JP2018078138A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018078138A5 JP2018078138A5 JP2016217163A JP2016217163A JP2018078138A5 JP 2018078138 A5 JP2018078138 A5 JP 2018078138A5 JP 2016217163 A JP2016217163 A JP 2016217163A JP 2016217163 A JP2016217163 A JP 2016217163A JP 2018078138 A5 JP2018078138 A5 JP 2018078138A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gas
- etched
- processing
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 24
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims 1
Claims (8)
- 被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において窒素ガスを含む第１の処理ガスのプラズマを生成し、窒素原子のイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内においてフッ素を含む第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含む、
方法。 - 被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
前記第１の工程では、前記第１の処理ガスのプラズマにバイアス電圧を印加して、前記被エッチング層の表面の原子層に前記イオンを含む前記混合層を形成する、
方法。 - 被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
前記第２の処理ガスは、ＮＦ３ガスおよびＯ２ガスを含む混合ガスである、
方法。 - 被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
前記第２の処理ガスは、ＮＦ３ガス、Ｏ２ガス、Ｈ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
方法。 - 被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
前記第２の処理ガスは、ＣＨ３Ｆガス、Ｏ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
方法。 - 前記第２の処理ガスは、ＮＦ ３ ガスおよびＯ ２ ガスを含む混合ガスである、
請求項１または請求項２に記載の方法。 - 前記第２の処理ガスは、ＮＦ ３ ガス、Ｏ ２ ガス、Ｈ ２ ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
請求項１または請求項２に記載の方法。 - 前記第２の処理ガスは、ＣＨ ３ Ｆガス、Ｏ ２ ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
請求項１または請求項２に記載の方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016217163A JP6763750B2 (ja) | 2016-11-07 | 2016-11-07 | 被処理体を処理する方法 |
| TW106137484A TWI759348B (zh) | 2016-11-07 | 2017-10-31 | 被處理體之處理方法 |
| CN201780068805.1A CN109923648B (zh) | 2016-11-07 | 2017-11-02 | 处理被处理体的方法 |
| US16/347,697 US11081360B2 (en) | 2016-11-07 | 2017-11-02 | Method for processing workpiece |
| PCT/JP2017/039772 WO2018084255A1 (ja) | 2016-11-07 | 2017-11-02 | 被処理体を処理する方法 |
| KR1020197013091A KR102571380B1 (ko) | 2016-11-07 | 2017-11-02 | 피처리체를 처리하는 방법 |
| KR1020237028539A KR20230127373A (ko) | 2016-11-07 | 2017-11-02 | 피처리체를 처리하는 방법 |
| US17/362,285 US20210327719A1 (en) | 2016-11-07 | 2021-06-29 | Method for processing workpiece |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016217163A JP6763750B2 (ja) | 2016-11-07 | 2016-11-07 | 被処理体を処理する方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018078138A JP2018078138A (ja) | 2018-05-17 |
| JP2018078138A5 true JP2018078138A5 (ja) | 2019-09-26 |
| JP6763750B2 JP6763750B2 (ja) | 2020-09-30 |
Family
ID=62076951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016217163A Active JP6763750B2 (ja) | 2016-11-07 | 2016-11-07 | 被処理体を処理する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11081360B2 (ja) |
| JP (1) | JP6763750B2 (ja) |
| KR (2) | KR102571380B1 (ja) |
| CN (1) | CN109923648B (ja) |
| TW (1) | TWI759348B (ja) |
| WO (1) | WO2018084255A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7066565B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2022-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| US10950428B1 (en) * | 2019-08-30 | 2021-03-16 | Mattson Technology, Inc. | Method for processing a workpiece |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5286344A (en) * | 1992-06-15 | 1994-02-15 | Micron Technology, Inc. | Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride |
| US5571366A (en) * | 1993-10-20 | 1996-11-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US5786276A (en) * | 1997-03-31 | 1998-07-28 | Applied Materials, Inc. | Selective plasma etching of silicon nitride in presence of silicon or silicon oxides using mixture of CH3F or CH2F2 and CF4 and O2 |
| US5942446A (en) * | 1997-09-12 | 1999-08-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fluorocarbon polymer layer deposition predominant pre-etch plasma etch method for forming patterned silicon containing dielectric layer |
| JP3400770B2 (ja) * | 1999-11-16 | 2003-04-28 | 松下電器産業株式会社 | エッチング方法、半導体装置及びその製造方法 |
| KR100480610B1 (ko) | 2002-08-09 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 산화막을 이용한 미세 패턴 형성방법 |
| JP2013258244A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| JP5982223B2 (ja) * | 2012-08-27 | 2016-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置 |
| US8956980B1 (en) * | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| JP2015084396A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP6277004B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2018-02-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
| US9548303B2 (en) * | 2014-03-13 | 2017-01-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | FinFET devices with unique fin shape and the fabrication thereof |
| US9142459B1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-09-22 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask application by vacuum lamination |
| JP6435667B2 (ja) * | 2014-07-01 | 2018-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置及び記憶媒体 |
| JP6366454B2 (ja) * | 2014-10-07 | 2018-08-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
| US9425041B2 (en) * | 2015-01-06 | 2016-08-23 | Lam Research Corporation | Isotropic atomic layer etch for silicon oxides using no activation |
| JP6339963B2 (ja) * | 2015-04-06 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
-
2016
- 2016-11-07 JP JP2016217163A patent/JP6763750B2/ja active Active
-
2017
- 2017-10-31 TW TW106137484A patent/TWI759348B/zh active
- 2017-11-02 WO PCT/JP2017/039772 patent/WO2018084255A1/ja active Application Filing
- 2017-11-02 CN CN201780068805.1A patent/CN109923648B/zh active Active
- 2017-11-02 KR KR1020197013091A patent/KR102571380B1/ko active Active
- 2017-11-02 KR KR1020237028539A patent/KR20230127373A/ko not_active Ceased
- 2017-11-02 US US16/347,697 patent/US11081360B2/en active Active
-
2021
- 2021-06-29 US US17/362,285 patent/US20210327719A1/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI757334B (zh) | 準原子層蝕刻方法 | |
| JP2016139792A5 (ja) | ||
| WO2016138218A8 (en) | Methods and apparatus for using alkyl amines for the selective removal of metal nitride | |
| TWI579892B (zh) | 用以形成具有多膜層的間隔壁之蝕刻方法 | |
| JP2016051900A5 (ja) | ||
| JP2017045869A5 (ja) | ||
| JP2017103388A5 (ja) | ||
| JP2020502811A5 (ja) | ||
| TW201614883A (en) | Method for treating workpieces | |
| JP2015012178A5 (ja) | ||
| TW201614718A (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
| JP2015038964A5 (ja) | ||
| JP2013513946A5 (ja) | ||
| TW201612977A (en) | Method for treating workpieces | |
| JP2016192483A5 (ja) | ||
| JP2016197680A5 (ja) | ||
| JP2016027594A5 (ja) | ||
| TW200731410A (en) | Manufacturing method of semiconductor apparatus and surface processing method of SiN and SiO2 film | |
| JP2018182310A5 (ja) | ||
| JP2011192872A5 (ja) | ||
| JP2015154047A5 (ja) | ||
| JP6688010B2 (ja) | 強化した時計部品を製造する方法、時計部品および時計 | |
| US10177002B2 (en) | Methods for chemical etching of silicon | |
| JP2014045063A5 (ja) | ||
| JP2017011127A5 (ja) |