JP2018097361A - 有機発光表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】共通電圧等を供給する部材を露出するように、有機発光層を貫くコンタクトホールをレーザー照射等により設ける工程に起因する不具合等を防止する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、基板と、前記基板上に形成され、画像を表示する画素領域および前記画素領域に隣接した周辺領域を含む画素と、前記基板上の前記画素領域および前記周辺領域に形成される絶縁層と、前記絶縁層上の前記画素領域に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記周辺領域に延長された有機発光層と、前記有機発光層上に形成され、前記画素領域および前記周辺領域に形成される第２電極と、前記基板上の前記周辺領域に配置され、前記絶縁層に形成された第１開口部により一部が露出される補助電極と、前記補助電極上に配置され、前記第１開口部により露出された前記補助電極の上面と接触する補助部材と、を含んでもよい。【選択図】図３

Description

本発明は、有機発光表示装置およびその製造方法に関する。

現在知られている表示装置には、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ ｄｅｖｉｃｅ）、電界効果表示装置（ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）などがある。

特に、有機発光表示装置は、二つの電極と、その間に位置する有機発光層とを含み、一つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と、他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が、有機発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。

有機発光表示装置は、自発光（ｓｅｌｆ−ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）特性を有し、液晶表示装置とは異なり、別途の光源を必要としないため、厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度および速い応答速度などの高品位特性を示すため、次世代の表示装置として注目されている。

このような有機発光表示装置が大型化されるほど、共通電極の電圧降下により画面に染みが発生する恐れがある。このような電圧降下を解決するために、各サブ画素にて共通電極と共通電圧線を互いに連結することが提案されている（特許文献１）。

また、この際、共通電極と共通電圧線を互いに連結するために、有機発光層の一部をレーザで除去して前記共通電極と共通電圧線を電気的に連結することが提案されている（特許文献１）。

しかし、レーザを用いて有機発光層の一部を除去する過程で、有機発光層の下部に位置した金属層が破損し、破損した金属層の間に有機膜の残留ガス成分が排出されて共通電極が酸化されるという問題が発生することがありうる。そこで、レーザ照射箇所にモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などのエネルギー吸収性の高い材料からなる吸収電極を設けることも提案された（特許文献１）。

特開2015-079746（KR10-2015-0044083A）号公報

前記のような技術的背景に基づき、本発明は、製造工程を追加することなしに、レーザにより有機発光層下部に位置した金属層が破損することを防止できる有機発光表示装置およびその製造方法を提供することにその目的がある。

また、破損した金属層を通じて有機膜の残留ガスが排出されて共通電極が酸化されることを防止できる有機発光表示装置およびその製造方法を提供することにその目的がある。

本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、基板と、前記基板上に形成され、画像を表示する画素領域および前記画素領域に隣接した周辺領域を含む画素と、前記基板上の前記画素領域および前記周辺領域に形成される絶縁層と、前記絶縁層上の前記画素領域に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記周辺領域に延長された有機発光層と、前記有機発光層上に形成され、前記画素領域および前記周辺領域に形成される第２電極と、前記基板上の前記周辺領域に配置され、前記絶縁層に形成された第１開口部により一部が露出される補助電極と、前記補助電極上に配置され、前記第１開口部により露出された前記補助電極の上面と接触する補助部材と、を含んでもよい。

前記有機発光層は、前記周辺領域で前記補助部材上に配置され、前記補助部材の一部を露出させる第２開口部が形成されてもよい。

前記第２電極は、前記第２開口部を通じて前記補助部材と接触してもよい。

前記第２開口部は、円形状であってもよい。

前記補助部材は、前記絶縁層の前記第１開口部を覆ってもよい。

前記補助部材は、前記第１開口部の内周面の一部と接触してもよい。

前記補助部材は、前記第１電極と、同一の材料及び膜構成（厚みや積層膜の場合の積層構造）により、積層構造中の同一の層に位置するように形成されてもよい。

前記補助部材は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、銀（Ａｇ）およびＩＴＯが順次に積層されて形成されてもよい。

前記補助電極は、共通電圧を伝達する共通電圧線であってもよい。

前記補助電極は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）およびモリブデン（Ｍｏ）が順次に積層されて形成されてもよい。

前記画素は、前記画素領域と前記周辺領域を含む少なくとも一つのサブ画素を含み、前記サブ画素は、赤色サブ画素であってもよい。

本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上に半導体層、前記半導体層上に形成されるゲート電極、および前記半導体層に連結されたソース電極およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する段階と、前記基板上に共通電圧を供給する補助電極を形成する段階と、前記薄膜トランジスタおよび前記補助電極上に形成され、前記ドレイン電極と前記補助電極の一部を露出させる絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層上に形成され、前記ドレイン電極と接触する第１電極を形成する段階と、前記絶縁層に形成された第１開口部を通じて前記補助電極と接触する補助部材を形成する段階と、前記第１電極および前記補助部材上に有機発光層を形成する段階と、前記補助部材の一部が露出されるように前記有機発光層の一部を除去する段階と、前記有機発光層上に第２電極を形成する段階と、を含んでもよい。

前記有機発光層の一部を除去する段階は、レーザを利用して行われてもよい。

前記有機発光層の一部を除去する段階は、前記有機発光層の一部を除去して第２開口部を形成してもよい。

前記第２開口部は、円形状であってもよい。

前記補助部材の一部が露出される第３開口部と前記第１電極の一部が露出される第４開口部が形成される画素定義膜を形成する段階をさらに含んでもよい。

前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記補助電極は、同一の材料により、積層構造中の同一の層に位置するように形成されたものであってもよい。

前記第１電極と前記補助部材を、同一の材料及び膜構成（厚みや積層膜の場合の積層構造）により、積層構造中の同一の層に位置するように形成してもよい。

前記補助部材は、前記第１開口部により露出された前記補助電極の上面全体と接触してもよい。

具体的な一実施形態によると、大画面化などに対処すべく、サブ画素ごと、または所定の数のサブ画素ごとに、第２電極（共通電極）に共通電圧を供給するコンタクトホールを備える有機発光表示装置を、下記(i)〜(iv)を含む一連の工程により製造するにあたり、製造工程を追加することなしに、下記(iii)の工程にて、共通電極供給用の接続部（「補助部材410」）の金属層が破損するのを防止するようにするものである。
(i)TFT及び配線を覆う樹脂絶縁膜（「平坦化膜180」）を形成する。
(ii)樹脂絶縁膜に、第1電極（710）のパターンを形成した後、表示パネルの全面に青色や白色などの有機発光層(720)を形成する。
(iii)有機発光層を貫くコンタクトホールをレーザ照射により設けて共通電圧供給配線（「補助電極310」）の上面を露出させる。
(iv)この上に、全面に第２電極（730共通電極）を形成する。

そして、この具体的な一実施形態によると、下記Ａ〜Ｂにより、下記Ｃのとおりとなっている。
Ａ．共通電圧供給配線（「補助電極310」）を樹脂絶縁膜（「平坦化膜180」）より前に形成し、共通電圧供給配線の上面の一部を、樹脂絶縁膜（平坦化膜）を貫くコンタクトホールにより露出させる。
Ｂ．この露出部分に、第１電極と同時に形成される接続部（「補助部材410」）を設ける。
Ｃ．この結果、レーザ照射領域には、樹脂絶縁層が存在せず、接続部（「補助部材410」）は、共通電圧供給配線（「補助電極310」）に直接重ね合わされて、支持されている。そのため、接続部（「補助部材410」）が局部的に撓（たわ）んで亀裂を生ずることがなく、樹脂絶縁膜からの分解ガスが漏れ出して、有機発光層を酸化させることがない。

前記のような有機発光表示装置およびその製造方法によると、製造工程を追加することなしに、有機発光層の一部を除去するレーザにより有機発光層の下部に位置した金属層が破損されることを防止することができる。

また、有機膜の残留ガス成分により共通電極が酸化されることを防止することができる。

また、有機発光層が発光されないことから発生する有機発光表示装置の暗点発生現象を防止することができる。

また、有機発光表示装置で電圧降下が発生して輝度が不均一になることを防止することができる。

本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の一つの画素の等価回路図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の一部配置図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断した断面図である。 図３のＡ領域の補助部材が破損される過程を説明した比較例に関する図面である。 図３のＡ領域の補助部材が破損される過程を説明した比較例に関する図面である。 図３の有機発光表示装置の変形例である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示した図面である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示した図面である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示した図面である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示した図面である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示した図面である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を順次に示した図面である。

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。本発明は、多様な異なる形態に実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。図面において本発明を明確に説明するために、説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似する構成要素については同一の参照符号を付した。

また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは、説明の便宜のために任意に示したため、本発明は必ずしも示されたところに限定されない。

図面において複数の層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して表示した。そして、図面において説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して表示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるという時、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。

また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」という時、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。また、明細書全体において、「上に」とは、対象となる部分の上または下に位置することを意味し、必ず重力方向を基準に上側に位置することを意味するのではない。

また、明細書全体において、「平面状」という時、これは対象となる部分を上から見た時を意味し、「断面状」という時、これは対象となる部分を垂直に切断した断面を側から見た時を意味する。

また、添付図面に示されたトランジスター（ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とキャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）の個数に限定されず、有機発光表示装置は一つの画素に複数のトランジスタと一つ以上のキャパシタを備えることができ、別途の配線がさらに形成されたり、既存の配線が省略されたりといった多様な構造を有するように形成することもできる。ここで、画素は画像を表示する最小単位をいい、有機発光表示装置は複数の画素を通じて画像を表示する。

以下、図１乃至図３を参照して本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置について説明する。

まず、本実施形態に係る有機発光表示装置は、それぞれが複数のサブ画素からなる複数の画素からなることができる。この時、サブ画素は、赤色、緑色または青色などの基本色を示すことができる最小単位であり、前記色を示す複数のサブ画素の組み合わせにより一つの画素で特定の色を実現することができる。

図２および図３を参照すると、少なくとも一つのサブ画素は、光を発光する画素領域ＤＡと前記画素領域ＤＡに隣接した周辺領域ＰＡとを含むことができる。本実施形態によると、画素領域ＤＡでは第１電極７１０と第２電極７３０との間に配置された有機発光層７２０で光を発光し、周辺領域ＰＡでは共通電圧が補助電極３１０を通じて第２電極７３０に伝達され得る。

本実施形態によると、一つの画素を構成する複数のサブ画素のうちの少なくとも一つのサブ画素が前記周辺領域ＤＡを含むことができる。例えば、複数のサブ画素がそれぞれ赤色サブ画素、緑色サブ画素および青色サブ画素である場合、赤色サブ画素だけが前記画素領域ＤＡと周辺領域ＰＡを含み、残りの緑色サブ画素および青色サブ画素は画素領域ＤＡだけを含むことができる。ここで、赤色サブ画素を通じて供給された共通電圧が緑色サブ画素および青色サブ画素でも共通に用いられ得る。

しかし、これに限定されず、赤色サブ画素、緑色サブ画素および青色サブ画素のすべてが画素領域ＤＡおよび周辺領域ＰＡを含むこともできる。この場合には、共通電圧が赤色、緑色および青色サブ画素にそれぞれ供給される。

以下、有機発光表示装置のサブ画素の細部構造を説明するに先立ち、図１を参照して有機発光表示装置の一つのサブ画素の作動原理について説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の一つの画素の等価回路図である。

図１に示すように、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の一つのサブ画素ＰＸは、複数の信号線１２１、１２２、１７１、１７２、前記複数の信号線に連結されている複数のトランジスタＴｄ、Ｔｓ、Ｔｖｔｈ、複数のキャパシタＣｓｔ、Ｃｖｔｈおよび有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）を含む。

複数のトランジスタＴｄ、Ｔｓ、Ｔｖｔｈは、駆動トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔｄ、スイッチングトランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔｓ、補償トランジスタ（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔｖｔｈを含み、複数のキャパシタＣｓｔ、Ｃｖｔｈは、ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔおよび補償キャパシタ（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｖｔｈを含む。

信号線１２１、１２２、１７１、１７２は、スキャン信号Ｓｎを伝達するゲート線１２１と、補償トランジスタＴｖｔｈに補償制御信号Ｇｃを伝達する補償制御線１２２と、ゲート線１２１に交差してデータ電圧Ｄｍを伝達するデータ線１７１と、駆動トランジスタＴｄに駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達する駆動電圧線１７２とを含む。

駆動トランジスタＴｄのゲート電極は補償キャパシタＣｖｔｈの一端と連結されており、駆動トランジスタＴｄのソース電極は駆動電圧線１７２と連結されており、駆動トランジスタＴｄのドレイン電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード（ａｎｏｄｅ）と電気的に連結されている。

補償トランジスタＴｖｔｈのゲート電極は補償制御線１２２に連結されており、補償トランジスタＴｖｔｈのソース電極は駆動トランジスタＴｄのドレイン電極および有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード（ａｎｏｄｅ）と連結されており、補償トランジスタＴｖｔｈのドレイン電極は補償キャパシタＣｖｔｈの一端および駆動トランジスタＴｄのゲート電極と連結されている。このような補償トランジスタＴｖｔｈは、補償制御線１２２を通じて伝達された補償制御信号Ｇｃによりターンオンされて駆動トランジスタＴｄのゲート電極とドレイン電極を互いに連結して駆動トランジスタＴｄをダイオード連結させる。

駆動トランジスタＴｄがダイオード連結された期間の間に補償キャパシタＣｖｔｈに駆動トランジスタＴｄのしきい電圧に対応する電圧が設定される。

スイッチングトランジスタＴｓのゲート電極はゲート線１２１と連結されており、スイッチングトランジスタＴｓのソース電極はデータ線１７１及びストレージキャパシタＣｓｔの一端と連結されており、スイッチングトランジスタＴｓのドレイン電極はストレージキャパシタＣｓｔの他端および補償キャパシタＣｖｔｈの他端に連結されている。このようなスイッチングトランジスタＴｓはゲート線１２１を通じて伝達されたスキャン信号Ｓｎによりターンオンされる。

ストレージキャパシタＣｓｔの一端は駆動電圧線１７２と連結されており、駆動トランジスタＴｄのゲート−ソース電圧は補償キャパシタＣｖｔｈおよびストレージキャパシタＣｓｔに設定された電圧により決定される。有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）は共通電圧ＥＬＶＳＳを伝達する共通電圧線７４１に連結されている。

有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動電圧線１７２から駆動トランジスタＴｄを通じて伝達される駆動電流Ｉｄにより発光し、駆動電流Ｉｄは共通電圧線７４１に流れる。

一方、本発明の一実施形態では３つのトランジスタ−２つのキャパシタの構造を示しているが、本発明がこれに限定されるものではなく、トランジスタの個数とキャパシタの個数は多様に変形可能である。

以下、図２および図３を参照して、本実施形態に係る有機発光表示装置の細部構造について詳細に説明する。

図２および図３を参照すると、基板１１０は、ガラス、石英、セラミックまたはプラスチックなどからなる絶縁性基板で形成されうる。ここで、基板１１０は、可撓性を有する材料からなるのでありうる。

そして、基板１１０の上にはバッファー層１２０が形成されている。ここで、バッファー層１２０は、画素領域ＤＡおよび周辺領域ＰＡにかけて基板１１０の全面に形成されてもよい。バッファー層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）の単一膜または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）が積層された二重膜構造から形成されてもよい。バッファー層１２０は、不純物または水分のように不要な成分の浸透を防止するとともに、表面を平坦化する役割を果たす。

バッファー層１２０の上には、互いに離隔した位置にスイッチング半導体層（図示せず）および駆動半導体層１３５ｂが形成されてもよい。以下では、駆動半導体層を中心に概略的に説明する。

このような半導体層１３５ｂは、ポリシリコンまたは酸化物半導体からなるのであってもよい。ここで、酸化物半導体は、チタニウム（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、錫Ｓｎまたはインジウム（Ｉｎ）をベースとする酸化物、これらの複合酸化物である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物（ＩｎＧａＺｎＯ４）、インジウム−亜鉛酸化物（Ｚｎ−Ｉｎ−Ｏ）、亜鉛−錫酸化物（Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−錫酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム−亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム−錫酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−アルミニウム酸化物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｏ）、インジウム−亜鉛−アルミニウム酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ）、インジウム−錫−アルミニウム酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｏ）、インジウム−アルミニウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−タンタル酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｏ）、インジウム−タンタル−亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム−タンタル−錫酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−タンタル−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム−亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム−錫酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｇａ−Ｏ）、チタニウム−インジウム−亜鉛酸化物（Ｔｉ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、ハフニウム−インジウム−亜鉛酸化物（Ｈｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）のうちのいずれか一つを含んでもよい。

半導体層１３５ｂが酸化物半導体からなる場合には、高温などの外部環境にぜい弱な酸化物半導体を保護するために、別途の保護層が追加されてもよい。

半導体層１３５ｂは、不純物が、ドーピングされていないチャンネル領域と、チャンネル領域の左右両側に不純物がドーピングされて形成された、ソース領域およびドレイン領域とを含む。ここで、不純物は、薄膜トランジスタの種類により変わり、ｎ型不純物またはｐ型不純物が可能である。

半導体層１３５ｂは、チャンネル領域１３５５と、チャンネル領域１３５５の両側にそれぞれ形成されたソース領域１３５６およびドレイン領域１３５７に区分される。

半導体層１３５ｂのチャンネル領域１３５５は、不純物がドーピングされていないポリシリコン、つまり、真性半導体（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を含んでもよい。

そして、半導体層１３５ｂのソース領域１３５６およびドレイン領域１３５７は、導電性不純物がドーピングされたポリシリコン、つまり、不純物半導体（ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を含んでもよい。

半導体層１３５ｂの上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０は、窒化ケイ素および酸化ケイ素のうちの少なくとも一つを含む単層または複数層であってもよい。

ゲート絶縁膜１４０の上には駆動ゲート電極１２５ｂが形成されるが、駆動ゲート電極１２５ｂは駆動半導体層１３５ｂの上に位置してもよい。駆動ゲート電極１２５ｂはチャンネル領域１３５５と重なる。

一方、駆動ゲート電極１２５ｂの上には層間絶縁膜１６０が形成される。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に窒化ケイ素または酸化ケイ素などから形成されてもよい。

層間絶縁膜１６０とゲート絶縁膜１４０には、ソース領域１３５６及びドレイン領域１３５７をそれぞれ露出する、ソース接触孔６１及びドレイン接触孔６２が形成されている。層間絶縁膜１６０の上には、駆動ソース電極１７６ｂおよび駆動ドレイン電極１７７ｂが形成されている。

駆動ソース電極１７６ｂは、ソース接触孔６１を通じてソース領域１３５６と連結されている。駆動ドレイン電極１７７ｂは駆動ソース電極１７６ｂと対向する。

そして、駆動ドレイン電極１７７ｂは、ドレイン接触孔６２を通じてドレイン領域１３５７と連結されている。

駆動半導体層１３５ｂ、駆動ゲート電極１２５ｂ、駆動ソース電極１７６ｂおよび駆動ドレイン電極１７７ｂは、駆動薄膜トランジスタＴ（Ｔｄ）を構成する。

このような駆動薄膜トランジスタＴはスイッチング素子に該当する。本実施形態によると、前記駆動薄膜トランジスタＴは、有機発光表示装置の各サブ画素に形成されてもよい。

駆動ソース電極１７６ｂおよび駆動ドレイン電極１７７ｂの上には平坦化膜１８０が形成されている。平坦化膜１８０は、その上に形成される有機発光素子の発光効率を上げるために段差をなくし、平坦化させる役割を果たす。

平坦化膜１８０は、ポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、シロキサン系樹脂、及びシリカ系の無機物の少なくとも一種から形成されるのであってもよい。

前述のように、サブ画素ＰＸは、画素領域ＤＡと周辺領域ＰＡを含むが、画素領域ＤＡには有機発光表示装置で光を発光するための構成として第１電極７１０、有機発光層７２０および第２電極７３０を含んでもよい。

平坦化膜１８０の上には第１電極、つまり、画素電極７１０が形成される。ここで、画素電極７１０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ_２Ｏ_３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質や、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）などの反射性金属で作られてもよい。例えば、画素電極７１０は、ＩＴＯ、ＡｇおよびＩＴＯが順次に積層されて形成されてもよい。

画素電極７１０は、層間絶縁膜１６０に形成された接触孔（コンタクトホール）１８１を通じて、薄膜トランジスタＴの駆動ドレイン電極１７７ｂと電気的に連結されて、有機発光素子７０のアノード電極となる。

平坦化膜１８０および画素電極７１０の縁部の上には、画素定義膜３５０が形成されている。画素定義膜３５０は、画素電極７１０を露出する第４開口部３５２を有する。その他にも、画素定義膜３５０は後述する補助部材４１０の一部を露出させる第３開口部３５１を有してもよい。

ここで、画素定義膜３５０は、ポリアミド（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、ポリアクリル系（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ）またはポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）などの樹脂、シロキサン系樹脂、またはシリカ系の無機物から形成されるのであってもよい。

画素定義膜３５０の第４開口部３５２には有機発光層７２０が形成されている。前記有機発光層７２０は、画素領域ＤＡで露出された第１電極７１０の上に形成されるだけでなく、周辺領域ＰＡまで延長形成される。つまり、図３に示されているように、有機発光層７２０は画素定義膜３５０の第３開口部３５１内にも配置される。

有機発光層７２０は、発光層、正孔注入層（ｈｏｌｅ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）および電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうちの一つ以上を含む複数の層から形成される。

有機発光層７２０がこれらのすべてを含む場合、正孔注入層が、アノード電極である画素電極７１０の上に位置し、その上に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層がこの順に積層されてもよい。

有機発光層７２０は、赤色を発光する赤色有機発光層、緑色を発光する緑色有機発光層および青色を発光する青色有機発光層を含むことができ、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層は、それぞれ、赤色画素、緑色画素および青色画素に形成されることで、カラー画像を具現するようになる。

画素定義膜３５０および有機発光層７２０の上には第２電極、つまり、共通電極７３０が形成される。ここで、共通電極７３０は複数のサブ画素に共通に形成される。つまり、共通電極７３０は、赤色サブ画素、緑色サブ画素および青色サブ画素にかけて共通に形成されてもよい。

一方、本実施形態によると、共通電極７３０は画素領域ＤＡだけでなく、周辺領域ＰＡまで延長形成される。これによって、共通電極７３０は周辺領域ＰＡで有機発光層７２０の上に配置されてもよい。

共通電極７３０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ_２Ｏ_３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質やリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）などの反射性金属で作られてもよい。

共通電極７３０は、有機発光素子７０のカソード電極となる。このように、画素電極７１０、有機発光層７２０および共通電極７３０は有機発光素子７０を構成する。

サブ画素ＰＸの周辺領域ＰＡには、層間絶縁膜１６０の上に補助電極３１０が配置されてもよい。補助電極３１０は、共通電極７３０に共通電圧ＥＬＶＳＳを伝達する。補助電極３１０は、前記共通電圧ＥＬＶＳＳを伝達する共通電圧線に該当しうる。

ここで、補助電極３１０は、前記平坦化膜１８０に形成された第１開口部１８２により露出されてもよい。補助電極３１０の上面の一部が前記第１開口部１８２により露出されてもよい。

第１開口部１８２の断面形状は矩形状であってもよい。より詳細に、第１開口部１８２の断面形状は長方形状であってもよい。これによって、補助電極３１０も矩形状に露出されてもよい。

補助電極３１０は、前述したソース電極１７６ｂおよびドレイン電極１７７ｂと同一の層で形成されてもよい。つまり、補助電極３１０とソース電極１７６ｂおよびドレイン電極１７７ｂは、同一の金属層を層間絶縁膜１６０の上に形成した後、パターニングして形成されてもよい。

補助電極３１０は、銅（Ｃｕ）、銅合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、モリブデン（Ｍｏ）、およびモリブデン合金のうちのいずれか一つを含む金属膜が積層された積層膜から形成されてもよい。例えば、補助電極３１０は、チタニウム／アルミニウム／チタニウム（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）の３層膜、モリブデン／アルミニウム／モリブデン（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）またはモリブデン／銅／モリブデン（Ｍｏ／Ｃｕ／Ｍｏ）の３層膜などから形成されてもよい。

本発明の一実施形態によると、補助電極３１０の上には、補助電極３１０と接触する補助部材４１０が配置される。補助部材４１０は、補助電極３１０と接触して、補助電極３１０を通じて伝達される共通電圧ＥＬＶＳＳを共通電極７３０に伝達する。

ここで、補助部材４１０は、第１開口部１８２に露出された補助電極３１０の上面の全体と接触する。つまり、補助電極３１０と補助部材４１０の間に平坦化膜１８０が存在しないように、補助部材４１０は補助電極３１０の上面の全体を覆う。

本実施形態によると、補助部材４１０は平坦化膜１８０の第１開口部１８２内にだけ位置する。ここで、補助部材４１０は、第１開口部１８２の内周面の一部と接触するようになっている。つまり、補助部材４１０の一部が平坦化膜１８０の上面に位置することはない。

図４および図５を参照すると、例えば、補助部材４４０と補助電極３１０の間に平坦化膜１８０が存在すれば、レーザＬを用いて有機発光層７２０に第２開口部７２１を形成する過程で、補助部材４４０が破損することがある。

例えば、補助部材４４０が、ＩＴＯ層４４１、Ａｇ層４４２およびＩＴＯ層４４３の三層膜からなる場合、レーザＬにより、補助部材４４０が、下側にある平坦化膜１８０の側へと撓（たわ）んで曲がることでＩＴＯ層４１１、Ａｇ層４１２およびＩＴＯ層４１３がすべて切断（Ｆ）され得る。これによって、有機膜である平坦化膜内の残留ガス成分が、前記切断（Ｆ）された領域を通じて排出され、前記共通電極７３０を酸化させることがある。共通電極７３０が酸化されると、有機発光層７２０が発光しなくなることがある。

再び図３を参照すると、本発明の一実施形態によると、補助部材４１０が補助電極３１０の露出された上面の全体と接触するように配置されることによって、レーザＬにより補助部材４１０が下方へと撓むことで破損するのを防止することができる。結局、共通電極７３０の酸化を防止することで、有機発光層７２０が発光しなくなることから発生する有機発光表示装置の暗点の発生を防止することができる。

ここで、補助部材４１０の下に位置した金属材質の部材である補助電極３１０が、前記補助部材４１０を支持する役割を果たす。

一方、補助部材４１０が補助電極３１０の上面の全体と接触することによって、補助部材４１０と補助電極３１０の接触面積が増加し、このようにして、共通電圧が伝達される配線の抵抗を減少させることができる。したがって、有機発光表示装置にて電圧降下（ＩＲ−Ｄｒｏｐ）が発生することで輝度が不均一になることを防止することができる。

ここで、補助部材４１０は、第１電極７１０と、同一の材料で、積層構造中の同一の層に位置するように形成されてもよい。補助部材４１０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ_２Ｏ_３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質やリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）などの反射性金属で作られてもよい。例えば、補助部材４１０は、ＩＴＯ層、Ａｇ層およびもう一つのＩＴＯ層がこの順に積層されて形成されてもよい。

一方、図３では、補助部材４１０の全体が第１開口部１８２内、特には第１開口部１８２の底部に配置されるが、これとは異なり、補助部材４２０の一部、特には縁部が、平坦化膜１８０の上面に位置してもよい。図６に示すように、補助部材４２０は、平坦化膜１８０の第１開口部１８２の内部の全体を覆うとともに、一部が平坦化膜１８０の上面に位置することもできる。

本実施形態によると、周辺領域ＰＡでは、補助部材４１０の上に有機発光層７２０が配置される。有機発光層７２０には下に位置した補助部材４１０の一部を露出させる第２開口部７２１が形成される。有機発光層７２０の第２開口部７２１はレーザＬにより形成される。補助部材４１０の上に有機発光層７２０を塗布した後、補助部材４１０と補助電極３１０が互いに重なった領域に対応して有機発光層７２０にレーザＬを照射する。

前記レーザＬにより、前記有機発光層７２０に第２開口部７２１が形成される。ここで、第２開口部７２１の断面形状は円形状であってもよい。

そして、第２開口部７２１の直径Ｈ２は第１開口部１８２の幅Ｈ１より小さい。しかし、これに限定されず、第２開口部７２１の直径Ｈ２を第１開口部１８２の幅Ｈ１と同一に形成することもできる。前記第２開口部７２１の直径Ｈ２が大きくなれば、補助部材４１０とその上に位置する第２電極７３０の接触面積が増加することができる。前述のように、接触面積が増加すれば、共通電圧が伝達される配線の抵抗を減少させることができる。

前記周辺領域ＰＡでは、有機発光層７２０の上に第２電極７３０が形成されてもよい。この時、第２電極７３０は前記第２開口部７２１を通じて補助部材４１０と接触することができる。これによって、第２電極７３０は補助部材４１０および補助電極３１０と電気的に連結されてもよい。したがって、補助電極３１０を通じて供給された共通電圧ＥＬＶＳＳは、補助部材４１０を経て第２電極７３０に供給されてもよい。

以下、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法について説明する。本発明の一実施形態に係る有機表示装置の製造方法を説明するに当たり、前述した有機発光表示装置と同一の構成については詳細な説明は省略する。

まず、図７に示されているように、基板１１０の上に薄膜トランジスタＴを形成する。薄膜トランジスタＴはスイッチング薄膜トランジスタまたは駆動薄膜トランジスタであってもよい。

薄膜トランジスタＴは、半導体層１３５ｂ、ゲート電極１２５ｂ、ソース電極１７６ｂおよびドレイン電極１７７ｂを含む。ここで、基板１１０の上に形成された半導体層１３５ｂの上に、ゲート電極１２５ｂが離隔して形成される。そして、ゲート電極１２５ｂの上にソース電極およびドレイン電極１７６ｂ、１７７ｂが配置される。

そして、ソース電極およびドレイン電極１７６ｂ、１７７ｂと同時に、補助電極３１０を形成する。同一の金属層を層間絶縁膜１６０の上の全体に形成した後、これに対してフォトリソグラフィ工程を行って、補助電極３１０とソース電極とドレイン電極１７６ｂ、１７７ｂとを互いに区分されるようにして同時に形成する。

次に、前記ソース電極およびドレイン電極１７６ｂ、１７７ｂと補助電極３１０の上に、平坦化膜１８０を形成する。

そして、図８を参照すると、パターニング工程により、平坦化膜１８０にはドレイン電極１７７ｂを一部露出させる接触孔１８１が形成され、また補助電極３１０が露出する第１開口部１８２が形成される。

第１開口部１８２の断面形状は矩形状であってもよい。より詳細に、第１開口部１８２の断面形状は長方形状であってもよい。これによって、露出した補助電極３１０も矩形状に露出されてもよい。

その後、平坦化膜１８０の上には第１電極７１０と補助部材４１０を形成する。この際、第１電極７１０はドレイン電極１７７ｂと接触し、補助部材４１０は補助電極３１０と接触する。補助部材４１０は、第１開口部１８２により露出した補助電極３１０の上面の全体と接触する。

ここで、第１電極７１０と補助部材４１０は、同一の材料で、積層構造中、同一の層に位置するように形成される。例えば、平坦化膜１８０の上の全体に同一の金属層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を行って第１電極７１０と補助部材４１０とを互いに区分されるようにして同時に形成する。

次に、図９に示すように、平坦化膜１８０の上には画素定義膜３５０を形成する。画素定義膜３５０には、補助部材４１０の少なくとも一部、特には、ほぼ全体（図示の例では全体）が露出される第３開口部３５１と、第１電極７１０の少なくとも一部、特には、ほぼ全体が露出される第４開口部３５２が形成される。

その後、画素定義膜３５０の上には有機発光層７２０を塗布する。図１０を参照すると、前記有機発光層７２０は、基板１１０の上の画素領域ＤＡと周辺領域ＰＡに形成される。ここで、有機発光層７２０は画素定義膜３５０の第３開口部３５１および第４開口部３５２内部にも位置して、それぞれ補助部材４１０および第１電極７１０を覆う。

本発明の一実施形態によると、有機発光層７２０を塗布した後、前記周辺領域ＰＡで補助部材４１０の一部が露出されるように有機発光層７２０の一部を除去する。有機発光層７２０の一部が除去されると、前記有機発光層７２０には第２開口部７２１が形成される。

一実施形態において、有機発光層７２０は、同一の材料で、画素配列領域（画像表示領域）の全体を覆うように塗布して設けることができる。例えば、全体に、白色または青色の発光を行う有機発光層７２０を全面塗布により形成し、各色のサブ画素ごとに、所定の色に変換するための、色変換層を含むカラーフィルタを形成することができる。全面に同一の有機発光層７２０を設けるならば、パターニングのプロセスが不要となる。

図１１を参照すると、レーザＬを用いて、有機発光層７２０の一部を除去して第２開口部７２１を形成する。レーザＬを補助部材４１０と補助電極３１０が互いに重なった領域の中央部に位置させた後、有機発光層７２０にレーザＬを照射する。レーザＬにより有機発光層７２０に形成された第２開口部７２１は円形状でありうる。

前述したように、補助部材４１０下側に補助電極３１０が接触して位置することによって、レーザＬにより補助部材４１０が瞬間的に下方に曲がって破損することを防止することができる。

次に、有機発光層７２０の上に第２電極（共通電極）７３０を形成する。第２電極７３０は前記第２開口部７２１を通じて補助部材４１０と接触することができる。これによって、第２電極７３０は、補助部材４１０および補助電極３１０と電気的に連結されてもよい。したがって、補助電極３１０を通じて供給された共通電圧ＥＬＶＳＳは、補助部材４１０を経て第２電極７３０に供給され得る。

本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置およびその製造方法は、レーザＬを用いて有機発光層７２０の一部を除去する工程で、レーザＬにより補助部材４１０が破損することを防止することができ、また、破損した補助部材４１０の隙間に沿って有機膜の残留ガス成分が排出されて共通電極７３０が酸化されることを防止することができる。

以上のように、本発明は限定された実施形態と図面を通じて説明されたが、本発明はこれに限定されるのではなく、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者により本発明の技術思想と特許請求の範囲の均等範囲内で多様な修正および変形が可能である。

１６０…層間絶縁膜
１８０…平坦化膜
１８１…接触孔
１８２…第１開口部
３１０…補助電極
３５０…画素定義膜
３５１…第３開口部
３５２…第４開口部
４１０…補助部材
７１０…第１電極
７２０…有機発光層
７３０…第２電極

Claims (20)

1. 基板と、
   前記基板上に形成され、画像を表示する画素領域および前記画素領域に隣接した周辺領域を含む画素と、
   前記基板上の前記画素領域および前記周辺領域に形成される絶縁層と、
   前記絶縁層上の前記画素領域に形成される第１電極と、
   前記第１電極上に形成され、前記周辺領域に延長された有機発光層と、
   前記有機発光層上に形成され、前記画素領域および前記周辺領域に形成される第２電極と、
   前記基板上の前記周辺領域に配置され、前記絶縁層に形成された第１開口部により一部が露出される補助電極と、
   前記補助電極上に配置され、前記第１開口部により露出された前記補助電極の上面と接触する補助部材と、を含む、有機発光表示装置。
2. 前記補助部材は、前記補助電極の前記上面の全体と接触する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記有機発光層は、
   前記周辺領域で前記補助部材上に配置され、前記補助部材の一部を露出させる第２開口部が形成された、請求項１に記載の有機発光表示装置。
4. 前記第２電極は、前記第２開口部を通じて前記補助部材と接触する、請求項３に記載の有機発光表示装置。
5. 前記第２開口部は、円形状である、請求項３に記載の有機発光表示装置。
6. 前記補助部材は、前記絶縁層の前記第１開口部を覆う、請求項１に記載の有機発光表示装置。
7. 前記補助部材は、前記第１開口部の内周面の一部と接触する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
8. 前記補助部材は、前記第１電極と、同一の材料及び層構造により、積層構造中に同一の層に位置するように形成されている、請求項１に記載の有機発光表示装置。
9. 前記補助部材は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、銀（Ａｇ）およびＩＴＯが順次に積層されて形成される、請求項８に記載の有機発光表示装置。
10. 前記補助電極は、共通電圧を伝達する共通電圧線である、請求項１に記載の有機発光表示装置。
11. 前記補助電極は、モリブデン（Ｍｏ）層、アルミニウム（Ａｌ）層およびもう一つのモリブデン（Ｍｏ）層がこの順に積層されて形成されている、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
12. 前記画素は、前記画素領域と前記周辺領域を含む少なくとも一つのサブ画素を含み、
    前記サブ画素は、赤色サブ画素である、請求項１に記載の有機発光表示装置。
13. 基板を準備する段階と、
    前記基板上に半導体層、前記半導体層上に形成されるゲート電極、および前記半導体層に連結されたソース電極およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する段階と、
    前記基板上に共通電圧を供給する補助電極を形成する段階と、
    前記薄膜トランジスタおよび前記補助電極上に形成され、前記ドレイン電極と前記補助電極の一部を露出させる絶縁層を形成する段階と、
    前記絶縁層上に形成され、前記ドレイン電極と接触する第１電極を形成する段階と、
    前記絶縁層に形成された第１開口部を通じて前記補助電極と接触する補助部材を形成する段階と、
    前記第１電極および前記補助部材上に有機発光層を形成する段階と、
    前記補助部材の一部が露出されるように前記有機発光層の一部を除去する段階と、
    前記有機発光層上に第２電極を形成する段階と、を含む、有機発光表示装置の製造方法。
14. 前記有機発光層の一部を除去する段階は、レーザを利用して行われる、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
15. 前記有機発光層の一部を除去する段階は、前記有機発光層の一部を除去して第２開口部を形成する、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
16. 前記第２開口部は、円形状である、請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
17. 前記補助部材の一部が露出される第３開口部と前記第１電極の一部が露出される第４開口部が形成される画素定義膜を形成する段階をさらに含む、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
18. 前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記補助電極は、同一の材料及び層構造により、積層構造中に同一の層に位置するように形成する、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
19. 前記第１電極と前記補助部材を、同一の材料及び層構造により、積層構造中に同一の層に位置するように形成する、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
20. 前記補助部材は、前記第１開口部により露出された前記補助電極の上面全体と接触する、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。

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