JP2024159586A

JP2024159586A - Ｒ－ｔ－ｂ系焼結磁石

Info

Publication number: JP2024159586A
Application number: JP2024066871A
Authority: JP
Inventors: 太國吉; Futoshi Kuniyoshi
Original assignee: Proterial Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 2023-04-28
Filing date: 2024-04-17
Publication date: 2024-11-08

Abstract

【課題】重希土類元素ＲＨの使用量を低減しつつ、高いＢ_ｒと高いＨ_ｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を提供する。
【解決手段】Ｒ：２６．８質量％以上３１．５質量％以下（Ｒは希土類元素であり、Ｐｒを必ず含む）、Ｍ：０．０５質量％以上２．００質量％以下（ＭはＧａ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選択される少なくとも１種であり、Ｃｕを必ず含む）、Ｂ：０．８４質量％以上０．９４質量％以下、およびＴ：６１．５質量％以上（Ｔは、ＦｅとＣｏであり、質量比でＴの９０％以上がＦｅである）を含み、内部組織が、結晶粒と、隣接する２つの前記結晶粒の間に、第１相と、前記２つの結晶粒の一方または両方と前記第１相との間に、前記第１相よりもＣｕ濃度およびＰｒ濃度の高い第２相と、を含み、前記第２相は、２０質量％以上６５質量％以下の範囲でＰｒを含む、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。
【選択図】図２

Description

本開示は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に関する。

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石（Ｒは希土類元素うちの少なくとも１種であり、ＴはＦｅまたはＦｅとＣｏであり、Ｂは硼素である）は、永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られている。このため、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、電気自動車（ＥＶ、ＨＶ、ＰＨＶ）等の自動車分野、風力発電等の再生可能エネルギー分野、家電分野、産業分野等のさまざまなモータに使用されている。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、これらモータの小型・軽量化、高効率・省エネルギー化（エネルギー効率の改善）に欠かせない材料である。また、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、電気自動車用の駆動モータに使用されており、内燃機関エンジン自動車から電気自動車へ代替されることで、二酸化炭素等の温室効果ガスの削減（燃料・排ガスの削減）による地球温暖化防止にも寄与している。このように、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、クリーンエネルギー社会の実現に大きく貢献している。

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、主としてＲ_２Ｔ_１４Ｂ型化合物からなる結晶粒と、この結晶粒の粒界部分に位置する粒界相とから構成されている（例えば特許文献１）。特許文献１は、Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ主相結晶粒と、隣接する二つのＲ_２Ｔ_１４Ｂ主相結晶粒間の二粒子粒界相とを含み、該二粒子粒界相の厚みは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ強磁性体とは異なる磁性を有する相からなることを特徴とする希土類焼結磁石を開示している。
結晶粒を構成するＲ_２Ｔ_１４Ｂ型化合物は高い飽和磁化と異方性磁界を持つ強磁性材料であり、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の特性を左右する。

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、高温で保磁力Ｈ_ｃＪ（以下、単に「Ｈ_ｃＪ」という）が低下するため不可逆熱減磁が起こるという問題がある。そのため、特に電気自動車用モータに使用されるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石では、高温下でも高いＨ_ｃＪを有する、すなわち室温においてより高いＨ_ｃＪを有することが要求されている。

特開２０１４－２０９５４６号

Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ型化合物中の軽希土類元素ＲＬ（主にＮｄ、Ｐｒ）を重希土類元素ＲＨ（主にＴｂ、Ｄｙ）で置換すると、Ｈ_ｃＪが向上することが知られている。しかし、Ｈ_ｃＪが向上する一方、Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ型化合物相の飽和磁化が低下するために残留磁束密度Ｂ_ｒ（以下、単に「Ｂ_ｒ」という）が低下してしまうという問題がある。また、特にＴｂは、もともと資源量が少ないうえ産出地が限定されている等の理由から、供給が不安定であり、価格変動するなどの問題を有している。そのため、Ｔｂをできるだけ使用せず（使用量をできるだけ少なくして）、Ｂ_ｒの低下を抑制しつつ、高いＨ_ｃＪを得ることが求められている。

特許文献１に開示された希土類焼結磁石は、Ｔｂなどの重希土類元素ＲＨの使用量を低減しつつ、高温でのＨ_ｃＪの低下を抑制できるとされているが、重希土類元素ＲＨを含む焼結磁石に比べると磁気特性（Ｂ_ｒおよびＨ_ｃＪ）が劣っている。近年特に電気自動車用モータなどにおいては、Ｂ_ｒとＨ_ｃＪのさらなる向上が求められている。

そこで、本発明の一実施形態は、Ｔｂなどの重希土類元素ＲＨの使用量を低減しつつ、Ｂ_ｒおよびＨ_ｃＪをさらに向上することのできるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を提供することを目的とする。

本発明の態様１は、
Ｒ：２６．８質量％以上３１．５質量％以下（Ｒは希土類元素であり、Ｐｒを必ず含む）、
Ｍ：０．０５質量％以上２．００質量％以下（ＭはＧａ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選択される少なくとも１種であり、Ｃｕを必ず含む）、
Ｂ：０．８４質量％以上０．９４質量％以下、および
Ｔ：６１．５質量％以上（Ｔは、ＦｅとＣｏであり、質量比でＴの９０％以上がＦｅである）を含み、
内部組織が、
結晶粒と、
隣接する２つの前記結晶粒の間に、第１相と、
前記２つの結晶粒の一方または両方と前記第１相との間に、前記第１相よりもＣｕ濃度およびＰｒ濃度の高い第２相と、を含み、
前記第２相は、２０質量％以上６５質量％以下の範囲でＰｒを含む、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石である。

本発明の態様２は、
さらに、前記２つの結晶粒の両方の各々と前記第１相との間に前記第２相を含む、態様１に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石である。

本発明の態様３は、
前記第１相は、
Ｒ：１５質量％以上６５質量％以下、
Ｍ：２質量％以上２０質量％以下、
Ｔ：２０質量％以上８０質量％以下を含み、
前記第２相は、
Ｒ：２０質量％以上６５質量％以下、
Ｍ：２質量％以上２０質量％以下、
Ｔ：２０質量％以上８０質量％以下を含み、前記第１相よりも前記Ｍの濃度が高い、
態様１または２に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石である。

本発明の態様４は、
表面から深さ２００μｍまでの範囲で、Ｐｒ濃度と、Ｃｕ濃度とが、前記表面から深さ方向に漸減する、態様１～３のいずれか１つに記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石である。

本発明の態様５は、
Ｍは、Ｇａをさらに必ず含む、態様１～４のいずれか１つに記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石である。

本発明の態様６は、
以下の式（１）を満たす、態様１～５のいずれか１つに記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石である。

２６．０質量％≦（［Ｎｄ］＋［Ｐｒ］＋［Ｃｅ］＋［Ｌａ］＋［Ｄｙ］＋［Ｔｂ］）－１２（［Ｏ］＋［Ｃ］）≦２７．７質量％（１）

ここで、［Ｎｄ］、［Ｐｒ］、［Ｃｅ］、［Ｌａ］、［Ｄｙ］、［Ｔｂ］、［Ｏ］および［Ｃ］は、それぞれ、質量％で示すＮｄ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＯおよびＣの含有量である。

本発明の態様７は、
ＭのＧａの含有量は０．３質量％以上であり、かつ、表面から深さ２００μｍまでの範囲で、Ｇａ濃度が漸減していない、態様１～６のいずれか１つに記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石である。

本発明の実施形態によれば、Ｔｂなどの重希土類元素ＲＨの使用量を低減しつつ、Ｂ_ｒとＨ_ｃＪをさらに向上したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を提供することができる。

図１Ａは、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の一部を拡大して模式的に示す断面図である。図１Ｂは、図１Ａの破線矩形領域内を更に拡大して模式的に示す断面図である。図２は、二粒子粒界を模式的に示す断面図である。図３Ａは、実施例で作製したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体の断面観察のＴＥＭ写真である。図３Ｂは、図３Ａの一部（四角で囲った部分）の拡大ＴＥＭ写真である。

本発明者は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石において、重希土類の使用量を減らしつつ、磁気的特性（特に、Ｂ_ｒとＨ_ｃＪ）を向上するために鋭意検討した。そして、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石のＢ含有量がＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物の化学量論組成と比べて低い「低ボロン」組成の場合に、ＲやＭの粒界拡散による磁石特性改善の効果が高まることがわかった。更に、Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物において、Ｂの一部が炭素（Ｃ）によって置換されていても同様の効果が得られることがわかった。更に検討の結果、主相であるＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物中のＢと置換していたＣが、焼結工程により、粒界中の希土類酸化物と結合し、粒界中に希土類酸素炭素化合物（Ｒ－Ｏ－Ｃ化合物）を生成することがわかった。また、この場合の原子比が、Ｒ：（Ｃ，Ｏ）＝１：１である点も分かった。このようなＲ－Ｏ－Ｃ化合物が粒界に生成されると、その分、主相であるＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物を構成するＣの含有量が低下する。前述したように、Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物におけるＢの一部がＣによって置換されていても、「低ボロン」による効果が得られる。したがって、主相であるＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物を構成するＣの含有量が低下することは、ＢおよびＣの総量が実効的に減少する。また、粒界にＲ－Ｏ－Ｃ化合物が形成されることにより、原料合金に含まれる希土類元素Ｒの一部がＲ－Ｏ－Ｃ化合物の生成に消費されることを意味する。なお、Ｒ－Ｏ－Ｃ化合物（希土類酸炭化物）は、Ｒ－Ｏ化合物（希土類酸化物）およびＲ－Ｃ化合物（希土類炭化物）を含むものとする。

これらの知見を基に検討した結果、特定の成分組成を満たすＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石であって、結晶粒の間の粒界相が、第１相と、結晶粒と第１相との間に配置され、第１相よりもＣｕ濃度およびＰｒ濃度の高い第２相と、を含み、第２相が２０質量％以上６５質量％以下の範囲でＰｒを含む、という構成を有することにより、優れた磁気的特性を有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石が得られることを見出し、本願の実施形態に係る発明を完成するに至った。

以下、実施形態に係るＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石（以下単に「焼結磁石」と称することがある）について詳細に説明する。

＜Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石＞
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、
Ｒ：２６．８質量％以上３１．５質量％以下（Ｒは希土類元素であり、Ｐｒを含む）、
Ｍ：０．０５質量％以上２．００質量％以下（ＭはＧａ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選択される少なくとも１種であり、Ｃｕを必ず含む）、
Ｂ：０．８４質量％以上０．９４質量％以下、および
Ｔ：６１．５質量％以上（Ｔは、ＦｅとＣｏであり、質量比でＴの９０％以上がＦｅである）を含む。

図１Ａ、図１Ｂに示すように、焼結磁石１０の内部組織は、主としてＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物からなる結晶粒１２と、結晶粒１２の間に位置する粒界相１４と、を含む。
粒界相１４は、隣接する２つの結晶粒１２の間に存在する二粒子粒界相１４ａと、３つの二粒子粒界相１４ａが交わる粒界三重点１４ｂとを含む。

図２に示すように、実施形態に係る焼結磁石１０では、二粒子粒界相１４ａが、第１相１４１と、２つの結晶粒１２の一方または両方と第１相１４１との間に第２相１４２とを含んでいる。なお、第２相１４２は、２つの結晶粒１２の一方と第１相１４１との間だけに形成されてもよいが、好ましくは２つの結晶粒１２の両方と、第１相１４１との間に形成される。
第２相１４２のＣｕ濃度およびＰｒ濃度は、第１相１４１のＣｕ濃度およびＰｒ濃度よりも高い。すなわち、本発明の実施形態は、互いにＣｕおよびＰｒ含有量が異なる第１相および第２相を有する。
また、第２相１４２のＰｒ濃度は２０質量％以上６５質量％以下の範囲にある。第１相１４１のＰｒ濃度も２０質量％以上６５質量％未満の範囲にあってもよい。

本発明者は、焼結磁石１０の二粒子粒界相１４ａが、上述のような第１相１４１と第２相１４２とを含む内部組織を備えていることにより、高い磁気特性を達成できていることを確認した。このような二粒子粒界相１４ａを備えることにより、高い磁気特性を実現できる理由は定かではないが、第１相１４１よりも第２相１４２のＣｕ濃度およびＰｒ濃度が高いことで第２相１４２は第１相１４１よりも融点が下がる。そして第２相１４２が最終凝固することで、主相（結晶粒１２）、第２相１４２、第１相１４１の格子整合性がよくなったと考えられる。

実施形態に係る焼結磁石では、Ｒは希土類元素であり、Ｐｒを必ず含み、好ましくは、Ｎｄをさらに含む。Ｒとして、ＰｒとＮｄとを共に含むことにより、より高い磁気特性を実現することができる。
Ｐｒと同様に、第２相１４２のＮｄ濃度は、第１相１４１のＮｄ濃度より高いことが好ましい。

実施形態に係る焼結磁石１０は、二粒子粒界相１４ａが２相構造を有することにより、Ｔｂなどの重希土類元素ＲＨの含有量が少ない、または重希土類元素ＲＨを含まない成分組成であっても、高い磁気特性を達成することができる。

焼結磁石１０が重希土類元素ＲＨを含む場合は、従来よりも少ない含有量であることが望ましい。特に、重希土類元素ＲＨの含有量は、
Ｔｂ：０質量％超０．１０質量％以下、および
Ｄｙ：０質量％超０．２０質量％以下、からなる群から選択される少なくとも１種、に制限されていることが好ましい。
実施形態に係る焼結磁石１０は、上述するような内部組織を有することにより、重希土類元素ＲＨであるＴｂおよびＤｙの含有量をそれぞれ０．１０質量％以下および０．２０質量％以下に抑制しても、優れた磁気特性を達成することができる。

焼結磁石１０は、以下の式（１）を満たすことが好ましい。

２６．０質量％≦（［Ｎｄ］＋［Ｐｒ］＋［Ｃｅ］＋［Ｌａ］＋［Ｄｙ］＋［Ｔｂ］）－１２（［Ｏ］＋［Ｃ］）≦２７．７質量％（１）

ここで、［Ｎｄ］、［Ｐｒ］、［Ｃｅ］、［Ｌａ］、［Ｄｙ］、［Ｔｂ］、［Ｏ］および［Ｃ］は、それぞれ、質量％で示すＮｄ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＯおよびＣの含有量である。

なお、焼結磁石が、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＯおよびＣのいずれか１種以上を含まない場合は、当該含まない元素の含有量は「０質量％」であるとして、式（１）に代入する。

焼結磁石１０中のＲ（特に、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｄｙ、Tｂ）、ＯおよびＣの含有量が調整され、それによって、上記式（１）が満足されている。なお、Ｃの含有量は、粉砕や成形時に添加される潤滑剤の添加量により調整され得る。好ましくは、式（１）は、２６．０質量％以上２７．５質量％以下であり、より好ましくは２６．３質量％以上２７．３質量％以下であり、特に好ましくは２７．０質量％以上２７．３質量％以下である。Ｔｂなどの重希土類元素ＲＨの使用量をより低減しつつ、高いＢ_ｒ及びＨ_ｃＪを得ることができる。

二粒子粒界相１４ａに含まれる各相の成分組成について、
前記第１相は、
Ｒ：１５質量％以上６５質量％以下、
Ｍ：２質量％以上２０質量％以下、
Ｔ：２０質量％以上８０質量％以下を含み、
前記第２相は、
Ｒ：２０質量％以上６５質量％以下、
Ｍ：２質量％以上２０質量％以下、
Ｔ：２０質量％以上８０質量％以下を含み、前記第１相よりも前記Ｍの濃度が高い、ことが好ましい。
また、前記第１相１４１および第２相１４２はＦを含有し、第２相１４２のＦ濃度は第１相１４１のＦ濃度よりも高い方が好ましい。第２相１４２のＦ濃度が第１相１４１よりも高いことにより、主相（結晶粒１２）、第２相１４２、第１相１４１の格子整合性がよくなり、高い磁気特性が得られると考えられる。

このような成分組成を有する第１相１４１および第２相１４２は、いずれも、典型的にはＲ_６Ｔ_１３Ｍの結晶構造を有し、Ｒ_６Ｔ_１２．５Ｍ_１．５なども含み得る。そして、Ｍとして少なくともＣｕを含んでおり、第２相１４２におけるＣｕ濃度が、第１相１４１のＣｕ濃度より高くされている。第１相１４１および第２相１４２がこのような結晶構造を含むことにより、高いＨ_cＪを得ることができる。
第１相１４１および第２相１４２中の元素濃度は、ＳＥＭ－ＥＤＸ分析またはＴＥＭ－ＥＤＸ分析によって測定することができる。

第１相１４１の厚さは、好ましくは１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、より好ましくは２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。このような範囲をとることにより、主相粒子（結晶粒１２）間の磁気的相互作用低減の効果を得つつ、主相比率の低下による磁気特性の低下を抑制することができる。
第２相１４２の厚さは、好ましくは０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、より好ましくは１．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下である。このような範囲をとることにより、格子整合性改善の役割を満足しつつ、主相比率の低下による磁気特性の低下を抑制することが出来る。

焼結磁石１０の各成分組成について詳述する。

（Ｒ：２６．８質量％以上３１．５質量％以下）
Ｒは希土類元素であり、Ｐｒを必ず含み、好ましくは、Ｎｄをさらに含む。Ｒの含有量は、２６．８質量％以上３１．５質量％以下である。Ｒの含有量が２６．８質量％未満であると焼結時の緻密化が困難となる可能性があり、３１．５質量％を超えると主相比率が低下してＢ_ｒが低下する可能性がある。Ｒの含有量は、好ましくは２６．８質量％以上３０．０質量％以下である。Ｒがこのような範囲であれば、より高いＢ_ｒを得ることができる。

（Ｍ：０．０５質量％以上２．００質量％以下）
ＭはＧａ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選択される少なくとも１種であり、Ｃｕを必ず含む。Ｍの含有量（Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｉの含有量の合計）は、０．０５質量％以上２．００質量％以下である。Ｍがこの範囲であると、温度係数が改善されて、高温において高いＨ_ｃＪを達成し得る。
焼結磁石１０は、ＭとしてＣｕを必ず含むが、さらにＧａを含むことが好ましく、さらにＨ_ｃＪを向上し得る。

Ｃｕは、結晶粒１２と二粒子粒界相１４ａの両方に含まれている。特に、二粒子粒界相１４ａの第２相１４２におけるＣｕ濃度が高く、後述するように、２質量％以上２０質量％以下の範囲で含むことができる。つまり、Ｃｕは、焼結磁石１０の第２相１４２で濃化している。第１相１４１もＣｕを含んでいてもよいが、第２相１４２よりもＣｕ濃度が低い。
Ｃｕは、原料由来であってもよく、さらには、焼結工程後に行われる拡散工程で焼結体表面から拡散されたＣｕに由来してもよい。

（Ｂ：０．８４質量％以上０．９４質量％以下）
Ｂの含有量は、０．８４質量％以上０．９４質量％以下である。焼結磁石１０がＢを本開示の範囲内で含有することにより、温度係数が改善し、高温下においても高いＨ_ｃＪを達成し得る。Ｂの含有量は、好ましくは０．８５質量％以上０．９４質量％以下である。

（Ｔ：６１．５質量％以上）
Ｔは、ＦｅとＣｏであり、質量比でＴの９０％以上がＦｅである。Ｃｏを含有することにより耐食性を向上させることができるが、Ｃｏの置換量がＴの１０質量％を超えると、高いＢ_ｒが得られない可能性がある。Ｔの含有量は、６１．５質量％以上である。Ｔの含有量が６１．５質量％未満であると、大幅にＢ_ｒが低下する可能性ある。Ｔの含有量は、７０．０質量％以下であってもよく、好ましくは、Ｔが残部である。

焼結磁石１０は、ジジム合金（Ｎｄ－Ｐｒ）、電解鉄、フェロボロンなどに通常含有される不可避的不純物としてＣｒ、Ｍｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｃａ、Ｍｇなどを含有することができる。さらに、製造工程中に含有される不可避的不純物として、Ｏ（酸素）、Ｎ（窒素）およびＣ（炭素）などを例示できる。
また、実施形態に係る焼結磁石１０は、１種以上の他の元素を含んでもよい。例えば、このような元素として、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｈ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ｂｉなどを少量（各々０．１質量％程度）含有してもよい。このような元素は、合計で例えば１．０質量％程度含まれてもよい。この程度であれば、高温において高いＨ_ｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることが十分に可能である。

なお、これらの少量含まれる各元素のうち、Ｆは、焼結磁石１０の二粒子粒界相１４ａの第１相１４１に必ず含まれる必須元素であるものの、結晶粒１２には殆ど含まれないため、焼結磁石１０の成分組成としては少量含まれる元素として扱われる。但し、上述したように、第２相１４２にＦが所定量含まれていることは、二粒子粒界相１４ａをＳＥＭ－ＥＤＸ分析またはＴＥＭ－ＥＤＸ分析することによって確認可能である。
第２相１４２と、必要に応じて第１相１４１とが、所定量でＦを含有するように、原料にＦ元素を意図的に加えてもよい。

実施形態における焼結磁石１０は、表面から深さ２００μｍまでの範囲で、Ｐｒの濃度と、Ｃｕ濃度とが、表面から深さ方向に漸減していてもよい。このような濃度分布を有する焼結磁石１０は、焼結磁石１０の製造時に、ＰｒとＣｕとを含む拡散源を用いて、磁石表面から磁石内部に向かって拡散する工程を行うことで得られる。このような拡散する工程を行うことにより、２つの結晶粒１２の一方または両方と第１相１４１との間に、第１相よりもＣｕ濃度およびＰｒ濃度の高い第２相１４２と、を含み、かつ第２相が１４２、２０質量％以上６５質量％以下の範囲でＰｒを含む、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を、より確実に得ることができる。

さらに、本発明者の検討の結果、Ｐｒと、Ｃｕと、Ｇａの一部または全量と、を拡散工程で拡散して製造した焼結磁石と比べて、焼結体にＧａを０．３質量％以上含有させ、そのＧａの全量を原料由来（つまり、焼結磁石用合金に含まれている）として製造した上で、ＰｒとＣｕの拡散を行うことで、顕著により高いＨ_ｃＪを達成し得る、ということを新たに見出した。すなわち、本開示の焼結磁石は、ＭとしてＣｕおよびＧａを必ず含み、Ｇａの含有量は０．３質量％以上であり、かつ、表面から深さ２００μｍまでの範囲において、Ｇａ濃度が、表面から深さ方向に漸減していないことが好ましい。Ｇａ濃度が表面から深さ方向に漸減していないということは、Ｇａを含む拡散源を用いて磁石表面から磁石内部に向かって拡散する工程を行っていないことを示している。これにより、第１相がより均一に焼結磁石に生成されて高いＨ_ｃＪが得られると考えられる。

表面から深さ２００μｍまでの範囲におけるＰｒおよびＣｕの濃度は、焼結磁石１０の断面において、磁石表面から磁石中央付近に向かって、深さ２００μｍまでの範囲を、エネルギー分散型Ｘ線分光方法（ＥＤＸ）により線分析（ライン分析）することにより確認することができる。なお、表面に垂直な方向で且つその表面の端部から２００μｍ以上離れた断面で測定するのが好ましい。ライン分析する際は、測定断面の外周から２００μｍ以内の範囲を測定することにならないように、測定断面の端部から２００μｍ以上離れた領域内で、表面（測定断面の外周）と直交する方向に測定を行う。
Ｇａの濃度についても、同様に測定することで確認できる。

＜Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法＞
以下、本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法の実施形態を説明する。

本実施形態における製造方法は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体を準備する工程と、Ｒ１－Ｍ合金を準備する工程と、第一の熱処理を実施する工程と、第二の熱処理を実施する工程と、を含み得る。第一の熱処理を実施する工程は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体表面の少なくとも一部にＲ１－Ｍ合金の少なくとも一部を接触させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上９５０℃以下の温度で第一の熱処理を実施することにより、Ｒ１およびＭを磁石内部に拡散させる工程（拡散工程）である。第二の熱処理を実施する工程は、第一の熱処理が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に対して、真空又は不活性ガス雰囲気中、４００℃以上７５０℃以下の温度で、かつ前記第一の熱処理温度よりも低い温度で第二の熱処理を実施する工程である。以下、これらの各工程をより詳細に説明する。

（Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体を準備する工程）
まず、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体の組成について説明する。

本実施形態で用いるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体において特徴的な点のひとつは、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体に含有されるＲ、酸素量、炭素量などを調整し、最終的に前述の式（１）を満足するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を作製することにある。このため、このＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体では、０．８４質量％≦［Ｂ］≦０．９４質量％、２５．８質量％≦（［Ｎｄ］＋［Ｐｒ］＋［Ｃｅ］＋［Ｌａ］＋［Ｄｙ］＋［Ｔｂ］）－１２（［Ｏ］＋［Ｃ］）≦２７．５質量％、０．０５質量％≦［Ｏ］≦０．３０質量％の関係を満足するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体を準備することが好ましい。また、好ましくは、０．０５質量％≦［Ｃ］≦０．１８質量％の関係を満足するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体を準備する。このようなＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体に対して、後述する拡散工程を行うことにより、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体内部にＲやＭなどが磁石内部に過剰に拡散されず、かつ、粒界拡散を大幅に促進させることが可能になる。

この工程で準備するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体は、例えば以下の組成を有する。
Ｒ：２６．６質量％以上３１．３質量％以下（Ｒは希土類元素であり、Ｐｒを必ず含む）、好ましくは、Ｎｄをさらに含む。
Ｂ：０．８４質量％以上０．９４質量％以下、
Ｍ：０質量％以上１．５質量％以下（Ｍは、Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選択された少なくとも一種である）、
Ｑ：０質量％以上２．０質量％以下（Ｑは、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ、およびＢｉからなる群から選択された少なくとも１種）
残部Ｔ（ＴはＦｅ又はＦｅとＣｏ）、および不可避的不純物からなる。

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体でも、前述の式（１）が満たされている。

次にＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体の準備方法について説明する。

まず、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石用合金を準備した後、この合金を例えば水素粉砕法などによって粗く粉砕する。

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石用合金の製造方法を例示する。上述した組成となるように事前に調整した金属または合金を溶解し、鋳型に入れて凝固させるインゴット鋳造法により合金インゴットを得ることができる。また、上述した組成となるように事前に調整した金属または合金の溶湯を単ロール、双ロール、回転ディスク、または回転円筒鋳型等に接触させて急冷し、急冷凝固合金を作製するストリップキャスト法によって合金を作製してもよい。また、遠心鋳造法など、他の急冷法によってフレーク状の合金を製造してもよい。

本発明の実施形態においては、インゴット法と急冷法のどちらの方法により製造された合金も使用すること可能であるが、ストリップキャスト法などの急冷法により製造された合金を用いることが好ましい。急冷法によって作製した合金の厚さは、通常０．０３ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲にあり、フレーク形状である。合金溶湯は冷却ロールの接触した面（ロール接触面）から凝固し始め、ロール接触面から厚さ方向に結晶が柱状に成長する。急冷合金は、従来のインゴット鋳造法（金型鋳造法）によって作製された合金（インゴット合金）と比較して、短時間で冷却されているため、組織が微細化され、結晶粒径が小さい。また粒界の面積が広い。Ｒリッチ相は粒界内に大きく広がるため、急冷法はＲリッチ相の分散性に優れる。このため水素粉砕法により粒界で破断し易い。急冷合金を水素粉砕することで、水素粉砕粉（粗粉砕粉）のサイズを例えば１．０ｍｍ以下とすることができる。このようにして得た粗粉砕粉を、例えばジェットミルで粉砕する。

本実施形態では、最終的に得られるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の酸素含有量を特定範囲（０．０５質量％≦［Ｏ］≦０．３０質量％）になるように粉砕の条件を調整する。ジェットミル粉砕では、窒素等の不活性雰囲気で粉砕する。粉砕は、例えば加湿雰囲気中でジェットミル粉砕してもよい。好ましくは、粉末粒子を小さくする（平均粒度ｄ５０が２．０μｍ以上１０．０μｍ以下、さらに好ましくは、ｄ５０が２．０μｍ以上８．０μｍ以下、さらに好ましくは、ｄ５０が２．０μｍ以上４．５μｍ以下、さらに好ましくはｄ５０が２．０μｍ以上３．５μｍ以下）。粉末粒子を小さくすることにより、高いＨ_ｃＪを得ることができる。

なお、平均粒度（ｄ５０）は、気流分散式レーザー回折法（ＪＩＳＺ８８２５：２０１３年改訂版に準拠する）により測定することができる。すなわち、本明細書において、平均粒度は、小粒径側からの積算粒度分布（体積基準）が５０％となる粒径（メジアン径）を意味する。

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体の作製に用いる微粉末は、前記の各条件を満たしていれば、一種類の原料合金（単一原料合金）から作製してもよいし、二種類以上の原料合金を用いてそれらを混合する方法（ブレンド法）によって作製してもよい。

好ましい実施形態では、磁場中プレスによって上記の微粉末から粉末成形体を作製した後、この粉末成形体を焼結して、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体を得る。

粉末成形体の作製は、磁場中プレスでは酸化抑制の観点から、不活性ガス雰囲気中でのプレス、または湿式プレスによって、粉末成形体を形成する方が好ましい。特に湿式プレスでは、粉末成形体を構成する粒子の表面は、油剤などの分散剤によって被覆されて、大気中の酸素や水蒸気との接触が抑制される。このため、プレス工程の前後あるいはプレス工程中に、粒子が大気によって酸化されることを防止または抑制することができる。よって、焼結磁石の酸素含有量を所定範囲内に制御しやすい。磁場中湿式プレスを行う場合、微粉末に分散媒を混ぜたスラリーを用意し、湿式プレス装置の金型のキャビティに供給して磁場中でプレス成形する。なお、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体は成形などを行わず、例えば特開２００６－１９５２１などに記載されているＰＬＰ（Ｐｒｅｓｓ－ＬｅｓｓＰｒｏｃｅｓｓ）法など、公知の方法を用いてＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体を準備してもよい。

粉末成形体の焼結は、好ましくは、温度９５０℃以上１１５０℃以下の範囲で行なう。焼結による酸化を防止するために、雰囲気の残留ガスは、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスにより置換され得る。得られた、焼結体に対しては、熱処理を行ってもよい。熱処理温度、熱処理時間などの熱処理条件は、公知の条件を採用することができる。

（Ｒ１－Ｍ合金を準備する工程）
本実施形態では、Ｒ１、またはＲ１とＭを、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体の表面から内部に拡散させる。このため、これらの拡散の対象とする元素を含有する合金（これを「Ｒ１－Ｍ合金」と称する）を準備する。

まず、Ｒ１－Ｍ合金の組成について説明する。Ｒ１－Ｍ合金におけるＲ１は、希土類元素うちの少なくとも１種であり、Ｒ１の含有量は、好ましくは、Ｒ１－Ｍ合金全体の６５質量％以上１００質量％以下であり、より好ましくは７０質量％以上９５質量％以下である。Ｒ１－Ｍ合金におけるＭは、Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選択された少なくとも1種であり、Ｍの含有量は、好ましくは、Ｒ１－Ｍ合金全体の０質量％以上３５質量％以下であり、より好ましくはＲ１－Ｍ合金全体の５質量％以上３０質量％以下である。
Ｒ１－Ｍ合金において、好ましくは、Ｒ１はＮｄおよびＰｒの少なくとも一方を含有し、さらに好ましくは、Ｒ１はＰｒを必ず含有する。Ｐｒの含有量は、好ましくは、Ｒ１－Ｍ合金全体の６５質量％以上８６質量％以下である。Ｐｒの含有量は、好ましくは、Ｒ１全体の５０質量％以上であり、更に好ましくは、Ｒ１全体の６５質量％以上である。Ｐｒを含有することにより粒界相中の拡散が進みやすくなるため、粒界拡散を促進させることが可能となり、より高いＨ_ｃＪを得ることができる。

Ｒ１－Ｍ合金の形状およびサイズは、特に限定されず、任意である。Ｒ１－Ｍ合金は、フィルム、箔、粉末、ブロック、粒子などの形状をとり得る。

次にＲ１－Ｍ合金の作製方法を説明する。

Ｒ１－Ｍ合金は、一般的なＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法において採用されている原料合金の作製方法、例えば、金型鋳造法やストリップキャスト法や単ロール超急冷法（メルトスピニング法）やアトマイズ法などを用いて準備することができる。また、Ｒ１－Ｍ合金は、前記によって得られた合金をピンミルなどの公知の粉砕手段によって粉砕されたものであってもよい。

（第一の熱処理を実施する工程（拡散工程））
前述の方法によって準備したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体の表面の少なくとも一部に、Ｒ１－Ｍ合金の少なくとも一部を接触させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上９５０℃以下の温度（第一の熱処理温度）で第一の熱処理を実施する。第一の熱処理は、Ｒ１やＭを焼結体内部に拡散させるための工程であり（つまり、拡散工程）、熱処理によって、Ｒ１－Ｍ合金から、Ｒ１やＭを含む液相が生成し、その液相がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体の表面から、当該焼結体中の粒界を経由して、焼結体の内部に拡散導入される。

第一の熱処理温度が７００℃未満であると、Ｒ１およびＭを含む液相量が少なすぎて高いＨ_ｃＪを得ることができない。一方、９５０℃を超えるとＨ_ｃＪが低下する可能性がある。第一の熱処理温度は、好ましくは、８５０℃以上９５０℃以下であり、より高いＨ_ｃＪを得ることができる。また、好ましくは、第一の熱処理（７００℃以上９５０℃以下）が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体を、第一の熱処理温度から３００℃まで、５℃／分以上の冷却速度で冷却することが好ましく、より高いＨ_ｃＪを得ることができる。さらに好ましくは、当該冷却速度は１５℃／分以上である。

第一の熱処理は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体表面に、任意形状のＲ１－Ｍ合金を配置し、公知の熱処理装置を用いて行うことができる。例えば、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体表面をＲ１－Ｍ合金の粉末層で覆い、第一の熱処理を行うことができる。例えば、Ｒ１－Ｍ合金を分散媒中に分散させたスラリーを、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体表面に塗布した後、分散媒を蒸発させてＲ１－Ｍ合金層とＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体とを接触させ、第一の熱処理を行うことができる。もよい。分散媒として、アルコール（エタノール等）、アルデヒド、およびケトンを例示できる。また、例えば、公知のスパッタ装置などにより、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体表面にＲ１－Ｍ合金膜を成膜させ、第一の熱処理を行うことができる。また、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体に重希土類元素ＲＨを導入する場合は、ＲＨを含むＲ１－Ｍ合金を用いる方法だけでなく、Ｒ１－Ｍ合金と共に重希土類元素ＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物等をＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体表面に配置して、第一の熱処理を行ってもよい。重希土類元素ＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物としては、例えば、ＴｂＦ_３、ＤｙＦ_３、Ｔｂ_２Ｏ_３、Ｄｙ_２Ｏ_３、ＴｂＯＦ、ＤｙＯＦが挙げられる。

Ｒ１－Ｍ合金は、Ｒ１－Ｍ合金の少なくとも一部がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体の少なくとも一部に接触していれば、その配置位置は特に問わない。

（第二の熱処理を実施する工程）
第一の熱処理が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体に対して、真空又は不活性ガス雰囲気中、４００℃以上７５０℃以下で、かつ、第一の熱処理温度よりも低い温度で熱処理を行う。本開示においてこの熱処理を第二の熱処理という。第二の熱処理を行うことにより、高いＨ_ｃＪを得ることができる。第二の熱処理を行う温度（第二の熱処理温度）が第一の熱処理温度よりも高い場合、または第二の熱処理温度が４００℃未満または７５０℃を超える場合は、高いＨ_ｃＪを得られない可能性がある。

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体が表１のＮｏ．Ａ～Ｄに示す組成となるように各元素の原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製した。得られた各合金を水素粉砕法により粗粉砕し粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００質量％に対して０．０４質量％添加して混合した後、気流式粉砕機（ジェットミル装置）を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、平均粒度ｄ５０が３μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得た。

前記微粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を微粉砕粉１００質量％に対して０．０５質量％添加して混合した後、磁界中で成形して、粉末成形体を得た。なお、成形装置には、磁界印加方向と加圧方向とが直交するいわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。得られた粉末成形体を、真空中、１０６０℃以上１０９０℃以下（サンプル毎に焼結による緻密化が十分起こる温度を選定）で４時間焼結し、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体を得た。得られたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体の密度は７．５Ｍｇ／ｍ^３以上であった。得られたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体の組成を表１に示す。表１における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。また、Ｏ（酸素）含有量は、ガス融解－赤外線吸収法によるガス分析装置を使用して測定し、Ｃ（炭素）含有量は、燃焼－赤外線吸収法によるガス分析装置を使用して測定した。Ｒ１－Ｍ合金の組成（表２）も、同様の測定方法にて測定した。

Ｒ１－Ｍ合金がおよそ表２のＮｏ．ａ、ｂに示す組成となるように各元素の原料を秤量し、それらの原料を溶解して、単ロール超急冷法（メルトスピニング法）によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を、乳鉢を用いてアルゴンガス雰囲気中で粉砕した後、目開き４２５μｍの篩を通過させ、Ｒ１－Ｍ合金を準備した。得られたＲ１－Ｍ合金の組成を表２に示す。

表１のＮｏ．Ａ～ＤのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体を切断、研削加工し、７．４ｍｍ×７．４ｍｍ×７．４ｍｍの立方体とした。次に、Ｎｏ．Ａ～ＤのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体の全面に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体１００質量％に対してＲ１－Ｍ合金（Ｎｏ．ａ、ｂ）を３質量％散布した。その後、５０Ｐａに制御した減圧アルゴンガス中で、９００℃で４時間の熱処理（第一の熱処理）を行った後、室温まで冷却した。更に、５０Ｐａに制御した減圧アルゴンガス中で、５００℃で１時間の熱処理（第二の熱処理）を行った後、室温まで冷却して、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石（Ｎｏ．１～４）を作製した。

得られたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の組成と、式（１）の中辺（つまり（［Ｎｄ］＋［Ｐｒ］＋［Ｃｅ］＋［Ｌａ］＋［Ｄｙ］＋［Ｔｂ］）－１２（［Ｏ］＋［Ｃ］））の値を表３に示す。Ｎｏ．１～３はいずれも本開示の式（１）を満足していることを確認した。表３における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。また、Ｏ（酸素）含有量は、ガス融解－赤外線吸収法によるガス分析装置を使用して測定し、Ｃ（炭素）含有量は、燃焼－赤外線吸収法によるガス分析装置を使用して測定した。

得られたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に機械加工を施して、７ｍｍ×７ｍｍ×７ｍｍの磁石サンプルとし、ＢＨトレーサにより磁気特性（Ｂ_ｒおよびＨ_ｃＪ）を測定した。測定結果を表４に示す。また、Ｎｏ．１～４の磁石サンプルの各々について、いずれかの表面と平行で、かつ磁石の中央部付近を通る面で切断し、その断面において、磁石表面から磁石中央部付近まで、ＥＤＸにより線分析（ライン分析）を行った。全てのサンプルで、Ｐｒ濃度およびＣｕ濃度の各々が、磁石表面から深さ２００μｍまでの範囲において、表面から深さ方向に漸減している（徐々に濃度が低くなっている）ことを確認した。

さらに、Ｇａを含む拡散源ｂを用いたＮｏ．３の磁石サンプルでは、Ｇａ濃度が、磁石表面から深さ２００μｍまでの範囲において、表面から深さ方向に漸減しており、Ｇａを含まない拡散源ａを用いたＮｏ．１、２、４の磁石サンプルでは、Ｇａ濃度が、磁石表面から深さ２００μｍまでの範囲において、表面から深さ方向に漸減していないことを確認した。

また、Ｎｏ．１～４のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の上記断面を、それぞれＦＥ－ＴＥＭ／ＷＤＸ・ＥＤＸ（電界放出型透過型電子顕微鏡／波長分散型Ｘ線分析・エネルギー分散型Ｘ線分析）により分析した。このとき、表面から拡散された元素の影響を排除するために、表面から３０００μｍ以上離れた位置で分析を行った。図３Ａおよび図３Ｂは、Ｎｏ．１のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の断面ＴＥＭ写真である。

まず、断面をＴＥＭで観察し、隣接する２つの結晶粒１２の間の二粒子粒界相１４ａのＴＥＭ像を取得した（図３Ａ）。なお、複数の二粒子粒界が確認できる場合は、いずれか１つの二粒子粒界を選択する。そして、隣接する２つの結晶粒１２のいずれか一方の結晶粒１２と、その結晶粒１２と接する二粒子粒界相１４ａとの界面近傍を、さらにＴＥＭ観察した（図３Ｂ）。図３ＢのＴＥＭ写真から分かるように、二粒子粒界１４ａは、結晶粒１２よりも白っぽく写っている第１相１４１と、結晶粒１２と第１相１４１との間に、黒く写っている帯状の第２相１４２とを含んでいた。

Ｎｏ．２、３も同様にＴＥＭ観察して、二粒子粒界相１４ａが、第１相１４１と第２相１４２とを含んでいることを確認した。Ｎｏ．４に関しては、二粒子粒界相１４ａは第１相１４１のみから構成されており、第２相１４２を確認することができなかった。

Ｎｏ．１～４について、ＴＥＭ像で特定した第１相１４１および第２相１４２の各々についてＥＤＸで点分析して、各相に含まれる元素量を特定した。Ｎｏ．４については、第１相１４１について、ＥＤＸで点分析した。点分析の結果を表４に示す。表４に示すように、Ｎｏ．１～３はいずれも、第１相よりもＣｕ濃度およびＰｒ濃度の高い第２相を含み、前記第２相は、２０質量％以上６５質量％以下の範囲でＰｒを含んでいることが確認された。表４に示す様に、本開示の条件を満たすＮｏ．１～３は、比較例（Ｎｏ．４）と比べて大きなＢ_ｒの低下なく、高いＨ_ｃＪが得られた。

また、ＰｒとＣｕとＧａとを拡散工程で拡散して製造したＮｏ．３の焼結磁石と比べて、焼結体にＧａを全量含有させた上で、ＰｒとＣｕの拡散を行ったＮｏ．１および２の焼結磁石は、より高いＨ_ｃＪを達成した。

１０・・・Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石
１２・・・結晶粒
１４・・・粒界相
１４ａ・・・二粒子粒界相
１４１・・・第１相
１４２・・・第２相
１４ｂ・・・粒界三重点

Claims

Ｒ：２６．８質量％以上３１．５質量％以下（Ｒは希土類元素であり、Ｐｒを必ず含む）、
Ｍ：０．０５質量％以上２．００質量％以下（ＭはＧａ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｉからなる群から選択される少なくとも１種であり、Ｃｕを必ず含む）、
Ｂ：０．８４質量％以上０．９４質量％以下、および
Ｔ：６１．５質量％以上（Ｔは、ＦｅとＣｏであり、質量比でＴの９０％以上がＦｅである）を含み、
内部組織が、
結晶粒と、
隣接する２つの前記結晶粒の間に、第１相と、
前記２つの結晶粒の一方または両方と前記第１相との間に、前記第１相よりもＣｕ濃度およびＰｒ濃度の高い第２相と、を含み、
前記第２相は、２０質量％以上６５質量％以下の範囲でＰｒを含む、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。
前記２つの結晶粒の両方の各々と前記第１相との間に前記第２相を含む、請求項１に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。
前記第１相は、
Ｒ：１５質量％以上６５質量％以下、
Ｍ：２質量％以上２０質量％以下、
Ｔ：２０質量％以上８０質量％以下を含み、
前記第２相は、
Ｒ：２０質量％以上６５質量％以下、
Ｍ：２質量％以上２０質量％以下、
Ｔ：２０質量％以上８０質量％以下を含み、前記第１相よりも前記Ｍの濃度が高い、
請求項１に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。
表面から深さ２００μｍまでの範囲で、Ｐｒ濃度と、Ｃｕ濃度とが、前記表面から深さ方向に漸減する、請求項１に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。
Ｍは、Ｇａをさらに必ず含む、請求項１に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。
以下の式（１）を満たす、請求項１に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。

２６．０質量％≦（［Ｎｄ］＋［Ｐｒ］＋［Ｃｅ］＋［Ｌａ］＋［Ｄｙ］＋［Ｔｂ］）－１２（［Ｏ］＋［Ｃ］）≦２７．７質量％（１）

ここで、［Ｎｄ］、［Ｐｒ］、［Ｃｅ］、［Ｌａ］、［Ｄｙ］、［Ｔｂ］、［Ｏ］および［Ｃ］は、それぞれ、質量％で示すＮｄ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＯおよびＣの含有量である。
ＭのＧａの含有量は０．３質量％以上であり、かつ、表面から深さ２００μｍまでの範囲で、Ｇａ濃度が漸減していない、請求項１～６のいずれか一項に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。