JP7416940B2

JP7416940B2 - ディスプレイパネル、フレキシブルディスプレイ、電子デバイスおよびディスプレイパネルの製造方法

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Publication number: JP7416940B2
Application number: JP2022531574A
Authority: JP
Inventors: 山山魏; 浩▲暉▼ ▲龍▼; 建平方
Original assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Current assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Priority date: 2019-11-29
Filing date: 2020-11-05
Publication date: 2024-01-17
Anticipated expiration: 2040-11-05
Also published as: CN113838994B; KR20220105665A; KR102684476B1; JP2023503668A; CN112885870A; CN113838994A; WO2021103979A1

Description

関連出願の相互参照
本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み入れられる、２０１９年１１月２９日付で中国国家知識産権局に出願された、「ディスプレイパネル、フレキシブルディスプレイ、電子デバイスおよびディスプレイパネルの製造方法」という名称の中国特許出願第２０１９１１２０５７７４．７号の優先権を主張するものである。

本出願は、ディスプレイ技術の分野に関し、特に、ディスプレイパネル、フレキシブルディスプレイ、電子デバイス、およびディスプレイパネルの製造方法に関する。

有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）ディスプレイ装置は、薄型、軽量、広視野角、アクティブ発光、連続調整可能な発光色、低コスト、高速応答、低エネルギー消費、低駆動電圧、広い動作温度範囲、単純な製造処理、高発光効率、フレキシブルディスプレイなどを特徴とするため、有望な次世代ディスプレイ技術として挙げられている。

ＯＬＥＤディスプレイ装置内のＯＬＥＤ発光コンポーネントは、動作中にカソードから電子を注入する必要があり、したがって、より低いカソード仕事関数を必要とする。しかしながら、カソードは、通常、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム等の比較的活性な化学的性質を有し、浸入した水蒸気や酸素と反応しやすい金属材料からなる。そのため、空気中の水蒸気や酸素等がＯＬＥＤ発光コンポーネントの寿命に大きく影響する。また、水蒸気や酸素がＯＬＥＤ発光コンポーネントの正孔輸送層や電子輸送層とさらに反応し、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの不良の原因となることがある。したがって、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの各機能層が大気中の水蒸気、酸素などから完全に分離されるように、ＯＬＥＤ発光コンポーネントに対して厳密な水－酸素封止のカプセル化が行われる必要がある。これにより、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの寿命が大幅に延長され、ＯＬＥＤディスプレイ装置の寿命が延長される。

現在、ＯＬＥＤディスプレイ装置のディスプレイパネルは、通常、製造中にＴＦＥ（ｔｈｉｎｆｉｌｍｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ、薄膜カプセル化）技術を使用することによってカプセル化される。全表面カプセル化のためにＴＦＥを使用するディスプレイパネルは、圧力または衝撃を受けると亀裂が生じやすい。この場合、水蒸気および酸素が、亀裂に沿って、ＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソード（カソード材料は通常ＭｇＡｌである）および別の蒸着層に入る。その結果、カソードは電極機能を失い、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの発光層の発光効率は、発光層が発光できなくなるまで徐々に低下する。その結果、暗いドットまたは黒点が発生し、ＯＬＥＤディスプレイ装置の表示効果に影響を与える。

本出願の技術的解決策は、ディスプレイパネルのカプセル化特徴を向上させるために、ディスプレイパネル、フレキシブルディスプレイ、電子デバイス、およびディスプレイパネルの製造方法を提供する。

第１の態様によれば、本出願の技術的解決策はディスプレイパネルを提供する。ディスプレイパネルは、基板として使用される基板と、基板上に配置された薄膜トランジスタ層と、画素定義層と、少なくとも２つのカプセル化構造体と、少なくとも２つの画素ユニットとを含む。少なくとも２つのカプセル化構造体は、少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化するように構成される。薄膜トランジスタ層は基板上に配置され、画素定義層は、薄膜トランジスタ層上に配置され、画素領域および側部カプセル化領域を有し、側部カプセル化領域はカプセル化構造体によってカプセル化された画素ユニットの周りに配置され、画素領域および側部カプセル化領域は画素定義層上に配置された貫通孔である。画素ユニットのＯＬＥＤ発光コンポーネントは、画素領域内に部分的にまたは完全に配置され得る。

カプセル化構造体が特に配置される場合、カプセル化構造体は、第１のカプセル化層および第２のカプセル化層を含む。第１のカプセル化層は、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの、薄膜トランジスタ層に近い側に配置され、第１のカプセル化層は、側部カプセル化領域からさらに露出される。第２のカプセル化層は、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの、薄膜トランジスタ層から離れた側に配置され、第２のカプセル化層は、側部カプセル化領域内で第１のカプセル化層と封止接触するように側部カプセル化領域を貫通し得る。少なくとも２つのカプセル化構造体を使用して少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化することにより、大きなカプセル化層がディスプレイパネル上に形成されることを防止することができ、それにより、ディスプレイパネルを含むフレキシブルディスプレイが曲げられ、巻かれ、自由に変形されるなどのシナリオにおいてカプセル化層に亀裂が入るときに生じる水－酸素浸入を効果的に回避することができる。

本出願の可能な実装形態では、カプセル化構造体の数は画素ユニットの数と同じであってもよく、各カプセル化構造体は１つの画素ユニットをカプセル化するように構成される。これにより、各画素ユニットの独立したカプセル化が実装され、ディスプレイパネルの曲げ特性を向上させる。

また、第１のカプセル化層は、無機材料層による単層構造であってもよいし、第１のカプセル化層は、無機材料層と有機材料層とが交互に積層された多層構造であってもよく、第２のカプセル化層は、無機材料層によって形成された単層構造であってもよいが、これに限定されず、または第２のカプセル化層は、無機材料層と有機材料層とを交互に積層することによって形成された多層構造であってもよい。無機材料層は、比較的良好な水－酸素バリア効果を達成するために、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムなどを使用することによって形成されてもよい。

本出願の可能な実装形態では、ディスプレイパネルは、金属線をさらに含んでいてもよく、金属線は、画素定義層の、基板から離れた側に配置されていてもよく、または、金属線は、第１のカプセル化層上に配置され、または、金属線は、基板の層構造上に配置されている。ＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソードは、すべてのＯＬＥＤ発光コンポーネントが互いに関連付けられるように、金属線に接続されてもよい。これにより、ディスプレイパネル全体のディスプレイの制御が容易となる。

本出願の可能な実装形態では、フォトスペーサが、画素定義層の、基板から離れた側にさらに配置される。ＯＬＥＤ発光コンポーネントを蒸着により形成する処理において、フォトスペーサは、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの各機能層を蒸着により形成するための蒸着マスクがディスプレイパネルに接触するのを効果的に防止し、ディスプレイパネルの製品歩留まりを向上させることができる。

本出願の可能な実装形態では、平坦化層は、第２のカプセル化層の、薄膜トランジスタ層から離れた側にさらに配置されてもよい。平坦化層は、その後の処理のための平坦な機械加工面を提供するように配置されてもよい。また、平坦化層は、平坦化層上に配置された他の膜層に異物が侵入することを防止するために、異物を覆ってもよい。

さらに、第３のカプセル化層が平坦化層上にさらに配置されることができ、第３のカプセル化層は、少なくとも２つのカプセル化構造体を覆うことができる全表面構造である。これにより、ディスプレイパネルの水－酸素バリアカプセル化効果が向上する。第３のカプセル化層は、無機材料層による単層構造であってもよいし、無機材料層と有機材料層とが交互に積層された多層構造であってもよい。

第２の態様によれば、本出願の技術的解決策は、フレキシブルディスプレイをさらに提供する。フレキシブルディスプレイは、保護カバーと、偏光子と、タッチパネルと、第１の態様に係るディスプレイパネルとを備えていてもよい。偏光子は保護カバーに固定され、タッチパネルは偏光子とディスプレイパネルとの間に配置される、または、タッチパネルが保護カバーに固定されており、偏光子がタッチパネルとディスプレイパネルとの間に配置される。また、ディスプレイパネルの、タッチパネルから離れた側にさらに放熱層を配置し、放熱層上に保護層を配置してもよい。

フレキシブルディスプレイのディスプレイパネル上の少なくとも２つの画素ユニットが少なくとも２つのカプセル化構造体によってカプセル化されるため、大きなカプセル化層がディスプレイパネル上に形成されることを防止することができ、それにより、フレキシブルディスプレイが曲げられ、巻かれ、自由に変形されるなどのシナリオにおいてカプセル化層に亀裂が入るときに生じる水－酸素浸入を効果的に回避し、フレキシブルディスプレイの表示不良の問題を回避する。

第３の態様によれば、本出願の技術的解決策は、電子デバイスをさらに提供する。電子デバイスは、中間フレームと、後部ハウジングと、プリント回路基板と、第２の態様に係るフレキシブルディスプレイとを備える。中間フレームは、プリント回路基板およびフレキシブルディスプレイを支持するように構成される。プリント回路基板およびフレキシブルディスプレイは、中間フレームの２つの側面に配置される。後部ハウジングは、プリント回路基板の、中間フレームから離れた側に配置される。

本出願における電子デバイスのフレキシブルディスプレイは、比較的良好な曲げ特性を有する。フレキシブルディスプレイが折り畳まれるまたは曲げられる処理では、フレキシブルディスプレイのディスプレイパネルのカプセル化層の亀裂リスクが比較的低く、それにより、水および酸素がカプセル化層を通って浸入するときに生じる電子デバイスのフレキシブルディスプレイの表示不良の問題が回避される。

第４の態様によれば、本出願の技術的解決策は、ディスプレイパネルを製造する方法をさらに提供する。ディスプレイパネルは、基板と、薄膜トランジスタ層と、画素定義層と、少なくとも２つのカプセル化構造体と、少なくとも２つの画素ユニットとを含む。少なくとも２つのカプセル化構造体は、少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化するように構成され、カプセル化構造体は、第１のカプセル化層および第２のカプセル化層を含み、画素ユニットは、ＯＬＥＤ発光コンポーネントを含む。本方法は、
基板を製造するステップと、
基板上に薄膜トランジスタ層を形成し、薄膜トランジスタ層上に第１のビアを設けるステップであって、第１のビアが薄膜トランジスタ層のドレインまで延在する、ステップと、
複数の独立した第１のカプセル化層を得るために、薄膜トランジスタ層上に全表面の第１のカプセル化構造体層を形成し、全表面の第１のカプセル化構造体層をパターニングする、ステップと、
第１のカプセル化層の各々上に画素領域および側部カプセル化領域を形成するために、画素定義層を形成し、画素定義層をパターニングするステップであって、側部カプセル化領域が、第１のカプセル化層を露出させるために使用される、ステップと、
画素領域内にＯＬＥＤ発光コンポーネントを形成するステップであって、ＯＬＥＤ発光コンポーネントが第１のビアを介してドレインに接続される、ステップと、
複数の独立した第２のカプセル化層を得るために、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの、薄膜トランジスタ層から離れた側に、薄膜トランジスタ層に対応する全表面の第２のカプセル化構造体層を形成し、全表面の第２のカプセル化構造体層をパターニングするステップであって、第２のカプセル化層および第１のカプセル化層が側部カプセル化領域内で封止接触している、ステップと、を含む。

可能な実装形態では、第１のカプセル化層を形成するステップが、具体的には、全表面の第１のカプセル化構造体層を形成するため、薄膜トランジスタ層にＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、またはＡｌ_２Ｏ_３のうちの１つまたは複数を堆積させるステップと、少なくとも２つの第１のカプセル化層を得るために全表面の第１のカプセル化構造体層をパターニングするステップであって、コーティングするステップ、露光するステップ、現像するステップ、エッチングするステップ、または剥離するステップのうちの１つまたは複数を含む、ステップと、を含む。

可能な実装形態では、画素定義層が形成される前に、本方法は、第１のカプセル化層上にアノードを形成するステップであって、アノードが第１のビアを介してドレインに接続される、ステップをさらに含む。アノードを形成するステップは、具体的には、第１のカプセル化層上にＩＴＯ、Ａｇ、およびＩＴＯを順に堆積させてアノード材料層を形成するステップと、アノードを得るために、アノード材料層をパターニングするステップであって、コーティングするステップ、露光するステップ、現像するステップ、エッチングするステップ、または剥離するステップのうちの１つまたは複数を含む、ステップと、を含む。

さらに、本方法は、画素定義層が形成された後、ＯＬＥＤ発光コンポーネントが形成される前に、画素定義層上にフォトスペーサを形成するステップをさらに含んでもよい。

可能な実装形態では、すべてのＯＬＥＤ発光コンポーネントを関連付け、ディスプレイパネル全体の表示を制御するために、各ＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソードが金属線に接続されるように、画素定義層上に金属線をさらに形成することができる。あるいは、金属線が、第１のカプセル化層上に形成されていてもよいし、薄膜トランジスタ層の層構造上に形成されていてもよい。金属線を形成するステップは、具体的には、画素定義層が形成された後、Ｔｉ、Ａｌ、およびＴｉを順に堆積させて金属層を形成するステップと、金属線を得るために、金属層をパターニングするステップであって、コーティングするステップ、露光するステップ、現像するステップ、エッチングするステップ、または剥離するステップのうちの１つまたは複数を含む、ステップと、を含む。

可能な実装形態では、第２のカプセル化層を形成するステップは、具体的には、全表面の第２のカプセル化構造体層を形成するために、画素定義層およびＯＬＥＤ発光コンポーネント上にＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、またはＡｌ_２Ｏ_３のうちの１つまたは複数を堆積させるステップと、少なくとも２つの第２のカプセル化層を得るために全表面の第２のカプセル化構造体層をパターニングするステップであって、コーティングするステップ、露光するステップ、現像するステップ、エッチングするステップ、または剥離するステップのうちの１つまたは複数を含む、ステップと、を含む。

第２のカプセル化層が形成された後、その後の層構造加工のための平坦な表面を提供するために、平坦化層が第２のカプセル化層上にさらに形成されてもよい。また、平坦化層は、平坦化層上に配置された他の膜層に異物が侵入することを防止するために、異物を覆ってもよい。

可能な実装形態では、製造方法は、平坦化層上に第３のカプセル化層を形成するステップであって、第３のカプセル化層が複数のカプセル化ユニットを覆う、ステップをさらに含んでもよい。このようにして、ディスプレイパネル上に全表面カプセル化層が形成され、それにより、ディスプレイパネルの水－酸素バリア効果が向上する。

第５の態様によれば、本出願の技術的解決策は、ディスプレイパネルをさらに提供する。ディスプレイパネルは、基板として使用される基板と、薄膜トランジスタ層と、画素定義層と、少なくとも２つのカプセル化構造体と、少なくとも２つの画素ユニットとを含む。少なくとも２つのカプセル化構造体は、少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化するように構成されてもよい。薄膜トランジスタ層は、基板上に配置され、画素定義層は薄膜トランジスタ層上に配置されており、画素定義層は画素領域および側部カプセル化領域を有する、側部カプセル化領域は、カプセル化構造体によってカプセル化された画素ユニットの周りに配置され、画素領域および側部カプセル化領域は、画素定義層に配置された貫通孔である。画素ユニットはＯＬＥＤ発光コンポーネントを含み、ＯＬＥＤ発光コンポーネントは画素領域内に部分的にまたは完全に配置される。薄膜トランジスタ層は、無機材料層を含み、側部カプセル化領域に対応する位置にビアが設けられており、ビアは無機材料層を露出させている。

薄膜トランジスタ層が無機材料層を含み、無機材料層が良好な水－酸素バリア効果を達成することができるので、薄膜トランジスタ層の無機材料層は、画素ユニットカプセル化を実装するためのカプセル化層として使用され得る。

カプセル化構造体が特に配置される場合、カプセル化構造体は、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの、薄膜トランジスタ層から離れた側に配置される。カプセル化構造体は、側部カプセル化領域およびビアを貫通してもよく、側部カプセル化領域内の薄膜トランジスタ層のビアから露出した無機材料層と封止接触している。本出願の技術的解決策では、少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化するために少なくとも２つのカプセル化構造体を使用することにより、大きなカプセル化層が形成されるのを防止することができ、それにより、ディスプレイパネルを含むフレキシブルディスプレイが曲げられ、巻かれ、自由に変形されるなどのシナリオでカプセル化層に亀裂が入るときに生じる水－酸素浸入を効果的に回避することができる。また、薄膜トランジスタ層の無機材料層を、カプセル化部をカプセル化するカプセル化層として用いることにより、ディスプレイパネルを加工するステップを効果的に削減することができ、ディスプレイパネルの曲げ特性が向上し、製造困難性や製造コストが低減する。加えて、本出願の本実施形態では、ＯＬＥＤ発光コンポーネントをカプセル化することに加えて、カプセル化構造体は、平坦化層、ソース、ドレイン、層間絶縁層、金属間絶縁層、およびゲートなどの構造体のうちの１つまたは複数をさらにカプセル化することができる。これにより、カプセル化構造体が保護される。

また、カプセル化構造体は、無機材料層による単層構造であってもよいし、無機材料層と有機材料層とが交互に積層された多層構造であってもよい。無機材料層は、比較的良好な水－酸素バリア効果を達成するために、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムなどを使用することによって形成されてもよい。

本出願の可能な実装形態では、ディスプレイパネルは、金属線をさらに含んでいてもよく、金属線は、画素定義層の、基板から離れた側に配置されていてもよく、または、金属線は、薄膜トランジスタ層の層構造上に配置されている。ＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソードは、すべてのＯＬＥＤ発光コンポーネントが互いに関連付けられるように、金属線に接続されてもよい。これにより、ディスプレイパネル全体のディスプレイの制御が容易となる。

本出願の可能な実装形態では、平坦化層は、カプセル化構造体の、薄膜トランジスタ層から離れた側にさらに配置されてもよい。平坦化層は、その後の処理のための平坦な機械加工面を提供するように配置されてもよい。また、平坦化層は、平坦化層上に配置された他の膜層に異物が侵入することを防止するために、異物を覆ってもよい。

第６の態様によれば、本出願の技術的解決策は、フレキシブルディスプレイをさらに提供する。フレキシブルディスプレイは、保護カバーと、偏光子と、タッチパネルと、第５の態様に係るディスプレイパネルとを備えていてもよい。偏光子は保護カバーに固定され、タッチパネルは偏光子とディスプレイパネルとの間に配置される、または、タッチパネルが保護カバーに固定されており、偏光子がタッチパネルとディスプレイパネルとの間に配置される。また、ディスプレイパネルの、タッチパネルから離れた側にさらに放熱層を配置し、放熱層上に保護層を配置してもよい。

フレキシブルディスプレイのディスプレイパネル上の少なくとも２つの画素ユニットが少なくとも２つのカプセル化構造体によってカプセル化されるため、大きなカプセル化層がディスプレイパネル上に形成されることを防止することができ、それにより、フレキシブルディスプレイが曲げられ、巻かれ、自由に変形されるなどのシナリオにおいてカプセル化層に亀裂が入るときに生じる水－酸素浸入を効果的に回避し、フレキシブルディスプレイの表示不良の問題を軽減する。

第７の態様によれば、本出願の技術的解決策は、電子デバイスをさらに提供する。電子デバイスは、中間フレームと、後部ハウジングと、プリント回路基板と、第６の態様のフレキシブルディスプレイとを備える。中間フレームは、プリント回路基板およびフレキシブルディスプレイを支持するように構成される。プリント回路基板およびフレキシブルディスプレイは、中間フレームの２つの側面に配置される。後部ハウジングは、プリント回路基板の、中間フレームから離れた側に配置される。

第８の態様によれば、本出願の技術的解決策は、ディスプレイパネルの製造方法をさらに提供する。ディスプレイパネルは、基板と、薄膜トランジスタ層と、画素定義層と、少なくとも２つのカプセル化構造体と、少なくとも２つの画素ユニットとを含む。少なくとも２つのカプセル化構造体は、少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化するように構成され、画素ユニットはＯＬＥＤ発光コンポーネントを含む。本方法は、
基板を製造するステップと、
基板上に薄膜トランジスタ層を形成し、薄膜トランジスタ層上に第１のビアを設けるステップであって、第１のビアが薄膜トランジスタ層のドレインまで延在する、ステップと、
薄膜トランジスタ層上に第２のビアを設けるステップであって、第２のビアが薄膜トランジスタ層の無機材料層まで延在する、ステップと、
画素領域および側部カプセル化領域を形成するために、画素定義層を形成し、画素定義層をパターニングするステップであって、側部カプセル化領域が薄膜トランジスタ層の無機材料層を露出させるために使用される、ステップと、
画素領域内にＯＬＥＤ発光コンポーネントを形成するステップであって、ＯＬＥＤ発光コンポーネントが第１のビアを介してドレインに接続される、ステップと、
少なくとも２つの独立したカプセル化構造体を得るために、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの、薄膜トランジスタ層から離れた側に、薄膜トランジスタ層に対応する全表面カプセル化構造体層を形成し、全表面カプセル化構造体層をパターニングするステップであって、カプセル化構造体と薄膜トランジスタ層の無機材料層とが側部カプセル化領域内で封止接触している、ステップと、を含む。

可能な実装形態では、カプセル化構造体を形成するステップは、具体的には、画素定義層およびＯＬＥＤ発光コンポーネント上にＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、またはＡｌ_２Ｏ_３の１つまたは複数を堆積させて、全表面カプセル化構造体層を形成するステップと、少なくとも２つの独立したカプセル化構造体を得るために全表面カプセル化構造体層をパターニングするステップであって、コーティングするステップ、露光するステップ、現像するステップ、エッチングするステップ、または剥離するステップのうちの１つまたは複数を含む、ステップと、を含む。

カプセル化構造体が形成された後、その後の層構造加工のための平坦な表面を提供するために、平坦化層が第２のカプセル化層上にさらに形成されてもよい。また、平坦化層は、平坦化層上に配置された他の膜層に異物が侵入することを防止するために、異物を覆ってもよい。

第９の態様によれば、本出願の技術的解決策は、ディスプレイパネルをさらに提供する。ディスプレイパネルは、基板として使用される基板と、薄膜トランジスタ層と、画素定義層と、少なくとも２つのカプセル化構造体と、少なくとも２つの画素ユニットとを含む。少なくとも２つのカプセル化構造体は、少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化するように構成されてもよい。薄膜トランジスタ層は、基板上に配置され、画素定義層は薄膜トランジスタ層上に配置されており、画素定義層は画素領域および側部カプセル化領域を有する、側部カプセル化領域は、カプセル化構造体によってカプセル化された画素ユニットの周りに配置され、画素領域および側部カプセル化領域は、画素定義層に配置された貫通孔である。画素ユニットはＯＬＥＤ発光コンポーネントを含み、ＯＬＥＤ発光コンポーネントは画素領域内に部分的にまたは完全に配置される。基板は、無機材料層を含み、側部カプセル化領域に対応する位置にビアが設けられ、ビアは無機材料層を露出させる。

無機材料層は、良好な水－酸素バリア効果を達成することができるので、基板の無機材料層は、カプセル化ユニットをカプセル化するためのカプセル化層として使用することができる。

カプセル化構造体が特に配置される場合、カプセル化構造体は、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの、薄膜トランジスタ層から離れた側に配置される。カプセル化構造体は、側部カプセル化領域およびビアを貫通してもよく、側部カプセル化領域内の基板のビアから露出した無機材料層と封止接触している。

本出願の技術的解決策では、少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化するために少なくとも２つのカプセル化構造体を使用することにより、大きなカプセル化層が形成されるのを防止することができ、それにより、ディスプレイパネルを含むフレキシブルディスプレイが曲げられ、巻かれ、自由に変形されるなどのシナリオでカプセル化層に亀裂が入るときに生じる水－酸素浸入を効果的に回避することができる。また、基板の無機材料層を、カプセル化部をカプセル化するカプセル化層として用いることにより、ディスプレイパネルを加工するステップを効果的に削減することができ、ディスプレイパネルの曲げ特性が向上し、製造難易度や製造コストが低減される。加えて、本出願の本実施形態では、ＯＬＥＤ発光コンポーネントをカプセル化することに加えて、カプセル化構造体は、平坦化層、ソース、ドレイン、層間絶縁層、金属間絶縁層、およびゲートなどの構造体のうちの１つまたは複数をさらにカプセル化することができる。これにより、カプセル化構造体が保護される。

本出願の一実施形態による電子デバイスの構造の概略図である。本出願の一実施形態によるフレキシブルディスプレイの構造の概略図である。実施形態に係るディスプレイパネルの構造の概略図である。本出願の一実施形態によるディスプレイパネルの構造の概略図である。本出願の一実施形態によるＯＬＥＤ発光コンポーネントの構造の概略図である。本出願の一実施形態によるカプセル化構造体の構造の概略図である。図６のＡ－Ａ断面図である。図６のＢ－Ｂ断面図である。本出願の一実施形態によるＬＴＰＳ－ＴＦＴ基板の構造の概略図である。本出願の一実施形態による、第１のカプセル化層が形成されたディスプレイパネルの上面図である。本出願の一実施形態による、第１のカプセル化層が形成されたディスプレイパネルの断面図である。本出願の一実施形態に係る、アノードが形成されたディスプレイパネルの断面図である。本出願の一実施形態による画素定義層が形成されたディスプレイパネルの断面図である。本出願の一実施形態による、第３の金属グリッド線とカソードとの間の接続部の構造の概略図である。図１４のＣ－Ｃ断面図である。図１４のＤ－Ｄ断面図である。本出願の一実施形態に係るフォトスペーサが形成されたディスプレイパネルの断面図である。本出願の一実施形態による、ＯＬＥＤが形成されたディスプレイパネルの断面図である。本出願の一実施形態による、第２のカプセル化層が形成されたディスプレイパネルの断面図である。本出願の別の実施形態による、第２のカプセル化層が形成されたディスプレイパネルの断面図である。本出願の実施形態に係る第２の平坦化層が形成されたディスプレイパネルの断面図である。本出願の一実施形態による、第３のカプセル化層が形成されたディスプレイパネルの断面図である。本出願の別の実施形態によるディスプレイパネルの構造の概略図である。

本出願の実施形態で提供されるディスプレイパネルの理解を容易にするために、以下では、まず、本出願の実施形態で提供されるディスプレイパネルの適用シナリオについて説明する。ディスプレイパネルは、携帯電話、タブレットコンピュータ、ウェアラブルデバイス、またはパームトップコンピュータ（ｐｅｒｓｏｎａｌｄｉｇｉｔａｌａｓｓｉｓｔａｎｔ、ＰＤＡ）などの電子デバイスに配置され得る。図１に示すように、電子デバイスは、一般に、ディスプレイ１０１、中間フレーム１０２、後部ハウジング１０３、およびプリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ、ＰＣＢ１０４）を含み得る。中間フレーム１０２は、プリント回路基板およびディスプレイ１０１を支持するように構成され得る。ディスプレイ１０１およびプリント回路基板は、中間フレーム１０２の両側に配置されている。後部ハウジング１０３は、プリント回路基板の、中間フレーム１０２から離れた側に配置されている。さらに、電子デバイスは、ＰＣＢ１０４上に配置されたコンポーネント１０４１をさらに含み得る。コンポーネント１０４１は、ＰＣＢ１０４の、中間フレーム１０２に面する側に配置されてもよいが、これに限定されない。本出願の実施形態で提供されるディスプレイパネルは、具体的には、電子デバイスのディスプレイ内に配置される。ディスプレイは、フレキシブルディスプレイであってもよいし、リジッドディスプレイであってもよい。フレキシブルディスプレイは、ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイまたは量子ドット発光ダイオード（ｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ、ＱＬＥＤ）フレキシブルディスプレイであってもよい。本出願の以下の実施形態では、ディスプレイがＯＬＥＤフレキシブルディスプレイである例が説明のために使用され、ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイの配置方法は、別の形態のディスプレイの配置方法と同様である。

図２に示すように、本出願の本実施形態におけるＯＬＥＤフレキシブルディスプレイは、保護カバー２０１、偏光子２０２、タッチパネル２０３、ディスプレイパネル２０４、放熱層２０５、および保護層２０６を含み得るが、これらに限定されない。ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイの具体的な配置については、図２を参照されたい。偏光子２０２は保護カバー２０１に固定されており、タッチパネル２０３は偏光子２０２とディスプレイパネル２０４との間に配置されている。あるいは、タッチパネル２０３が保護カバー２０１に固定された後、タッチパネル２０３とディスプレイパネル２０４との間に偏光子２０２が配置されてもよい。

保護カバー２０１は、保護機能を実装し、ディスプレイの表示効果への影響を低減するために、透明なガラスカバーまたはポリイミドなどの有機材料で作られたカバーであってもよい。偏光子２０２は、アノード光の反射を回避するために、円偏光子であってもよい。タッチパネル２０３は、独立して配置されていてもよいし、ディスプレイパネル２０４と一体構造になっていてもよい。放熱層２０５は、放熱用の銅箔で構成されていてもよい。保護層２０６は、保護発泡体であってもよい。フレキシブルディスプレイの層構造は、光学的に透明な接着剤または不透明な感圧接着剤（図示せず）を用いて互いに接着されてもよい。さらに、ディスプレイパネル２０４には複数の画素ユニット（図示せず）が配置されているが、複数の画素ユニットは任意の形状であってよく、複数の画素ユニットの配置方法は本出願では限定されない。空気中の水蒸気や酸素等は、画素ユニットのＯＬＥＤ発光コンポーネントの寿命に大きく影響する。したがって、ＯＬＥＤ発光コンポーネントのすべての機能層が大気中の水蒸気、酸素などから完全に分離されるように、ディスプレイパネル上の画素ユニットに対して厳密な水－酸素封止のカプセル化が行われる必要がある。

図３は、典型的なＯＬＥＤフレキシブルディスプレイのディスプレイパネルを示す。ディスプレイパネルは、上部カプセル化層３０１および下部カプセル化層３０２を有する。本実施形態において、ディスプレイパネルの「上部」とは、ディスプレイパネルが使用されるときにユーザにより近い側を意味する。上部カプセル化層３０１は、ディスプレイパネル全体を覆う一体構造であり、第１の無機層３０１１と、第２の無機層３０１２と、第１の無機層３０１１と第２の無機層３０１２との間に配置されたフレキシブルサンドイッチ層３０１３とを有する。第１の無機層３０１１および第２の無機層３０１２は、化学気相成長（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）法により製造されたＳｉＯ_２層またはＳｉＮｘ層であってもよい。フレキシブルサンドイッチ層３０１３は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）またはインクジェット印刷（ｉｎｋｊｅｔｐｒｉｎｔ、ＩＪＰ）技術を使用して形成された硬化ポリエステルポリマー有機層であってもよい。ＳｉＯ_２またはＳｉＮｘ層は、主に水－酸素バリアを実装するように構成され、フレキシブルサンドイッチ層３０１３は、応力を解放し、柔軟性を向上させ、異物によって引き起こされるカプセル化不良を低減するために、ある程度水－酸素バッファを実装することができる。上部カプセル化層３０１は、全表面構造であり、構造は剛性構造である。上部カプセル化層が曲げられると、上部カプセル化層にかかる応力が比較的大きくなり、亀裂が発生しやすくなる。この場合、第１の無機層３０１１または第２の無機層３０１２に亀裂が発生した場合、両無機層の間の有機層に亀裂が発生しているか否かに関わらず、ディスプレイパネルの画素ユニットおよびカソード層のＯＬＥＤ発光コンポーネントに水および酸素が侵入する。その結果、ＯＬＥＤ発光コンポーネントが不良となるか、またはカソードが電気的特徴を失い、ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイ上に黒点が発生する。また、上部カプセル化層３０１は全表面構造であるため、亀裂からディスプレイパネル内に侵入した水や酸素は、隣接する画素ユニット間で拡散する。その結果、複数のＯＬＥＤ発光コンポーネントが不良となるか、または複数のＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソードが電気的特徴を失い、深刻にはＯＬＥＤフレキシブルディスプレイ全体が表示に支障をきたす。

加えて、下部カプセル化層３０２は、一般に、ディスプレイパネルの基板内の第１の基板材料層ＰＩ１および第２の基板材料層ＰＩ２（第１の基板材料層ＰＩ１および第２の基板材料層ＰＩ２の両方がポリイミドポリマー有機層であってもよい）と、第１の基板材料層ＰＩ１と第２の基板材料層ＰＩ２との間に配置されたバリア層３０２１とを含む一体構造である。バリア層３０２１は、一般にＳｉＯ_２またはＳｉＮｘ層である。下部カプセル化層３０２は、全表面構造であり、構造も剛性構造である。下部カプセル化層が曲げられると、亀裂も発生しやすくなる。下部カプセル化層３０２に亀裂が発生すると、水および酸素も亀裂に沿ってＯＬＥＤ発光コンポーネントに入る。その結果、ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイ上にブロックスポットが発生する。また、下部カプセル化層３０２は全表面構造であるため、亀裂からディスプレイパネル内に侵入した水や酸素は、隣接する画素ユニット間で拡散する。その結果、複数のＯＬＥＤ発光コンポーネントが不良となるか、または複数のＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソードが電気的特徴を失い、深刻にはＯＬＥＤフレキシブルディスプレイ全体が表示に支障をきたす。

そのため、ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイが曲げられたり、折り畳まれたりすると、亀裂から水や酸素が侵入し、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの腐食の原因となる。その結果、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの電源を入れることができず、またはＯＬＥＤ発光コンポーネントが劣化し、その結果、発光することができない。

上記の問題を解決するために、本出願の一実施形態は、ディスプレイパネルが曲げられ、巻かれ、自由に変形されるなどのシナリオにおいてカプセル化層に亀裂が入るときに生じる水－酸素浸入を解決し、フレキシブルディスプレイ上の黒点などの不良問題を軽減するために、ディスプレイパネルを提供する。以下に添付図面を参照して、ディスプレイパネルの構造を詳細に説明する。

図４に示すように、本出願の一実施形態はディスプレイパネルを提供する。ディスプレイパネルは、基板、薄膜トランジスタ層、画素定義層４１２、画素ユニット、およびカプセル化構造体を含む。薄膜トランジスタ層は、基板上に配置されている。画素定義層は、薄膜トランジスタ層上に配置されている。図４に示すように、本出願の本実施形態では、基板は、薄膜トランジスタ層などの上層ごとにフレキシブルベアラを提供することができる。基板は、下から上に順に積層された第１の基板材料層ＰＩ１、バリア層４０２、および第２の基板材料層ＰＩ２を含み得るが、これらに限定されない（本実施形態では、ディスプレイパネルの「上部」とは、ディスプレイパネルが使用されるときにユーザにより近い側を意味する。）。具体的には、第１の基板材料層ＰＩ１の材料は、フレキシブルポリイミド基板材料であってもよいし、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、紙、金属、極薄ガラス等のフレキシブル材料であってもよく、バリア（ｂａｒｒｉｅｒ）層４０２は、水および酸素バリアを実行するように構成されてもよく、第２の基板材料層ＰＩ２の材料も、フレキシブルポリイミド基板材料であってもよいし、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、紙、金属、極薄ガラス等のフレキシブル材料であってもよい。本出願のいくつかの実施形態では、基板の構造を単純化するために、基板内のバリア層４０２または第２の基板材料層ＰＩ２は、代替的に省略されてもよい。

薄膜トランジスタ層が特に配置される場合、薄膜トランジスタ層は、バッファ層４０３、活性層、ゲート絶縁体層４０５、ゲートＧ、第１の金属グリッド線Ｍ１、金属間絶縁層４０６、金属キャパシタ４０７、層間絶縁層４０８、ソースＳ、ドレインＤ、第２の金属グリッド線Ｍ２、および第１の平坦化層４０９のうちの１つまたは複数を含み得る。これは、本出願の本実施形態では限定されない。

任意選択的に、本出願の本実施形態では、例として低温ポリシリコン（ｌｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ、ＬＴＰＳ）薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）が使用される。薄膜トランジスタ層は、ゲート絶縁体層４０５、金属間絶縁層４０６、層間絶縁層４０８、および第１の平坦化層４０９を含んでもよい。任意選択的に、薄膜トランジスタ層は、バッファ層４０３、ゲート絶縁体層４０５、金属間絶縁層４０６、層間絶縁層４０８、および第１の平坦化層４０９を含んでもよい。任意選択的に、薄膜トランジスタ層は、バッファ層４０３、活性層、ゲート絶縁体層４０５、ゲートＧ、金属間絶縁層４０６、層間絶縁層４０８、ソースＳ、ドレインＤ、および第１の平坦化層４０９を含んでもよい。本出願の本実施形態では、薄膜トランジスタ層は、バッファ層４０３、活性層、ゲート絶縁体層４０５、ゲートＧ、第１の金属グリッド線Ｍ１、金属間絶縁層４０６、金属キャパシタ４０７、層間絶縁層４０８、ソースＳ、ドレインＤ、第２の金属グリッド線Ｍ２、および第１の平坦化層４０９を含む。図４を参照されたい。以下、本出願の本実施形態における薄膜トランジスタ層の各層構造について詳細に説明する。

バッファ（ｂｕｆｆｅｒ）層４０３は、不純物イオンが基板上に配置された薄膜トランジスタ層の特徴に影響を及ぼすのを防止し、さらに水－酸素バリアを実行するように構成されてもよい。

活性層は、Ｐ－ＳｉおよびＬＴＰＳを主成分とする。活性層はＴＦＴ半導体層であり、半導体スイッチおよび導電線は異なるドーピングに基づいて形成されてもよい。図４に示すように、図４の活性層の中央部のＰ－Ｓｉは半導体スイッチを表すために使用されており、Ｐ－Ｓｉの両側の２箇所がソースＳおよびドレインＤをＰ－Ｓｉに接続するための導電線となる導体である。

ゲート絶縁体（ｇａｔｅｉｎｓｕｌａｔｏｒ）層４０５は、活性層をゲートＧから絶縁分離してもよい。

ゲート（ｇａｔｅ）Ｇは、ゲート絶縁体層４０５上に形成され、ＴＦＴコンポーネントスイッチとして用いられる。例えば、Ｐ型ＴＦＴの場合、ゲートに負電圧が印加されると、ソースおよびドレインに比較的大きな電流が存在し、ＴＦＴはオン状態を呈し、または、ゲートに正の電圧が印加されると、ソースおよびドレイン上に弱いリーク電流しか存在せず、ＴＦＴはオフ状態を呈し、Ｎ型ＴＦＴの場合、ゲートに負電圧が印加されると、ソースおよびドレインには弱いリーク電流しか存在せず、ＴＦＴはオフ状態を呈し、または、ゲートに正電圧が印加されると、ソースおよびドレインに比較的大きな電流が存在し、ＴＦＴはオン状態を呈する。

第１の金属グリッド線Ｍ１は、ゲート絶縁体層４０５上に形成され、通常、走査線となるゲートＧと共に形成されてもよい。画面ディスプレイはプログレッシブスキャニングディスプレイであるため、ＴＦＴゲートスイッチを行ごとにオンにするために、走査線がすべての行のＴＦＴスイッチゲートを接続し、データ線信号および電力線信号が各行の情報をリフレッシュすることを可能にする。

金属間絶縁（ｉｎｎｅｒｍｅｔａｌｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ、ＩＭＤ）層４０６は、第１の金属グリッド線Ｍ１と金属キャパシタ（ｍｅｔａｌｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＭＣ）４０７との間の絶縁体層、および金属キャパシタ４０７の絶縁層として使用されてもよい。

金属キャパシタ４０７は、静電容量式の電源オン板および他の駆動線として用いられ、第１の金属グリッド線Ｍ１は、静電容量式の電源ダウン板として用いられてもよい。

層間絶縁（ｉｎｎｅｒｌａｙｅｒｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ、ＩＬＤ）層４０８は、ゲートＧとソースおよびドレインとの間の絶縁体層として用いられる。

ソース（ｓｏｕｒｃｅ）Ｓは、層間絶縁層４０８上に形成され、活性層に接続されている。ソースＳが活性層に接続された後、回路接続を実装するためにオーミックコンタクトが形成される。

ドレイン（ｄｒａｉｎ）Ｄは、層間絶縁層４０８上に形成され、活性層に接続されている。ドレインＤが活性層に接続された後、回路接続を実装するためにオーミックコンタクトが形成される。

第２の金属グリッド線Ｍ２は、層間絶縁層４０８においてビア４０８１を介して金属キャパシタ４０７に接続されている。層間絶縁層４０８は、Ｍ２と金属キャパシタ４０７などの構造体との間の絶縁体層として用いられてもよい。また、第２の金属グリッド線Ｍ２は、ソースＳおよびドレインＤと共に形成されてもよく、データ信号や電力信号等を伝送するために、ソースＳおよびドレインＤの駆動線として用いられる。具体的には、データ信号および電力信号は、集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｃｈｉｐ、ＩＣ）を介して提供され、通常、第２の金属グリッド線Ｍ２を介して伝送される。伝送方向は、通常、列伝送の走査線方向に対して垂直である。各列の画素は、伝送のために列内のＴＦＴソースＳまたはドレインＤに接続される独立したデータ線を有する。電力信号も、伝送のために各列のＴＦＴソースＳまたはドレインＤにアクセスされる。しかしながら、データ線とは異なり、電力信号は比較的単純な直流信号または固定値パルス信号である。そのため、通常、すべての電力線を短絡して統一的に伝送する。

第１の平坦化（ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ、ＰＬＮ）層４０９は、基板電極の変動に対する平坦化、絶縁、位相保護の機能を有する。

画素定義層４１２が特に設けられる場合、画素定義層４１２は、薄膜トランジスタ層上にスリットコートを介してフォトレジスト系の有機物を塗布することによって形成された層構造であってもよい。加えて、画素領域４１２１および側部カプセル化領域４１２２は、画素定義層４１２に対する、露光または現像などの加工によって得ることができる。画素領域４１２１および側部カプセル化領域４１２２はそれぞれ、画素定義層４１２を貫通するホール構造であってもよく、側部カプセル化領域４１２２は、カプセル化構造体によってカプセル化された画素ユニットの周りに配置される。

画素ユニットは、ディスプレイパネルの表示機能を実装するための最小単位であり、ＯＬＥＤ発光コンポーネントを含む。ＯＬＥＤ発光コンポーネントは、画素領域内に配置されてもよい。図５は、本出願の一実施形態によるＯＬＥＤ発光コンポーネントの層構造の概略図である。ＯＬＥＤ発光コンポーネントは、順に積層されたアノード（ａｎｏｄｅ）４１１、正孔注入層（ｈｏｌｅｉｎｊｅｃｔｉｏｎｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）４１４、正孔輸送層（ｈｏｌｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）４１５、発光層（ｅｍｉｓｓｉｏｎｌａｙｅｒ、ＥＬ）４１６、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｎｓｐｏｒｔｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）４１７、カソード（ｃａｔｈｏｄｅ）４１８、およびキャップ層（ｃａｐｐｉｎｇｌａｙｅｒ、ＣＰＬ）４１９を含み得るが、これらに限定されない。図４および図５を併せて参照されたい。ＯＬＥＤ発光コンポーネントの各層構造を製造する処理では、各層構造を形成するために使用される材料は流体であるため、製造処理の管理および制御の困難さを軽減するために、一部の材料は画素領域４１２１の外側に広がるが、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの発光効果は影響を受けないことが理解されよう。本出願の本実施形態では、ＯＬＥＤ発光コンポーネントが画素領域内に部分的に配置される例が説明のために使用されることに留意されたい。あるいは、ＯＬＥＤ発光コンポーネントは、画素領域内に完全に配置されてもよい。これは、本出願の本実施形態では限定されない。

カプセル化構造体が特に配置される場合、カプセル化構造体は画素ユニットと１対１に対応し得る。例えば、各画素ユニットは、１つのカプセル化構造体によってカプセル化される。具体的には、カプセル化構造体は、第１のカプセル化層４１０および第２のカプセル化層４２０を含む。第１のカプセル化層４１０は、ＯＬＥＤ発光コンポーネントと薄膜トランジスタ層との間に配置され、画素定義層４１２の側部カプセル化領域４１２２から露出されてもよい。図４から、第２のカプセル化層４２０は画素ユニットを覆い、第２のカプセル化層４２０は、第１のカプセル化層４１０と封止接触するように側部カプセル化領域４１２２を貫通することが分かる。このようにして、各画素ユニットは、各画素ユニットが独立してカプセル化されるように、第１のカプセル化層４１０および第２のカプセル化層４２０によって包まれる。さらに、画素定義層４１２は、２つの隣接するカプセル化構造体の間に形成される。画素定義層４１２の材料は有機材料であり、フレキシブル材料であるため、隣接するカプセル化構造体はフレキシブルに接続され得る。したがって、本出願における技術的解決策は、ディスプレイパネル上に大きなカプセル化層が形成されるのを防止することができ、ディスプレイパネルを含むＯＬＥＤフレキシブルディスプレイが曲げられ、巻かれ、自由に変形されるなどのシナリオでカプセル化層に亀裂が入るときに生じる水－酸素浸入を効果的に回避することができる。本実施形態では、第１のカプセル化層４１０の材料は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、またはＡｌ_２Ｏ_３などの無機材料であってもよいが、これらに限定されず、第２のカプセル化層４２０の材料もまた、ＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、またはＡｌ_２Ｏ_３などの無機材料であってもよいが、これらに限定されない。これにより、比較的良好な水－酸素バリア効果が達成される。第１のカプセル化層４１０および第２のカプセル化層４２０は、単層の無機カプセル化層であってもよいし、無機層と有機層とが交互に積層された多層積層構造のカプセル化層であってもよく、例えば、無機層と有機層と無機層とが順に積層された三層構造であってもよいし、無機層と有機層と無機層とが順に積層された四層構造であってもよいし、積層された五層以上の五層構造であってもよいことが理解されよう。

各画素ユニットは、１つのカプセル化構造体によって独立してカプセル化されているので、ディスプレイパネル上に大きなカプセル化層が形成されることを防止することができる。カプセル化構造体は互いに独立している。ディスプレイパネルがＯＬＥＤフレキシブルディスプレイに適用される場合、ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイが任意の方向に１０万回を超えて曲げられても、ディスプレイパネルは依然として良好なカプセル化機能を有することができる。したがって、本出願の本実施形態におけるディスプレイパネルは、ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイが曲げられ、巻かれ、自由に変形されるなどの適用シナリオにおけるカプセル化層の亀裂リスクを低減することができ、それにより、水および酸素がカプセル化層を通って浸透し、ディスプレイパネルに入るときに生じるフレキシブルディスプレイの表示不良の問題を回避することができる。加えて、各画素ユニットが独立してカプセル化されるので、任意のカプセル化構造体に入る水および酸素が隣接するＯＬＥＤ発光コンポーネント間で拡散するのをさらに防ぐことができ、それによって隣接するＯＬＥＤ発光コンポーネントの発光性能が影響を受けるのを防ぐことができる。

加えて、複数の画素ユニット（複数の画素ユニットの数は、ディスプレイパネル上の画素ユニットの総数よりも少ない）は、代替的に、１つのカプセル化構造体によってカプセル化されてもよいことに留意されたい。カプセル化構造体は、任意の形状であってもよい。図６を参照されたい。例えば、固定された単一の折り畳み方向（図中の矢印を有する曲線は折り畳み方向を示す）を有するディスプレイパネルの場合、すべての画素ユニットは、画素ユニットカプセル化を実装するための列状または行状のカプセル化構造体を形成するように、折り畳み方向に沿って列または行にグループ化されてもよい。これにより、ディスプレイパネルの固定された単一の折り畳み方向におけるディスプレイパネルの折り畳み性能を効果的に向上させることができる。加えて、各画素ユニットを独立してカプセル化する実施形態と比較して、画素ユニットカプセル化を実装するために列状または行状のカプセル化構造体を形成する本実施形態は、製造困難性および製造コストを効果的に低減することができる。引き続き図６を参照されたい。本出願のいくつかの他の実施形態では、いくつかの隣接する画素ユニットは、１つのカプセル化構造体（図中の一点鎖線矩形ボックスを参照）によってカプセル化されてもよい。一般に、ディスプレイパネル上には比較的大量の画素ユニットがあり、いくつかの隣接する画素ユニットをカプセル化するためのカプセル化構造体の面積は、ディスプレイパネル全体の面積よりも小さい。したがって、本実施形態におけるカプセル化方法はまた、ディスプレイパネルの曲げ要件に適合し、良好なカプセル化特徴を実装することができる。各画素ユニットが独立してカプセル化されるか、またはディスプレイパネル上の画素ユニットの総数よりも少ない数の複数の画素ユニットが１つのカプセル化構造体によってカプセル化されることが、ディスプレイパネル上の画素ユニットについて説明される。したがって、本出願では、前述の２つのカプセル化構造体は両方とも画素レベルのカプセル化構造体と呼ばれる。

ディスプレイパネル上の画素レベルのカプセル化構造体によってカプセル化されたＯＬＥＤ発光コンポーネント間の電気的接続を実装して、ディスプレイパネル全体のディスプレイを制御するために、ディスプレイパネル上に金属線をさらに配置することができる。金属線が特に配置される場合、金属線は、図４の第３の金属グリッド線Ｍ３であってもよい。図６を参照すると、各画素ユニットのＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソード４１８は、第３の金属グリッド線Ｍ３に接続されている。このようにして、図５に示すように、正孔は、アノード４１１を使用して、各ＯＬＥＤ発光コンポーネントの正孔注入層４１４および正孔輸送層４１５を順に貫通し、その後、発光層４１６に到達することができる。電子は、カソード４１８から電子輸送層４１７を通って発光層４１６に到達することができる。発光層４１６上では、正孔と電子とが互いに結合されて励起状態の励起子を形成している。励起子は、発光層４１６上の有機発光分子にエネルギーを伝達し、有機発光分子の電子を励起して基底状態から励起状態に遷移させる。励起状態の電子線を失活させ、光子を発生させて発光させる。すべてのＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソード４１８が第３の金属グリッド線Ｍ３を介して接続されているので、第３の金属グリッド線Ｍ３は、カソード駆動信号をすべてのＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソード４１８に同時に送信して、同期カソード信号制御を実施することができる。第３の金属グリッド線Ｍ３の材料は、チタンアルミニウム合金、モリブデン等であってもよい。また、第３の金属グリッド線Ｍ３が特に配置される場合、引き続き図４を参照されたい。第３の金属グリッド線Ｍ３は、画素定義層４１２の、薄膜トランジスタ層から離れた側に配置されている。あるいは、図７および図８を参照されたい。図７は、図６におけるＡ－Ａ断面図であり、第３の金属グリッド線Ｍ３がカソード４１８に接続されていない位置におけるディスプレイパネルの断面図である。図８は、図６におけるＢ－Ｂ断面図であり、第３の金属グリッド線Ｍ３がカソード４１８に接続された位置におけるディスプレイパネルの断面図である。図７および図８に示す実施形態では、第３の金属グリッド線Ｍ３は、第１のカプセル化層４１０上に配置されてもよい。あるいは、他の実施形態において、第３の金属グリッド線Ｍ３は、薄膜トランジスタ層（例えば、平坦化層４０９、層間絶縁層４０８、または金属間絶縁層４０６）の層構造上に配置されてもよい。

引き続き図８を参照されたい。本出願の本実施形態におけるディスプレイパネルは、画素定義層４１２上に配置されたフォトスペーサ４１３をさらに含んでもよく、フォトスペーサ４１３はフォトスペーサであってもよい。フォトスペーサ４１３を画素定義層４１２上に配置することにより、蒸着によってＯＬＥＤ発光コンポーネントを形成する処理において、蒸着によってＯＬＥＤ発光コンポーネントの各機能層を形成するための蒸着マスクがディスプレイパネルに接触することを効果的に防止することができ、ディスプレイパネルの製品歩留まりを向上させることができる。

上記の構造に加えて、ディスプレイパネルは、第２の平坦化層４２１をさらに含んでもよい。第２の平坦化層４２１は、第２のカプセル化層４２０の、薄膜トランジスタ層から遠い側に配置されている。第２の平坦化層４２１を堆積させることで、その後の処理で平坦な加工面を設けることができる。また、第２の平坦化層４２１は、異物を覆い、第２の平坦化層４２１上に配置された他の膜層に異物が侵入することを防止してもよい。さらに、引き続き図８を参照されたい。第２の平坦化層４２１上には、全表面の第３のカプセル化層４２２がさらに設けられてもよい。本出願では、ディスプレイパネル上に配置された全表面カプセル化構造体は、パネルレベルのカプセル化構造体と呼ばれる。したがって、ディスプレイパネルは、ディスプレイパネルの水－酸素バリア効果を向上させるのを助けるために、画素レベルのカプセル化構造体とパネルレベルのカプセル化構造体との両方を有する。また、第３のカプセル化層４２２は、単層の無機カプセル化層であってもよいし、無機層と有機層とが交互に積層された多層積層構造のカプセル化層であってもよく、例えば、無機層、有機層、無機層が順に積層された三層構造であってもよいし、無機層、有機層、無機層、有機層が順に積層された四層構造であってもよいし、積層によって形成された五層以上の構造であってもよい。

本出願の本実施形態におけるディスプレイパネルは、画素レベルのカプセル化構造体およびパネルレベルのカプセル化構造体の両方を備え、画素ユニットの二重保護を提供する。この場合、パネルレベルのカプセル化構造体を通って水および酸素がディスプレイパネルに入ったとしても、画素レベルのカプセル化構造体のバリアのために、水および酸素はＯＬＥＤ発光コンポーネントに入ることができない。したがって、この解決策は、ディスプレイパネルの水－酸素バリア効果の向上を助けることができる。

本出願の一実施形態は、フレキシブルディスプレイをさらに提供する。フレキシブルディスプレイは、保護カバー、偏光子、タッチパネル、ディスプレイパネル、放熱層、および保護層を含み得るが、これらに限定されない。フレキシブルディスプレイが特に配置される場合、偏光子は保護カバーに固定され、タッチパネルは偏光子とディスプレイパネルとの間に配置される。または、タッチパネルが保護カバーに固定された後、タッチパネルとディスプレイパネルとの間に偏光子が配置されてもよい。ディスプレイパネルは、上記の実施形態のいずれか１つのディスプレイパネルであってもよい。

保護カバーは、保護機能を実装し、ディスプレイの表示効果への影響を低減するために、透明なガラスカバーまたはポリイミドなどの有機材料で作られたカバーであってもよい。偏光子は、アノード光の反射を回避するために、円偏光子であってもよい。タッチパネルは、独立して配置されていてもよいし、ディスプレイパネルと一体構造になっていてもよい。放熱層は、放熱用の銅箔であってもよい。保護層は、保護発泡体であってもよい。フレキシブルディスプレイの層構造は、光学的に透明な接着剤または不透明な感圧接着剤を用いて互いに接着されてもよい。

ディスプレイパネルが特に配置される場合、ディスプレイパネルは、基板と、薄膜トランジスタ層と、画素定義層と、少なくとも２つのカプセル化構造体と、少なくとも２つの画素ユニットとを含む。少なくとも２つのカプセル化構造体は、少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化するように構成される。薄膜トランジスタ層は、基板上に配置されている。画素定義層は、薄膜トランジスタ層上に配置されている。本出願の本実施形態では、基板は、薄膜トランジスタ層などの上層ごとにフレキシブルベアラを提供することができる。基板は、下から上に順に積層された第１の基板材料層、バリア層、および第２の基板材料層を含み得るが、これらに限定されない。本出願のいくつかの実施形態では、基板の構造を単純化するために、基板内のバリア層または第２の基板材料層が省略されてもよい。

薄膜トランジスタ層が特に配置される場合、薄膜トランジスタ層は、バッファ層、活性層、ゲート絶縁体層、ゲート、第１の金属グリッド線、金属間絶縁層、金属キャパシタ、層間絶縁層、ソース、ドレイン、第２の金属グリッド線、および第１の平坦化層のうちの１つまたは複数を含み得る。これは、本出願の本実施形態では限定されない。

画素定義層が特に配置される場合、画素定義層上には、画素領域および側部カプセル化領域が配置される。画素領域および側部カプセル化領域は、画素定義層を貫通するホール構造であってもよく、側部カプセル化領域は、カプセル化構造体によってカプセル化された画素ユニットの周りに配置される。画素ユニットは、ディスプレイパネルの表示機能を実装するための最小単位であり、ＯＬＥＤ発光コンポーネントを含む。ＯＬＥＤ発光コンポーネントは、部分的にまたは完全に画素領域内に配置される。

カプセル化構造体が特に配置される場合、カプセル化構造体は画素ユニットと１対１に対応し得る。例えば、各画素ユニットは、１つのカプセル化構造体によってカプセル化される。具体的には、カプセル化構造体は、第１のカプセル化層および第２のカプセル化層を含む。第１のカプセル化層は、ＯＬＥＤ発光コンポーネントと薄膜トランジスタ層との間に配置され、画素定義層の側部カプセル化領域から露出されてもよい。第２のカプセル化層は画素ユニットを覆い、第２のカプセル化層は、第１のカプセル化層と封止接触するように側部カプセル化領域を貫通する。このようにして、各画素ユニットは、各画素ユニットが独立してカプセル化されるように、第１のカプセル化層および第２のカプセル化層によって包まれる。

可能な実施形態では、複数の画素ユニット（複数の画素ユニットの数は、ディスプレイパネル上の画素ユニットの総数よりも少ない）は、代替的に、１つのカプセル化構造体によってカプセル化されてもよい。カプセル化構造体は、任意の形状であってもよい。例えば、固定された単一の折り畳み方向を有するディスプレイパネルの場合、すべての画素ユニットは、画素ユニットカプセル化を実装するための列状または行状のカプセル化構造体を形成するように、折り畳み方向に沿って列または行にグループ化されてもよい。

本実施形態におけるフレキシブルディスプレイが任意の方向に１０万回を超えて曲げられたとしても、ディスプレイパネルは依然として良好なカプセル化特徴を有することができる。これにより、フレキシブルディスプレイが曲げられたり、巻かれたり、自由に変形したりする適用シナリオにおいて、カプセル化層に亀裂が入ることによって生じる水－酸素浸入を回避することができ、それによって、水および酸素がカプセル化層を通って浸透してディスプレイパネルに入ることによって生じるフレキシブルディスプレイの表示不良の問題を回避することができる。加えて、各画素ユニットは独立してカプセル化されるか、またはグループ化によってカプセル化されるので、任意のカプセル化構造体に入る水および酸素が隣接するカプセル化構造体間で拡散するのをさらに防ぐことができ、それによってフレキシブルディスプレイ全体の発光不良を回避することができる。

本出願の一実施形態は、電子デバイスをさらに提供する。電子デバイスは、中間フレームと、後部ハウジングと、プリント回路基板と、上記の実施形態のいずれか１つによるフレキシブルディスプレイとを含む。中間フレームは、プリント回路基板およびＯＬＥＤフレキシブルディスプレイを支持するように構成されてもよい。ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイおよびプリント回路基板は、中間フレームの両側に配置されている。後部ハウジングは、プリント回路基板の、中間フレームから離れた側に配置される。

本出願の本実施形態における電子デバイスは、折り畳み可能なデバイスであってもよい。電子デバイスのＯＬＥＤフレキシブルディスプレイを折り畳む処理において、フレキシブルディスプレイのディスプレイパネルのカプセル化層の亀裂リスクは比較的低く、それにより、水および酸素がカプセル化層を通って浸透してディスプレイパネルに入るときに生じるＯＬＥＤフレキシブルディスプレイの表示不良の問題が回避される。

本出願におけるディスプレイパネルの構造をさらに理解するために、本出願の一実施形態は、ディスプレイパネルを製造する処理をさらに提供する。製造処理は、以下の詳細なステップを含む。

ステップ００１：基板を製造する。本出願の本実施形態では、トップゲート低温ポリシリコン（ｌｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｐｏｌｙ－ｓｉｌｉｃｏｎ、ＬＴＰＳ）薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）基板が例として使用され得る。基板の層構造設定方法については、図９を参照されたい。基板は、ベアラ層４０１上に形成されてもよく、ベアラ層は、ベアラガラス層であってもよく、ディスプレイパネルの製造処理における支持を実施する。加えて、ビア４０９１は、その後の電極接続を容易にするために、第１の平坦化層４０９上に確保される必要がある。ＬＴＰＳ－ＴＦＴ基板を製造する処理は比較的成熟しているため、ＬＴＰＳ－ＴＦＴ基板を製造する処理については本出願では詳細に説明しない。

ステップ００２：第１のカプセル化層４１０を製造する。このステップでは、ＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、またはＡｌ_２Ｏ_３堆積層は化学気相成長（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）、原子層堆積（ａｔｏｍｉｃｌａｙｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などによって形成されて、第１のカプセル化層４１０として機能することができる。そして、フォトレジストの塗布、露光、現像、エッチング、フォトレジストの剥離等により、第１のカプセル化層４１０をパターニングする。したがって、画素ユニットを形成するための各領域に対応して、第１のカプセル化層４１０が切断され、各画素ユニットに対応する独立した第１のカプセル化層４１０が形成される。ステップ００２で形成された第１のカプセル化層４１０のパターンについては、図１０を参照されたい。破線は、画素ユニット４３を形成する領域を表し、実線は、独立して形成された第１のカプセル化層４１０を表す。また、図１１は、第１のカプセル化層４１０を製造した後のディスプレイパネルの断面図である。図から分かるように、各画素ユニットに対応する独立した第１のカプセル化層４１０は、その後の電極接続を容易にするために、第１の平坦化層４０９上に確保されたビア４０９１を避けて形成される。

ステップ００３：アノード４１１を製造する。一般に、酸化インジウムスズ（ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、Ａｇ、およびＩＴＯが物理蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ）によって順に堆積されて、ＯＬＥＤ発光コンポーネントのアノード４１１を製造する。次いで、フォトレジストコーティング、露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離などによってアノード４１１をパターニングして、図１２に示すアノード４１１を形成することができる。アノード４１１は、ビア４０９１を介してドレインＤと接触して接続され、封止を実装することができる。

ステップ００４：画素定義層（ｐｉｘｅｌｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎｌａｙｅｒ、ＰＤＬ）４１２を製造する。まず、ステップ００３の後に形成される構造体、例えば、第１の平坦化層４０９、第１のカプセル化層４１０またはアノード４１１に、スリットコート（ＳｌｉｔＣｏａｔｉｎｇ）によりフォトレジスト系の有機物を塗布してもよい。その後、露光や現像等を行うことで、パターニングされた画素定義層４１２を得ることができる。図１３に示すように、パターン化画素定義層４１２上には、画素領域４１２１と、画素領域４１２１の周囲に形成された側部カプセル化領域４１２２とが形成されている。画素ユニットのＯＬＥＤ発光コンポーネントは、画素領域４１２１内に形成されてもよく、側部カプセル化領域４１２２は、その後の画素ユニットカプセル化を実装するために、第１のカプセル化層４１０を露出させるために使用される。

ステップ００５：その後すべての画素ユニットのＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソードを電気的に接続するように、カソードに接続された第３の金属グリッド線Ｍ３を製造する。さらに、いくつかの第３の金属グリッド線Ｍ３はまた、データ信号を送信するためのデータ線として使用されてもよい。

一般に、第３の金属グリッド線Ｍ３が製造されるとき、画素定義層４１２上に金属層を形成するために、まず、Ｔｉ、Ａｌ、およびＴｉなどの材料が順に堆積されてもよく、またはＭｏなどの材料がＰＶＤによって堆積されてもよい。次いで、金属層をパターニングして、フォトレジストコーティング、露光、現像、エッチング、およびフォトレジスト剥離のうちの１つまたは複数によって第３の金属グリッド線Ｍ３を形成することができる。図１４は、第３の金属グリッド線Ｍ３の配線の解決策を示す（図は、第３の金属グリッド線Ｍ３およびその後形成されるカソード４１８のパターンを含む）。

また、図１５は、図１４のＣ－Ｃ断面図である。図１５は、ステップ００５の後、第３の金属グリッド線Ｍ３がカソード４１８に接続されていない位置におけるディスプレイパネルの断面図である。図１６は、図１４のＤ－Ｄ断面図である。図１６は、ステップ００５の後、第３の金属グリッド線Ｍ３がカソード４１８に接続される位置におけるディスプレイパネルの断面図である。

本出願の可能な実施形態では、ステップ００５の後、製造処理は、任意選択的に、ステップ００６：フォトスペーサ（ｐｈｏｔｏｓｐａｃｅｒ、ＰＳ）４１３を製造することを含んでもよい。フォトスペーサ４１３を特に形成する際には、まずスリットコートによりフォトレジストを塗布した後、露光、現像等によりフォトスペーサ４１３を得ることが一般的である。製造されたフォトスペーサ４１３と製造された画素定義層４１２との積層関係については、図１７を参照されたい。図１７に示すように、フォトスペーサ４１３の断面形状は、台形であってもよいし、矩形等の他の形状であってもよいことは勿論である。また、フォトスペーサ４１３を配置する位置も、特定の状況に応じて選択されてもよい。画素定義層４１２上にフォトスペーサ４１３を製造することにより、その後の蒸着によるＯＬＥＤ発光コンポーネントの形成処理において、マスクがディスプレイパネルの表面に接触することを効果的に防止することができる。

ステップ００７：パターン化ＯＬＥＤ発光コンポーネントを製造する。ＯＬＥＤ発光コンポーネントは、順に積層された正孔注入層（ｈｏｌｅｉｎｊｅｃｔｉｏｎｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）４１４、正孔輸送層（ｈｏｌｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）４１５、発光層（ｅｍｉｓｓｉｏｎｌａｙｅｒ、ＥＬ）４１６、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｎｓｐｏｒｔｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）４１７、カソード（ｃａｔｈｏｄｅ）４１８、およびキャップ層（ｃａｐｐｉｎｇｌａｙｅｒ、ＣＰＬ）４１９を含むが、これらに限定されない。

図１７および図１８を参照されたい。画素定義層４１２によって定義された画素領域４１２１内にＯＬＥＤ発光コンポーネントが形成される場合、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの各層構造は、別のフィルム層の縁部の厚さ不整合およびアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）を使用して、微細金属マスク（ＦＦＭ）蒸着、印刷、フィルムリフトオフ（ｆｉｌｍｌｉｆｔｏｆｆ）、およびレーザエッチングによってパターニングされる。図１８では、正孔注入層４１４、正孔輸送層４１５、発光層４１６、電子輸送層４１７、カソード４１８、およびキャップ層４１９は、ＦＦＭによって実装されるＯＬＥＤ発光コンポーネントのすべての蒸着層のパターニング設計を提示するための例として使用される。

本出願の本実施形態では、ＯＬＥＤ発光コンポーネントが画素領域内に部分的に配置される例が説明のために使用されることに留意されたい。あるいは、ＯＬＥＤ発光コンポーネントは、画素領域内に完全に配置されてもよい。これは、本出願の本実施形態では限定されない。

ステップ００８：第２のカプセル化層４２０を製造する。図１９を参照されたい。第２のカプセル化層４２０を特に製造する場合には、まず、ＣＶＤやＡＬＤ法を用いて、第２のカプセル化層４２０としてＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、Ａｌ_２Ｏ_３が堆積されればよい。次いで、第２のカプセル化層４２０は、フォトレジストコーティング、露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離などによってパターニングされ、各画素ユニットの上方に位置し、各画素ユニットに対応する独立した第２のカプセル化層４２０を形成することができる。隣接する画素ユニット間の第１のカプセル化層４１０も独立して配置されるので、画素ユニットの第２のカプセル化層４２０および第１のカプセル化層４１０は、画素定義層４１２の側部カプセル化領域４１２２を使用することによって封止接触してもよい。図１９は、第３の金属グリッド線Ｍ３がカソード４１８に接続されていない位置で画素カプセル化を行う様子を示している。図２０は、第３の金属グリッド線Ｍ３がカソード４１８に接続される位置で画素カプセル化を行う様子を示している。

ディスプレイパネルを製造する前述の処理ステップでは、対応する第２のカプセル化層４２０および対応する第１のカプセル化層４１０が画素ユニットごとに形成され、それにより、各画素ユニットが独立してカプセル化されることができ、言い換えれば、ディスプレイパネルの画素レベルのカプセル化構造体が形成される。このようにして、画素ユニット間のカプセル化接続を切断することによって、大きなカプセル化層が形成されることを防止することができ、それによって、ディスプレイパネルを含むＯＬＥＤフレキシブルディスプレイが曲げられ、巻かれ、自由に変形されるなどのシナリオにおいてカプセル化層に亀裂が入るときに生じる水－酸素浸入を効果的に回避することができる。さらに、ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイは、真の多方向折り畳み、カール、自由変形、および小半径屈曲をさらに実装し、それによって真の自由なフレキシブルカプセル化を実装することができる。

さらに、画素定義層４１２には溝および突起が設けられており、溝および突起は第２のカプセル化層４２０に転写されてもよい。しかしながら、その後の加工を容易にするために、図２１を参照されたい。ステップ００８の後に形成されたディスプレイパネル上に、第２の平坦化層４２１をさらに形成することができる。また、第２の平坦化層４２１は、異物を覆い、第２の平坦化層４２１上に配置された他の膜層に異物が侵入することを防止してもよい。

さらに、図２２を参照されたい。第２の平坦化層４２１上には、全表面の第３のカプセル化層４２２がさらに形成されてもよく、ディスプレイパネル上に全表面水－酸素バリアカプセル化を形成するために、第３のカプセル化層４２２は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、またはＡｌ_２Ｏ_３を堆積させてもよい。したがって、画素レベルのカプセル化構造体とパネルレベルのカプセル化構造体との両方を組み合わせたカプセル化モードがディスプレイパネル上に形成され、ディスプレイパネルの水－酸素バリアカプセル化効果をさらに向上させる。

本出願におけるディスプレイパネルの製造処理の終わりに、レーザを使用してベアラ層４０１と第１の基板材料層ＰＩ１との間の接触面を照射することができ、その結果、ベアラ層４０１は第１の基板材料層ＰＩ１に対する接着性を失い、したがって、ベアラ層４０１が除去される。これにより、フレキシブルディスプレイパネルが得られる。

ディスプレイパネルが処理された後、ディスプレイパネルは、ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイの特定のサイズ要件に基づいて切断されてもよい。次いで、タッチパネルおよび偏光子が取り付けられ、電気的接続を実装するために必要な結合処理が実行される。フレキシブルカバー、放熱用銅箔、保護フィルム等が取り付けられている。最後に、ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイがカスタマイズされた機能を有して組み立てられ、ＯＬＥＤフレキシブルディスプレイの製造を完了するために必要な性能チェックが行われる。

図２３を参照されたい。本出願のいくつかの実施形態では、ディスプレイパネルがさらに提供される。ディスプレイパネルは、基板、薄膜トランジスタ層、画素定義層４１２、画素ユニット、およびカプセル化構造体を含む。カプセル化構造体は、画素ユニットをカプセル化するように構成される。画素定義層４１２は、カプセル化構造体によってカプセル化された画素ユニットの周りに配置された画素領域および側部カプセル化領域を有する。画素定義層４１２は、薄膜トランジスタ層上にスリットコートを介してフォトレジスト系の有機物を塗布してもよく、露光や現像等によって画素領域や側部カプセル化領域を得てもよい。

薄膜トランジスタ層は、積層されたバッファ層４０３、活性層、ゲート絶縁体層４０５、金属間絶縁層４０６、層間絶縁層４０８、および第１の平坦化層４０９を含み得るが、これらに限定されない。バッファ層４０３、ゲート絶縁体層４０５、金属間絶縁層４０６、層間絶縁層４０８は、一般的にＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機材料からなる無機層構造であり、比較的良好な水－酸素バリア効果を得ることができる。したがって、本実施形態では、薄膜トランジスタ層の前述の無機層構造を第１のカプセル化層として使用することができる。また、本実施形態では、薄膜トランジスタ層上の側部カプセル化領域に対応する位置にビアがさらに設けられており、当該ビアは、薄膜トランジスタ層の無機層構造（例えば、層間絶縁層４０８、金属間絶縁層４０６、ゲート絶縁体層４０５、バッファ層４０３）を露出させるように構成されている。例えば、図２３では、薄膜トランジスタ層上のビアによって層間絶縁層４０８が露出している。

本出願の本実施形態では、画素ユニットは、ＯＬＥＤ発光コンポーネントを含み得るが、これに限定されない。ＯＬＥＤ発光コンポーネントは、部分的にまたは完全に画素領域内に配置される。カプセル化構造体が特に配置される場合、第２のカプセル化層４２０として使用されるカプセル化構造体は、各画素ユニットを１対１対応で覆う。言い換えれば、各画素ユニットは、１つのカプセル化構造体によってカプセル化される。第２のカプセル化層４２０は、側部カプセル化領域および薄膜トランジスタ層上のビアを貫通して薄膜トランジスタ層の無機層構造（例えば、層間絶縁層４０８）と封止接触し、それによって、各画素ユニットは、薄膜トランジスタ層および第２のカプセル化層４２０の無機層構造（例えば、層間絶縁層４０８）によって包まれ、各画素ユニットを独立してカプセル化し、言い換えれば、画素レベルのカプセル化構造体を形成する。これにより、大きなカプセル化層が形成されることを防止することができ、それによって、ディスプレイパネルを含むＯＬＥＤフレキシブルディスプレイが曲げられたり、巻かれたり、自由に変形したりするシナリオにおいてカプセル化層に亀裂が入るときに生じる水－酸素浸入を効果的に回避することができる。

図２３は一例であることに留意されたい。本実施形態では、画素ユニットは、ＯＬＥＤ発光コンポーネント、平坦化層４０９、ソースＳ、およびドレインＤを含む。任意選択的に、画素ユニットは、層間絶縁層４０８をさらに含んでもよい。任意選択的に、画素ユニットは、金属間絶縁層４０６およびゲートＧをさらに含んでもよい。

加えて、本実施形態では、複数の画素ユニット（複数の画素ユニットの数は、ディスプレイパネル上の画素ユニットの総数よりも少ない）は、代替的に、全体として１つのカプセル化構造体によってカプセル化されてもよい。カプセル化構造体は、任意の形状であってもよい。図６を参照されたい。例えば、固定された単一の折り畳み方向（図中の矢印を有する曲線は折り畳み方向を示す）を有するディスプレイパネルの場合、すべての画素ユニットを列または行にグループ化して、列状または行状のカプセル化構造体を形成し、画素ユニットカプセル化を実装することができる。これにより、ディスプレイパネルの曲げ特性が向上し、製造困難性および製造コストが低減される。引き続き図６を参照されたい。本出願のいくつかの他の実施形態では、いくつかの隣接する画素ユニットは、１つのカプセル化構造体（図中の一点鎖線矩形ボックスを参照）によってカプセル化されてもよい。各画素ユニットが独立してカプセル化されるか、またはディスプレイパネル上の画素ユニットの総数よりも少ない数の複数の画素ユニットが１つのカプセル化構造体によってカプセル化されることが、ディスプレイパネル上の画素ユニットについて説明される。したがって、本出願では、前述の２つのカプセル化構造体は両方とも画素レベルのカプセル化構造体と呼ばれる。

本実施形態では、ディスプレイパネル上の画素ユニットは独立してカプセル化され、その結果、各画素ユニットまたはｎ（ｎ＜ディスプレイパネル上の画素ユニットの総数）個の画素ユニットは、１つのカプセル化構造体（画素レベルのカプセル化構造体）によってカプセル化される。これにより、ディスプレイパネルの曲げ特性を効果的に向上させることができ、ディスプレイパネルを曲げる処理においてカプセル化構造体が損傷する可能性を低減し、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの不良などの問題を緩和し、ディスプレイパネルを含むＯＬＥＤフレキシブルディスプレイの寿命を延ばすことができる。加えて、本出願の本実施形態では、ＯＬＥＤ発光コンポーネントをカプセル化することに加えて、カプセル化構造体は、平坦化層４０９、ソースＳ、ドレインＤ、層間絶縁層４０８、金属間絶縁層４０６、およびゲートＧなどの構造体のうちの１つまたは複数をさらにカプセル化することができる。これにより、カプセル化構造体が保護される。加えて、カプセル化構造体の一部として既存の構造体が使用されるので、処理ステップが省略され、コストおよび製造時間が短縮される。

さらに、ディスプレイパネル上に第３の金属グリッド線Ｍ３がさらに配置されてもよく、各画素ユニットのＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソード４１８は第３の金属グリッド線Ｍ３に接続される。第３の金属グリッド線Ｍ３の材料は、チタンアルミニウム合金、モリブデン等であってもよい。第３の金属グリッド線Ｍ３が特に配置される場合には、図２３を参照されたい。第３の金属グリッド線Ｍ３は、画素定義層４１２の、薄膜トランジスタ層から離れた側に配置されてもよい。または、第３の金属グリッド線Ｍ３は、薄膜トランジスタ層（例えば、平坦化層４０９、層間絶縁層４０８、または金属間絶縁層４０６）の層構造上に配置されてもよい。

引き続き図２３を参照されたい。本出願の本実施形態におけるディスプレイパネルは、画素定義層４１２上に配置されたフォトスペーサ４１３をさらに含んでもよく、フォトスペーサ４１３はフォトスペーサであってもよい。フォトスペーサ４１３を画素定義層４１２上に配置することにより、蒸着によってＯＬＥＤ発光コンポーネントを形成する処理において、蒸着によってＯＬＥＤ発光コンポーネントの各機能層を形成するための蒸着マスクがディスプレイパネルに接触することを効果的に防止することができ、ディスプレイパネルの製品歩留まりを向上させることができる。

上記の構造に加えて、ディスプレイパネルは、第２の平坦化層４２１をさらに含んでもよい。第２の平坦化層４２１は、第２のカプセル化層４２０の、薄膜トランジスタ層から遠い側に配置されている。第２の平坦化層４２１を堆積させることで、その後の処理で平坦な加工面を設けることができる。また、第２の平坦化層４２１は、異物を覆い、第２の平坦化層４２１上に配置された他の膜層に異物が侵入することを防止してもよい。さらに、引き続き図２３を参照されたい。第２の平坦化層４２１上には、全表面の第３のカプセル化層４２２がさらに設けられてもよい。本実施形態では、ディスプレイパネル上に配置された全表面カプセル化構造体は、パネルレベルのカプセル化構造体と呼ばれる。したがって、ディスプレイパネルは、ディスプレイパネルの水－酸素バリア効果を向上させるのを助けるために、画素レベルのカプセル化構造体とパネルレベルのカプセル化構造体との両方を有する。

本実施形態におけるディスプレイパネルを製造する際の製造処理は、図９～図２２に示すディスプレイパネルを製造する処理と同様である。ここでは詳細は再び説明されない。本実施形態におけるディスプレイパネルを製造する処理と、前述のディスプレイパネルを製造する処理との違いは、本実施形態では、薄膜トランジスタ層の無機層構造（例えば、層間絶縁層４０８）を露出させるように構成されたビアは、薄膜トランジスタ層上の画素定義層の側部カプセル化領域に対応する位置に設けられる必要があり、その結果、第２のカプセル化層４２０が形成されるとき、第２のカプセル化層４２０と薄膜トランジスタ層の無機層構造（例えば、層間絶縁層４０８）とがビアを介して封止接触することができ、それによってディスプレイパネルの画素レベルのカプセル化が実現されることである。本実施形態におけるディスプレイパネルを製造する１つの処理は、例えば、以下のステップを含む。

ステップ００１：基板を製造する。例えば、基板は、順に積層された第１の基板材料層、バリア層、および第２の基板材料層を含む。

ステップ００２：基板上に薄膜トランジスタ層を形成し、薄膜トランジスタ層は、無機材料層、例えば、バッファ層、ゲート絶縁体層、金属間絶縁層、および層間絶縁層のうちの１つまたは複数を含む。

ステップ００３：薄膜トランジスタ層上に第１のビアおよび第２のビアを設ける。第１のビアは、薄膜トランジスタ層のドレインを露出させるように構成され、第２のビアは、薄膜トランジスタ層の前述の無機層構造のうちのいずれか１つまで延在する。

ステップ００４：アノードを製造する。アノードを製造する具体的な処理については、前述の実施形態におけるディスプレイパネルを製造する処理を参照されたい。ここでは詳細は再び説明されない。アノードは、封止を実装するために、第１のビアを介してドレインと接触し、ドレインに接続されてもよい。

ステップ００５：画素定義層を製造する。画素定義層を製造する具体的な処理については、前述の実施形態におけるディスプレイパネルを製造する処理を参照されたい。ここでは詳細は再び説明されない。形成された画素定義層は、画素領域および側部カプセル化領域を有する。画素ユニットのＯＬＥＤ発光コンポーネントは、画素領域内に形成されてもよい。側部カプセル化領域は、第２のビアに対向して配置され、薄膜トランジスタ層の無機層を露出させ、その後に画素ユニットカプセル化を実装する。

ステップ００６：その後すべての画素ユニットのＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソードを電気的に接続するように、カソードに接続された第３の金属グリッド線を製造する。第３の金属グリッド線を製造する具体的な処理については、前述の実施形態におけるディスプレイパネルを製造する処理を参照されたい。ここでは詳細は再び説明されない。

ステップ００７：フォトスペーサの製造フォトスペーサを製造する具体的な処理については、上記実施形態におけるディスプレイパネルを製造する処理を参照されたい。ここでは詳細は再び説明されない。画素定義層上にフォトスペーサを製造することにより、その後の蒸着によるＯＬＥＤ発光コンポーネントの形成処理において、マスクがディスプレイパネルの表面に接触することを効果的に防止することができる。

ステップ００８：パターン化ＯＬＥＤ発光コンポーネントを製造する。画素定義層の画素領域にＯＬＥＤ発光コンポーネントが形成される場合、ＯＬＥＤ発光コンポーネントは画素領域内に部分的に配置されてもよいし、ＯＬＥＤ発光コンポーネントは画素領域内に完全に配置されてもよい。これは、本出願の本実施形態では限定されない。また、ＯＬＥＤ発光コンポーネントの層構造および具体的な製造処理については、上記の実施形態におけるディスプレイパネルの製造処理を参照されたい。ここでは詳細は再び説明されない。

ステップ００９：カプセル化構造体を製造する。まず、ＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、またはＡｌ_２Ｏ_３がＣＶＤ、ＡＬＤなどによって堆積されて、全表面カプセル化構造体層を形成することができる。次いで、全表面カプセル化構造体層をフォトレジストコーティング、露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離などによってパターニングして、各画素ユニットの上方に位置し、各画素ユニットに対応する独立したカプセル化構造体を形成することができる。薄膜トランジスタ層のカプセル化構造体と無機材料層とは、画素定義層の側部カプセル化領域を介して封止接触してもよい。

さらに、画素定義層には溝および突起が設けられ、溝および突起はカプセル化構造体に転写されてもよい。しかしながら、その後の加工を容易にするために、ステップ００９の後に形成されたディスプレイパネル上に平坦化層をさらに形成することができる。また、平坦化層は、平坦化層上に配置された他の膜層に異物が侵入することを防止するために、異物を覆ってもよい。さらに、表面全体の第３のカプセル化層を平坦化層上に形成することができる。

さらに、本出願のいくつかの実施形態では、基板は、積層された第１の基板材料層ＰＩ１、バリア層４０２、および第２の基板材料層ＰＩ２を含み得る。バリア層４０２は、一般にＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機材料からなる無機層構造であり、比較的良好な水－酸素バリア効果を得ることができる。したがって、本出願のいくつかの実施形態では、基板の無機層構造（例えば、バリア層４０２）を第１のカプセル化層として使用することができる。この場合、基板上であって、薄膜トランジスタ層上の側部カプセル化領域に対応する位置には、ビアが設けられていてもよく、当該ビアは、基板の無機層構造（例えば、バリア層４０２）を露出させていてもよい。画素ユニットカプセル化は、前述の実施形態と同様である。ここでは詳細は再び説明されない。

本実施形態では、薄膜トランジスタ層は、積層されたバッファ層、活性層、ゲート絶縁体層、金属間絶縁層、層間絶縁層、および第１の平坦化層を含み得るが、これらに限定されない。バッファ層、ゲート絶縁体層、金属間絶縁層、層間絶縁層は、一般的にＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機材料からなる無機層構造であり、比較的良好な水－酸素バリア効果を得ることができる。したがって、本実施形態では、薄膜トランジスタ層の前述の無機層構造を第１のカプセル化層として使用することができる。

カプセル化構造体が特に配置される場合、第２のカプセル化層として使用されるカプセル化構造体は、各画素ユニットを１対１対応で覆う。言い換えれば、各画素ユニットは、１つのカプセル化構造体によってカプセル化される。第２のカプセル化層は、薄膜トランジスタ層上の側部カプセル化領域およびビアを貫通して薄膜トランジスタ層の無機層構造（例えば、層間絶縁層）と封止接触し、それによって、各画素ユニットは、薄膜トランジスタ層および第２のカプセル化層の無機層構造（例えば、層間絶縁層）によって包まれ、各画素ユニットを独立してカプセル化する、言い換えれば、画素レベルのカプセル化構造体を形成する。本実施形態では、画素ユニットは、ＯＬＥＤ発光コンポーネント、平坦化層、ソース、およびドレインを含むことに留意されたい。任意選択的に、画素ユニットは、層間絶縁層をさらに含んでもよい。任意選択的に、画素ユニットは、金属間絶縁層およびゲートをさらに含んでもよい。

本出願の一実施形態は、電子デバイスをさらに提供する。電子デバイスは、中間フレームと、後部ハウジングと、プリント回路基板と、上記の実施形態のいずれか１つによるフレキシブルディスプレイとを含む。中間フレームは、プリント回路基板およびフレキシブルディスプレイを支持するように構成されてもよい。フレキシブルディスプレイおよびプリント回路基板は、中間フレームの両側に配置される。後部ハウジングは、プリント回路基板の、中間フレームから離れた側に配置される。

本出願の本実施形態における電子デバイスは、折り畳み可能なデバイスであってもよい。電子デバイスのフレキシブルディスプレイを折り畳む処理において、フレキシブルディスプレイのディスプレイパネルのカプセル化層の亀裂リスクは比較的低く、それにより、水および酸素がカプセル化層を通って浸透してディスプレイパネルに入ることによって生じるフレキシブルディスプレイの表示不良の問題が回避される。

前述の説明は、本出願の特定の実装形態にすぎず、本出願の保護範囲を限定するものではない。本出願で開示された技術的範囲内で当業者によって容易に考え出されるいかなる変形形態または置換形態も、本出願の保護範囲内にあるものとする。したがって、本出願の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲に従うものとする。

１０１ディスプレイ
１０２中間フレーム
１０３後部ハウジング
１０４ＰＣＢ
１０４１コンポーネント
３０１上部カプセル化層
３０１１第１の無機層
３０１２第２の無機層
３０１３フレキシブルサンドイッチ層
３０２下部カプセル化層
２０１保護カバー
２０２偏光子
２０３タッチパネル
２０４ディスプレイパネル
２０５放熱層
２０６保護層
４０１ベアラ層
３０２１バリア層
４０２バリア層
４０３バッファ層
４０４活性層
４０５ゲート絶縁体層
４０６金属間絶縁層
４０７金属キャパシタ
４０８層間絶縁層
４０９第１の平坦化層
４０８１ビア
４０９１ビア
ＰＩ１第１の基板材料層
ＰＩ２第２の基板材料層
Ｇゲート
Ｍ１第１の金属グリッド線
Ｍ２第２の金属グリッド線
Ｍ３第３の金属グリッド線
Ｓソース
Ｄドレイン
４１０第１のカプセル化層
４１１アノード
４１２画素定義層
４１２１画素領域
４１２２側部カプセル化領域
４１３フォトスペーサ
４１４正孔注入層
４１５正孔輸送層
４１６発光層
４１７電子輸送層
４１８カソード
４１９キャップ層
４２０第２のカプセル化層
４２１第２の平坦化層
４２２第３のカプセル化層
４３画素ユニット。

Claims

基板と、薄膜トランジスタ層と、画素定義層と、少なくとも２つのカプセル化構造体と、少なくとも２つの画素ユニットとを備えるディスプレイパネルであって、前記少なくとも２つのカプセル化構造体が、前記少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化するように構成されており、
前記薄膜トランジスタ層が、前記基板上に配置されており、
前記画素定義層が前記薄膜トランジスタ層上に配置されており、前記画素定義層が画素領域および側部カプセル化領域を含み、前記側部カプセル化領域が前記カプセル化構造体によってカプセル化された前記画素ユニットの周りに配置されており、前記画素領域および前記側部カプセル化領域が前記画素定義層上に配置された貫通孔であり、
前記画素ユニットがＯＬＥＤ発光コンポーネントを含み、前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントが、前記画素領域内に部分的にまたは完全に配置されており、
前記カプセル化構造体が、第１のカプセル化層および第２のカプセル化層を含み、前記第１のカプセル化層が、前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントの、前記薄膜トランジスタ層に近い側に配置され、前記第２のカプセル化層が、前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントの、前記薄膜トランジスタ層から遠い側に配置され、前記第１のカプセル化層と前記第２のカプセル化層とが、前記側部カプセル化領域内で封止接触しており、
フォトスペーサが、前記側部カプセル化領域によって囲まれた領域の外側に配置された前記画素定義層上のみに配置され、前記フォトスペーサの頂部が前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントの頂部よりも高い、
ディスプレイパネル。
カプセル化構造体の数が画素ユニットの数と同じであり、前記カプセル化構造体の各々が１つの画素ユニットをカプセル化するように構成されている、請求項１に記載のディスプレイパネル。
前記第１のカプセル化層が、無機材料層からなる単層構造、または、無機材料層と有機材料層とが交互に積層された多層構造であり、
前記第２のカプセル化層が、無機材料層からなる単層構造、または、無機材料層と有機材料層とが交互に積層された多層構造である、
請求項１または２に記載のディスプレイパネル。
前記ディスプレイパネルが金属線をさらに備え、すべてのＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソードが前記金属線を介して接続されている、請求項１に記載のディスプレイパネル。
前記金属線が、前記画素定義層の、前記薄膜トランジスタ層から離れた側に配置されている、または、前記金属線が、前記第１のカプセル化層上に配置されている、または、前記金属線が、前記薄膜トランジスタ層の層構造上に配置されている、請求項４に記載のディスプレイパネル。
保護カバーと、偏光子と、タッチパネルと、請求項１から５のいずれか一項に記載のディスプレイパネルとを備えるフレキシブルディスプレイであって、前記偏光子が前記保護カバーに固定されており、前記タッチパネルが前記偏光子と前記ディスプレイパネルとの間に配置されている、または
前記タッチパネルが、前記保護カバーに固定されており、前記偏光子が、前記タッチパネルと前記ディスプレイパネルとの間に配置されている、フレキシブルディスプレイ。
中間フレームと、後部ハウジングと、プリント回路基板と、請求項６に記載のフレキシブルディスプレイとを備える電子デバイスであって、
前記中間フレームが、前記プリント回路基板および前記フレキシブルディスプレイを支持するように構成され、前記プリント回路基板および前記フレキシブルディスプレイが、前記中間フレームの両側に配置されており、
前記後部ハウジングが、前記プリント回路基板の、前記中間フレームから離れた側に配置されている、電子デバイス。
ディスプレイパネルの製造方法であって、前記ディスプレイパネルが、基板と、薄膜トランジスタ層と、画素定義層と、少なくとも２つのカプセル化構造体と、少なくとも２つの画素ユニットとを備え、前記少なくとも２つのカプセル化構造体が、前記少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化するように構成され、前記カプセル化構造体が、第１のカプセル化層および第２のカプセル化層を含み、前記画素ユニットが、ＯＬＥＤ発光コンポーネントを含み、前記方法が、
前記基板を製造するステップと、
前記基板上に前記薄膜トランジスタ層を形成し、前記薄膜トランジスタ層上に第１のビアを設けるステップであって、前記第１のビアが前記薄膜トランジスタ層のドレインまで延在する、ステップと、
少なくとも２つの独立した第１のカプセル化層を得るために、前記薄膜トランジスタ層上に全表面の第１のカプセル化構造体層を形成し、前記全表面の第１のカプセル化構造体層をパターニングする、ステップと、
前記第１のカプセル化層の各々上に画素領域および側部カプセル化領域を形成するために、前記画素定義層を形成し、前記画素定義層をパターニングするステップであって、前記側部カプセル化領域が、前記第１のカプセル化層を露出させるために使用される、ステップと、
前記側部カプセル化領域によって囲まれた領域の外側に配置された前記画素定義層上のみにフォトスペーサを形成するステップであって、前記フォトスペーサの頂部が前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントの頂部よりも高い、ステップと、
前記画素領域内に前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントを形成するステップであって、前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントが前記第１のビアを介して前記ドレインに接続される、ステップと、
少なくとも２つの独立した第２のカプセル化層を得るために、前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントの、前記薄膜トランジスタ層から離れた側に、前記薄膜トランジスタ層に対応する全表面の第２のカプセル化構造体層を形成し、前記全表面の第２のカプセル化構造体層をパターニングするステップであって、前記第２のカプセル化層および前記第１のカプセル化層が前記側部カプセル化領域内で封止接触している、ステップと、
を含む、製造方法。
第１のカプセル化層を形成する前記ステップが、具体的には、
前記全表面の第１のカプセル化構造体層を形成するために、前記薄膜トランジスタ層にＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、またはＡｌ_２Ｏ_３のうちの１つまたは複数を堆積させるステップと、
前記第１のカプセル化層を得るために前記全表面の第１のカプセル化構造体層をパターニングするステップであって、コーティングするステップ、露光するステップ、現像するステップ、エッチングするステップ、または剥離するステップのうちの１つまたは複数を含む、ステップと、を含む、請求項８に記載の製造方法。
前記画素定義層が形成される前に、前記第１のカプセル化層上にアノードを形成するステップであって、前記アノードが前記第１のビアを介して前記ドレインに接続される、ステップをさらに含む、請求項８または９に記載の製造方法。
アノードを形成する前記ステップが、具体的には、
アノード材料層を形成するために、前記第１のカプセル化層上にＩＴＯ、Ａｇ、およびＩＴＯを順に堆積させるステップと、
前記アノードを得るために、前記アノード材料層をパターニングするステップであって、コーティングするステップ、露光するステップ、現像するステップ、エッチングするステップ、または剥離するステップのうちの１つまたは複数を含む、ステップとを含む、請求項１０に記載の製造方法。
金属線を形成するステップをさらに含み、各々の前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソードが前記金属線に接続される、請求項８に記載の製造方法。
金属線を形成する前記ステップが、具体的には、
画素定義層が形成された後、金属層を形成するためにＴｉ、Ａｌ、およびＴｉを順に堆積させるステップと、
前記金属線を得るために、前記金属層をパターニングするステップであって、コーティングするステップ、露光するステップ、現像するステップ、エッチングするステップ、または剥離するステップのうちの１つまたは複数を含む、ステップと、
を含む、請求項１２に記載の製造方法。
第２のカプセル化層を形成する前記ステップが、具体的には、
前記全表面の第２のカプセル化構造体層を形成するために、前記画素定義層および前記ＯＬＥＤ発光コンポーネント上にＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、またはＡｌ_２Ｏ_３のうちの１つまたは複数を堆積させるステップと、
前記第２のカプセル化層を得るために前記全表面の第２のカプセル化構造体層をパターニングするステップであって、コーティングするステップ、露光するステップ、現像するステップ、エッチングするステップ、または剥離するステップのうちの１つまたは複数を含む、ステップと、
を含む、請求項８に記載の製造方法。
基板と、薄膜トランジスタ層と、画素定義層と、少なくとも２つのカプセル化構造体と、少なくとも２つの画素ユニットとを備えるディスプレイパネルであって、前記少なくとも２つのカプセル化構造体が、前記少なくとも２つの画素ユニットをカプセル化するように構成されており、
前記薄膜トランジスタ層が、前記基板上に配置されており、
前記画素定義層が前記薄膜トランジスタ層上に配置されており、前記画素定義層が画素領域および側部カプセル化領域を含み、前記側部カプセル化領域が前記カプセル化構造体によってカプセル化された前記画素ユニットの周りに配置されており、前記画素領域および前記側部カプセル化領域が前記画素定義層上に配置された貫通孔であり、
前記薄膜トランジスタ層が、無機材料層からなり、前記側部カプセル化領域に対応する位置にビアが設けられており、前記ビアが、前記無機材料層を露出させており、
前記画素ユニットがＯＬＥＤ発光コンポーネントを含み、前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントが、前記画素領域内に部分的にまたは完全に配置され、
前記カプセル化構造体が、前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントの、前記薄膜トランジスタ層から離れた側に配置され、前記カプセル化構造体および前記無機材料層が、前記側部カプセル化領域内で封止接触しており、
フォトスペーサが、前記側部カプセル化領域によって囲まれた領域の外側に配置された前記画素定義層上のみに配置され、前記フォトスペーサの頂部が前記ＯＬＥＤ発光コンポーネントの頂部よりも高い、
ディスプレイパネル。
カプセル化構造体の数が画素ユニットの数と同じであり、前記カプセル化構造体の各々が１つの画素ユニットをカプセル化するように構成されている、請求項１５に記載のディスプレイパネル。
前記カプセル化構造体が、無機材料層による単層構造、または、無機材料層と有機材料層とが交互に積層された多層構造である、請求項１５または１６に記載のディスプレイパネル。
前記ディスプレイパネルが金属線をさらに備え、すべてのＯＬＥＤ発光コンポーネントのカソードが前記金属線を介して接続されている、請求項１５に記載のディスプレイパネル。
前記金属線が、前記画素定義層の、前記薄膜トランジスタ層から離間する側に配置されている、または、前記金属線が、前記薄膜トランジスタ層の層構造上に配置されている、請求項１８に記載のディスプレイパネル。