JP7331614B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、透過表示と反射表示とが可能な液晶表示装置に関する。

屋外視認性を向上させる液晶表示装置として、透過モード及び反射モードの双方で画像を表示可能な半透過型液晶表示装置が知られている。この半透過型液晶表示装置は、液晶セル内部に設ける反射金属膜をパターニングして反射領域と透過領域とを形成し、反射領域による反射表示と透過領域による透過表示とを組み合わせている。さらに、反射領域に透明段差膜等を設けて、反射領域と透過領域とのセルギャップを変えて（マルチギャップ）光学特性の最適化を図っている（例えば、特許文献１、及び特許文献２を参照）。

このようなマルチギャップを有する液晶表示装置では、反射領域と透過領域との間に段差が形成されるため、この段差の境界に配向不良が生じやすくなる。そのため、その配向不良によるざらつき、光漏れによるコントラスト低下などの問題が発生する。また、表示部に指やペンなどで圧力をかけた場合（面押し時）の配向の乱れが戻らなくなり、その跡が残ってしまうという問題も存在する（特許文献３）。

これらの問題を解決するために、１つの画素内において、反射領域と透過領域との間の段差部で画素電極を分離（スリットを形成）し、反射領域と透過領域とを独立に形成する（特許文献４）、透過領域に形成された配向制御するための突起の高さ（特許文献５）や傾斜（特許文献６）を制御する、反射領域は電極の開口（穴）、透過領域は突起により配向を制御する（特許文献７）、反射領域内における凹部の形成およびその凹部への突起配置（特許文献８）など様々な手法が提案されている。

特開２００３－２６２８５２号公報 特開２００３－２７０６２７号公報 国際公開第２００５／１１１７０８号 特許第３９００１２３号公報 特許第４４３２３７１号公報 特許第３９０３９８０号公報 特許第４１８２７４８号公報 特許第４１２３２０８号公報

しかしながら、１画素内において、反射領域と透過領域とをスリットにより画素電極を分離させる場合や、突起や電極の開口（穴）などで反射領域の配向を制御する場合においては、反射領域を十分に大きくする（例えば、前記反射領域の面積は、前記画素電極の面積の３０％以上にする）必要があり、透過表示における明るさが低下してしまうという問題がある。同様に、反射領域の面積を大きくせずに透過領域にある突起の高さや形状で配向を制御する場合においても、突起の高さや面積が大きくなることにより、透過表示における明るさが低下してしまうという問題がある。

本発明は、透過表示における明るさを低下させることなく、表示品位の低下を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。

本発明の一態様に係る液晶表示装置は、第１及び第２基板と、前記第１及び第２基板間に挟持され、無電界時に垂直配向（ＶＡ）となる液晶層と、前記第１基板に設けられたスイッチング素子と、前記第１基板に設けられ、前記スイッチング素子に接続され、第１方向に延びる接続電極と、前記スイッチング素子の上方に絶縁膜を介して設けられた第１反射膜と、前記第１反射膜の上方に絶縁膜を介して設けられ、平面視において前記第１反射膜と部分的に重なる第１画素電極と、前記第１画素電極と前記第１方向に並んで配置された第２画素電極と、前記第１及び第２画素電極と前記接続電極とをそれぞれ接続する第１及び第２コンタクトと、前記第２基板に設けられ、平面視において前記第１反射膜と重なる第１膜厚調整層と、前記第２基板及び前記第１膜厚調整層上に設けられた共通電極と、前記共通電極上に設けられ、前記第１及び第２画素電極に対応して設けられた第１及び第２突起とを具備する。前記第１突起は、前記第１画素電極の前記第１方向における中心から前記第１膜厚調整層側にずれて配置される。

本発明によれば、透過表示における明るさを低下させることなく、表示品位の低下を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することができる。

図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置のブロック図である。 図２は、第１実施形態に係る液晶表示パネルの平面図である。 図３は、図２のＡ－Ａ´線に沿った液晶表示パネルの断面図である。 図４は、液晶表示パネルの条件を説明する模式図である。 図５は、膜厚調整層と突起との距離と面押し回復時間との関係を示すグラフである。 図６は、図５のマルチギャップに関するグラフを変形したグラフである。 図７は、変形例に係る液晶表示パネルの模式図である。 図８は、第２実施形態に係る液晶表示パネルの平面図である。 図９は、図８のＡ－Ａ´線に沿った液晶表示パネルの断面図である。 図１０は、第２実施形態に係る液晶表示パネルの模式図である。

以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率等は必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、図面の相互間で同じ部分を表す場合においても、互いの寸法の関係や比率が異なって表される場合もある。特に、以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置等によって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。

［１］ 第１実施形態
［１－１］液晶表示装置の全体構成
図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置１のブロック図である。液晶表示装置１は、液晶表示パネル２、バックライト（照明装置）３、走査線駆動回路４、信号線駆動回路５、共通電極ドライバ６、電圧生成回路７、及び制御回路８を備える。

液晶表示パネル２は、複数の画素ＰＸがマトリクス状に配列された画素アレイを備える。液晶表示パネル２には、それぞれがロウ方向に延びる複数の走査線ＧＬ１～ＧＬｍと、それぞれがカラム方向に延びる複数の信号線ＳＬ１～ＳＬｎとが配設される。“ｍ”及び“ｎ”はそれぞれ、２以上の整数である。走査線ＧＬと信号線ＳＬとの交差領域には、画素ＰＸが配置される。

バックライト３は、液晶表示パネル２の背面に光を照射する面光源である。バックライト３としては、例えば、直下型又はサイドライト型（エッジライト型）のＬＥＤバックライトが用いられる。

走査線駆動回路４は、複数の走査線ＧＬに電気的に接続される。走査線駆動回路４は、制御回路８から送られる制御信号に基づいて、画素ＰＸに含まれるスイッチング素子をオン／オフするための走査信号を液晶表示パネル２に送る。

信号線駆動回路５は、複数の信号線ＳＬに電気的に接続される。信号線駆動回路５は、制御回路８から制御信号、及び表示データを受ける。信号線駆動回路５は、制御信号に基づいて、表示データに対応する階調信号（駆動電圧）を液晶表示パネル２に送る。

共通電極ドライバ６は、共通電圧Ｖｃｏｍを生成し、これを液晶表示パネル２内の共通電極に供給する。電圧生成回路７は、液晶表示装置１の動作に必要な各種電圧を生成して各回路に供給する。

制御回路８は、液晶表示装置１の動作を統括的に制御する。制御回路８は、外部から画像データＤＴ及び制御信号ＣＮＴを受ける。制御回路８は、画像データＤＴに基づいて、各種制御信号を生成し、これら制御信号を各回路に送る。

［１－２］ 液晶表示パネル２の構成
本実施形態に係る液晶表示パネル２は、透過表示と反射表示とが可能な半透過型液晶表示パネルである。

図２は、第１実施形態に係る液晶表示パネル２の平面図である。図３は、図２のＡ－Ａ´線に沿った液晶表示パネル２の断面図である。なお、図２には、１つの画素に対応する部分を抽出して示しており、実際には、図２の画素がマトリクス状に複数個配置される。

液晶表示パネル２は、スイッチング素子（ＴＦＴ）及び画素電極等が形成されるＴＦＴ基板１０と、カラーフィルタ及び共通電極等が形成されかつＴＦＴ基板１０に対向配置されるカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）１１とを備える。ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板１１の各々は、透明基板（例えば、ガラス基板、又はプラスチック基板）から構成される。

液晶層１２は、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板１１間に充填される。具体的には、液晶層１２は、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板１１と、シール材（図示せず）とによって包囲された表示領域内に封入される。シール材は、例えば、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴ基板１０又はＣＦ基板１１に塗布された後、紫外線照射、又は加熱等により硬化させられる。

液晶層１２を構成する液晶材料は、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板１１間に印加された電界に応じて液晶分子の配向が操作されて光学特性が変化する。本実施形態の液晶表示パネル２は、垂直配向（ＶＡ：Vertical Alignment）型液晶を用いたＶＡモードである。すなわち、液晶層１２として負の誘電率異方性を有するネガ型（Ｎ型）のネマティック液晶が用いられる。液晶層１２は、初期状態において、垂直配向される。液晶層１２に電圧（電界）を印加しない時には、液晶分子の長軸（ダイレクタ）は、基板の主面に対してほぼ垂直に配向する。液晶層１２に電圧を印加した時には、液晶分子の長軸は、基板の主面に対して水平方向に向かって傾く。

まず、ＴＦＴ基板１０側の構成について説明する。ＴＦＴ基板１０の液晶層１２側には、画素ごとに、スイッチング素子１３が設けられる。スイッチング素子１３としては、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）が用いられ、またｎチャネルＴＦＴが用いられる。後述するように、ＴＦＴ１３は、走査線として機能するゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、半導体層上に互いに離間して設けられたソース電極及びドレイン電極とを備える。

ＴＦＴ基板１０上には、Ｘ方向に延びるゲート電極ＧＬが設けられる。ゲート電極ＧＬは、走査線ＧＬとして機能する。Ｘ方向に並んだ１行分の複数の画素は、１本の走査線ＧＬに共通接続される。ＴＦＴ基板１０及びゲート電極ＧＬ上には、ゲート絶縁膜１４が設けられる。

ゲート絶縁膜１４上には、画素ごとに、半導体層１５が設けられる。半導体層１５としては、例えばアモルファスシリコンが用いられる。

半導体層１５及びゲート絶縁膜１４上には、Ｙ方向（Ｘ方向に直交する方向）において互いに離間したソース電極１６及びドレイン電極１７が設けられる。ソース電極１６及びドレイン電極１７は、半導体層１５に部分的に重なる。なお、ソース電極１６と半導体層１５との間に、これらの電気的接続を良好にするために、高濃度のｎ型不純物が導入されたｎ^＋型半導体層を設けてもよい。同様に、ドレイン電極１７と半導体層１５との間に、ｎ^＋型半導体層を設けてもよい。

ゲート絶縁膜１４上には、Ｙ方向に延びる接続電極１８が設けられる。接続電極１８は、ドレイン電極１７に電気的に接続される。

ゲート絶縁膜１４上には、Ｙ方向に延びる信号線ＳＬが設けられる。信号線ＳＬは、Ｘ方向に隣接する２個の画素の境界部分に配置される。Ｙ方向に並んだ１列分の複数の画素は、１本の信号線ＳＬに共通接続される。信号線ＳＬは、ソース電極１６に電気的に接続される。

ソース電極１６、ドレイン電極１７、接続電極１８、信号線ＳＬ、及びゲート絶縁膜１４上には、絶縁膜１９が設けられる。

絶縁膜１９上には、反射膜２０－１、２０－２が設けられる。反射膜２０－１は、ＴＦＴ１３を覆うようにして、Ｘ方向に延びる。反射膜２０－２は、Ｙ方向に隣接する画素のＴＦＴを覆うようにして、Ｘ方向に延びる。反射膜２０－１、２０－２は、表示面側から入射する外光を反射する機能を有する。

絶縁膜１９、及び反射膜２０－１、２０－２上には、絶縁膜２１が設けられる。

絶縁膜２１上には、画素電極２２－１、２２－２が設けられる。画素電極２２－１、２２－２は、スリットＳＴによって分離され、Ｙ方向に並んで配置される。画素電極２２－１は、反射膜２０－１と部分的に重なる。画素電極２２－２は、反射膜２０－２と部分的に重なる。

画素電極２２－１は、コンタクト２３－１によって接続電極１８と電気的に接続される。画素電極２２－２は、コンタクト２３－２によって接続電極１８と電気的に接続される。

画素領域ＰＡは、画素電極２２－１、２２－２により規定され、画素電極２２－１、２２－２を合わせた領域に対応する。画素電極２２－１と反射膜２０－１とが重なる領域は、反射領域ＲＡ１となる。画素電極２２－２と反射膜２０－２とが重なる領域は、反射領域ＲＡ２となる。画素領域ＰＡのうち、反射領域ＲＡ１と反射領域ＲＡ２とを合わせた領域が画素全体の反射領域である。画素領域ＰＡのうち反射膜２０－１、２０－２が設けられていない領域が透過領域ＴＡである。透過領域ＴＡのセルギャップを“ｄ”と規定する。セルギャップは、液晶層の厚さであり、画素電極と共通電極との距離で規定される。

図示は省略するが、画素電極２２－１、２２－２及び絶縁膜２１上には、液晶層１２の配向を制御する配向膜が設けられる。配向膜は、液晶層１２の初期状態において、液晶分子を垂直に配向させる。

次に、ＣＦ基板１１側の構成について説明する。ＣＦ基板１１の液晶層１２側には、カラーフィルタ２４が設けられる。カラーフィルタ２４は、赤フィルタ、緑フィルタ、及び青フィルタのいずれかである。

カラーフィルタ２４上には、膜厚調整層２５－１、２５－２が設けられる。膜厚調整層２５－１は、反射膜２０－１と概略同じサイズ（面積）を有し、平面視において、反射膜２０－１に重なるように配置される。膜厚調整層２５－２は、反射膜２０－２と概略同じサイズ（面積）を有し、平面視において、反射膜２０－２に重なるように配置される。膜厚調整層２５－１、２５－２の高さを“ｔ”と規定する。

カラーフィルタ２４、及び膜厚調整層２５－１、２５－２上には、共通電極２６が設けられる。共通電極２６は、複数の画素に共通して設けられる。

共通電極２６上には、突起２７－１、２７－２が設けられる。突起２７－１は、平面視において、コンタクト２３－１に重なるように配置される。突起２７－２は、平面視において、コンタクト２３－２に重なるように配置される。突起２７－１、２７－２は、液晶層１２の配向を制御する機能を有する。突起２７－１、２７－２はそれぞれ、画素電極２２－１、２２－２に対応して設けられる。

突起２７－１は、膜厚調整層２５－１よりも画素の中心側に配置される。突起２７－２は、膜厚調整層２５－２よりも画素の中心側に配置される。突起２７－１、２７－２と膜厚調整層２５－１、２５－２との距離を“Ｌ”と規定する。

本実施形態の液晶表示パネル２は、マルチドメイン（配向分割）方式が適用され、すなわち、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モードが適用される。ＭＶＡモードでは、１つの画素を複数の領域（ドメイン）に分割し、複数の領域で液晶分子が傾く方向を変える。突起２７－１、２７－２は、液晶分子が傾く方向を制御する。すなわち、複数の液晶分子は、突起２７－１、２７－２を中心として放射状に傾く。ＭＶＡモードを採用することで、視野角依存性を大幅に低減でき、視野角を大きくできる。

なお、突起２７－１、２７－２に替えて、共通電極２６に形成された開口部を用いてもよい。この場合、開口部は、突起２７－１、２７－２と概略同じサイズを有する。

図示は省略するが、共通電極２６、及び突起２７－１、２７－２上には、液晶層１２の配向を制御する配向膜が設けられる。配向膜は、液晶層１２の初期状態において、液晶分子を垂直に配向させる。

ＴＦＴ基板１０の液晶層１２と反対側には、偏光板２８が積層され、ＣＦ基板１１の液晶層１２と反対側には、偏光板２９が積層される。偏光板２８及び偏光板２９は、互いの透過軸が直交するように、すなわち直交ニコル状態で配置される。ＴＦＴ基板１０と偏光板２８との間に、１／４波長板を設けてもよい。ＣＦ基板１１と偏光板２９との間に、１／４波長板を設けてもよい。

（材料の例示）
ゲート電極ＧＬ、ソース電極１６、ドレイン電極１７、及び信号線ＳＬとしては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）のいずれか、又はこれらの１種類以上を含む合金等が用いられる。接続電極１８、画素電極２２－１、２２－２、コンタクト２３－１、２３－２、及び共通電極２６は、透明電極から構成され、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）が用いられる。反射膜２０－１、２０－２としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）が用いられる。ゲート絶縁膜１４、絶縁膜１９、及び絶縁膜２１は、透明な絶縁材料から構成され、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮ）が用いられる。膜厚調整層２５－１、２５－２は、透明な樹脂で構成される。突起２７－１、２７－２は、透明な樹脂で構成される。

［１－３］ 液晶表示パネル２の条件
次に、液晶表示パネル２の条件について説明する。図４は、液晶表示パネル２の条件を説明する模式図である。

図４において、画素のうち、画素電極２２－１が設けられた領域が部分画素領域ＰＡ１、画素電極２２－２が設けられた領域が部分画素領域ＰＡ２である。部分画素領域ＰＡ１と部分画素領域ＰＡ２とを合わせた領域が画素領域ＰＡである。部分画素領域ＰＡ１と部分画素領域ＰＡ２との境界が画素中心線Ｃに対応する。

部分画素領域ＰＡ１のうち、反射膜２０－１（及び膜厚調整層２５－１）が設けられた領域が反射領域ＲＡ１、反射膜２０－１が設けられていない領域が透過領域ＴＡ１である。部分画素領域ＰＡ２のうち、反射膜２０－２（及び膜厚調整層２５－２）が設けられた領域が反射領域ＲＡ２、反射膜２０－２が設けられていない領域が透過領域ＴＡ２である。反射領域ＲＡ１と反射領域ＲＡ２とを合わせた領域が画素全体の反射領域ＲＡである。透過領域ＴＡ１と透過領域ＴＡ２とを合わせた領域が画素全体の透過領域ＴＡである。

平面視において、突起２７－１は、部分画素領域ＰＡ１のＹ方向における中心から反射領域ＲＡ１側にずれて配置される。平面視において、突起２７－２は、部分画素領域ＰＡ２のＹ方向における中心から反射領域ＲＡ２側にずれて配置される。

より具体的には、以下のように規定される。部分画素領域ＰＡ１の反射領域ＲＡ１側の端部と突起２７－１との間の距離ａ１とする。部分画素領域ＰＡ１の反射領域ＲＡ１と反対側の端部（画素中心線側の端部）と突起２７－１との間の距離ａ２とする。距離ａ１、ａ２は、「ａ１＜ａ２」の関係を有する。

部分画素領域ＰＡ２の反射領域ＲＡ２側の端部と突起２７－２との間の距離ａ３とする。部分画素領域ＰＡ２の反射領域ＲＡ２と反対側の端部（画素中心線側の端部）と突起２７－２との間の距離ａ４とする。距離ａ３、ａ４は、「ａ３＜ａ４」の関係を有する。望ましくは、Ｙ方向における上下の視野角依存性を均等にするために、「ａ１≒ａ３」、及び「ａ２≒ａ４」に設定される。

図５は、膜厚調整層と突起との距離Ｌと面押し回復時間との関係を示すグラフである。面押しとは、液晶表示パネル２の表示面に指やペンなどで圧力をかけた場合であり、面押し回復時間とは、面押しにより液晶層の配向が乱れることで発生した表示不良が回復するまでの時間である。図５の横軸が膜厚調整層と突起との距離Ｌ（μｍ）、図５の縦軸が面押し回復時間（ｓｅｃ）である。透過領域のセルギャップｄ＝３．８μｍ、面押し圧力が０．５ＭＰａ、面押しホールド時間が５ｓｅｃである。図５には、（１）フラットギャップ、（２）マルチギャップかつ反射領域のセルギャップが２．５μｍ、（３）マルチギャップかつ反射領域のセルギャップが２．２μｍのグラフを示している。フラットギャップとは、膜厚調整層がないものであり、液晶層のギャップが均一なものである。

図６は、図５のマルチギャップに関するグラフを変形したグラフである。図６の横軸がパラメータＬ×Ｄ（μｍ）であり、図６の縦軸が面押し回復時間（ｓｅｃ）である。透過領域のセルギャップｄに対する膜厚調整層の高さｔの比率Ｄとする。すなわち、「Ｄ＝ｔ／ｄ」である。パラメータＬ×Ｄは、膜厚調整層と突起との距離Ｌと比率Ｄとの積である。パラメータＬ×Ｄを用いて図５のグラフを変形することで、複数のマルチギャップにおける面押し回復時間を一義的に定義することが可能となる。図６の曲線は、「ａｘ／（ｂ－ｘ）」の関数でフィッティングして得られる。

本実施形態では、３０秒以内で面押しによる表示不良が回復することが可能な液晶表示パネル２を実現する。この場合、「Ｌ×Ｄ≦４．９μｍ」の条件を満たすように、膜厚調整層と突起との距離Ｌ、透過領域のセルギャップｄ、及び膜厚調整層の高さｔが設定される。

本実施形態では、透過領域の面積は、反射領域の面積より大きく設定される。例えば、反射領域の面積は、部分画素領域の面積の３０％以下である。換言すると、反射膜２０－１（又は膜厚調整層２５－１）の面積は、画素電極２２－１の面積の３０％以下である。同様に、反射膜２０－２（又は膜厚調整層２５－２）の面積は、画素電極２２－２の面積の３０％以下である。

［１－４］ 変形例
次に、変形例について説明する。図７は、変形例に係る液晶表示パネル２の模式図である。

部分画素領域ＰＡ１の構成は、前述した実施形態と同じである。すなわち、部分画素領域ＰＡ１は、反射領域ＲＡ１及び透過領域ＴＡ１を有する。部分画素領域ＰＡ１には、画素電極２２－１が設けられ、反射領域ＲＡ１には、反射膜２０－１が設けられる。

部分画素領域ＰＡ２は、その全体が透過領域ＴＡ１で構成される。部分画素領域ＰＡ２には、画素電極２２－２が設けられる。部分画素領域ＰＡ２には、反射領域が設けられない。突起２７－２は、部分画素領域ＰＡ２の中央に配置される。

部分画素領域ＰＡ１における距離ａ１、ａ２の条件は、実施形態と同じである。

変形例のように、画素が１個の反射領域を有するような液晶表示パネル２においても、本実施形態を適用できる。

［１－５］ 第１実施形態の効果
第１実施形態では、１個の画素が２個の部分画素領域ＰＡ１、ＰＡ２に分割される。部分画素領域ＰＡ１は、反射膜２０－１及び膜厚調整層２５－１が設けられた反射領域ＲＡ１と、これ以外の透過領域ＴＡ１とを有する。部分画素領域ＰＡ２は、反射膜２０－２及び膜厚調整層２５－２が設けられた反射領域ＲＡ２と、これ以外の透過領域ＴＡ２とを有する。反射領域ＲＡ１と透過領域ＴＡ１との境界は、膜厚調整層２５－１により段差が生じる。反射領域ＲＡ２と透過領域ＴＡ２との境界は、膜厚調整層２５－２により段差が生じる。そして、配向制御用の突起２７－１は、部分画素領域ＰＡ１（画素電極２２－１）のＹ方向における中心から膜厚調整層２５－１側にずれて配置される。同様に、突起２７－２は、部分画素領域ＰＡ２（画素電極２２－２）のＹ方向における中心から膜厚調整層２５－２側にずれて配置される。

従って第１実施形態によれば、透過表示における明るさを低下させることなく、配向不良による表示品位の低下、及び面押し時の配向乱れによる跡の残存を抑制することができる。

また、反射領域の面積が小さい場合、例えば反射領域の面積が部分画素領域の面積の３０％以下である場合に、上記効果を実現できる。

［２］ 第２実施形態
第２実施形態は、１個の画素が３個の部分画素に分割された３分割画素の構成例である。

図８は、第２実施形態に係る液晶表示パネル２の平面図である。図９は、図８のＡ－Ａ´線に沿った液晶表示パネル２の断面図である。

絶縁膜２１上には、画素電極２２－１、２２－２、２２－３が設けられる。画素電極２２－１、２２－２、２２－３は、スリットＳＴによって分離される。画素電極２２－１、画素電極２２－３、及び画素電極２２－２は、Ｙ方向に並んで配置される。

画素電極２２－３は、コンタクト２３－３によって接続電極１８と電気的に接続される。

反射膜２０－１は、平面視において、画素電極２２－１に部分的に重なる。反射膜２０－２は、平面視において、画素電極２２－２に部分的に重なる。画素電極２２－３の下方には、反射膜が設けられない。

共通電極２６上には、突起２７－３が設けられる。突起２７－３は、平面視において、画素電極２２－３の中央に配置される。

図１０は、第２実施形態に係る液晶表示パネル２の模式図である。

画素のうち、画素電極２２－１が設けられた領域が部分画素領域ＰＡ１、画素電極２２－２が設けられた領域が部分画素領域ＰＡ２、画素電極２２－３が設けられた領域が部分画素領域ＰＡ３である。部分画素領域ＰＡ３は、その全体が透過領域ＴＡ３で構成される。突起２７－３は、画素中心線Ｃ上に配置される。

図１０に示した距離ａ１～ａ４の条件は、第１実施形態と同じである。第２実施形態においても、透過表示における明るさを低下させることなく、表示品位の低下を抑制することができる。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件から選択された組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、課題が解決でき、効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。

１…液晶表示装置、２…液晶表示パネル、３…バックライト、４…走査線駆動回路、５…信号線駆動回路、６…共通電極ドライバ、７…電圧生成回路、８…制御回路、１０…ＴＦＴ基板、１１…ＣＦ基板、１２…液晶層、１３…スイッチング素子、１４…ゲート絶縁膜、１５…半導体層、１６…ソース電極、１７…ドレイン電極、１８…接続電極、１９…絶縁膜、２０－１，２０－２…反射膜、２１…絶縁膜、２２－１～２２－３…画素電極、２３－１～２３－３…コンタクト、２４…カラーフィルタ、２５－１，２５－２…膜厚調整層、２６…共通電極、２７－１～２７－３…突起、２８，２９…偏光板。

Claims (5)

1. 第１及び第２基板と、
   前記第１及び第２基板間に挟持され、無電界時に垂直配向（ＶＡ）となる液晶層と、
   前記第１基板に設けられたスイッチング素子と、
   前記第１基板に設けられ、前記スイッチング素子に接続され、第１方向に延びる接続電極と、
   前記スイッチング素子の上方に絶縁膜を介して設けられた第１反射膜と、
   前記第１反射膜の上方に絶縁膜を介して設けられ、平面視において前記第１反射膜と部分的に重なる第１画素電極と、
   前記第１画素電極と前記第１方向に並んで配置された第２画素電極と、
   前記第１及び第２画素電極と前記接続電極とをそれぞれ接続する第１及び第２コンタクトと、
   前記第２基板に設けられ、平面視において前記第１反射膜と重なる第１膜厚調整層と、
   前記第２基板及び前記第１膜厚調整層上に設けられた共通電極と、
   前記共通電極上に設けられ、前記第１及び第２画素電極に対応して設けられた第１及び第２突起と、
   を具備し、
   前記第１突起は、前記第１画素電極の前記第１方向における中心から前記第１膜厚調整層側にずれて配置される
   液晶表示装置。
2. 前記第１反射膜と同じレベルに配置され、平面視において前記第２画素電極と部分的に重なる第２反射膜と、
   前記第２基板に設けられ、平面視において前記第２反射膜と重なる第２膜厚調整層と、
   をさらに具備し、
   前記第２突起は、前記第２画素電極の前記第１方向における中心から前記第２膜厚調整層側にずれて配置される
   請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１及び第２突起は、平面視において前記第１及び第２コンタクトにそれぞれ重なる
   請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１突起と前記第１膜厚調整層との距離をＬ、前記第１膜厚調整層の高さをｔ、反射膜が形成されていない透過領域における前記液晶層の厚さをｄ、前記厚さｄに対する前記高さｔの比率をＤ（＝ｔ／ｄ）とすると、
   Ｌ×Ｄが４．９μｍ以下である
   請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. 前記第１反射膜の面積は、前記第１画素電極の面積の３０％以下である
   請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置。