JP7108478B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態は、表示装置に関する。
画像を表示する表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下有機ＥＬ）素子を用いる有機ＥＬ表示装置がある。
トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の場合、上部電極を通して有機ＥＬ素子の発光層から光を取り出すため、上部電極に透明電極又は半透明電極を用いる。発光効率を向上させるためにマイクロキャビティ効果を利用する場合、上部電極にＭｇＡｇ合金などの半透明の材料が電極材料として使用される（特許文献１）。
上部電極が対向電極である場合、対向電極と配線基板に設けられた電極とは、有機ＥＬ表示装置の画像を表示する表示領域の外側に設けられるコンタクト領域で電気的に接続される。ＭｇＡｇ合金は無機膜との密着性が低いため、対向電極がＭｇＡｇ合金で構成される場合、コンタクト領域で対向電極が剥離する虞があり、有機ＥＬ表示装置の歩留まりが下がるという問題がある。
本発明は、上記問題に鑑み、コンタクト領域でのＭｇＡｇ膜の剥離を防止し、有機ＥＬ表示装置の歩留まりを向上させることを目的の一つとする。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、複数の画素が設けられる画素領域において、前記複数の画素の各々に対応して設けられた第１電極と、前記複数の画素に亘って設けられ、前記画素領域の外側に設けられたコンタクト領域に延長された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、前記コンタクト領域に設けられた第３電極と、前記第３電極を覆い、前記第３電極を露出するコンタクトホールが設けられた有機絶縁層と、前記コンタクトホールに設けられ、外周の任意の２点間の最大距離が１μｍ以上１００μｍ以下である、前記第２電極と前記第３電極との接続部と、を備える。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、複数の画素が設けられる画素領域において、前記複数の画素の各々に対応して設けられた第１電極と、前記画素領域の周囲に設けられた周辺領域において、前記画素領域に隣接したコンタクト領域に延長され、前記複数の画素に亘って設けられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、前記コンタクト領域に設けられ、前記第２電極と電気的に接続される第３電極と、前記コンタクト領域において、任意の点から１μｍ以上１００μｍ以内の範囲で１つ以上設けられる、複数の島状の有機層と、を備える。
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、基板の一主面に対して画素領域、コンタクト領域が配置される側を「上」又は「上面」といい、その逆を「下」又は「下面」として説明する。
また、本明細書において「αはＡ、Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αはＡ～Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
また、本明細書中において、「表示装置」とは、有機ＥＬ素子を用いて画像を表示する装置を指す。したがって、表示装置には、有機ＥＬ素子を含む表示モジュール（表示パネルともいう）、及び表示モジュールに対して他の要素（例えば、カバーガラスなど）を組み合わせた表示装置が含まれる。
［第１実施形態］
図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の構成を示した概略図であり、有機ＥＬ表示装置１００を平面視した場合における概略構成を示している。本明細書では、有機ＥＬ表示装置１００を画面（画像領域）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。尚、図１において、後述するゲート線（走査線ＧＬ）が延長する方向をｘ方向、後述する映像信号線（映像信号線ＤＬ）が延長する方向をｙ方向と示している。
図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の構成を示した概略図であり、有機ＥＬ表示装置１００を平面視した場合における概略構成を示している。本明細書では、有機ＥＬ表示装置１００を画面（画像領域）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。尚、図１において、後述するゲート線（走査線ＧＬ）が延長する方向をｘ方向、後述する映像信号線（映像信号線ＤＬ）が延長する方向をｙ方向と示している。
表示装置１００は、基板１０２上に、画素領域１０４、周辺領域１０３、第１駆動回路１０８、第２駆動回路１１０、フレキシブルプリント回路１１４が設けられている。画素領域１０４には複数の画素１０６が配列される。周辺領域１０３は画素領域１０４の周辺に設けられる。周辺領域１０３には、第１駆動回路１０８、第２駆動回路１１０、フレキシブルプリント回路１１４が配置される。第１駆動回路１０８は、画素領域１０４の各画素１０６にゲート線ＧＬを介して走査信号を出力し、第２駆動回路１１０は映像信号線ＤＬを介して各画素１０６に映像信号を出力する。フレキシブルプリント回路１１４には端子電極１１６が設けられる。端子電極１１６は、外部回路から表示装置１００を駆動する信号及び電力が入力される。
図１では詳細に示されないが、画素１０６は有機ＥＬ素子を含む。有機ＥＬ素子の詳細は後述される。有機ＥＬ素子は各画素１０６に対応して個別に形成される第１電極と、画素領域１０４の略一面に形成される第２電極と、第１電極と第２電極との間の有機層を含む。本実施形態において、表示装置１００は、光を有機ＥＬ素子の上側から取り出すトップエミッション型の表示装置である。
周辺領域１０３において、画素領域１０４に隣接して、画素領域１０４の外側にコンタクト領域１１２が設けられる。コンタクト領域１１２は、有機ＥＬ素子の第２電極が、端子電極１１６と接続される第３電極と電気的に接続される領域となる。本実施形態においては、第２電極はコンタクト領域１１２の略全面に重畳するものとする。第３電極は、基板１０２に設けられた配線を介して端子電極１１６と接続されてもよい。また、第３電極は、基板１０２に設けられ、端子電極１１６と接続された配線であってもよい。
図２は、図１に示した領域Ａの拡大図である。図２に示すように、コンタクト領域１１２において、第２電極は、複数のコンタクトホール１４０を介して第３電極と接続される。コンタクトホール１４０においては、第２電極と第３電極とが接続する接続部分が設けられている。コンタクトホール１４０における第２電極と第３電極との接続部分の外周の任意の２点間の最大距離は１μｍ以上１００μｍ以下である。
図３は、図２に示したコンタクトホール１４０の拡大図である。本実施形態のように第２電極がコンタクトホール１４０全体に重畳する場合、第２電極及び第３電極との接続部分の外周は、コンタクトホール１４０の底部の外周に相当する。したがって、コンタクトホール１４０の底部の外周における任意の２点間の最大距離は、１μｍ以上１００μｍ以下である。つまり、図３に示すように、コンタクトホール１４０が矩形の場合、コンタクトホール１４０のｘ方向の幅ｗ１、ｙ方向の幅ｗ２、及び対角方向の幅ｗ３のうち、ｗ３が最大である場合、１μｍ≦ｗ３≦１００μｍである。尚、図２において、コンタクトホールを明確に示すために、第２電極及び第３電極は省略されている。
尚、コンタクトホール１４０に形状は、矩形に限定されるわけではない。例えば、コンタクトホール１４０が円形であれば、コンタクトホールの径の大きさが１μｍ以上１００μｍ以下であればよい。また、例えば、コンタクトホール１４０が楕円形であれば、コンタクトホール１４０の長径が１μｍ以上１００μｍ以下であればよい。
図４は、図２におけるＢ－Ｂ線に対応する断面構造を示す。図４に示すように、画素１０６は基板１０２上に配置される。画素１０６はトランジスタ１１８と有機ＥＬ素子１２０を含んで構成される。
基板１０２としては、ガラス基板、有機樹脂フィルム等が適用される。基板１０２の第１面にはベースコート層１２２が設けられる。ベースコート層１２２は無機絶縁膜で形成される。トランジスタ１１８は、半導体層１２４、ゲート絶縁層１２６及びゲート電極１２８が積層された構造を有する。トランジスタ１１８は、半導体層１２４とゲート電極１２８とが重畳する領域がチャネル形成領域となり、その外側に一導電型を付与する不純物元素が添加されたソース・ドレイン領域１３０を有する。
有機ＥＬ素子１２０は、第１電極１４２、有機層１４６、第２電極１４８が積層された構造を有する。本実施形態においては、第１電極１４２がアノード、第２電極１４８がカソードであるものとする。第１電極１４２は、各画素１０６に個別に配置され、トランジスタ１１８と電気的に接続される。具体的に第１電極１４２は、ソース・ドレイン電極１３４と電気的に接続される。ソース・ドレイン電極１３４は、またトランジスタ１１８のソース・ドレイン領域１３０と電気的に接続される。これにより、有機ＥＬ素子１２０は実質的にトランジスタ１１８と電気的に接続された状態となる。有機ＥＬ素子１２０はトランジスタ１１８によって発光が制御される。第２電極１４８は、画素領域１０４の略一面に形成され、画素領域１０４の外側のコンタクト領域１１２で第３電極１３６と電気的に接続されている。
尚、トランジスタ１１８のゲート電極１２８とソース・ドレイン電極１３４との間には層間絶縁層１３２が設けられている。また、ソース・ドレイン電極１３４と第１電極１４２との間には平坦化層１３８が設けられている。さらに、平坦化層１３８上には、第１電極１４２の周縁部を覆う隔壁層１４４が設けられている。
図４で示す積層構造において、ベースコート層１２２、ゲート絶縁層１２６、層間絶縁層１３２は無機絶縁膜で形成される。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等が用いられる。一方、平坦化層１３８、隔壁層１４４は、有機絶縁膜で形成される。有機絶縁膜としては、例えば、ポリイミド膜、アクリル膜、エポキシ膜等が用いられる。また、半導体層１２４は、シリコン半導体、又は酸化物半導体によって形成される。ゲート電極１２８は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）等の金属材料で形成される。ソース・ドレイン電極１３４は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）膜の下層側及び上層側にチタン（Ｔｉ）膜が積層された構造を有する。また、第３電極１３６は、ソース・ドレイン電極１３４と同じ導電層、又はゲート電極１２８と同じ導電層で形成される。図４は、第３電極１３６が、ソース・ドレイン電極１３４と同じ導電層で設けられる態様を示す。
コンタクト領域１１２において、第３電極１３６は平坦化層１３８及び隔壁層１４４の下層側に配置され、平坦化層１３８と隔壁層１４４によって覆われている。このため第３電極１３６は、平坦化層１３８及び隔壁層１４４に形成されたコンタクトホール１４０によって上面が露出される。第２電極１４８は、画素領域１０４から周辺領域１０３に延長され、コンタクトホール１４０において第３電極１３６と電気的に接続される。
有機ＥＬ素子１２０の上層側には封止層１５０が設けられる。封止層１５０は、複数の膜が積層された構造を有する。図４では、一例として、封止層１５０が第１無機絶縁膜１５２、有機樹脂膜１５４及び第２無機絶縁膜１５６が積層された構造を有する場合を示している。封止層１５０は、異なる素材を組み合わせた積層構造により、封止性能を高められている。例えば、第１無機絶縁膜１５２に欠陥が含まれても、有機樹脂膜１５４がその欠陥部分を埋め込み、さらに第２無機絶縁膜１５６を設けることで当該欠陥による封止性能の劣化を補うことのできる構造を有している。
図５は、有機ＥＬ素子１２０の詳細を示す。有機ＥＬ素子１２０は、有機層１４６が第１電極１４２と第２電極１４８とに挟まれた構造を有する。有機層１４６は、有機エレクトロルミネセンス材料を含む発光層１６４に加え、キャリア輸送特性（例えば、キャリアの移動度）が異なる複数の層が積層されていてもよい。例えば、有機層１４６は、第１電極１４２側から、ホール注入層１５８、ホール輸送層１６０、電子ブロック層１６２、発光層１６４、ホールブロック層１６６、電子輸送層１６８、電子注入層１７０が積層された構造を有していてもよい。
有機ＥＬ素子１２０の第１電極１４２はアノードであり、有機層１４６にホールを注入するため、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）導電性材料で形成される。例えば、第１電極１４２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物材料を用いて作製することができる。第１電極１４２は導電性金属酸化物材料を用いてスパッタリング法や真空蒸着法により作製される。
ホール注入層１５８は、第１電極１４２から発光層１６４へのホールの注入障壁を下げると共に、第１電極１４２とホール輸送層１６０とのエネルギーレベルの相違を緩和し、ホールの注入を容易にするために設けることが好ましい。ホール注入層１５８は、フタロシアニン系、アミン系、カルバゾール系の有機材料が用いられる。
ホール輸送層１６０に用いられるホール輸送層材料は、後述する発光層１６４へのホールの移動率を高めるため、適度なイオン化ポテンシャルを有すると同時に、発光層１６４から電子がホール輸送層１６０側に移動することを防止する程度の電子親和力を有する材料であることが好ましい。ホール輸送層１６０は、アリールアミン系化合物、カルバゾール基を含むアミン化合物、フルオレン誘導体を含むアミン化合物等のホール移動度が高い有機材料が用いられる。
発光層１６４は、ホスト材料とドーパント材料を組み合わせて形成することができる。このような、ホスト材料とドーパント材料の組み合わせを用いると、励起状態のホスト分子のエネルギーがドーパント材料の分子へ移動してドーパント材料の分子がエネルギーを放出して発光する。ホスト化合物としては、電子輸送材料、正孔輸送材料を用いることができる。例えば、Ａｌｑ3等のキノリノール金属錯体のホスト材料にピラン系誘導体、キナクリドン誘導体や、クマリン誘導体をドープしたもの、後述する電子輸送材料のビス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリン）－４－フェニルフェノール－アルミニウム錯体等のホスト材料に、ペリレン等の縮合多環芳香族をドープしたもの、あるいはホール輸送材料の４，４’－ビス（ｍ－トリルフェニルアミノ）ビフェニル（ＴＰＤ）等のホスト材料にルブレン等をドープしたもの、カルバゾール系化合物のホスト材料に、イリジウム錯体や白金錯体をドープしたもの等を用いることができる。
尚、発光層１６４は、上述のような材料を用いて、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応して設けられていてもよいし、白色発光を得るために、赤（Ｒ）色に対応する層、緑（Ｇ）色に対応する層、青（Ｂ）に対応する層が積層された構造、又は青（Ｇ）と黄色（Ｙ）に対応する層が積層された構造を有していてもよい。
電子輸送層１６８に用いられる電子輸送層材料は、発光層１６４への電子の移動率を高めるため、適度なイオン化ポテンシャルを有すると同時に、発光層１６４からホールが電子輸送層１６８側に移動することを防止する程度の電子親和力を有する材料であることが好ましい。電子輸送層１６８は、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キノリノール系の金属錯体等の有機物質を用いて形成することができる。
電子注入層１７０は、第２電極１４８の仕事関数と、電子輸送層１６８の電子親和力（ＬＵＭＯ準位）のエネルギー差が大きいことに起因して電子の注入が困難になるのを緩和するために設けられる。具体的には、電子注入層１７０は、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、カルシウム（Ｃａ）等のアルカリ土類金属、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類、又はリチウム（Ｌｉ）等と電子輸送材料との共蒸着膜、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、炭酸セシウム（ＣｓＣＯ3）等のフッ化物、酸化物や炭酸塩などから選択される仕事関数の小さい物質で形成することができる。
ホールブロック層１６６、電子ブロック層１６２は、発光層１６４を挟むように設けられる。ホールブロック層１６６は、第１電極１４２の側から発光層１６４を通過して第２電極１４８側へホールが移動することを抑制し、電子ブロック層１６２は、第２電極１４８の側から発光層１６４を通過して第１電極１４２側へ電子が移動することを抑制するために設けられる。このようなホールブロック層１６６及び電子ブロック層１６２を設けることにより、発光層１６４でホールと電子が再結合する確率を向上させ、有機ＥＬ素子１２０の発光効率（内部量子効率）を向上させることができる。
電子ブロック層１６２の材料は、ＬＵＭＯ準位が高く、即ち、電子親和力が小さく、ＨＯＭＯ準位がホール輸送層のＨＯＭＯ準位に近い材料で形成されることが好ましい。例えば、電子ブロック層１６２は、スターバーストアミン系材料、ＴＰＤ等の有機材料を用いて形成することができる。
ホールブロック層１６６の材料としては、ＨＯＭＯ準位が低く（イオン化ポテンシャルの大きい）、ＬＵＭＯ準位が電子輸送層のＬＵＭＯ準位に近い材料で形成されることが好ましい。例えば、トリアリールボラン誘導体等、ＢＡｌｑ等の有機材料を用いて形成することができる。
第２電極１４８は、カソードであり、有機層１４６に電子を注入するため、仕事関数の小さい導電性材料で形成されることが好ましい。本実施形態において、表示装置１００は、トップエミッション型であるため、第２電極１４８の材料は、透明電極又は半透明電極を用いる。マイクロキャビティ効果によって有機ＥＬ素子１２０の発光効率を向上させるために、本実施形態では、第２電極１４８として、マグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ合金）から形成された半透明電極を用いる。
尚、上記で例示される、有機層１４６を構成する有機材料は一例に過ぎず、上記以外にも公知の材料を用いることができる。また、有機層１４６の積層構造も図５に示す構造に限定されない。例えば、有機層１４６は、ホール注入層、ホールブロック層１６６、電子ブロック層１６２等が適宜省略された構造を有していてもよい。
上述したように、第２電極１４８の材料であるＭｇＡｇ合金は無機膜との密着性が低いため、ＭｇＡｇ合金を含む第２電極１４８は第３電極１３６との密着性が低い。そのため、本実施形態においては、コンタクトホール１４０における、第２電極１４８及び第３電極１３６との接続部分の外周において、任意の２点間の最大距離は、１μｍ以上１００μｍ以下に設定する。第２電極１４８と第３電極１３６との接続部における任意の２点間の最大距離を１００μｍ以下に限定することにより、第２電極１４８と第３電極１３６との剥離を防止して、表示装置１００の歩留まりを向上させることができる。また、コンタクトホール１４０の周辺及びコンタクトホール１４０の側壁で第２電極１４８と接触している平坦化層１３８及び隔壁層１４４は、有機絶縁膜である。そのため、第２電極１４８と平坦化層１３８及び隔壁層１４４との密着性は、第２電極１４８と第３電極１３６との密着性よりも高い。したがって、第２電極１４８がコンタクトホール１４０の周辺及びその側壁で、平坦化層１３８及び隔壁層１４４と密着することより、第２電極１４８がコンタクトホール１４０から剥離することが防止される。その結果、第２電極１４８と第３電極１３６とが剥離することが防止され、表示装置１００の歩留まりが向上される。
以上に述べた第１実施形態では、第２電極１４８がコンタクト領域１１２の略全面に重畳する場合を説明した。しかしながら、第２電極１４８はコンタクトホール１４０に少なくとも一部が重畳していればよい。
［第２実施形態］
図６は、本実施形態の表示装置１００Ａを平面視した場合の拡大図である。尚、表示装置１００Ａの概略構成は、図１を参照して説明した表示装置１００の概略構成と略同様であるため詳細な説明は省略する。
図６は、本実施形態の表示装置１００Ａを平面視した場合の拡大図である。尚、表示装置１００Ａの概略構成は、図１を参照して説明した表示装置１００の概略構成と略同様であるため詳細な説明は省略する。
図６に示すように、本実施形態に係る表示装置１００Ａでは、第２電極１４８Ａがコンタクト領域１１２Ａに設けられたコンタクトホール１４０Ａに一部が重畳する。詳細には、第２電極１４８Ａの端部が、コンタクトホール１４０Ａの少なくとも一部と重畳する。
図７は、図６に示した領域Ｃの拡大図である。図８は、図６におけるＤ－Ｄ線に対応する断面構造を示す。第１実施形態と同様にコンタクト領域１１２Ａにおいて、第２電極１４８Ａは、複数のコンタクトホール１４０Ａを介して第３電極１３６と接続される。第３電極１３６は、コンタクトホール１４０Ａによって露出されている。上述したように、本実施形態では、第２電極１４８Ａの端部が、コンタクトホール１４０Ａの少なくとも一部と重畳している。コンタクトホール１４０Ａにおける、第２電極１４８Ａと、第３電極１３６との接続部分の外周において、任意の２点間の最大距離は１μｍ以上１００μｍ以下である。つまり、図７に示すように、コンタクトホール１４０Ａが矩形の場合、コンタクトホール１４０Ａにおける第２電極１４８Ａと、第３電極１３６との接続部分のｘ方向の幅ｗ４、ｙ方向の幅ｗ５、及び対角方向の幅ｗ６のうち、ｗ６が最大である場合、１μｍ≦ｗ６≦１００μｍである。尚、図６及び図７において、コンタクトホールを明確に示すために、第３電極１３６は省略されている。
第２電極１４８Ａと第３電極１３６との接続部分の外周における、任意の２点間の最大距離を１００μｍ以下に限定することにより、第２電極１４８Ａと第３電極１３６との剥離を防止して、表示装置１００Ａの歩留まりを向上させることができる。
以上に述べた第１実施形態及び第２実施形態では、コンタクトホール１４０、１４０Ａでの第２電極１４８、１４８Ａと第３電極１３６との接続部分の外周における、任意の２点間の最大距離を１μｍ以上１００μｍ以下に限定している場合を説明した。しかしながら、コンタクト領域における第２電極及び第３電極の接続態様はこれらに限定されるわけではない。
［第３実施形態］
図９は、本実施形態の表示装置１００Ｂを平面視した場合の拡大図である。尚、表示装置１００Ｂの概略構成は、図１を参照して説明した表示装置１００の概略構成と略同様であるため詳細な説明は省略する。
図９は、本実施形態の表示装置１００Ｂを平面視した場合の拡大図である。尚、表示装置１００Ｂの概略構成は、図１を参照して説明した表示装置１００の概略構成と略同様であるため詳細な説明は省略する。
図９に示すように、本実施形態に係る表示装置１００Ｂでは、コンタクト領域１１２Ｂにおいて、島状の有機層８０１が複数設けられる。コンタクト領域１１２Ｂでは、任意の点ｑから１μｍ以上１００μｍ以内の範囲内で１つ以上の島状の有機層８０１が設けられる。換言すると、任意の点ｑを中心した、半径ｒ（１≦ｒ≦１００）μｍの円の内側には１つ以上の島状の有機層８０１が設けられる。
図１０は、図９におけるＥ－Ｅ線の沿った断面図である。図１０に示すように、コンタクト領域１１２Ｂにおいて、島状の有機層８０１が設けられる。有機層８０１は、隔壁層１４４と同一の材料で形成されてもよい。有機層８０１は、コンタクト領域１１２Ｂまで延在された隔壁層１４４及び平坦化層１３８に設けられた開口８０３によって、隔壁層１４４から分離されて形成されてもよい。有機ＥＬ素子１２０の第２電極１４８Ｂは、コンタクト領域１１２Ｂに延長される。コンタクト領域１１２Ｂにおいて、隣接し合う隔壁層１４４と島状の有機層８０１との間、及び互いに隣接する島状の有機層８０１の間に設けられた開口８０３によって第３電極１３６Ｂが露出される。第２電極１４８Ｂは、開口８０３において第３電極１３６Ｂと接続する。
本実施形態では、コンタクト領域１１２Ｂにおける、任意の点ｑから１μｍ以上１００μｍ以内の範囲内で１つ以上の有機層８０１を設けることにより、第２電極１４８Ｂと第３電極１３６Ｂとの接続部分の大きさを１μｍ以上１００μｍ以内に設定する。これにより、第２電極１４８Ｂと第３電極１３６Ｂとの剥離を防止して、表示装置１００Ｂの歩留まりを向上させることができる。また、コンタクトホール領域１１２Ｂにおいて、開口８０３の周辺及び開口８０３の側壁で第２電極１４８と接触している平坦化層１３８及び隔壁層１４４又は島状の有機層８０１は、有機絶縁膜である。そのため、第２電極１４８と平坦化層１３８及び隔壁層１４４又は島状の有機層８０１との密着性は、第２電極１４８と第３電極１３６との密着性よりも高い。したがって、第２電極１４８が開口８０３の周辺及びその側壁で、平坦化層１３８及び隔壁層１４４又は島状の有機層８０１と密着することより、第２電極１４８が開口８０３から剥離することが防止される。その結果、第２電極１４８と第３電極１３６とが剥離することが防止され、表示装置１００Ｂの歩留まりが向上される。
［実施例］
７３０ｍｍ×９２０ｍｍのガラス基板上に、図４及び図５を参照して説明した第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に基づいて、有機ＥＬ表示装置を作製した。この際、コンタクトホールにおける第２電極（カソード）と、該第２電極と接続される第３電極との接続部分の外周の任意の２点間の最大距離を１００μｍとした有機ＥＬ表示装置を実施例１とした。また、比較例として、コンタクトホールにおける第２電極（カソード）と第３電極との接続部分の外周の任意の２点間の最大距離を２００μｍ、及びコンタクトホールにおける第２電極（カソード）と第３電極との接続部分の外周の任意の２点間の最大距離を５００μｍとした有機ＥＬ表示装置を比較例１及び比較例２として準備した。
７３０ｍｍ×９２０ｍｍのガラス基板上に、図４及び図５を参照して説明した第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に基づいて、有機ＥＬ表示装置を作製した。この際、コンタクトホールにおける第２電極（カソード）と、該第２電極と接続される第３電極との接続部分の外周の任意の２点間の最大距離を１００μｍとした有機ＥＬ表示装置を実施例１とした。また、比較例として、コンタクトホールにおける第２電極（カソード）と第３電極との接続部分の外周の任意の２点間の最大距離を２００μｍ、及びコンタクトホールにおける第２電極（カソード）と第３電極との接続部分の外周の任意の２点間の最大距離を５００μｍとした有機ＥＬ表示装置を比較例１及び比較例２として準備した。
以上に述べた実施例１、比較例１及び比較例２における第２電極と第３電極との剥離の発生率は以下の表１のとおりである。
以上の表１から明らかなように、コンタクト領域において、第２電極と第３電極との接続部分の外周の任意の２点間の最大距離を１μｍ以上１００μｍ以下にすることにより、第２電極と第３電極とが剥離することが防止され、表示装置の歩留まりが向上されることが理解される。
１００，１００Ａ，１００Ｂ・・・表示装置、１０２・・・基板、１０４・・・画素領域、１０６・・・画素、１０８・・・第１駆動回路、１１０・・・第２駆動回路、１１２，１１２Ａ，１１２Ｂ・・・コンタクト領域、１１４・・・端子領域、１１６・・・端子電極、１１８・・・トランジスタ、１２０・・・有機ＥＬ素子、１２２・・・ベースコート層、１２４・・・半導体層、１２６・・・ゲート絶縁層、１２８・・・ゲート電極、１３０・・・ソース・ドレイン領域、１３２・・・層間絶縁層、１３４・・・ソース・ドレイン電極、１３６，１３６Ｂ・・・第３電極、１３８・・・平坦化層、１４０・・・開口部、１４２・・・第１電極、１４４・・・隔壁層、１４６・・・有機層、１４８，１４８Ａ，１４８Ｂ・・・第２電極、１５０・・・封止層、１５２・・・第１無機絶縁膜、１５４・・・有機樹脂膜、１５６・・・第２無機絶縁膜、８０１・・・有機層、８０３・・・開口
Claims (5)
- 複数の画素が設けられる画素領域において、前記複数の画素の各々に対応して設けられた第１電極と、
前記画素領域の周囲に設けられた周辺領域において、前記画素領域に隣接したコンタクト領域に延長され、前記複数の画素に亘って設けられた第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層と、
前記コンタクト領域に設けられ、前記第２電極と電気的に接続される第３電極と、
前記コンタクト領域において、任意の点から１μｍ以上１００μｍ以内の範囲で１つ以上設けられる、複数の島状の有機層と、
を備え、
前記第２電極は、ＭｇＡｇ合金を含み、
前記第３電極は、無機膜を含む、表示装置。 - 前記第３電極は、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金、アルミニウム、チタンの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の表示装置。
- 前記第３電極は、前記コンタクト領域において、互いに隣接する複数の島状の有機層の間に設けられた開口を介して前記第２電極と接続される、請求項１に記載の表示装置。
- 前記発光層は、有機ＥＬ材料を含む、請求項１に記載に表示装置。
- 前記コンタクト領域に設けられ、前記第２電極と前記第３電極とが接続する接続部は、その外周における２点間の距離の最大値が１μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１乃至４の何れか一項に記載の表示装置。
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