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JP6979296B2 - 切削方法 - Google Patents

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Description

本発明は、切削予定ラインを有する被加工物を切削ブレードで切削する切削方法に関する。
半導体ウエーハやガラス基板等の被加工物は、例えば、回転する円環状の切削ブレードを備える切削装置によって切削予定ラインに沿って切削され、複数のチップへと分割される。このような切削ブレードによる分割が行われる場合、通常、切削後に、被加工物が切削予定ラインに沿って適正に分割されたか否か、あるいは、分割のために形成される切削溝にチッピング（欠け）が生じていないか否か、などに関するカーフチェックが行われる。この種のカーフチェックは、一般に、切削された切削溝を撮像手段によって撮像することにより行われる（例えば、特許文献１参照）。このカーフチェックにおいて、切削溝におけるチッピングの有無やカーフ幅（切削溝幅）が許容値内に入っているか否かを確認し、不具合が発生した場合には、切削ブレードの位置の補正などの対処を行っている。
特開２００９−２４６０１５号公報
しかしながら、従来の構成では、切削溝を撮像してカーフチェックする際に、被加工物の表面側の切削溝しか確認していないため、例えば、被加工物の裏面側で許容値以上のチッピングやクラックが発生していたり、切削溝が切削予定ラインから許容値以上の位置ずれしている場合、被加工物全体を加工した後に、これらの不具合が発覚することにより不良チップが製造されてしまうおそれがあった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、不良チップが製造されるおそれを低減できる切削方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、切削予定ラインを有した被加工物を切削ブレードで切削する切削方法であって、被加工物の裏面に保持部材を配設する保持部材配設ステップと、該保持部材を介して被加工物を保持テーブルで保持する保持ステップと、該保持テーブルで保持された被加工物に対して該切削ブレードの先端が該保持部材に至るまで該切削ブレードを切り込ませ該切削予定ラインに沿って該切削ブレードで被加工物を切削して該保持部材に至る切削溝を形成する切削ステップと、該切削ステップで形成された該切削溝を被加工物の表面側から撮像カメラで撮像して被加工物の該表面における該切削溝の撮像画像を形成する表面側切削溝撮像ステップと、該切削溝を被加工物の該表面側から赤外線カメラで撮像して被加工物の該裏面における該切削溝の撮像画像を形成する裏面側切削溝撮像ステップと、該表面と該裏面における該切削溝を確認する確認ステップと、を備え、該表面側切削溝撮像ステップと該裏面側切削溝撮像ステップとでは、同一の座標位置における切削溝の表面及び裏面の撮像画像を得て、該確認ステップでは、該切削溝の斜め切り又は先細りを検出するものである。
また、該確認ステップでは、同一の座標位置における該表面側の切削溝の撮像画像と、該裏面側の該切削溝の撮像画像とを表示部に並べて表示しても良い。
この構成によれば、被加工物の表面側から被加工物の表面及び裏面における切削溝をそれぞれ撮像し、この撮像画像に基づいて、表面と裏面における切削溝を確認することにより、裏面側で許容値以上のチッピング等の不具合が発生した場合でも即座に検出できるため、不良チップが製造されるおそれを低減することができる。
この構成において、撮像カメラは、赤外線カメラで兼用する構成としてもよい。この構成によれば、１台の赤外線カメラで、被加工物の表面及び裏面における切削溝を撮像できるため、カメラの切り換え動作が不要となり、被加工物を撮像する際の作業工程が簡素化される。
また、該確認ステップでは、該赤外線カメラの焦点を被加工物の該表面に位置づけて該表面における該切削溝を撮像し、該赤外線カメラの該焦点を被加工物の該裏面に位置づけて該裏面における該切削溝を撮像してもよい。この構成によれば、赤外線カメラの焦点を調整することで、被加工物の表面及び裏面における切削溝をそれぞれ撮像できるため、撮像する際の作業工程を簡素化できる。
本発明によれば、被加工物の表面側から被加工物の表面及び裏面における切削溝をそれぞれ撮像し、この撮像画像に基づいて、表面と裏面における切削溝を確認することにより、裏面側で許容値以上のチッピング等の不具合が発生した場合でも即座に検出できるため、不良チップが製造されるおそれを低減することができる。
図１は、本実施形態に係る切削方法に用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。 図２は、環状フレームに支持された被加工物の一例を示す斜視図である。 図３は、ウエーハの切削方法の手順を示すフローチャートである。 図４は、環状フレームにダイシングテープを介して支持されたウエーハをチャックテーブルに保持した状態を示す側面図である。 図５は、チャックテーブルに保持されたウエーハを切削手段によって切削している状態を示す側面図である。 図６は、第１撮像手段を用いて、チャックテーブルに保持されたウエーハの切削溝の表面側を撮像する状態を示す側面図である。 図７は、第２撮像手段を用いて、チャックテーブルに保持されたウエーハの切削溝の裏面側を撮像する状態を示す側面図である。 図８は、第１撮像手段が撮像した表面側切削溝撮像画像の一例と第２撮像手段が撮像した裏面側切削溝撮像画像の一例とを並べて配置した図である。 図９は、表面側切削溝撮像画像と裏面側切削溝撮像画像とから想定される切削溝の形状の一例を示すウエーハの部分断面図である。 図１０は、第１撮像手段が撮像した表面側切削溝撮像画像の他の一例と第２撮像手段が撮像した裏面側切削溝撮像画像の他の一例とを並べて配置した図である。 図１１は、表面側切削溝撮像画像と裏面側切削溝撮像画像とから想定される切削溝の形状の一例を示すウエーハの部分断面図である。
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
以下、本実施形態に係る被加工物の切削方法について説明する。図１は、本実施形態に係る切削方法に用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。図２は、環状フレームに支持された被加工物の一例を示す斜視図である。切削装置１は、図１に示すように、チャックテーブル（保持テーブル）１０と切削手段２０とを相対移動させることにより、チャックテーブル１０上に保持されたウエーハ（被加工物）１００（図２参照）を切削加工するものである。切削装置１は、チャックテーブル１０と、切削手段２０と、第１撮像手段３０と、第２撮像手段３５と、Ｘ軸移動手段４０と、Ｙ軸移動手段５０と、Ｚ軸移動手段６０と、制御部７０と、表示部７５とを含んで構成されている。
本実施形態の被加工物であるウエーハ１００は、シリコンを母材とする円板状の半導体ウエーハやサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などを母材とする光デバイスウエーハである。ウエーハ１００は、図２に示すように、表面１０１に形成された格子状の分割予定ライン（切削予定ライン）１０２によって区画された複数の領域にデバイス１０３が形成されている。ウエーハ１００は、裏面１０４に貼着されたダイシングテープ（保持部材）１０５を介して、環状フレーム１０６に支持されている。ウエーハ１００は、環状フレーム１０６に支持された状態でチャックテーブル１０上に保持される。なお、被加工物は、分割予定ライン１０２に沿って切削される板状物であれば良く、本実施形態のように、分割予定ライン１０２によって区画された領域にデバイス１０３を有することを要するものではない。また、本実施形態では、保持部材としてダイシングテープ１０５を用いた構成としたが、例えば、シリコンやガラス等のハードプレートを接着剤やワックス、両面テープ等の接着部材を介して被加工物に貼着する構成としてもよい。
チャックテーブル１０は、図１に示すように、多孔性セラミックス等から形成された保持部１１と、この保持部１１の周囲に配設された複数（本実施形態では４個）のクランパ１２とを備える。保持部１１は、環状フレーム１０６に支持されたウエーハ１００をその裏面側から吸引することで保持する。この際、クランパ１２は、環状フレーム１０６を挟んで保持する。また、チャックテーブル１０は、保持部１１の中心軸線を中心に回転可能に構成されており、切削手段２０に対して、任意の回転角度に調整することができる。
切削手段２０は、切削ブレード２１と、スピンドルと、スピンドルハウジング２３と、切削液供給ノズル２４とを含んでいる。切削手段２０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ１００（図２）に切削液を供給しながら加工を行う。このとき、切削手段２０は、第１撮像手段３０または第２撮像手段３５によって撮像された被加工物の画像データに基づいて、ウエーハ１００の加工すべき領域を切削ブレード２１により加工する。スピンドルハウジング２３内にはスピンドルが収容され、エアベアリングにより回転可能に支持されている。スピンドルは、スピンドルハウジング２３中に収容されたモータにより回転駆動され、スピンドルの先端側には切削ブレード２１が着脱可能に装着されている。
切削ブレード２１は、チャックテーブル１０に保持された被加工物を切削する。切削ブレード２１は、略リング形状の極薄の切削砥石である。切削液供給ノズル２４は、切削ブレード２１による被加工物の加工中に、被加工物の加工点へ切削液を供給する。
第１撮像手段（撮像カメラ）３０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ１００を表面１０１側から撮像してウエーハ１００の表面１０１の画像を生成する。第１撮像手段３０は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサを備えた顕微鏡等であり、撮像された画像を用いて、ウエーハ１００のアライメント調整が行われる。第２撮像手段（赤外線カメラ）３５は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ１００を表面１０１側から撮像して、少なくともウエーハ１００の裏面１０４の画像を生成する。赤外線（Infrared Rays）は、可視光に比べて波長が長いため、散乱しにくい性質があり、シリコンなどを透過してウエーハ１００の裏面１０４を撮像することができる。もちろん、第２撮像手段（赤外線カメラ）３５を用いて、ウエーハ１００を表面１０１側から撮像して、該表面１０１の画像を生成することも可能である。
Ｘ軸移動手段４０は、装置基台２上に搭載されて、チャックテーブル１０を切削送り方向（Ｘ軸方向）に移動させるものである。切削送り方向（Ｘ軸方向）は、鉛直方向と直交する。Ｘ軸移動手段４０は、Ｘ軸パルスモータ４１と、Ｘ軸ボールねじ４２と、一対のＸ軸ガイドレール４３，４３とを含んでいる。一対のＸ軸ガイドレール４３，４３上には、チャックテーブル１０が載置され、このチャックテーブル１０の下部にＸ軸ボールねじ４２が螺合している。Ｘ軸移動手段４０は、Ｘ軸パルスモータ４１により発生した回転力によりＸ軸ボールねじ４２を回転駆動させることで、チャックテーブル１０を一対のＸ軸ガイドレール４３，４３に沿って、装置基台２に対してＸ軸方向に移動させる。
Ｙ軸移動手段５０は、装置基台２上に搭載されて、切削ブレード移動基台３及び切削手段２０を割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に移動させるものである。ここで、割り出し送り方向（Ｙ軸方向）は、切削ブレード２１の回転軸の軸方向であり、切削送り方向（Ｘ軸方向）及び鉛直方向とそれぞれ直交している。Ｙ軸移動手段５０は、Ｙ軸パルスモータ５１と、Ｙ軸ボールねじ５２と、一対のＹ軸ガイドレール５３，５３とを含んでいる。一対のＹ軸ガイドレール５３，５３上には、切削手段２０が搭載される切削ブレード移動基台３が載置され、この切削ブレード移動基台３の下部にＹ軸ボールねじ５２が螺合している。Ｙ軸移動手段５０は、Ｙ軸パルスモータ５１により発生した回転力によりＹ軸ボールねじ５２を回転駆動させることで、切削ブレード移動基台３及び切削手段２０をＹ軸ガイドレール５３，５３に沿って、装置基台２に対してＹ軸方向に移動させる。
Ｚ軸移動手段６０は、切削ブレード移動基台３に搭載されて、支持部４及び切削手段２０を切り出し方向（Ｚ軸方向）に移動させるものである。この切り出し方向（Ｚ軸方向）は、鉛直方向であり、切削送り方向（Ｘ軸方向）及び割り出し送り方向（Ｙ軸方向）にそれぞれ直交する。Ｚ軸移動手段６０は、切削ブレード移動基台３に設けられており、Ｚ軸パルスモータ６１と、Ｚ軸ボールねじ（不図示）と、一対のＺ軸ガイドレール６３，６３とを含んでいる。一対のＺ軸ガイドレール６３，６３には、切削手段２０が搭載される支持部４が連結されており、この支持部４にＺ軸ボールねじが螺合している。Ｚ軸移動手段６０は、Ｚ軸パルスモータ６１により発生した回転力によりＺ軸ボールねじを回転させることで、支持部４及び切削手段２０をＺ軸ガイドレール６３に沿ってガイドしつつ、切削ブレード移動基台３に対してＺ軸方向に移動させる。
制御部７０は、例えば、ＣＰＵ等で構成された演算処理装置と、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ハードディスク等で構成されて各種のデータやプログラムを記憶する記憶部と、を備える。この制御部７０は、オペレータの入力や予め設定されたプログラム等に基づいて、上記した各部の動作を制御する機能を有する。また、制御部７０は、第１撮像手段３０による撮像画像をアライメント用にパターンマッチング処理したり、第１撮像手段３０及び第２撮像手段３５による各撮像画像をカーフチェック用に画像処理して表示部７５に表示させたりする画像処理手段として機能する。
表示部７５は、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等で構成されたモニタであり、制御部７０によって処理された画像を表示する。また、制御部７０には、各種スイッチ、タッチパネル等の入力装置で構成される操作部（不図示）が接続され、オペレータは、操作部を介して、切削装置１の各部に対する指示を入力する。例えば、オペレータは、操作部を操作することにより、第１撮像手段３０及び第２撮像手段３５の少なくとも一方を用いて、ウエーハ１００の撮像画像を生成することができる。
上記した構成では、ウエーハ１００を保持したチャックテーブル１０と切削手段２０とを切削送り方向（Ｘ軸方向）、割り出し送り方向（Ｙ軸方向）及び切り出し方向（Ｚ軸方向）にそれぞれ相対的に移動させてウエーハ１００に対する切削加工を行う。次に、本実施形態に係る切削方法について説明する。図３は、ウエーハの切削方法の手順を示すフローチャートである。
本実施形態では、ウエーハ（被加工物）１００の切削方法は、図３に示すように、保持部材配設ステップＳ１、保持ステップＳ２、切削ステップＳ３、表面側切削溝撮像ステップＳ４、裏面側切削溝撮像ステップＳ５および確認ステップＳ６を備えて構成されている。これら各ステップの順序は、図３に限るものではなく、例えば、裏面側切削溝撮像ステップＳ５を表面側切削溝撮像ステップＳ４よりも先に実行することも可能である。次に、これらの各ステップについて説明する。
[保持部材配設ステップＳ１]
保持部材配設ステップは、図２に示すように、ウエーハ１００の裏面１０４にダイシングテープ１０５を貼着すると共に、このダイシングテープ（保持部材）１０５を介して、ウエーハ１００を環状フレーム１０６に支持する。環状フレーム１０６は、ウエーハ１００よりも大きな開口部を有し、この開口部内にウエーハ１００が配置される。なお、ウエーハ１００は、環状フレーム１０６に支持されることを必ずしも要するものではなく、例えば、ウエーハ１００の裏面１０４にウエーハ１００と略同じ大きさの円板状のダイシングテープ（保持部材）１０５を貼着してもよい。
[保持ステップＳ２]
図４は、環状フレームにダイシングテープを介して支持されたウエーハをチャックテーブルに保持した状態を示す側面図である。ウエーハ１００は、ダイシングテープ１０５を介して、チャックテーブル１０の上に載置され、保持部１１（図１）によって吸引保持されている。また、環状フレーム１０６は、クランパ１２によって挟持されている。
[切削ステップＳ３]
図５は、チャックテーブルに保持されたウエーハを切削手段によって切削している状態を示す側面図である。チャックテーブル１０に保持されたウエーハ１００のアライメント調整を行った後、ウエーハ１００に対する切削加工を行う。この場合、ウエーハ１００の分割予定ライン１０２上に、切削手段２０の切削ブレード２１を配置し、ウエーハ１００を保持したチャックテーブル１０と切削手段２０とを切削送り方向（図１中Ｘ軸方向）に相対的に移動させつつ、スピンドル２２と共に切削ブレード２１を回転させた状態で、ウエーハ１００に対して切削ブレード２１の先端がダイシングテープ１０５に至るまで切削ブレード２１を切り込ませる。これにより、ウエーハ１００には、分割予定ライン１０２上に切削溝１０７が形成される。ダイシングテープ１０５は、切削ブレード２１によって切断されないため、ウエーハ１００はダイシングテープ１０５によって保持された状態を保っている。
[表面側切削溝撮像ステップＳ４]
図６は、第１撮像手段を用いて、チャックテーブルに保持されたウエーハの切削溝の表面側を撮像する状態を示す側面図である。表面側切削溝撮像ステップＳ４では、第１撮像手段３０は、ウエーハ１００に形成された切削溝１０７上に配置され、該切削溝１０７を撮像する。具体的には、ウエーハ１００の分割予定ライン１０２（切削溝１０７）上に予め設定された座標位置が、第１撮像手段３０の下に位置付くようにチャックテーブル１０を移動し、第１撮像手段３０は、この座標位置でチャックテーブル１０が停止した後に撮像する。これにより、第１撮像手段３０は、ウエーハ１００の表面１０１側から切削溝１０７の表面部１０７Ａの撮像画像を形成し、この撮像画像は、制御部７０が備える記憶部に格納される。この際、ウエーハ１００の管理番号情報、撮像された座標位置情報などが合わせて格納される。本実施形態では、表面側切削溝撮像ステップＳ４は、予め設定された所定数（例えば１０本）の切削溝１０７が形成される度に、形成された切削溝１０７を撮像して実行される。この場合、経験的に切削不良が生じやすい位置（例えば、ウエーハ１００に対する切削ブレード２１の入口や出口）を上記した座標位置として予め設定しておき、この位置の切削溝１０７に対して、表面側切削溝撮像ステップＳ４を実行するのが効果的である。また、ウエーハ１００に対する切削ブレード２１の入口と出口との間の中央領域で撮像してもよい。また、切削溝１０７の一端から他端までを複数回撮像して全体を確認するようにしてもよい。また、切削溝１０７に沿って、第１撮像手段３０とチャックテーブル１０とを相対的に移動させつつ撮像してもよい。また、すべての切削溝１０７に対して、表面側切削溝撮像ステップＳ４を実行してもよい。
[裏面側切削溝撮像ステップＳ５]
図７は、第２撮像手段を用いて、チャックテーブルに保持されたウエーハの切削溝の裏面側を撮像する状態を示す側面図である。裏面側切削溝撮像ステップＳ５では、第２撮像手段３５は、表面側切削溝撮像ステップＳ４に続いて実行される。すなわち、表面側切削溝撮像ステップＳ４において、撮像された切削溝１０７に対して裏面側切削溝撮像ステップＳ５を実行する。第２撮像手段３５は、該当する切削溝１０７上に配置され、ウエーハ１００の裏面１０４に焦点を位置づけて撮像する。これにより、第２撮像手段３５は、ウエーハ１００の表面１０１側から切削溝１０７の裏面部１０７Ｂの撮像画像を形成し、この撮像画像は、制御部７０が備える記憶部に格納される。また、ウエーハ１００の裏面１０４に焦点を位置づけた状態で、切削溝１０７に沿って、第２撮像手段３５とチャックテーブル１０とを相対的に移動させつつ撮像してもよい。本実施形態では、第２撮像手段３５は、第１撮像手段３０と同一の座標位置で撮像する。これにより、同一の座標位置における切削溝１０７の表面部１０７Ａ及び裏面部１０７Ｂの撮像画像を得ることができる。
[確認ステップＳ６]
図８は、第１撮像手段が撮像した表面側切削溝撮像画像の一例と第２撮像手段が撮像した裏面側切削溝撮像画像の一例とを並べて配置した図である。図９は、表面側切削溝撮像画像と裏面側切削溝撮像画像とから想定される切削溝の形状の一例を示すウエーハの部分断面図である。確認ステップＳ６では、オペレータは、切削溝１０７の表面部１０７Ａ及び裏面部１０７Ｂの撮像画像を確認する。具体的には、図８に示すように、同一の座標位置における表面側切削溝撮像画像８０Ａと裏面側切削溝撮像画像８０Ｂとが組（ペア）となり、例えば、表示部７５（図１）に横並びに表示される。一の切削溝１０７において、該切削溝１０７の表面部１０７Ａ及び裏面部１０７Ｂが、座標位置を変えてそれぞれ複数撮像されている場合には、オペレータの操作によって、表面側切削溝撮像画像８０Ａと裏面側切削溝撮像画像８０Ｂとの組が順次、表示部７５（図１）に表示される。
この構成では、表面側切削溝撮像画像８０Ａ及び裏面側切削溝撮像画像８０Ｂを通じて、切削溝１０７の表面部１０７Ａだけでなく、裏面部１０７Ｂの切削状態を観察することができる。このため、例えば、撮像画像に基づいて、制御部７０に切削溝１０７の表面部１０７Ａ及び裏面部１０７Ｂに発生するチッピングの大きさ（最大値、平均値）を算出させ、表面部１０７Ａまたは裏面部１０７Ｂに許容値以上のチッピングが発生したか否かを容易に検出することができる。ここで、表面部１０７Ａまたは裏面部１０７Ｂの少なくとも一方に、許容値以上のチッピングが発生した場合には、制御部７０は、警報を発してウエーハ１００の切削を一端中断する。オペレータは、上記チッピングが発生した原因への対処（例えば、切削ブレードの交換やドレッシングなど）を行うことにより、不良チップが製造されるおそれを低減することができる。
また、この構成では、同一の座標位置における表面側切削溝撮像画像８０Ａと裏面側切削溝撮像画像８０Ｂとを横並びに配置するため、制御部７０は、切削溝１０７における表面部１０７Ａの中心線１０８Ａと裏面部１０７Ｂの中心線１０８Ｂとの位置ずれの有無を容易に検出することができる。ここで、図８に示すように、切削溝１０７における表面部１０７Ａの中心線１０８Ａと裏面部１０７Ｂの中心線１０８Ｂとが距離Ｌの位置ずれを生じている場合、図９に示すように、いわゆる斜め切れの切削溝１０７が形成されていると想定される。この際の距離Ｌが許容値以上であれば、制御部７０は、警報を発してウエーハ１００の切削を一端中断する。オペレータは、次の分割予定ライン１０２の切削から、位置ずれを打ち消す補正（例えば、チャックテーブル１０に対する切削ブレード２１の切削送り速度に調整など）をすることにより、次の分割予定ライン１０２から不良チップが製造されるおそれを低減することができる。
上記のような斜め切れは、ウエーハ１００の材質や切り込み深さ、加工送り速度等に応じて発生状況が変わる。更に、斜め切れは、ウエーハ１００に対して、切削ブレード２１が進入した側、出た側、その間においてそれぞれ発生状況が変わる傾向にある。このため、例えば、バー状に切り出したシリコン片やカーボン片等の確認用部材をハーフカットした後、この確認用部材を横に倒して、顕微鏡などの撮像手段で溝形状を確認する従来の構成では、実際のウエーハ１００に対して斜め切れが発生するか否かを判断できなかった。これに対して、本実施形態では、同一の座標位置における表面側切削溝撮像画像８０Ａと裏面側切削溝撮像画像８０Ｂとから、斜め切れの有無を容易に検出することができる。
また、確認ステップＳ６では、斜め切れの他に、いわゆる先細りについても検出することができる。図１０は、第１撮像手段が撮像した表面側切削溝撮像画像の他の一例と第２撮像手段が撮像した裏面側切削溝撮像画像の他の一例とを並べて配置した図である。図１１は、表面側切削溝撮像画像と裏面側切削溝撮像画像とから想定される切削溝の形状の一例を示すウエーハの部分断面図である。
この構成では、制御部７０は、図１０に示すように、切削溝１０７における表面部１０７Ａの幅ＷＡと裏面部１０７Ｂの幅ＷＢとの差を算出する。切削溝１０７における表面部１０７Ａの幅ＷＡと裏面部１０７Ｂの幅ＷＢとの差が発生している場合、図１１に示すように、いわゆる先細りの切削溝１０７が形成されていると想定される。この際の幅ＷＡと幅ＷＢとの差が許容値以上であれば、制御部７０は、警報を発してウエーハ１００の切削を一端中断する。オペレータは、先細りの原因（例えば、切削ブレード２１の偏摩耗など）を追求し、この原因への対処（例えば、切削ブレードの交換やドレッシングなど）を行うことにより、不良チップが製造されるおそれを低減することができる。
次に、別の実施形態について説明する。上記した実施形態では、切削装置１は、顕微鏡等からなる第１撮像手段３０と、赤外線カメラからなる第２撮像手段３５とを備える構成としたが、これに限るものではなく、例えば、第１撮像手段３０を赤外線カメラからなる第２撮像手段３５で兼用してもよい。すなわち、赤外線カメラからなる第２撮像手段３５を用いて、切削溝１０７の表面部１０７Ａ及び裏面部１０７Ｂをそれぞれ撮像する。
この場合、第２撮像手段３５の焦点をウエーハ１００の表面１０１に位置づけて切削溝１０７の表面部１０７Ａを撮像し、次に、第２撮像手段３５の焦点をウエーハ１００の裏面１０４に位置づけて切削溝１０７の裏面部１０７Ｂを撮像する。この構成では、第２撮像手段３５の焦点を調整することで、切削溝１０７の表面部１０７Ａ及び裏面部１０７Ｂをそれぞれ撮像できるため、撮像する際の作業工程、すなわち表面側切削溝撮像ステップＳ４及び裏面側切削溝撮像ステップＳ５を簡素化することができる。
また、ウエーハ１００の厚みが所定値（例えば８０μｍ）以下の場合には、例えば、ウエーハ１００の表面１０１と裏面１０４との中間位置に第２撮像手段３５の焦点を位置づけて、切削溝１０７の表面部１０７Ａ及び裏面部１０７Ｂを一度に撮像することができ、同一の撮像画像内に表面部１０７Ａ及び裏面部１０７Ｂを表すことができる。
以上、本実施形態に係る切削方法は、分割予定ライン１０２を有したウエーハ１００を切削ブレード２１で切削する切削方法であって、ウエーハ１００の裏面１０４にダイシングテープ１０５を配設する保持部材配設ステップＳ１と、ダイシングテープ１０５を介してウエーハ１００をチャックテーブル１０で保持する保持ステップＳ２と、チャックテーブル１０で保持されたウエーハ１００に対して切削ブレード２１の先端がダイシングテープ１０５に至るまで切削ブレード２１を切り込ませ分割予定ライン１０２に沿って切削ブレード２１でウエーハ１００を切削してダイシングテープ１０５に至る切削溝１０７を形成する切削ステップＳ３と、切削ステップＳ３で形成された切削溝１０７をウエーハ１００の表面１０１側から第１撮像手段３０で撮像してウエーハ１００における切削溝１０７の表面部１０７Ａの撮像画像を形成する表面側切削溝撮像ステップＳ４と、切削溝１０７をウエーハ１００の表面１０１側から第２撮像手段３５で撮像して、切削溝１０７の裏面部１０７Ｂの撮像画像を形成する裏面側切削溝撮像ステップＳ５と、切削溝１０７の表面部１０７Ａと裏面部１０７Ｂの撮像画像を確認する確認ステップＳ６とを備えている。この構成によれば、切削溝１０７の表面部１０７Ａと裏面部１０７Ｂの撮像画像を通じて、切削溝１０７の表面部１０７Ａだけでなく、裏面部１０７Ｂの切削状態を観察することができる。このため、例えば、切削溝１０７の表面部１０７Ａ及び裏面部１０７Ｂに、許容値以上のチッピングや、切削溝１０７の斜め切れまたは先細りが発生したか否かを容易に検出することができることにより、不良チップが製造されるおそれを低減することができる。
なお、上記した本実施形態に係る切削方法によれば、以下の切削装置が得られる。
（付記１）
切削予定ラインを表面に有する被加工物を、該被加工物の裏面に配設された保持部材を介して保持する保持テーブルと、
該保持テーブルに保持された該被加工物を切削する切削ブレードを有し、該切削予定ラインに沿って該被加工物を該切削ブレードで被加工物を切削して該保持部材に至る切削溝を形成する切削手段と、
該切削溝を該被加工物の該表面側から撮像して該切削溝における表面部の撮像画像を形成する第１撮像部と、
該切削溝を該被加工物の該表面側から撮像して該切削溝における裏面部の撮像画像を形成する第２撮像部と、
該切削溝における該表面部と該裏面部との撮像画像に基づいて、該被加工物の切削不良箇所を検出する制御部とを備える切削装置。
上記切削装置は、本実施形態に係る切削方法と同様に、切削溝１０７の表面部１０７Ａと裏面部１０７Ｂの撮像画像を通じて、切削溝１０７の表面部１０７Ａだけでなく、裏面部１０７Ｂの切削状態を観察することができる。このため、例えば、切削溝１０７の表面部１０７Ａ及び裏面部１０７Ｂに、許容値以上のチッピングや、切削溝１０７の斜め切れまたは先細りが発生したか否かなどの切削不良箇所を容易に検出することができ、不良チップが製造されるおそれを低減することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
１ 切削装置
１０ チャックテーブル（保持テーブル）
２０ 切削手段
２１ 切削ブレード
３０ 第１撮像手段（撮像カメラ）
３５ 第２撮像手段（赤外線カメラ）
７０ 制御部
７５ 表示部
８０Ａ 表面側切削溝撮像画像
８０Ｂ 裏面側切削溝撮像画像
１００ ウエーハ（被加工物）
１０１ 表面
１０２ 分割予定ライン（切削予定ライン）
１０４ 裏面
１０５ ダイシングテープ（保持部材）
１０７ 切削溝
１０７Ａ 表面部
１０７Ｂ 裏面部

Claims (4)

  1. 切削予定ラインを有した被加工物を切削ブレードで切削する切削方法であって、
    被加工物の裏面に保持部材を配設する保持部材配設ステップと、
    該保持部材を介して被加工物を保持テーブルで保持する保持ステップと、
    該保持テーブルで保持された被加工物に対して該切削ブレードの先端が該保持部材に至るまで該切削ブレードを切り込ませ該切削予定ラインに沿って該切削ブレードで被加工物を切削して該保持部材に至る切削溝を形成する切削ステップと、
    該切削ステップで形成された該切削溝を被加工物の表面側から撮像カメラで撮像して被加工物の該表面における該切削溝の撮像画像を形成する表面側切削溝撮像ステップと、
    該切削溝を被加工物の該表面側から赤外線カメラで撮像して被加工物の該裏面における該切削溝の撮像画像を形成する裏面側切削溝撮像ステップと、
    該表面と該裏面における該切削溝を確認する確認ステップと、を備え、
    該表面側切削溝撮像ステップと該裏面側切削溝撮像ステップとでは、同一の座標位置における切削溝の表面及び裏面の撮像画像を得て、
    該確認ステップでは、該切削溝の斜め切り又は先細りを検出することを特徴とする切削方法。
  2. 該確認ステップでは、同一の座標位置における該表面側の切削溝の撮像画像と、該裏面側の該切削溝の撮像画像とを表示部に並べて表示する、請求項１に記載の切削方法。
  3. 該撮像カメラは、該赤外線カメラで兼用される、請求項２に記載の切削方法。
  4. 該確認ステップでは、該赤外線カメラの焦点を被加工物の該表面に位置づけて該表面における該切削溝を撮像し、該赤外線カメラの該焦点を被加工物の該裏面に位置づけて該裏面における該切削溝を撮像する、請求項３に記載の切削方法。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6577404B2 (ja) * 2016-04-05 2019-09-18 ファナック株式会社 絞りユニット及びこれを備えた静圧軸受装置並びに溝付きブロックの製造方法
JP6812079B2 (ja) * 2017-03-13 2021-01-13 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP7184620B2 (ja) * 2018-12-11 2022-12-06 株式会社ディスコ 切削装置
JP7282461B2 (ja) * 2019-04-16 2023-05-29 株式会社ディスコ 検査装置、及び加工装置
JP7325897B2 (ja) * 2019-04-18 2023-08-15 株式会社ディスコ 加工装置及び被加工物の加工方法
JP7343293B2 (ja) * 2019-04-18 2023-09-12 株式会社ディスコ 分割加工装置
JP7362334B2 (ja) * 2019-07-26 2023-10-17 株式会社ディスコ 加工方法
JP7366637B2 (ja) * 2019-08-16 2023-10-23 株式会社ディスコ ワークの確認方法、及び、加工方法
JP7382762B2 (ja) * 2019-08-27 2023-11-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置の加工結果の良否判定方法
JP7551232B2 (ja) * 2019-12-03 2024-09-17 株式会社ディスコ 加工装置
JP7430449B2 (ja) * 2020-02-04 2024-02-13 株式会社ディスコ 加工装置
JP7558664B2 (ja) * 2020-02-21 2024-10-01 株式会社ディスコ 被加工物の撮像方法、及び、加工装置
JP7430451B2 (ja) * 2020-04-02 2024-02-13 株式会社ディスコ 切削装置
JP7475781B2 (ja) 2020-06-29 2024-04-30 株式会社ディスコ 加工装置
JP7475782B2 (ja) 2020-06-29 2024-04-30 株式会社ディスコ 加工装置
CN111761747B (zh) * 2020-07-09 2022-07-29 深圳市佰创力科技有限公司 一种ic半导体芯片加工用打孔装置
JP2022038528A (ja) * 2020-08-27 2022-03-10 株式会社ディスコ 加工装置
JP7612296B2 (ja) * 2021-02-15 2025-01-14 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
CN113989365B (zh) * 2021-11-11 2024-12-17 江苏京创先进电子科技有限公司 一种twice切痕检测装置、方法、终端及存储介质
CN114597126B (zh) * 2022-03-10 2024-09-10 江苏汇成光电有限公司 一种处理晶圆切割异常的分片切割方法
CN114864750A (zh) * 2022-05-17 2022-08-05 通威太阳能（合肥）有限公司 电池片切片方法、电池片切片系统、存储介质及计算机
CN114755814B (zh) * 2022-06-13 2022-09-13 沈阳和研科技有限公司 一种能够用于划片机背切的新式显微镜结构及划片机

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3868056B2 (ja) * 1997-05-07 2007-01-17 株式会社ディスコ ウェーハのチッピング検出方法
JPH10312979A (ja) * 1997-05-12 1998-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの切削状況の検出方法
JP3813692B2 (ja) * 1997-05-28 2006-08-23 株式会社ディスコ ダイシング装置における半導体ウェーハ内部の特殊なパターンの検出方法
JP2003203883A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd 顕微鏡及び観察方法
JP4381755B2 (ja) * 2003-09-09 2009-12-09 株式会社ディスコ 切削装置
JP2005129607A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US7494900B2 (en) * 2006-05-25 2009-02-24 Electro Scientific Industries, Inc. Back side wafer dicing
JP2008112884A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP4102842B1 (ja) * 2006-12-04 2008-06-18 東京エレクトロン株式会社 欠陥検出装置、欠陥検出方法、情報処理装置、情報処理方法及びそのプログラム
JP5134412B2 (ja) 2008-03-28 2013-01-30 株式会社ディスコ チッピング検出方法
JP2011033449A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Sumco Corp ウェーハの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP5508108B2 (ja) * 2010-04-15 2014-05-28 株式会社ディスコ 半導体装置の製造方法
JP5743958B2 (ja) * 2012-05-30 2015-07-01 キヤノン株式会社 計測方法、露光方法および装置
JP5995616B2 (ja) * 2012-09-05 2016-09-21 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US8952497B2 (en) * 2012-09-14 2015-02-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scribe lines in wafers
JP6184855B2 (ja) * 2013-12-16 2017-08-23 株式会社ディスコ パッケージ基板の分割方法
JP6465722B2 (ja) * 2015-04-06 2019-02-06 株式会社ディスコ 加工装置
US12057332B2 (en) * 2016-07-12 2024-08-06 Ayar Labs, Inc. Wafer-level etching methods for planar photonics circuits and devices

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