JP7380369B2 - Ｒ－ｔ－ｂ系焼結磁石の製造方法及び拡散用合金 - Google Patents

Description

本発明はＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法及び拡散用合金に関する。

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石（Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種であり、ＮｄおよびＰｒの少なくとも一方を必ず含む。ＴはＦｅ又はＦｅとＣｏであり、Ｂは硼素である）は永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られており、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、電気自動車用（ＥＶ、ＨＶ、ＰＨＶなど）モータ、産業機器用モータなどの各種モータや家電製品などに使用されている。

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、主としてＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物からなる主相と、この主相の粒界部分に位置する粒界相とから構成されている。主相であるＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物は高い飽和磁化と異方性磁界を持つ強磁性材料であり、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の特性の根幹をなしている。

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、高温で保磁力Ｈ_ｃＪ（以下、単に「保磁力」又は「Ｈ_ｃＪ」という場合がある）が低下するため不可逆熱減磁が起こるという問題がある。そのため、特に電気自動車用モータに使用されるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石では、高温下でも高いＨ_ｃＪを有する、すなわち室温においてより高いＨ_ｃＪを有することが要求されている。

国際公開第２００７／１０２３９１号 国際公開第２０１６／１３３０７１号 国際公開第２０１８／１４３２３０号 特開２０１９－１６９６９５号

Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ型化合物相中の軽希土類元素ＲＬであるＮｄを重希土類元素（主にＤｙ、Ｔｂ）で置換すると、Ｈ_ｃＪが向上することが知られている。しかし、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石において、軽希土類元素（主にＮｄ、Ｐｒ）を重希土類元素で置換すると、Ｈ_ｃＪが向上する一方、Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ型化合物相の飽和磁化が低下するために残留磁束密度Ｂ_ｒ（以下、単に「残留磁束密度」又は「Ｂ_ｒ」という場合がある）が低下してしまうという問題がある。

特許文献１には、Ｒ－Ｔ－Ｂ系合金の焼結磁石の表面にＤｙ等の重希土類元素を供給しつつ、重希土類元素を焼結磁石の内部に拡散させることが記載されている。特許文献１に記載の方法は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の表面から内部にＤｙを拡散させてＨ_ｃＪ向上に効果的な主相結晶粒の外殻部にのみＤｙを濃化させることにより、Ｂ_ｒの低下を抑制しつつ、高いＨ_ｃＪを得ることができる。
しかし、特にＤｙなどの重希土類元素は、資源存在量が少ないうえ、産出地が限定されているなどの理由から、供給が安定しておらず、価格が大きく変動するなどの問題を有している。そのため、近年、重希土類元素をできるだけ使用することなく、Ｈ_ｃＪを向上させることが求められている。

例えば、特許文献２には、通常よりもＢ量が低い（Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物の化学量論比を下回る）Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体の表面に特定組成のＲ－Ｇａ－Ｃｕ合金を接触させて４５０℃以上６００℃以下の温度で熱処理を行うことにより、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石中の粒界相の組成および厚さを制御してＨ_ｃＪを向上させることが記載されている。

また、例えば、特許文献３には、特定組成のＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄ及びＰｒの少なくとも一方を必ず含む）、とＲ２－Ｇａ合金（Ｒ２は、希土類元素のうち少なくとも二種であり、Ｔｂ及びＤｙの少なくとも一方、並びに、Ｐｒ及びＮｄの少なくとも一方を必ず含む）を準備し、焼結磁石素材表面の少なくとも一部にＲ２－Ｇａ合金の少なくとも一部を接触させ、特定の温度で第一の熱処理を実施する拡散工程と、特定の温度で、第二の熱処理を実施する工程を適用することにより、重希土類元素の使用量を低減しつつ、更に高いＢ_ｒと高いＨ_ｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を提供できることが示されている。また、特許文献４には、拡散プロセスにおける焼結体表面への金属溜り抑制のために、拡散合金の表面にＲ―ＯＨ相を形成する提案がなされている。

しかし、特許文献３に記載の拡散源用合金（Ｒ２－Ｇａ合金）を用いた場合、拡散用合金が酸化や水酸化し、実効的な（焼結磁石素材に導入可能な）重希土類元素量が低下する場合があった。さらに特許文献４に記載の拡散合金を用いた場合も拡散合金の水酸化により実効的な重希土類元素量が低下する場合があった。また、近年、特に電気自動車用モータなどにおいて更に重希土類元素を出来るだけ使用することなく高いＢ_ｒと高いＨ_ｃＪを得ることが求められている。

本開示の実施形態は、拡散用合金の酸化や水酸化にともなう実効的な（焼結磁石素材に導入可能な）重希土類元素の損失を抑制し、高いＢ_ｒ及び高いＨ_ｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法及び拡散用合金を提供する。

本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、例示的な実施形態において、Ｒ１：２７．５質量％以上３５．０質量％以下（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄ及びＰｒの少なくとも一方を必ず含む）、 Ｂ：０．８０質量％以上０．９９質量％以下、 Ｇａ：０質量％以上０．８質量％以下、 Ｍ１：０質量％以上２．０質量％以下、（Ｍ１はＣｕ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒの少なくとも一種）、 Ｔ：６０質量％以上（ＴはＦｅ又はＦｅとＣｏであり、Ｔ全体に対するＦｅの含有量が８５質量％以上である）、を含有するＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程と、Ｒ２－Ｙ（イットリウム）―Ｍ２拡散用合金（Ｒ２は希土類元素（ただしＹを除く）のうち少なくとも二種であり、Ｔｂ及びＤｙの少なくとも一方、並びに、Ｐｒ及びＮｄの少なくとも一方を必ず含み、Ｍ２は、Ｃｕ及びＧａの少なくとも一方を必ず含む）を準備する工程と、前記Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面の少なくとも一部に、前記Ｒ２－Ｙ―Ｍ２拡散用合金の少なくとも一部を接触させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上９５０℃以下の温度で熱処理を実施する拡散工程と、を含み、前記Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金中のＲ２が７５質量％以上９８質量％以下であり、Ｍ２が１質量％以上２５質量％以下であり、Ｏ（酸素：不可避不純物を含む）が０．２質量％以上１．０質量％以下であり、Ｙが０．４質量％以上０．６質量％以下である。

ある実施形態において、前記拡散工程後に、４５０℃以上７５０℃以下の温度、かつ拡散工程の熱処理温度よりも低い温度で熱処理を実施する低温熱処理工程を含む。

ある実施形態において、前記拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石表面を研削加工し、研削加工後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に対して、４５０℃以上７５０℃以下の温度、かつ拡散工程の熱処理温度よりも低い温度で熱処理を実施する低温熱処理工程を実施する。

ある実施形態において、前記Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は下記式（１）を満足する、［Ｔ］／５５．８５＞１４×［Ｂ］／１０．８ （１）
（［Ｔ］は質量％で示すＴの含有量であり、［Ｂ］は質量％で示すＢの含有量である。

ある実施形態において、前記Ｒ２－Ｙ―Ｍ２拡散用合金のＲ２はＰｒを必ず含み、Ｐｒの含有量は、Ｒ２全体の５０質量％以上である。

ある実施形態において、前記Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金におけるＴｂ及びＤｙの少なくとも一方の含有量は、合計でＲ２全体の１質量％以上２０質量％以下である。

ある実施形態において、前記Ｒ２－Ｙ－Ｍ２系拡散用合金のＭ２はＣｕ及びＧａの両方を含む。

本開示のＲ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金は、例示的な実施形態において、Ｒ２（希土類元素のうち少なくとも二種であり、Ｔｂ及びＤｙの少なくとも一方、並びに、Ｐｒ及びＮｄの少なくとも一方を必ず含む）、Ｙ、Ｍ２（Ｃｕ及びＧａの少なくとも一方を必ず含む）およびＯ（酸素）を必ず含み、Ｒ２が７５質量％以上９８質量％以下であり、Ｍ２量が１質量％以上２５質量％以下であり、Ｙが０．４質量％以上０．６質量％以下であり、Ｏ（酸素：不可避不純物を含む）が０．２質量％以上１．０質量％以下であり、平均粒度が１０μｍ以上５００μｍ以下の粉末である。

ある実施形態において、前記Ｒ２は、Ｐｒと、Ｔｂ及びＤｙの少なくとも一方とからなる。

本開示の実施形態によると、特定量のＹを含むＲ２－Ｙ―Ｍ２拡散用合金をＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材に接触させて特定の温度で熱処理することで、拡散用合金の酸化や水酸化にともなう実効的な重希土類元素（ＤｙやＴｂ）の損失を抑制し、高いＢ_ｒ及び高いＨ_ｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることができる。

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の一部を拡大して模式的に示す断面図である。 図２Ａの破線矩形領域内を更に拡大して模式的に示す断面図である。 本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法における工程の例を示すフローチャートである。

まず、本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の基本構造について説明をする。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、原料合金の粉末粒子が焼結によって結合した構造を有しており、主としてＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物からなる主相と、この主相の粒界部分に位置する粒界相とから構成されている。

図１Ａは、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の一部を拡大して模式的に示す断面図であり、図１Ｂは図１Ａの破線矩形領域内を更に拡大して模式的に示す断面図である。図１Ａには、一例として長さ５μｍの矢印が大きさを示す基準の長さとして参考のために記載されている。図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、主としてＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物からなる主相１２と、主相１２の粒界部分に位置する粒界相１４とから構成されている。また、粒界相１４は、図１Ｂに示されるように、２つのＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物粒子（グレイン）が隣接する二粒子粒界相１４ａと、３つのＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物粒子が隣接する粒界三重点１４ｂとを含む。典型的な主相結晶粒径は磁石断面の円相当径の平均値で２μｍ以上１０μｍ以下である。主相１２であるＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物は高い飽和磁化と異方性磁界を持つ強磁性材料である。
したがって、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石では、主相１２であるＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物の存在比率を高めることによってＢ_ｒを向上させることができる。Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物の存在比率を高めるためには、原料合金中のＲ量、Ｔ量、Ｂ量を、Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物の化学量論比（Ｒ量：Ｔ量：Ｂ量＝２：１４：１）に近づければよい。

本発明者らは、検討の結果、特許文献３に記載されているＲ２－Ｇａ合金のような希土類系の合金を用いる場合、希土類元素が活性であることから、合金作製時や焼結磁石素材塗布後の熱処理時に、合金が雰囲気中のＯ（酸素）と不可避的に反応し、希土類元素の一部が酸化物や水酸化物となる。そして、このとき形成される希土類酸化物や水酸化物は、ＤｙやＴｂなどの重希土類がＮｄやＰｒなどの軽希土類よりも優先的に取り込まれてしまい、その結果、Ｒ１－Ｔ－Ｂ焼結磁石素材内部に拡散導入する実効的な重希土類量が低下してしまう場合があることがわかった。また、特許文献４も同様に、拡散源の表面に形成されるＲ－ＯＨ層により、Ｒ１－Ｔ－Ｂ焼結磁石素材内部に拡散導入する実効的な重希土類量が低下してしまう場合があることがわかった。
本発明者らはさらに検討の結果、拡散合金にＹを特定の狭い範囲で含有させることにより、形成される希土類酸化物や水酸化物にＤｙやＴｂなどの重希土類よりもＹを優先的に取り込ませることができ、更に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石へＹが導入されることによる磁気特性の低下を抑制できることを見出した。これにより拡散用合金の酸化や水酸化にともなう実効的な重希土類元素の損失を抑制することができ、高いＢ_ｒ及び高いＨ_ｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法及び拡散用合金を提供することができる。

本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、図２に示すように、Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程Ｓ１０とＲ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金を準備する工程Ｓ２０とを含む。Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程Ｓ１０とＲ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金を準備する工程Ｓ２０との順序は任意である。

本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、図２に示すように、更に、Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面の少なくとも一部に前記Ｒ２－Ｙ―Ｍ２拡散用合金の少なくとも一部を接触させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上９５０℃以下の温度で熱処理を実施する拡散工程Ｓ３０を含む。また、好ましくは、前記拡散工程後に、４５０℃以上７５０℃以下の温度、かつ拡散工程の熱処理温度よりも低い温度で熱処理を実施する低温熱処理工程Ｓ４０を含む。また、更に好ましくは、拡散工程Ｓ３０と、低温熱処理工程Ｓ４０との間に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石表面を加工する研削工程を含む。すなわち、前記拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石表面を研削加工し、研削加工後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に対して前記低温熱処理工程を実施する。

（Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材とＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石）
本開示において、拡散工程前及び拡散工程中のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を「Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材」と称し、拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を単に「Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石」と称する。
（Ｒ－Ｔ－Ｇａ相）
Ｒ－Ｔ－Ｇａ相とは、Ｒ、Ｔ及びＧａを含む化合物であり、その典型例は、Ｒ_６Ｔ_１３Ｇａ化合物である。また、Ｒ_６Ｔ_１３Ｇａ化合物は、Ｌａ_６Ｃｏ_１１Ｇａ_３型結晶構造を有する。Ｒ_６Ｔ_１３Ｇａ化合物は、Ｒ_６Ｔ_１３－δＧａ_１＋δ化合物の状態にある場合があり得る。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石中にＣｕ、Ａｌ及びＳｉが含有される場合、Ｒ－Ｔ－Ｇａ相はＲ_６Ｔ_１３－δ（Ｇａ_{１－ｘ－ｙ－ｚ}Ｃｕ_ｘＡｌ_ｙＳｉ_ｚ ）_１＋δであり得る。

[Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程]
Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の組成
（Ｒ１）
Ｒ１の含有量は２７．５質量％以上３５．０質量％以下である。Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄ及びＰｒの少なくとも一方を必ず含む。Ｒ１が２７．５質量％未満では焼結過程で液相が十分に生成せず、焼結体を充分に緻密化することが困難になる。一方、Ｒが３５．０質量％を超えると焼結時に粒成長が起こりＨ_ｃＪが低下する。Ｒ１は２８質量％以上３３質量％以下であることが好ましく、２９質量％以上３３質量％以下であることがさらに好ましい。
（Ｂ）
Ｂの含有量は、０．８０質量％以上０．９９質量％以下である。Ｂの含有量が０．８０質量％未満であるとＢ_ｒが低下する可能性があり、０．９９質量％を超えるとＨ_ｃＪが低下する可能性がある。また、Ｂの一部はＣで置換できる。
（Ｇａ）
Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材におけるＧａの含有量は、０質量％以上０．８質量％以下である。Ｇａの含有量が０．８質量％を超えると、主相中にＧａが含有することで主相の磁化が低下し、高いＢ_ｒを得ることができない可能性がある。好ましくはＧａの含有量は、０．５質量％以下である。より高いＢ_ｒを得ることができる。
（Ｍ１）
Ｍ１の含有量は、０質量％以上２．０質量％以下である。Ｍ１はＣｕ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒの少なくとも一種であり、０質量％であっても本開示の効果を奏することができるが、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒの合計で２．０質量％以下含有することができる。Ｃｕ、Ａｌを含有することによりＨ_ｃＪを向上させることができる。Ｃｕ、Ａｌは積極的に添加してもよいし、使用原料や合金粉末の製造過程において不可避的に導入されるものを活用してもよい（不純物としてＣｕ、Ａｌを含有する原料を使用してもよい）。また、Ｎｂ、Ｚｒを含有することにより焼結時における結晶粒の異常粒成長を抑制することができる。Ｍ１は好ましくは、Ｃｕを必ず含み、Ｃｕを０．０５質量％以上０．３０質量％以下含有する。Ｃｕを０．０５質量％以上０．３０質量％以下含有することにより、よりＨ_ｃＪを向上させることができるからである。
（Ｔ）
Ｔの含有量は、６０質量％以上である。Ｔの含有量が６０質量％未満であると大幅にＢ_ｒ及びＨ_ｃＪが低下する可能性がある。ＴはＦｅ又はＦｅとＣｏであり、Ｔ全体に対するＦｅの含有量が８５質量％以上である。Ｆｅの含有量が８５質量％未満であると、Ｂ_ｒおよびＨ_ｃＪが低下する可能性がある。ここで、「Ｔ全体に対するＦｅの含有量が８５質量％以上」とは、例えばＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材におけるＴの含有量が７５質量％である場合、Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の６３．７質量％以上がＦｅであることを言う。好ましくはＴ全体に対するＦｅの含有量は９０質量％以上である。より高いＢ_ｒと高いＨ_ｃＪを得ることができるからである。また、Ｆｅの一部をＣｏで置換することができる。但し、Ｃｏの置換量が、質量比でＴ全体の１０％を超えるとＢ_ｒが低下するため好ましくない。さらに、本開示のＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は、上記元素の他にＡｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｈ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｃｌ、Ｏ、Ｎ、Ｃ等を含有してもよい。含有量は、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＴｉはそれぞれ０．５ｍａｓｓ％以下、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｒはそれぞれ０．２ｍａｓｓ％以下、Ｈ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｃｌは５００ｐｐｍ以下、Ｏは６０００ｐｐｍ以下、Ｎは１０００ｐｐｍ以下、Ｃは１５００ｐｐｍ以下が好ましい。これらの元素の合計の含有量は、Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材全体の５質量％以下が好ましい。これらの元素の合計の含有量がＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結素材全体の５質量％を超えると高いＢ_ｒと高いＨ_ｃＪを得ることができない可能性がある。

（式（１））
［Ｔ］／５５．８５＞１４×［Ｂ］／１０．８ （１）
ここで、［Ｔ］はＴの含有量（質量％）、［Ｂ］はＢの含有量（質量％）である。
好ましくは、Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の組成が式（１）を満足する。式（１）を満足することにより、最終的に得られるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の粒界にＲ－Ｔ－Ｇａ相が生成されて高いＨ_ｃＪを得ることができる。式（１）を満足することで、Ｂの含有量が一般的なＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石よりも少なくなる。一般的なＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、主相であるＲ_２Ｔ_１４Ｂ相以外にＦｅ相やＲ_２Ｔ_１７相が生成しないよう［Ｔ］／５５．８５（Ｆｅの原子量）が１４×［Ｂ］／１０．８（Ｂの原子量）よりも少ない組成となっている（［Ｔ］は質量％で示すＴの含有量であり、［Ｂ］は質量％で示すＢの含有量である）。本開示の好ましい実施形態におけるＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は、一般的なＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石と異なり、［Ｔ］／５５．８５（Ｆｅの原子量）が１４×［Ｂ］／１０．８（Ｂの原子量）よりも多くなるように不等式（１）で規定する。なお、本開示のＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材におけるＴはＦｅが主成分であるためＦｅの原子量を用いた。

Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は、Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石に代表される一般的なＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法を用いて準備することができる。一例を挙げると、ストリップキャスト法等で作製された原料合金を、ジェットミルなどを用い２μｍ以上１０μｍ以下に粉砕した後、磁界中で成形し、９００℃以上１１００℃以下の温度で焼結することにより準備することができる。
原料合金の粉砕粒径（気流分散式レーザー回折法による測定で得られる体積中心値＝Ｄ_５０）が２μｍ未満では粉砕粉を作製するのが非常に困難であり、生産効率が大幅に低下するため好ましくない。一方、粉砕粒径が１０μｍを超えると最終的に得られるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の結晶粒径が大きくなり過ぎ、高いＨ_ｃＪを得ることが困難となるため好ましくない。Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は、前記の各条件を満たしていれば、一種類の原料合金（単一原料合金）から作製してもよいし、二種類以上の原料合金を用いてそれらを混合する方法（ブレンド法）によって作製してもよい。

[Ｒ２－Ｙ（イットリウム）―Ｍ２拡散用合金を準備する工程]
Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金の組成
Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金におけるＲ２は希土類元素（但しＹを除く）のうち少なくとも二種であり、Ｔｂ及びＤｙの少なくとも一方、並びに、Ｐｒ及びＮｄの少なくとも一方を必ず含む。Ｒ２は、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金全体の７５～９８質量％である。Ｒ２の含有量が７５質量％未満であると、Ｒ２の含有量が少なすぎて、最終的に得られたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石のＨ_ｃＪが低下する可能性があり、９８質量％を超えると、Ｙ及びＭ２の含有量が低下して、最終的に得られたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石のＨ_ｃＪが低下する可能性がある。より高いＢ_ｒと高いＨ_ｃＪを得るために、好ましくは、前記Ｒ２－Ｙ―Ｍ２拡散用合金のＲ２はＰｒを必ず含み、Ｐｒの含有量は、Ｒ２全体の５０質量％以上であり、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金におけるＴｂ及びＤｙの少なくとも一方の含有量は、合計でＲ２全体の１質量％以上２０質量％以下である。また、好ましくは、Ｒ２は、Ｐｒと、Ｔｂ及びＤｙの少なくとも一方とからなる。
本開示におけるもっとも特徴的な点の一つとして、拡散用合金にＹ（イットリウム）を０．４質量％以上０．６質量％以下含有する。Ｙを特定の狭い範囲で含有させることにより、拡散用合金が酸化することで形成される希土類酸化物や水酸化物にＤｙやＴｂなどの重希土類よりもＹを優先的に取り込ませることができ、更に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石へＹが導入されることによる磁気特性の低下を抑制できる。これにより、拡散用合金の酸化や水酸化にともなう実効的な重希土類元素（ＤｙやＴｂ）の損失を抑制し、高いＢ_ｒ及び高いＨ_ｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることができる。Ｙの含有量が０．４質量％未満であると、拡散用合金の酸化や水酸化にともなう実効的な重希土類元素（ＤｙやＴｂ）の損失を抑制することができず、Ｈ_ｃＪが低下する可能性があり、０．６質量％を超えると、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に含有するＹによりＢ_ｒやＨ_ｃＪが低下する可能性がある。
Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金におけるＭ２はＣｕ及びＧａの少なくとも一方を必ず含む。Ｍ２は、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金全体の１質量％～２５質量％である。Ｍ２の含有量が１質量％未満であると、Ｈ_ｃＪが低下する可能性があり、２５質量％を超えるとＢ_ｒが低下する可能性がある。より高いＨ_ｃＪを得るために、好ましくは、前記Ｒ２－Ｙ－Ｍ２系拡散用合金のＭ２はＣｕ及びＧａの両方を含む。
Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金は、Ｏ（酸素：不可避不純物を含む）を含有し、Ｏの含有量は０．２質量％以上１．０質量％以下である。Ｏの含有量が０．２質量％未満であると、ＹとＯとの酸化物や水酸化物が形成されにくくなり、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石におけるＹの含有量が増加してＨ_ｃＪが低下する可能性があり、１．０質量％超では、Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石におけるＯの含有量が増加してＢ_ｒ及びＨ_ｃＪが低下する可能性がある。

Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金は、平均粒径が１０μｍ以上５００μｍ以下の粉末である。平均粒径が１０μｍ未満であると、拡散用合金の酸化や水酸化が進行しすぎて、Ｂ_ｒ及びＨ_ｃＪが低下する可能性があり、５００μｍを超えるとＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への拡散が不十分となり、高いＨ_ｃＪが得られない可能性がある。好ましくは、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金の平均粒径は１００μｍ以上３００μｍ以下である。
本開示における平均粒度はＪＩＳ Ｚ ８８０１の標準ふるいによって分級することによって調整すればよい。また、本開示における平均粒度は、ＪＩＳＺ８８０１に記載の標準ふるいによる分級の他、その粒度に応じて、例えば顕微鏡観察、市販の粒度分布測定装置（例えば、マイクロトラック・ベル社製レーザー回折・散乱式 粒子径分布測定装置等）等によって測定することができる。

Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金は、一般的なＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法において採用されている原料合金の作製方法、例えば、金型鋳造法やストリップキャスト法や単ロール超急冷法（メルトスピニング法）やアトマイズ法などを用いて準備することができる。また、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金は、前記によって得られた合金をピンミルなどの公知の粉砕手段によって粉砕されたものであってもよい。

特許文献４に記載されているように、Ｒ２－Ｔ－Ｍ２拡散用合金の粉末粒子表面に平均厚さが０．５μｍ以上３μｍ以下のＲ－ＯＨ層を形成させてもよい。Ｒ－ＯＨ層を形成させることにより、拡散後にＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石表面に金属溜りが発生することを抑えることができる。また粉末を燃えにくくして取り扱いを容易にすることが可能となる。Ｒ－ＯＨ層は、たとえば、Ｒ２－Ｔ－Ｍ２拡散用合金を温度２０℃以上１５０℃以下、相対湿度６０％以上１００％以下の雰囲気にさらすことにより形成させることができる。

[拡散工程]
前記Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面の少なくとも一部に、前記Ｒ２－Ｙ―Ｍ２拡散用合金の少なくとも一部を接触させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上９５０℃以下の温度で熱処理を実施する。これにより、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金からＲ２、Ｙ及びＭ２を含む液相が生成し、その液相がＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。熱処理温度が７００℃未満であると、Ｒ２、Ｙ及びＭ２を含む液相量が少なすぎて高いＨ_ｃＪを得ることが出来ない可能性があり、９５０℃を超えるとＨ_ｃＪが低下する可能性がある。また、好ましくは、拡散工程は、７００℃以上９５０℃以下の温度で熱処理が実施されたＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を前記熱処理を実施した温度から５℃／分以上の冷却速度で３００℃まで冷却する工程を含む。より高いＨ_ｃＪを得ることができる。さらに好ましくは、３００℃までの冷却速度は１５℃／分以上である。

拡散工程は、Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面に、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金を配置し、公知の熱処理装置を用いて行うことができる。例えば、Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面をＲ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金の粉末層で覆い熱処理を行うことができる。例えば、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金を分散媒中に分散させたスラリーをＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面に塗布した後、分散媒を蒸発させＲ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金とＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材とを接触させてもよい。なお、分散媒として、アルコール（エタノール等）、アルデヒド及びケトンを例示できる。また、ＲＨは、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金からだけでなく、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金と共にＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物等をＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石表面に配置することにより重希土類元素を導入してもよい。すなわち、Ｒ２（Ｄｙ及びＴｂの少なくとも一方、並びに、Ｎｄ及びＰｒの少なくとも一方）とＹとＭ２を同時に拡散させることができればその方法は特に問わない。重希土類元素のフッ化物、酸化物、酸フッ化物としては、例えば、ＴｂＦ_３、ＤｙＦ_３、Ｔｂ_２Ｏ_３、Ｄｙ_２Ｏ_３、Ｔｂ_４ＯＦ、Ｄｙ_４ＯＦが挙げられる。
またＲ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金は、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金の少なくとも一部がＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の少なくとも一部に接触していれば、その配置位置は特に問わない。
[低温熱処理工程]
好ましくは、前記拡散工程後に、４５０℃以上７５０℃以下の温度、かつ拡散工程の熱処理温度よりも低い温度で熱処理を実施する低温熱処理工程を行う。これにより、さらに高いＨ_ｃＪを得ることが出来る。４５０℃未満及び７５０℃を超える場合は、高いＨ_ｃＪを得ることができない可能性がある。また、さらに好ましくは、拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石表面を研削加工し、研削加工後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に対して低温熱処理工程を実施する。これは、拡散工程と低温熱処理工程との間に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石表面を加工する研削工程を行うことによって実施し得る。拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の磁石表面には、Ｙを含む酸化物及び水酸化物が存在している。磁石表面を研削することにより、Ｙを含む酸化物及び水酸化物を磁石から取り除くことができ、より確実にＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石へＹが導入されることによる磁気特性の低下を抑制できる。

本開示の実施形態を実施例によりさらに詳細に説明するが、実施例に限定されるものではない。

表１に示すねらい組成となるようにＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を作製した。各元素を秤量してストリップキャスト法により鋳造し、厚み０．２～０．４ｍｍのフレーク状の合金を得た。得られたフレーク状の合金を水素粉砕した後、５５０℃まで真空中で加熱後冷却する脱水素処理を施して粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０４ｍａｓｓ％添加、混合した後、気流式粉砕機（ジェットミル装置）を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、合金微粉末を得た。得られた微粉末の粒径を気流分散法によるレーザー回折法で測定した結果、Ｄ_５０（体積基準メジアン径）は４．６μｍであった。得られた合金微粉末を有機系分散媒および離型剤と混合しスラリーを作製した。作製したスラリーを磁界中で成形して成形体を得た、成形時の磁界は１．３ＭＡ／ｍで、加圧力は５ＭＰａとした。なお、成形装置には、磁界印加方向と加圧方向とが直交する、いわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。得られた成形体を、２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中で、１０４０℃×４時間の条件で焼結し、Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を得た。得られたＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の一部を乳鉢で粉砕し、４２５μｍメッシュおよび７５μｍメッシュを用いて分級した。粒径７５～４２５μｍの粉砕粉を用いて、ＩＣＰ発光分光分析法にてＮｄ、Ｆｅ、Ｐｒ、Ｂ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｔｂ、Ｍｎ、Ｓｉの成分分析を、燃焼・赤外線吸収法にて炭素量の分析をおこなった。また、粒径４２５μｍ以上の粉砕粉を用いて、不活性ガス溶融・熱伝導法にて酸素量・窒素量の分析をおこなった。Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の組成を表１に示す。

表２に示すＮｏ．Ａ１～Ａ４を作製した。純度が９９％以上のＰｒ、Ｔｂ、Ｙ、Ｇａ、Ｃｕの原料を、溶解時の希土類元素の蒸発を加味し、試料Ｎｏ．Ａ１～Ａ４の合金組成がねらい値になるように秤量した。その後、液体超急冷装置（メルトスピニング装置）の石英出湯管内で十分に溶解して合金の溶湯を形成した後、２０ｍ／ｓのロール周速度で回転するＣｕ製のロール上に溶湯を出湯した。このようにして作製したリボン状の合金を窒素流気チャンバー中で粉砕した。粉砕して得られた合金粉末を３００μｍメッシュおよび１０６μｍメッシュを用いて分級した。得られた粒径１０６～３００μｍの合金粉末を試料Ａ１～Ａ４とした（すなわち、試料Ａ１～Ａ４の平均粒度は本開示の範囲内（１０μｍ以上５００μｍ以下）である）。試料Ａ１～Ａ４をＩＣＰ（誘導結合プラズマ）発光分光分析法にてＮｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｔｂ、Ｙ、Ｓｉの成分分析をおこなった。試料Ａ１～Ａ４の組成を表２に示す。

作製した試料Ａ１～Ａ４を温度８０℃、湿度９０％の雰囲気にさらすことにより、Ｒ２－Ｔ－Ｍ２拡散用合金の粉末粒子表面にＲ－ＯＨ層を形成させる処理（特許文献4に記載の処理）をおこない、拡散用合金Ｂ１～Ｂ４を得た。拡散用合金Ｂ１～Ｂ４の一部を用いて、燃焼・赤外線吸収法にて炭素量の分析および不活性ガス溶融・熱伝導法にて酸素量・窒素量の分析をおこなった。拡散用合金の酸素量、窒素量、炭素量を表３に示す。

Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を切断、切削加工し、４．４ｍｍ×１０ｍｍ×１１ｍｍの直方体とした。成形時の磁界印加方向の長さが４．４ｍｍ、成形時の圧力印加方向の長さが１０ｍｍとなるように切削加工した。切削加工後の焼結磁石素材の１０ｍｍ×１１ｍｍの面（２面）に粘着剤として５％ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）水溶液を塗布したのち、焼結磁石素材１００ｍａｓｓ％に対して１面につき１ｍａｓｓ％（２面で計２ｍａｓｓ％）の拡散用合金Ｂ１～Ｂ４をそれぞれ付着させた。そして、真空熱処理炉を用いて２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中で、９００℃×１０時間の熱処理をおこなった。熱処理後の試料の拡散用合金が付着している２面を研削して４ｍｍ×１０ｍｍ×１１ｍｍの直方体に加工したのち、それぞれ切断加工して４ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの立方体試料Ｎｏ．１～４をそれぞれ２個ずつ作製した。これら４ｍｍ角試料のうちそれぞれ１個はＢ－ＨトレーサによってＢ_ｒ、Ｈ_ｃＪおよびＨ_ｋ（Ｊ（磁化の強さ）－Ｈ（磁界の強さ）曲線の第２象限において、Ｊが０．９Ｂ_ｒの値になる位置のＨ軸の読み値）の測定をおこなった。また、それぞれ残りの１個はＩＣＰ発光分光分析法にてＦｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｂ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｔｂ、Ｙ、Ｍｎ、Ｓｉ、の成分を、試料を全量溶解することで分析した。また、この成分分析結果と拡散用合金の塗布量をもとに、拡散用合金に含まれる各元素の導入率を計算した。Ｔｂの導入率（％）が高いほど、拡散用合金の実効的な重希土類元素の損失が抑制されていることを示している。表４に、用いた拡散用合金、４ｍｍ角試料のＩＣＰ分析結果、導入率、磁気特性（Ｂ_ｒ、Ｈ_ｃJ、Ｈ_ｋ）の結果を示す。

拡散用合金中のＹ量が比較的少ないＮｏ．１や２に比べて、拡散用合金中のＹ量が比較的多いＮｏ．３や４の方が４ｍｍ角試料中のＴｂ量が高く、Ｔｂの導入率が高い結果となった。また、Ｎｏ．４の試料のみ４ｍｍ角試料中に検出下限以上のＹが検出された。Ｈ_ｃJやＨ_ｋは拡散源Ｎｏ．Ｂ３を用いたＮｏ．３の試料が最も高い結果となった。拡散用合金中のＹ量が多くなると、拡散用合金中の酸化物相に分配されるＴｂ量が減少し、焼結磁石素材に拡散するＴｂ量が増加すると考えられる。ただ、拡散用合金中のＹ量が多すぎるとＹが焼結磁石素材に拡散し過ぎてしまい、主相の磁気物性を低下させる。Ｎｏ．３の試料はこの両者がうまくバランスした結果、高いＨ_ｃJやＨ_ｋが得られたと考えられる。

磁気特性測定後の４ｍｍ角試料Ｎｏ．１～４を熱処理した。４ｍｍ角試料をＮｂ箔で包んだのち、真空熱処理炉を用いて２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中で、５００℃×３時間の熱処理をおこなうことで、Ｎｏ．５～８の試料を得た。そして、Ｂ－Ｈトレーサを用いて試料Ｎｏ．５～８のＢ_ｒおよびＨ_ｃＪの測定をおこなった。表５に熱処理前の試料Ｎｏ．１～４の磁気特性（Ｂ_ｒ、Ｈ_ｃJ、Ｈ_ｋ）の結果を示す。

５００℃×３時間の熱処理をおこなっていないときと同様に、拡散用合金Ｎｏ．Ｂ３を用いた試料Ｎｏ．７が最もＨ_ｃJやＨ_ｋが高い結果となった。Ｈ_ｃJやＨ_ｋは９００℃×１０時間処理後の試料Ｎｏ．１～４よりも５００℃×３時間の熱処理をおこなった試料Ｎｏ．５～８の方が全体的に高い。これは、５００℃×３時間の熱処理により、主相粒の二粒子粒界の拡張や二粒子粒界相の低磁化化などで、主相粒間の磁気的分断が進んだことによると考えらえる。ただ、５００℃×３時間の熱処理の有無ではＨ_ｃJやＨ_ｋの大小関係が変わらないのは、ベースとなる主相の異方性磁界の大小関係によるものと考えられる。そして、主相のＴｂ置換による異方性向上とＹ置換による異方性低下の兼ね合いで、拡散源Ｎｏ．Ｂ３を用いたときに最も主相の異方性磁界が高くなったと考えられる。

Claims (10)

1. Ｒ１：２７．５質量％以上３５．０質量％以下（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｎｄ及びＰｒの少なくとも一方を必ず含む）、
   Ｂ：０．８０質量％以上０．９９質量％以下、
   Ｇａ：０質量％以上０．８質量％以下、
   Ｍ１：０質量％以上２．０質量％以下、（Ｍ１はＣｕ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒの少なくとも一種）、
   Ｔ：６０質量％以上（ＴはＦｅ又はＦｅとＣｏであり、Ｔ全体に対するＦｅの含有量が８５質量％以上である）、
   を含有するＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程と、
   Ｒ２－Ｙ（イットリウム）―Ｍ２拡散用合金（Ｒ２は希土類元素（ただしＹを除く）のうち少なくとも二種であり、Ｔｂ及びＤｙの少なくとも一方、並びに、Ｐｒ及びＮｄの少なくとも一方を必ず含み、Ｍ２は、Ｃｕ及びＧａの少なくとも一方を必ず含む）を準備する工程と、
   前記Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面の少なくとも一部に、前記Ｒ２－Ｙ―Ｍ２拡散用合金の少なくとも一部を接触させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上９５０℃以下の温度で熱処理を実施する拡散工程と、を含み、
   前記Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金中のＲ２が７５質量％以上９８質量％以下であり、Ｍ２が１質量％以上２５質量％以下であり、Ｏ（酸素：不可避不純物を含む）が０．２質量％以上１．０質量％以下であり、Ｙが０．４質量％以上０．６質量％以下である、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。
2. 前記拡散工程後に、４５０℃以上７５０℃以下の温度、かつ拡散工程の熱処理温度よりも低い温度で熱処理を実施する低温熱処理工程を含む、請求項１に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。
3. 前記拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石表面を研削加工し、研削加工後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に対して、４５０℃以上７５０℃以下の温度、かつ拡散工程の熱処理温度よりも低い温度で熱処理を実施する低温熱処理工程を実施する、請求項１又は２に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。
4. 前記Ｒ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は下記式（１）を満足する、
   ［Ｔ］／５５．８５＞１４×［Ｂ］／１０．８ （１）
   （［Ｔ］は質量％で示すＴの含有量であり、［Ｂ］は質量％で示すＢの含有量である）、請求項１から３のいずれかに記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。
5. 前記Ｒ２－Ｙ―Ｍ２拡散用合金のＲ２はＰｒを必ず含み、Ｐｒの含有量は、Ｒ２全体の５０質量％以上である、請求項１から４のいずれかに記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。
6. 前記Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金におけるＴｂ及びＤｙの少なくとも一方の含有量は、合計でＲ２全体の１質量％以上２０質量％以下である、請求項１から５のいずれかに記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。
7. 前記Ｒ２－Ｙ－Ｍ２系拡散用合金のＭ２はＣｕ及びＧａの両方を含む、請求項１から６のいずれかに記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法。
8. Ｒ２（希土類元素のうち少なくとも二種であり、Ｔｂ及びＤｙの少なくとも一方、並びに、Ｐｒ及びＮｄの少なくとも一方を必ず含む）、Ｙ、Ｍ２（Ｃｕ及びＧａの少なくとも一方を必ず含む）およびＯ（酸素）を必ず含み、Ｒ２が７５質量％以上９８質量％以下であり、Ｍ２量が１質量％以上２５質量％以下であり、Ｙが０．４質量％以上０．６質量％以下であり、Ｏ（酸素：不可避不純物を含む）が０．２質量％以上１．０質量％以下であり、平均粒度が１０μｍ以上５００μｍ以下の粉末である、Ｒ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金。
9. 前記Ｒ２は、Ｐｒと、Ｔｂ及びＤｙの少なくとも一方とからなる、請求項７に記載のＲ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金。
10. Ｔｂ及びＤｙの少なくとも一方の含有量は、合計でＲ２全体の１質量％以上２０質量％以下である、請求項７または８に記載のＲ２－Ｙ－Ｍ２拡散用合金。
    
    
    

Images