JP6730859B2 - 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、研磨用組成物、該研磨用組成物を用いる磁気ディスク基板製造方法および該方法により製造された磁気ディスク基板に関する。

従来、金属や半金属、非金属、その酸化物等の材料表面に対して、研磨用組成物を用いた研磨加工が行われている。例えば、高精度な表面が要求される研磨物の製造プロセスにおいては、一般に、最終製品の表面精度に仕上げるために行う仕上げ研磨工程の前に、より研磨効率を重視した研磨（予備研磨）が行われている。このような研磨プロセスでは、例えば上記の予備研磨のように仕上げ研磨工程より前に行われる研磨においても、仕上げ研磨工程における表面精度向上に寄与するため、良好な表面状態を実現することが望ましい。

研磨対象物の表面精度を左右する要素の一つとして、研磨液に含まれる砥粒の材質や性状が挙げられる。例えば、砥粒としてシリカを用いる研磨液によると、より硬度が高いアルミナ等の砥粒を用いる研磨液に比べて、研磨対象面の表面品質（例えば表面平滑性）が向上する傾向がある。砥粒としてシリカを用いる研磨技術に関する技術文献として特許文献１〜４が挙げられる。

特開２０１０−９５５６８号公報 特開平９−３０６８８０号公報 特開２００３−１００６７０号公報 特表２００９−５１６９２８号公報

しかし、一般にシリカ砥粒を用いた研磨液は研磨効率（典型的には研磨レート）に劣る傾向があり、例えばニッケルリンめっきが施された磁気ディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）の一次研磨のように高い研磨レートが要求される研磨において使用される場合に、かかる要求に充分に応えることができない虞があった。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、シリカ砥粒を用いて、高い研磨レートを好適に発揮し得る研磨用組成物を提供することを目的とする。関連する他の目的は、かかる研磨用組成物を用いて磁気ディスク基板を製造する方法および該方法により製造された磁気ディスク基板を提供することである。さらに他の目的は、上記研磨用組成物を用いる磁気ディスク基板の研磨方法を提供することである。

この明細書により提供される研磨用組成物は、シリカ砥粒を含有する。上記シリカ砥粒は、平均一次粒子径が１５ｎｍ以上であり、かつ該シリカ砥粒をｐＨ９．５の水に分散させて測定される平均ケイ酸イオン溶出量が１３．５ｐｐｍ／ｇ以下である。このようなシリカ砥粒を含む研磨用組成物によると、高い研磨レートが好適に発揮され得る。

ここに開示される研磨用組成物の一態様において、上記シリカ砥粒の平均一次粒子径は３０ｎｍ以上である。すなわち、この明細書によると、シリカ砥粒を含有する研磨用組成物であって、該シリカ砥粒の平均一次粒子径が３０ｎｍ以上であり、かつ該シリカ砥粒をｐＨ９．５の水に分散させて測定される平均ケイ酸イオン溶出量が１３．５ｐｐｍ／ｇ以下である研磨用組成物が提供される。このようなシリカ砥粒を含む研磨用組成物によると、高い研磨レートが好適に発揮され得る。

上記シリカ砥粒としては、熱処理されたシリカ粒子を含むシリカ砥粒を好ましく採用し得る。このようなシリカ砥粒の使用により、ここに開示される研磨用組成物を好適に実現することができる。

ここに開示される研磨用組成物は、ｐＨが５以下であることが好ましい。ここに開示される好ましい平均一次粒子径および平均ケイ酸イオン溶出量を満たすシリカ砥粒を、このようなｐＨを有する研磨用組成物において用いると、本発明の効果が好適に発揮され得る。

ここに開示される研磨用組成物は、仕上げ研磨工程の前工程で用いられる研磨用組成物として好適である。例えば、上記研磨用組成物は、研磨対象物の一次研磨に好適に用いられ得る。ここに開示される研磨用組成物は、高い研磨レートを示し得るため、上記一次研磨のように高い研磨効率が要求される研磨プロセスにおいて用いられることはより有意義である。

ここに開示される研磨用組成物の好ましい適用対象として、磁気ディスク基板が例示される。なかでも好ましい研磨対象物として、ニッケルリンめっきが施された磁気ディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）が挙げられる。上記研磨用組成物を上記磁気ディスク基板に適用すると、高い研磨レートが達成され、かつ研磨後の上記磁気ディスク基板の面精度が好適なレベルとなり得る。ここに開示される研磨用組成物は、特に、磁気ディスク基板の一次研磨に好適である。

ここに開示される研磨用組成物の他の好ましい研磨対象物として、ガラス材料が挙げられる。上記研磨用組成物をガラス材料に適用すると、研磨レートが向上し、かつ研磨後のガラス材料の面精度が好適に維持または改善され得る。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、磁気ディスク用ガラス基板（ガラス磁気ディスク基板）やフォトマスク用ガラス基板等のガラス材料の研磨に好ましく適用され得る。特にガラス磁気ディスク基板の仕上げ研磨（例えば最終研磨）に好適である。また、シリコンウェーハの研磨にも適用し得る。

この明細書によると、また、磁気ディスク基板の製造方法が提供される。その製造方法は、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨する工程（１）を包含する。かかる製造方法によると、高品位な表面を有する磁気ディスク基板を生産性よく製造することができる。

上記磁気ディスク基板の製造方法は、上記工程（１）の後に、コロイダルシリカを含む仕上げ研磨用組成物を用いて上記磁気ディスク基板を研磨する工程（２）をさらに含み得る。かかる製造方法によると、より高品位な表面を有する磁気ディスク基板を生産性よく製造することができる。

ここに開示される磁気ディスク基板製造方法の他の側面として、該方法により製造された磁気ディスク基板が提供される。このような磁気ディスク基板は、高品位な表面を有し、かつ生産コストの面で有利なものとなり得るので好ましい。上記磁気ディスク基板は、例えば、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）や、ガラス磁気ディスク基板等であり得る。

この明細書によると、さらに、磁気ディスク基板の研磨方法が提供される。その研磨方法は、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を磁気ディスク基板に供給して該磁気ディスク基板を研磨することを特徴とする。かかる研磨方法によると、研磨対象物を効率よく研磨することができる。

以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。

＜シリカ砥粒＞
（平均一次粒子径）
ここに開示される研磨用組成物は、シリカ砥粒を含み、該シリカ砥粒の平均一次粒子径が１５ｎｍ以上（例えば３０ｎｍ以上）である。後述する平均ケイ酸イオン溶出量を満たす構成において、上記シリカ砥粒の平均一次粒子径が１５ｎｍ以上（例えば３０ｎｍ以上）である研磨用組成物によると、高い研磨レートを好適に発揮することができる。

ここで、本明細書において平均一次粒子径とは、ＢＥＴ法に基づいて求められる平均粒子径をいう。この平均一次粒子径（以下「Ｄ１」と表記することがある。）は、ＢＥＴ法により測定される比表面積Ｓ（ｍ^２／ｇ）から、Ｄ１（ｎｍ）＝６０００／（真密度（ｇ／ｃｍ^３）×Ｓ（ｍ^２／ｇ））の式により算出される。例えばシリカ粒子の場合、Ｄ１（ｎｍ）＝２７２７／Ｓ（ｍ^２／ｇ）の式によりＤ１が算出される。比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」を用いて行うことができる。

また、本明細書において、シリカ砥粒の平均一次粒子径（以下「Ｄ１_AVE」と表記することがある。）とは、ここに開示される研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒の総体的な特性として把握される平均一次粒子径を意味する。すなわち、研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒が２種類以上のシリカ粒子の混合物である場合は、その混合物であるシリカ砥粒の比表面積に基づいてＤ１_AVEが算出される。研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒が１種類のシリカ粒子からなる場合には、当該シリカ粒子の平均一次粒子径Ｄ１とＤ１_AVEとは一致する。なお、研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒が例えば２種類のシリカ粒子Ｘ，Ｙの混合物である場合、Ｄ１_AVEは、該シリカ砥粒（すなわち、シリカ粒子Ｘ，Ｙの混合物）についてＢＥＴ法により測定される比表面積から算出することができる。また、通常は、少なくとも実用上十分な近似値として、上記シリカ砥粒を構成する各成分（ここではシリカ粒子Ｘ，Ｙ）のＢＥＴ比表面積と、上記シリカ砥粒におけるシリカ粒子Ｘ，Ｙの重量比とから算出される値をＤ１_AVEとして採用することができる。研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒が３種類以上のシリカ粒子の混合物である場合も同様である。

ここに開示される技術の一態様において、Ｄ１_AVEは、典型的には３０ｎｍ以上であり、３５ｎｍ以上であることが好ましく、４０ｎｍ以上であることがより好ましい。Ｄ１_AVEが大きくなると、研磨レートが向上する傾向にある。かかる観点から、好ましい一態様において、Ｄ１_AVEを４５ｎｍ以上（例えば５０ｎｍ以上）としてもよい。Ｄ１_AVEの上限は特に制限されない。シリカ砥粒の分散安定性等の観点から、通常は、Ｄ１_AVEを５００ｎｍ以下とすることが適当であり、研磨対象面の面精度の観点から３００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましく、１５０ｎｍ以下（例えば１２０ｎｍ以下）がさらに好ましい。ここに開示される技術は、例えば、Ｄ１_AVEが３０ｎｍ〜５００ｎｍ（より好ましくは３５ｎｍ〜３００ｎｍ、さらに好ましくは４０ｎｍ〜２００ｎｍ、例えば４５ｎｍ〜１５０ｎｍ）である態様で好ましく実施され得る。

ここに開示される技術の他の一態様において、Ｄ１_AVEは、典型的には１５ｎｍ以上であり、２０ｎｍ以上であることが好ましい。Ｄ１_AVEが大きくなると、研磨レートが向上する傾向にある。Ｄ１_AVEの上限は特に制限されない。シリカ砥粒の分散安定性等の観点から、通常は、Ｄ１_AVEを５００ｎｍ以下とすることが適当であり、研磨対象面の面精度の観点から２００ｎｍ以下が好ましく、１５０ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以下（例えば５５ｎｍ以下）がさらに好ましい。上記のＤ１_AVEは、例えば、ガラス基板等のガラス材料の研磨に用いられる研磨用組成物に好ましく適用され得る。

ここに開示される技術におけるシリカ砥粒は、１種類のシリカ粒子から構成されていてもよく、２種類以上のシリカ粒子から構成されていてもよい。好ましい一態様において、研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒を、Ｄ１の異なる２種類以上のシリカ粒子から構成することができる。かかる態様には、Ｄ１_AVEを調整しやすいという利点がある。例えば、研磨用組成物の調製に使用する各シリカ粒子のＤ１が製造誤差や保存条件等により変動しても、それらのシリカ粒子の使用量比（ブレンド比）を調節することにより、Ｄ１_AVEの変動を抑えることができる。このことは研磨用組成物の生産性や品質安定性の観点から好ましい。また、このように２種類以上のシリカ粒子を用いることにより、所望のＤ１_AVEと平均ケイ酸イオン溶出量とを両立する研磨用組成物が得られやすくなる。

シリカ砥粒が２種類以上のシリカ粒子を含む態様において、種類毎のシリカ粒子のＤ１は特に限定されず、それらのシリカ粒子を含むシリカ砥粒の平均一次粒子径（Ｄ１_AVE）が所望の範囲となり得る径であればよい。
一態様に係る研磨用組成物において、分散安定性等の観点から、通常は、Ｄ１が１００μｍ以下（典型的には５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下、例えば１５μｍ以下）のシリカ粒子を好適に使用し得る。より高精度な研磨面を得る観点から、Ｄ１が１０μｍ以下（より好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以下、例えば２μｍ以下）のシリカ粒子が好ましい。また、研磨レート等の観点から、通常は、Ｄ１が５ｎｍ以上（好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上、例えば２０ｎｍ以上）のシリカ粒子を好適に使用し得る。より高い研磨レートを得る観点から、Ｄ１が３０ｎｍ以上（好ましくは４０ｎｍ以上、例えば５０ｎｍ以上）のシリカ粒子を使用してもよい。

他の一態様に係る研磨用組成物において、分散安定性等の観点から、通常は、Ｄ１が１００μｍ以下（典型的には５０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下、例えば１０μｍ以下）のシリカ粒子を好適に使用し得る。より高精度な研磨面を得る観点から、Ｄ１が５μｍ以下（より好ましくは３μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下、例えば１μｍ以下）のシリカ粒子が好ましい。また、研磨レート等の観点から、通常は、Ｄ１が５ｎｍ以上（好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上、例えば２０ｎｍ以上）のシリカ粒子を好適に使用し得る。上記Ｄ１は、例えば、ガラス基板等のガラス材料の研磨に用いられる研磨用組成物に好ましく適用され得る。

ここに開示される技術は、シリカ砥粒がシリカ粒子Ａおよびシリカ粒子Ｂを含み、シリカ粒子Ａの平均一次粒子径（Ｄ１_A）がシリカ粒子Ｂの平均一次粒子径（Ｄ１_B）よりも大きい態様で好ましく実施され得る。かかる態様において、Ｄ１_Aは、例えば１５ｎｍより大（典型的には１５ｎｍより大きく１０μｍ以下）であり得、２０ｎｍより大（典型的には２０ｎｍより大きく５μｍ以下）であってもよい。一態様において、Ｄ１_Aは、３０ｎｍより大（典型的には３０ｎｍより大きく１０μｍ以下）であり、通常は６０ｎｍ以上（例えば６０ｎｍ〜５μｍ）が好ましく、８０ｎｍ以上（例えば８０ｎｍ〜３μｍ）がより好ましい。一方、Ｄ１_Bは、例えば１０００ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ〜１０００ｎｍ）とすることができ、通常は５００ｎｍ以下（例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍ）が好ましく、３００ｎｍ以下（例えば１５ｎｍ〜３００ｎｍ）がより好ましい。より高い面精度を得る観点から、Ｄ１_Bは、２００ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ〜２００ｎｍ、例えば１５ｎｍ〜２００ｎｍ）であってもよく、さらには１００ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ〜１００ｎｍ、例えば１５ｎｍ〜１００ｎｍ）であってもよい。一態様において、Ｄ１_Bは、例えば５ｎｍ〜５０ｎｍであってよく、５ｎｍ〜３５ｎｍであってもよい。

特に限定するものではないが、シリカ粒子Ａおよびシリカ粒子Ｂは、Ｄ１_A／Ｄ１_Bが例えば１．２以上（典型的には１．２〜２５）となるように選択することができる。かかるＤ１_A／Ｄ１_Bを満たすシリカ粒子Ａ，Ｂを組み合わせて使用することにより、高い研磨レートが好適に実現される傾向にある。好ましい一態様において、Ｄ１_A／Ｄ１_Bは、１．３以上（例えば１．３〜２０）とすることができ、１．５以上（典型的には１．５〜１５、例えば１．５〜８．０）とすることが好ましい。好ましい他の一態様において、Ｄ１_A／Ｄ１_Bは、１．８以上（典型的には１．８〜１０、例えば２．０〜８．０）であってもよい。

なお、シリカ砥粒として３種類以上のシリカ粒子を含む研磨用組成物では、最も多く含まれる２種類のシリカ粒子をシリカ粒子Ａ，Ｂとすることができる。この場合、シリカ粒子Ａ，Ｂの合計重量がシリカ砥粒の総重量に占める割合は、典型的には５０重量％超であり、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、例えば９０重量％以上であり、９５重量％以上、さらには９８重量％以上であってもよい。また、ここに開示される技術におけるシリカ砥粒は、２種類のシリカ粒子Ａ，Ｂから実質的に構成されるシリカ砥粒であってもよい。

（ケイ酸イオン溶出量）
ここに開示される研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒は、ｐＨ９．５の水に対する平均ケイ酸イオン溶出量が１３．５ｐｐｍ／ｇ以下である。ここでケイ酸イオン溶出量とは、ｐＨ９．５の水に対してシリカ粒子１ｇから溶出するケイ酸イオン（ＳｉＯ_２ ⁻）の重量を指す。ケイ酸イオン溶出量は、水にシリカ粒子を分散させたｐＨ９．５の分散液において、該分散液の水相に含まれるケイ酸イオンの重量を上記シリカ粒子１ｇ当たりに換算した値としても把握され得る。ケイ酸イオン溶出量（以下「ＳＳ」と表記することがある。）は、詳しくは、以下のようにして測定される。

［ケイ酸イオン溶出量測定方法］
測定対象のシリカ粒子の含有量が９．８重量％であり、ｐＨ９．５に調整されたシリカ分散液を調製する。ｐＨの調整は、必要に応じて適当量の水酸化カリウムおよび／または硫酸を使用することにより行う。上記シリカ分散液を２５℃で２４時間以上（例えば２４時間〜３６時間程度）静置した後、遠心分離して上澄み液を採取する。ＩＣＰ発光分析により上記上澄み液のＳｉ濃度を測定する。得られたＳｉ濃度を上記シリカ粒子１ｇ当たりのケイ酸イオン（ＳｉＯ_２ ⁻）の重量に換算することにより、上記シリカ粒子のケイ酸イオン溶出量を求める。なお、遠心分離には、ベックマン・コールター社製の高速冷却遠心機、装置名「Ａｖａｎｔｉ ＨＰ−３０１」またはその相当品を使用するとよい。ＩＣＰ発光分析には、島津製作所製のＩＣＰ発光分析装置、装置名「ＩＣＰＳ−８１００」またはその相当品を使用するとよい。

また、本明細書において、シリカ砥粒の平均ケイ酸イオン溶出量（以下「ＳＳ_AVE」と表記することがある。）とは、ここに開示される研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒の総体的な特性として把握されるケイ酸イオン溶出量を意味する。研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒が例えば２種類のシリカ粒子Ｋ，Ｌの混合物である場合、ＳＳ_AVEは、該シリカ砥粒（すなわち、シリカ粒子Ｋ，Ｌの混合物）を測定サンプルとして、上記のケイ酸イオン溶出量測定方法を適用することにより求めることができる。また、通常は、少なくとも実用上十分な近似値として、上記シリカ砥粒を構成する各成分（ここではシリカ粒子Ｋ，Ｌ）の各々のＳＳと、上記シリカ砥粒におけるシリカ粒子Ｋ，Ｌの重量比とから算出される値を、ＳＳ_AVEとして採用することができる。研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒が３種類以上のシリカ粒子の混合物である場合も同様である。

本発明者らの検討により、Ｄ１_AVEが１５ｎｍ以上（好ましくは２０ｎｍ以上、例えば３０ｎｍ以上）のシリカ砥粒を含む構成において、該シリカ砥粒の平均ケイ酸イオン溶出量（ＳＳ_AVE）が１３．５ｐｐｍ／ｇ以下（すなわち、上記シリカ砥粒１ｇからｐＨ９．５の水に溶出するケイ酸イオンの重量が１３．５μｇ以下）であると、高い研磨レートが好適に発揮されることが明らかとなった。ここに開示される技術におけるＳＳ_AVEは、上述のようにｐＨ９．５におけるケイ酸イオン溶出量（ＳＳ）に基づいて求められる値であるため、精度よく把握することができる。より高い研磨レートを得る観点から、ＳＳ_AVEは、１３．０ｐｐｍ／ｇ以下であることが好ましく、１２．５ｐｐｍ／ｇ以下（例えば１２．０ｐｐｍ／ｇ以下）であることがより好ましい。好ましい一態様において、ＳＳ_AVEは、１１．５ｐｐｍ／ｇ以下であってもよく、１１．０ｐｐｍ／ｇ以下（例えば１０．０ｐｐｍ／ｇ以下）であってもよい。ＳＳ_AVEの下限は特に限定されない。ＳＳ_AVEは、典型的には０．５ｐｐｍ／ｇ以上であり、研磨対象面の表面品質（面精度）の観点から通常は１．０ｐｐｍ／ｇ以上が有利であり、１．５ｐｐｍ／ｇ以上（典型的には２．０ｐｐｍ／ｇ以上、例えば５．０ｐｐｍ／ｇ以上）が好ましい。ここに開示される技術は、例えば、ＳＳ_AVEが２．０〜１２．０ｐｐｍ／ｇ（より好ましくは５．０〜１０．０ｐｐｍ／ｇ）である態様で好ましく実施され得る。上記ＳＳ_AVEの範囲は、例えば、ニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板用の研磨（特に一次研磨）に用いられる研磨用組成物に好ましく適用され得る。
ここに開示される技術の他の一態様において、研磨用組成物のＳＳ_AVEは、例えば１．０ｐｐｍ／ｇ以上（典型的には１．０〜１３．０ｐｐｍ／ｇ）であり、好ましくは１．５ｐｐｍ／ｇ以上（典型的には１．５〜１２．５ｐｐｍ／ｇ）、より好ましくは２．０ｐｐｍ／ｇ以上（典型的には２．０〜１２．０ｐｐｍ／ｇ、例えば２．０〜１０．０ｐｐｍ／ｇ）である。上記ＳＳ_AVEの範囲は、例えば、ガラス磁気ディスク基板等のガラス材料の研磨（特に仕上げ研磨）に用いられる研磨用組成物に好ましく適用され得る。

ここに開示される技術の好ましい一態様において、研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒を、ＳＳの異なる２種類以上のシリカ粒子を含む構成とすることができる。かかる態様には、ＳＳ_AVEを調整しやすいという利点がある。例えば、研磨用組成物の調製に使用する各シリカ粒子のＳＳが製造誤差や保存条件等により変動しても、それらのシリカ粒子の使用量比（ブレンド比）を調節することにより、ＳＳ_AVEの変動を抑えることができる。このことは研磨用組成物の生産性や品質安定性の観点から好ましい。また、このように２種類以上のシリカ粒子を用いることにより、所望のＳＳ_AVEとＤ１_AVEとを両立する研磨用組成物が得られやすくなる。

シリカ砥粒が２種類以上のシリカ粒子を含む態様において、種類毎のシリカ粒子のＳＳは特に限定されず、それらのシリカ粒子を適切な重量比で含むシリカ砥粒のＳＳ_AVEが所望の範囲となり得るＳＳであればよい。材料の入手容易性等の観点から、通常は、ＳＳが０．５ｐｐｍ／ｇ以上のシリカ粒子を用いることが適当である。面精度の観点から、ＳＳが０．８ｐｐｍ／ｇ以上（より好ましくは１．０ｐｐｍ／ｇ以上、例えば１．２ｐｐｍ／ｇ以上）のシリカ粒子を好ましく用いることができる。また、ここに開示される好適なＳＳ_AVEを実現しやすいことから、通常は、ＳＳが３０．０ｐｐｍ／ｇ以下（より好ましくは２５．０ｐｐｍ／ｇ以下、さらに好ましくは２０．０ｐｐｍ／ｇ以下）のシリカ粒子を好ましく使用し得る。

ここに開示される技術は、シリカ砥粒がシリカ粒子Ｋとシリカ粒子Ｌとを含み、シリカ粒子Ｋのケイ酸イオン溶出量（ＳＳ_K）がシリカ粒子Ｌのケイ酸イオン溶出量（ＳＳ_L）よりも少ない態様で好ましく実施され得る。かかる態様において、ＳＳ_Kは、典型的には５．０ｐｐｍ／ｇ未満（例えば０．５ｐｐｍ／ｇ以上５．０ｐｐｍ／ｇ未満）であり、通常は３．０ｐｐｍ／ｇ未満（例えば０．８ｐｐｍ／ｇ以上３．０ｐｐｍ／ｇ未満）が適当であり、好ましくは２．５ｐｐｍ／ｇ未満（例えば０．８ｐｐｍ／ｇ以上２．５ｐｐｍ／ｇ未満）、より好ましくは２．０ｐｐｍ／ｇ未満（例えば１．０ｐｐｍ／ｇ以上２．０ｐｐｍ／ｇ未満）である。好ましい一態様において、ＳＳ_Kが１．８ｐｐｍ／ｇ以下（例えば１．５ｐｐｍ／ｇ未満）であるシリカ粒子Ｋを用いることができる。一方、シリカ粒子Ｌとしては、ＳＳ_Lが例えば１．５ｐｐｍ／ｇ以上（典型的には、１．５ｐｐｍ／ｇを超えて３０．０ｐｐｍ／ｇ以下）のものを用いることができ、研磨対象面の表面品質（面精度）の観点からＳＳ_Ｌが２．０ｐｐｍ／ｇ以上のものが好ましい。ここに開示される研磨用組成物は、ＳＳ_Lが３．０ｐｐｍ／ｇ以上（より好ましくは３．５ｐｐｍ／ｇ以上、例えば４．０ｐｐｍ／ｇ以上）のシリカ粒子Ｌを使用する態様でも好ましく実施されて、高い研磨レートを好適に発揮し得る。好ましい一態様において、ＳＳ_Lが５．０ｐｐｍ／ｇ以上（典型的には５．０〜３０．０ｐｐｍ／ｇ、例えば１０．０〜２０．０ｐｐｍ／ｇ）であるシリカ粒子Ｌを好適に使用することができる。

なお、シリカ砥粒として３種類以上のシリカ粒子を含む研磨用組成物では、最も多く含まれる２種類のシリカ粒子をシリカ粒子Ｋ，Ｌとすることができる。この場合、シリカ粒子Ｋ，Ｌの合計重量がシリカ砥粒の総重量に占める割合は、典型的には５０重量％超であり、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、例えば９０重量％以上であり、９５重量％以上、さらには９８重量％以上であってもよい。また、ここに開示される技術におけるシリカ砥粒は、２種類のシリカ粒子Ｋ，Ｌから実質的に構成されるシリカ砥粒であってもよい。

上記シリカ粒子Ｋ，Ｌは、シリカ粒子Ｋが上述のシリカ粒子Ａであり、シリカ粒子Ｌが上述のシリカ粒子Ｂであってもよい。また、上記シリカ粒子Ｋ，Ｌは、シリカ粒子Ｋが上記シリカ粒子Ｂであり、シリカ粒子Ｌが上記シリカ粒子Ａであってもよい。ここに開示される技術は、材料の入手容易性等の観点から、シリカ粒子Ｋが上記シリカ粒子Ａであり、シリカ粒子Ｌが上記シリカ粒子Ｂである態様で好ましく実施され得る。

（平均二次粒子径）
ここに開示される研磨用組成物において、該研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒の平均二次粒子径は特に制限されない。ここで、本明細書において平均二次粒子径（以下「Ｄ２」と表記することがある。）とは、レーザ回折／散乱法に基づく体積基準の平均粒子径（５０％体積平均粒子径）を指す。上記平均粒子径の測定は、例えば、株式会社堀場製作所製のレーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置（型式「ＬＡ−９５０」）を用いて行うことができる。

また、本明細書において、シリカ砥粒の平均二次粒子径（以下「Ｄ２_AVE」と表記することがある。）とは、ここに開示される研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒の総体的な特性として把握される平均二次粒子径を意味する。一態様において、Ｄ２_AVEは、典型的には３０ｎｍ以上（例えば３０ｎｍ超）であり、通常は４０ｎｍ以上（例えば５０ｎｍ以上）が適当であり、研磨レートの観点から６０ｎｍ以上が有利であり、７０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは８０ｎｍ以上、さらに好ましくは９０ｎｍ以上である。好ましい一態様において、Ｄ２_AVEは、１００ｎｍ以上とすることができ、１５０ｎｍ以上としてもよく、２５０ｎｍ以上、さらには３５０ｎｍ以上（例えば４５０ｎｍ以上）としてもよい。また、砥粒の凝集に伴う粒子数減少による研磨レート低下を抑制する観点から、Ｄ２_AVEは、１５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１３μｍ以下、さらに好ましくは７μｍ以下である。面精度の観点から、通常は、Ｄ２_AVEを５μｍ以下（より好ましくは３μｍ以下、例えば１μｍ以下）とすることが有利である。ここに開示される技術は、Ｄ２_AVEが例えば５０ｎｍ〜３μｍ（より好ましくは７０ｎｍ〜１μｍ）である態様で好ましく実施され得る。かかるＤ２_AVEを有するシリカ砥粒を含む研磨用組成物によると、高い研磨レートが好適に発揮されやすい。

他の一態様において、Ｄ２_AVEは、典型的には１５ｎｍ以上（例えば１５ｎｍ超）であり、２０ｎｍ以上であることが好ましく、２５ｎｍ以上であってもよく、３０ｎｍ以上であってもよい。Ｄ２_AVEが大きくなると、研磨レートが向上する傾向にある。また、面精度向上の観点から、Ｄ２_AVEは、５μｍ以下（より好ましくは３μｍ以下、例えば１μｍ以下）とすることが有利であり、７００ｎｍ以下（例えば５００ｎｍ以下）としてもよい。上記のＤ２_AVEは、例えば、ガラス基板等のガラス材料の研磨に用いられる研磨用組成物に好ましく適用され得る。ここに開示される技術は、Ｄ２_AVEが例えば２０ｎｍ〜１μｍ（好ましくは３０ｎｍ〜７００ｎｍ）である態様で好ましく実施され得る。

シリカ砥粒が２種類以上のシリカ粒子を含む態様において、種類毎のシリカ粒子のＤ２は特に限定されず、それらのシリカ粒子を含むシリカ砥粒のＤ２_AVEが所望の範囲となり得るＤ２であればよい。ここに開示される技術は、シリカ砥粒がシリカ粒子Ｐおよびシリカ粒子Ｑを含み、シリカ粒子Ｐの平均二次粒子径（Ｄ２_Ｐ）がシリカ粒子Ｑの平均二次粒子径（Ｄ２_Q）よりも大きい態様で好ましく実施され得る。かかる態様において、Ｄ２_Ｐは、例えば６０ｎｍより大（典型的には６０ｎｍより大きく１５μｍ以下）とすることができ、通常は１００ｎｍ以上（例えば１００ｎｍ〜１３μｍ）が好ましく、１５０ｎｍ以上（例えば１５０ｎｍ〜７μｍ）がより好ましい。一方、Ｄ２_Qは、例えば２μｍ以下（典型的には２０ｎｍ〜２μｍ）とすることができ、通常は１．５μｍ以下（例えば３０ｎｍ〜１．５μｍ）が好ましく、１μｍ以下（例えば４０ｎｍ〜１μｍ）がより好ましい。より高い面精度を得る観点から、Ｄ２_Qは、５００ｎｍ以下（例えば５０ｎｍ〜５００ｎｍ）であってもよく、さらには３００ｎｍ以下（典型的には５０ｎｍ〜３００ｎｍ、例えば５０ｎｍ〜２００ｎｍ）であってもよい。ここに開示される技術は、Ｄ２_Qが５５ｎｍ以上（典型的には５５ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば６０ｎｍ〜２００ｎｍ）である態様でも好ましく実施されて、研磨レートと面精度とを好適に両立し得る。

シリカ砥粒のＤ１_AVEに対するＤ２_AVEの比（Ｄ２_AVE／Ｄ１_AVE）は特に限定されない。Ｄ２_AVE／Ｄ１_AVEは、典型的には１．０以上であり、通常は１．０より大である。ここに開示される技術において、Ｄ２_AVE／Ｄ１_AVEが１．２以上（例えば１．５以上）であると、より効率的な研磨が実現される傾向にある。より高い研磨レートを得る観点から、Ｄ２_AVE／Ｄ１_AVEは、２．０以上であることが好ましく、より好ましくは２．５以上、さらに好ましくは３．０以上である。好ましい一態様において、Ｄ２_AVE／Ｄ１_AVEは、４．０以上（例えば５．０以上）であってもよい。また、研磨対象面の面精度向上の観点から、Ｄ２_AVE／Ｄ１_AVEは、通常、１００以下（典型的には８０以下）であることが適当であり、好ましくは５０以下、より好ましくは３０以下（例えば１０以下）である。

（シリカ粒子）
ここに開示される技術において、シリカ砥粒を構成するシリカ粒子は、シリカを主成分とする各種のシリカ粒子であり得る。ここで、シリカを主成分とするシリカ粒子とは、該粒子の９０重量％以上（通常は９５重量％以上、典型的には９８重量％以上）がシリカである粒子をいう。使用し得るシリカ粒子の例としては、特に限定されないが、沈降シリカ、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ、フュームドシリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカ等が挙げられる。使用し得るシリカ粒子の例として、さらに、上記の各種シリカ粒子（すなわち、沈降シリカ、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ、フュームドシリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカ等）を原材料として得られたシリカ粒子が挙げられる。そのようなシリカ粒子の例には、上記原材料のシリカ粒子（以下「原料シリカ」ともいう。）に、例えば加温、乾燥、焼成等の熱処理、オートクレーブ処理等の加圧処理、解砕や粉砕（破砕）等の機械的処理、表面改質（例えば、官能基の導入、金属修飾等の化学的修飾）等から選択される１または２以上の処理を適用して得られたシリカ粒子が含まれ得る。原料シリカに熱処理を施して得られたシリカ粒子（以下「熱処理シリカ」ともいう。）の例として、乾燥されたシリカ粒子、焼成されたシリカ粒子等が挙げられる。ここで、乾燥されたシリカ粒子とは、典型的には、３００℃以上５００℃未満の環境下に一定時間以上（例えば１５分以上、典型的には３０分以上）保持する処理を経て得られたシリカ粒子をいう。また、焼成されたシリカ粒子（以下「焼成シリカ」ともいう。）とは、詳細は後述するが、典型的には、５００℃以上の環境下に一定時間以上（例えば１５分以上、典型的には３０分以上）保持する処理（以下「焼成」ともいう。）を経て得られたシリカ粒子をいう。処理効率等の観点から、シリカ粒子から水等の液体を除去した状態で熱処理を行うことが好ましい。例えば、上記乾燥または焼成に先立って、シリカ粒子から液体を除去するために３００℃未満（例えば６０℃以上３００℃未満、典型的には１１０℃以上３００℃未満）の温度で加温する処理を行ってもよい。また、原料シリカに官能基を導入する処理は、例えば、シリカ粒子表面のシラノール基にスルホン酸等の有機酸を結合させる有機酸修飾処理であり得る。原料シリカを金属修飾する処理は、例えば、シリカ粒子表面のシラノール基にＡｌイオンやＴｉイオン等の金属イオンを結合させる処理であり得る。ここに開示される技術におけるシリカ砥粒は、このようなシリカ粒子の１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて含むものであり得る。

シリカ砥粒の構成成分として使用し得るシリカ粒子の一好適例として、熱処理されたシリカ粒子（熱処理シリカ）が挙げられる。上述したいずれかの原料シリカ（沈降シリカ、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ、フュームドシリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカ等）を熱処理する過程を経て得られたシリカ粒子は、ここでいう熱処理シリカの概念に包含される典型例である。一般に、シリカ粒子は、上述した乾燥や焼成等の熱処理により、ケイ酸イオン溶出量（ＳＳ）が減少する傾向がある。この傾向を利用してシリカ粒子のＳＳを調整することにより、所望のＳＳ_AVEを満たすシリカ砥粒の構成成分として有用なシリカ粒子を得ることができる。また、熱処理シリカは、熱処理条件の設定や後述する解砕およびその程度との組合せによってＤ１やＳＳを調整することができるので、ここに開示されるＤ１_AVEおよびＳＳ_AVEを満たすシリカ砥粒の構成成分として好適である。シリカ砥粒が熱処理シリカを含む場合、該シリカ砥粒に含まれる熱処理シリカは、１種であってもよく、製造条件および／または物性の異なる２種以上であってもよい。また、上記シリカ砥粒は、１種または２種以上の熱処理シリカからなる構成であってもよく、熱処理シリカと他のシリカ粒子（すなわち、熱処理されていないシリカ粒子）とを組み合わせて含む構成であってもよい。

熱処理シリカの原材料（原料シリカ）としては、上述のように、各種のシリカ粒子を用いることができる。熱処理により好適なＳＳやＤ１が得られやすいことから、原料シリカとして、沈降シリカまたはコロイダルシリカを好ましく採用し得る。なかでも沈降シリカが好ましい。ここに開示される技術は、上記シリカ砥粒が沈降シリカ由来の熱処理シリカ（例えば焼成シリカ）を含有する態様で好ましく実施され得る。

原料シリカを熱処理するときの温度は、シリカの融点より低ければよく、特に限定されない。通常は、上記熱処理温度を１３００℃以下とすることが適当である。シリカ粒子が大きく成長しすぎることを抑制する観点から、上記熱処理温度としては、通常は１２００℃以下（典型的には１２００℃未満）が好ましく、１１００℃以下（例えば１０５０℃以下）がより好ましい。また、上記熱処理温度は、例えば３００℃以上とすることができ、４００℃以上としてもよい。研磨レートの向上に貢献しやすいシリカ粒子を効率よく得る等の観点から、上記熱処理温度は、例えば５００℃以上とすることができ、通常は６００℃以上が適当であり、好ましくは７００℃以上、より好ましくは８００℃以上、さらに好ましくは９００℃以上（例えば９５０℃以上）である。上述した温度で熱処理する過程を経て得られるシリカ粒子（熱処理シリカ）は、ここに開示される所望のＤ１_AVEおよびＳＳ_AVEを満たすシリカ砥粒の構成成分として好適なものとなりやすい。ここに開示される研磨用組成物におけるシリカ砥粒は、例えば、原料シリカを７００℃以上１２００℃未満（より好ましくは８００〜１１００℃、例えば９００〜１１００℃）で焼成してなる焼成シリカを含むことが好ましい。

特に限定するものではないが、原料シリカを熱処理（例えば焼成）する時間は、例えば１５分以上（典型的には３０分〜１０時間程度）とすることができ、通常は１時間以上（典型的には１時間〜５時間）とすることが適当である。熱処理時間を長くすることにより、シリカ粒子のＳＳは減少する傾向にある。このことは研磨レートの観点から有利である。また、焼成においては、焼成時間を長くすることにより、よりよく焼き締まったシリカ粒子（焼成シリカ）が形成される傾向にある。経済的観点から、通常は、熱処理時間を１０時間程度以下とすることが好ましい。

原料シリカを熱処理するときの雰囲気は、特に限定されない。上記熱処理雰囲気は、例えば、不活性ガス雰囲気、還元性ガス雰囲気、酸化性ガス雰囲気（空気雰囲気等）等とすることができる。また、ほぼ真空状態でシリカ粒子を熱処理してもよい。

ここに開示される技術において、熱処理シリカとして焼成シリカを使用する場合、該焼成シリカとしては、焼成された後に解砕されたものを好ましく使用し得る。ここで、本明細書において「解砕」とは、細かい粒子が集まって一塊になっているものをほぐして細かくする操作のことをいう。

焼成されたシリカ粒子を解砕する方法は、従来この種の分野で通常用いられている公知の方法を用いればよく、特に限定されない。例えば、上記解砕は、ビーズミル、ボールミル、ローラーミル、ハンマーミル、ジェットミル、乳鉢等の解砕機（解砕機は粉砕機としても認識され得る。）を用いて行われ得る。解砕の程度（例えば、解砕後に得られる焼成シリカの平均一次粒子径や平均二次粒子径）を制御しやすいことから、ビーズミル、ボールミルまたはジェットミルによる解砕が好ましい。焼成されたシリカ粒子を解砕すると、該シリカ粒子のＳＳが増加する傾向がある。したがって、焼成条件および解砕条件を適切に設定することにより、ここに開示される所望のＤ１_AVEおよびＳＳ_AVEを満たすシリカ砥粒の構成成分として好適なシリカ粒子（焼成シリカ）を得ることができる。また、解砕の程度によって焼成シリカのＤ２を調節し、所望のＤ２_AVEを有するシリカ砥粒の構成成分として適したＤ２を有する焼成シリカを調製することができる。なお、上記解砕は、必要に応じて焼成シリカ以外の熱処理シリカ（例えば、加温されたシリカ粒子や乾燥されたシリカ粒子）にも同様にして適用することができ、同様の効果を発揮し得る。

シリカ砥粒の構成成分として熱処理シリカを使用する場合、熱処理シリカのＤ１やＳＳは、当該熱処理シリカを含むシリカ砥粒が所望のＤ１_AVEおよびＳＳ_AVEを満たし得る限り、特に限定されない。したがって、熱処理シリカのＤ１は、単独使用の場合（すなわち、シリカ砥粒として１種または２種以上の熱処理シリカのみを含む場合）には上述したシリカ砥粒のＤ１_AVEと、他のシリカ粒子と併用する場合には上述した種類毎のシリカ粒子のＤ１と、それぞれ同様とすることができる。また、熱処理シリカは、シリカ砥粒がシリカ粒子Ａおよびシリカ粒子Ｂを含み、シリカ粒子Ａの平均一次粒子径（Ｄ１_A）がシリカ粒子Ｂの平均一次粒子径（Ｄ１_B）よりも大きい態様において、上記シリカ粒子Ａとして好ましく用いることができる。かかる態様において使用される熱処理シリカのＤ１は、上述したシリカ粒子Ａと同様とすることができる。

同様に、熱処理シリカのＳＳは、単独使用の場合には上述したシリカ砥粒のＳＳ_AVEと、他のシリカ粒子と併用する場合には上述した種類毎のシリカ粒子のＳＳと、それぞれ同様とすることができる。また、熱処理シリカは、シリカ砥粒がシリカ粒子Ｋとシリカ粒子Ｌとを含み、ＳＳ_KがＳＳ_Lよりも少ない態様において、上記シリカ粒子Ｋとして好ましく用いることができる。かかる態様において使用される熱処理シリカのＳＳは、上述したシリカ粒子Ｋと同様とすることができる。

ここに開示される技術におけるシリカ砥粒の構成成分として使用し得るシリカ粒子の他の一好適例として、コロイダルシリカが挙げられる。なかでも、ケイ酸ソーダ法シリカやアルコキシド法シリカのように、水相での粒子成長を経て合成されたコロイダルシリカの使用が好ましい。この種のコロイダルシリカを含み、かつここに開示されるＤ１_AVEおよびＳＳ_AVEを満たすシリカ砥粒によると、高い研磨レートが好適に達成され得る。ここに開示されるシリカ砥粒がコロイダルシリカを含む場合、該シリカ砥粒に含まれるコロイダルシリカは、１種であってもよく、製造条件および／または物性の異なる２種以上であってもよい。また、上記シリカ砥粒は、１種または２種以上のコロイダルシリカからなる構成であってもよく、コロイダルシリカと他のシリカ粒子（すなわち、コロイダルシリカ以外のシリカ粒子）とを組み合わせて含む構成であってもよい。

コロイダルシリカの粒子形状は特に限定されず、例えば球形であってもよく、非球形であってもよい。非球形の具体例としては、ピーナッツ形状（すなわち、落花生の殻の形状）、繭形状、突起付き形状（例えば金平糖形状）、ラグビーボール形状等が挙げられる。特に限定するものではないが、コロイダルシリカの長径／短径比の平均値（平均アスペクト比）は、好ましくは１．０１以上、さらに好ましくは１．０５以上（例えば１．１以上）である。平均アスペクト比の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。また、コロイダルシリカの平均アスペクト比は、表面粗さ低減等の観点から、好ましくは３．０以下であり、より好ましくは２．０以下、さらに好ましくは１．５以下である。ここに開示される技術は、平均アスペクト比が１．２５未満（例えば１．２０以下、典型的には１．１５未満）のコロイダルシリカを用いる態様でも好ましく実施され得る。

コロイダルシリカの形状（外形）や平均アスペクト比は、例えば、電子顕微鏡観察により把握することができる。平均アスペクト比を把握する具体的な手順としては、例えば、ＳＥＭを用いて、独立した粒子の形状を認識できる所定個数（例えば２００個）の砥粒粒子について、各々の粒子画像に外接する最小の長方形を描く。そして、各粒子画像に対して描かれた長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を長径／短径比（アスペクト比）として算出する。上記所定個数の粒子のアスペクト比を算術平均することにより、平均アスペクト比を求めることができる。

シリカ砥粒の構成成分としてコロイダルシリカ（好ましくは、水相での粒子成長を経て合成されたコロイダルシリカ）を使用する場合、コロイダルシリカのＤ１やＳＳは、当該コロイダルシリカを含むシリカ砥粒が所望のＤ１_AVEおよびＳＳ_AVEを満たし得る限り、特に限定されない。したがって、コロイダルシリカのＤ１は、単独使用の場合には上述したシリカ砥粒のＤ１_AVEと、他のシリカ粒子と併用する場合には上述した種類毎のシリカ粒子のＤ１と、それぞれ同様とすることができる。また、コロイダルシリカは、シリカ砥粒がシリカ粒子Ａおよびシリカ粒子Ｂを含み、シリカ粒子Ａの平均一次粒子径（Ｄ１_A）がシリカ粒子Ｂの平均一次粒子径（Ｄ１_B）よりも大きい態様において、上記シリカ粒子Ｂとして好ましく用いることができる。かかる態様において使用されるコロイダルシリカのＤ１は、上述したシリカ粒子Ｂと同様とすることができる。

同様に、コロイダルシリカのＳＳは、単独使用の場合には上述したシリカ砥粒のＳＳ_AVEと、他のシリカ粒子と併用する場合には上述した種類毎のシリカ粒子のＳＳと、それぞれ同様とすることができる。また、コロイダルシリカは、シリカ砥粒がシリカ粒子Ｋとシリカ粒子Ｌとを含み、ＳＳ_KがＳＳ_Lよりも少ない態様において、上記シリカ粒子Ｌとして好ましく用いることができる。かかる態様において使用されるコロイダルシリカのＳＳは、上述したシリカ粒子Ｌと同様とすることができる。

ここに開示される技術は、研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒が、熱処理シリカを単独で含むか、熱処理シリカと他のシリカ粒子とを組み合わせて含む態様で好ましく実施することができる。このようにシリカ砥粒が少なくとも熱処理シリカを含む態様において、シリカ砥粒における熱処理シリカの含有量は、特に限定されない。上記熱処理シリカの含有量は、研磨レートの観点から、シリカ砥粒の１０重量％以上であることが好ましく、より好ましくは２０重量％以上（例えば２５重量％以上）、さらに好ましくは４０重量％以上である。シリカ砥粒における熱処理シリカの含有量の上限は特に限定されず、実質的に１００重量％（典型的には９９重量％以上）であってもよい。各種性能（例えば研磨レート、研磨対象面のうねり等）のバランスをとる観点から、シリカ砥粒における熱処理シリカの含有量は、９０重量％以下であることが好ましく、より好ましくは８０重量％以下（例えば７５重量％以下）、さらに好ましくは６０重量％以下である。

ここにされる技術は、例えば上述のようにシリカ砥粒がシリカ粒子Ａおよびシリカ粒子Ｂを含み、Ｄ１_AがＤ１_Bよりも大きい態様において、シリカＡが熱処理シリカであり、シリカＢが熱処理シリカ以外のシリカ粒子である態様で好ましく実施することができる。この場合において、シリカ砥粒に含まれるシリカ粒子Ａの重量（Ｗ_Ａ）とシリカ粒子Ｂの重量（Ｗ_Ｂ）との比（Ｗ_Ａ／Ｗ_Ｂ）は、特に限定されない。上記重量比（Ｗ_Ａ／Ｗ_Ｂ）は、研磨レートの観点から、０．２０以上であることが好ましく、より好ましくは０．２５以上、さらに好ましくは０．３０以上である。より高い研磨レートを得る観点から、Ｗ_Ａ／Ｗ_Ｂを０．５０以上としてもよく、例えば０．７０以上としてもよい。各種性能（例えば研磨レート、研磨後における研磨対象面の面精度等）のバランスをとる観点からは、Ｗ_Ａ／Ｗ_Ｂは、５．０以下とすることが有利であり、通常は４．０以下が好ましく、３．０以下がより好ましく、２．０以下（例えば１．５以下）がさらに好ましい。

ここに開示される技術は、研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒が、熱処理シリカとコロイダルシリカとを組み合わせて含む態様で好ましく実施することができる。例えば、上述のようにシリカ砥粒がシリカ粒子Ａおよびシリカ粒子Ｂを含み、Ｄ１_AがＤ１_Bよりも大きい態様において、シリカＡが熱処理シリカであり、シリカＢがコロイダルシリカである態様で好ましく実施することができる。熱処理シリカに加えてコロイダルシリカを用いることにより、より高い面精度が実現され得る。また、熱処理シリカとコロイダルシリカとを組み合わせて用いることにより、シリカ砥粒のＤ１_AVEおよびＳＳ_AVEを好適に調整することができ、したがって高い研磨レートを好適に発揮する研磨用組成物を実現することができる。かかる態様において、シリカ砥粒に含まれる熱処理シリカ（シリカ粒子Ａ）の重量（Ｗ_Ａ）とコロイダルシリカ（シリカ粒子Ｂ）の重量（Ｗ_Ｂ）との比（Ｗ_Ａ／Ｗ_Ｂ）は、上記と同様とすることができる。
なお、コロイダルシリカのなかでもケイ酸ソーダ法コロイダルシリカは、入手容易性や経済性等の観点から有利である一方、他の製造方法によるコロイダルシリカ（例えば、アルコキシド法コロイダルシリカ）に比べてＳＳが多くなる傾向にある。したがって、ケイ酸ソーダ法コロイダルシリカを使用する場合には、熱処理シリカと組み合わせることが特に有意義である。

また、アルコキシド法コロイダルシリカは、ＳＳの低いものが得られやすいことから、単独で、または他のシリカ粒子（例えば熱処理シリカ）と組み合わせて、ここに開示される技術におけるシリカ砥粒の構成成分として好ましく使用され得る。アルコキシド法コロイダルシリカは、アルコキシシランの加水分解縮合反応により製造されるコロイダルシリカである。上記アルコキシシランとしては、通常、テトラアルコキシシラン（例えば、テトラエトキシシランやテトラメトキシシラン等）が用いられる。

ここに開示される技術におけるシリカ砥粒の構成成分として使用し得るシリカ粒子の他の一好適例として、乾式法シリカが挙げられる。ここでいう乾式法シリカの例には、四塩化ケイ素やトリクロロシラン等のシラン化合物を典型的には水素火炎中で燃焼させることで得られるシリカ（フュームドシリカ）や、金属ケイ素と酸素の反応により生成するシリカが含まれる。このような乾式法シリカは、ＳＳの低いものが得られやすい。したがって、単独で、または他のシリカ粒子（例えば、熱処理シリカ、ケイ酸ソーダ法コロイダルシリカ、アルコキシド法コロイダルシリカ等の一種または二種以上）と組み合わせて、ここに開示される技術におけるシリカ砥粒の構成成分として好ましく使用することができる。乾式法シリカは、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。

ここに開示される技術において、シリカ砥粒のＳＳ_AVEを調節する手段としては、特に限定されず、当業者に利用可能な種々の手段を適宜採用することができる。例えば、適切なＳＳを有する１種類のシリカ粒子を使用する、ＳＳが異なる２種類以上のシリカ粒子を選択してそれらを適切なブレンド比で使用する、等の手段が挙げられる。種類の選択や製造条件等により種々なＳＳを有するシリカ粒子を得ることができ、それらの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。例えば熱処理シリカの場合、原料シリカのＳＳ、原料シリカの熱処理温度、原料シリカの熱処理時間等によって、得られるシリカ粒子のＳＳを調節することができる。当業者であれば、これらの手段を適宜採用することにより、所望のＳＳ_AVEを満たすシリカ砥粒を含む研磨用組成物を実現することができる。

ここに開示される研磨用組成物は、このようなＤ１_AVEおよびＳＳ_AVEを満たすシリカ砥粒に加えて、シリカ粒子以外の粒子を含有することができる。シリカ粒子以外の粒子としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子のいずれも利用可能である。無機粒子の具体例としては、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩；等が挙げられる。上記アルミナ粒子としては、α−アルミナ、α−アルミナ以外の中間アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。中間アルミナとは、α−アルミナ以外のアルミナ粒子の総称であり、具体例としてはγ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、η−アルミナ、κ−アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子やポリ（メタ）アクリル酸粒子（ここで（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。）、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。これらシリカ粒子以外の粒子は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

ここに開示される研磨用組成物において、該研磨用組成物に含まれる固形分に占めるシリカ粒子の含有量は、特に限定されない。上記シリカ粒子の含有量は、本発明による効果を発揮しやすくする観点から、上記固形分全体の４０重量％以上であることが好ましく、より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは６０重量％以上（例えば８０重量％以上）である。上記研磨用組成物に含まれる固形分の実質的に全て（例えば９９重量％以上）が上記シリカ粒子であってもよい。あるいは、各種性能（例えば研磨レート、研磨対象面の表面品質等）のバランスをとりやすくする観点から、上記シリカ粒子の含有量は、上記固形分全体の９０重量％以下（例えば８０重量％以下）であってもよい。

ここに開示される研磨用組成物は、α−アルミナ砥粒を実質的に含まない態様で好ましく実施され得る。かかる研磨用組成物によると、α−アルミナ砥粒の使用に起因する品質低下（例えば、スクラッチや窪みの発生、アルミナの残留等）が防止される。なお、本明細書において、所定の砥粒（例えばα−アルミナ砥粒）を実質的に含まないとは、研磨用組成物に含まれる固形分全量のうち当該砥粒の割合が１重量％以下（より好ましくは０．５重量％以下、典型的には０．１重量％以下）であることをいう。α−アルミナ砥粒の割合が０重量％である研磨用組成物、すなわちα−アルミナ砥粒を含まない研磨用組成物が特に好ましい。また、ここに開示される研磨用組成物は、α−アルミナ砥粒に限らず、アルミナ砥粒を実質的に含まない態様で好ましく実施され得る。

ここに開示される研磨用組成物は、シリカ粒子以外の粒子（非シリカ粒子）を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。ここで、非シリカ粒子を実質的に含まないとは、研磨用組成物に含まれる固形分全量のうち非シリカ粒子の割合が１重量％以下（より好ましくは０．５重量％以下、典型的には０．１重量％以下）であることをいう。このような態様において、ここに開示される技術の適用効果が好適に発揮され得る。

ここに開示される研磨用組成物が複数種類の砥粒を含む場合、その組成物に含まれる砥粒の種類数は、通常、それら複数種類の砥粒の外形の相違をもとに概ね把握することができる。砥粒の外形の相違は、例えば、平均アスペクト比の相違、平均短径の相違、平均粒子径の相違、粒子の表面形状の相違（例えば、突起の有無やその程度）等のうちの少なくとも一つであり得る。砥粒の外形は、例えば、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察により把握することができる。また、研磨用組成物に含まれる複数種類の砥粒の各含有量および含有量比は、例えば、ＳＥＭ観察による画像解析に基づいて求めることができる。

＜研磨用組成物＞
（水）
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には、上述のような砥粒の他に、該砥粒を分散させる水を含有する。水としては、イオン交換水（脱イオン水）、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。

ここに開示される研磨用組成物（典型的にはスラリー状の組成物）は、例えば、その固形分含量（non-volatile content；ＮＶ）が５ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌである形態で好ましく実施され得る。上記ＮＶが１０ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌである形態がより好ましい。

（酸）
ここに開示される研磨用組成物は、研磨促進剤として酸を含む態様で好ましくされ得る。好適に使用され得る酸の例としては、無機酸や有機酸（例えば、炭素原子数が１〜１８程度、典型的には１〜１０程度の有機カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン酸、アミノ酸等）が挙げられるが、これらに限定されない。酸は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

無機酸の具体例としては、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、次亜リン酸、ホスホン酸、ホウ酸、スルファミン酸、炭酸、亜リン酸、フッ化水素酸、オルトリン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、メタリン酸、ヘキサメタリン酸等が挙げられる。

有機酸の具体例としては、クエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、アジピン酸、シュウ酸、吉草酸、エナント酸、カプロン酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、シクロヘキサンカルボン酸、フェニル酢酸、安息香酸、クロトン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、リシノレン酸、メタクリル酸、グルタル酸、フマル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、タルトロン酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシ酢酸、ヒドロキシ安息香酸、サリチル酸、イソクエン酸、メチレンコハク酸、没食子酸、アスコルビン酸、ニトロ酢酸、オキサロ酢酸、グリシン、アラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、メチオニン、フェニルアラニン、トリプトファン、チロシン、プロリン、シスチン、グルタミン、アスパラギン、リシン、アルギニン、ニコチン酸、ピコリン酸、メチルアシッドホスフェート、エチルアシッドホスフェート、エチルグリコールアシッドホスフェート、イソプロピルアシッドホスフェート、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタンヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸、アミノポリ（メチレンホスホン酸）、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、アミノエタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、１０−カンファースルホン酸、イセチオン酸、タウリン等が挙げられる。

研磨効率の観点から好ましい酸として、硝酸、硫酸、リン酸、スルファミン酸、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、メタンスルホン酸等が例示される。なかでも硝酸、硫酸、リン酸、スルファミン酸、メタンスルホン酸が好ましい。マレイン酸、クエン酸、イセチオン酸等の有機酸を用いることにより、より高い平滑性が実現される傾向にある。
また、例えばガラス材料の研磨に用いられる研磨用組成物において、クエン酸、コハク酸、イタコン酸、酢酸、スルホコハク酸、グリコール酸等の酸を好ましく採用し得る。

研磨用組成物中に酸を含む場合、その含有量は特に限定されない。酸の含有量は、例えば、ｐＨ調整や研磨促進等の使用目的に応じて、所望の使用効果が得られるように設定することができる。酸の含有量は、例えば０．１ｇ／Ｌ以上（典型的には０．５ｇ／Ｌ以上）とすることができ、通常は１ｇ／Ｌ以上が適当であり、３ｇ／Ｌ以上が好ましく、５ｇ／Ｌ以上がより好ましい。酸の含有量が少なすぎると、研磨レートが不足しやすくなり、実用上好ましくない場合がある。酸の含有量は、通常、１００ｇ／Ｌ以下（典型的には７０ｇ／Ｌ以下）が適当であり、５０ｇ／Ｌ以下が好ましく、３０ｇ／Ｌ以下（例えば１５ｇ／Ｌ以下）がより好ましい。酸の含有量が多すぎると、研磨対象物の面精度が低下しやすくなり、実用上好ましくない場合がある。

酸は、該酸の塩の形態で用いられてもよい。塩の例としては、上述した無機酸や有機酸の、金属塩（例えば、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩）、アンモニウム塩（例えば、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等の第四級アンモニウム塩）、アルカノールアミン塩（例えば、モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩）等が挙げられる。
塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩およびアルカリ金属リン酸水素塩；上記で例示した有機酸のアルカリ金属塩；その他、グルタミン酸二酢酸のアルカリ金属塩、ジエチレントリアミン五酢酸のアルカリ金属塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸のアルカリ金属塩、トリエチレンテトラミン六酢酸のアルカリ金属塩；等が挙げられる。これらのアルカリ金属塩におけるアルカリ金属は、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等であり得る。

ここに開示される研磨用組成物に含まれ得る塩としては、無機酸の塩（例えば、アルカリ金属塩やアンモニウム塩）を好ましく採用し得る。例えば、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム、リン酸カリウム等を好ましく使用し得る。

酸およびその塩は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様において、酸（好ましくは無機酸）と、該酸とは異なる酸の塩（好ましくは無機酸の塩）とを組み合わせて用いることができる。

（酸化剤）
ここに開示される研磨用組成物には、必要に応じて酸化剤を含有させることができる。酸化剤の例としては、過酸化物、硝酸またはその塩、過ヨウ素酸またはその塩、ペルオキソ酸またはその塩、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩、酸素酸またはその塩、金属塩類、硫酸類等が挙げられるが、これらに限定されない。酸化剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、硝酸、硝酸鉄、硝酸アルミニウム、硝酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ一硫酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸金属塩、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、次亜塩素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、過マンガン酸カリウム、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩、塩化鉄、硫酸鉄、クエン酸鉄、硫酸アンモニウム鉄等が挙げられる。好ましい酸化剤として、過酸化水素、硝酸鉄、過ヨウ素酸、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ二硫酸および硝酸が例示される。少なくとも過酸化水素を含むことが好ましく、過酸化水素からなることがより好ましい。このような酸化剤は、典型的には前述の酸と合わせて用いられることにより、研磨促進剤として効果的に作用し得る。例えば、金属材料（例えばＮｉ−Ｐ基板）の研磨に用いられる研磨用組成物において、このような酸化剤を好ましく使用し得る。

研磨用組成物中に酸化剤を含む場合、その含有量（複数の酸化剤を含む場合には、それらの合計含有量）は、有効成分量基準で、例えば０．０１ｇ／Ｌ以上とすることができ、通常は０．１ｇ／Ｌ以上（例えば０．５ｇ／Ｌ以上）が適当であり、１ｇ／Ｌ以上が好ましく、より好ましくは３ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは４ｇ／Ｌ以上である。酸化剤の含有量が少なすぎると、研磨対象物を酸化する速度が遅くなり、研磨レートが低下するため、実用上好ましくない場合がある。また、研磨用組成物中に酸化剤を含む場合、その含有量は、有効成分量基準で３０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは１５ｇ／Ｌ以下である。酸化剤の含有量が多すぎると、研磨対象物の面精度が低下しやすくなり、実用上好ましくない場合がある。

ここに開示される技術は、研磨用組成物が酸化剤を実質的に含まない態様で好ましく実施され得る。例えば、研磨対象物がシリコンウェーハ（典型的にはシリコン単結晶ウェーハ）である場合、研磨用組成物中に酸化剤が含まれていると、当該組成物が研磨対象物に供給されることで該研磨対象物の表面が酸化されて酸化膜が生じ、これにより研磨レートが低下してしまうことがあり得るためである。また、研磨対象物がガラス材料（例えば、ガラス磁気ディスク基板）である場合にも、通常、酸化剤は不要である。例えば、少なくとも過酸化水素、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウムおよびジクロロイソシアヌル酸ナトリウムのいずれをも実質的に含有しない研磨用組成物が好ましい。なお、研磨用組成物が酸化剤を実質的に含まないとは、少なくとも意図的には酸化剤を含有させないことをいう。したがって、原料や製法等に由来して微量（例えば、研磨用組成物中における酸化剤のモル濃度が０．０００５モル／Ｌ以下、好ましくは０．０００１モル／Ｌ以下、より好ましくは０．００００１モル／Ｌ以下、特に好ましくは０．０００００１モル／Ｌ以下）の酸化剤が不可避的に含まれている研磨用組成物は、ここでいう酸化剤を実質的に含有しない研磨用組成物の概念に包含され得る。

（塩基性化合物）
研磨用組成物には、必要に応じて塩基性化合物を含有させることができる。ここで塩基性化合物とは、研磨用組成物に添加されることによって該組成物のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物の例としては、アルカリ金属水酸化物、炭酸塩や炭酸水素塩、第四級アンモニウムまたはその塩、アンモニア、アミン、リン酸塩やリン酸水素塩、有機酸塩等が挙げられる。塩基性化合物は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

アルカリ金属水酸化物の具体例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。
炭酸塩や炭酸水素塩の具体例としては、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられる。
第四級アンモニウムまたはその塩の具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の水酸化第四級アンモニウム；このような水酸化第四級アンモニウムのアルカリ金属塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩）；等が挙げられる。
アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、グアニジン、イミダゾールやトリアゾール等のアゾール類、等が挙げられる。
リン酸塩やリン酸水素塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属塩が挙げられる。
有機酸塩の具体例としては、クエン酸カリウム、シュウ酸カリウム、酒石酸カリウム、酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸アンモニウム等が挙げられる。
また、例えばガラス材料の研磨に用いられる研磨用組成物において、第四級アンモニウムまたはその塩、アミン等が好適に用いられ得る。

塩基性化合物を含む態様において、該塩基性化合物の含有量（複数の塩基性化合物を含む態様では、それらの合計含有量）は、所望のｐＨが得られるように適宜設定することができる。特に限定するものではないが、塩基性化合物の含有量は、例えば０．１ｇ／Ｌ以上とすることができる。上記含有量は、研磨レート等の観点から、好ましくは０．５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは１ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは５ｇ／Ｌ以上である。また、研磨組成物の貯蔵安定性等の観点から、上記含有量は、７０ｇ／Ｌ以下が適当であり、好ましくは５０ｇ／Ｌ以下、例えば３０ｇ／Ｌ以下である。ここに開示される技術は、研磨用組成物が塩基性化合物を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。

好ましい一態様において、上述した酸および塩基性化合物を、ｐＨの緩衝作用が発揮され得るように組み合わせて使用することができる。特に限定するものではないが、このような緩衝系として、例えば、クエン酸とクエン酸ナトリウムのような弱酸とその強塩基塩との組合せや、硫酸と硫酸アンモニウムのような強酸とその弱塩基塩との組合せなどを利用することができる。

（その他の成分）
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、界面活性剤、水溶性高分子、分散剤、キレート剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物（例えば、Ｎｉ−Ｐ基板やガラス基板等のような磁気ディスク基板用の研磨用組成物）に使用され得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。

界面活性剤としては、特に限定されず、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤のいずれも使用可能である。界面活性剤（典型的には、分子量１×１０^４未満の水溶性有機化合物）の使用により、研磨用組成物の分散安定性が向上し得る。界面活性剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
アニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキル硫酸、アルキル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、ポリアクリル酸、ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、およびこれらの塩等が挙げられる。
アニオン性界面活性剤の他の具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ベンゼンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸；およびこれらの塩等が挙げられる。塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が好ましい。
ノニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルアルカノールアミド等が挙げられる。
カチオン性界面活性剤の具体例としては、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウム塩、アルキルアミン塩等が挙げられる。
両性界面活性剤の具体例としては、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシド等が挙げられる。

界面活性剤を含む態様の研磨用組成物では、界面活性剤の含有量を、例えば０．００５ｇ／Ｌ以上とすることが適当である。上記含有量は、研磨後の表面の平滑性等の観点から、好ましくは０．０１ｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量は、１００ｇ／Ｌ以下とすることが適当であり、好ましくは５０ｇ／Ｌ以下、例えば１０ｇ／Ｌ以下である。なお、ここに開示される技術は、研磨用組成物が界面活性剤を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。

ここに開示される研磨用組成物には、水溶性高分子を含有させてもよい。水溶性高分子を含有させることにより、研磨後の面精度が向上し得る。水溶性高分子の例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリ酢酸ビニル、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリビニルピロリドン、イソプレンスルホン酸とアクリル酸の共重合体、ポリビニルピロリドンポリアクリル酸共重合体、ポリビニルピロリドン酢酸ビニル共重合体、ジアリルアミン塩酸塩二酸化硫黄共重合体、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセルロースの塩、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、プルラン、キトサン、キトサン塩類等が挙げられる。水溶性高分子は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

水溶性高分子を含む態様の研磨用組成物では、水溶性高分子の含有量（複数の水溶性高分子を含む態様では、それらの合計含有量）を、例えば０．０１ｇ／Ｌ以上とすることが適当である。上記含有量は、研磨後の研磨対象物（例えば磁気ディスク基板）の表面平滑性等の観点から、好ましくは０．０５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．０８ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量は、１０ｇ／Ｌ以下とすることが適当であり、好ましくは５ｇ／Ｌ以下、例えば１ｇ／Ｌ以下である。なお、ここに開示される技術は、研磨用組成物が水溶性高分子を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。

分散剤の例としては、ポリカルボン酸ナトリウム塩、ポリカルボン酸アンモニウム塩等のポリカルボン酸系分散剤；ナフタレンスルホン酸ナトリウム塩、ナフタレンスルホン酸アンモニウム塩等のナフタレンスルホン酸系分散剤；アルキルスルホン酸系分散剤；ポリリン酸系分散剤；ポリアルキレンポリアミン系分散剤；第四級アンモニウム系分散剤；アルキルポリアミン系分散剤；アルキレンオキサイド系分散剤；多価アルコールエステル系分散剤；等が挙げられる。

キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸およびα−メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましく、なかでも好ましいものとしてエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）が挙げられる。

防腐剤および防カビ剤の例としては、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン、５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、フェノキシエタノール等が挙げられる。

なお、ここに開示される研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、該研磨用組成物の構成成分（典型的には、水以外の成分）のうち一部の成分を含むＡ液と、残りの成分を含むＢ液とが混合されて研磨対象物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。

（用途）
ここに開示される技術の適用対象は特に限定されない。ここに開示される技術は、シリカ砥粒を含む研磨用組成物により研磨可能な種々の研磨対象物の研磨や、上記研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することを含む研磨物の製造に適用することができる。研磨対象物の材質は、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン、ステンレス鋼等の金属もしくは半金属またはこれらの合金、およびそれらの材料を使用した半導体配線に使用される薄膜；石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ガラス状カーボン等のガラス状物質；アルミナ、シリカ、サファイア、窒化ケイ素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料；炭化ケイ素、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム等の化合物半導体基板材料；ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、アリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エピチオ系樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料；等であり得るが、これらに限定されない。また、これらのうち複数の材質により構成された研磨対象物であってもよい。研磨対象物の形状は特に制限されない。ここに開示される技術は、例えば、板状や多面体状等の、平面を有する研磨対象物の研磨に好ましく適用され得る。

ここに開示される研磨用組成物は、例えば、磁気ディスク基板、シリコンウエハ等の半導体基板、フォトマスク用途を含むガラス基板、レンズや反射ミラー等の光学材料等、高精度な表面が要求される各種研磨対象物を研磨する用途に好ましく使用され得る。

ここに開示される研磨用組成物は、例えば、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）の研磨に好ましく適用され得る。上記基材ディスクは、例えば、アルミニウム合金製、ガラス製、ガラス状カーボン製等であり得る。このような基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層以外の金属層または金属化合物層を備えたディスク基板であってもよい。なかでも、アルミニウム合金製の基材ディスク上にニッケルリンめっき層を有するＮｉ−Ｐ基板用の研磨用組成物として好適である。かかる用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。

ここに開示される研磨用組成物は、また、例えばガラス材料の研磨に好ましく適用され得る。ここで「ガラス材料の研磨」とは、研磨対象面の少なくとも一部がガラス材料により構成されている研磨対象物を研磨することをいい、全体がガラス材料により構成されている研磨対象物（典型的にはガラス基板）を研磨することを包含する。上記ガラス材料の例としては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、結晶化ガラス等が挙げられる。結晶化ガラスの例としては、主結晶相がスポジューメン、ムライト、ホウ酸アルミニウム系結晶、β−石英固溶体、α−クオーツ、コージェライト、エンスタタイト、セルシアン、ウォラストナイト、アノーサイト、フォルステライト、リチウムメタシリケート、リチウムダイシリケート等であるものが挙げられる。ここに開示される技術は、例えば、磁気ディスク用ガラス基板（ガラス磁気ディスク基板）やフォトマスク用ガラス基板等のガラス基板に対して好ましく適用され得る。ここでいうガラス基板（例えば、アルミノシリケートガラス基板）には、結晶構造を有しているものや、化学強化処理を施したものが含まれ得る。化学強化処理は研磨後に行ってもよい。

ここに開示される研磨用組成物は、仕上げ研磨工程後において高精度な表面が要求される研磨物（例えば磁気ディスク基板）の製造プロセスにおける予備研磨工程のように、面精度を考慮しつつ高い研磨効率が要求される用途において特に有意義に使用され得る。仕上げ研磨工程の前工程として複数の予備研磨工程を有する場合は、いずれの予備研磨工程にも使用可能であり、これらの予備研磨工程において同一のまたは異なる研磨用組成物を用いることができる。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、研磨対象物の一次研磨工程（最初のポリシング工程）に用いられる研磨用組成物として好適である。なかでも、Ｎｉ−Ｐ基板の製造プロセスにおいて、ニッケルリンメッキ後の最初の研磨工程（一次研磨工程）において好ましく使用され得る。また、ここに開示される研磨用組成物は、ガラス磁気ディスク基板の製造プロセスにおいて、最終研磨工程より前に行われる研磨工程（例えば、エッジポリッシュ後の最初の研磨工程）にも使用可能である。
ここに開示される研磨用組成物は、例えば、Schmitt Measurement System Inc.社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」により測定される表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））が２０Å〜３００Å程度の磁気ディスク基板を研磨（典型的には一次研磨）して、該磁気ディスク基板を１０Å以下の表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））に調整する用途に好適である。かかる用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。

ここに開示される研磨用組成物は、また、ガラス材料（例えばガラス磁気ディスク基板）の製造プロセスにおいて、該ガラス材料の仕上げ研磨工程において好ましく使用され得る。仕上げ研磨工程のなかに複数の研磨工程が含まれる場合、それらのうち最後の研磨工程、すなわち最終研磨工程（ファイナルポリシング）に特に好ましく使用され得る。したがって、この明細書によると、ここに開示される研磨用組成物を用いた最終研磨工程を含む、研磨されたガラス材料（例えばガラス基板）の製造方法が提供される。なお、ファイナルポリシングとは、目的物の製造プロセスにおける最後のポリシング工程（すなわち、その工程の後にはさらなるポリシングを行わない工程）を指す。

（研磨液）
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で研磨対象物（例えば磁気ディスク基板）に供給されて、該研磨対象物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、研磨用組成物を希釈（典型的には、水により希釈）して調製されたものであり得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、研磨対象物に供給されて該研磨対象物の研磨に用いられる研磨液（ワーキングスラリー）と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液との双方が包含される。このような濃縮液の形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば１．５倍〜５０倍程度とすることができる。濃縮液の貯蔵安定性等の観点から、通常は、２倍〜２０倍（典型的には２倍〜１０倍）程度の濃縮倍率が適当である。

研磨液における砥粒の含有量（複数種類の砥粒を含む場合には、それらの合計含有量）は特に制限されないが、典型的には５ｇ／Ｌ以上であり、１０ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、３０ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。砥粒の含有量の増大によって、より高い研磨レートが実現される傾向にある。研磨後の表面平滑性や研磨の安定性の観点から、通常、上記含有量は、２５０ｇ／Ｌ以下が適当であり、好ましくは２００ｇ／Ｌ以下である。一態様において、研磨液における砥粒の含有量は、１５０ｇ／Ｌ以下とすることができ、１００ｇ／Ｌ以下としてもよい。上記砥粒含有量は、ニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の研磨用（特に一次研磨用）の研磨用組成物に好ましく適用され得る。

好ましい他の一態様において、研磨液における砥粒の含有量は、典型的には１０ｇ／Ｌ以上であり、３０ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、６０ｇ／Ｌ以上（例えば１００ｇ／Ｌ以上）であることがより好ましい。また、研磨後の表面平滑性や研磨の安定性の観点から、通常、上記含有量は、２５０ｇ／Ｌ以下が適当であり、例えば２００ｇ／Ｌ以下であり得る。上記砥粒含有量は、ガラス磁気ディスク基板等のガラス材料の研磨に用いられる研磨用組成物に好ましく適用され得る。

（ｐＨ）
ここに開示される研磨用組成物のｐＨは特に制限されない。研磨用組成物のｐＨは、例えば、ｐＨ１２．０以下（典型的にはｐＨ０．５〜１２．０）とすることができ、ｐＨ１０．０以下（典型的にはｐＨ０．５〜１０．０）としてもよい。研磨液において上記ｐＨが実現されるように、必要に応じて有機酸、無機酸、塩基性化合物等のｐＨ調整剤を含有させることができる。

好ましい一態様において、研磨用組成物のｐＨは、ｐＨ７．０以下（例えばｐＨ０．５〜７．０）とすることができ、ｐＨ５．０以下（典型的にはｐＨ１．０〜５．０）とすることがより好ましく、ｐＨ４．０以下（例えばｐＨ１．０〜４．０）とすることがさらに好ましい。研磨用組成物のｐＨは、例えばｐＨ３．０以下（典型的にはｐＨ１．０〜３．０、好ましくはｐＨ１．０〜２．０、より好ましくはｐＨ１．０〜１．８）とすることができる。上記ｐＨは、例えば、ニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の研磨用（特に一次研磨用）の研磨用組成物に好ましく適用され得る。

好ましい他の一態様において、研磨用組成物のｐＨは、例えば、ｐＨ１２．０以下（典型的にはｐＨ８．５〜１２．０）とすることができ、ｐＨ１１．０以下（典型的にはｐＨ９．０〜１１．０）としてもよい。あるいは、研磨用組成物のｐＨは、例えばｐＨ６．０以下（典型的にはｐＨ１．０〜６．０、例えばｐＨ１．２〜６．０）とすることができ、ｐＨ５．５以下（典型的には１．２〜５．５）とすることがより好ましく、ｐＨ５．０以下（例えばｐＨ１．５〜５．０）とすることがさらに好ましく、ｐＨ４．５以下（典型的にはｐＨ２．０〜４．５、好ましくはｐＨ２．５〜４．５、より好ましくはｐＨ２．５〜４．３）であってもよい。上記ｐＨは、例えば、ガラス磁気ディスク基板等のガラス材料の研磨に用いられる研磨用組成物に好ましく適用され得る。

＜研磨プロセス＞
ここに開示される研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、研磨対象物（例えば磁気ディスク基板）の研磨に好適に使用することができる。研磨に供される研磨対象物は、あらかじめラッピング（粗研磨）、グラインディング、めっき等の工程を経て得られた研磨対象物であり得る。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液（ワーキングスラリー）を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に濃度調整（例えば希釈）やｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。

次いで、その研磨液を研磨対象物に供給し、常法により研磨する。研磨機としては、研磨対象物の形状や研磨目的に応じた公知の研磨機を適宜採用し得る。例えば、一般的な研磨装置に研磨対象物をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記研磨対象物の表面（研磨対象面）に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかる研磨工程を経て研磨対象物の研磨が完了する。なお、研磨パッドの種類は特に限定されない。例えば、不織布タイプ、スウェードタイプ、砥粒を含むもの、砥粒を含まないもの等のいずれを用いてもよい。砥粒を含まない研磨パッドの使用が好ましく、なかでもスウェードタイプの研磨パッドが好ましい。

上述のような研磨工程は、基板（例えば磁気ディスク基板、典型的にはＮｉ−Ｐ基板、ガラス磁気ディスク基板等）の製造プロセスの一部であり得る。したがって、この明細書によると、上記研磨工程を含む基板の製造方法が提供される。

（予備研磨工程における使用）
ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物の予備研磨工程（例えば一次研磨工程）に好ましく使用され得る。この明細書によると、上述したいずれかの研磨用組成物（予備研磨用組成物）を用いて予備研磨を行う工程を含む、研磨物の製造方法が提供される。この研磨物製造方法は、上記予備研磨工程の後に仕上げ研磨工程を含み得る。仕上げ研磨工程に使用する研磨用組成物（仕上げ研磨用組成物）は特に限定されない。例えば、砥粒としてコロイダルシリカを含む仕上げ研磨用組成物を好ましく採用し得る。したがって、この明細書により開示される事項には、Ｄ１_AVEが３０ｎｍ以上かつＳＳ_AVEが１３．５ｐｐｍ／ｇ以下のシリカ砥粒を含む研磨用組成物で研磨対象物を研磨する工程（１）と、コロイダルシリカを含む仕上げ研磨用組成物を用いて上記研磨対象物を研磨する工程（２）とをこの順に含む、研磨物の製造方法が含まれる。かかる製造方法によると、面精度の高い研磨物を効率よく製造することができる。上記研磨物の製造方法は、磁気ディスク基板（例えば、ニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板や、ガラス磁気ディスク基板等）その他の研磨物の製造に好ましく適用され得る。

このようにコロイダルシリカを含む仕上げ研磨用組成物において、該仕上げ研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒のＤ１_AVEは特に限定されない。仕上げ研磨後における面精度の観点から、仕上げ研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒のＤ１_AVEは、上記予備研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒のＤ１_AVEよりも小さいことが好ましい。
仕上げ研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒のＤ１_AVEは、例えば７０ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ以上７０ｎｍ未満）とすることができ、６５ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ〜６５ｎｍ、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍ）とすることが好ましい。好ましい一態様において、仕上げ研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒のＤ１_AVEは、例えば４０ｎｍ未満（典型的には５ｎｍ以上４０ｎｍ未満）とすることができ、３５ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ〜３５ｎｍ、例えば１０ｎｍ以上３０ｎｍ未満）とすることが好ましい。

ここに開示される技術の他の一態様において、仕上げ研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒のＤ１_AVEは、例えば７０ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ以上７０ｎｍ未満）とすることができ、５０ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ〜５０ｎｍ）が好ましく、４０ｎｍ未満（典型的には５ｎｍ以上４０ｎｍ未満）でもよく、３５ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ〜３５ｎｍ、例えば５ｎｍ以上３０ｎｍ未満）でもよい。上記のＤ１_AVEは、例えば、ガラス基板等のガラス材料の仕上げ研磨用組成物に好ましく適用され得る。

仕上げ研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒のＳＳ_AVEは、特に限定されない。研磨効率と面精度とをバランスよく両立する観点から、通常、仕上げ研磨用組成物としては、上記予備研磨用組成物よりもＳＳ_AVEが多いシリカ砥粒を含むものが適当であり、ＳＳ_AVEが１．５ｐｐｍ／ｇ以上（典型的には１．５〜３０．０ｐｐｍ／ｇ）のものが好ましく、２．０ｐｐｍ／ｇ以上（例えば２．０〜３０．０ｐｐｍ／ｇ）のものがより好ましく、３．０ｐｐｍ／ｇ以上（典型的には３．０〜２０．０ｐｐｍ／ｇ、例えば、３．５ｐｐｍ／ｇ〜２０．０ｐｐｍ／ｇ）のものがさらに好ましい。上記のＳＳ_AVEは、例えば、ニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の仕上げ研磨用組成物に好ましく適用され得る。
ここに開示される技術の他の一態様において、仕上げ研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒のＳＳ_AVEは、例えば１．０ｐｐｍ／ｇ以上（典型的には１．０〜３０．０ｐｐｍ／ｇ）であってよく、通常は１．０ｐｐｍ／ｇより大（典型的には１．０ｐｐｍ／ｇを超えて３０．０ｐｐｍ／ｇ以下）が適当であり、１．５ｐｐｍ／ｇ以上（典型的には１．５〜２０．０ｐｐｍ／ｇ）が好ましく、２．０ｐｐｍ／ｇ以上（典型的には２．０〜１５．０ｐｐｍ／ｇ、例えば２．０〜１３．０ｐｐｍ／ｇ）がより好ましい。上記のＳＳ_AVEは、例えば、ガラス磁気ディスク基板等のガラス材料の仕上研磨用組成物に好ましく適用され得る。

コロイダルシリカを含む仕上げ研磨用組成物において、コロイダルシリカの含有量は特に限定されない。上記コロイダルシリカの含有量は、仕上げ研磨用組成物に含まれる固形分全体の４０重量％以上であることが好ましく、より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは６０重量％以上（例えば８０重量％以上）である。上記研磨用組成物に含まれる固形分の実質的に全て（例えば９９重量％以上）がコロイダルシリカであってもよい。

仕上げ研磨用組成物は、典型的にはシリカ砥粒の他に水を含む。その他、仕上げ研磨用組成物には、上述した研磨用組成物と同様の成分（酸、酸化剤、塩基性化合物、各種添加剤等）を必要に応じて含有させることができる。特に限定するものではないが、仕上げ研磨用組成物のｐＨは、上述した研磨用組成物と同様とすることができる。仕上げ研磨用組成物のｐＨは、例えばｐＨ１２．０以下（典型的にはｐＨ０．５〜１２．０）とすることができ、好ましくはｐＨ７．０以下（例えばｐＨ０．５〜７．０）である。
好ましい一態様において、仕上げ研磨用組成物のｐＨは、ｐＨ５．０以下（典型的にはｐＨ１．０〜５．０）、より好ましくはｐＨ４．０以下（例えばｐＨ１．０〜４．０）であり得、例えばｐＨ３．０以下（典型的にはｐＨ１．０〜３．０、好ましくはｐＨ１．０〜２．０、より好ましくはｐＨ１．０〜１．８）とすることができる。上記ｐＨは、例えば、Ｎｉ−Ｐ基板の仕上げ研磨用組成物に好ましく適用され得る。
好ましい他の一態様において、仕上げ研磨用組成物のｐＨは、例えば、ｐＨ１２．０以下（典型的にはｐＨ８．５〜１２．０）とすることができ、ｐＨ８．５〜１１．０とすることがより好ましく、ｐＨ８．５〜１０．５としてもよい。あるいは、研磨用組成物のｐＨは、例えば、ｐＨ５．０以下（例えばｐＨ１．５〜５．０）、より好ましくはｐＨ４．５以下（典型的にはｐＨ２．０〜４．５）とすることができる。より平滑性の高い表面を得るために、仕上げ研磨用組成物のｐＨとしてｐＨ２．５を超える範囲（典型的にはｐＨが２．５より大きく４．３以下の範囲、例えばｐＨが２．５より大きく以上３．８以下の範囲）を好ましく採用することができる。上記ｐＨは、例えば、ガラス磁気ディスク基板等のガラス材料の仕上げ研磨用組成物に好ましく適用され得る。

（仕上げ研磨工程における使用）
ここに開示される研磨用組成物は、また、研磨対象物の仕上げ研磨工程（例えば最終研磨工程）にも好ましく使用され得る。この明細書によると、上述したいずれかの研磨用組成物を用いて仕上げ研磨を行う工程を含む、研磨物の製造方法が提供される。この研磨物製造方法は、ガラス材料（例えば、ガラス磁気ディスク基板、フォトマスク用ガラス基板等のガラス基板）その他の研磨物の製造に好ましく適用され得る。

上記研磨物製造方法は、仕上げ研磨工程の前に、予備研磨工程を含み得る。予備研磨工程に使用する研磨用組成物（予備研磨用組成物）は特に限定されない。例えば、研磨対象物がガラス材料である場合、予備研磨用組成物に好ましく使用し得る砥粒として、セリア、ジルコニア、チタニアおよびシリカが例示される。なかでも好ましいものとしてセリアおよびシリカが挙げられる。セリアとしては、平均一次粒子径Ｄ１が１０ｎｍ〜１０００ｎｍ（より好ましくは３０ｎｍ〜７００ｎｍ、さらに好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍ）程度の粒子を好ましく使用し得る。予備研磨用組成物がシリカ砥粒を含む場合、該シリカ砥粒のＳＳ_AVEは１３．５ｐｐｍ／ｇ以下であることが好ましい。予備研磨用組成物に含まれる砥粒の平均一次粒子径Ｄ１は、仕上げ研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒のＤ１_AVEと同等またはそれ以上であることが好ましい。

予備研磨用組成物のｐＨは特に制限されず、例えばｐＨ１２．０以下（典型的にはｐＨ１．０〜１２．０）とすることができ、ｐＨ１０．０以下（典型的にはｐＨ１．０〜１０．０）としてもよい。好ましい一態様において、予備研磨用組成物のｐＨは、ｐＨ９．０以下（例えばｐＨ２．０〜９．０）とすることができ、ｐＨ８．０以下（典型的にはｐＨ２．５〜８．０、例えばｐＨ３．０〜８．０）とすることがより好ましい。上記ｐＨは、例えば、ガラス磁気ディスク基板等のガラス基板の製造において好ましく適用され得る。砥粒としてセリアを用いる場合、予備研磨用組成物のｐＨは、例えばｐＨ３．０〜９．０とすることができ、ｐＨ４．０〜８．０としてもよく、さらにはｐＨ５．０〜７．５としてもよい。ｐＨの調整には、必要に応じて、有機酸、無機酸、塩基性化合物等のｐＨ調整剤等を使用することができる。

この明細書により開示される事項には、シリカ砥粒を含有する研磨用組成物であって、該シリカ砥粒の平均一次粒子径が１５ｎｍ以上（例えば１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以上５５ｎｍ以下）であり、かつ該シリカ砥粒のｐＨ９．５の水に対する平均ケイ酸イオン溶出量が１３．５ｐｐｍ／ｇ以下である研磨用組成物が含まれる。上記研磨用組成物は、例えば、ガラス基板等のガラス材料の研磨に好ましく用いられ得る。特に、ガラス基板の仕上げ研磨に用いられる研磨用組成物として好適である。

この明細書により開示される事項には、また、シリカ砥粒を含有する研磨用組成物であって、該シリカ砥粒の平均一次粒子径が３０ｎｍ以上（例えば３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは３５ｎｍ以上３００ｎｍ以下）であり、かつ該シリカ砥粒のｐＨ９．５の水に対する平均ケイ酸イオン溶出量が１３．５ｐｐｍ／ｇ以下である研磨用組成物が含まれる。上記研磨用組成物は、例えば、Ｎｉ−Ｐ基板の研磨に好ましく用いられ得る。特に、Ｎｉ−Ｐ基板の一次研磨に用いられる研磨用組成物として好適である。

以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。

以下の実施例において、シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ１）は、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置（商品名「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」）による比表面積の測定値から算出した。シリカ粒子のケイ酸イオン溶出量（ＳＳ）は、上述したケイ酸イオン溶出量測定方法に準じ、具体的には以下の方法で測定した。

［ケイ酸イオン溶出量測定方法］
測定対象のシリカ粒子の含有量が９．８重量％であり、ｐＨ９．５に調整されたシリカ分散液を調製した。上記ｐＨの調整は、必要に応じて水酸化カリウムを使用することにより行った。上記シリカ粒子の含有量（濃度）はイオン交換水の使用量により調整した。測定対象のシリカ粒子がコロイダルシリカである場合は、そのコロイド溶液の濃度およびｐＨを必要に応じて調整することにより上記シリカ分散液を調製した。
得られたシリカ分散液を２５℃で２４時間静置した後、高速冷却遠心機（ベックマン・コールター社製、装置名「Ａｖａｎｔｉ ＨＰ−３０１」、ロータ名「ＪＡ−３０．５０」）を使用して、温度２５℃、回転数２００００ｒｐｍで２０分間遠心分離し、上澄み液を採取した。この上澄み液（必要に応じて、Ｓｉ濃度が７５ｐｐｍ以下となるように調製した希釈液）を測定サンプルとし、ＩＣＰ発光分析装置（島津製作所製、装置名「ＩＣＰＳ−８１００」）を用いてＳｉ濃度を測定した。測定にあたっては、０ｐｐｍ、２５ｐｐｍ、５０ｐｐｍおよび７５ｐｐｍのＳｉ標準試料を用意し、これらのＳｉ標準試料を用いて検量線を引くことにより、上記測定サンプルのＳｉ濃度を求めた。得られたＳｉ濃度から、シリカ粒子１ｇあたりのケイ酸イオン溶出量を算出した。

各シリカ粒子のＤ１，ＳＳおよび使用量に基づいて、各例に係る研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒の平均一次粒子径（Ｄ１_AVE）および平均ケイ酸イオン溶出量（ＳＳ_AVE）を決定した。

実験例１
＜研磨用組成物の調製＞
（実施例１）
原料シリカ（Ｄ１が１４６ｎｍの沈降シリカ）を、空気雰囲気中、９５０℃〜１０５０℃で熱処理（焼成）した。得られた焼成物をボールミルに投入し、直径３ｍｍのボールを用いて、Ｄ２が約３００ｎｍとなるまで解砕した。このようにして、原料シリカ（沈降シリカ）を焼成および解砕してなるシリカ粒子（焼成シリカ）ＦＳ１を調製した。
シリカ粒子ＦＳ１、シリカ粒子ＣＳ１（Ｄ１が約３４ｎｍ、Ｄ２が約７６ｎｍのケイ酸ソーダ法コロイダルシリカ）、硝酸、３１％過酸化水素水および脱イオン水を混合して、ＦＳ１を３１ｇ／Ｌ、ＣＳ１を３０ｇ／Ｌ、硝酸を８ｇ／Ｌ、過酸化水素水を４０ｇ／Ｌ含む研磨用組成物を調製した。

（実施例２および比較例１）
シリカ粒子ＦＳ１，ＣＳ１の含有量を表１に示すように変更した他は実施例１と同様にして、実施例２および比較例１に係る研磨用組成物をそれぞれ調製した。

（比較例２）
シリカ粒子ＣＳ２（Ｄ１が約６２．６ｎｍ、Ｄ２が約９０ｎｍのケイ酸ソーダ法コロイダルシリカ）、硝酸、３１％過酸化水素水および脱イオン水を混合して、ＣＳ２を６２ｇ／Ｌ、硝酸を８ｇ／Ｌ、過酸化水素水を４０ｇ／Ｌ含む研磨用組成物を調製した。

各例に係る研磨用組成物について、シリカ砥粒の組成、平均ケイ酸イオン溶出量（ＳＳ_AVE）および平均一次粒子径（Ｄ１_AVE）の値を表１に示した。なお、これらの研磨用組成物のｐＨは、いずれも１．８であった。

＜ディスクの研磨＞
各例に係る研磨用組成物をそのまま研磨液に使用して、下記の条件で、研磨対象物の研磨を行った。研磨対象物としては、表面に無電解ニッケルリンめっき層を備えたハードディスク用アルミニウム基板を使用した。上記研磨対象物（以下「Ｎｉ−Ｐ基板」ともいう。）の直径は３．５インチ（外径約９５ｍｍ、内径約２５ｍｍのドーナツ型）、厚さは１．７５ｍｍであり、研磨前における表面粗さＲａ（Schmitt Measurement System Inc.社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」により測定したニッケルリンめっき層の算術平均粗さ）は１３０Åであった。

［研磨条件］
研磨装置：システム精工株式会社製の両面研磨機、型式「９．５Ｂ−５Ｐ」
研磨パッド：ＦＩＬＷＥＬ社製のポリウレタンパッド、商品名「ＣＲ２００」
Ｎｉ−Ｐ基板の投入枚数：１５枚（（５枚／キャリア）×３キャリア）
研磨液の供給レート：１３５ｍＬ／分
研磨荷重：１２０ｇ／ｃｍ^２
上定盤回転数：２７ｒｐｍ
下定盤回転数：３６ｒｐｍ
サンギヤ（太陽ギヤ）回転数：８ｒｐｍ
研磨量：各基板の両面の合計で約２．２μｍの厚さ

＜研磨レート＞
各例に係る研磨用組成物を用いて上記研磨条件でＮｉ−Ｐ基板を研磨したときの研磨レートを算出した。研磨レートは、次の計算式に基づいて求めた。
研磨レート［μｍ／ｍｉｎ］＝研磨による基板の重量減少量［ｇ］／（基板の面積［ｃｍ^２］×ニッケルリンめっきの密度［ｇ／ｃｍ^３］×研磨時間［ｍｉｎ］）×１０^４
得られた値を、比較例２の研磨レートに対する倍率に換算して、表１の「研磨レート」の欄に示した。

＜うねり＞
PhaseShift社（米国）製の「Ｏｐｔｉｆｌａｔ ＩＩ」を使用して、研磨後のＮｉ−Ｐ基板の中心から半径２０ｍｍ〜４４ｍｍの範囲についてカットオフ値５ｍｍの条件で測定した算術平均うねり（Ｗａ）の値を測定した。得られた測定値を、比較例２のＷａに対する倍率に換算して、表１の「うねり」の欄に示した。

表１に示される結果から明らかなように、ＳＳ_AVEが１３．５ｐｐｍ／ｇ以下である実施例１，２の研磨用組成物によると、うねりを抑えつつ、比較例２に対して研磨レートを１．５倍以上に向上させることができた。これに対して、ＳＳ_AVEが１３．５ｐｐｍ／ｇを超える比較例１の研磨用組成物では、比較例２に対して研磨レートを向上させる効果は認められなかった。

実験例２
＜研磨用組成物の調製＞
（実施例３，４）
シリカ粒子ＦＳ１、シリカ粒子ＣＳ１、クエン酸および脱イオン水を混合して、表２に示す量のＦＳ１およびＣＳ１を含み、クエン酸でｐＨ３に調製された研磨用組成物を調製した。

（比較例３）
シリカ粒子ＣＳ１、クエン酸および脱イオン水を混合して、表２に示す量のＣＳ１を含み、クエン酸でｐＨ３に調製された研磨用組成物を調製した。

各例に係る研磨用組成物について、シリカ砥粒の組成、平均ケイ酸イオン溶出量（ＳＳ_AVE）および平均一次粒子径（Ｄ１_AVE）の値を表２に示した。

＜ディスクの研磨＞
各例に係る研磨用組成物をそのまま研磨液に使用して、下記の条件で、研磨対象物としての直径６５ｍｍ（約２．５インチ）の磁気ディスク用アルミノシリケートガラス基板（以下「ガラス基板」ともいう。）を以下の条件で研磨した。

［研磨条件］
研磨装置：スピードファム社製の両面研磨装置、型式「９Ｂ−５Ｐ」
研磨パッド：ＦＩＬＷＥＬ社製のスウェードパッド
ガラス基板の投入枚数：１０枚（（２枚／キャリア）×５キャリア）
研磨液の供給レート：１５０ｍＬ／分
研磨荷重：１３０ｇ／ｃｍ^２
上定盤回転数：１３．３ｒｐｍ
下定盤回転数：４０ｒｐｍ
研磨量：各基板の両面の合計で約３〜４μｍの厚さ

＜研磨レート＞
各例に係る研磨用組成物を用いて上記研磨条件でガラス基板を研磨したときの研磨レートを算出した。研磨レートは、次の計算式に基づいて求めた。
研磨レート［μｍ／ｍｉｎ］＝研磨による基板の重量減少量［ｇ］／（基板の面積［ｃｍ^２］×ガラスの密度［ｇ／ｃｍ^３］×研磨時間［ｍｉｎ］）×１０^４
得られた値を、比較例３の研磨レートに対する倍率に換算して、表２の「研磨レート」の欄に示した。

＜うねり＞
Zygo社（米国）製の非接触表面形状測定機「NewView5032」を使用して、レンズ倍率２．５倍、ズーム倍率０．５倍の条件で、１４５０μｍ以上の波長について、研磨後のガラス基板の中心から径方向外側に２５ｍｍの位置に対し、９０°間隔で４箇所を測定し、それらの平均値をうねり値として求めた。得られた測定値を、比較例３のうねり値に対する相対値（倍率）に換算して、表２の「うねり」の欄に示した。

表２に示される結果から明らかなように、ＳＳ_AVEが１３．５ｐｐｍ／ｇ以下である実施例３，４の研磨用組成物によると、ＳＳ_AVEの値がより高い比較例３の研磨用組成物に対して研磨レートを向上させ、かつうねりを同等以下に抑制することができた。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims (11)

1. 研磨パッドと研磨対象物との間に供給されて該研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物であって、
   シリカ砥粒を含有し、
   前記シリカ砥粒は、平均一次粒子径が１５ｎｍ以上であり、かつｐＨ９．５の水に対する平均ケイ酸イオン溶出量が１３．５ｐｐｍ／ｇ以下である、研磨用組成物。
2. 前記シリカ砥粒の平均一次粒子径が３０ｎｍ以上である、請求項１に記載の研磨用組成物。
3. 前記シリカ砥粒は、熱処理されたシリカ粒子を含む、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
4. ｐＨが５以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
5. 仕上げ研磨工程の前工程で用いられる、請求項１から４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
6. 磁気ディスク基板の研磨に用いられる、請求項１から５のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
7. 磁気ディスク基板を製造する方法であって、
   請求項１から６のいずれか一項に記載の研磨用組成物を研磨パッドと磁気ディスク基板との間に供給して該磁気ディスク基板を研磨する工程（１）を包含する、磁気ディスク基板製造方法。
8. 前記工程（１）の後に、コロイダルシリカを含む仕上げ研磨用組成物を用いて前記磁気ディスク基板を研磨する工程（２）をさらに含む、請求項７に記載の磁気ディスク基板製造方法。
9. 前記磁気ディスク基板は、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板である、請求項７または８に記載の磁気ディスク基板製造方法。
10. 前記磁気ディスク基板は、ガラス磁気ディスク基板である、請求項７または８に記載の磁気ディスク基板製造方法。
11. 請求項１から６のいずれか一項に記載の研磨用組成物を研磨パッドと磁気ディスク基板との間に供給して該磁気ディスク基板を研磨する、磁気ディスク基板研磨方法。