剤、着色剤、離型剤
、硬化促進剤が添加される。
まず難燃助剤としては酸化アンチモン、着色剤としては
カーボンブランク、離型剤としてはカルナウバワック、
モンクン酸エステル、ステアリン酸、ステアリン酸のC
a、、Zns Mg、Af等の金属塩などが、また硬化
促進剤としてはイミダゾール系化合物、トリフェニルフ
ォスフイン、トリブチルフォスフイン等のフォスフイン
類、1.8−ジアザビシクロ(5,4,O)ウンデセン
−7等があげられる。さらにその他の添加剤としてはシ
ランカップリング剤、劣化防止剤、イオン性物質捕捉剤
等を適宜添加することができる。
上記樹脂組成物を用いて半導体用封止材を製造する一般
的な方法は、微粉末状にした前記樹脂組成物を適当な配
合割合で粉体状で充分混合した後、混練機または熱ロー
ル等で短時間内に充分混練し、直ちに急速に冷却して硬
化反応を適切な段階で中止し、粉砕、打錠し一般に5℃
以下で保管する。
このタブレットを室温に戻した後、高周波により80〜
90℃に予熱し、トランスファー成形機のポットに投入
し、各種の金型を用いて所定の形状に成形が行なわれる
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
製造例1 (−最大(1)の化合物の製造)攪拌装置、
コンデンサおよび温度計を備えたガラスフラスコに、シ
リコーンオリゴマー(II) ヲ1.8モル(482g
)、ヘキサメチルジシロキサン0.5モル(81g) 
、活性白土2.1gを仕込み、70℃に昇温し、24時
間加熱攪拌した。この反応液を室温まで冷却後、活性白
土を減圧濾過によって除き、炉液中の低沸分を150℃
/ 1 龍Hgの条件下で留去し、H変性シリコーンポ
リマー(■)を480g (収率85.3%)得ること
ができた。
上記H変性シリコーンポリマー0.4モル(467g)
を攪拌装置、コンデンサ、滴下濾斗および温度計を備え
たガラスフラスコに仕込み、120℃に昇温し、次いで
これに了り−ルグリシジルエーテル0.4モル(45,
6g)およびビニルトリメトキシシラン0.4モル(5
9,2g)、11%塩化白金酸イソプロパツール溶’1
(12,4x 10−にモル(111■)を滴下濾斗に
仕込み、攪拌しながら120℃に保ったH変性シリコー
ンポリマに1時間で滴下し、さらに120℃で1時間熟
成させた。
その後100℃/ l mm Hg下で反応溶液から低
沸分を留去させ、523g(91,4%)の化合物S1
を得た。この化合物S1は、前記一般式のmが平均15
.1分子中にトリメトキシシリル基とグリシドキシプロ
ビル基をそれぞれ平均1個有する化合物であることがわ
かった。
製造例2 製造例1においてアリールグリシジルエーテル0.4モ
ルの代わりに0.8モル(91,2g)、ビニルトリメ
トキシシラン0.4モルの代わりに0.8モル(118
g>用いたほかは製造例1と同様にして化合物S2を合
成した。この化合物S2は、前記一般式のmが平均15
であり、1分子中にトリメトキシシリル基とグリシドキ
シプロビル基をそれぞれ平均2個有する化合物であるこ
とがわかった。
製造例3 製造例1において、ヘキサメチルジシロキサン0.5モ
ルの代わりに0.25モル(40,5g)用いた以外は
製造例1と同様にして化合物S3を合成した。この化合
物S3は、前記一般式のmが平均30であった。このポ
リマーを用い、アリールグリシジルエーテル0.4モル
の代わりに2− (3゜4−エポキシシクロヘキシル)
エチレンヲ0.4モル用いた以外は製造例1と同様にし
て化合物S3を得た。この化合物S3は、前記一般式の
mが平均30であり、1分子中にトリメトキシシリル基
と2− (3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基
がそれぞれ平均1個有する化合物であることがわかった
製造例4 製造例1において、アリールグリシジルエーテル0.4
モルの代わりにモノアリールアミンを0.4モル(22
,8g)用いた以外は同様にして化合物S4を得た。こ
の化合物S4は、前記一般式のmが平均15であり、1
分子中にトリメトキシシリル基と3−アミノプロピル基
をそれぞれ平均1個有する化合物であることがわかった
上記31〜S4の化合物は、次のようなセグメント(1
)〜(6)で形成されており、/ セグメント(1)   セグメント(21H2G\ CH3セグメント(3) 5i−0− / セグメント(4)     セグメント(5)CH3 / 2G \ H2 セグメント(6) その末端は している。
81〜S4の1分子中、中間部のセグメントの平均の数
は第1表のとおりである。
以下余白 第  1  表 セグメントの配列順序は一般にランダムであり、例えば
セグメント (1)−(2)−(3)−(4)(または
(5)もしくは(6))と配列した場合の化合物81〜
S4を例示すれば下式のようになる。
以下余白 S 1 : S2 : ゝCH2 / H2 \ / H2 \ t’t2U−(J S3 : S 4 : CH3 \ CH2 / 2 C \ CH2 実施例1〜5 前記製造例1〜4で合成した化合物81〜S4をヘンシ
ェルミキサーに投入されたシリカに所定量流動化した粉
体上に滴下し、約8分間高速攪拌を行ない、前記化合物
でシリカを表面処理した。
この表面処理シリカを第2表に示すエポキシ樹脂組成物
の各成分と第2表に示す配合割合で混合し、混練機を用
いて溶融混練し、次いで冷却、粉砕、打錠を行なった。
このようにして得られたタブレットを用いてトランスフ
ァ成形機によりテストピースを作成し、硬化物の評価を
行なった。圧絞として、一般に用いられているエポキシ
系シランカップリング剤、およびアミノ系シランカップ
リング剤を用いてシリカを表面処理した場合を比較例1
 (3−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン)、
比較例2 (2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)
エチルトリメトキシシランを用いたもの)、および比較
例3 (3−アミノプロピルトリエトキシシランを用い
たもの)として示した。これらの配合組成および評価結
果を第2表および第3表に示す。
*1 曲げ弾性率Eは、下式 △Lは、 △L=λX (Tg−TRT) =λ・Tgと近似でき
る。したがって1 、°、σ#E・λ・Tgとなる。
但し、λ :熱膨張率  (1/”C)Tgニガラス転
移点(”C) TRT:室温    (’C) このE1λ、Tgの三者ともに数値が小さいほど、内部
に発生する応力σは小さくできるが、耐熱性を維持する
ためには、−船釣にはTg150℃以上が必要とされる
。第3表に示すようにTgを160℃前後にすれば、残
りはEとλを小さくすれば内部に発生する応力σを充分
に低下させることができる。
上記実施例から明らかなように、−最大(I)の化合物
でその表面を処理したシリカを用いると、従来一般に用
いられるシラン力・ノブリング剤を用いてシリカの表面
処理した場合と比較して、得られた樹脂組成物(硬化物
)の曲げ弾性率の低下が認められ、内部に発生する応力
を著しく低下させることができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、温度変化等による応力の発生を極力小
さくするとともに、生じた応力をできる限り吸収するこ
とができる半導体封止用樹脂組成物を得ることができる
代理人 弁理士 川 北 武 長

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)無機充填材を含むエポキシ樹脂およびその硬化剤
    を主成分とする半導体封止用樹脂組成物において、該無
    機充填材として、下記の一般式(I)▲数式、化学式、
    表等があります▼(I) (式中、m≧0、R^1、R^2、……R^8はそのい
    ずれかに−R^9−Si(OR^1^0)_3基および
    反応性の有機基をそれぞれ1個以上有する一価の炭化水
    素基または水素、R^9は酸素または二価の有機基、R
    ^1^0は水素または一価の炭化水素基である)で示さ
    れる化合物で表面処理したものを用いることを特徴とす
    る半導体封止用樹脂組成物。
JP3054988A 1988-02-12 1988-02-12 半導体封止用樹脂組成物 Pending JPH01204953A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0837090A4 (en) * 1995-06-27 1999-03-17 Hitachi Chemical Co Ltd PREPREG FOR PRINTED CIRCUITS, RESIN LAUGH, RESIN COMPOSITION AND LAMINATE FOR PRESSURE CIRCUITS
EP1178074A1 (en) * 1999-02-19 2002-02-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Prepreg, metal-clad laminate, and printed circuit board obtained from these
US7166361B2 (en) 2000-03-31 2007-01-23 Hitachi Chemical Co., Ltd. Thermosetting resin composition, resin film, metallic foil provided with an insulation material, insulation film provided with a metallic foil on each side, metal-clad laminate, multi-layered metal-clad laminate and multi-layered printed wiring board

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US6524717B1 (en) 1999-02-19 2003-02-25 Hitachi Chemical Co., Ltd. Prepreg, metal-clad laminate, and printed circuit board obtained from these
US7166361B2 (en) 2000-03-31 2007-01-23 Hitachi Chemical Co., Ltd. Thermosetting resin composition, resin film, metallic foil provided with an insulation material, insulation film provided with a metallic foil on each side, metal-clad laminate, multi-layered metal-clad laminate and multi-layered printed wiring board
US7736749B2 (en) 2000-03-31 2010-06-15 Hitachi Chemichal Co., Ltd. Thermosetting resin composition, resin film, metallic foil provided with an insulation material, insulation film provided with a metallic foil on each side, metal-clad laminate, multi-layered metal-clad laminate, and multi-layered printed wiring board

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