[go: up one dir, main page]

JPH01151243A - 欠陥分布測定法および装置 - Google Patents

欠陥分布測定法および装置

Info

Publication number
JPH01151243A
JPH01151243A JP62309420A JP30942087A JPH01151243A JP H01151243 A JPH01151243 A JP H01151243A JP 62309420 A JP62309420 A JP 62309420A JP 30942087 A JP30942087 A JP 30942087A JP H01151243 A JPH01151243 A JP H01151243A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
defect
inspected
image
distribution
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62309420A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2604607B2 (ja
Inventor
Kazuo Moriya
一男 守矢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Mining and Smelting Co Ltd filed Critical Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority to JP30942087A priority Critical patent/JP2604607B2/ja
Priority to DE3854961T priority patent/DE3854961T2/de
Priority to EP19880119684 priority patent/EP0319797B1/en
Publication of JPH01151243A publication Critical patent/JPH01151243A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2604607B2 publication Critical patent/JP2604607B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N2021/178—Methods for obtaining spatial resolution of the property being measured
    • G01N2021/1785—Three dimensional
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N2021/4735—Solid samples, e.g. paper, glass
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/10—Scanning
    • G01N2201/102—Video camera
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/10—Scanning
    • G01N2201/108—Miscellaneous
    • G01N2201/1087—Focussed scan beam, e.g. laser
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10056—Microscopic image
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、試料の精密位置測定機能を有する光散乱測定
装置によって得た光散乱像に対し、画像処理を用いるこ
とによって、非破壊で被検物体内の欠陥密度および密度
分布を自動測定する方法および装置に間する。
［従来技術］ 従来、結晶内の欠陥密度の計測は、結晶表面を先ずエツ
チングし、これにより表面に生じた凹みを顕微鏡を用い
て目視しあるいは機械的に測定することによって行なっ
ていた（例えば、Ｊｅｎｋｉｎｓ。
Ｍ、Ｗ、；　Ａ　ｎｅｗ　ｐｒｅｆｅｒｅｎｔｉａｌ　
ｅｔｃｈ　ｆｏｒ　ｄｅｆｅｃｔｓ　ｉｎｓｉｎｇｌｅ
　ｃｒｙｓｔａｌｓ、Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓ
ｏｃ、、１２４ニア５２−７６２　、１９７７　　参照
）。
また、Ｘ線回折法（例えば、Ｊｕｎｇｂｌｕｔｈ、　Ｅ
、Ｄ、二Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、、　１
１２：５１１０，１９６５　　参照）も欠陥密度測定法
として有効であり、結晶内の転位や積層欠陥および析出
物の測定に有効な手段とじてよく用いられている。一方
、透過型電子顕微鏡も結晶内の転位や微小析出物に対し
て大いに感度がある（例えば、Ｍｅｉｅｒａｎ　、Ｅ、
Ｓ、：Ａｐｐｌ、ｐｈｙｓ、、３Ｂ：２５４４．１９６
５参照）。
さらに、光散乱画像解析装置として、被検物体に対して
前記被検物体を透過する所定の径の光束を照射し、前記
光束の光軸と交差する方向を観察光軸とすると共にその
観察光軸内に分光手段を設け、被検物体内の前記光束に
よる散乱光のうち特定波長の光のみを抽出して、これを
画像情報として得るようにしたものが知られている（例
えば、特開昭５４−１０９４８８号公報参照）。
［発明が解決しようとする問題点］ ところで、エツチング法は、物体内部の欠陥分布の測定
においては現在量もよく用いられている方法である。し
かし、この方法は結晶内に三次元的に分布している欠陥
を二次元断面（表面）で観る方法であり、精度的にあい
まいな点が残っている。また、エツチングに際しては、
有毒な液体（フッ酸、六価クロム等）を用いたり、有毒
ガスが発生することがあり、大変危険な作業である。
さらにエツチング法は破壊検査であり、結晶を繰り返し
アニールして欠陥の変化を見る等、−度処理した結晶で
再測定はできない欠点がある。
Ｘ線回折法は欠陥密度測定法として有効であるが、転位
や積層欠陥はともかく、シリコン内の微小析出物などの
小さな欠陥にはほとんど感度がない。また、結晶内を三
次元的に観察することは殆どできない。さらに、Ｘ線回
折法もエツチング法と同様に、Ｘ線による被爆等危険性
が大いにある。
一方、透過型電子顕微鏡は結晶内の転位や微小析出物に
対し大いに感度があるが、結晶を数千人に薄くしなけれ
ばならないなど、測定視野に制限がある。また、装置も
大がかりになり簡便な方法とは言えない。
さらに、従来の光散乱画像解析装置では、欠陥密度や欠
陥分布を自動測定することはできず、得られた画像情報
例えば写真等から人手で欠陥の分布や個数を測定しある
いは数える必要があるという不具合があった。
本発明の目的は、上述の従来形における問題点に鑑み、
結晶内の欠陥密度および密度分布の計測において、■非
破壊検査であること、■三次元的に観察できること、■
高い安全性を有すること、■簡便性を有すること、■定
量的に欠陥の分布を計測できること、のすべてを満足す
る欠陥分布測定法および装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段および作用］上記の目的
を達成するため、本発明に係る欠陥分布測定法において
は、被検物体内に細く絞ったレーザビームを入射し、該
レーザビームによる被検物体内の欠陥部分からの散乱光
を画像情報として入力し、該画像情報に基づいて被検物
体内の欠陥の密度および密度分布を測定することを特徴
としている。
また、被検物体内に細く絞ったレーザビームを入射し、
該レーザビームによる被検物体内の欠陥部分からの散乱
光を入力し、該散乱光の散乱強度の一次元分布より被検
物体のＤＺ幅を測定することとしている。
さらに、本発明に係る欠陥分布測定装置においては、被
検物体内に細く絞ったレーザビームを入射する手段と、
該被検物体内の欠陥部分からの散乱光を画像情報として
得る手段と、該画像情報に基づいて被検物体内の欠陥の
密度および密度分布を測定する手段とを具備することを
特徴としている。
本発明に係る欠陥分布測定法および装置においては、被
検物内に細く絞ったレーザビームを入射し、その欠陥部
分からの散乱光をＴＶカメラ等の光受光素子を用いて画
像化し、これをもとに欠陥密度を測定する。
また、レーザ光を結晶内に細く絞って入射し、その欠陥
部分からの散乱光をＴＶカメラ等で受光し、画像処理装
置によってＡ／Ｄ変換してコンピュータの記憶装置内に
蓄積する。このような操作を、レーザビームもしくは試
料ステージを走査させながら行なうことによって、被検
物内の一断面の欠陥像を観察することができる。このあ
と欠陥の計数を二値化画像処理機能を有する画像処理装
置によって行なう。ここで計数された個数は、レーザビ
ーム径内の欠陥の数であることから、レーザビーム径で
割ることによって単位体積当りの欠陥密度を知ることが
できる。レーザ光源としては結晶を透過する波長でなけ
ればならない。Ｓｉ。
ＧａＡｓ結晶では、波長１　、０６４　ｕのＹＡＧレー
ザが有効である。受光素子はこのレーザに感度をもつこ
とが必要である。ＣＯＤ素子やシリコンビジコンはＹＡ
Ｇレーザに有効である。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る光散乱法による欠陥
密度の自動測定装置の構成を示すブロック図である。同
図において、１は欠陥分布を測定する対象である試料（
被検物体）、２は試料１に照射するレーザ光を発生する
レーザ発生装置、３はオートフォーカス機構を装備した
顕微鏡、４は受光した散乱光を電気信号に変換する受光
素子である。また、５は受光素子４からの電気信号を入
力し画像処理を行なう画像処理装置である。画像処理装
置５は二値化処理機能を有している。６は画像情報をそ
のまま出力したり、種々の計算の結果得た欠陥密度値等
を出力するＣＲＴ、７は測定の際に全体の制御を司るコ
ンピュータ、８はパルスモータコントローラ、９はパル
スモータコントローラ８の指令に従いＸ−Ｙ−Ｚ方向に
駆動されるｘ−ｙ−ｚパルスステージ、１０は試料１の
位置を精密に検出する精密位置検出器である。
以下、この装置によるＳｉウェーハ内の微小欠陥の分布
測定につき説明する。
半導体素子製造に用いられるＳｉウェーハ内の微小欠陥
においては、第２図に示すような欠陥密度分布およびＤ
　Ｚ　（Ｄｅｎｕｄｅｄ　Ｚｏｎｅ）幅の測定が行なわ
れている。第１図に示す装置を用いて、この計測を、上
記光散乱法によって得た散乱像を画像処理することによ
って行なった。
第２図の付番１１は、第１図の装置において試料１とし
て半分に連関したＳｔウェーハをパルスステージ９上に
設置し、そのＳｉウェーへの表面からレーザ光を入射し
て、連間面側から顕微鏡３により観察した散乱像を模式
的に示したものである。１０１，１０２はＳｉウェーへ
の結晶表面、１０３．１０４はＳｉウェーハ内部の種々
の大きさの微小欠陥を示す。このような散乱像に基づい
て、同図の付番１２で示すような結晶の表面からの深さ
に対する欠陥（析出物）の分布を得ることができる。ｔ
ＯＳは結晶表面１０１から欠陥密度が所定値以上となる
深さまでの幅いわゆるＤＺ幅を示す。このＤＺ幅の測定
を、■結晶の表面からの深さ方向への散乱強度をもとに
計測する方法、もしくは■結晶表面からの深さに対する
単位体積中の欠陥密度を散乱像をもとに画像処理して求
める方法により行なった。
結晶の表面からの深さ方向への散乱強度をもとに計測す
る方法では、Ｓｔウェーハ（試料１）表面の正確な位置
を知ることが必要なことから、第１図に示したＦＭ密位
置検出器１０を用い１．ウェーハ面の位置調整もしくは
位置のモニタをする。これはコンピュータ７がｎ＠位置
検出器１０からの位置情報を入力し、その入力に基づい
てパルスモータコントローラ８によりｘ−ｙ−ｚパルス
ステージ９を駆動することにより行なう。次に連間面（
顕微鏡３による観察面）からレーザビームを入射する位
置までは常に一定とする必要があるため、顕微鏡３に設
けられたオートフォーカス機構により試料ステージ９の
Ｚ方向（紙面上下の方向）の位置調整をする。そして試
料１を走査させ、光散乱像を得る。
第３図（ａ）は、このようにして得た光散乱像であり、
Ｓｉウェーへの結晶構造を示す写真である。この光散乱
像より、結晶の深さ方向への強度分布を第３図（ｂ）の
ように求める。同図（ｂ）は同図（ａ）で求めた光散乱
像のＬＬ’線上の強度分布をグラフに示したものである
。このような強度分布データに基づき、表面から散乱強
度が所定値にある所までの距離をもってＤＺ幅１０５と
する。
本実施例では、この所定値は散乱強度が結晶内部の散乱
強度の３０％の値と定めているが、これに限らず外部か
ら適当な値を別途設定することも可能である。散乱強度
分布は測定場所で大きく異なることから数点で計測し平
均をとるものとする。
一方、散乱像をもとに画像処理をして欠陥密度分布を求
める方法では、光散乱像の中に第４図（ａ）のように散
乱強度の異なる種々の析出物が存在することから、この
像を第４図（ｂ）　に示すように所定の散乱強度で二値
化像とし、それに第４図（ｃ）に示すように縮退処理（
例えば田村秀行著「コンピュータ画像処理入門」総研出
版Ｐ８０参照）を施して、析出物（欠陥）を一つ一つ分
離する。所定の散乱強度（閾値）とは、ＴＶカメラのノ
イズを除去でき、かつ第４図（Ｃ）で計測する欠陥密度
が最大となる値とするのが好ましい。
次に、第４図（Ｃ）に示すように、ＤＺ幅よりも十分に
狭い幅の欠陥密度カウント用のウィンドを設定し、この
ウィンドを移動させながら欠陥の個数をカウントし、ウ
ェーハの表面から裏面までの欠陥密度の分布図（第２口
付番１２のグラフ参照）を得る。ＤＺ幅は表面から欠陥
密度が所定の値になる所までの距離をもって定義する。
本実施例では、この所定値は欠陥密度が結晶内部の欠陥
密度の３０％となる値と定めているが、これに限らず外
部から適当な値を別途設定することも可能である。
なお、散乱体（欠陥）の種類が複数ある場合には、上記
閾値、もしくは散乱体の形状認識（例えば前掲「コンピ
ュータ画像処理入門」のＰ８５参照）をすることによっ
てこれらの種類を判別し、第２図（ｂ）に示すように散
乱体の種類別に密度分布およびＤＺ幅を計測することが
できる。
次に、第５図の流れ図を参照して、第２図の付番１２の
ような欠陥密度分布を得る手順を説明する。
先ずステップＳ１で測定試料１をＸ−Ｙ−Ｚパルスステ
ージ９上のホルダに載せる。次に、ステップＳ２で試料
１を観察位置まで移動し、レーザ光の入射面および顕微
！ｔ３による観察面を所定の位置に合わせる。そしてス
テップＳ３でステージ９を駆動して試料１を走査させ光
散乱像を得る。
この後、結晶の表面からの深さ方向への散乱強度をもと
に計測する方法を用いる場合にはステップＳ７に進み、
一方散乱像をもとに画像処理をして欠陥密度分布を求め
る方法を用いる場合にはステップＳ４に進む。
ステップＳ４では得られた光散乱像に対し上述したよう
な二値化像処理を行ない、さらにステップＳ５で縮退処
理を行なって、ステップＳ６で欠陥密度分布およびＤＺ
幅を得る。
一方、ステップＳ７では散乱強度の一次元分布よりＤＺ
幅を計測する。
以上で測定終了となる。
［実施例の変形例］ 第６図に、上記実施例の欠陥評価方法の変形例である欠
陥密度分布の自動測定装置の要部構成図を示す。
同図の装置では、先ずレーザ光３１を被検物体である試
料３２に入射し、欠陥からの散乱光を対物レンズ３３を
介してライセンサ３４のような一次元もしくは二次元検
出器で受ける。試料３２を矢印の方向に走査させるとラ
イセンサ３４の各位置での電気出力は欠陥が通るとパル
スが発生する。そこで、この各位置での電気出力をデー
タバッファ３５に蓄え、パルスカウンタ３６により各点
におけるパルスをカウントする。これにより試料３２の
欠陥密度の分布を知ることができる。
なお、観察対象被検物体としては、各種酸化物単結晶お
よび半導体単結晶、さらに光ファイバ等のガラス類等、
レーザ光の透過しつる物体であればよい。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、光散乱像を画像
処理することにより被検物体内の欠陥分布を測定してい
るので、非破壊で被検物体内の欠陥を三次元的に観察す
ることができる。また、エツチングによる方法のように
有毒な液体を用いたり有毒ガスが発生することがなく、
安全性も高い。さらに、非破壊で測定可能であるから被
検物体を繰り返しアニールして欠陥の変化を見る等の測
定も可能である。
特に、Ｓｉ結晶内の微小欠陥の計測はデバイスプロセス
の上から非常に重要であり、このような計測に際して、
安全性の高い、非破壊および侶顆性のある本発明は大変
有効である。なお、計測に際しては、被検物体のエツチ
ング等の前処理は不要であり、−視野の計測時間は目視
で数分のところを数秒で可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例に係る光散乱法による欠陥
密度の自動測定装置のブロック図、第２図は、Ｓｉ結晶
の欠陥像と表面からの深さ方向への欠陥密度分布の模式
図、 第３図（ａ）は光散乱法によるＳｉＭ晶内０光散乱像で
ある結晶構造を示す写真であり、同図（ｂ）は散乱強度
分布を示すグラフ、 第４図は、Ｓｉ結晶内の欠陥像と表面からの深さ方向へ
の欠陥密度分布を得るための模式図、第５図は、０２幅
および欠陥密度分布の測定の手順を示す流れ図、 第６図は、結晶内の欠陥からの散乱光をライセンサで受
けてパルス化し欠陥密度分布を得る自動測定装置の要部
構成図である。 １：試料、 ２：レーザ光発生装置、 ３：顕微鏡、 ４：受光素子、 ５：画像処理装置、 ６　：　ＣＲＴ。 ７：コンピュータ、 ８：パルスモータコントローラ、 ９７　Ｘ−Ｙ−Ｚパルスステージ、 １０：ｇＩ密位置検出器。 特許出願人　　三井金属鉱業株式会社 代理人　弁理士　　　伊　東　辰　雄 代理大　弁理士　　　伊　東　哲　也 ピ］ （０）九詫り偉 （ｂ）尤骸力Ｌ（鼾Ｕ分島（Ｌビ、！１上０分布）第３
図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）被検物体内に細く絞ったレーザビームを入射し、
    該レーザビームによる被検物体内の欠陥部分からの散乱
    光を画像情報として入力し、該画像情報に基づいて被検
    物体内の欠陥の密度および密度分布を測定することを特
    徴とする欠陥分布測定方法。
  2. （２）被検物体内に細く絞ったレーザビームを入射し、
    該レーザビームによる被検物体内の欠陥部分からの散乱
    光を入力し、該散乱光の散乱強度の一次元分布より被検
    物体のＤＺ幅を測定することを特徴とする欠陥分布測定
    方法。
  3. （３）被検物体内に細く絞ったレーザビームを入射する
    手段と、該被検物体内の欠陥部分からの散乱光を画像情
    報として得る手段と、該画像情報に基づいて被検物体内
    の欠陥の密度および密度分布を測定する手段とを具備す
    ることを特徴とする欠陥分布測定装置。
JP30942087A 1987-12-09 1987-12-09 欠陥分布測定法および装置 Expired - Lifetime JP2604607B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30942087A JP2604607B2 (ja) 1987-12-09 1987-12-09 欠陥分布測定法および装置
DE3854961T DE3854961T2 (de) 1987-12-09 1988-11-25 Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Fehlerdichte und -verteilung
EP19880119684 EP0319797B1 (en) 1987-12-09 1988-11-25 Method and apparatus for measuring defect density and defect distribution

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30942087A JP2604607B2 (ja) 1987-12-09 1987-12-09 欠陥分布測定法および装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01151243A true JPH01151243A (ja) 1989-06-14
JP2604607B2 JP2604607B2 (ja) 1997-04-30

Family

ID=17992789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30942087A Expired - Lifetime JP2604607B2 (ja) 1987-12-09 1987-12-09 欠陥分布測定法および装置

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0319797B1 (ja)
JP (1) JP2604607B2 (ja)
DE (1) DE3854961T2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0458418A2 (en) * 1990-05-21 1991-11-27 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Method and apparatus for measuring internal defects
JPH0412254A (ja) * 1990-05-01 1992-01-16 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 内部欠陥検査方法および装置
JPH0599860A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Nippon Steel Corp 金属材料の表面品質および内部品質の評価装置および方法
JPH07151696A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 結晶断面観察装置および方法
US6185322B1 (en) 1989-07-12 2001-02-06 Hitachi, Ltd. Inspection system and method using separate processors for processing different information regarding a workpiece such as an electronic device
US6202037B1 (en) * 1998-02-26 2001-03-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Quality management system and recording medium
US6404911B2 (en) 1989-07-12 2002-06-11 Hitachi, Ltd. Semiconductor failure analysis system
JP2007513350A (ja) * 2003-12-02 2007-05-24 ザ・ボーイング・カンパニー 複合構造の欠陥特性を測定するためのシステムおよび方法
JP2008082926A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光散乱観察装置
US7633617B2 (en) 2005-02-03 2009-12-15 Raytex Corporation Defective particle measuring apparatus and defective particle measuring method
JP2012181135A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Kobelco Kaken:Kk 内部欠陥検査装置および内部欠陥検査方法
JP2016044996A (ja) * 2014-08-20 2016-04-04 日本電信電話株式会社 光ファイバの検査方法

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2672124A1 (fr) * 1991-01-25 1992-07-31 Thomson Csf Procede et dispositif de controle de l'etat de surface d'un element optique de transmission lumineuse.
EP0558177B1 (en) * 1992-01-29 2000-04-12 Advanced Micro Devices, Inc. Energy resolved emission microscopy system and method
JP2722362B2 (ja) * 1992-03-27 1998-03-04 三井金属鉱業株式会社 粒子または欠陥の大きさ情報の測定方法および装置
JP2975476B2 (ja) * 1992-03-30 1999-11-10 三井金属鉱業株式会社 結晶内のフォトルミネッセンス計測方法及び装置
DE4413832C2 (de) * 1994-04-20 2000-05-31 Siemens Ag Vorrichtungen zur Kontrolle von Halbleiterscheiben
DE4413831C2 (de) * 1994-04-20 2000-05-31 Siemens Ag Verfahren zur Kontrolle von Halbleiterscheiben
ES2140309B1 (es) * 1997-07-07 2000-09-16 Corchos De Merida S A Metodo de clasificacion de tapones de corcho.
US7137182B2 (en) 2002-11-22 2006-11-21 The Boeing Company Parallel configuration composite material fabricator
US8336596B2 (en) 2002-11-22 2012-12-25 The Boeing Company Composite lamination using array of parallel material dispensing heads
US7236625B2 (en) 2003-07-28 2007-06-26 The Boeing Company Systems and method for identifying foreign objects and debris (FOD) and defects during fabrication of a composite structure
US8934702B2 (en) 2003-12-02 2015-01-13 The Boeing Company System and method for determining cumulative tow gap width
US7134629B2 (en) 2004-04-06 2006-11-14 The Boeing Company Structural panels for use in aircraft fuselages and other structures
US7527222B2 (en) 2004-04-06 2009-05-05 The Boeing Company Composite barrel sections for aircraft fuselages and other structures, and methods and systems for manufacturing such barrel sections
US7159822B2 (en) 2004-04-06 2007-01-09 The Boeing Company Structural panels for use in aircraft fuselages and other structures
US7193696B2 (en) 2004-04-12 2007-03-20 United Technologies Corporation Systems and methods for using light to indicate defect locations on a composite structure
US7330250B2 (en) 2004-05-18 2008-02-12 Agilent Technologies, Inc. Nondestructive evaluation of subsurface damage in optical elements
US7325771B2 (en) 2004-09-23 2008-02-05 The Boeing Company Splice joints for composite aircraft fuselages and other structures
US7424902B2 (en) 2004-11-24 2008-09-16 The Boeing Company In-process vision detection of flaw and FOD characteristics
US7503368B2 (en) 2004-11-24 2009-03-17 The Boeing Company Composite sections for aircraft fuselages and other structures, and methods and systems for manufacturing such sections
US20060108048A1 (en) 2004-11-24 2006-05-25 The Boeing Company In-process vision detection of flaws and fod by back field illumination
US7889907B2 (en) 2005-01-12 2011-02-15 The Boeing Company Apparatus and methods for inspecting tape lamination
US7435947B2 (en) 2005-10-31 2008-10-14 The Boeing Company Apparatus and methods for integrating encoding functions in material placement machines
US7372556B2 (en) 2005-10-31 2008-05-13 The Boeing Company Apparatus and methods for inspecting a composite structure for inconsistencies
US8388795B2 (en) 2007-05-17 2013-03-05 The Boeing Company Nanotube-enhanced interlayers for composite structures
US8042767B2 (en) 2007-09-04 2011-10-25 The Boeing Company Composite fabric with rigid member structure
DE102008063130B4 (de) * 2008-12-24 2010-10-14 Sicrystal Ag Verfahren zur Fremdphasenuntersuchung eines einkristallinen Substrats
DE102009017786B3 (de) * 2009-04-20 2010-10-14 Intego Gmbh Verfahren zur Detektion von Fehlstellen in einer dünnen Waferscheibe für ein Solarelement sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
WO2013121110A1 (en) * 2012-02-13 2013-08-22 Risto Orava Method and arrangement for determining structure defects of compound semiconductors, improving the growth process, and performance of the material as semiconductors
AU2015101099A6 (en) * 2015-08-10 2016-03-10 Wisetech Global Limited Volumetric estimation methods, devices, & systems
CN110118782A (zh) * 2019-05-08 2019-08-13 中国科学院福建物质结构研究所 一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪
CN113138195A (zh) * 2021-04-16 2021-07-20 上海新昇半导体科技有限公司 晶体缺陷的监控方法及晶棒生长方法
TWI861440B (zh) * 2021-10-08 2024-11-11 南韓商二和鑽石工業股份有限公司 損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的測定方法及執行該方法的系統
CN116148642B (zh) * 2023-04-21 2023-07-04 上海聚跃检测技术有限公司 一种芯片失效分析方法及装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56115945A (en) * 1980-02-18 1981-09-11 Hitachi Electronics Eng Co Ltd Detecting device for defect of panel plate
JPS59149029A (ja) * 1983-02-16 1984-08-25 Agency Of Ind Science & Technol 化合物半導体結晶基板の評価装置
JPS62119446A (ja) * 1985-11-20 1987-05-30 Ratotsuku Syst Eng Kk 結晶欠陥検査方法及びその検査装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54109488A (en) * 1978-02-08 1979-08-28 Fuji Photo Optical Co Ltd Analyzing method and device of optically scattered image information
JPS61213651A (ja) * 1985-03-19 1986-09-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 赤外線トモグラフイ−装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56115945A (en) * 1980-02-18 1981-09-11 Hitachi Electronics Eng Co Ltd Detecting device for defect of panel plate
JPS59149029A (ja) * 1983-02-16 1984-08-25 Agency Of Ind Science & Technol 化合物半導体結晶基板の評価装置
JPS62119446A (ja) * 1985-11-20 1987-05-30 Ratotsuku Syst Eng Kk 結晶欠陥検査方法及びその検査装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6529619B2 (en) 1989-07-12 2003-03-04 Hitachi, Ltd. Inspection data analyzing system
US6185322B1 (en) 1989-07-12 2001-02-06 Hitachi, Ltd. Inspection system and method using separate processors for processing different information regarding a workpiece such as an electronic device
US6628817B2 (en) 1989-07-12 2003-09-30 Hitachi, Ltd. Inspection data analyzing system
US6330352B1 (en) 1989-07-12 2001-12-11 Hitachi, Ltd. Inspection data analyzing system
US6339653B1 (en) 1989-07-12 2002-01-15 Hitachi, Ltd. Inspection data analyzing system
US6404911B2 (en) 1989-07-12 2002-06-11 Hitachi, Ltd. Semiconductor failure analysis system
JPH0412254A (ja) * 1990-05-01 1992-01-16 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 内部欠陥検査方法および装置
US5196716A (en) * 1990-05-21 1993-03-23 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Method and apparatus for measuring internal defects for position and depth
EP0458418A2 (en) * 1990-05-21 1991-11-27 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Method and apparatus for measuring internal defects
JPH0599860A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Nippon Steel Corp 金属材料の表面品質および内部品質の評価装置および方法
JPH07151696A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 結晶断面観察装置および方法
US6202037B1 (en) * 1998-02-26 2001-03-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Quality management system and recording medium
JP2007513350A (ja) * 2003-12-02 2007-05-24 ザ・ボーイング・カンパニー 複合構造の欠陥特性を測定するためのシステムおよび方法
US7633617B2 (en) 2005-02-03 2009-12-15 Raytex Corporation Defective particle measuring apparatus and defective particle measuring method
JP2008082926A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光散乱観察装置
JP2012181135A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Kobelco Kaken:Kk 内部欠陥検査装置および内部欠陥検査方法
JP2016044996A (ja) * 2014-08-20 2016-04-04 日本電信電話株式会社 光ファイバの検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2604607B2 (ja) 1997-04-30
EP0319797B1 (en) 1996-01-31
DE3854961T2 (de) 1996-05-30
DE3854961D1 (de) 1996-03-14
EP0319797A2 (en) 1989-06-14
EP0319797A3 (en) 1990-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH01151243A (ja) 欠陥分布測定法および装置
EP0458418B1 (en) Method and apparatus for measuring internal defects
US6256092B1 (en) Defect inspection apparatus for silicon wafer
JP3408816B2 (ja) 可変スポットサイズ走査装置
JP2975476B2 (ja) 結晶内のフォトルミネッセンス計測方法及び装置
JPS63244753A (ja) 結晶欠陥認識処理方法
JP2008008740A (ja) 欠陥を検出する方法及びそのための装置
US10983073B2 (en) Hybrid inspection system
JPH07294422A (ja) 表面近傍結晶欠陥の検出方法およびその装置
JP5239346B2 (ja) ラマン分光を用いた応力評価方法及び半導体装置の製造方法
CN110927170B (zh) 缺陷确定方法、装置及系统
WO2004010121A1 (en) Detection method and apparatus
JPH09243569A (ja) 半導体基板の評価装置および評価方法
JP3190157B2 (ja) 結晶欠陥検査方法
TWI846338B (zh) 用於檢測矽片表面損傷層深度的方法和系統
JPH07167793A (ja) 位相差半導体検査装置および半導体装置の製造方法
JPH10253546A (ja) 半導体基板の評価方法および評価装置
JPH07260702A (ja) 界面検査方法およびその装置
JP2017084985A (ja) 結晶欠陥の位置特定方法、結晶欠陥観察用試料の作製方法、及び結晶欠陥の評価方法
JPH0348144A (ja) 固体の熱的状態検査装置
JP2001176943A (ja) 半導体ウェーハの評価方法
JP2002071564A (ja) シリコン単結晶ウエハ中の欠陥評価方法
KR100478482B1 (ko) 웨이퍼 검사장치
Kumpe et al. INVESTIGATION OF LOW RESISTIVITY AS-GROWN CZ SILICON MATERIALS BY VISIBLE AND INFRARED LIGHT SCATTERING TECHNIQUES
WO2004008118A1 (en) Detection method and apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term