[go: up one dir, main page]

JP6763750B2 - 被処理体を処理する方法 - Google Patents

被処理体を処理する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6763750B2
JP6763750B2 JP2016217163A JP2016217163A JP6763750B2 JP 6763750 B2 JP6763750 B2 JP 6763750B2 JP 2016217163 A JP2016217163 A JP 2016217163A JP 2016217163 A JP2016217163 A JP 2016217163A JP 6763750 B2 JP6763750 B2 JP 6763750B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
gas
etched
processing
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016217163A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018078138A5 (ja
JP2018078138A (ja
Inventor
雅弘 田端
雅弘 田端
亨 久松
亨 久松
嘉英 木原
嘉英 木原
昌伸 本田
昌伸 本田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2016217163A priority Critical patent/JP6763750B2/ja
Priority to TW106137484A priority patent/TWI759348B/zh
Priority to CN201780068805.1A priority patent/CN109923648B/zh
Priority to KR1020237028539A priority patent/KR20230127373A/ko
Priority to PCT/JP2017/039772 priority patent/WO2018084255A1/ja
Priority to KR1020197013091A priority patent/KR102571380B1/ko
Priority to US16/347,697 priority patent/US11081360B2/en
Publication of JP2018078138A publication Critical patent/JP2018078138A/ja
Publication of JP2018078138A5 publication Critical patent/JP2018078138A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6763750B2 publication Critical patent/JP6763750B2/ja
Priority to US17/362,285 priority patent/US20210327719A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
    • H01L21/02329—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
    • H01L21/02329—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen
    • H01L21/02332—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen into an oxide layer, e.g. changing SiO to SiON
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)

Description

本発明の実施形態は、被処理体を処理する方法に関するものである。
プラズマ処理装置を用いた被処理体のプラズマ処理の一種として、プラズマエッチングがある。プラズマエッチングに用いられるレジストマスクは、フォトリソグラフィ技術によって形成され、被エッチング層に形成されるパターンの限界寸法は、フォトリソグラフィ技術によって形成されるレジストマスクの解像度に依存する。しかし、レジストマスクの解像度には解像限界がある。電子デバイスの高集積化に対する要求が益々高まっており、レジストマスクの解像限界よりも小さい寸法のパターンを形成することが要求されるようになっている。このため、特許文献１に記載されているように、レジストマスク上にシリコン酸化膜を形成することによって、当該レジストマスクの寸法を調整し、当該レジストマスクによって提供される開口の幅を縮小する技術が提案されている。このため、特許文献１に記載されているように、レジストマスク上にシリコン酸化膜を形成することによって、当該レジストマスクの寸法を調整し、当該レジストマスクによって提供される開口の幅を縮小する技術が提案されている。
特開２００４−８００３３号公報
一方、近年の電子デバイスの高集積化に伴う微細化によって、被処理体上のパターン形成のうち積層構造に含まれる有機膜等に対するエッチングを進めて行く場合において、高精度の最小線幅（CD：Critical Dimension）の制御が要求される。従来では、１０［ｎｍ］以下の細穴スリットをＳｉＯ２膜に垂直に設ける場合には、堆積性のＣｘＦｙ系ガスを用いることによって、マスクとの選択比を得ている。しかしながら、ＣｘＦｙ系ガスに起因して生じる堆積物が細穴スリットの開口の閉塞を引き起こし得る。従って、ＣｘＦｙ系ガスを用いてＳｉＯ２膜に１０［ｎｍ］以下の細穴スリットを形成する場合には、エッチング量（エッチングによって形成されるスリットの深さ）と選択比とのトレードオフが生じ得る。従って、シリコンの酸化物を含む被処理体に対するエッチングにおいて、マスクとの選択比を良好に維持しつつ細穴スリットを形成する技術が望まれている。
一態様においては、被処理体を処理する方法が提供される。被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝（細穴スリット）とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出する。該方法は、被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、溝を介して被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、第１の工程の実行後に、処理容器内の空間をパージする第２の工程と、第２の工程の実行後に、処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって混合層を除去する第３の工程と、第３の工程の実行後に、処理容器内の空間をパージする第４の工程と、を含むシーケンスを繰り返し実行し、被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングする。被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、第１の処理ガスは、窒素を含み、第２の処理ガスは、フッ素を含む。そして、第３の工程において生成される第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む混合層を除去するラジカルを含む。
上記方法において、繰返し実行されるシーケンスの第１の工程では、まず、マスクの溝を介して露出されたシリコンの酸化物を含む被エッチング層の表面に対して、窒素を含む第１の処理ガスのプラズマによって、窒素イオンを含有する混合層を形成する。この混合層は、シリコンの窒化物を含有することとなる。そして、当該シーケンスの第３の工程では、第１の工程で形成されたシリコンの窒化物の混合層がフッ素を含む第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルを用いて除去される。このように、窒素を含む第１のガスが用いられる第１の工程においてシリコンの窒化物を含む混合層がマスクの溝の開口の形状に詳細に沿って形成され、フッ素を含む第２のガスが用いられる第３の工程において当該混合層が被エッチング層から除去される。従って、マスクの溝の開口および側面に対する堆積物の形成を回避しつつ、マスクの溝の開口の形状が詳細に維持された状態で被エッチング層に対するエッチングが可能となる。マスクの溝の幅やマスクの溝のパターンの疎密に依らず均一に、被エッチング層に対するエッチングが可能となる。更に、このような第１の工程および第３の工程を含むシーケンスが繰り返し実行されることによって、マスクの溝の開口の形状が詳細に維持された状態で、マスクの溝の幅やマスクの溝のパターンの疎密に依らず均一に、所望とする深さに至るまで被エッチング層に対するエッチングが可能となる。
一実施形態において、第１の工程では、第１の処理ガスのプラズマにバイアス電圧を印加して、被エッチング層の表面の原子層にイオンを含む混合層を形成し得る。このように、第１の処理ガスのプラズマにバイアス電圧が印可されるので、当該プラズマに含まれるイオン（窒素原子のイオン）がマスクの溝を介して露出された被エッチング層の表面に対して異方的に供給され得る。このため、被エッチング層の表面に形成される混合層は、溝の上から見て溝の開口の形状と高詳細に一致する形状に形成可能となる。
一実施形態において、第２の処理ガスは、ＮＦ３ガスおよびＯ２ガスを含む混合ガス、ＮＦ３ガス、Ｏ２ガス、Ｈ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガス、または、ＣＨ３Ｆガス、Ｏ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスであり得る。このように、フッ素を含有する第２の処理ガスが実現され得る。
以上説明したように、シリコンの酸化物を含む被処理体に対するエッチングにおいて、マスクとの選択比を良好に維持しつつ細穴スリットを形成する技術が提供される。
図１は、一実施形態に係る方法を示す流れ図である。 図２は、プラズマ処理装置の一例を示す図である。 図３は、（ａ）部、（ｂ）部、（ｃ）部、および、（ｄ）部を備え、図１に示す各工程の実行前および実行後の被処理体の状態を示す断面図である。 図４は、図１に示す方法の実行中における、被エッチング層に対するエッチング量と被エッチング層に形成される混合層の厚みとの変化を示す図である。 図５は、（ａ）部、（ｂ）部、および、（ｃ）部を備え、図１に示す方法におけるエッチングの原理を示す図である。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。以下、図１を参照して、プラズマ処理装置１０を用いて実施することができるエッチング方法（方法ＭＴ）について説明する。図１は、一実施形態の方法（方法ＭＴ）を示す流れ図である。図１に示す一実施形態の方法ＭＴは、被処理体（以下、「ウエハ」ということがある）を処理する方法である。方法ＭＴは、ウエハをエッチングする方法の一例である。一実施形態の方法ＭＴでは、一連の工程を単一のプラズマ処理装置（例えば、図２に示すプラズマ処理装置１０）を用いて実行することが可能である。
図２は、一実施形態のプラズマ処理装置１０を示す概要図である。図２に示すプラズマ処理装置１０は、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）型のプラズマ源を備える。プラズマ処理装置１０は、金属製（例えばアルミニウム製）の筒状（例えば円筒状）に形成された処理容器１９２を備える。処理容器１９２は、プラズマ処理が行われる処理空間Ｓｐを画成する。なお、処理容器１９２の形状は円筒状に限られるものではない。例えば角筒状（例えば箱状）であってもよい。また、プラズマ処理装置１０のプラズマ源は、ＩＣＰ型に限るものではなく、例えば、ＥＣＲ(Electron Cyclotron Resonance)型、ＣＣＰ（Capacitively Coupled Plasma）型や、マイクロ波を用いたもの等であることができる。
処理容器１９２の底部には、ウエハＷを載置するための載置台ＰＤが設けられている。載置台ＰＤは、静電チャックＥＳＣ、下部電極ＬＥを備える。下部電極ＬＥは、第１プレート１８ａ、第２プレート１８ｂを備える。処理容器１９２は、処理空間Ｓｐを画成する。
支持部１４は、処理容器１９２の内側において、処理容器１９２の底部上に設けられる。支持部１４は、例えば、略円筒状の形状を備える。支持部１４は、例えば、絶縁材料から構成される。支持部１４を構成する絶縁材料は、石英のように酸素を含み得る。支持部１４は、処理容器１９２内において、処理容器１９２の底部から鉛直方向に延在する。
載置台ＰＤは、処理容器１９２内に設けられる。載置台ＰＤは、支持部１４によって支持される。載置台ＰＤは、載置台ＰＤの上面において、ウエハＷを保持する。ウエハＷは、被処理体である。載置台ＰＤは、下部電極ＬＥおよび静電チャックＥＳＣを備える。
下部電極ＬＥは、第１プレート１８ａおよび第２プレート１８ｂを含む。第１プレート１８ａおよび第２プレート１８ｂは、例えばアルミニウム等の金属から構成される。第１プレート１８ａおよび第２プレート１８ｂは、例えば、略円盤状の形状を備える。第２プレート１８ｂは、第１プレート１８ａ上に設けられる。第２プレート１８ｂは、第１プレート１８ａに電気的に接続される。
静電チャックＥＳＣは、第２プレート１８ｂ上に設けられる。静電チャックＥＳＣは、一対の絶縁層の間、または、一対の絶縁シートの間において、導電膜の電極が配置された構造を備える。直流電源２２は、スイッチ２３を介して、静電チャックＥＳＣの電極に電気的に接続される。静電チャックＥＳＣは、直流電源２２からの直流電圧によって生じる静電力によって、ウエハＷを吸着する。これによって、静電チャックＥＳＣは、ウエハＷを保持することができる。
フォーカスリングＦＲは、ウエハＷのエッジおよび静電チャックＥＳＣを囲むように、第２プレート１８ｂの周縁部上に配置される。フォーカスリングＦＲは、エッチングの均一性を向上させるために設けられる。フォーカスリングＦＲは、エッチング対象の膜の材料によって適宜選択される材料から構成されており、例えば、石英から構成され得る。
冷媒流路２４は、第２プレート１８ｂの内部に設けられる。冷媒流路２４は、温調機構を構成する。冷媒流路２４には、処理容器１９２の外部に設けられるチラーユニットから配管２６ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給される冷媒は、配管２６ｂを介してチラーユニットに戻される。このように、冷媒流路２４には、冷媒が循環するように、供給される。この冷媒の温度を制御することによって、静電チャックＥＳＣによって支持されるウエハＷの温度が制御される。ガス供給ライン２８は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャックＥＳＣの上面とウエハＷの裏面との間に供給する。
ヒータＨＴは、加熱素子である。ヒータＨＴは、例えば、第２プレート１８ｂ内に埋め込まれる。ヒータ電源ＨＰは、ヒータＨＴに接続される。ヒータ電源ＨＰからヒータＨＴに電力が供給されることによって、載置台ＰＤの温度が調整され、そして、載置台ＰＤ上に載置されるウエハＷの温度が調整される。なお、ヒータＨＴは、静電チャックＥＳＣに内蔵され得る。
板状誘電体１９４は、載置台ＰＤの上方において、載置台ＰＤと対向配置される。下部電極ＬＥと板状誘電体１９４とは、互いに略平行に設けられる。板状誘電体１９４と下部電極ＬＥとの間には、処理空間Ｓｐが提供される。処理空間Ｓｐは、プラズマ処理をウエハＷに行うための空間領域である。
プラズマ処理装置１０では、処理容器１９２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、処理容器１９２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。デポシールドは、Ｙ２Ｏ３の他に、例えば、石英のように酸素を含む材料から構成され得る。
排気プレート４８は、処理容器１９２の底部側であって、且つ、支持部１４と処理容器１９２の側壁との間に設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することによって構成され得る。排気口１２ｅは、排気プレート４８の下方において、処理容器１９２に設けられている。排気装置５０は、排気管５２を介して排気口１２ｅに接続される。排気装置５０は、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプを備えており、処理容器１９２内の空間を所望の真空度まで減圧することができる。高周波電源６４は、ウエハＷにイオンを引き込むための第２の高周波電力、すなわち高周波バイアス電力を発生する電源であり、４００［ｋＨｚ］〜４０．６８［ＭＨｚ］の範囲内の周波数、一例においては１３［ＭＨｚ］の高周波バイアス電力を発生する。高周波電源６４は、整合器６８を介して下部電極ＬＥに接続される。整合器６８は、高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極ＬＥ側）の入力インピーダンスとを整合させるための回路である。
処理容器１９２の天井部には、例えば石英ガラスやセラミック等で構成された板状誘電体１９４が載置台ＰＤに対向するように設けられている。具体的には、板状誘電体１９４は、例えば円板状に形成され、処理容器１９２の天井部に形成された開口を塞ぐように気密に取り付けられている。処理空間Ｓｐは、プラズマ源によってプラズマが生成される空間である。処理空間Ｓｐは、ウエハＷが載置される空間である。
処理容器１９２には、後述の第１の処理ガスおよび第２の処理ガスを供給するガス供給部１２０が設けられている。ガス供給部１２０は、上述した処理空間Ｓｐへ、第１の処理ガスおよび第２の処理ガスを供給する。処理容器１９２の側壁部にはガス導入口１２１が形成されており、ガス導入口１２１にはガス供給配管１２３を介してガス供給源１２２が接続されている。ガス供給配管１２３の途中には第１の処理ガスおよび第２の処理ガスの流量を制御する流量制御器（例えば、マスフローコントローラ１２４、および、開閉バルブ１２６）が介在している。このようなガス供給部１２０によれば、ガス供給源１２２から出力される第１の処理ガスおよび第２の処理ガスは、マスフローコントローラ１２４によって予め設定された流量に制御されて、ガス導入口１２１から処理容器１９２の処理空間Ｓｐへ供給される。
なお、図２では説明を簡単にするため、ガス供給部１２０を一系統のガスラインを用いて表現しているが、ガス供給部１２０は、複数のガス種（少なくとも、第１の処理ガスおよび第２の処理ガス）を処理ガスとして供給する構成を備える。また、図２に示すガス供給部１２０は、一例として、処理容器１９２の側壁部からガスを供給する構成を備えているが、ガス供給部１２０は、図２に示す構成に限られない。例えば、ガス供給部１２０は、処理容器１９２の天井部からガスを供給する構成を備えることもできる。ガス供給部１２０がこのような構成を備える場合には、例えば、板状誘電体１９４の例えば中央部にガス導入口が形成され、このガス導入口からガスが供給され得る。
処理容器１９２の底部には、処理容器１９２内の雰囲気を排出する排気装置５０が排気管５２を介して接続されている。排気装置５０は、例えば真空ポンプによって構成され、処理容器１９２内の圧力を予め設定された圧力にし得る。
処理容器１９２の側壁部にはウエハ搬出入口１３４が設けられており、ウエハ搬出入口１３４にはゲートバルブ１３６が設けられている。例えばウエハＷが搬入される際には、ゲートバルブ１３６が開かれ、図示しない搬送アーム等の搬送機構によってウエハＷが処理容器１９２内の載置台ＰＤ上に載置された後に、ゲートバルブ１３６が閉じられて、ウエハＷの処理が開始される。
処理容器１９２の天井部には、板状誘電体１９４の上側面（外側面）に、平面状の高周波アンテナ１４０と、高周波アンテナ１４０を覆うシールド部材１６０とが設けられる。一実施形態における高周波アンテナ１４０は、板状誘電体１９４の中央部に配置されている内側アンテナ素子１４２Ａと、内側アンテナ素子１４２Ａの外周を囲むように配置されている外側アンテナ素子１４２Ｂとを備える。内側アンテナ素子１４２Ａ、外側アンテナ素子１４２Ｂのそれぞれは、例えば、銅、アルミニウム、ステンレス等の導体であり、渦巻きコイル状の形状を備える。
内側アンテナ素子１４２Ａ、外側アンテナ素子１４２Ｂは、共に、複数の挟持体１４４に挟持されて一体となっている。挟持体１４４は、例えば、棒状の形状を備えている。挟持体１４４は、内側アンテナ素子１４２Ａの中央付近から外側アンテナ素子１４２Ｂの外側に張り出すように放射線状に配置されている。
シールド部材１６０は、内側シールド壁１６２Ａと外側シールド壁１６２Ｂとを備える。内側シールド壁１６２Ａは、内側アンテナ素子１４２Ａを囲むように、内側アンテナ素子１４２Ａと外側アンテナ素子１４２Ｂとの間に設けられている。外側シールド壁１６２Ｂは、外側アンテナ素子１４２Ｂを囲むように設けられており、筒状の形状を備える。従って、板状誘電体１９４の上側面は、内側シールド壁１６２Ａの内側の中央部（中央ゾーン）と、内側シールド壁１６２Ａと外側シールド壁１６２Ｂとの間の周縁部（周縁ゾーン）とに分けられる。
内側アンテナ素子１４２Ａ上には、内側シールド壁１６２Ａの開口を塞ぐように円板状の内側シールド板１６４Ａが設けられている。外側アンテナ素子１４２Ｂ上には、内側シールド壁１６２Ａと外側シールド壁１６２Ｂとの間の開口を塞ぐようにドーナツ板状の外側シールド板１６４Ｂが設けられている。
シールド部材１６０の形状は、円筒状に限られるものではない。シールド部材１６０の形状は、例えば、角筒状等の他の形状であることができ、または、処理容器１９２の形状に合わせられたものであることができる。ここでは、処理容器１９２が例えば略円筒状の形状を備えるので、当該円筒形状に合わせてシールド部材１６０も略円筒状の形状を備える。処理容器１９２が略角筒状の形状を備えている場合には、シールド部材１６０も略角筒状の形状を備える。
内側アンテナ素子１４２Ａ、外側アンテナ素子１４２Ｂのそれぞれには、高周波電源１５０Ａ、高周波電源１５０Ｂのそれぞれが別々に接続されている。これにより、内側アンテナ素子１４２Ａ、外側アンテナ素子１４２Ｂのそれぞれには、同じ周波数または異なる周波数の高周波を印加できる。例えば、高周波電源１５０Ａから例えば２７［ＭＨｚ］等の周波数の高周波が予め設定されたパワー［Ｗ］で内側アンテナ素子１４２Ａに供給されると、処理容器１９２内に形成された誘導磁界によって、処理容器１９２内に導入された処理ガスが励起され、ウエハＷ上の中央部にドーナツ型のプラズマが生成され得る。また、高周波電源１５０Ｂから例えば２７［ＭＨｚ］等の周波数の高周波が予め設定されたパワー［Ｗ］で外側アンテナ素子１４２Ｂに供給されると、処理容器１９２内に形成された誘導磁界によって、処理容器１９２内に導入された処理ガスが励起され、ウエハＷ上の周縁部に別のドーナツ型のプラズマが生成され得る。高周波電源１５０Ａ、高周波電源１５０Ｂのそれぞれから出力される高周波は、上述した周波数に限られるものではなく、様々な周波数の高周波が、高周波電源１５０Ａ、高周波電源１５０Ｂのそれぞれから供給され得る。なお、高周波電源１５０Ａ、高周波電源１５０Ｂのそれぞれから出力される高周波に応じて、内側アンテナ素子１４２Ａ、外側アンテナ素子１４２Ｂの電気的長さを調整する必要がある。内側シールド板１６４Ａ、外側シールド板１６４Ｂのそれぞれでは、アクチュエータ１６８Ａ、アクチュエータ１６８Ｂによって別々に高さが調整できる。
制御部Ｃｎｔは、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置１０の各部を制御する。具体的に、制御部Ｃｎｔは、マスフローコントローラ１２４、開閉バルブ１２６、排気装置５０、高周波電源１５０Ａ、高周波電源１５０Ｂ、高周波電源６４、整合器６８、ヒータ電源ＨＰ、および、チラーユニットに接続されている。
制御部Ｃｎｔは、入力されたレシピに基づくプログラムに従って動作し、制御信号を送出する。制御部Ｃｎｔからの制御信号によって、少なくとも、ガス供給源１２２から供給されるガスの選択および流量と、排気装置５０の排気と、高周波電源１５０Ａ、高周波電源１５０Ｂ、および、高周波電源６４からの電力供給と、ヒータ電源ＨＰの電力供給と、チラーユニットからの冷媒流量および冷媒温度とを制御することが可能である。なお、本明細書において開示される被処理体を処理する方法（図１に示す方法ＭＴ）の各工程は、制御部Ｃｎｔによる制御によってプラズマ処理装置１０の各部を動作させることによって、実行され得る。
図１に戻って、方法ＭＴについての説明を続ける。以下の説明では、図１と共に、図２、図３、図４、図５を参照して説明する。図３は、（ａ）部、（ｂ）部、（ｃ）部、および、（ｄ）部を備え、図１に示す各工程の実行前および実行後の被処理体の状態を示す断面図である。図４は、図１に示す方法の実行中における、被エッチング層に対するエッチング量と被エッチング層に形成される混合層の厚みとの変化を示す図である。図５は、図１に示す方法におけるエッチングの原理を示す図である。
工程ＳＴ１では、図３の（ａ）部に示すウエハＷが準備され、ウエハＷがプラズマ処理装置１０の処理容器１９２内に収容され、静電チャックＥＳＣ上に載置される。工程ＳＴ１において図２に示すウエハＷとして図３の（ａ）部に示す上記のウエハＷを準備した後に、シーケンスＳＱおよび工程ＳＴ３の各工程を実行する。図３の（ａ）部に示すウエハＷは、図示しない支持基体と、この支持基体上に設けられた被エッチング層ＥＬと、被エッチング層ＥＬ上（被エッチング層ＥＬの表面ＳＦ）に設けられたマスクＭＫと、マスクＭＫに設けられた溝ＴＲとを備える。溝ＴＲは、マスクＭＫの表面から被エッチング層ＥＬの表面ＳＦに至り、被エッチング層ＥＬを露出している。すなわち、被エッチング層ＥＬの表面ＳＦの一部は、溝ＴＲを介して、露出されている。被エッチング層ＥＬの材料は、シリコンの酸化物を含んでおり、例えば、ＳｉＯ２を含み得る。マスクＭＫの材料は、例えばＴｉＮ等を含み得る。
工程ＳＴ１に引き続くシーケンスＳＱおよび工程ＳＴ３の一連の工程は、被エッチング層ＥＬをエッチングする工程である。まず、工程ＳＴ１に引き続きシーケンスＳＱを一回（単位サイクル）以上実行する。シーケンスＳＱは、ＡＬＥ（Atomic Layer Etching）法と同様の方法によって、被エッチング層ＥＬのうちマスクＭＫで覆われていない領域を、マスクＭＫの疎密によらず高選択比で精密にエッチングする一連の工程であり、シーケンスＳＱにおいて順次実行される工程ＳＴ２ａ（第１の工程）、工程ＳＴ２ｂ（第２の工程）、工程ＳＴ２ｃ（第３の工程）、工程ＳＴ２ｄ（第４の工程）を含む。
工程ＳＴ２ａは、ウエハＷが収容されているプラズマ処理装置１０の処理容器１９２内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層ＭＸを、溝ＴＲを介して被エッチング層ＥＬの表面ＳＦの原子層に形成する。例えば、工程ＳＴ２ａでは、第１の処理ガスのプラズマに高周波電源６４を介してバイアス電圧を印加して、被エッチング層ＥＬの表面ＳＦの原子層に対し、第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層ＭＸを形成し得る。工程ＳＴ２ａにおいて、図３の（ｂ）部に示すように、ウエハＷが静電チャックＥＳＣ上に載置されている状態で、処理容器１９２内に第１の処理ガスを供給し、当該第１の処理ガスのプラズマを生成する。第１の処理ガスは、窒素を含み、具体的にはＮ２ガスを含み得る。図３の（ｂ）部に示す黒塗りの円（黒丸）は、第１のガスのプラズマに含まれるイオン（窒素原子のイオン）を示している。具体的には、ガス供給源１２２の複数のガスソースのうち選択したガスソースからＮ２ガスを含む第１の処理ガスを処理容器１９２内に供給する。そして、高周波電源１５０Ａおよび高周波電源１５０Ｂから高周波電力を供給し、高周波電源６４から高周波バイアス電圧を供給し、排気装置５０を動作させることによって処理容器１９２内の処理空間Ｓｐの気圧を予め設定された値に設定する。このようにして、第１の処理ガスのプラズマが処理容器１９２内において生成され、第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオン（窒素原子のイオン）が、高周波バイアス電力による鉛直方向への引き込みよって、溝ＴＲを介して被エッチング層ＥＬの表面ＳＦに接触し、溝ＴＲを介して露出されている被エッチング層ＥＬの表面ＳＦが異方的に改質される。このように工程ＳＴ２ａにおいて被エッチング層ＥＬの表面ＳＦのうち異方的に改質された箇所が、混合層ＭＸとなる。第１のガスがＮ２ガスであり被エッチング層ＥＬがシリコンの酸化物（例えばＳｉＯ２）を含むので、混合層ＭＸの組成は、ＳｉＮ／ＳｉＯ２（ＳｉＯＮ）であり得る。
図５は、（ａ）部、（ｂ）部、および、（ｃ）部を備え、図１に示す方法（シーケンスＳＱ）におけるエッチングの原理を示す図である。図５において、白抜きの円（白丸）は、被エッチング層ＥＬを構成する原子（例えばＳｉＯ２を構成する原子）を示しており、黒塗りの円（黒丸）は、第１のガスのプラズマに含まれるイオン（窒素原子のイオン）を示しており、円で囲まれた「×」は、後述の第２のガスのプラズマに含まれるラジカルを示している。図５の（ａ）部および図３の（ｂ）部に示すように、工程ＳＴ２ａによって、第１のガスのプラズマに含まれる窒素原子のイオン（黒塗りの円（黒丸））が、溝ＴＲを介して被エッチング層ＥＬの表面ＳＦの原子層に異方的に供給される。このように、工程ＳＴ２ａによって、被エッチング層ＥＬを構成する原子と第１のガスの窒素原子とを含む混合層ＭＸが、溝ＴＲによって露出されている被エッチング層ＥＬの表面ＳＦの原子層に形成される（図５の（ａ）部と共に図３の（ｃ）部も参照）。
以上のように、第１のガスがＮ２ガスを含むので、工程ＳＴ２ａにおいて、被エッチング層ＥＬの表面ＳＦの原子層（シリコンの酸化物の原子層）に窒素原子が供給され、シリコンの窒化物を含有する混合層ＭＸ（ＳｉＮ／ＳｉＯ２）が表面ＳＦの原子層に形成され得る。
工程ＳＴ２ａに引き続く工程ＳＴ２ｂでは、処理容器１９２内の処理空間Ｓｐをパージする。具体的には、工程ＳＴ２ａにおいて供給された第１の処理ガスが排気される。工程ＳＴ２ｂでは、パージガスとして希ガス（例えばＡｒガス等）といった不活性ガスを処理容器１９２に供給してもよい。すなわち、工程ＳＴ２ｂのパージは、不活性ガスを処理容器１９２内に流すガスパージ、または真空引きによるパージの何れであってもよい。
工程ＳＴ２ｂに引き続く工程ＳＴ２ｃでは、処理容器１９２内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該プラズマに含まれるラジカルを用いたケミカルエッチングによって、混合層ＭＸを除去する。工程ＳＴ２ｃにおいて、図３の（ｃ）部に示すように、工程ＳＴ２ａにおいて混合層ＭＸが形成された後のウエハＷが静電チャックＥＳＣ上に載置されている状態で、処理容器１９２内に第２の処理ガスを供給し、第２の処理ガスのプラズマを生成する。工程ＳＴ２ｃにおいて生成される第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む混合層ＭＸを除去するラジカルを含む。図３の（ｃ）部に示す円で囲まれた「×」は、第２のガスのプラズマに含まれるラジカルを示している。第２の処理ガスは、フッ素を含み、例えば、ＮＦ３ガスおよびＯ２ガスを含む混合ガスであり得る。なお、第２の処理ガスは、ＮＦ３ガス、Ｏ２ガス、Ｈ２ガス、および、Ａｒガスを含む混合ガスや、ＣＨ３Ｆガス、Ｏ２ガス、および、Ａｒガスを含む混合ガスでもあり得る。具体的には、ガス供給源１２２の複数のガスソースのうち選択したガスソースから上記の第２の処理ガスが処理容器１９２内に供給され、高周波電源１５０Ａおよび高周波電源１５０Ｂから高周波電力が供給され、排気装置５０を動作させることによって処理容器１９２内の処理空間Ｓｐの気圧が予め設定された値に設定される。このようにして、第２の処理ガスのプラズマが処理容器１９２内において生成される。工程ＳＴ２ｃにおいて生成された第２の処理ガスのプラズマ中のラジカルは、溝ＴＲを介して被エッチング層ＥＬの表面ＳＦの混合層ＭＸに接触する。図５の（ｂ）部に示すように、工程ＳＴ２ｃによって、被エッチング層ＥＬの表面ＳＦに形成された混合層ＭＸに第２の処理ガスの原子のラジカルが供給されて混合層ＭＸがケミカルエッチングによって被エッチング層ＥＬから除去され得る。
以上のように、図３の（ｄ）部に示すように、工程ＳＴ２ｃにおいて、被エッチング層ＥＬの表面ＳＦに形成された混合層ＭＸは、第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって、被エッチング層ＥＬの表面ＳＦから除去され得る。
工程ＳＴ２ｃに引き続く工程ＳＴ２ｄでは、処理容器１９２内の処理空間Ｓｐをパージする。具体的には、工程ＳＴ２ｃにおいて供給された第２の処理ガスが排気される。工程ＳＴ２ｄでは、パージガスとして希ガス（例えばＡｒガス等）といった不活性ガスを処理容器１９２に供給してもよい。すなわち、工程ＳＴ２ｄのパージは、不活性ガスを処理容器１９２内に流すガスパージ、または真空引きによるパージの何れであってもよい。
シーケンスＳＱに引き続く工程ＳＴ３では、シーケンスＳＱの実行を終了するか否かを判定する。具体的には、工程ＳＴ３では、シーケンスＳＱの実行回数が予め設定された回数に達したか否かを判定する。シーケンスＳＱの実行回数の決定は、被エッチング層ＥＬに対するエッチング量（エッチングによって被エッチング層ＥＬに形成される溝の深さ）を決定することである。シーケンスＳＱは、被エッチング層ＥＬに対するエッチング量が予め設定された値に至るまで被エッチング層ＥＬがエッチングされるように、繰り返し実行され得る。シーケンスＳＱの実行回数の増加に伴って、被エッチング層ＥＬに対するエッチング量も増加（ほぼ線形的に増加）する。従って、１回（単位サイクル）のシーケンスＳＱの実行によってエッチングされる被エッチング層ＥＬの厚み（１回の工程ＳＴ２ａで形成される混合層ＭＸの厚み）とシーケンスＳＱの実行回数との積が予め設定された値となるように、シーケンスＳＱの実行回数が決定され得る。
図４を参照して、シーケンスＳＱの実行中において生じる被エッチング層ＥＬに対するエッチング量の変化と被エッチング層ＥＬに形成される混合層ＭＸの厚みの変化とについて説明する。図４のグラフＧ１は、シーケンスＳＱの実行中において生じる被エッチング層ＥＬに対するエッチング量（任意単位）の変化を示しており、図４のグラフＧ２は、シーケンスＳＱの実行中において生じる被エッチング層ＥＬに形成される混合層ＭＸの厚み（任意単位）の変化を示している。図４の横軸は、シーケンスＳＱの実行中の時間を表しているが、工程ＳＴ２ｂの実行時間および工程ＳＴ２ｄの実行時間は図示簡略化のために省略されている。図４に示すように、１回（単位サイクル）のシーケンスＳＱの実行において、工程ＳＴ２ａの実行は、グラフＧ２に示すように、混合層ＭＸの厚みが予め設定された値ＴＨになるまで行われる。工程ＳＴ２ａにおいて形成される混合層ＭＸの厚みの値ＴＨは、高周波電源６４によって印加されるバイアス電力の値と、第１のガスのプラズマに含まれているイオンの被エッチング層ＥＬに対する単位時間当たりのドーズ（dose）量と、工程ＳＴ２ａの実行時間とによって決定され得る。
また、図４に示すように、１回（単位サイクル）のシーケンスＳＱの実行において、工程ＳＴ２ｃの実行は、グラフＧ１およびグラフＧ２に示すように、工程ＳＴ２ａで形成された混合層ＭＸが全て除去されるまで行われる。工程ＳＴ２ｂの実行中においてタイミングＴＭに至るまでに、混合層ＭＸがケミカルエッチングによって全て除去される。タイミングＴＭは、工程ＳＴ２ｃにおいて行われるケミカルエッチングのエッチングレートによって決定され得る。タイミングＴＭは、工程ＳＴ２ｂの実行中に生じる。タイミングＴＭから工程ＳＴ２ｂの終了までの間において、混合層ＭＸの除去後におけるシリコンの酸化物の被エッチング層ＥＬは、第２の処理ガスのプラズマによってはエッチングされない（セルフ・リミテッド）。すなわち、第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルを用いた場合、被エッチング層ＥＬを構成するシリコンの酸化物（例えばＳｉＯ２）に対するエッチングのエッチングレートは、混合層ＭＸに含まれるシリコンの窒化物（例えばＳｉＮ）に対するエッチングのエッチングレートに比較して極めて小さい。
工程ＳＴ３においてシーケンスＳＱの実行回数が予め設定された回数に達していないと判定される場合には（工程ＳＴ３：ＮＯ）、シーケンスＳＱの実行が再び繰り返される。一方、工程ＳＴ３においてシーケンスＳＱの実行回数が予め設定された回数に達していると判定される場合には（工程ＳＴ３：ＹＥＳ）、シーケンスＳＱの実行が終了される。シーケンスＳＱおよび工程ＳＴ３の一連の工程は、マスクＭＫを用いてシーケンスＳＱを繰り返し実行して被エッチング層ＥＬを原子層毎に除去することによって、マスクＭＫのパターンの粗密や溝ＴＲの幅の程度（値）によらずに、被エッチング層ＥＬを精密にエッチングする工程である。すなわち、シーケンスＳＱが予め設定された回数だけ繰り返されることによって、被エッチング層ＥＬが、マスクＭＫのパターンの粗密や溝ＴＲの幅の程度（値）によらずに、マスクＭＫが提供する溝ＴＲの幅と同一および均一な幅で詳細にエッチングされ、また、マスクＭＫに対する選択比も向上される。以上のように、シーケンスＳＱおよび工程ＳＴ３の一連の工程は、ＡＬＥ法と同様の方法によって、被エッチング層ＥＬを原子層毎に除去することができる。
以下、工程ＳＴ２ａ、工程ＳＴ２ｃのそれぞれの主なプロセス条件の実施例を示す。
＜工程ＳＴ２ａ＞
・処理容器１９２内の圧力［ｍＴｏｒｒ］：３０［ｍＴｏｒｒ］
・高周波電源１５０Ａおよび高周波電源１５０Ｂの高周波電力の値［Ｗ］：０［Ｗ］（２７［ＭＨｚ］）
・高周波電源６４の高周波電力の値［Ｗ］：０〜２００［Ｗ］（１３［ＭＨｚ］）
・第１の処理ガス：Ｎ２ガス
・第１の処理ガスの流量［ｓｃｃｍ］：５００［ｓｃｃｍ］
・処理時間［ｓ］：１０〜６０［ｓ］
高周波電源６４の高周波電力の値は、２０〜１００［Ｗ］が好適であり得る。高周波電源６４の高周波電力の値がこの範囲にある場合、被エッチング層ＥＬにおいてシリコンの酸化物に対するシリコンの窒化物のエッチング量を比較的に多く維持しつつ、被エッチング層ＥＬに対する第１の処理ガスのプラズマによるスパッタ量を十分に低減し得ることが発明者によって見出された。
＜工程ＳＴ２ｃ＞
・処理容器１９２内の圧力［ｍＴｏｒｒ］：５０〜４００［ｍＴｏｒｒ］
・高周波電源１５０Ａおよび高周波電源１５０Ｂの高周波電力の値［Ｗ］：０〜８００［Ｗ］（２７［ＭＨｚ］）
・高周波電源６４の高周波電力の値［Ｗ］：０［Ｗ］（１３［ＭＨｚ］）
・第２の処理ガス：ＮＦ３ガスおよびＯ２ガスを含む混合ガス
・第２の処理ガスの流量［ｓｃｃｍ］：１２０［ｓｃｃｍ］（ＮＦ３ガス）、４０［ｓｃｃｍ］（Ｏ２ガス）
・処理時間［ｓ］：１０〜５０［ｓ］
なお、処理容器１９２内の圧力が高いほど、シリコンの酸化物に対するシリコンの窒化物のエッチング量（選択比）が多く（高く）なり、さらに、エッチングによって混合層ＭＸが全て除去された後には、工程ＳＴ２ｃを継続しても被エッチング層ＥＬに対するエッチング量が少なくなる、という現象が発明者によって見出された。
また、工程ＳＴ２ｃにおいて、第２の処理ガスは、ＮＦ３ガス、Ｏ２ガス、Ｈ２ガスおよびＡｒガスの混合ガスであり得る。この第２の処理ガスを用いた場合、工程ＳＴ２ｃでは、以下のプロセス条件が利用され得る。
・処理容器１９２内の圧力［ｍＴｏｒｒ］：３５０［ｍＴｏｒｒ］
・高周波電源１５０Ａおよび高周波電源１５０Ｂの高周波電力の値［Ｗ］：２００［Ｗ］（２７［ＭＨｚ］）
・高周波電源６４の高周波電力の値［Ｗ］：０［Ｗ］（１３［ＭＨｚ］）
・第２の処理ガス：ＮＦ３ガスおよびＯ２ガスを含む混合ガス
・第２の処理ガスの流量［ｓｃｃｍ］：４５［ｓｃｃｍ］（ＮＦ３ガス）、３００［ｓｃｃｍ］（Ｏ２ガス）、４０［ｓｃｃｍ］（Ｈ２ガス）、１００［ｓｃｃｍ］（Ａｒガス）
・処理時間［ｓ］：１０［ｓ］
＜シーケンスＳＱ＞
・繰り返し回数：２０〜５０回
なお、シーケンスＳＱの繰り返し回数が多いほど、被エッチング層ＥＬに対するエッチング量も多くなる。
上記した一実施形態に係るプラズマ処理装置１０では、ＩＣＰ型のプラズマ源を例示して説明したが、プラズマ処理装置１０のプラズマ源としてはＩＣＰ型に限らず、ＣＣＰ型も用い得る。以下、プラズマ処理装置１０のプラズマ源がＣＣＰ型の場合における工程ＳＴ２ａ、工程ＳＴ２ｃのそれぞれの主なプロセス条件の実施例を示す。
＜工程ＳＴ２ａ＞
・処理容器１９２内の圧力［ｍＴｏｒｒ］：１０［ｍＴｏｒｒ］
・処理容器１９２の天井部に設けられる高周波電源の高周波電力の値［Ｗ］：５００［Ｗ］（６０［ＭＨｚ］）
・高周波電源６４の高周波電力の値［Ｗ］：１００［Ｗ］（１３［ＭＨｚ］）
・第１の処理ガス：Ｎ２ガス
・第１の処理ガスの流量［ｓｃｃｍ］：５００［ｓｃｃｍ］
・処理時間［ｓ］：６０［ｓ］
＜工程ＳＴ２ｃ＞
・処理容器１９２内の圧力［ｍＴｏｒｒ］：５０［ｍＴｏｒｒ］
・処理容器１９２の天井部に設けられる高周波電源の高周波電力の値［Ｗ］：１０００［Ｗ］（６０［ＭＨｚ］）
・高周波電源６４の高周波電力の値［Ｗ］：０〜１００［Ｗ］（１３［ＭＨｚ］）
・第２の処理ガス：ＣＨ３Ｆガス、Ｏ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガス
・第２の処理ガスの流量［ｓｃｃｍ］：２５［ｓｃｃｍ］（ＣＨ３Ｆガス）、２０［ｓｃｃｍ］（Ｏ２ガス）、７００［ｓｃｃｍ］（Ａｒガス）
・処理時間［ｓ］：６０［ｓ］
エッチングによって混合層ＭＸが全て除去された後には、工程ＳＴ２ｃを継続しても被エッチング層ＥＬに対するエッチング量は少ない。なお、シーケンスＳＱにおいて、工程ＳＴ２ｃの後に下記のプロセス条件でアッシング処理を更に行う場合がある。
＜アッシング処理＞
・処理容器１９２内の圧力［ｍＴｏｒｒ］：１００［ｍＴｏｒｒ］
・処理容器１９２の天井部に設けられる高周波電源の高周波電力の値［Ｗ］：６００［Ｗ］（６０［ＭＨｚ］）
・高周波電源６４の高周波電力の値［Ｗ］：０［Ｗ］（１３［ＭＨｚ］）
・第２の処理ガス：Ｏ２ガス
・第２の処理ガスの流量［ｓｃｃｍ］：７５０［ｓｃｃｍ］
・処理時間［ｓ］：６０［ｓ］
上記の方法ＭＴにおいて、繰返し実行されるシーケンスＳＱの工程ＳＴ２ａでは、まず、マスクＭＫの溝ＴＲを介して露出されたシリコンの酸化物を含む被エッチング層ＥＬの表面ＳＦに対して、窒素を含む第１の処理ガスのプラズマによって、窒素イオンを含有する混合層ＭＸを形成する。混合層ＭＸは、シリコンの窒化物を含有することとなる。そして、シーケンスＳＱの工程ＳＴ２ｃでは、工程ＳＴ２ａで形成されたシリコンの窒化物の混合層ＭＸがフッ素を含む第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルを用いて除去される。このように、窒素を含む第１のガスが用いられる工程ＳＴ２ａにおいてシリコンの窒化物を含む混合層ＭＸがマスクＭＫの溝ＴＲの開口の形状に詳細に沿って形成され、フッ素を含む第２のガスが用いられる工程ＳＴ２ｃにおいて混合層ＭＸが被エッチング層ＥＬから除去される。従って、マスクＭＫの溝ＴＲの開口および側面に対する堆積物の形成を回避しつつ、マスクＭＫの溝ＴＲの開口の形状が詳細に維持された状態で被エッチング層ＥＬに対するエッチングが可能となる。マスクＭＫの溝ＴＲの幅やマスクＭＫの溝ＴＲのパターンの疎密に依らず均一に、被エッチング層ＥＬに対するエッチングが可能となる。更に、このような工程ＳＴ２ａおよび工程ＳＴ２ｃを含むシーケンスＳＱが繰り返し実行されることによって、マスクＭＫの溝ＴＲの開口の形状が詳細に維持された状態で、マスクＭＫの溝ＴＲの幅やマスクＭＫの溝ＴＲのパターンの疎密に依らず均一に、所望とする深さに至るまで被エッチング層ＥＬに対するエッチングが可能となる。
さらに、第１の処理ガスのプラズマにバイアス電圧が印可される場合には、当該プラズマに含まれるイオン（窒素原子のイオン）がマスクＭＫの溝ＴＲを介して露出された被エッチング層ＥＬの表面ＳＦに対して異方的に供給され得る。このため、被エッチング層ＥＬの表面ＳＦに形成される混合層ＭＸは、溝ＴＲの上から見て溝ＴＲの開口の形状と高詳細に一致する形状に形成可能となる。
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。従って、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
１０…プラズマ処理装置、１２０…ガス供給部、１２１…ガス導入口、１２２…ガス供給源、１２３…ガス供給配管、１２４…マスフローコントローラ、１２６…開閉バルブ、１２ｅ…排気口、１３４…ウエハ搬出入口、１３６…ゲートバルブ、１４…支持部、１４０…高周波アンテナ、１４２Ａ…内側アンテナ素子、１４２Ｂ…外側アンテナ素子、１４４…挟持体、１５０Ａ…高周波電源、１５０Ｂ…高周波電源、１６０…シールド部材、１６２Ａ…内側シールド壁、１６２Ｂ…外側シールド壁、１６４Ａ…内側シールド板、１６４Ｂ…外側シールド板、１６８Ａ…アクチュエータ、１６８Ｂ…アクチュエータ、１８ａ…第１プレート、１８ｂ…第２プレート、１９２…処理容器、１９４…板状誘電体、２２…直流電源、２３…スイッチ、２４…冷媒流路、２６ａ…配管、２６ｂ…配管、２８…ガス供給ライン、４６…デポシールド、４８…排気プレート、５０…排気装置、５２…排気管、６４…高周波電源、６８…整合器、Ｃｎｔ…制御部、ＥＬ…被エッチング層、ＥＳＣ…静電チャック、ＦＲ…フォーカスリング、Ｇ１…グラフ、Ｇ２…グラフ、ＨＰ…ヒータ電源、ＨＴ…ヒータ、ＬＥ…下部電極、ＭＫ…マスク、ＭＴ…方法、ＭＸ…混合層、ＰＤ…載置台、ＳＦ…表面、Ｓｐ…処理空間、ＳＱ…シーケンス、ＴＨ…値、ＴＭ…タイミング、ＴＲ…溝、Ｗ…ウエハ。

Claims (8)

  1. 被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
    前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において窒素ガスを含む第１の処理ガスのプラズマを生成し、窒素原子のイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
    前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
    前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内においてフッ素を含む第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
    前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
    を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
    前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
    前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含む、
    方法。
  2. 被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
    前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
    前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
    前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
    前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
    を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
    前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
    前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
    前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
    前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
    前記第１の工程では、前記第１の処理ガスのプラズマにバイアス電圧を印加して、前記被エッチング層の表面の原子層に前記イオンを含む前記混合層を形成する、
    方法。
  3. 被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
    前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
    前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
    前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
    前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
    を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
    前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
    前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
    前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
    前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
    前記第２の処理ガスは、ＮＦ３ガスおよびＯ２ガスを含む混合ガスである、
    方法。
  4. 被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
    前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
    前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
    前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
    前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
    を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
    前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
    前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
    前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
    前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
    前記第２の処理ガスは、ＮＦ３ガス、Ｏ２ガス、Ｈ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
    方法。
  5. 被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
    前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
    前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
    前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
    前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
    を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
    前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
    前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
    前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
    前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
    前記第２の処理ガスは、ＣＨ３Ｆガス、Ｏ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
    方法。
  6. 前記第２の処理ガスは、ＮＦ ３ ガスおよびＯ ２ ガスを含む混合ガスである、
    請求項１または請求項２に記載の方法。
  7. 前記第２の処理ガスは、ＮＦ ３ ガス、Ｏ ２ ガス、Ｈ ２ ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
    請求項１または請求項２に記載の方法。
  8. 前記第２の処理ガスは、ＣＨ ３ Ｆガス、Ｏ ２ ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
    請求項１または請求項２に記載の方法。
JP2016217163A 2016-11-07 2016-11-07 被処理体を処理する方法 Active JP6763750B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016217163A JP6763750B2 (ja) 2016-11-07 2016-11-07 被処理体を処理する方法
TW106137484A TWI759348B (zh) 2016-11-07 2017-10-31 被處理體之處理方法
KR1020237028539A KR20230127373A (ko) 2016-11-07 2017-11-02 피처리체를 처리하는 방법
PCT/JP2017/039772 WO2018084255A1 (ja) 2016-11-07 2017-11-02 被処理体を処理する方法
CN201780068805.1A CN109923648B (zh) 2016-11-07 2017-11-02 处理被处理体的方法
KR1020197013091A KR102571380B1 (ko) 2016-11-07 2017-11-02 피처리체를 처리하는 방법
US16/347,697 US11081360B2 (en) 2016-11-07 2017-11-02 Method for processing workpiece
US17/362,285 US20210327719A1 (en) 2016-11-07 2021-06-29 Method for processing workpiece

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016217163A JP6763750B2 (ja) 2016-11-07 2016-11-07 被処理体を処理する方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018078138A JP2018078138A (ja) 2018-05-17
JP2018078138A5 JP2018078138A5 (ja) 2019-09-26
JP6763750B2 true JP6763750B2 (ja) 2020-09-30

Family

ID=62076951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016217163A Active JP6763750B2 (ja) 2016-11-07 2016-11-07 被処理体を処理する方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11081360B2 (ja)
JP (1) JP6763750B2 (ja)
KR (2) KR102571380B1 (ja)
CN (1) CN109923648B (ja)
TW (1) TWI759348B (ja)
WO (1) WO2018084255A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7066565B2 (ja) * 2018-07-27 2022-05-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US10950428B1 (en) * 2019-08-30 2021-03-16 Mattson Technology, Inc. Method for processing a workpiece

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5286344A (en) * 1992-06-15 1994-02-15 Micron Technology, Inc. Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride
KR100276736B1 (ko) * 1993-10-20 2001-03-02 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5786276A (en) * 1997-03-31 1998-07-28 Applied Materials, Inc. Selective plasma etching of silicon nitride in presence of silicon or silicon oxides using mixture of CH3F or CH2F2 and CF4 and O2
US5942446A (en) * 1997-09-12 1999-08-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fluorocarbon polymer layer deposition predominant pre-etch plasma etch method for forming patterned silicon containing dielectric layer
JP3400770B2 (ja) * 1999-11-16 2003-04-28 松下電器産業株式会社 エッチング方法、半導体装置及びその製造方法
KR100480610B1 (ko) 2002-08-09 2005-03-31 삼성전자주식회사 실리콘 산화막을 이용한 미세 패턴 형성방법
JP2013258244A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Tokyo Electron Ltd エッチング方法及びプラズマ処理装置
JP5982223B2 (ja) * 2012-08-27 2016-08-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置
US8956980B1 (en) * 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
JP2015084396A (ja) * 2013-09-19 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6277004B2 (ja) * 2014-01-31 2018-02-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ ドライエッチング方法
US9548303B2 (en) * 2014-03-13 2017-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET devices with unique fin shape and the fabrication thereof
US9142459B1 (en) * 2014-06-30 2015-09-22 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask application by vacuum lamination
JP6435667B2 (ja) * 2014-07-01 2018-12-12 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置及び記憶媒体
JP6366454B2 (ja) * 2014-10-07 2018-08-01 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
US9425041B2 (en) * 2015-01-06 2016-08-23 Lam Research Corporation Isotropic atomic layer etch for silicon oxides using no activation
JP6339963B2 (ja) * 2015-04-06 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018084255A1 (ja) 2018-05-11
TW201829835A (zh) 2018-08-16
US11081360B2 (en) 2021-08-03
US20210327719A1 (en) 2021-10-21
JP2018078138A (ja) 2018-05-17
TWI759348B (zh) 2022-04-01
KR102571380B1 (ko) 2023-08-25
CN109923648A (zh) 2019-06-21
US20190259627A1 (en) 2019-08-22
KR20230127373A (ko) 2023-08-31
KR20190075952A (ko) 2019-07-01
CN109923648B (zh) 2023-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6230954B2 (ja) エッチング方法
CN108878285B (zh) 蚀刻方法
US20200381263A1 (en) Method of processing target object
US11462412B2 (en) Etching method
KR20160041764A (ko) 피처리체를 처리하는 방법
KR102735966B1 (ko) 피처리체를 처리하는 방법
KR20160124670A (ko) 유기막을 에칭하는 방법
KR20230129345A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 에칭 방법
US20210327719A1 (en) Method for processing workpiece
JP6811202B2 (ja) エッチングする方法及びプラズマ処理装置
US20190259626A1 (en) Etching method and plasma processing apparatus
CN109075068B (zh) 蚀刻方法
JP6817168B2 (ja) 被処理体を処理する方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190813

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190813

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200825

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200910

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6763750

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250